JP6222398B2 - 無線ｉｃデバイス、それを備えた樹脂成型体、それを備えた通信端末装置、及びその製造方法 - Google Patents

無線ｉｃデバイス、それを備えた樹脂成型体、それを備えた通信端末装置、及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）タグをはじめとする近距離無線通信装置等に用いられる無線ＩＣデバイスに関する。
ＨＦ帯のＲＦＩＤタグはカードサイズのものが一般的であるが、商品管理等に用いるために、占有面積の小さな小型のＲＦＩＤタグが求められることがある。ＨＦ帯ＲＦＩＤタグとしては、磁性体コアを搭載したＲＦＩＤタグが知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。
特許文献１に開示されたＲＦＩＤタグは、ＲＦＩＣ素子と、磁性体コアとを回路基板上に搭載し、樹脂絶縁層に埋設している。また、特許文献１に開示されたＲＦＩＤタグでは、回路基板及び樹脂絶縁層に、アンテナコイルが形成されている。
特許文献２に開示されたＲＦＩＤタグは、樹脂多層基板によりアンテナコイルを形成すると共に、樹脂多層基板内にキャビティを形成し、このキャビティ内に磁性体コアを配置している。
特許第５５７３９３７号明細書 特開２０１４−１６１００３号公報
特許文献１に開示されたＲＦＩＤタグは、ＲＦＩＣ素子と、アンテナコイルと、磁性体コアとを回路基板上に配置しているため、ＲＦＩＤタグのサイズを小型化することができないという課題がある。
特許文献２に開示されたＲＦＩＤタグは、ビアホール型の層間接続導体を有する複数の絶縁樹脂層を積層して樹脂多層基板の厚み方向に接続部を形成することにより、アンテナコイルを形成している。特許文献２に開示されたＲＦＩＤタグは、アンテナコイルのＬ値の向上、又はアンテナ性能の向上を実現するために、絶縁樹脂基板の積層数を増やすことによって、アンテナコイルのコイル径を大きくしている。しかしながら、特許文献２のＲＦＩＤタグでは、絶縁樹脂基板の積層数を増やすと、構成が複雑になるという課題がある
本発明は、上記の課題を解決するものであり、簡易な構成で小型化することができる無線ＩＣデバイス、それを備えた樹脂成型体、それを備えた通信端末装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の無線ＩＣデバイスは、
第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
を備え、
前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置される。
本発明の一態様の樹脂成型体は、
無線ＩＣデバイスを備えた樹脂成型体であって、
前記無線ＩＣデバイスは、
第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
を備え、
前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置される。
本発明の一態様の通信端末装置は、
無線ＩＣデバイスを備えた通信端末装置であって、
前記無線ＩＣデバイスは、
第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
を備え、
前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置される。
本発明の一態様の無線ＩＣデバイスの製造方法は、
台座上に設けられた粘着層に、第１入出力端子及び第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子を配線導体パターン上に実装した磁性体回路基板を配置する工程、
前記粘着層に、第１金属体と、第２金属体とを、立てて配置する工程、
前記粘着層上に配置された、前記磁性体回路基板と、前記第１金属体と、前記第２金属体と、を樹脂部材で被膜する工程、
前記第１金属体と、前記第２金属体と、が接続される第２配線パターンを、前記樹脂部材の第１主面に形成する工程、
前記粘着層を設けた前記台座を取り除き、前記第１金属体と前記第２金属体とを接続する一方、前記ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子と前記第１金属体とを接続し、前記ＲＦＩＣ素子の第２入出力端子と前記第２金属体とを接続する第１配線パターンを、前記樹脂部材の第２主面に形成する工程、
を含む。
本発明によれば、簡易な構成で小型化することができる無線ＩＣデバイス、それを備えた樹脂成型体、それを備えた通信端末装置、及びその製造方法を提供することができる。
本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの斜視図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの平面図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの底面図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの概略構成図 本発明に係る実施の形態１における回路基板の平面図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの回路図 実施例１の無線ＩＣデバイスの横断面図 実施例２の無線ＩＣデバイスの横断面図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの概略構成図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの底面図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスの製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態３の無線ＩＣデバイスの概略構成図 本発明に係る実施の形態３の無線ＩＣデバイスの底面図 本発明に係る実施の形態４の無線ＩＣデバイスの概略構成図 本発明に係る実施の形態５の無線ＩＣデバイスの概略構成図 本発明に係る実施の形態５の無線ＩＣデバイスの底面図 本発明に係る実施の形態５の無線ＩＣデバイスの回路図 本発明に係る実施の形態６の無線ＩＣデバイスの概略構成図 本発明に係る実施の形態７のＲＦＩＤタグ付き物品の斜視図 本発明に係る実施の形態７のＲＦＩＤタグ付き物品の正面図 本発明に係る実施の形態７のＲＦＩＤタグ付き物品の射出成型の製造工程を示す図 本発明に係る実施の形態８のＲＦＩＤタグ付き物品の斜視図 本発明に係る実施の形態８のＲＦＩＤタグ付き物品の断面図 図２４のＲＦＩＤタグ付き物品の部分拡大図 本発明に係る実施の形態８におけるブースターアンテナの斜視図 本発明に係る実施の形態８におけるブースターアンテナの回路図
本発明の一態様の無線ＩＣデバイスは、
第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
を備え、
前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置されてもよい。
このような構成により、磁性体回路基板上にＲＦＩＣ素子等を実装することにより、省スペース化を図り、簡単な構成でデバイスの小型化を実現することができる。また、磁性体回路基板は、アンテナコイルの内側に配置されているため、アンテナコイルの磁性体コア（磁心）として作用する。このため、磁性体基板によってアンテナコイルのＬ値の向上、又はアンテナ性能の向上を行うことができるため、デバイス寸法に対してアンテナサイズを最大化することができる。
前記無線ＩＣデバイスにおいて、前記アンテナコイルは、
前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣの前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
を有していてもよい。
このような構成により、アンテナコイルのうち比較的大きな高さ寸法を持った部分を第１金属体及び第２金属体によって形成できるので、アンテナコイルの電気的信頼性を高めることができる。
前記第１金属体及び前記第２金属体は、柱状の金属ピンであってもよい。
このように構成により、多層基板に複雑な配線を引き回す必要がない。また、金属体として金属ピンを使用することにより、第１金属体及び第２金属体の直流抵抗を小さくすることができ、電気特性を向上させることができる。
前記磁性体回路基板は、前記アンテナコイルから離れて配置され、
前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子が実装される前記磁性体回路基板の実装面は、前記樹脂部材の前記第２主面に対向するように配置され、
前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第１導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第２導体を介して、前記第１配線パターンに接続されてもよい。
このような構成により、ＲＦＩＣ素子を搭載した磁性体回路基板の第２面が、樹脂部材の第２主面に対向するように配置されるため、アンテナコイルの磁界形成の妨げになりにくい。また、磁性体回路基板の第２面が、アンテナコイルから離れて配置されるため、ＲＦＩＣ素子がアンテナコイルの近傍を通過する磁束の妨げになりにくい。
前記磁性体回路基板は、前記樹脂部材の前記第１主面に面する第１面と、前記樹脂部材の前記第２主面に面する第２面と、を有し、
前記ＲＦＩＣ素子は、前記磁性体回路基板の前記第２面に実装されてもよい。
このような構成により、磁性体回路基板のうち樹脂部材の第２主面と面する側の第２面側に、磁性体回路基板と樹脂部材との間にスペースを形成することができる。このため、回路基板の第２面にＲＦＩＣ素子を実装することにより、無線ＩＣデバイスの高さを小さくすることができる。
前記磁性体回路基板は、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、
前記磁性体回路基板の前記第２面は、前記樹脂部材の前記第２主面の少なくとも一部を形成し、
前記ＲＦＩＣ素子は、前記磁性体回路基板の前記第１面に搭載され、
前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第３導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第４導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
前記第３導体及び前記第４導体は、前記磁性体回路基板の内部に設けられていてもよい。
このような構成により、磁性体回路基板を樹脂部材の第２主面に配置することができるため、アンテナコイルのＬ値の向上や、アンテナ性能の向上を達成しつつ、アンテナコイルの高さを小さくすることができる。これにより、無線ＩＣデバイスの更なる小型化を実現することができる。
前記磁性体回路基板の前記第２面に、前記第１配線パターンを形成し、
前記第１金属体は、前記磁性体回路基板上の第１接続端子に接続され、前記磁性体回路基板内に設けられた第１接続導体を介して前記第１配線パターンに接続され、
前記第２金属体は、前記磁性体回路基板上の第２接続端子に接続され、前記磁性体回路基板内に設けられた第２接続導体を介して前記第１配線パターンに接続されてもよい。
このような構成により、更にアンテナコイルのＬ値の向上や、アンテナ性能の向上を行うことができる。また、無線ＩＣデバイスでは、アンテナコイルの高さを低くしても所定のインダクタンスを得ることができるため、更にデバイスを小型化することができる。
前記磁性体回路基板は、
多結晶相がほぼ全体を占めている磁性体基材層と、
前記磁性体基材層の少なくとも一方の面に配置され、かつ多結晶相がほぼ全体を占めている磁性体補助層と、
を含み、
前記磁性体基材層における多結晶相と前記磁性体補助層における多結晶相とは、互いに実質的に同一の結晶構造を有し、
前記磁性体補助層の線膨張係数は、前記磁性体基材層の線膨張係数よりも小さくてもよい。
このような構成により、磁性体回路基板の機械的強度を向上させることができる。
前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンは、それぞれ複数の配線パターンを有し、
前記第１金属体及び前記第２金属体は、それぞれ複数の金属体を有し、
前記アンテナコイルは、前記第１配線パターンと、前記第２配線パターンと、前記第１金属体と、前記第２金属体と、によって形成される複数のループを有するヘリカル状に形成されてもよい。
このような構成により、無線ＩＣデバイスのサイズを大型化せずに、ターン数の多いアンテナコイルを容易に構成することができる。
前記第１金属体及び前記第２金属体は、それぞれ３つ以上の金属ピンを有し、
前記第１金属体及び前記第２金属体は、それぞれ前記Ｙ軸方向に配列され、かつ前記Ｚ軸方向に見て千鳥状に配置されてもよい。
このような構成により、コイルのターン数を増やしても無線ＩＣデバイスのＹ軸方向の寸法を小さくすることができる。
前記アンテナコイルは、前記Ｙ軸方向から見て内外径の異なる複数のループを含み、
前記アンテナコイルの開口面に位置するループは、前記複数のループのうち内外径が最も大きいループであってもよい。
このような構成により、矩形ヘリカル状のアンテナコイルに対して磁束が出入りする実質的なコイル開口の面積を大きくすることができる。
本発明の一態様の樹脂成型体は、
無線ＩＣデバイスを備えた樹脂成型体であって、
前記無線ＩＣデバイスは、
第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
を備え、
前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置されてもよい。
このような構成により、省スペース化を図り、簡易な構成で小型化することが可能な無線ＩＣデバイスを備えた樹脂成型体を提供することができる。
前記樹脂成型体において、前記アンテナコイルは、
前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣの前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
を有してもよい。
このような構成により、アンテナコイルのうち比較的大きな高さ寸法を持った部分を第１金属体及び第２金属体によって形成できるので、アンテナコイルの電気的信頼性を高めることができる。
本発明の一態様の通信端末装置は、
無線ＩＣデバイスを備えた通信端末装置であって、
前記無線ＩＣデバイスは、
第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
を備え、
前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置されてもよい。
このような構成により、省スペース化を図り、簡易な構成で小型化することができる無線ＩＣデバイスを備えた通信端末装置を提供することができる。
前記通信端末装置において、前記アンテナコイルは、
前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣの前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
を有してもよい。
