JP6224829B2 - 遮光性組成物 - Google Patents

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Description

本発明は、遮光性組成物に関する。
CCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)などの固体撮像素子には、ノイズ発生防止、画質の向上等を目的として遮光膜が設けられる。
固体撮像素子用の遮光膜を形成するための組成物としては、カーボンブラックやチタンブラック等の黒色色材を含有する遮光性組成物が知られている(特許文献1)。
特開2012−237952号公報
特許文献1においては、開示されている遮光性組成物を使用すると、塗布均一性、段差追従性が良好であり、高温・高湿耐久性も良好な遮光膜が形成できる旨が開示されている。
一方、固体撮像素子の小型化、薄型化、及び、高感度化に伴い、遮光膜の基板に対する密着性のより一層の向上、及び、遮光膜製造の際に実施される現像時の残渣物の除去性のより一層の向上が求められている。
本発明者らは、特許文献1で開示されている遮光性組成物を用いて、基板に対する密着性及び現像時の残渣除去性について検討を行ったところ、従来要求されていたレベルは満たすものの、昨今要求されるより高いレベルを満たしておらず、さらなる改良が必要であることが知見された。
本発明は、上記実情に鑑みて、基板に対する密着性及び現像時の残渣除去性に優れる遮光膜を形成できる遮光性組成物を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意研究した結果、所定の成分を含む組成物を使用することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
(1) (A)遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか1種、(B)分散樹脂、(C)酸価が50mgKOH/g以下であり、重量平均分子量が8000〜50000であるバインダーポリマー、及び、(D)重合性化合物を少なくとも含有する遮光性組成物。
(2) バインダーポリマーの酸価が20〜50mgKOH/gであり、SP値が15〜30(MPa)1/2である、(1)に記載の遮光性組成物。
(3) 分散樹脂のSP値が15〜30(MPa)1/2である、(1)又は(2)に記載の遮光性組成物。
(4) 分散樹脂のSP値と、バインダーポリマーのSP値との差(分散樹脂のSP値−バインダーポリマーのSP値)の絶対値が3(MPa)1/2以上である、(1)〜(3)のいずれかに記載の遮光性組成物。
(5) 遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか1種が、カーボンブラックである、(1)〜(4)のいずれかに記載の遮光性組成物。
本発明によれば、基板に対する密着性及び現像時の残渣除去性に優れる遮光膜を形成できる遮光性組成物を提供することができる。
本発明の遮光膜が適用された第1実施態様の断面図である。 本発明の遮光膜が適用された第2実施態様の断面図である。 本発明の遮光膜が適用された第3実施態様の断面図である。 本発明の遮光膜が適用された第4実施態様の断面図である。
以下、本発明の遮光性組成物(以後、単に「組成物」とも称する)が含有し得る各成分について詳細に説明する。
なお、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
また本明細書中における「放射線」は、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を含むものを意味する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
なお、本明細書において、“(メタ)アクリレート”はアクリレート及びメタアクリレートを表し、“(メタ)アクリル”はアクリル及びメタアクリルを表し、“(メタ)アクリロイル”は、アクリロイル及びメタクリロイルを表す。また、本明細書中において、“単量体”と“モノマー”とは同義である。本発明における単量体は、オリゴマー及びポリマーと区別され、質量平均分子量が2,000以下の化合物をいう。本明細書中において、重合性化合物とは、重合性基を有する化合物のことをいい、単量体であっても、ポリマーであってもよい。重合性基とは、重合反応に関与する基をいう。
遮光性組成物(遮光膜形成用組成物)には、(A)遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか1種、(B)分散樹脂、(C)酸価が50mgKOH/g以下であり、重量平均分子量が8000〜50000であるバインダーポリマー、及び、(D)重合性化合物が少なくとも含まれる。
以下、上記成分について詳述する。
((A)遮光性粒子及び遮光性染料)
本発明に使用される遮光性粒子及び遮光性染料(以後、これらを総称して「遮光材料」とも称する)は、主に800〜1200nmに吸収を有し、かつ、露光に用いられる光の透過性が良好であることが好ましい。
また、本発明における遮光性粒子及び遮光性染料としては、800〜1200nmに吸収を有する遮光性粒子及び遮光性染料のいずれもが使用可能であるが、耐熱性という観点から遮光性粒子が好ましい。遮光性粒子は微粒子であることが好ましく、粒径分布における極大値を示す粒子径が、5〜100nmの範囲であることが好ましく、5〜50nmの範囲であることがより好ましく、5〜30nmの範囲であることが更に好ましい。粒子径がこのような範囲であることによって、経時などにより遮光性粒子が沈降を起こすことが少なくなり、本発明の組成物の経時安定性がより良好になる。
組成物中における遮光材料の総含有量は特に制限されないが、遮光膜の遮光特性がより優れる点で、含有量が多いほうが好ましいが、含有量が多すぎる際にはパターニングに使用する紫外光に対する遮光が高くなりすぎて不利となるため、組成物中における全固形分に対して、20〜70質量%が好ましく、25〜50質量%がより好ましく、25〜35質量%が更に好ましく、30〜35質量%が特に好ましい。
なお、全固形分とは、後述する遮光膜を構成し得る成分(例えば、遮光材料、バインダーポリマー、重合性化合物など)の合計質量を意図し、溶媒など膜を構成しない成分は含まれない。
なお、組成物中においては、遮光性粒子及び遮光性染料の両方が含まれていてもよい。
遮光性染料として使用できる染料としては、例えば、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、インモニウム色素、アミニウム色素、キノリウム色素、ピリリウム色素、又は、Ni錯体色素などの金属錯体色素などを挙げることができる。
また、遮光性粒子としては、耐熱性という観点から、有機顔料及び無機顔料から選ばれる顔料が好ましく、特に無機顔料が好ましい。
遮光性粒子として使用できる無機顔料としては、例えば、カーボンブラック、チタンブラック、タングステン化合物、亜鉛華、鉛白、リトポン、酸化チタン、酸化クロム、酸化鉄、沈降性硫酸バリウム及びバライト粉、鉛丹、酸化鉄赤、黄鉛、亜鉛黄(亜鉛黄1種、亜鉛黄2種)、ウルトラマリン青、プロシア青(フェロシアン化鉄カリ)、ジルコングレー、プラセオジムイエロー、クロムチタンイエロー、クロムグリーン、ピーコック、ビクトリアグリーン、紺青(プルシアンブルーとは無関係)、バナジウムジルコニウム青、クロム錫ピンク、陶試紅、サーモンピンク等が挙げられ、更に、黒色顔料として、Co、Cr、Cu、Mn、Ru、Fe、Ni、Sn、Ti及びAgからなる群より選ばれた1種又は2種以上の金属元素を含む金属酸化物、金属窒素物或いはそれらの混合物などを用いることができる。
これらの無機顔料の中でも、赤外線遮光性という観点から、カーボンブラック、チタンブラック、酸化チタン、酸化鉄、酸化マンガン、グラファイト等が好ましく、中でも、カーボンブラック、及び、チタンブラックのうちの少なくとも1種を含むことが好ましく、特にカーボンブラックが好ましい。
上記カーボンブラックとしては、特開2006−301101号公報の段落番号〔0020〕〜〔0024〕に開示のものを使用することができる。
((B)分散樹脂)
組成物は、遮光材料(特に、遮光性粒子)の分散安定性を向上させるために、分散樹脂を含有する。
分散樹脂のSP値は特に制限されないが、基板に対する密着性及び現像時の残渣除去性の少なくとも一方がより優れる点(以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する)で、SP値が15〜30(MPa)1/2であることが好ましく、17〜22(MPa)1/2であることがより好ましい。
なお、本発明におけるSP値とは、溶解性パラメータのことであるが、沖津法で測定した溶解性パラメータのことを示す。沖津法については、日本接着学会誌、Vol.29、No.5(1993)に詳細に記載されている。分散樹脂のSP値は以下のようにして求められた値を指す。まず、分散樹脂を形成するためのモノマーのSP値を沖津法により求める。次に、モノマー種毎に、モノマーのSP値と分散樹脂中におけるモノマーの質量分率との積を求める。次に、モノマー種毎に求められた上記の積を合算することにより、分散樹脂のSP値が求められる。
例えば、SP値15MPa1/2のモノマーA(10質量%)と、SP値18MPa1/2のモノマーB(20質量%)と、SP値20MPa1/2のモノマーC(70質量%)と、の共重合体である分散樹脂aのSP値は、下記式により求められる。
分散樹脂aのSP値(MPa1/2):15(MPa1/2)×(10/100)+18(MPa1/2)×(20/100)+20(MPa1/2)×(70/100)=19.1(MPa1/2
分散樹脂は、グラフト鎖を有する構造単位を有している分散樹脂が好ましく、グラフト鎖を有する構造単位、及び、グラフト鎖を有する構造単位とは異なる疎水性構造単位を有している分散樹脂がより好ましい。
分散樹脂としては、例えば、ポリアミドアミンとその塩、ポリカルボン酸とその塩、高分子量不飽和酸エステル、変性ポリウレタン、変性ポリエステル、変性ポリ(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル系共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン等を挙げることができる。
なお、分散樹脂としては、その構造から更に直鎖状高分子、末端変性型高分子、グラフト型高分子、及びブロック型高分子に分類することができる。
分散樹脂は、分散質(遮光材料)の表面に吸着し、再凝集を防止するように作用する。そのため、これらの表面へのアンカー部位を有する末端変性型高分子、グラフト型高分子、ブロック型高分子が好ましい構造として挙げることができる。
分散樹脂は、上記したように、グラフト鎖を有する構造単位を有することが好ましい。なお、本明細書において、「構造単位」とは「繰り返し単位」と同義である。このようなグラフト鎖を有する構造単位を有する分散樹脂は、グラフト鎖によって溶媒との親和性を有するために、分散質の分散性、及び、経時後の分散安定性に優れるものである。また、組成物においては、グラフト鎖の存在により重合性化合物又はその他の併用可能な樹脂などとの親和性を有するので、アルカリ現像で残渣を生じにくくなる。
グラフト鎖が長くなると立体反発効果が高くなり分散性は向上するが、一方、グラフト鎖が長すぎると分散質への吸着力が低下して分散性は低下する傾向となる場合もある。このため、グラフト鎖は、水素原子を除いた原子数が40〜10000の範囲であるものが好ましく、水素原子を除いた原子数が50〜2000であるものがより好ましく、水素原子を除いた原子数が60〜500であるものが更に好ましい。ここで、グラフト鎖とは、共重合体の主鎖の根元(主鎖から枝分かれしている基において主鎖に結合する原子)から、主鎖から枝分かれしている基の末端までを示す。
グラフト鎖は、ポリマー構造を有することが好ましく、このようなポリマー構造としては、例えば、ポリアクリレート構造(例えば、ポリ(メタ)アクリル構造)、ポリエステル構造、ポリウレタン構造、ポリウレア構造、ポリアミド構造、及び、ポリエーテル構造などを挙げることができる。
