JP6246719B2 - 圧電材料及び特性制御方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2011年10月18日に出願された米国仮出願第61/548,687号の優先権を主張する。また、本出願は、2012年3月19日に出願された米国仮出願第61/612,421号の優先権を主張する。これらの文献の全体は、引用によって本願に援用される。
実施例1
2周波超音波プローブ
この実施例では、直径500μm、厚さ44μmのPMN−PTディスクを用いて、単一の元素超音波プローブを作成した。このディスクは、適切な電気ケーブルに接続し、小さなロッドに取り付けた。そして、プローブを加熱し、液体窒素を用いて急速に冷却し、電界は印加しなかった。図2では、この処理におけるプローブのインピーダンスの振幅及び位相をそれぞれ正方晶Z及び正方晶φとして示している。ここに示すように、プローブのインピーダンス共鳴は、約36MHzで発生している。そして、プローブに対するパルスエコー測定を実行して、図3(36MHzとして示す。)に示すような圧力波形を収集した。この波形の挿入FFT(inset FFT)によって、このプローブが36MHzで動作していることが確認された。
カーフレスPMN−PTアレイ
PMN−PT圧電基板から、この実施例で検討されるカーフレス超音波トランスデューサに用いることができる超音波アレイを構築し、ピッチを1λ、要素幅を0.75λとした。全体の寸法が10×10mm、共鳴周波数が約7MHzの基板の中央部分に特定の間隔で電極を除去することによって、7個の線形要素を作成した。体積ベースで10%のアルミナが充填されたEpo−Tek301エポキシからアレイの裏打ち層を作成した。アレイには、整合正面層(matching front layer)を追加しなかった。図4は、PMN−PTカーフレスアレイの中央要素のインピーダンスの振幅及び位相のプロファイルを示している。これらのグラフは、インピーダンスアナライザ(米国カリフォルニア州サンタクララのアジレント社(Agilent)モデル4294A)を用いて取得した。アレイにアクティブな電極要素を設ける前に、圧電基板を加熱及び冷却し、この部分の全体が菱面体晶相又は単斜晶相となるように外部電界を印加した。図4では、この結晶相のインピーダンスの振幅及び位相を単斜晶Z及び単斜晶φとして示している。ここに示すように、アレイは、要素の圧縮モードに対応する約7MHzの単一の共鳴周波数を有する。
異なる室温相における材料特徴付け
この実施例の圧電基板としては、<001>指向PMN−32%PTサンプル(米国APCインターナショナル社(APC International Ltd)製)及び<001>指向PMN−33〜34%PTサンプル(米国TRSテクノロジーズ社(TRS Technologies Inc.)製)を用いた。クエンチされたサンプルは、約120℃(TRTより高く、キュリー温度より低い温度)に加熱した後、液体窒素バスに急速に浸漬することによって準備した。TRSサンプルについては、インピーダンスアナライザに示すように、インピーダンス共振を低くロックするために、クエンチの間、元のポーリング電界とは逆の極性で非常に小さいバイアス電界(0.4V/μm未満)を印加する必要がある。室温において、クエンチされた後、室温に戻ったサンプルの[001]軸に沿って1.5V/μmの一時的なバイアス電界を印加することによって、多分域菱面体晶又は単斜晶のサンプルを準備した。
PMN−32%PTの実効複合トランスデューサの解析及び準備
この実施例の目的は、圧電基板のカット及びエポキシ充填の必要性がない複合トランスデューサの作成におけるクエンチ/ポーリング技術の実用性を示すことである。従来の複合トランスデューサでは、所望の複合パターン、通常、長方形又は正方形のピラーを作成するために、まず、超小型ダイシングソー又はレーザソーによって、圧電基板をカットする必要があった。次に、ピラーの間のギャップにエポキシを充填する。エポキシ充填材は、圧電基板より遙かに柔らかいので、この技術によって、基板のプレート振動モードに関連する横方向クランピングが失われ、トランスデューサは、機械的に切り離された一連のピラーとして応答するようになる。圧電材料のピラーモードは、通常、より効率的であるので、基板の総合的な電気機械的効率は、大幅に向上する。そして、複合材料基板は、センサ、アクチュエータ又はトランスデューサ等のデバイス用途に応じて望ましい形状にカットされる。