このような構成により、アンテナコイルのうち比較的大きな高さ寸法を持った部分を第１金属体及び第２金属体によって形成できるので、アンテナコイルの電気的信頼性を高めることができる。
本発明の一態様の無線ＩＣデバイスの製造方法は、
台座上に設けられた粘着層に、第１入出力端子及び第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子を配線導体パターン上に実装した磁性体回路基板を配置する工程、
前記粘着層に、第１金属体と、第２金属体とを、立てて配置する工程、
前記粘着層上に配置された、前記磁性体回路基板と、前記第１金属体と、前記第２金属体と、を樹脂部材で被膜する工程、
前記第１金属体と、前記第２金属体と、が接続される第２配線パターンを、前記樹脂部材の第１主面に形成する工程、
前記粘着層を設けた前記台座を取り除き、前記第１金属体と前記第２金属体とを接続する一方、前記ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子と前記第１金属体とを接続し、前記ＲＦＩＣ素子の第２入出力端子と前記第２金属体とを接続する第１配線パターンを、前記樹脂部材の第２主面に形成する工程、
を含んでもよい。
このような構成により、省スペース化を図り、簡易な構成で小型化することが可能な無線ＩＣデバイスを容易に製造できる。また、粘着層を有する台座を用いることにより、金属体を強固に固定することできるため、幅の小さい金属体をアンテナコイルの一部に使用して無線ＩＣデバイスを製造することができる。そのため、アンテナコイルの巻回数が多く、インダクタンスの高いアンテナコイルを備えた無線ＩＣデバイスを製造することができる。
以下、本発明に係る実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。また、各図においては、説明を容易なものとするため、各要素を誇張して示している。
（実施の形態１）
［全体構成］
図１は、本発明に係る実施の形態１の無線ＩＣデバイス１０１の斜視図である。図１中の直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標系において、Ｘ軸方向は無線ＩＣデバイス１０１の幅方向を示し、Ｙ軸方向は無線ＩＣデバイス１０１の厚さ方向を示し、Ｚ軸方向は無線ＩＣデバイス１０１の高さ方向を示す。図２は、無線ＩＣデバイス１０１の平面図である。図３は、無線ＩＣデバイスの底面図である。図４は、無線ＩＣデバイス１０１の概略構成図である。
図１に示すように、無線ＩＣデバイス１０１は、樹脂部材７０と、樹脂部材７０に埋設される磁性体回路基板１と、磁性体回路基板１に搭載されるＲＦＩＣ素子６１と、樹脂部材７０に設けられるアンテナコイルと、を備える。アンテナコイルは、第１配線パターン２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇと、第１金属体３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆと、第２配線パターン５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆと、第２金属体４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆと、によって形成されている。
＜樹脂部材＞
樹脂部材７０は、磁性体回路基板１、ＲＦＩＣ素子６１、アンテナコイル等を保護するものである。図１に示すように、樹脂部材７０は、直方体状を有している。具体的には、樹脂部材７０は、第１主面ＶＳ１と、第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２と、第１主面ＶＳ１と第２主面ＶＳとに連接する第１側面ＶＳ３と、第１主面ＶＳ１と第２主面ＶＳとに連接する第２側面ＶＳ４と、を有する。樹脂部材７０は、例えば、エポキシ系の樹脂などで作られている。
図２に示すように、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１には、Ｘ軸方向に延びる第２配線パターン５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆが形成されている。図３に示すように、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２には、Ｘ軸方向に延びる第１配線パターン２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇが形成されている。図１に示すように、樹脂部材７０の第１側面ＶＳ３の近傍には、Ｚ軸方向に延びる第１金属体３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆが埋設されている。樹脂部材７０の第２側面ＶＳ４の近傍には、Ｚ軸方向に延びる第２金属体４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆが埋設されている。
＜アンテナコイル＞
アンテナコイルは、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇと、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆと、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆと、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆと、によって６ターンの矩形ヘリカル状に形成されている。
図１に示すように、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇは、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２上をＸ軸方向に延び、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆは、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１上をＸ軸方向に延びる。ここで、「Ｘ軸方向に延びる」の意味は、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇのそれぞれが平行であること及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆのそれぞれが平行であることを限定するものではない。また、「Ｘ軸方向に延びる」の意味は、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇと第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆとが平行であることを限定するものではない。「Ｘ軸方向に延びる」とは、例えば、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆの延びる方向が概略的にＸ軸方向を向くこと、即ち実質的にＸ軸方向に延びること、をも含む。
第１金属体３０Ａ〜３０Ｆは、樹脂部材７０の第１側面ＶＳ３の近傍でＹ軸方向に配列されると共に、Ｚ軸方向に延びる。第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、樹脂部材７０の第２側面ＶＳ４の近傍でＹ軸方向に配列されると共に、Ｚ軸方向に延びる。実施の形態１においては、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、互いに平行である。
第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、いずれも例えば円柱状のＣｕ製の金属ピンである。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、例えば、断面円形のＣｕワイヤーを所定長単位で切断することで得られる。なお、これらの金属ピンの断面形状は、必ずしも円形である必要はない。例えば、金属ピンのアスペクト比（高さ／底面の直径）は、５以上３０以下が好ましい。
図１に示すように、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆは、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に対して法線方向、即ちＺ軸方向へ延びるように配置され、かつ、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１及び第２主面ＶＳ２に達する。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端は、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｆに接続される。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第２端は、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆに接続される。なお、第１端とは、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの長手方向端部のうち樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２側の端部を意味し、第２端とは、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの長手方向端部のうち樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１側の端部を意味する。
より詳しく説明すると、第１金属体３０Ａの第１端は、第１配線パターン２０Ａに接続される。第１金属体３０Ｂの第１端は、第１配線パターン２０Ｂに接続される。第１金属体３０Ｃの第１端は、第１配線パターン２０Ｃに接続される。第１金属体３０Ｄの第１端は、第１配線パターン２０Ｄに接続される。第１金属体３０Ｅの第１端は、第１配線パターン２０Ｅに接続される。第１金属体３０Ｆの第１端は、第１配線パターン２０Ｆに接続される。
第１金属体３０Ａの第２端は、第２配線パターン５０Ａに接続される。第１金属体３０Ｂの第２端は、第２配線パターン５０Ｂに接続される。第１金属体３０Ｃの第２端は、第２配線パターン５０Ｃに接続される。第１金属体３０Ｄの第２端は、第２配線パターン５０Ｄに接続される。第１金属体３０Ｅの第２端は、第２配線パターン５０Ｅに接続される。第１金属体３０Ｆの第２端は、第２配線パターン５０Ｆに接続される。
図１に示すように、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に対して法線方向、即ちＺ軸方向へ延びるように配置され、かつ、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に達する。第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端は、第１配線パターン２０Ｂ〜２０Ｇに接続される。第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第４端は、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆに接続される。なお、第３端とは、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの長手方向端部のうち樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２側の端部を意味し、第４端とは、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの長手方向端部のうち樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１側の端部を意味する。
より詳しく説明すると、第２金属体４０Ａの第３端は、第１配線パターン２０Ｂに接続される。第２金属体４０Ｂの第３端は、第１配線パターン２０Ｃに接続される。第２金属体４０Ｃの第３端は、第１配線パターン２０Ｄに接続される。第２金属体４０Ｄの第３端は、第１配線パターン２０Ｅに接続される。第２金属体４０Ｅの第３端は、第１配線パターン２０Ｆに接続される。第２金属体４０Ｆの第３端は、第１配線パターン２０Ｇに接続される。
第２金属体４０Ａの第４端は、第２配線パターン５０Ａに接続される。第２金属体４０Ｂの第４端は、第２配線パターン５０Ｂに接続される。第２金属体４０Ｃの第４端は、第２配線パターン５０Ｃに接続される。第２金属体４０Ｄの第４端は、第２配線パターン５０Ｄに接続される。第２金属体４０Ｅの第４端は、第２配線パターン５０Ｅに接続される。第２金属体４０Ｆの第４端は、第２配線パターン５０Ｆに接続される。
このように、アンテナコイルは、複数の配線パターンを含む第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ、複数の配線パターンを含む第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆ、複数の金属ピンを含む第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ、複数の金属ピンを含む第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの数によって、複数のループを形成している。
＜磁性体回路基板＞
磁性体回路基板１は、配線導体パターンを有する磁性体の回路基板である。磁性体回路基板１は、焼結系のフェライト基板により作られている。図４に示すように、磁性体回路基板１は、アンテナコイルの内部、即ちコイル巻回範囲内に配置されることにより、アンテナコイルに対する磁性体コアとして作用している。
図４に示すように、磁性体回路基板１は、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１側に面する第１面ＰＳ１と、樹脂部材の第２主面ＶＳ２側に面する第２面ＰＳ２と、を有する。磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２には、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂが形成されており、ＲＦＩＣ素子６１及びチップキャパシタ６２等が実装されている。ＲＦＩＣ素子６１の実装面である第２面ＰＳ２は、アンテナコイルの磁界を妨げやすい。そのため、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２は、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に対向するように配置される。
磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２は、アンテナコイルの巻回軸Ｇ１と交差しないように、アンテナコイルの巻回軸Ｇ１方向、即ちＹ軸方向に平行に配置されるのが好ましい。より好ましくは、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２は、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に平行になるように配置される。