グラフト部位と溶媒との相互作用性を向上させ、それにより分散性を高めるために、グラフト鎖は、ポリエステル構造、ポリエーテル構造及びポリアクリレート構造からなる群から選ばれた少なくとも1種を有するグラフト鎖であることが好ましく、ポリエステル構造及びポリエーテル構造の少なくともいずれかを有するグラフト鎖であることがより好ましい。
このようなポリマー構造をグラフト鎖として有するマクロモノマーの構造としては、ポリマー主鎖部と反応可能な置換基を有していれば、特に限定されないが、好ましくは、反応性二重結合性基を有するマクロモノマーを好適に使用することができる。
分散樹脂が有するグラフト鎖を有する構造単位に対応し、分散樹脂の合成に好適に用いられる市販のマクロモノマーとしては、AA−6(商品名、(商品名、東亜合成(株))、AA−10(商品名、東亜合成(株)製)、AB−6(商品名、東亜合成(株)製)、AS−6(東亜合成(株))、AN−6(商品名、東亜合成(株)製)、AW−6(商品名、東亜合成(株)製)、AA−714(商品名、東亜合成(株)製)、AY−707(商品名、東亜合成(株)製)、AY−714(商品名、東亜合成(株)製)、AK−5(商品名、東亜合成(株)製)、AK−30(商品名、東亜合成(株)製)、AK−32(商品名、東亜合成(株)製)、ブレンマーPP−100(商品名、日油(株)製)、ブレンマーPP−500(商品名、日油(株)製)、ブレンマーPP−800(商品名、日油(株)製)、ブレンマーPP−1000(商品名、日油(株)製)、ブレンマー55−PET−800(日油(株)製)、ブレンマーPME−4000(商品名、日油(株)製)、ブレンマーPSE−400(商品名、日油(株)製)、ブレンマーPSE−1300(商品名、日油(株)製)、ブレンマー43PAPE−600B(商品名、日油(株)製)などが用いられる。このなかでも、好ましくは、AA−6(東亜合成(株)製)、AA−10(商品名、東亜合成(株))、AB−6(商品名、東亜合成(株)製)、AS−6商品名、東亜合成(株))、AN−6(商品名、東亜合成(株)製)、ブレンマーPME−4000(商品名、日油(株)製)などが用いられる。
分散樹脂は、グラフト鎖を有する構造単位として、下記式(1)〜式(4)のいずれかで表される構造単位を含むことが好ましく、下記式(1A)、下記式(2A)、下記式(3A)、下記式(3B)、及び下記式(4)のいずれかで表される構造単位を含むことがより好ましい。
式(1)〜式(4)において、W、W、W、及びWはそれぞれ独立に酸素原子又はNHを表す。W、W、W、及びWは酸素原子であることが好ましい。
式(1)〜式(4)において、X、X、X、X、及びXは、それぞれ独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。X、X、X、X、及びXとしては、合成上の制約の観点からは、好ましくはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜12のアルキル基であり、それぞれ独立に水素原子又はメチル基であることがより好ましく、メチル基が特に好ましい。
式(1)〜式(4)において、Y、Y、Y、及びYは、それぞれ独立に、2価の連結基を表し、連結基は特に構造上制約されない。Y、Y、Y、及びYで表される2価の連結基として、具体的には、下記の(Y−1)〜(Y−21)の連結基などが例として挙げられる。下記に示した構造において、A、Bはそれぞれ、式(1)〜式(4)における左末端基、右末端基との結合部位を意味する。下記に示した構造のうち、合成の簡便性から、(Y−2)又は(Y−13)であることがより好ましい。
式(1)〜式(4)において、Z、Z、Z、及びZは、それぞれ独立に1価の有機基を表す。有機基の構造は、特に限定されないが、具体的には、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオエーテル基、アリールチオエーテル基、ヘテロアリールチオエーテル基、及びアミノ基などが挙げられる。これらの中でも、Z、Z、Z、及びZで表される有機基としては、特に分散性向上の観点から、立体反発効果を有するものが好ましく、各々独立に炭素数5から24のアルキル基が好ましく、その中でも、特に各々独立に炭素数5から24の分岐アルキル基或いは炭素数5から24の環状アルキル基が好ましい。
式(1)〜式(4)において、n、m、p、及びqは、それぞれ1から500の整数である。また、式(1)及び式(2)において、j及びkは、それぞれ独立に、2〜8の整数を表す。式(1)及び式(2)におけるj及びkは、分散安定性、現像性の観点から、4〜6の整数が好ましく、5が最も好ましい。
式(3)中、Rは分岐若しくは直鎖のアルキレン基を表し、炭素数1〜10のアルキレン基が好ましく、炭素数2又は3のアルキレン基であることがより好ましい。pが2〜500のとき、複数存在するRは互いに同じであっても異なっていてもよい。
式(4)中、Rは水素原子又は1価の有機基を表し、この1価の有機基としては特に構造上限定はされない。Rとして好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基が挙げられ、更に好ましくは、水素原子、又はアルキル基である。Rがアルキル基である場合、アルキル基としては、炭素数1〜20の直鎖状アルキル基、炭素数3〜20の分岐状アルキル基、又は炭素数5〜20の環状アルキル基が好ましく、炭素数1〜20の直鎖状アルキル基がより好ましく、炭素数1〜6の直鎖状アルキル基が特に好ましい。式(4)において、qが2〜500のとき、グラフト共重合体中に複数存在するX及びRは互いに同じであっても異なっていてもよい。
また、分散樹脂は、2種以上の構造が異なる、グラフト鎖を有する構造単位を有することができる。即ち、分散樹脂の分子中に、互いに構造の異なる式(1)〜式(4)で示される構造単位を含んでいてもよく、また、式(1)〜式(4)においてn、m、p、及びqがそれぞれ2以上の整数を表す場合、式(1)及び式(2)においては、側鎖中にj及びkが互いに異なる構造を含んでいてもよく、式(3)及び式(4)においては、分子内に複数存在するR、R及びXは互いに同じであっても異なっていてもよい。
式(1)で表される構造単位としては、分散安定性、現像性の観点から、下記式(1A)で表される構造単位であることがより好ましい。また、式(2)で表される構造単位としては、分散安定性、現像性の観点から、下記式(2A)で表される構造単位であることがより好ましい。
式(1A)中、X、Y、Z及びnは、式(1)におけるX、Y、Z及びnと同義であり、好ましい範囲も同様である。式(2A)中、X、Y、Z及びmは、式(2)におけるX、Y、Z及びmと同義であり、好ましい範囲も同様である。
また、式(3)で表される構造単位としては、分散安定性、現像性の観点から、下記式(3A)又は式(3B)で表される構造単位であることがより好ましい。
式(3A)又は(3B)中、X、Y、Z及びpは、式(3)におけるX、Y、Z及びpと同義であり、好ましい範囲も同様である。
分散樹脂は、グラフト鎖を有する構造単位として、式(1A)で表される構造単位を有することがより好ましい。
分散樹脂において、グラフト鎖を有する構造単位(式(1)〜式(4)で表される構造単位)は、質量換算で、分散樹脂の総質量に対し10%〜90%の範囲で含まれることが好ましく、30%〜70%の範囲で含まれることがより好ましい。グラフト鎖を有する構造単位が、この範囲内で含まれると分散質の分散性が高く、遮光膜を形成する際の現像性が良好である。
また、分散樹脂は、上記したように、グラフト鎖を有する構造単位とは異なる(すなわち、グラフト鎖を有する構造単位には相当しない)疎水性構造単位を有することが好ましい。ただし、本発明において、疎水性構造単位は、酸基(例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、フェノール性水酸基等)を有さない構造単位である。
疎水性構造単位は、好ましくは、ClogP値が1.2以上の化合物(モノマー)に由来する(対応する)構造単位であり、より好ましくは、ClogP値が1.2〜8の化合物に由来する構造単位である。これにより、本発明の効果をより確実に発現することができる。
分散樹脂は、疎水性構造単位として、下記一般式(i)〜(iii)で表される単量体に由来の構造単位から選択された1種以上の構造単位を有することが好ましい。
上記式(i)〜(iii)中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素等)、又は炭素原子数が1〜6のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基。以下、同様)を表す。
、R、及びRは、より好ましくは水素原子、又は炭素原子数が1〜3のアルキル基であり、最も好ましくは、水素原子又はメチル基である。R及びRは、水素原子であることが特に好ましい。Xは、酸素原子(−O−)又はイミノ基(−NH−)を表し、酸素原子であることが好ましい。
Lは、単結合又は2価の連結基である。2価の連結基としては、2価の脂肪族基(例えば、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基、置換アルキニレン基)、2価の芳香族基(例えば、アリーレン基、置換アリーレン基)、2価の複素環基、及び、これらと酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、イミノ基(−NH−)、置換イミノ基(−NR31−、ここでR31は脂肪族基、芳香族基又は複素環基)又はカルボニル基(−CO−)との組合せ等が挙げられる。
2価の脂肪族基は、環状構造又は分岐構造を有していてもよい。脂肪族基の炭素原子数は、1〜20が好ましく、1〜15がより好ましく、1〜10が更に好ましい。脂肪族基は不飽和脂肪族基であっても飽和脂肪族基であってもよいが、飽和脂肪族基であることが好ましい。また、脂肪族基は、置換基を有していてもよい。置換基の例は、ハロゲン原子、芳香族基及び複素環基等が挙げられる。
2価の芳香族基の炭素原子数は、6〜20が好ましく、6〜15がより好ましく、6〜10が最も好ましい。また、芳香族基は置換基を有していてもよい。置換基の例は、ハロゲン原子、脂肪族基、芳香族基及び複素環基等が挙げられる。
2価の複素環基は、複素環として5員環又は6員環を有することが好ましい。複素環に他の複素環、脂肪族環又は芳香族環が縮合していてもよい。また、複素環基は置換基を有していてもよい。置換基の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基(=O)、チオキソ基(=S)、イミノ基(=NH)、置換イミノ基(=N−R32、ここでR32は脂肪族基、芳香族基又は複素環基)、脂肪族基、芳香族基及び複素環基を挙げられる。
Lは、単結合、アルキレン基又はオキシアルキレン構造を含む2価の連結基であることが好ましい。オキシアルキレン構造は、オキシエチレン構造又はオキシプロピレン構造であることがより好ましい。また、Lはオキシアルキレン構造を2以上繰り返して含むポリオキシアルキレン構造を含んでいてもよい。ポリオキシアルキレン構造としては、ポリオキシエチレン構造又はポリオキシプロピレン構造が好ましい。ポリオキシエチレン構造は、−(OCHCH)n−で表され、nは、2以上の整数が好ましく、2〜10の整数であることがより好ましい。
Zとしては、脂肪族基(例えば、アルキル基、置換アルキル基、不飽和アルキル基、置換不飽和アルキル基、)、芳香族基(例えば、アリーレン基、置換アリーレン基)、複素環基及びそれらと酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、イミノ基(−NH−)、置換イミノ基(−NR31−、ここでR31は脂肪族基、芳香族基又は複素環基)又はカルボニル基(−CO−)との組合せ等が挙げられる。