音響導波路
音響導波路は、壁部が異なる材料で形成されている1つの材料のチャネルから作成することができる。チャネル領域の音の速度が周囲の領域より遅い場合、界面に近付く入射音波が、ある範囲の角度で全内反射し、これによって、音波は、無損失でチャネル内を伝播する。音響導波路は、基板内に溝をカット又はエッチングすることによって、又は異なる材料を積層して界面を形成することによって作成できる。幾つかの実施形態では、音響導波路は、圧電基板内の結晶相を制御して、単一の材料内にチャネルを形成することによって実現される。
光導波路
チェン(Cheng)(引用によって本願に援用される香港理工大学(Hong Kong Polytechnic University)博士論文「PMN−PT単結晶及び薄膜の誘電性及び電気光学特性(Dielectric and electrooptic properties of PMN-PT single crystals and thin films)」によれば、バルク単結晶のPMN−PT及びMgO基板に堆積された薄膜としてのPMN−PTの両方から光導波路を作成することができる。導波路は、導波路の外側の材料の除去によって、フォトリソグラフィの手法で導波路チャネルを画定することによって形成できる。また、68PMN−32PTは、単結晶の形式でも、633nmにおいて、大きな線形電子光学係数reff=217pm/Vを示し、これは、ニオブ酸リチウム(reff=31pm/V)の7倍にあたり、したがって、PMN−PTは、ポッケトセル、電子光学スイッチに好適な材料である。他の研究によって、PMN−PTは、同様に大きな非線形光学感受性を有することが確認され、したがって、PMN−PTは、非線形周波数変換デバイスに適する。
603 圧電基板
605 圧電基板の第1の表面
607 圧電基板の第2の表面
609 第2の電極、例えば、接地電極
610 第1の電極、電極要素(素子)のアレイ
@ 第1の領域、第1の結晶構造、例えば、正方晶
* 第2の領域、第2の結晶構造、例えば、菱面体晶又は単斜晶になる選択された領域
1201 超音波イメージングプローブのハウジング
1203 超音波トランスデューサ
1205 圧電基板
1207 電極
1209 導電性チャネル
1301 干渉型光デバイス内の圧電基板
1303 基板の表面
1305 電極
Claims (39)
- 転移温度より高い温度に加熱されると、第1の結晶構造への相転移が生じるリラクサ圧電組成を有する圧電基板内に物質特性が異なる領域を形成する方法であって、
前記圧電基板を前記転移温度より高く、キュリー温度より低い温度に加熱し、前記第1の結晶構造への第1の相転移を引き起こすステップと、
前記圧電基板を前記転移温度より低い温度に急速に冷却するステップと、
前記1つ以上の選択された領域間および隣接する領域間で物質の特性差が生じるように、前記圧電基板の1つ以上の選択された領域に電界を順次又は同時に印加するステップとを有する方法。 - 前記第1の結晶構造は、正方晶である請求項1記載の方法。
- 前記圧電基板は、前記第1の相転移の前に菱面体晶構造を有する請求項1又は2記載の方法。
- 前記電界は、
前記各選択された領域の上にそれぞれ1つの第1の電極が設けられるように、前記圧電基板の第1の表面に1つ以上の第1の電極を形成し、
少なくとも前記選択された領域の上に第2の電極が設けられるように、前記圧電基板の第2の表面に第2の電極を形成し、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に電位差を生じさせることによって印加される請求項1から3までの何れか1項記載の方法。 - 前記圧電基板は、超音波音響共鳴の生成に適する寸法を有する請求項4記載の方法。
- 1以上の前記第1の電極は、電極要素のアレイにより形成され、前記電極要素は、超音波ビームステアリングに適するピッチを有する請求項5記載の方法。
- 前記電界は、
前記圧電基板の第1の表面にフォトレジスト層を堆積させ、
前記フォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターン化し、