アンテナコイルにより形成される磁界は、アンテナコイルに近いほど強くなる。このため、無線ＩＣデバイス１０１では、ＲＦＩＣ素子６１を実装した磁性体回路基板１をアンテナコイルから離して配置している。磁性体回路基板１は、アンテナコイルの巻回軸Ｇ１方向、即ちＹ軸方向から見たとき、ＲＦＩＣ素子６１が実装される第２面ＰＳ２を、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２よりも巻回軸Ｇ１寄りに配置しているのが好ましい。より好ましくは、アンテナコイルの磁界形成に与える影響、及び無線ＩＣデバイス１０１が樹脂成型体に内蔵される場合に射出成型時の高温樹脂による熱的影響を低減するために、ＲＦＩＣ素子６１が実装される第２面ＰＳ２は、無線ＩＣデバイス１０１の中央に配置されることが好ましい。
磁性体回路基板１は、第２面ＰＳ２上に実装されたＲＦＩＣ素子６１と、第１配線パターン２０Ａ，２０Ｇとを電気的に接続するために、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを設けている。第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂは、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２から樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に向かって延びている。言い換えると、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２から第１主面ＶＳ１方向、即ちＺ軸方向へ延びている。
より詳しく説明すると、第１導体１１Ａは、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２上に形成された第１配線パターン２０Ａと、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２上に形成された配線導体パターン１０Ａと、を接続する。第２導体１１Ｂは、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２上に形成された第１配線パターン１０Ｇと、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２上に形成された配線導体パターン１０Ｂと、を接続する。
図５は、磁性体回路基板１の底面図であり、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２を見た図である。図５に示すように、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２には、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂ及びＮＣ端子が形成されている。配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂ及びＮＣ端子は、例えば、Ｃｕ箔のエッチング等によりパターニングされたものである。配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂには、ＲＦＩＣ素子６１の第１入出力端子及び第２入出力端子に接続される給電端子が設けられている。配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂは、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２から第１主面ＶＳ１に向かって延びる第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを介して、アンテナコイルの一端及び他端にそれぞれ電気的に接続されている。また、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂには、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを接続する接続端子１２Ａ，１２Ｂが設けられている。
配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂは、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２から第１主面ＶＳ１の方向に延びる第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを介して、アンテナコイルの一端及び他端にそれぞれ電気的に接続されている。アンテナコイルの第１配線パターン２０Ａは、配線導体パターン１０Ａに対して直列に接続される一方、第１配線パターン２０Ｇは、配線導体パターン１０Ｂに対して直列に接続される。
より詳しく説明すると、第１導体１１Ａの一端が、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２上に形成された第１配線パターン２０Ａに接続され、第１導体１１Ａの他端が磁性体回路基板１に設けられた接続端子１２Ａに接続される。第２導体１１Ｂの一端が樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２上に形成された第１配線パターン２０Ｇに接続され、第２導体１１Ｂの他端が磁性体回路基板１に設けられた接続端子１２Ｂに接続される。
第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂは、例えば、柱状の金属ピンである。第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂの長手方向の長さ、即ちＺ方向の長さは、ＲＦＩＣ素子６１やチップキャパシタ６２等の表面実装部品の厚さよりも長い。第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂは、導電性を有する材料から作られていればよく、例えば、Ｃｕ等の金属材料から作られていればよい。
＜ＲＦＩＣ素子＞
ＲＦＩＣ素子６１は、第１入出力端子６１ａと第２入出力端子６１ｂとを有するＲＦＩＣチップ（ベアチップ）がパッケージングされたものである。ＲＦＩＣ素子６１は、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２側に実装される。より具体的には、図４及び図５に示すように、ＲＦＩＣ素子６１の第１入出力端子６１ａは、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２側に形成された配線導体パターン１０Ａの給電端子に接続される。第２入出力端子６１ｂは、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２側に形成された配線導体パターン１０Ｂの給電端子に接続される。また、ＲＦＩＣ素子６１は、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２側に形成されたＮＣ端子にも接続される。
図６は、無線ＩＣデバイス１０１の回路図である。ＲＦＩＣ素子６１には、アンテナコイルＡＮＴが接続される。アンテナコイルＡＮＴには、チップキャパシタ６２が並列接続されると共に、チップキャパシタ６３，６４が直列接続される。アンテナコイルＡＮＴと、チップキャパシタ６２，６３，６４と、ＲＦＩＣ素子６１自身が持つ容量成分と、でＬＣ共振回路が構成される。また、チップキャパシタ６２，６３，６４は、周波数を調整するための整合回路を構成している。チップキャパシタ６２，６３，６４のキャパシタンスは、ＬＣ共振回路の共振周波数がＲＦＩＤシステムの通信周波数と実質的に等しい周波数、例えば１３．５６ＭＨｚとなるように選定される。
図４に示すように、無線ＩＣデバイス１０１は、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆ上に、めっき層８０Ａ及び８０Ｂを設けている。めっき層８０Ａ及び８０Ｂは、Ｃｕ等のめっき膜により形成される。めっき層８０Ａ及び８０Ｂは、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆの膜厚を厚くし、コイルの直流抵抗成分を低減する。更に、無線ＩＣデバイス１０１は、めっき層８０Ａ及び８０Ｂの上に、酸化防止用の保護層９０Ａ及び９０Ｂを設けている。保護層９０Ａ及び９０Ｂは、例えば、ソルダーレジスト膜等の保護用樹脂膜により形成される。なお、図１〜３においては、説明を簡略化するために、めっき層８０Ａ及び８０Ｂ、保護層９０Ａ及び９０Ｂを省略している。
［発明を実施するための形態］において、「ＲＦＩＤ素子」は、ＲＦＩＣチップそのものであってもよいし、ＲＦＩＣチップに整合回路等を一体化したＲＦＩＣパッケージであってもよい。また、「ＲＦＩＤタグ」は、ＲＦＩＣ素子とＲＦＩＣ素子に接続されたアンテナコイルとを有したものであって、電波（電磁波）または磁界を用いて、内蔵したメモリのデータを非接触で読み書きする情報媒体と定義する。つまり、本実施形態の無線ＩＣデバイスはＲＦＩＤタグとして構成される。
ＲＦＩＣ素子６１は、ＨＦ帯ＲＦＩＤシステム用の、例えば、ＨＦ帯の高周波無線ＩＣチップを備える。無線ＩＣデバイス１０１は、例えば、管理対象の物品に設けられる。その物品に取り付けられた無線ＩＣデバイス１０１、即ちＲＦＩＤタグをリーダ／ライタ装置に近接させることで、無線ＩＣデバイス１０１のアンテナコイルとＲＦＩＤのリーダ／ライタ装置のアンテナコイルとが磁界結合する。これにより、ＲＦＩＤタグとリーダライタ装置との間でＲＦＩＤ通信がなされる。
［第１金属体及び第２金属体の配置］
次に、実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１における第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの配置について、図７及び図８を用いて説明する。
図７は、実施例１の無線ＩＣデバイスの横断面図である。図８は、実施例２の無線ＩＣデバイスの横断面図である。実施例１の無線ＩＣデバイスと実施例２の無線ＩＣデバイスとは、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの配置が異なる。
実施例１及び実施例２のいずれにおいても、複数の第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び複数の第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、それぞれＹ軸方向に配列され、且つＺ軸方向に見て千鳥状に配置（ｚｉｇｚａｇ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）される。図７に示すように、実施例１では、矩形ヘリカル状のアンテナコイルは、コイル内外径の異なる２種のループを含む。第１金属体３０Ａと第２金属体４０Ａとを含むループ、第１金属体３０Ｃと第２金属体４０Ｃとを含むループ、第１金属体３０Ｄと第２金属体４０Ｄとを含むループ、第１金属体３０Ｆと第２金属体４０Ｆとを含むループ、のそれぞれの開口幅はＷｗである。また、第１金属体３０Ｂと第２金属体４０Ｂとを含むループ、第１金属体３０Ｅと第２金属体４０Ｅとを含むループ、のそれぞれの開口幅はＷｎである。そして、Ｗｎ＜Ｗｗである。一方、実施例２では、図８に表れるように、いずれのループの開口幅はＷで同じである。
実施例１では、矩形ヘリカル状のアンテナコイルの２つの開口面位置のループ、即ち第１金属体３０Ａと第２金属体４０Ａとを含むループ、及び、第１金属体３０Ｆと第２金属体４０Ｆとを含むループの内外径は、２種のループのうち大きい方のループである。
換言すると、複数の第１金属体３０Ａ〜３０Ｆのうち、Ｙ軸方向での第１端位置の第１金属体３０Ａと、複数の第２金属体４０Ａ〜４０Ｆのうち、Ｙ軸方向での第３端位置の第２金属体４０Ａと、を含むループを「第１ループ」と表す。複数の第１金属体３０Ａ〜３０Ｆのうち、Ｙ軸方向での第２端位置の第１金属体３０Ｆと、複数の第２金属体４０Ａ〜４０Ｆのうち、Ｙ軸方向での第４端位置の第２金属体４０Ｆと、を含むループを「第２ループ」と表す。この場合、第１ループ及び第２ループの内外径は、２種のループのうち内外径の大きいループである。
図７及び図８において、破線は矩形ヘリカル状のアンテナコイルに対して磁束が出入りする磁束の概念図である。図８に示す実施例２では、矩形ヘリカル状のアンテナコイルの２つの開口面位置のループの実質的な内外径は、上記ループの開口幅Ｗより小さい。また、磁束は隣接する金属体の間隙から漏れやすい。一方、図７に示す実施例１では、矩形ヘリカル状のアンテナコイルの２つの開口面位置のループの内外径は、２種のループのうち内外径の大きいループであるので、アンテナコイルに対して磁束が出入りする実質的なコイル開口は実施例２に対して大きい。また、磁束は隣接する金属体の間隙から漏れ難い。そのため、アンテナコイルは通信相手のアンテナに対して相対的に広い位置関係で磁界結合できる。つまり、３つ以上のターン数を持つヘリカル状のアンテナコイルを形成する場合、コイル軸であるＹ軸方向の両端側のループ面積が大きくなるように、金属体を配置することが好ましい。
なお、上記矩形ヘリカル状のアンテナコイルは、内外径の異なる３種以上の複数種のループを含んでもよい。その場合でも、アンテナコイルの２つの開口面位置のループの内外径は、複数種のループのうち内外径の最も大きいループであればよい。
［製造方法］
実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１の製造方法について、図９Ａ〜９Ｈを用いて説明する。図９Ａ〜９Ｈは、無線ＩＣデバイス１０１の製造工程を順に示す図である。
図９Ａに示すように、磁性体回路基板１を準備する。具体的には、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２上に配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂを形成する。また、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２上に、ＲＦＩＣ素子等を実装するための給電端子及びＮＣ端子、チップキャパシタ６２，６３，６４を実装するためのランド、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを接続するための接続端子１２Ａ，１２Ｂを形成する。更に、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２に、これらの給電端子、ランド、及び接続端子１２Ａ，１２Ｂを接続するための引回しパターン等を形成する（図５参照）。
次に、磁性体回路基板１の配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂに、ＲＦＩＣ素子６１、チップキャパシタ６２，６３，６４、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂをそれぞれはんだ等の導電性接合材を介して実装する。はんだを使う場合、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２の配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂに、はんだペーストを印刷し、各部品をマウンターで実装した後、これらの部品をリフロープロセスではんだ付けする。これにより、ＲＦＩＣ素子６１、チップキャパシタ６２，６３，６４、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを磁性体回路基板１に電気的に導通させ、且つ構造的に接合する。