脂肪族基は、環状構造又は分岐構造を有していてもよい。脂肪族基の炭素原子数は、1〜20が好ましく、1〜15がより好ましく、1〜10が更に好ましい。更に、脂肪族基としては、環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基も含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基、ビフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素基を構成する環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環(ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等)などの2環式炭化水素環、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ−1,4−メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素基を構成する環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。
脂肪族基は不飽和脂肪族基よりも飽和脂肪族基の方が好ましい。また、脂肪族基は、置換基を有していてもよい。置換基の例は、ハロゲン原子、芳香族基及び複素環基が挙げられる。ただし、脂肪族基は、置換基として酸基を有さない。
芳香族基の炭素原子数は、6〜20が好ましく、6〜15が更に好ましく、6〜10が最も好ましい。また、芳香族基は置換基を有していてもよい。置換基の例は、ハロゲン原子、脂肪族基、芳香族基及び複素環基を挙げられる。ただし、芳香族基は、置換基として酸基を有さない。
複素環基は、複素環として5員環又は6員環を有することが好ましい。複素環に他の複素環、脂肪族環又は芳香族環が縮合していてもよい。また、複素環基は置換基を有していてもよい。置換基の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基(=O)、チオキソ基(=S)、イミノ基(=NH)、置換イミノ基(=N−R32、ここでR32は脂肪族基、芳香族基又は複素環基)、脂肪族基、芳香族基及び複素環基を挙げられる。ただし、複素環基は、置換基として酸基を有さない。
上記式(iii)中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素等)、又は炭素原子数が1〜6のアルキル基、Z、又は−L−Zを表す。ここでL及びZは、上記におけるものと同義である。R、R、及びRとしては、水素原子、又は炭素数が1〜3のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
本発明においては、上記一般式(i)で表される単量体として、R、R、及びRが水素原子又はメチル基であって、Lがアルキレン基又はオキシアルキレン構造を含む2価の連結基であって、Xが酸素原子又はイミノ基であって、Zが脂肪族基、複素環基又は芳香族基である化合物が好ましい。
また、上記一般式(ii)で表される単量体として、Rが水素原子又はメチル基であって、Lがアルキレン基であって、Zが脂肪族基、複素環基又は芳香族基であって、Yがメチン基である化合物が好ましい。また、上記一般式(iii)で表される単量体として、R、R、及びRが水素原子又はメチル基であって、Zが脂肪族基、複素環基又は芳香族基である化合物が好ましい。
式(i)〜(iii)で表される代表的な化合物の例としては、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、スチレン類などから選ばれるラジカル重合性化合物が挙げられる。
なお、ラジカル重合性化合物の具体例としては、特開2010−106268号公報の段落0069〜0071(対応する米国特許出願公開第2011−0124824号明細書の段落0113〜0114)に記載の定義が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
これらラジカル重合性化合物のうち、好適に使用されるのは、メタクリル酸エステル類、スチレン類であり、特に好適に使用されるのは、ベンジルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、4−t−ブチルフェニルメタクリレート、ペンタクロロフェニルメタクリレート、4−シアノフェニルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、エチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、イソボロニルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、メチルメタクリレート、3,5−ジメチルアダマンチルメタクリレート、2−ナフチルメタクリレート、ネオペンチルメタクリレート、フェニルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、アリルメタクリレート、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、シクロへキシルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキシメチルスチレン、メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルスチレン、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フルオル−3−トリフルオルメチルスチレン、1−ビニルナフタレン、2−ビニルナフタレンである。
また、疎水性構造単位に対応する単量体の内、複素環基を含有する化合物としては以下に示す化合物が挙げられる。
分散樹脂において、疎水性構造単位は、質量換算で、分散樹脂の総質量に対し10%〜90%の範囲で含まれることが好ましく、20%〜80%の範囲で含まれることがより好ましい。
分散樹脂は、分散質と相互作用を形成しうる官能基を導入することができる。ここで、分散樹脂は、分散質と相互作用を形成しうる官能基を有する構造単位を有することが好ましい。この分散質と相互作用を形成しうる官能基としては、例えば、酸基、塩基性基、配位性基、反応性を有する官能基等があげられる。
分散樹脂が、酸基、塩基性基、配位性基、又は、反応性を有する官能基を有する場合、それぞれ、酸基を有する構造単位、塩基性基を有する構造単位、配位性基を有する構造単位、又は、反応性を有する構造単位を有することが好ましい。特に、分散樹脂が、更に、酸基として、カルボン酸基などのアルカリ可溶性基を有することで、分散樹脂に、アルカリ現像によるパターン形成のための現像性を付与することができる。すなわち、分散樹脂に、アルカリ可溶性基を導入することで、分散樹脂がアルカリ可溶性を有することになる。このような分散樹脂を含有する組成物は、露光部の遮光性により優れたものとなり、且つ、未露光部のアルカリ現像性がより向上される。
また、分散樹脂が酸基を有する構造単位を有することにより、分散樹脂が溶媒となじみやすくなり、塗布性も向上する傾向となる。これは、酸基を有する構造単位における酸基が分散質と相互作用しやすく、分散樹脂が分散質を安定的に分散する。
ただし、酸基としてのアルカリ可溶性基を有する構造単位は、上記したグラフト鎖を有する構造単位と同一の構造単位であっても、異なる構造単位であってもよいが、酸基としてのアルカリ可溶性基を有する構造単位は、上記した疎水性構造単位とは異なる構造単位である(すなわち、上記した疎水性構造単位には相当しない)。
分散質と相互作用を形成しうる官能基である酸基としては、例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、フェノール性水酸基などがあり、好ましくは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基のうち少なくとも1種であり、特に好ましいものは、分散質への吸着力が良好で、且つ、その分散性が高いカルボン酸基である。
すなわち、分散樹脂は、カルボン酸基、スルホン酸基、及び、リン酸基のうち少なくとも1種を有する構造単位を更に有することが好ましい。
分散樹脂は、酸基を有する構造単位を1種又は2種以上有してもよい。分散樹脂は、酸基を有する構造単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、酸基を有する構造単位の含有量は、質量換算で、分散樹脂の総質量に対して、好ましくは5〜80%であり、より好ましくは、アルカリ現像による画像強度のダメージ抑制という観点から、10〜60%である。
分散質と相互作用を形成しうる官能基である塩基性基としては、例えば、第1級アミノ基、第2級アミノ基、第3級アミノ基、N原子を含むヘテロ環、アミド基などがあり、特に好ましいものは、カーボンブラックへの吸着力が良好で、且つ、その分散性が高い第3級アミノ基である。分散樹脂は、これらの塩基性基を1種又は2種以上有することができる。
分散樹脂は、塩基性基を有する構造単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、塩基性基を有する構造単位の含有量は、質量換算で、分散樹脂の総質量に対して、好ましくは0.01〜50%であり、より好ましくは、現像性阻害抑制という観点から、0.01〜30%である。
分散質と相互作用を形成しうる官能基である配位性基、及び、反応性を有する官能基としては、例えば、アセチルアセトキシ基、トリアルコキシシリル基、イソシアネート基、酸無水物、酸塩化物などが挙げられる。特に好ましいものは、分散質への吸着力が良好で分散性が高いアセチルアセトキシ基である。分散樹脂は、これらの基を1種または1種以上有してもよい。
分散樹脂は、配位性基を有する構造単位、又は、反応性を有する官能基を有する構造単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、これらの構造単位の含有量は、質量換算で、分散樹脂の総質量に対して、好ましくは10〜80%であり、より好ましくは、現像性阻害抑制という観点から、20〜60%である。
本発明における分散樹脂が、グラフト鎖以外に、分散質と相互作用を形成しうる官能基を有する場合、これらの官能基がどのように導入されているかは特に限定はされないが、分散樹脂は、下記一般式(iv)〜(vi)で表される単量体に由来の構造単位から選択された1種以上の構造単位を有することが好ましい。
一般式(iv)〜一般式(vi)中、R11、R12、及びR13は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、又は炭素原子数が1〜6のアルキル基を表す。
一般式(iv)〜一般式(vi)中、R11、R12、及びR13は、より好ましくは、それぞれ独立に水素原子、又は炭素原子数が1〜3のアルキル基であり、最も好ましくは、それぞれ独立に水素原子又はメチル基である。一般式(iv)中、R12及びR13は、それぞれ水素原子であることが特に好ましい。
一般式(iv)中のXは、酸素原子(−O−)又はイミノ基(−NH−)を表し、酸素原子であることが好ましい。また、一般式(v)中のYは、メチン基又は窒素原子を表す。
また、一般式(iv)〜一般式(v)中のLは、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基の例としては、2価の脂肪族基(例えば、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基、及び置換アルキニレン基)、2価の芳香族基(例えば、アリーレン基、及び置換アリーレン基)、2価の複素環基及びそれらと酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、イミノ基(−NH−)、置換イミノ結合(−NR31’−、ここでR31’は脂肪族基、芳香族基又は複素環基)又はカルボニル結合(−CO−)のうちの一つ以上との組合せ等が挙げられる。