前記選択された領域が圧電面の露出した領域となるようにフォトレジスト層を現像して選択的にフォトレジストを取り除き、
第1の電極が前記残されたフォトレジスト及び露出した圧電面の領域に形成されるように前記第1の表面に第1の電極を堆積させ、前記圧電基板の第2の表面に第2の電極を堆積させ、
前記電界が前記選択された領域のみにおいて物質特性の変化を誘起するために十分な強度を有するように、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電位差を生じさせることによって印加される請求項1から3までの何れか1項記載の方法。 - 前記第1の電極及び第2の電極は、前記圧電基板を加熱する前に形成される請求項4から7までの何れか1項記載の方法。
- 前記転移温度より高い温度に前記圧電基板を加熱しながら、前記圧電基板の電気的インピーダンスを測定し、前記電気的インピーダンスに基づいて、前記第1の相転移の発生を判定するステップを更に有する請求項1から8までの何れか1項記載の方法。
- 少なくとも前記第1の相転移が発生したと判定されるまで、前記圧電基板の温度を前記転移温度より高い温度に維持するステップを更に有する請求項1から9までの何れか1項記載の方法。
- 前記圧電基板の選択された領域に前記電界を印加しながら、前記圧電基板の電気的インピーダンスを測定するステップを更に有する請求項1から10までの何れか1項記載の方法。
- 少なくとも物質特性の変化が発生したと判定されるまで、前記電界を維持するステップを更に有する請求項1から11までの何れか1項記載の方法。
- 前記電界の印加の間、前記電界の強度を変更しながら前記圧電基板の電気的インピーダンスの変化を追跡し、物質特性の変化を発生させるために必要な電界の強度を測定するステップを更に有する請求項11記載の方法。
- 前記圧電基板は、リラクサチタン酸鉛単結晶である請求項1から13までの何れか1項記載の方法。
- 前記圧電基板は、PMN又はPZN圧電材料から形成されている請求項1から13までの何れか1項記載の方法。
- 1以上の物質特性は、機械的、電気的、および圧電材料の特性の群の中から選択される請求項1から15までの何れか1項記載の方法。
- 1以上の物質特性は、剛性である請求項16記載の方法。
- 1以上の物質特性間の差は、室温においても残る請求項1から17までの何れか1項記載の方法。
- 転移温度より高い温度に加熱されると第1の結晶構造への相転移が発生するリラクサ圧電組成を有する圧電基板において、前記圧電基板は、
前記圧電基板の第1の領域の第1のアレイと、
前記圧電基板の第2の領域の第2のアレイであって、第2の領域の各々は前記第1の領域の各々の少なくとも1と横方向に隣接し、
前記第1の領域及び前記第2の領域は、異なる機械的及び電気的特性を示す圧電基板。 - 前記第1の領域及び前記第2の領域は、異なる剛性を有する請求項19記載の圧電基板。
- 前記第1の領域と前記第2の領域は、室温で安定である請求項19又は20記載の圧電基板。
- 前記圧電基板の第1の表面に形成された電極要素のアレイを更に備え、前記各第1の領域にそれぞれ1つの電極要素が設けられている請求項19から21までのいずれか1項に記載の圧電基板。
- 前記圧電基板の第2の表面に形成された第2の電極を更に備え、前記第2の電極は、少なくとも各第1の領域の上に設けられている請求項22記載の圧電基板。
- 前記圧電基板は、超音波音響共鳴の生成に適する寸法を有する請求項22又は23記載の圧電基板。
- 前記電極要素は、超音波ビーム形成に適するピッチを有する請求項24記載の圧電基板。
- カーフレス超音波トランスデューサの指向性を改善する方法において、カーフレス超音波トランスデューサは、
転移温度より高い温度に加熱されると、正方晶構造への相転移が発生するリラクサ圧電組成を有する圧電基板と、
前記圧電基板の第1の表面に形成された電極要素のアレイと、
前記圧電基板の第2の表面に形成された第2の電極とを備え、
前記方法は、
前記圧電基板を前記転移温度より高く、キュリー温度より低い温度に加熱し、第1の結晶構造への第1の相転移を引き起こすステップと、
前記圧電基板を前記転移温度より低い温度に急速に冷却するステップと、