磁性体回路基板１は、例えば、フェライト基板等である。配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂ、ランド、及び接続端子１２Ａは、銅箔をパターニングしたものである。磁性体回路基板１は、フェライト基板に厚膜パターンを形成したものであってもよい。
例えば、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂの断面寸法は、１８μｍ×１００μｍである。これらのパターニングを行った後に、Ｃｕ等のめっきを施してトータル膜厚を４０〜５０μｍに厚くすることが好ましい。
ＲＦＩＣ素子６１は、ＲＦＩＤタグ用のＲＦＩＣチップをパッケージングしたものである。チップキャパシタ６２，６３，６４は、例えば積層型セラミックチップ部品である。
次に、図９Ｂに示すように、粘着層２を有する台座３の粘着層２に磁性体回路基板１、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆをそれぞれ配置する。磁性体回路基板１は、第２面ＰＳ２側を粘着層２側にして、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを粘着層２に立てた状態で台座３に配置される。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、それぞれ一端側である第１端側及び第３端側を粘着層２側にして、台座３に立てた状態で配置される。このように、磁性体回路基板１、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆを台座３に強固に固定した状態で実装する。なお、磁性体回路基板１は、安定して台座３に固定するために、例えば、樹脂部材７０と同様の材料から作られた支持部材により、粘着層２に固定されてもよい。
粘着層２は、例えば、粘着性を有する樹脂である。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、それぞれＣｕ製の金属ピンである。また、これらの金属ピンは、例えば直径０．３ｍｍ、長さ７ｍｍ程度の円柱状である。金属ピンは、Ｃｕを主成分としたものに限定されるわけではないが、導電率や加工性の点でＣｕを主成分としたものが好ましい。
次に、図９Ｃに示すように、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの高さまで樹脂部材７０を形成する。具体的には、エポキシ樹脂等を所定高さまで塗布する。所定の高さとは、少なくとも第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの高さ以上である。これにより、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆが、樹脂部材７０によって被膜される。
次に、図９Ｄに示すように、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１を平面的に研磨していくことで、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第２端、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第４端を露出させる。
樹脂部材７０は、液状樹脂の塗布により設けてもよいし、半硬化シート状樹脂の積層に
よって設けてもよい。
次に、図９Ｅに示すように、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第２端、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第４端が露出する樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１に、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆを形成する（図３参照）。具体的には、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１に、導電性ペーストをスクリーン印刷することによって第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆを形成する。これにより、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆは、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第２端と、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第４端とに接続される。
次に、図９Ｆに示すように、樹脂部材７０から、粘着層２を有する台座３を取り除き、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端と、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端と、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂの一端と、を露出させる。具体的には、樹脂部材７０から台座３を取り外し、粘着層２と樹脂部材７０とを平面的に研磨していくことで、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端と、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端と、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂの一端と、を樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に露出させる。
次に、図９Ｇに示すように、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端が露出する樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇを形成する（図２参照）。具体的には、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に、導電性ペーストをスクリーン印刷することによって、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇを形成する。これにより、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇは、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端と、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端とに接続される。また、第１配線パターン２０Ａ及び２０Ｇは、それぞれ第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂの一端に接続される。
なお、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆは、それぞれ樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２及び第１主面ＶＳ１に、めっき法等によってＣｕ膜等の導体膜を形成し、これをフォトレジスト膜形成及びエッチングによってパターニングして形成してもよい。
次に、図９Ｈに示すように、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆに、めっき層８０Ａ，８０Ｂを形成する。また、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆの形成面にめっき層８０Ａ，８０Ｂの上から保護層９０Ａ，９０Ｂを形成する。
めっき層は、Ｃｕ等のめっきによって形成される。Ｃｕめっき膜の場合、Ｃｕ等のめっき膜の表面に、更にＡｕめっき膜を形成してもよい。めっき膜を形成することにより、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆの膜厚が厚くなり、それらの直流抵抗（ＤＣＲ）が小さくなって、導体損失が低減できる。このことにより、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０ＦのＤＣＲと同等程度にまで、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０ＦのＤＣＲを小さくすることができる。すなわち、この段階の素体は、外表面に第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆが露出したものである。そのため、この素体をめっき液に浸漬することにより、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆの厚みを選択的に厚くすることができる。例えば、無線ＩＣデバイス１０１では、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂの厚みに比べて、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇの厚みを増やすことができる。
保護層９０Ａ，９０Ｂは、酸化防止用の保護用樹脂膜であり、例えば、ソルダーレジスト膜等である。
なお、上記の工程は、マザー基板状態のまま処理される。最後に、マザー基板を個々の
無線ＩＣデバイス単位（個片）に分離する。
［効果］
実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１によれば、磁性体回路基板１上にＲＦＩＣ素子６１等を実装することにより、省スペース化を図ることができる。また、磁性体回路基板１にアンテナコイルを実装する構成ではないため、簡易な構成で無線ＩＣデバイス１０１のサイズを小型化することができる。
磁性体回路基板１は、アンテナコイルの磁性体コアとして作用するため、アンテナコイルのＬ値の向上や、アンテナ性能の向上を行うことができる。このため、無線ＩＣデバイス１０１では、アンテナコイルを大型化することなく、所定のインダクタンス値のアンテナコイルが得られる。また、無線ＩＣデバイス１０１では、アンテナコイルの高さを低くしても所定のインダクタンスを得ることができる。
また、無線ＩＣデバイス１０１によれば、磁性体回路基板１の集磁効果により、通信相手のアンテナとの磁界結合を高めることができる。更に、磁性体回路基板１にＲＦＩＣ素子６１が実装されているため、ＲＦＩＣ素子によるアンテナコイルの磁界形成の妨げを抑制することができる。例えば、ＲＦＩＣ素子６１のデジタル信号の入出力によるノイズがアンテナコイルの磁界形成の妨げとなることを抑制することができる。また、アンテナコイルの磁界によるＲＦＩＣ素子６１への干渉も小さくすることができる。
磁性体回路基板１は、アンテナコイルから離れて樹脂部材７０の中に埋設されている。このため、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２側において、磁性体回路基板１と樹脂部材７０との間にスペースを設けている。無線ＩＣデバイス１０１によれば、このスペースを有効活用し、例えば、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２側にＲＦＩＣ素子６１やキャパシタ等の実装部品を実装することができる。このため、無線ＩＣデバイス１０１の小型化を実現することができる。また、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１と第２面ＰＳ２との両方に実装部品を実装することもできる。
また、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２がアンテナコイルから離れて配置されることにより、ＲＦＩＣ素子６１がアンテナコイルの近傍を通過する磁束の妨げになりにくい。特に、ＲＦＩＣ素子６１の実装面である第２面ＰＳ２が、アンテナコイルの巻回軸Ｇ１方向から見て、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２よりも巻回軸Ｇ１寄りに配置されることで、ＲＦＩＣ素子６１によるアンテナコイルの磁界の妨げを更に少なくすることができる。
無線ＩＣデバイス１０１によれば、比較的大きな高さ寸法を持った部分を金属ピンによってアンテナコイルの一部を形成できるため、例えば、層間接続導体を有する複数の基材層を積層して高さ方向の接続部を形成する場合に比べて、接続箇所を減らすことができる。したがって、無線ＩＣデバイス１０１によれば、アンテナコイルの電気特性を向上させることができる。なお、ビアホール型の層間接続導体を有する複数の基材層を積層して接続部を形成する場合、基板に貫通孔を形成し、この貫通孔に導電性ペースト等を充填して層間接続導体、即ちビアを形成している。この場合、貫通孔は加工の際にテーパが形成されるため、複数の基材層を積層すると、径の異なるビアが積層されることになる。また、複数の基材層を積層するとき、ビア間には銅等の異種の材料が挟まれる可能性がある。
無線ＩＣデバイス１０１によれば、多層基板にコイルを形成する必要がなく、複雑な配線を引回す必要がない。そのため、無線ＩＣデバイス１０１は、比較的大きな高さ寸法を持ち、コイル開口サイズの設計上の自由度に優れたコイル構造を容易に実現することができる。また、アンテナコイルの低抵抗化が可能であるので、高感度であり、かつ小型化が可能な無線ＩＣデバイスが得られる。
第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、柱状の金属ピンで構成されている。金属ピンは、金属ピン自身が持つ直流抵抗成分を、導電性ペーストの焼成による焼結金属体や、導電性薄膜のエッチングによる薄膜金属体等の導体膜のＤＣＲより十分に小さくできる。そのため、Ｑ値が高い、即ち低損失のアンテナコイルを備えた無線ＩＣデバイス１０１を提供することができる。
アンテナコイルを構成するパターンのうち、Ｘ軸方向に延びる第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆは、Ｃｕ等のめっき膜を形成することにより、膜厚を厚くし、コイルの直流抵抗成分をさらに低減することができる。
ＲＦＩＣ素子６１に接続されるキャパシタ６２，６３，６４を備えるため、ＲＦＩＣ素子とアンテナコイルとの整合用または共振周波数設定用の回路を容易に構成でき、外部の回路を無くしたり、簡素化したりすることができる。
ＲＦＩＣ素子６１、チップキャパシタ６２，６３，６４等の表面実装チップ部品、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、樹脂部材７０で保護されるので、無線ＩＣデバイス１０１全体は堅牢である。特に、この無線ＩＣデバイス１０１を樹脂成型物品に埋設する際、射出成型時に流動する高温の樹脂に対して、表面実装チップ部品のはんだ接続部が保護される。なお、射出成型時に流動する樹脂は、例えば、瞬間的には３００℃以上の高温となるが、ＲＦＩＣ素子自体は樹脂部材７０に埋設されており、また、ＲＦＩＣ素子と磁性体回路基板１との接合部分も樹脂部材に埋設されているので、ＲＦＩＣ素子、さらには無線ＩＣデバイスの信頼性は損なわれない。