なお、2価の脂肪像基、2価の芳香族基、2価の複素環基の定義は、上述したLで表される各基の定義と同義である。
また、Lの好適態様は、上述したLの好適態様と同義である。
一般式(iv)〜一般式(vi)中、Zは、グラフト部位以外に分散質と相互作用を形成しうる官能基を表し、カルボン酸基、第三級アミノ基であることが好ましく、カルボン酸基であることがより好ましい。
一般式(vi)中、R14、R15、及びR16は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素等)、炭素原子数が1〜6のアルキル基、−Z、又は−L−Zを表す。ここでL及びZは、上記におけるL及びZと同義であり、好ましい例も同様である。R14、R15、及びR16としては、それぞれ独立に水素原子、又は炭素数が1〜3のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
本発明においては、一般式(iv)で表される単量体として、R11、R12、及びR13がそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であって、Lがアルキレン基又はオキシアルキレン構造を含む2価の連結基であって、Xが酸素原子又はイミノ基であって、Zがカルボン酸基である化合物が好ましい。
また、一般式(v)で表される単量体として、R11が水素原子又はメチル基であって、Lがアルキレン基であって、Zがカルボン酸基であって、Yがメチン基である化合物が好ましい。
更に、一般式(vi)で表される単量体として、R14、R15、及びR16がそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であって、Zがカルボン酸基である化合物が好ましい。
以下に、一般式(iv)〜一般式(vi)で表される単量体(化合物)の代表的な例を示す。単量体の例としては、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物(例えば、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル)とコハク酸無水物の反応物、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物とフタル酸無水物の反応物、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物とテトラヒドロキシフタル酸無水物の反応物、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物と無水トリメリット酸の反応物、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物とピロメリット酸無水物の反応物、アクリル酸、アクリル酸ダイマー、アクリル酸オリゴマー、マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、4−ビニル安息香酸、ビニルフェノール、4−ヒドロキシフェニルメタクリルアミドなどが挙げられる。
分散質と相互作用を形成しうる官能基の含有量は、分散質との相互作用、分散安定性、及び現像液への浸透性の観点から、分散樹脂の全質量に対して0.05質量%〜90質量%が好ましく、1.0質量%〜80質量%がより好ましく、10質量%〜70質量%が更に好ましい。
更に、分散樹脂は、画像強度などの諸性能を向上する目的で、本発明の効果を損なわない限りにおいて、グラフト鎖を有する構造単位、疎水性構造単位、及び、分散質と相互作用を形成しうる官能基を有する構造単位とは異なる、種々の機能を有する他の構造単位(例えば、分散物に用いられる分散媒との親和性を有する官能基などを有する構造単位)を更に有していてもよい。
このような、他の構造単位としては、例えば、アクリロニトリル類、メタクリロニトリル類などから選ばれるラジカル重合性化合物に由来の構造単位が挙げられる。
分散樹脂は、これらの他の構造単位を1種或いは2種以上用いることができ、その含有量は、質量換算で、分散樹脂の総質量に対して、好ましくは0〜80%であり、特に好ましくは、10〜60%である。含有量が上記の範囲において十分なパターン形成性が維持される。
分散樹脂の酸価は、0〜160mgKOH/gの範囲であることが好ましく、より好ましくは10〜140mgKOH/gの範囲であり、更に好ましくは20〜120mgKOH/gの範囲である。
分散樹脂の酸価が160mgKOH/g以下であれば、遮光膜を形成する際の現像時におけるパターン剥離がより効果的に抑えられる。また、分散樹脂の酸価が10mgKOH/g以上であればアルカリ現像性がより良好となる。また、分散樹脂の酸価が20mgKOH/g以上であれば、カーボンブラックや、チタンブラックや、チタンブラック及びSi原子を含む被分散体の沈降をより抑制でき、粗大粒子数をより少なくすることができ、組成物の経時安定性をより向上できる。
分散樹脂の酸価は、例えば、分散樹脂中における酸基の平均含有量から算出することができる。また、分散樹脂中の酸基を含有する構造単位の含有量を変化させることで所望の酸価を有する樹脂を得ることができる。
分散樹脂の重量平均分子量は、遮光膜を形成する際において、現像時のパターン剥離抑制と現像性の観点から、GPC法によるポリスチレン換算値として、4,000以上300,000以下であることが好ましく、5,000以上200,000以下であることがより好ましく、6,000以上100,000以下であることが更に好ましく、10,000以上50,000以下であることが特に好ましい。
GPC法は、HLC−8020GPC(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてTSKgel SuperHZM−H、TSKgel SuperHZ4000、TSKgel SuperHZ2000(東ソー(株)製、4.6mmID×15cm)を、溶離液としてTHF(テトラヒドロフラン)を用いる方法に基づく。
以下、分散樹脂の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記例示化合物中、各構造単位に併記される数値(主鎖繰り返し単位に併記される数値)は、構造単位の含有量〔質量%:(wt%)と記載〕を表す。側鎖の繰り返し部位に併記される数値は、繰り返し部位の繰り返し数を示す。
分散樹脂の具体例としては、上記以外にも、BYK Chemie社製「Disperbyk−161、162、163、164、165、166、170(商品名、高分子共重合物)」、EFKA社製「EFKA4047、4050、4010、4165(商品名、ポリウレタン系)、EFKA4330、4340(商品名、ブロック共重合体)」等が挙げられる。また、アクリベースFFS−6824(藤倉化成(株)製)等も挙げられる。
これらの分散樹脂は、単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
組成物における分散樹脂の含有量は、分散質などの分散安定性がより優れ、本発明の効果がより優れる点で、組成物中の全固形分に対して、1〜90質量%が好ましく、3〜70質量%がより好ましく、5〜30質量%がさらに好ましい。
((C)バインダーポリマー)
本発明の組成物においては、皮膜特性向上などの目的で、バインダーポリマーを含む。
使用されるバインダーポリマーの酸価は、50mgKOH/g以下であり、20〜50mgKOH/gが好ましく、25〜35mgKOH/gがより好ましい。なお、酸価の下限は特に制限されないが、リソグラフィー性能の観点から、20mgKOH/g以上が好ましい。
本発明においてバインダーポリマーの酸価(単位:mgKOH/g)は、バインダーポリマー1gを中和するのに必要な水酸化カリウム(KOH)の量(mg)である。本発明における酸価は、JIS K 5407(1990)の11.1項の方法により測定された値を指す。
バインダーポリマーの重量平均分子量は、8000〜50000であり、8000〜30000が好ましく、12000〜18000がより好ましい。
バインダーポリマーの重量平均分子量の測定方法は、例えば、HPC−8220GPC(東ソー製)、ガードカラム:TSKguardcolumn SuperHZ−L、カラム:TSKgel SuperHZM−M、TSKgel SuperHZ4000、TSKgel SuperHZ3000、TSKgel SuperHZ2000を直結し、カラム温度40℃、試料濃度0.1質量%のテトラヒドロフラン溶液を10μl注入し、溶出溶媒としてテトラヒドロフランを毎分0.35mlの流量でフローさせ、RI検出装置にて試料ピークを検出することで行う。なお、標準ポリスチレンを用いて作製した検量線を用いて、重量平均分子量を計算する。
バインダーポリマーのSP値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、SP値が15〜30(MPa)1/2であることが好ましく、18〜25(MPa)1/2であることがより好ましい。
上記分散樹脂のSP値と、上記バインダーポリマーのSP値との差(分散樹脂のSP値−バインダーポリマーのSP値)の絶対値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、その差は3(MPa)1/2以上であることが好ましく、3〜5(MPa)1/2であることがより好ましい。
なお、SP値の定義及び測定方法は、上述の通りである。
バインダーポリマーとしては、線状有機ポリマーを用いることが好ましい。このような「線状有機ポリマー」としては、公知のものを任意に使用できる。好ましくは水現像又はアルカリ水(好ましくは、弱アルカリ水)現像を可能とするために、水又はアルカリ水に可溶性又は膨潤性である線状有機ポリマーが選択される。線状有機ポリマーは、皮膜形成剤としてだけでなく、水、アルカリ水、又は有機溶剤からなる現像液(現像剤)に応じて選択使用される。例えば、水可溶性有機ポリマーを用いると水現像が可能になる。
このような線状有機ポリマーの例としては、側鎖にカルボン酸基を有するラジカル重合体、例えば特開昭59−44615号、特公昭54−34327号、特公昭58−12577号、特公昭54−25957号、特開昭54−92723号、特開昭59−53836号、特開昭59−71048号に記載されているもの、すなわち、カルボキシル基を有するモノマーを単独或いは共重合させた樹脂、酸無水物を有するモノマーを単独或いは共重合させ酸無水物ユニットを加水分解若しくはハーフエステル化若しくはハーフアミド化させた樹脂、エポキシ樹脂を不飽和モノカルボン酸及び酸無水物で変性させたエポキシアクリレート等が挙げられる。カルボキシル基を有するモノマーの例としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、4−カルボキシルスチレン等が挙げられ、酸無水物を有するモノマーの例としては、無水マレイン酸等が挙げられる。また、同様に側鎖にカルボン酸基を有する酸性セルロース誘導体も例として挙げられる。この他に水酸基を有する重合体に環状酸無水物を付加させたものなどが有用である。
また、特公平7−12004号、特公平7−120041号、特公平7−120042号、特公平8−12424号、特開昭63−287944号、特開昭63−287947号、特開平1−271741号、特願平10−116232号等に記載される酸基を含有するウレタン系バインダーポリマーは、非常に、強度に優れるので、低露光適性の点で有利である。
また、欧州特許第993966号、欧州特許第1204000号、特開2001−318463号等の各公報に記載の酸基を有するアセタール変性ポリビニルアルコール系バインダーポリマーは、膜強度、現像性のバランスに優れており、好適である。更に、この他に水溶性線状有機ポリマーとして、ポリビニルピロリドンやポリエチレンオキサイド等が有用である。また、硬化皮膜の強度を上げるために、アルコール可溶性ナイロンや2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロパンとエピクロロヒドリンのポリエーテル等も有用である。
