JP6225167B2 - 保護層を中心に有するスピン注入デバイス - Google Patents
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Description
−要求の少ない環境で、
−潜在的酸化リスクのために酸素のような一般的化学元素を除外しない有機層を有し、
−および/または有機層に面する磁気面を酸化または汚染せずに製造を可能にすることであり、
−そのスピンフィルタリングレートが改善される。
a)基板の面または第1の面上に保護層を形成して、環境による前記面の酸化および/または汚染を制限または防止するステップであって、面は、磁気および電気伝導性でよく、保護層は、反磁性または常磁性でよく、好ましくは保護層は、常磁性であり、強い磁化率を含むステップと、
b)前記層と基板の面との間のバイアス電子の移動を促進する、保護層上に上側層を形成するステップとを含む方法が提供される。
a)基板の面上に金属保護層を形成して、環境による前記面の酸化および/または汚染を制限または防止するステップであって、基板の面が、磁気および電気伝導性であり、保護層が、反磁性または常磁性であるステップと、
b)保護層上に上側層を形成するステップであって、上側層は、基板および/または基板の面の磁気によって定義された振幅およびスピン基準系により保護層と上側層との間の界面のフェルミ準位の近くで電子状態のスピンバイアスを促進することができ、上側層は有機層であり、その一つまたは複数の分子部位は、保護層に接して、空間と時間に固定され、基板および/または基板の面の磁気基準系に基づくか対応する単一磁気基準系を特徴とする常磁性モーメントを有するステップとを含む方法を提供する。
−面または第1の磁気面および導電体を含む基板と、
−環境による前記面の酸化および/または汚染を制限または防止するために、基板の面上の保護層であって、低磁性、反磁性または常磁性のものでよい保護層と、
−保護層上の上側層であって、前記層と基板の第1の面との間のバイアス電子の輸送を促進する上側層とを含むスピン注入デバイスに関する。
−任意の酸化および/または汚染現象から基板10の第1の面11を保護する。
−基板10および/または第1の面11の磁気特性の乱れをできるだけ少なくする。
−上側層32の表面26へのハイブリダイゼーションを促進して、基板10の第1の面11が、保護層22と接する上側層の面34を構成する第1の原子層の少なくとも5%、10%、50%、または70%以上をバイアスできるようにする。
−かつ/または、基板10と上側層32との間の電磁結合効果を制御する。
−基板10は、保護層22によって覆われた後で、その第1の面11の磁化特性を低下させることなく、酸化または湿潤環境に保管または移動されうる。
−中間デバイス20上への上側層の付着は、酸化雰囲気環境あるいは基板10およびその上側面11のスピントロニクス特性を劣化させる性質を有する環境で行われうる。
−上側層32(その化学的性質が、基板10と直接接触して、基板10の表面11の特性を劣化させる可能性がある)は、保護層22によってスピントロニクスデバイスに組み込まれうる。
−基板10の表面11のスピントロニクス特性は、質的(即ち、基板10の磁化によって制御されたスピン基準系フレームからスピンバイアスの存在に関して)に上側層32にオフセットされる可能性があり、基板10は、他の状況ならば基板10の表面11のスピントロニクス特性に有害な環境に置かれる上側層をスピントロニクス的に制御することができる。
Claims (12)
- スピン注入デバイス(30)を製造する方法であって、
a)環境による基板(10)の面(11)の酸化および/または汚染を制限または防止するために、前記基板(10)の前記面(11)上に金属保護層(22)を形成するステップであって、前記基板(10)の前記面(11)が、磁気および電気伝導性であり、前記保護層(22)が、反磁性か常磁性であるステップと、
b)前記保護層(22)上に上側層(32)を形成するステップであって、前記上側層(32)が、前記基板(10)および/または前記基板(10)の前記面(11)の磁気によって定義される振幅とスピン基準系にしたがって前記保護層(22)と前記上側層(32)との間の界面のフェルミ準位の近くの電子状態のスピンバイアスを促進することが可能であり、前記上側層(32)は、一つまたは複数の分子部位が、前記保護層(22)に接して、常磁性モーメントを有する有機層であり、前記常磁性モーメントは単一磁気基準系を特徴とし、空間と時間内に固定され、前記基板(10)および/または前記基板(10)の前記面(11)の磁気基準系に基づいているステップと、を含む方法。 - 前記保護層(22)が、一つまたは複数の貴金属で作成されている、請求項1に記載のスピン注入デバイス(30)を製造する方法。
- 前記保護層(22)の厚さが、前記基板(10)の前記面(11)に実質的に垂直な方向に、前記保護層を構成する1原子層から130原子層の厚さである、請求項1または2に記載のスピン注入デバイス(30)を製造する方法。
- 前記上側層(32)が、炭素、窒素、酸素、フッ素、ホウ素、鉄、コバルト、マンガン、銅、バナジウム、亜鉛、マグネシウム、シリコンの元素のうちの少なくとも一つを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のスピン注入デバイス(30)を製造する方法。
- 前記基板(10)の前記面(11)が、コバルト、ニッケル、鉄、4dおよび/または5d型金属を含む鉄またはコバルト合金、および/または一つまたは複数の磁性酸化物の要素のうちの少なくとも一つを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載のスピン注入デバイス(30)を製造する方法。
- 前記基板(10)の前記面(11)が結晶化されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載のスピン注入デバイス(30)を製造する方法。
- 前記基板(10)の前記面(11)が非晶質である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のスピン注入デバイス(30)を製造する方法。
- 前記基板(10)および/または前記基板(10)の前記面(11)の磁気を制御する手段を製造するステップを更に含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載のスピン注入デバイス(30)を製造する方法。
- 前記スピン注入デバイス(30)が、第2の基板(10)上に提供された第2の保護層(22)を含む中間デバイス(20)に接続され、前記中間デバイス(20)の前記第2の保護層(22)が、前記基板(10)または前記スピン注入デバイス(30)の前記上側層(32)に対向して設けられている、請求項1〜8のいずれか一項に記載のスピン注入デバイス(30)を製造する方法を実施するステップを含むデバイス(40,50)を製造する方法。
- 前記スピン注入デバイス(30)の前記基板(10)および前記上側層(32)が、電流発生器デバイスに接続されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第2の保護層(22)が、前記スピン注入デバイス(30)の前記基板(10)に対向して設けられている場合には、前記第2の基板(10)および前記上側層(32)が電流発生器デバイスに接続されている、
あるいは、
前記第2の保護層(22)が、前記スピン注入デバイス(30)の前記上側層(32)に対向して設けられている場合には、前記スピン注入デバイス(30)の前記基板(10)および前記第2の基板(10)が前記電流発生器デバイスに接続されている、請求項9に記載の製造方法。 - 前記電流発生器デバイスが、動作温度が−50℃より高い場合に、少なくとも10%にバイアスされる前記スピン注入デバイス(30)の前記保護層(22)を少なくとも通過するバイアス電流を出力可能である、請求項10または11に記載の製造方法。
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