ＲＦＩＣ素子６１は、無線ＩＣデバイス１０１の外方へ露出することがなく、ＲＦＩＣ素子６１の保護機能が高くなり、ＲＦＩＣ素子６１を外部に搭載することによる大型化が避けられる。また、磁性体回路基板１に対するＲＦＩＣ素子６１の接続部の信頼性が高まる。これにより、プラスチック等の樹脂成形品に内蔵可能な、つまり、射出成形時の高温下にも耐えられる、高耐熱性の無線ＩＣデバイスを実現できる。特に、実施の形態１の無線ＩＣデバイス１０１は、ＲＦＩＣ素子６１を搭載した磁性体回路基板１が、樹脂部材７０の表面から離れている。このため、無線ＩＣデバイス１０１を内蔵するプラスチック等の樹脂成形品を射出成型により製造する場合に、射出成型時の樹脂の熱が磁性体回路基板１に伝わりにくくなっているため、はんだスプラッシュ等の危険性を下げることができる。
また、磁性体回路基板１を樹脂部材７０に埋設することにより、磁性体回路基板１を保護することができる。例えば、射出成型体に無線ＩＣデバイス１０１を内蔵する場合でも、高温の射出成型用樹脂が磁性体回路基板１に直接接触しない。このため、無線ＩＣデバイス１０１は、耐熱性に優れている。
第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆは、樹脂部材７０の表面にスクリーン印刷するか、又はパターニングすればよいので、その形成が容易である。また、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇから第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆへの接続が容易であり、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆから第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆへの接続が容易である。さらに、磁性体回路基板１の第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂと、第１配線パターン２０Ａ、２０Ｇとの接続を容易にすることができる。
ＲＦＩＣ素子６１は、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２に形成された配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂ、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを介して、アンテナコイルに接続されている。そのため、ブリッジパターンの形成が容易になる。なお、ＲＦＩＣ素子６１は、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂに直接接続してもよい。ＲＦＩＣ素子６１が、引回し用の配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂを介して第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂに接続されることで、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２の任意の位置に第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを形成することができる。なお、ＲＦＩＣ素子６１は、直接第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂに接続してもよい。
無線ＩＣデバイス１０１において、アンテナコイルの実質的な開口径が大きいので、通信相手のアンテナに対して相対的に広い位置関係で通信することができる。
第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、少なくともコイル軸方向の端部においてそれぞれ配列方向に千鳥状に配置されることにより、金属体の本数を増やしてターン数を増やしても、無線ＩＣデバイス１０１のサイズを小型化することができる。
実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１の製造方法によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１の製造方法によれば、省スペース化を図り、簡易な構成で小型化するとともに、コイル開口面積が大きく、直流抵抗が小さい等の優れた電気特性を有し、かつ堅牢性や耐熱性の高い無線ＩＣデバイス１０１を容易に製造することができる。
無線ＩＣデバイス１０１の製造方法によれば、粘着層２を有する台座３を用いることにより、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆを強固に固定することができるため、より小さい幅の金属体をアンテナコイルに使用することができる。したがって、アンテナコイルの巻回数が多く、インダクタンスの高いアンテナコイルを製造することができる。また、比較的大きな高さ寸法を持ち、小さい幅の金属体を使用することにより、コイル開口面積をさらに大きくすることができる。
なお、実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１において、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、円柱状の側部が樹脂部材７０の第１側面ＶＳ３及び第２側面ＶＳ４に埋設されているが、この構成に限るものではない。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの側部が、樹脂部材７０の第１側面ＶＳ３及び第２側面ＶＳ４から一部露出する構成であってもよい。
実施の形態１における第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、円柱状のＣｕ製ピンを例として説明したが、これに限定されない。例えば、スタッド状のばんぷ等であってもよい。
実施の形態１における第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、それぞれＹ軸方向に配列され、且つＺ軸方向に見て千鳥状に配置（ｚｉｇｚａｇ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）される構成について説明したが、これに限定されない。例えば、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、一列に並べて配列されていてもよい。
実施の形態１における磁性体回路基板１は、アンテナコイルの巻回軸Ｇ１方向から見て、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２よりも巻回軸Ｇ１寄りに配置される例を説明したが、これに限定されない。例えば、磁性体回路基板１は、少なくとも一部がアンテナコイルの内部に位置し、磁性体コアとして機能すればよい。また、磁性体回路基板１の位置を変更することによって、磁性体コアの集磁効果を利用し、アンテナコイルの磁界の指向性を変更することができる。例えば、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１側に磁界を向かわせたい場合、磁性体回路基板１を第１主面ＶＳ１に近づけて配置すればよい。
実施の形態１におけるＲＦＩＣ素子６１においては、ＲＦＩＣチップがパッケージされたものを説明したが、これに限定されない。例えば、ＲＦＩＣ素子６１は、ベアチップ状のＲＦＩＣであってもよい。この場合、ＲＦＩＣは、Ａｕ電極端子を有し、磁性体回路基板１のＡｕめっき膜が印刷された給電端子に対して超音波接合により接続される。
実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１においては、チップキャパシタ６２，６３，６４の３つのキャパシタ用いて整合回路を構成する例について説明したが、これに限定されない。無線ＩＣデバイス１０１においては、共振周波数設定用のキャパシタとして、少なくとも１つ以上のキャパシタが、アンテナコイルに並列に接続されていればよい。
実施の形態１における樹脂部材７０は、フェライト粉等の磁性体粉を含む構成であってもよい。この構成によれば、樹脂部材７０は磁性を有するため、所定のインダクタンスのアンテナコイルを得るに要する全体のサイズを小さくすることができる。また、樹脂部材７０が磁性を有する場合には、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの側部を樹脂部材７０の側面から露出させてもよい。このような構成により、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆが露出する樹脂部材７０の表面へも磁界が広がり、これらの方向での通信も可能となる。
実施の形態１において、ＲＦＩＣ素子６１及びキャパシタ６２，６３，６４は、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２側に実装する構成について説明したが、これに限定されない。磁性体回路基板１は、第１面ＰＳ１に実装部品を実装してもよいし、第１面ＰＳ１と第２面ＰＳ２との両面に実装部品を実装してもよい。
実施の形態１における第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂは、柱状の金属ピンである例を説明したが、これに限定されない。例えば、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂは、磁性体回路基板１上に形成されたスタッド上のばんぷであってもよいし、めっき層８０を形成する際にめっきを成長させて作成したものであってもよい。
実施の形態１における磁性体回路基板１は、焼結系のフェライト基板を例として説明したが、これに限定されない。磁性体回路基板１は、磁性体を有する回路基板であればよく、磁性体材料から作られていればよい。
実施の形態１において、アンテナコイルの一部を形成する第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、金属ピンである例について説明したが、これに限定されない。例えば、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、樹脂部材７０に設けられた複数の貫通孔に導電性ペーストを充填することによって金属化した金属体であってもよい。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、樹脂部材７０に設けられた複数の貫通孔にめっき膜を形成した金属体（スルーホールめっき）であってもよい。また、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、樹脂部材７０の側面に導電性ペーストを印刷して金属化した金属体、又は樹脂部材７０の側面にめっき膜をパターニングにすることによって形成される金属体であってもよい。
（実施の形態２）
［全体構成］
本発明に係る実施の形態２の無線ＩＣデバイスについて、図１０及び図１１を用いて説明する。
図１０は、実施の形態２に係る無線ＩＣデバイス１０２の概略構成を示す。図１１は、実施の形態２に係る無線ＩＣデバイス１０２の底面図を示す。なお、実施の形態２では、主に実施の形態１と異なる点について説明する。実施の形態２においては、実施の形態１と同一又は同等の構成については同じ符号を付して説明する。また、実施の形態２では、実施の形態１と重複する記載は省略する。
図１０に示すように、実施の形態２の無線ＩＣデバイス１０２は、実施の形態１の無線ＩＣデバイス１０１と比べて、磁性体回路基板１を樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に配置している点が異なる。また、実施の形態２では、実施の形態１と比べて、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２が樹脂部材７０の第２主面ＶＳの一部を形成し、第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄが磁性体回路基板１の内部に設けられている点が異なる。
無線ＩＣデバイス１０２の磁性体回路基板１は、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に配置されており、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２が樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２の一部を形成している。図１１に示すように、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２には、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇの一部が形成されている。
磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１には、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂ、給電端子、ＮＣ端子、接続端子等が形成されており、ＲＦＩＣ素子６１やキャパシタ６２等が実装されている。アンテナコイルの巻回軸Ｇ１方向、即ちＹ軸方向から見たとき、第１面ＰＳ１は、第２面ＰＳ２よりも巻回軸寄りに配置されている。即ち、無線ＩＣデバイス１０２では、アンテナコイルの巻回軸Ｇ１方向から見たとき、第２面ＰＳ２と比べて、巻回軸Ｇ１に近い位置にある第１面ＰＳ１に、ＲＦＩＣ素子６１の実装面を形成している。
磁性体回路基板１の内部には、第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄが設けられている。第３導体１１Ｃは、第１面ＰＳ１上に形成された配線導体パターン１０Ａと、第２面ＰＳ２上に形成された第１配線パターン２０Ａと、を電気的に接続する。第４導体１１Ｄは、第１面ＰＳ１上に形成された配線導体パターン１０Ｂと、第２面ＰＳ２上に形成された第１配線パターン２０Ｇと、を電気的に接続する。第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄは、Ａｇ系導電性ペーストを焼成することにより作られたビア導体である。第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄは、接続端子を介して配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂに接続されることにより、ＲＦＩＣ素子６１の第１入出力端子６１ａ及び第２入出力端子６１ｂに接続される。
［製造方法］
実施の形態１に係る無線ＩＣデバイス１０１の製造方法について、図１２Ａ〜１２Ｊを用いて説明する。図１２Ａ〜１２Ｊは、無線ＩＣデバイス１０１の製造工程を順に示す図である。