特に、これらの中でも、〔ベンジル(メタ)アクリレート/(メタ)アクリル酸/必要に応じてその他の付加重合性ビニルモノマー〕共重合体、及び、〔アリル(メタ)アクリレート/(メタ)アクリル酸/必要に応じてその他の付加重合性ビニルモノマー〕共重合体は、膜強度、感度、現像性のバランスに優れており、好適である。
これらのバインダーポリマーは、ランダムポリマー、ブロックポリマー、グラフトポリマー等いずれでもよい。
バインダーポリマーは、従来公知の方法により合成できる。合成する際に用いられる溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エチレンジクロリド、シクロヘキサノン等が挙げられる。これらの溶媒は単独で又は2種以上混合して用いられる。また、バインダーポリマーを合成する際に用いられるラジカル重合開始剤としては、アゾ系開始剤、過酸化物開始剤等の公知の化合物が挙げられる。
本発明において、バインダーポリマーとして、側鎖に二重結合を有するアルカリ可溶性樹脂を用いることで、特に露光部の硬化性と未露光部のアルカリ現像性の双方を向上させることができる。側鎖に二重結合を有するアルカリ可溶性樹脂は、その構造の中に、樹脂がアルカリ可溶となるための酸基と、少なくとも1つの不飽和二重結合を有することで、非画像部除去性などの諸性能を向上させる。より具体的には、酸基を有する繰り返し単位と、不飽和二重結合を有する繰り返し単位を有するバインダーポリマーが好ましい。酸基の定義は、上述した分散樹脂中の酸基の定義と同義である。不飽和二重結合を有する繰り返し単位の好適態様としては、ラジカル重合性基を有する繰り返し単位が好ましい。ラジカル重合性基としては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタアクリルイミドなどが挙げられ、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
バインダーポリマーには、上記分散樹脂欄で説明した疎水性構造単位が含まれていてもよい。疎水性構造単位の好適態様としては、例えば、上述した分散樹脂欄で説明した一般式(i)〜(iii)表される単量体に由来の構造単位が挙げられる。
バインダーポリマー中に酸基を有する繰り返し単位が含まれる場合、本発明の効果がより優れる点で、その含有量は全繰り返し単位に対して、5〜30モル%が好ましく、5〜20モル%がより好ましい。
バインダーポリマー中に不飽和二重結合を有する繰り返し単位が含まれる場合、本発明の効果がより優れる点で、その含有量は全繰り返し単位に対して、10〜50モル%が好ましく、20〜40モル%がより好ましい。
バインダーポリマー中に疎水性構造単位が含まれる場合、本発明の効果がより優れる点で、その含有量は全繰り返し単位に対して、5〜60モル%が好ましく、10〜40モル%がより好ましい。
このような構造を有する樹脂は、特開2003−262958号公報に詳細に記載され、ここに記載の樹脂をバインダーポリマーとして使用することができる。
またバインダーポリマーとして、カルド樹脂を使用することができ、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレア樹脂、及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれ、且つ、フルオレン骨格を有するカルド樹脂が好ましい。ここで、カルド樹脂とは、分子内に、カルド構造(環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造)を有する樹脂を指す。より具体的には、特開2011−170334号公報の〔0046〕〜〔0057〕に記載の化合物を使用することができる。
なお、バインダーポリマーの好適態様の一つとしては、ダイセルオルネクス(株)製サイクロマーP(ACA)230AA、ACA210β、200M、Z250、Z251、Z300、Z320が挙げられる。また、アクリキュアRD−F8(日本触媒(株))、アクリベースFF−187(藤倉化成(株))なども挙げられる。
組成物におけるバインダーポリマーの含有量は、本発明の効果がより優れる点で、組成物中の全固形分に対して、4〜30質量%であることが好ましく、7〜30質量%であることがより好ましく、12〜25質量%であることが更に好ましく、15〜25質量%であることが特に好ましい。
((D)重合性化合物)
重合性化合物は、少なくとも1個の付加重合可能なエチレン性不飽和基を有し、沸点が常圧で100℃以上である化合物が好ましい。
少なくとも1個の付加重合可能なエチレン性不飽和基を有し、沸点が常圧で100℃以上である化合物としては、例えば、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート等の単官能のアクリレートやメタアクリレート;ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリ(アクリロイロキシエチル)イソシアヌレート、グリセリンやトリメチロールエタン等の多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後(メタ)アクリレート化したもの、ペンタエリスリトール又はジペンタエリスリトールのポリ(メタ)アクリレート化したもの、特公昭48−41708号、特公昭50−6034号、特開昭51−37193号の各公報に記載のウレタンアクリレート類、特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号の各公報に記載のポリエステルアクリレート類、エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸との反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタアクリレートを挙げることができる。更に、日本接着協会誌Vol.20、No.7、300〜308頁に光硬化性モノマー及びオリゴマーとして紹介されているものも使用できる。
また、特開平10−62986号公報において一般式(1)及び一般式(2)としてその具体例と共に記載の、多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後に(メタ)アクリレート化した化合物も用いることができる。
なかでも、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、及びこれらのアクリロイル基がエチレングリコール、プロピレングリコール残基を介してジペンタエリスリトールに連結している構造が好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。
このような重合性化合物のうち、2官能のものとしては、新中村化学社製NKエステル A−BPE−20、共栄化学社製ライトアクリレートDCP−Aが挙げられ、3官能及び4官能の混合物としては、東亞合成社製アロニックスM−305、M−510が挙げられ、4官能のものとしては日本化薬社製KAYARAD RP−1040、新中村化学社製NKエステル A−TMMTが挙げられ、5官能体、6官能体の混合物としては日本化薬社製KAYARAD DPHAが挙げられ、6官能体としては日本化薬社製KAYARAD DPCA−20、新中村化学社製NKエステル A−DPH−12Eが挙げられる。
また、特公昭48−41708号、特開昭51−37193号、特公平2−32293号、及び特公平2−16765号の各公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭58−49860号、特公昭56−17654号、特公昭62−39417号、及び特公昭62−39418号の各公報記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。更に、特開昭63−277653号、特開昭63−260909号、及び特開平1−105238号の各公報に記載される、分子内にアミノ構造やスルフィド構造を有する付加重合性化合物類を用いることによっては、非常に感光スピードに優れた光重合性組成物を得ることができる。市販品としては、ウレタンオリゴマーUAS−10、UAB−140(商品名、日本製紙ケミカル(株)製)、UA−7200(新中村化学工業(株)製)、DPHA−40H(商品名、日本化薬(株)製)、UA−306H、UA−306T、UA−306I、AH−600、T−600、AI−600(商品名、共栄社化学(株)製)などが挙げられる。
また、酸基を有するエチレン性不飽和化合物類も好適であり、市販品としては、例えば、東亞合成株式会社製のカルボキシル基含有3官能アクリレートであるTO−756、及びカルボキシル基含有5官能アクリレートであるTO−1382などが挙げられる。
本発明に用いられる重合性化合物としては、4官能以上のアクリレート化合物がより好ましい。
重合性化合物は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。2種以上の重合性化合物を組み合わせて用いる場合、その組み合わせ態様は、組成物に要求される物性等に応じて適宜設定することができる。重合性化合物の好適な組み合わせ態様の一つとしては、例えば、前掲した多官能のアクリレート化合物から選択した2種以上の重合性化合物を組み合わせる態様が挙げられ、その一例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート及びペンタエリスリトールトリアクリレートの組み合わせが挙げられる。
組成物における重合性化合物の含有量は、組成物中の全固形分に対して、3〜55質量%が好ましく、より好ましくは10〜50質量%である。
(その他成分)
遮光性組成物においては、上記遮光材料、分散樹脂、バインダーポリマー、及び重合性化合物以外の他の成分が含まれていてもよく、例えば、溶媒、重合開始剤、増感剤、重合禁止剤、密着向上剤、界面活性剤などが挙げられる。
以下、これらの任意成分について詳述する。
((E)溶媒)
本発明の組成物は、溶媒を含有していてもよい。
溶媒の種類は特に制限されないが、有機溶媒であることが好ましい。
有機溶媒の例としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、酢酸エチル、エチレンジクロライド、テトラヒドロフラン、トルエン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、3−メトキシプロパノール、メトキシメトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピルアセテート、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどが挙げられるが、これらに限定されない。
溶媒は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。溶媒を2種以上組みあわせて用いる場合、特に好ましくは、上記の3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから選択される2種以上で構成される。
組成物に溶媒が含まれる場合、組成物に含まれる溶媒の含有量は特に制限されないが、組成物の全質量に対し、10〜80質量%であることが好ましく、20〜70質量%であることがより好ましく、30〜65質量%であることが更に好ましい。
((F)重合開始剤)
本発明の組成物は、重合開始剤(好ましくは光重合開始剤)を含有していてもよい。
重合開始剤は、光や熱により分解し、前述した重合性化合物の重合を開始、促進する化合物であり、波長300〜500nmの領域の光に対して吸収を有するものであることが好ましい。