順次又は同時に前記電極要素と前記第2の電極との間に電位差を生じさせ、前記電極要素の下の前記圧電基板を介して電界を生成し、前記電極要素および隣接領域間において、物質特性の差が生じるように適切な強度及び十分な持続時間で、前記電界を印加するステップとを有する方法。 - 前記第1の結晶構造は、正方晶構造である請求項26記載の方法。
- 前記形成されるアレイは、2重結晶相リラクサ圧電アレイである請求項26記載の方法。
- 前記形成されるアレイは、イメージングに適する実効カーフが形成されたアレイである請求項28記載の方法。
- 前記形成されるアレイは、高周波超音波に適する請求項28記載の方法。
- 転移温度より高い温度に加熱されると、第1の結晶構造への相転移が生じるリラクサ圧電型組成を有する圧電基板内の結晶構造が異なる領域の間に機械的、電気的、電気機械的、焦電的、圧電的又は光学的な特性の差を生じさせる方法において、
前記圧電基板を前記転移温度より高く、キュリー温度より低い温度に加熱し、前記第1の結晶構造への第1の相転移を引き起こすステップと、
前記圧電基板を前記転移温度より低い温度に急速に冷却するステップと、
1つ以上の選択された領域内および隣接領域間で、物質特性の差が生じるように順次又は同時に、前記圧電基板の1つ以上の選択された領域に電界を印加するステップとを有する方法。 - 機械的特性、電気的特性及び圧電特性からなるグループから選択される少なくとも1つの特性に差が生じる請求項31記載の方法。
- 前記特性の差は、機械的特性の差である請求項32記載の方法。
- 転移温度より高い温度に加熱されると、第1の結晶構造への相転移が生じるリラクサ圧電型組成を有する圧電基板の1つ以上の選択された領域におけるバルク結晶相に選択的に変化を引き起こす方法において、
前記圧電基板を前記転移温度より高く、キュリー温度より低い温度に加熱し、前記第1の結晶構造への第1の相転移を引き起こすステップと、
前記圧電基板を前記転移温度より低い温度に急速に冷却するステップと、
1つ以上の選択された領域内および隣接領域間で、物質特性の差が生じるように順次又は同時に、前記圧電基板の1つ以上の選択された領域に電界を印加するステップとを有する方法。 - リラクサ圧電組成を有する圧電基板を有する音響導波路を製造する方法において、
前記基板の第1の表面に1つ以上の第1の電極をスパッタリング形成するステップと、 前記基板の第2の表面に1つ以上の第2の電極をスパッタリング形成するステップと、 前記第1の表面にフォトリソグラフィパターンを有するフォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層を処理して、前記フォトレジスト層の露出していない領域に1つ以上のチャネルを形成し、この領域から第1の電極を取り除くステップと、
前記圧電基板に第1の相転移を引き起こすために十分な転移温度より高く、キュリー温度より低い温度で基板全体を加熱するステップと、
前記圧電基板を急速に冷却するステップと、
前記第1の電極と第2の電極との間の基板領域内に物質特性の差が発生するまで、前記第1の電極と第2の電極との間に電位差を生じさせる電界を順次又は同時に印加するステップとを有し、
前記チャネルは、音響導波路として機能する方法。 - ハウジングと、
前記ハウジング内に支持され、請求項22から25までの何れか1項記載の圧電基板を有し、超音波を出射および・または受信するように適応化された超音波トランスデューサと、
前記ハウジング内に形成され、前記電極要素のそれぞれを電気的にアドレス指定する導電チャネルと、を備える超音波イメージングプローブ。 - 前記アレイは、高周波超音波イメージングに適するピッチを有する請求項36記載の超音波イメージングプローブ。
- 前記選択された領域は、前記圧電基板の平面内に少なくとも1つの線形のセグメントを画定し、前記圧電基板の前記線形セグメントと隣接する領域との間の音響的特性の差は、前記線形セグメント内で誘導される音響波の保持に適する請求項1から18まで及び31から33までの何れか1項記載の方法。
- 前記選択された領域は、前記圧電基板の平面内に少なくとも1つの線形のセグメントを画定し、前記圧電基板の前記線形セグメントと隣接する領域との間の屈折率の差は、前記線形セグメント内で誘導される光波の保持に適する請求項1から4まで及び31から33までの何れか1項記載の方法。
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