図１２Ａに示すように、未焼成の磁性体材料１１０に第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄを設けるための、導体用孔１１１Ａ，１１１Ｂを形成する。磁性体材料１１０とは、例えば、フェライトシート等である。
図１２Ｂに示すように、導体用孔１１１Ａ，１１１ＢにＡｇ系の導電性ペーストを充填する。また、磁性体材料１１０の第１面ＰＳ１に配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂを形成するためのＡｇ系の導電性ペーストを印刷する。その後、磁性体材料１１０を、８００から１０００℃の温度で焼成する。焼成後、降温工程を経て、第１面ＰＳ１上に形成された配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂと、内部に設けられた第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄと、を有する磁性体回路基板１が得られる。
図１２Ｃに示すように、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１側に形成された配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂ上にＲＦＩＣ素子６１やキャパシタ６２等の表面実装部品が導電性接合材を介して実装される。導電性接合材としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系のはんだを使用する。なお、各部品は、マウンターで実装され後、リフロープロセスではんだ付けされる。
ＲＦＩＣ素子６１は、ＲＦＩＤタグ用のＲＦＩＣチップをパッケージングしたものである。チップキャパシタ６２，６３，６４は、例えば積層型セラミックチップ部品である。
次に、図１２Ｄに示すように、粘着層２を有する台座３の粘着層２に磁性体回路基板１、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆをそれぞれ配置する。磁性体回路基板１は、第２面ＰＳ２側を粘着層２側にして台座３に配置される。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、それぞれ一端側である第１端側及び第３端側を粘着層２側にして、台座３に立てた状態で実装される。このように、磁性体回路基板１、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆを台座３に強固に固定した状態で配置する。なお、磁性体回路基板１は、安定して台座３に固定するために、例えば、樹脂部材７０と同様の材料から作られた支持部材により、粘着層２に固定されてもよい。
次に、図１２Ｅに示すように、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの高さまで樹脂部材７０を形成する。具体的には、エポキシ樹脂等を所定高さまで塗布する。所定の高さとは、少なくとも第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの高さ以上である。これにより、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆが、樹脂部材７０によって被膜される。
次に、図１２Ｆに示すように、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１を平面的に研磨していくことで、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの他端側である第２端、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの他端側である第４端を露出させる。
次に、図１２Ｇに示すように、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第２端、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第４端が露出する樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１に、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆを形成する（図３参照）。具体的には、樹脂部材７０の第１主面ＶＳ１に、導電性ペーストをスクリーン印刷することによって第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆを形成する。これにより、第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆは、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第２端と、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第４端とに接続される。
次に、図１２Ｈに示すように、樹脂部材７０から、粘着層２を有する台座３を取り除き、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端と、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端と、第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄの一端と、を露出させる。具体的には、樹脂部材７０から台座３を取り外し、粘着層２と樹脂部材７０と磁性体回路基板１を平面的に研磨していくことで、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端と、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端と、第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄの一端と、を樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に露出させる。
次に、図１２Ｉに示すように、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端、第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄの一端が露出する樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２と、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２に、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇを形成する（図１１参照）。具体的には、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２と磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２とに、導電性ペーストをスクリーン印刷することによって、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇを形成する。これにより、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇは、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端と、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端とに接続される。また、第１配線パターン２０Ａ及び２０Ｇは、それぞれ第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄの一端に接続される。
なお、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆは、それぞれ樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２及び第１主面ＶＳ１に、めっき法等によってＣｕ膜等の導体膜を形成し、これをフォトレジスト膜形成及びエッチングによってパターニングして形成してもよい。
次に、図１２Ｊに示すように、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆに、めっき層８０Ａ，８０Ｂを形成する。また、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇ及び第２配線パターン５０Ａ〜５０Ｆの形成面にめっき層８０Ａ，８０Ｂの上から保護層９０Ａ，９０Ｂを形成する。
なお、上記の工程は、マザー基板状態のまま処理される。最後に、マザー基板を個々の
無線ＩＣデバイス単位（個片）に分離する。
［効果］
実施の形態２に係る無線ＩＣデバイス１０２によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態２に係る無線ＩＣデバイス１０２は、磁性体回路基板１を樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に配置し、第２面ＰＳ２により樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２の一部を形成している。また、磁性体回路基板１は、その内部に第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄを設けることにより、第１面ＰＳ１上に形成された配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂと、第２面ＰＳ２に形成された第１配線パターン２０Ａ，２０Ｇとを接続している。このような構成により、アンテナコイルのＬ値を向上させつつ、アンテナコイルの高さを低くすることができるため、無線ＩＣデバイス１０２のサイズを小型化することができる。
また、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１にＲＦＩＣ６１等の実装部品を実装することにより、実施の形態１に比べて、より簡単に、磁性体回路基板１と実装部品との接合部分を、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２よりもアンテナコイルの巻回軸Ｇ１寄りに配置することができる。ＲＦＩＣ素子６１の実装面は、アンテナコイルにより形成される磁界を妨げやすい。そのため、アンテナコイルの巻回軸（Ｙ軸）方向から見たとき、第２面ＰＳ２と比べて、巻回軸Ｇ１に近い位置にある第１面ＰＳ１に、ＲＦＩＣ素子６１の実装面を形成することにより、容易にＲＦＩＣ素子６１とアンテナコイルとの距離を取ることができる。したがって、実施の形態２に係る無線ＩＣデバイス１０２では、実施の形態１に比べて、ＲＦＩＣ素子６１等の実装部品を、巻回軸Ｇ１に近づけて配置することができるため、更に電気的特性及び熱的特性を高めることができる。
実施の形態２に係る無線ＩＣデバイス１０２の製造方法によれば、アンテナコイルのＬ値を向上させつつ、アンテナコイルの高さを低くし、小型化することが可能な無線ＩＣデバイス１０２を容易に製造することができる。また、磁性体回路基板１を製造するときに、第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄを形成することができるため、製造工程の簡略化が可能となる。
なお、実施の形態２において、第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄを、Ａｇ系の導電性ペーストを焼成することにより形成されるビア導体として説明したが、これに限定されない。第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄは、導電性を有し、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂと、第１配線パターン２０Ａ，２０Ｇとを電気的に接続可能な材料から作られていればよい。
実施の形態２において、磁性体材料１１０は、フェライトシートとして説明したが、これに限定されない。磁性体材料１１０は、磁性体を有する材料であればよい。
（実施の形態３）
［全体構成］
本発明に係る実施の形態３の無線ＩＣデバイスについて、図１３及び図１４を用いて説明する。
図１３は、実施の形態３に係る無線ＩＣデバイス１０３の概略構成を示す。図１４は、実施の形態３に係る無線ＩＣデバイス１０３の底面図を示す。なお、実施の形態３では、主に実施の形態２と異なる点について説明する。実施の形態３においては、実施の形態２と同一又は同等の構成については同じ符号を付して説明する。また、実施の形態３では、実施の形態２と重複する記載は省略する。
図１３に示すように、実施の形態３の無線ＩＣデバイス１０３は、実施の形態２の無線ＩＣデバイス１０２と比べて、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２が、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２全体を形成している点が異なる。また、実施の形態３においては、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆが、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１上に設けられ、第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆ及び第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆにより、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇにそれぞれ接続されている点が異なる。
図１３に示すように、無線ＩＣデバイス１０３の磁性体回路基板１は、第２面ＰＳ２が樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２全体を形成している。磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２上には、複数の第１接続端子１５Ａ〜１５Ｆ及び複数の第２接続端子１６Ａ〜１６Ｆが設けられている。磁性体回路基板１の内部には、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇと接続される複数の第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆ及び複数の第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆが設けられている。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、第１接続端子１５Ａ〜１５Ｆ及び第２接続端子１６Ａ〜１６Ｆを介して、第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆ及び第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆに接続されている。図１４に示すように、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２には、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇが形成されている。