重合開始剤の具体的な例としては、有機ハロゲン化化合物、オキシジアゾール化合物、カルボニル化合物、ケタール化合物、ベンゾイン化合物、有機過酸化化合物、アゾ化合物、クマリン化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ酸化合物、ジスルホン酸化合物、オキシム化合物(特にオキシムエステル化合物)、オニウム塩化合物、アシルホスフィン(オキシド)化合物が挙げられる。より具体的な例としては、例えば、特開2006−78749号公報の段落番号[0081]〜[0100]、[0101]〜[0139]等に記載される重合開始剤が挙げられる。上記の重合開始剤の中でも、得られるパターンの形状を良化できるという観点から、オキシム化合物(特にオキシムエステル化合物)がより好ましい。オキシム化合物としては、BASF製IRGACURE OXE01及びOXE02が好ましい。OXE01とOXE02では同様の効果が得られる。
組成物に重合開始剤が含まれる場合、組成物における重合開始剤の含有量は、組成物中の全固形分に対して、0.1〜30質量%が好ましく、1〜25質量%がより好ましく、2〜20質量%が更に好ましい。
((G)増感剤)
本発明の組成物は、重合開始剤のラジカル発生効率の向上、感光波長の長波長化の目的で、増感剤を含有していてもよい。
増感剤としては、用いられる重合開始剤を、電子移動機構又はエネルギー移動機構で増感させるものが好ましい。増感剤の好ましい例としては、特開2008−214395号公報の段落番号〔0085〕〜〔0098〕に記載された化合物を挙げることができる。
組成物に増感剤が含まれる場合、増感剤の含有量は、感度と保存安定性の観点から、組成物の全固形分に対し、0.1〜30質量%が好ましく、1〜20質量%がより好ましく、2〜15質量%が更に好ましい。
((H)重合禁止剤)
本発明の組成物は、組成物の製造中又は保存中において、重合性化合物の不要な熱重合を阻止するために少量の重合禁止剤を含有することが好ましい。
重合禁止剤としては、公知の熱重合防止剤を用いることができ、具体的には、ハイドロキノン、p−メトキシフェノール、ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ピロガロール、t−ブチルカテコール、ベンゾキノン、4,4’−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、N−ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩等が挙げられる。
重合禁止剤の含有量は、組成物の全固形分に対し、約0.01質量%〜約5質量%が好ましい。
また、必要に応じて、酸素による重合阻害を防止するために、ベヘン酸やベヘン酸アミドのような高級脂肪酸誘導体等を添加して、塗布後の乾燥の過程で塗布膜の表面に高級脂肪酸誘導体等を偏在させてもよい。高級脂肪酸誘導体の添加量は、全組成物の約0.5質量%〜約10質量%が好ましい。
((I)密着向上剤)
本発明の組成物は、支持体などの硬質表面との密着性を向上させるために、密着向上剤を含有していてもよい。密着向上剤としては、シラン系カップリング剤、チタンカップリング剤等が挙げられる。
シラン系カップリング剤としては、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシランが好ましく、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランがより好ましい。
密着向上剤が組成物に含まれる場合、密着向上剤の含有量は、組成物中の全固形分に対して、0.5〜30質量%が好ましく、0.7〜20質量%がより好ましい。
((J)界面活性剤)
本発明の組成物には、塗布性をより向上させる観点から、各種の界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
特に、本発明の組成物は、フッ素系界面活性剤を含有することで、塗布液として調製したときの液特性(特に、流動性)がより向上することから、塗布厚の均一性や省液性をより改善することができる。即ち、フッ素系界面活性剤を含有する組成物を適用した塗布液を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μm程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。
フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、3〜40質量%が好適であり、より好ましくは5〜30質量%であり、特に好ましくは7〜25質量%である。フッ素含有率がこの範囲内であるフッ素系界面活性剤は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、組成物中における溶解性も良好である。
フッ素系界面活性剤としては、例えば、メガファックF171、同F172、同F173、同F176、同F177、同F141、同F142、同F143、同F144、同R30、同F437、同F475、同F479、同F482、同F554、同F780、同F781、同F781F(以上、DIC(株)製)、フロラードFC430、同FC431、同FC171(以上、住友スリーエム(株)製)、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC1068、同SC−381、同SC−383、同S393、同KH−40(以上、旭硝子(株)製)等が挙げられる。
ノニオン系界面活性剤として具体的には、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン並びにそれらのエトキシレート及びプロポキシレート(例えば、グリセロールプロポキシレート、グリセリンエトキシレート等)、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ソルビタン脂肪酸エステル(BASF社製のプルロニックL10、L31、L61、L62、10R5、17R2、25R2、テトロニック304、701、704、901、904、150R1、ソルスパース20000(日本ルーブリゾール(株)製))等が挙げられる。
カチオン系界面活性剤として具体的には、フタロシアニン誘導体(商品名:EFKA−745、森下産業(株)製)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)、(メタ)アクリル酸系(共)重合体ポリフローNo.75、No.90、No.95(共栄社化学(株))、W001(裕商(株)製)等が挙げられる。
アニオン系界面活性剤として具体的には、W004、W005、W017(裕商(株)社製)等が挙げられる。
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、東レ・ダウコーニング社製「トーレシリコーンDC3PA」、「トーレシリコーンSH7PA」、「トーレシリコーンDC11PA」、「トーレシリコーンSH21PA」、「トーレシリコーンSH28PA」、「トーレシリコーンSH29PA」、「トーレシリコーンSH30PA」、「トーレシリコーンSH8400」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製「TSF−4440」、「TSF−4300」、「TSF−4445」、「TSF−4460」、「TSF−4452」、信越シリコーン株式会社製「KP341」、「KF6001」、「KF6002」、ビックケミー社製「BYK307」、「BYK323」、「BYK330」等が挙げられる。
界面活性剤は、1種のみを用いてもよいし、2種類以上を組み合わせてもよい。界面活性剤が組成物に含まれる場合、界面活性剤の含有量は、組成物の全質量に対して、0.001〜2.0質量%が好ましく、0.005〜1.0質量%がより好ましい。
本発明の組成物の調製態様は、特に制限されないが、例えば、上記成分を、攪拌機、ホモジナイザー、高圧乳化装置、湿式粉砕機、又は湿式分散機等を用いて分散処理を行うことにより調製することができるが、その方法はこれらに限定されない。分散処理は、2回以上の分散処理(多段分散)により行ってもよい。
<遮光膜>
本発明の遮光膜は、前述の組成物を用いて形成されたものである。つまり、上記遮光性組成物は、遮光膜形成用に使用される。
遮光膜の膜厚としては特に限定はないが、遮光膜の反射特性がより優れる点で、乾燥後の膜厚で、0.2〜50μmが好ましく、0.5〜30μmがより好ましく、0.7〜20μmが更に好ましい。
遮光膜がパターン状である場合、そのサイズ(一辺の長さ)としては、本発明による効果をより効果的に得る点で、0.001〜5mmが好ましく、0.05〜4mmがより好ましく、0.1〜3.5mmが更に好ましい。
遮光膜の波長550nmにおける光学濃度は特に制限されないが、本発明の効果の点から、2以上が好ましく、3以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、5以下の場合が多い。
光学濃度の測定方法としては、厚み2.0μmの遮光膜を用意し、分光光度計(U4100、Hitachiハイテク社製)によって光学濃度を測定する。光学濃度が4以上であるときには厚みの薄い遮光膜を用意して測定を行い、得られた光学濃度を厚み2.0μmに換算することが可能である。
<遮光膜の製造方法>
次に、本発明の遮光膜の製造方法について説明する。
本発明の遮光膜の製造方法は特に制限されず、上述した組成物を所定の支持体上に塗布して、必要に応じて、硬化処理を施し、遮光膜を形成する工程を有することが好ましい。
組成物を塗布する方法は特に制限されず、スピンコート法、スプレーコート法、スリット塗布、インクジェット法、回転塗布、流延塗布、ロール塗布、スクリーン印刷法等の各種の塗布方法を適用することができ、生産性が優れる点から、スピンコート法(スピン塗布)が好ましい。
硬化処理の方法は特に制限されず、通常、光照射処理や加熱処理が実施される。
また、遮光膜の製造方法の好適態様の一つとしては、本発明の組成物を塗布して組成物層を形成する工程(以下、適宜「組成物層形成工程」と略称する。)と、マスクを介して組成物層を露光する工程(以下、適宜「露光工程」と略称する。)と、露光後の組成物層を現像して着色パターンを形成する工程(以下、適宜「現像工程」と略称する。)と、を含む方法が挙げられる。
以下、上記好適態様の各工程について説明する。
[組成物層形成工程]
組成物層形成工程では、所定の基板上に、本発明の組成物を塗布して重合性の組成物層を形成する。本発明の組成物の塗布方法としては、上述した方法が挙げられる。
基板上に塗布された組成物は、70〜110℃で2〜4分程度の条件下で乾燥され、組成物層が形成されることが好ましい。
〔露光工程〕
露光工程では、組成物層形成工程において形成された組成物層をマスクを介して露光し、光照射された塗布膜部分だけを硬化させる。露光は放射線の照射により行うことが好ましく、露光に際して用いることができる放射線としては、特に、g線、h線、i線等の紫外線が好ましく用いられ、高圧水銀灯がより好まれる。照射強度は5〜1500mJ/cmが好ましく、10〜1000mJ/cmがより好ましく、10〜800mJ/cmが最も好ましい。
〔現像工程〕
露光工程に次いで、アルカリ現像処理(現像工程)を行い、露光工程における光未照射部分をアルカリ水溶液に溶出させる。これにより、光硬化した部分だけが残る。現像液としては、有機アルカリ現像液が望ましい。現像温度としては通常20〜30℃であり、現像時間は20〜90秒である。
アルカリ性水溶液としては、例えば、無機系現像液としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、有機アルカリ現像液としては、アンモニア水、エチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−[5,4,0]−7−ウンデセン等のアルカリ性化合物を、濃度が0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜1質量%となるように溶解したアルカリ性水溶液が挙げられる。アルカリ性水溶液には、例えばメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液を使用した場合には、一般に現像後純水で洗浄(リンス)する。
なお、本発明の遮光膜の製造方法においては、上述した、組成物層形成工程、露光工程、及び現像工程を行った後に、必要により、形成された遮光膜を加熱及び/又は露光により硬化する硬化工程を含んでいてもよい。加熱により硬化する場合、例えば、純水で水洗いした後に、ホットプレート上にて150〜250℃で1〜10分間硬化処理を行う方法が挙げられる。
本発明の遮光性組成物より形成された遮光膜は種々の態様に適用できる。
例えば、本発明の遮光膜は、マイクロレンズアレイの周辺部に配置することができる。より具体的には、図1に示すように、基板10と、基板10上に配置されたレンズ16と、基板上に配置され、レンズ間に配置された密着層11と、密着層11上に配置された遮光膜12とを備える態様が挙げられる。
また、本発明の遮光膜は、固体撮像素子の遮光膜として好適に使用することもできる。より具体的な態様としては、図2に示す固体撮像素子44が挙げられる。固体撮像素子44では、まず、シリコンの半導体基板22が含まれる。半導体基板22には、p型半導体領域による素子分離領域27で分離した各画素に対応したフォトダイオードPDが含まれ、フォトダイオードPDは、基板厚さ方向の全域にわたるようなn型半導体領域25と、n型半導体領域25に接して基板の表裏両面に臨むp型半導体領域26とからなるpn接合を有して形成される。受光面となる基板面22B上には、絶縁膜、本例では反射防止膜36を形成し、この反射防止膜36上に本発明の遮光膜39が配置される。反射防止膜36は屈折率の異なる複数の膜で形成され、本例で半導体基板22側からシリコン酸化(SiO)膜37、ハフニウム酸化(HfO)膜38を積層した2層膜が配置される。遮光膜39上には、平坦化膜41、ベイヤー配列のオンチップカラーフィルタ42、及び、オンチップマイクロレンズ43が配置される。
また、本発明の遮光膜が適用される固体撮像装置としては、図3に示す態様も挙げられる。図3に示す、固体撮像装置101には、駆動・処理チップ122、センサ基板112、接続ポスト117、マイクロレンズアレイ基板114、可視光透過基板123、光学フィルタ124、レンズホルダ126、レンズ鏡筒127、結像レンズ125及び光遮蔽カバー128が設けられている。本発明の遮光膜は、接続ポスト117に適用することができる。なお、駆動・処理チップ122には、駆動・処理チップ122を貫通する複数の貫通電極158が設けられている。貫通電極158上には、バンプ121が設けられている。バンプ121に接するように、駆動・処理チップ122上には、センサ基板112が設けられている。センサ基板112には、貫通電極119が設けられている。センサ基板112に設けられた貫通電極119の下面は、バンプ121上に配置されている。これにより、センサ基板112と駆動・処理チップ122とが接続されている。貫通電極119の上面は電極パッド120に接続されている。電極パッド120は、画素111の読み出しに用いられる。センサ基板112は、半導体基板110、例えば、シリコン基板に、複数の画素111、例えば、フォトダイオードが形成されたものである。複数の画素111は、センサ基板112の上面にアレイ状に設けられている。各画素111上には、画素集光マイクロレンズ113が設けられている。センサ基板112の上面には、複数の接続ポスト117の一端が接合されている。複数の接続ポスト117の他端にはマイクロレンズアレイ基板114が接合されている。マイクロレンズアレイ基板114は、透明基板、例えば石英板を用いて形成されている。マイクロレンズアレイ基板114の一方の面には、複数のマイクロレンズ115が形成されている。センサ基板112の上面にマイクロレンズアレイ基板114におけるマイクロレンズ115が形成された面が対向するように、マイクロレンズアレイ基板114は配置されている。センサ基板112における画素111が形成されていない周辺部と、マイクロレンズアレイ基板114におけるマイクロレンズ115が形成されていない周辺部とは、スぺーサ樹脂118により相互に固定される。
また、本発明の遮光膜は、裏面照射CMOSセンサ受光部の遮光膜として好適に使用することもできる。より具体的な態様としては、図4に示すCMOSセンサ受光部200が挙げられる。図4において、図中下側が表面側であり、上側が裏面側である。この上側(裏面側)が光が入射する受光面であり、フォトダイオード51は、この受光面から入射される入射光を光電変換する。図4に示すように、フォトダイオード51、画素分離層56、埋め込み型の遮光膜54等が形成される半導体基板の表面側には、配線211が形成される配線層210が形成される。なお、遮光膜54に、上述した本発明の遮光膜ができようできる。また、遮光膜54及び絶縁膜53の裏面側には、平坦化膜221、カラーフィルタ222、及び集光レンズ223が積層される。
上記以外に、特許2013−68688号の図10の遮光膜20に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2012−169488号の図15の遮光層311Jに、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2010−134042号の図1のブラックマトリクス6に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2013−145779号の図4の遮光膜41に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2013−90085号の図12の遮光膜59に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2010−45192号の図2の遮光膜16に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2012−23667号の図5のプリント配線基板9のレンズ11側とは反対側の表面に、本明細書の遮蔽膜を配置することができる。また、特許2012−204387号の図1の遮光膜14に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2010−283271号の図7の遮光膜に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2012−18993号の図12の遮光部材51に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2010−199410号の図1の凹状基板3と樹脂4と間に、本明細書の遮蔽膜を配置することができる。また、特許2010−283311号の図1のボンディングワイヤー5の表面上に、本明細書の遮蔽膜を配置することができる。また、特許2010−186947号の図1の遮光兼電磁シールド19に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。また、特許2011−198846号の図2の絶縁性遮光膜16に、本明細書の遮蔽膜を使用することができる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」は質量基準である。
(平坦化膜用レジスト液の調製)
下記組成の成分を混合して撹拌機で撹拌し、平坦化膜用レジスト液を調製した。
<平坦化膜用レジスト液の組成>
・ベンジルメタアクリレート/メタアクリル酸共重合体 ・・・16.4部
(=70/30[モル比]、重量平均分子量:30000、藤倉化成(株)製、製品名アクリベースFF−187)
・ジペンタエリスリトールペンタアクリレート・・・6.5部
(日本化薬社製、製品名KAYARAD DPHA)
・プロピレングリコールモノメチルエチルアセテート・・・13.8部
(ダイセル化学(株)製、製品名MMPGAC)
・エチル−3−エトキシプロピオネート・・・12.3部
(長瀬産業(株)製、製品名エチル−3エトキシプロピオネート)
・開始剤 Irgacure OXE02・・・0.3部
(平坦化膜の形成)
6インチシリコンウエハを用意し、このウエハ上に上記で得られた平坦化膜用レジスト液をスピンコートで均一に塗布して塗布膜を形成し、形成された塗布膜を表面温度120℃のホットプレート上で120秒間加熱処理した。ここで、スピンコートは、塗布回転数を加熱処理後の塗布膜の膜厚が約2μmとなるように調整して行った。次いで、加熱処理後の塗布膜を、更に220℃のオーブンにて1時間加熱処理し、塗布膜を硬化させて平坦化膜とした。
以上のようにして、6インチシリコンウエハ上に平坦化膜が形成された平坦化膜付きウエハを得た。
<実施例1:遮光膜(遮光性カラーフィルタ)の作製>
(1)遮光性組成物(黒色感光性樹脂組成物)の調製
下記組成の成分を混合して、遮光性組成物を調製した。
<組成>
・顔料分散液A(K−042884−2、東洋インキ製造(株)製)・・・45部
〔黒色顔料(カーボンブラック)19.3質量%、分散剤A(アクリベースFFS−6824、藤倉化成(株)製)8.5質量%、シクロへキサノン16.2質量%、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート38.4質量%、エチル−3−エトキシプロピオネート17.6質量%を含有〕
・樹脂A・・・5部
〔樹脂A:サイクロマーP (ACA)230AA、ダイセルオルネクス(株)製〕
・重合性モノマー(ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、日本化薬社製、製品名KAYARAD DPHA)・・・7部
・重合性モノマー(KAYARAD RP−1040、日本化薬社製)・・・7部
・光重合開始剤A(下記オキシム系化合物I、BASF(株)製、製品名IRGACURE OXE02)・・・2.5部
・溶剤(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ダイセル化学(株)製、製品名MMPGAC)・・・20部
・溶剤(エチル−3−エトキシプロピオネート、ダイセル化学(株)製、製品名MMPGAC)・・・15部
・界面活性剤 ・・・0.04部
(メガファックF−144、大日本インキ化学工業(株)製;フッ素系界面活性剤)
・重合禁止剤(p−メトキシフェノール、関東化学(株)製、製品名p−メトキシフェノール)・・・0.003部
(2)遮光膜(黒色膜)の作製
上記より得られた遮光性組成物を、上記シリコンウエハの平坦化膜上にスピンコートにより塗布した後、塗膜表面の温度90℃で120秒間、ホットプレートで加熱処理して乾燥させ、乾燥膜厚2μmの遮光膜を形成した。
(3)黒色パターンの形成
次に、乾燥後の遮光膜に対して、5.0μm角の正方形ピクセルパターンがマトリックス状に基板上の4mm×3mmの領域に配列されたマスクパターンを介して、i線ステッパー(キャノン(株)製のFPA−3000i5+)により露光量1000mJ/mにて露光した。パターン露光の後、遮光膜を有機アルカリ性現像液CD−2000(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ(株)製)の60%水溶液〔水酸化テトラメチルアンモニウムを質量分率で0.3%とノニオン系界面活性剤とを含む水溶液(pH=10)〕を用いて23℃で60秒間、パドル現像した。
その後、スピンシャワーにて純水で20秒間リンスを行った。その後、さらに、純水にて水洗を行った後、水滴を2500rpm、30秒のスピン処理で飛ばし、シリコンウエハを自然乾燥させ、220℃で300秒間ホットプレートでポストベーク処理した。
以上のようにして、シリコンウエハ上に遮光膜パターン(黒色パターン)を形成した。
<評価>
上記で得た遮光性組成物及び遮光膜パターンについて、下記の評価を行った。評価・測定した結果は、下記表1に示す。
(光学濃度)
シリコンウエハの平坦化膜上に形成された露光、現像処理前の遮光膜の、波長550nmにおける光学濃度を分光光度計(U4100、Hitachiハイテク社製)により測定し、厚み2.0μmであるときの光学濃度(OD550)を求めた。