実施の形態３においては、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆは、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１上に設けられている。具体的には、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの第１端が、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１上に設けられた第１接続端子１５Ａ〜１５Ｆに接続されている。第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの第３端が、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１上に設けられた第２接続端子１６Ａ〜１６Ｆに接続されている。
磁性体回路基板１は、その内部に第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆ及び第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆを設けている。第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆは、一端を第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｆに接続し、他端を第１接続端子１５Ａ〜１５Ｆに接続している。これにより、第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆは、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆと、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｆと、を電気的に接続している。第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆは、一端を第１配線パターン２０Ｂ〜２０Ｇに接続し、他端を第２接続端子１６Ａ〜１６Ｆに接続している。これにより、第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆは、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆと、第１配線パターン２０Ｂ〜２０Ｇと、を電気的に接続している。第１金属体３０Ａ〜３０Ｆと第１接続端子１５Ａ〜１５Ｆとの接続、及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆと第２接続端子１６Ａ〜１６Ｆとの接続は、導電性接合材を介して行われる。導電性接合材としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系のはんだを使用する。
第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆ及び第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆは、導電性の材料から作られていればよく、例えば、第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄと同様に、Ａｇ系の導電性ペーストを焼成して作られてもよい。
実施の形態３においては、磁性体回路基板１の一部が、アンテナコイルの磁性体コアとして機能している。したがって、磁性体回路基板１の少なくとも一部がアンテナコイルの内部に配置されていれば、磁性体回路基板１は、アンテナコイルの磁性体コアとしての機能を発揮する。
［効果］
実施の形態３に係る無線ＩＣデバイス１０３によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態３に係る無線ＩＣデバイス１０３では、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２が樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２全体を形成している。また、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１上に設けられた第１金属体３０Ａ〜３０Ｆ及び第２金属体４０Ａ〜４０Ｆが、第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆ及び第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆを介して、第１配線パターン２０Ａ〜２０Ｇに電気的に接続されている。このような構成により、磁性体回路基板１のサイズを大きくせずに、更にアンテナコイルのＬ値の向上や、アンテナ性能の向上を行うことができる。また、無線ＩＣデバイス１０３では、アンテナコイルの高さを低くしても所定のインダクタンスを得ることができるため、更にデバイスを小型化することができる。
実施の形態３においては、アンテナコイルの内部に位置する部分の磁性体回路基板１が、アンテナコイルの磁性体コアとして機能し、この部分の集磁効果により、通信相手のアンテナとの磁界結合を高めることができる。
なお、実施の形態３において、第１接続導体１３Ａ〜１３Ｆの数及び第１接続端子１５Ａ〜１５Ｆの数は、第１金属体３０Ａ〜３０Ｆの数と同じであり、第２接続導体１４Ａ〜１４Ｆの数及び第２接続端子１６Ａ〜１６Ｆの数は、第２金属体４０Ａ〜４０Ｆの数と同じである。
（実施の形態４）
［全体構成］
本発明に係る実施の形態４の無線ＩＣデバイスについて、図１５を用いて説明する。
図１５は、実施の形態４に係る無線ＩＣデバイス１０４の概略構成を示す。なお、実施の形態３では、主に実施の形態２と異なる点について説明する。実施の形態４においては、実施の形態１と同一又は同等の構成については同じ符号を付して説明する。また、実施の形態４では、実施の形態１と重複する記載は省略する。
図１５に示すように、実施の形態４の無線ＩＣデバイス１０４は、実施の形態１の無線ＩＣデバイス１０１と比べて、磁性体回路基板１Ａが、磁性体基材層１ａと、磁性体補助層１ｂとを含む点が異なる。
実施の形態４における磁性体回路基板１Ａは、第１面ＰＳ１、第２面ＰＳ２、及び磁性体回路基板１Ａの内部中央に、それぞれ磁性体補助層１ｂを設け、それぞれの磁性体補助層１ｂの間に磁性体基材層１ａを設けている。
磁性体基材層１ａ及び磁性体補助層１ｂは、多結晶相がほぼ全体を占めている材料から構成される。磁性体基材層１ａにおける多結晶相と磁性体補助層１ｂにおける多結晶相とは、互いに実質的に同一の結晶構造を有しており、かつ磁性体補助層１ｂの線膨張係数α２は、磁性体基材層１ａの線膨張係数α１よりも小さい。
磁性体基材層１ａにおける多結晶相と磁性体補助層１ｂにおける多結晶相とは、フェライトからなる多結晶相である。また、磁性体基材層１ａと磁性体補助層１ｂとは、同時に焼成されて得られる。
磁性体基材層１ａを構成するフェライトは、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトである。磁性体基材層１ａを構成するフェライトは、例えば、酸化第二鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で調合したものを焼成して作られる。これにより、磁性体基材層１ａを構成するフェライトは、例えば、１ＭＨｚでの透磁率が１５０、線膨張係数α１が１０．５の特性を有する。
磁性体補助層１ｂを構成するフェライトは、低透磁率のフェライトであることが好ましい。抵透磁率とは、例えば、透磁率が３０以下である。低透磁率の磁性体補助層１ｂは、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトである。磁性体補助層１ｂを構成するフェライトは、酸化第二鉄、酸化亜鉛、酸化ニッケル、及び酸化銅を所定の比率で調合したものを焼成して作られる。これにより、低透磁率の磁性体層を構成するフェライトは、例えば、１ＭＨｚでの透磁率が２０、線膨張係数α２が９．５の特性を有する。
［効果］
実施の形態４に係る無線ＩＣデバイス１０４によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態４に係る無線ＩＣデバイス１０４においては、磁性体回路基板１Ａの第１面ＰＳ１、第２面ＰＳ２、及び磁性体回路基板１Ａの内部中央に、磁性体補助層１ｂを配置し、その間に磁性体基材層１ａを配置している。磁性体補助層１ｂは、多結晶相がほぼ全体を占めている材料で作られている。磁性体補助層１ｂにおける多結晶相は、磁性体基材層１ａの多結晶相と同じ結晶構造を有する。また、磁性体補助層１ｂの線膨張係数α２は、磁性体基材層１ａの線膨張係数α１よりも小さい。このような構成により、焼成工程の後の降温工程において、磁性体補助層１ｂよりも磁性体基材層１ａの方が大きく収縮しようとし、磁性体補助層１ｂの主面には圧縮応力が残留する。その結果、磁性体回路基板１Ａの機械的強度を向上させることができる。
また、磁性体補助層１ｂから離れた磁性体基材層１ａの内部には、線膨張係数の差による内部応力が発生しやすい。実施の形態４においては、磁性体基材層１ａの内部にも、磁性体補助層１ｂを配置することにより、磁性体基材層１ａの内部に生じる内部応力を緩和することができる。
磁性体補助層１ｂが抵透磁率のフェライトで構成されていることにより、磁性体補助層１ｂに配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂ等を形成する場合に、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂ等から発生する不要な磁場を抑制することができる。
なお、実施の形態４においては、磁性体回路基板１Ａの第１面ＰＳ１、第２面ＰＳ２、磁性体回路基板１Ａの内部中央に磁性体補助層１ｂをそれぞれ配置し、磁性体補助層１ｂの間に磁性体基材層１ａを配置する構成について説明したが、これに限定されない。例えば、磁性体補助層１ｂは、磁性体回路基板１Ａの第１面ＰＳ１と第２面ＰＳ２との両面のみに配置されてもよいし、磁性体回路基板１Ａの第１面ＰＳ１と、第２面ＰＳ２とのうち少なくとも一方に配置してもよい。また、磁性体補助層１ｂは、磁性体回路基板１Ａの第１面ＰＳ１と第２面ＰＳ２との両面に配置すると共に、磁性体回路基板１Ａの内部に複数設けられてもよい。磁性体回路基板１Ａの内部に配置される磁性体基材層１ａには、クラックの原因となる内部応力が発生しやすいため、磁性体回路基板１Ａの内部に磁性体補助層１ｂを配置することにより、内部応力を緩和することができる。
実施の形態４においては、磁性体補助層１ｂは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトを説明したが、これに限定されない。例えば、磁性体補助層１ｂを構成するフェライトは、Ｆｅ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトであってもよい。このフェライトは、例えば、酸化第二鉄、酸化亜鉛、及び酸化銅を所定の比率で調合したものを焼成して作られる。これにより、磁性体補助層１ｂを構成するフェライトは、例えば、１ＭＨｚでの透磁率が１．０、線膨張係数α２が９．０の特性を有する。また、磁性体補助層１ｂは、磁性体基材層１ａと同程度かそれ以上の透磁率を有する層であってもよい。
（実施の形態５）
［全体構成］
本発明に係る実施の形態５の無線ＩＣデバイスについて、図１６〜図１８を用いて説明する。
図１６は、実施の形態５に係る無線ＩＣデバイス１０５の概略構成を示す。図１７は、実施の形態５の無線ＩＣデバイス１０５の回路図である。図１８は、実施の形態５の無線ＩＣデバイス１０５の底面図である。なお、実施の形態５では、主に実施の形態１と異なる点について説明する。実施の形態５においては、実施の形態１と同一又は同等の構成については同じ符号を付して説明する。また、実施の形態５では、実施の形態１と重複する記載は省略する。
図１６に示すように、実施の形態５の無線ＩＣデバイス１０５は、実施の形態１の無線ＩＣデバイス１０１と比べて、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１及び第２面ＰＳ２との両面に表面実装部品を実装し、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に更に入出力端子Ｐ１，Ｐ２を形成している点が異なる。また、実施の形態５では、実施の形態１と比べて、リーダライタモジュール（以下、「ＲＷモジュール」という）を形成している点が異なる。
図１６に示すように、無線ＩＣデバイス１０５の磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１に、配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂが形成されている。磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２には、配線導体パターン１０Ｃ，１０Ｄ及び第５導体１１Ｅが形成されている。また、磁性体回路基板１の内部には第６導体１１Ｆが設けられている。
配線導体パターン１０Ａ，１０Ｂには、ＲＷ−ＩＣ素子５、整合回路用のキャパシタ６２等の実装部品が実装されている。配線導体パターン１０Ｃ，１０Ｄには，ローパスフィルタ用のキャパシタ６５，６７等の実装部品が実装されている。また、第２面ＰＳ２に形成された配線導体パターン１０Ｂは、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２から第１主面ＶＳ１の方向へ延びる第５導体１１Ｅを介して、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２に形成された入出力端子Ｐ１と接続されている。
第５導体１１Ｅは、例えば、第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂと同様の材料で作られている。第６導体１１Ｆは、例えば、実施の形態２における第３導体１１Ｃ及び第４導体１１Ｄと同様の材料で作られている。
図１７に示すように、ＲＷモジュールは、ＲＷ−ＩＣ素子５と、ローパスフィルタ（以下、「ＬＰＦ」という）６と、整合回路７と、アンテナコイルＡＮＴと、を備える。
ＲＷ−ＩＣ素子５は、ＲＦＩＣ素子６１の１つであり、アンテナコイルＡＮＴに所定の高周波帯の信号を送信するものである。高周波体の信号とは、例えば、１３ＭＨｚ帯の信号である。ＲＷ−ＩＣ素子５は、通信相手に送信すべきベースバンド信号を、所定のデジタル変調方式に従って、所定の高周波帯の送信信号（正相信号）に変換する。また、ＲＷ−ＩＣ素子５は、正相信号に対し位相が１８０°回転した逆相信号を生成し、差動信号を生成する。なお、ＲＷ−ＩＣ素子５は、アンテナコイルＡＮＴを介して受信した高周波信号を処理するための給電回路として機能し、所定のデジタル変調方式に従って、アンテナコイルＡＮＴからの受信信号をベースバンド信号に変換することもできる。また、ＲＷ−ＩＣ素子５は、第１入出力端子６１ａ、第２入出力端子６１ｂに加えて、更に入出力端子Ｐ１，Ｐ２を備える。