(密着性)
マトリックス状に形成されたピクセルパターンのうち、シリコンウエハからの剥がれによるパターン欠損の発生の有無を測長SEM(S−7800H、(株)日立製作所製)で観察し、下記の評価基準にしたがって評価した。
<評価基準>
A:パターン欠損がまったく観察されなかった。
B:パターン欠損がほとんど観察されなかったが、一部分欠損が観察された。
C:パターン欠損が著しく多く観察された。
(現像残渣)
現像処理後のシリコンウエハのパターン形成面のうち、光が照射されなかった領域(未照射領域)の残渣の有無を測長SEM(S−7800H、(株)日立製作所製)で観察し、下記の評価基準にしたがって評価した。
<評価基準>
A:未照射領域には、残渣が全く確認されなかった。
B:未照射領域に、残渣が僅かに確認されたが、実用上問題のない程度であった。
C:未照射領域に、残渣が著しく確認された。
(経時後密着性及び経時後現像残渣)
さらに、遮光性組成物を23℃に2ヶ月保管した後、上記(密着性)及び(現像残渣)と同様の評価を実施し、遮光性組成物の経時後密着性及び経時後現像残渣を評価した。
<実施例2〜4、及び、比較例1〜2>
実施例1において、遮光性組成物の組成を下記表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同様にして、遮光性組成物を調製し、遮光膜パターンを形成すると共に、同様の評価を行った。評価結果は下記表1にまとめて示す。
なお、表1の「分散樹脂」欄、「バインダーポリマー」欄に記載の化合物を以下に示す。
・樹脂B:アクリキュアRD−F8(日本触媒(株))
・樹脂C:アクリベースFF−187(藤倉化成(株))
・分散剤B:下記共重合体(図中の数値は、各繰り返し単位のモル%を表す)
上記表1に示すように、本発明の遮光性組成物を使用した場合、基板に対する密着性及び現像時の残渣除去性に優れる遮光膜が形成されることが確認された。また、組成物を所定期間保管した後においても、所定の効果が得られることが確認された。
一方、本発明の要件を満たさない組成物を使用した比較例1〜2においては、所望の効果が得られなかった。
10 基板
11 密着層
12 遮光膜
16 レンズ
22 半導体基板
25 n型半導体領域
26 p型半導体領域
27 素子分離領域
36 反射防止膜
37 シリコン酸化膜
38 ハフニウム酸化膜
39 遮光膜
41 平坦化膜
42 オンチップカラーフィルタ
43 オンチップマイクロレンズ
44 固体撮像素子
51 フォトダイオード
53 絶縁膜
54 遮光膜
56 画素分離層
101 固体撮像装置
110 半導体基板
111 画素
112 センサ基板
113 画素集光マイクロレンズ
114 マイクロレンズアレイ基板
115 マイクロレンズ
117 接続ポスト
118 スペーサ樹脂
119 貫通電極
120 読出し用電極パット
121 バンプ
122 駆動・処理チップ
123 可視光透過基板
124 光学フィルタ
125 結像レンズ
126 レンズホルダ
127 レンズ鏡筒
128 光遮蔽カバー
129 モジュール電極
158 貫通電極
200 CMOSセンサ受光部
210 配線層
211 配線
221 平坦化膜
222 カラーフィルタ
223 集光レンズ




Claims (5)

  1. 遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか1種と、
    SP値が17〜22(MPa) 1/2 である分散樹脂と、
    酸価が20〜50mgKOH/gであり、SP値が18〜25(MPa) 1/2 であり、重量平均分子量が8000〜50000であるバインダーポリマーと、
    重合性化合物と
    を含有し、
    前記分散樹脂のSP値と、前記バインダーポリマーのSP値との差の絶対値が3(MPa)1/2以上である、遮光性組成物。なお、前記差は、前記分散樹脂のSP値−前記バインダーポリマーのSP値を表す。
  2. 前記遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか1種が、カーボンブラックである、請求項1に記載の遮光性組成物。
  3. 前記分散樹脂は、グラフト鎖を有する構造単位を有している分散樹脂であり、前記バインダーポリマーが、線状有機ポリマーである、請求項1又は2に記載の遮光性組成物。
  4. 前記バインダーポリマーが、側鎖に二重結合を有するアルカリ可溶性樹脂である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の遮光性組成物
  5. 前記バインダーポリマーが、酸基を有する繰り返し単位と、不飽和二重結合を有する繰り返し単位を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の遮光性組成物。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10533137B2 (en) * 2015-03-19 2020-01-14 Zeon Corporation Liquid crystal composition, method for producing retardation layer, and circularly polarizing plate
CN108475012B (zh) * 2015-12-24 2022-07-15 三菱化学株式会社 感光性着色组合物、固化物、着色间隔物、图像显示装置
WO2017150069A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 富士フイルム株式会社 樹脂組成物、樹脂膜、カラーフィルタ、遮光膜、固体撮像装置、及び、画像表示装置
JP6758070B2 (ja) * 2016-03-31 2020-09-23 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 遮光膜用感光性樹脂組成物、これを硬化させた遮光膜を備えたディスプレイ用基板、及びディスプレイ用基板の製造方法
JP6886782B2 (ja) * 2016-06-30 2021-06-16 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、有機el素子における発光層の区画用のバンク、有機el素子用の基板、有機el素子、硬化膜の製造方法、バンクの製造方法、及び有機el素子の製造方法
EP3608719A4 (en) * 2017-04-04 2020-04-22 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha LIGHT-SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR FLEXO PRINTING PLATE, FLEXO PRINT ORIGINAL PLATE, FLEXO PRINTING PLATE AND COPOLYMER
KR20210134712A (ko) * 2019-03-29 2021-11-10 후지필름 가부시키가이샤 조성물, 차광막, 컬러 필터, 광학 소자, 센서, 고체 촬상 소자, 헤드라이트 유닛
CN112118373B (zh) * 2019-06-21 2021-08-06 致伸科技股份有限公司 微型化影像采集模块及其制作方法
WO2021059846A1 (ja) * 2019-09-26 2021-04-01 富士フイルム株式会社 近赤外吸収組成物、膜、光学フィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、赤外線センサ、カメラモジュール、並びに、インクジェットインク
JP2022054105A (ja) * 2020-09-25 2022-04-06 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び検出装置の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3724893B2 (ja) * 1996-09-25 2005-12-07 ナブテスコ株式会社 光学的立体造形用樹脂組成物
EP2273552A3 (en) * 2001-03-30 2013-04-10 The Regents of the University of California Methods of fabricating nanstructures and nanowires and devices fabricated therefrom
JP2002371204A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Showa Denko Kk 改質カーボンブラック、感光性黒色樹脂組成物及びカラーフィルター用ブラックマトリックスレジスト組成物
CN1529833A (zh) * 2001-05-15 2004-09-15 昭和电工株式会社 光敏着色组合物、使用该组合物的滤色器及其生产方法
JP4631468B2 (ja) * 2005-02-28 2011-02-16 凸版印刷株式会社 光硬化性樹脂組成物及びそれを用いて形成したフォトスペーサを有するカラーフィルタ
CA2604198A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Vib Vzw Treatment of egfr dependent tumors by abin (a20-binding inhibitor of nf kappab)
JP2008051934A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Fujifilm Corp 感光性組成物及びそれを用いた感光性転写材料、表示装置用遮光膜及びその製造方法、遮光膜付基板並びに表示装置
JP2008088272A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Fujifilm Corp 硬化性着色組成物、カラーフィルタ、及びカラーフィルタを用いた液晶表示装置
US20100025166A1 (en) * 2007-11-06 2010-02-04 Kayaba Industry Co., Ltd. Caliper brake device for vehicle
US8872099B2 (en) * 2008-03-18 2014-10-28 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor including a light-shielding color filter formed from a photosensitive resin composition, photosensitive resin composition and method of producing a light-shielding color filter
JP5222624B2 (ja) * 2008-05-12 2013-06-26 富士フイルム株式会社 黒色感光性樹脂組成物、及びカラーフィルタ並びにその製造方法
JP5723699B2 (ja) 2011-02-25 2015-05-27 富士フイルム株式会社 遮光性組成物、遮光性組成物の製造方法、ソルダレジスト、パターン形成方法、及び固体撮像素子
US8838601B2 (en) * 2011-08-31 2014-09-16 Comscore, Inc. Data fusion using behavioral factors
KR101709698B1 (ko) * 2013-09-02 2017-02-23 제일모직 주식회사 흑색 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 차광층

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