ＬＰＦ６は、ＲＷ−ＩＣ素子５から出力された差動信号から、予め定められた周波数以下の低域成分のみを通過させて、アンテナコイルＡＮＴに送信信号を出力している。これにより、不要な高調波成分がアンテナコイルＡＮＴから放射されるのを抑制している。ＬＰＦ６は、キャパシタ６５，６６，６７及びコイル６８，６９で構成される。
キャパシタ６２，６３，６４で構成される整合回路７、及びアンテナコイルＡＮＴは、実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。
実施の形態５においては、磁性体回路基板１の第２面ＰＳ２側にＲＷ−ＩＣ素子５と、整合回路用のキャパシタと、を実装している。一方、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１側には、ＬＰＦ６用のキャパシタとコイルを実装している。
図１８に示すように、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２の中央付近には、ＲＷ−ＩＣ素子５から引き出された入出力端子Ｐ１，Ｐ２が形成されている。入出力端子Ｐ１，Ｐ２は、マイコン等に接続される。
［効果］
実施の形態５に係る無線ＩＣデバイス１０５によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態５の無線ＩＣデバイス１０５によれば、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１と第２面ＰＳ２の両方に表面実装部品を実装することにより、無線ＩＣデバイス本体のサイズを大きくすることなく、実装部品の数を増やすことができる。また、無線ＩＣデバイス１０５では、更に入出力端子Ｐ１，Ｐ２を設けることにより、マイコン等で制御することができる。
なお、実施の形態５においては、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１と第２面ＰＳ２の両方に表面実装部品を実装して、ＬＰＦ６、整合回路７を有するＲＷモジュールを形成する例について説明したが、これに限定されない。例えば、実施の形態５においては、直流成分をカットするキャパシタ等、その他回路を実装してもよい。
なお、実施の形態５においては、ＲＷ−ＩＣ素子５の入出力端子Ｐ１，Ｐ２が、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２の中央付近に配置される構成について説明したが、これに限定されない。入出力端子Ｐ１，Ｐ２は、任意の位置に配置してもよい。このような構成により、設計の自由度が向上する。
（実施の形態６）
［全体構成］
本発明に係る実施の形態６の無線ＩＣデバイスについて、図１９を用いて説明する。
図１９は、実施の形態６に係る無線ＩＣデバイス１０６の概略構成を示す。なお、実施の形態６では、主に実施の形態２と異なる点について説明する。実施の形態６においては、実施の形態２と同一又は同等の構成については同じ符号を付して説明する。また、実施の形態６では、実施の形態２と重複する記載は省略する。
図１９に示すように、実施の形態６の無線ＩＣデバイス１０６は、実施の形態２の無線ＩＣデバイス１０２と比べて、封止樹脂層１４０と、磁性体ブロック１４１とを含む点が異なる。
図１９に示すように、無線ＩＣデバイス１０６は、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１側に封止樹脂層１４０を形成すると共に、封止樹脂層１４０の上に磁性体ブロック１４１を配置している。また、磁性体回路基板１、封止樹脂層１４０、及び磁性体ブロック１４１は、樹脂部材７０の中に埋設されると共に、アンテナコイルの内側に配置されている。
封止樹脂層１４０は、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１上に実装されたＲＦＩＣ６１及びチップキャパシタ６２等の表面実装部品を樹脂によって封止している。封止樹脂層１４０は、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂などで作られている。
磁性体ブロック１４１は、封止樹脂層１４０の上に配置されている。磁性体ブロック１４１は、直方体形状を有しており、例えば、フェライト等で作られている。磁性体ブロック１４１は、アンテナコイルの内側に配置されており、磁性体回路基板１と共にアンテナコイルに対する磁心（磁性体コア）として作用する。
［効果］
実施の形態６に係る無線ＩＣデバイス１０６によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態６の無線ＩＣデバイス１０６によれば、磁性体回路基板１の第１主面側の表面実装部品を封止樹脂層１４０によって封止し、封止樹脂層１４０の上に磁性体ブロック１４１を配置している。また、磁性体ブロック１４１は、アンテナコイルの内側に配置されている。このような構成により、磁性体ブロック１４１が磁性体回路基板１と共にアンテナコイルに対する磁心として作用し、集磁効果を向上させることができる。その結果、通信相手のアンテナとの磁界結合を高めることができる。
磁性体回路基板１は、内部に第１導体１１Ａ及び第２導体１１Ｂを形成するための導体用孔１１１Ａ，１１１Ｂを空ける加工を行う必要がある（図１２Ａ参照）。無線ＩＣデバイス１０６では、磁性体ブロック１４１による集磁効果の向上を行うことができるため、磁性体回路基板１の厚さを実施の形態２と比べて相対的に薄くすることができる。そのため、実施の形態６においては、導体用孔１１１Ａ，１１１Ｂの深さを短くすることができるため、磁性体回路基板１の加工が容易になる。
実施の形態６の無線ＩＣデバイス１０６によれば、磁性体回路基板１の第１面ＰＳ１側に実装された表面実装部品を封止樹脂層４０によって封止することによって、表面実装部品を保護することができる。
（実施の形態７）
［全体構成］
本発明に係る実施の形態７のＲＦＩＤタグ付き物品について、図２０〜図２１を用いて説明する。
図２０は、実施の形態７に係るＲＦＩＤタグ付き物品３０１の斜視図である。図２１は、実施の形態７に係るＲＦＩＤタグ付き物品３０１の正面図である。
ＲＦＩＤタグ付き物品３０１は、ＲＦＩＤタグを内蔵した樹脂成型体であり、例えば、樹脂成型で作られたミニチュアカー等の玩具である。ＲＦＩＤタグ付き物品３０１は、実施の形態１の無線ＩＣデバイス１０１を備える。実施の形態７において、無線ＩＣデバイス１０１は、ＲＦＩＤタグとして用いられる。
図２０及び図２１に示すように、無線ＩＣデバイス１０１は、樹脂成型体２０１内に埋設され、物品３０１の外部には露出しない。無線ＩＣデバイス１０１は、玩具の底部に埋設される。玩具の底部とは、図２１の視点で、ＲＦＩＤタグ付き物品３０１の上面付近に対応する。
無線ＩＣデバイス１０１のアンテナコイルの巻回軸は、ミニチュアカー等の玩具の底面に対する法線方向を向く。そのため、この玩具の底面をリーダ／ライタ装置の読み取り部に対向させることで、リーダ／ライタ装置は、無線ＩＣデバイス１０１と通信する。これにより、リーダ／ライタ装置またはリーダ／ライタ装置に接続されるホスト装置は所定の処理を行う。
次に、ＲＦＩＤタグ付き物品３０１の製造方法について、図２２を用いて説明する。図２２は、実施の形態７に係るＲＦＩＤタグ付き物品３０１を射出成型で製造する工程を示す。
図２２に示すように、樹脂成型体２０１の射出成型用金型４０１を準備し、射出成型用金型４０１内に無線ＩＣデバイス１０１を固定する。無線ＩＣデバイス１０１は、例えば、射出成型用樹脂４０２と同じ樹脂で作られた支持部材等により、射出成型用金型４０１内に固定される。次に、射出成型用樹脂４０２をゲートから射出成型用金型４０１内に充填し、樹脂成型体２０１を成型することにより、ＲＦＩＤタグ付き物品３０１を製造する。
ＲＦＩＣ素子６１等は、他の実施形態に係る無線ＩＣデバイスと同様に、樹脂部材７０で保護されるので、無線ＩＣデバイス１０１は堅牢である。そして、射出成型時に高熱にて流動する射出成型用樹脂４０２に対して表面実装チップ部品のはんだ接続部が保護される。因みに、ポリイミド系の樹脂膜で被覆されたＣｕワイヤーが巻回された、通常の巻線型コイル部品であると、射出成型時の熱で被覆が溶けてＣｕワイヤー間が短絡してしまう。そのため、従来の通常の巻線型コイル部品をアンテナコイルとして利用することは困難である。
無線ＩＣデバイス１０１の磁性体回路基板１は、アンテナコイルの巻回軸Ｇ１方向から見たとき、樹脂部材７０の第２主面ＶＳ２よりも巻回軸Ｇ１寄りに配置されている。即ち、無線ＩＣデバイス１０１の磁性体回路基板１は、高温の射出成型用樹脂４０２と接触する樹脂部材７０の外縁からある程度距離を取って離れて配置されているため、熱的影響を受けにくい。
［効果］
実施の形態７に係るＲＦＩＤタグ付き物品３０１によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態７によれば、リーダ／ライタ装置等で通信可能な電気的特性及び熱的特性に優れたＲＦＩＤタグ付き物品３０１を提供することができる。
また、無線ＩＣデバイス１０１の磁性体回路基板１は、アンテナコイルの内部において任意の位置に配置することで、アンテナコイルにより形成される磁界に指向性を持たせることができる。そのため、無線ＩＣデバイス１０１を搭載するＲＦＩＤタグ付き物品３０１は、ＲＦＩＤタグにより生じる磁界に指向性を持たせることができる。
（実施の形態８）
［全体構成］
本発明に係る実施の形態８のＲＦＩＤタグ付き物品について、図２３〜図２５を用いて説明する。
図２３は、実施形態８に係るＲＦＩＤタグ付き物品３０２の斜視図である。図２４は、ＲＦＩＤタグ付き物品３０２の断面図である。図２５は、図２４の部分拡大図である。
ＲＦＩＤタグ付き物品３０２は、ＲＦＩＤタグを搭載した通信端末装置であり、例えば、スマートフォンなどの携帯電子機器である。ＲＦＩＤタグ付き物品３０２は、無線ＩＣデバイス１０１及び共振周波数を持つブースターアンテナ１２０を備える。図２３及び図２４に示すように、ＲＦＩＤタグ付き物品３０２の上面側に下部筐体２０２があって、下面側に上部筐体２０３がある。下部筐体２０２と上部筐体２０３とで囲まれる空間の内部に、回路基板２００、無線ＩＣデバイス１０１および共振周波数を持つブースターアンテナ１２０を備える。
無線ＩＣデバイス１０１は、実施の形態１で示したとおりである。無線ＩＣデバイス１０１は、図２３及び図２４に示すように、回路基板２００に実装される。回路基板２００には無線ＩＣデバイス１０１以外の部品も実装される。
共振周波数を持つブースターアンテナ１２０は、下部筐体２０２の内面に貼付される。このブースターアンテナ１２０は、バッテリーパック１３０と重ならない位置に配置される。ブースターアンテナ１２０は、絶縁体基材１２３および絶縁体基材１２３に形成されるコイルパターン１２１，１２２を含む。
図２５に示すように、無線ＩＣデバイス１０１は、そのアンテナコイルおよびブースターアンテナ１２０に対して磁束が鎖交するように配置される。すなわち、無線ＩＣデバイス１０１のアンテナコイルは、ブースターアンテナ１２０のコイルと磁界結合するように、無線ＩＣデバイス１０７とブースターアンテナ１２０は配置される。なお、図２５中の破線は、その磁界結合に寄与する磁束を概念的に表す。
無線ＩＣデバイス１０１のＲＦＩＣ素子６１は、回路基板２００側を向いて近接して配置されると共に、アンテナコイルがブースターアンテナ１２０側を向いて近接して配置される。そのため、無線ＩＣデバイス１０１のアンテナコイルとブースターアンテナ１２０との結合度は高い。また、ＲＦＩＣ素子６１と他の回路素子とをつなぐ配線、特にデジタル信号ラインや電源ラインは、アンテナコイルの磁束と実質的に平行に配線されるのでアンテナコイルとの結合は小さい。
図２６は、ブースターアンテナ１２０の斜視図である。図２７は、ブースターアンテナ１２０の回路図である。ブースターアンテナ１２０は、第１コイルパターン１２１と第２コイルパターン１２２は、それぞれ矩形渦巻状にパターン化された導体であり、平面視で同方向に電流が流れる状態で容量結合するようにパターン化される。第１コイルパターン１２１と第２コイルパターン１２２との間には浮遊容量が形成される。第１コイルパターン１２１および第２コイルパターン１２２のインダクタンスと浮遊容量のキャパシタンスとでＬＣ共振回路が構成される。このＬＣ共振回路の共振周波数は、このＲＦＩＤシステムの通信周波数と実質的に等しい。通信周波数は例えば１３．５６ＭＨｚ帯である。
［効果］
実施の形態８に係るＲＦＩＤタグ付き物品３０２によれば、以下の効果を奏することができる。
実施の形態８のＲＦＩＤタグ付き物品３０２によれば、ブースターアンテナの大きなコイル開口を利用して通信できるので、通信可能最長距離を拡張することができる。
なお、実施の形態７及び実施の形態８においては、実施の形態１の無線ＩＣデバイス１０１を備えた物品について説明したが、これに限定されない。例えば、実施形態２〜６の無線ＩＣデバイスを備えた物品であってもよい。
本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正、及びこれらの実施形態を組み合わせることは明白である。そのような変形や修正は、添付した特許請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
本発明は、無線ＩＣデバイスに有用であり、ＲＦＩＣ素子によるアンテナコイルの磁界の妨げを少なくすると共に、優れた電気的特性を有している。
ＡＮＴ アンテナコイル
ＰＳ１ 磁性体回路基板の第１面
ＰＳ２ 磁性体回路基板の第２面
ＶＳ１ 樹脂部材の第１主面
ＶＳ２ 樹脂部材の第２主面
１，１Ａ 磁性体回路基板
１ａ 磁性体基材層
１ｂ 磁性体補助層
２ 粘着層
３ 台座
５ ＲＷ−ＩＣ素子
６ ローパスフィルタ
７ 整合回路
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ 配線導体パターン
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆ 導体
１２Ａ，１２Ｂ 接続端子
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ 第１接続導体
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆ 第２接続導体
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆ 第１接続端子
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ，１６Ｆ 第２接続端子
２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ 第１配線パターン
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆ 第１金属体
４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆ 第２金属体
５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆ 第２配線パターン
６１ ＲＦＩＣ素子
６２，６３，６４，６５，６６，６７ チップキャパシタ
６８，６９ コイル
７０ 樹脂部材
８０Ａ，８０Ｂ めっき層
９０Ａ，９０Ｂ 保護層
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５、１０６ 無線ＩＣデバイス
１１０ 磁性体材料
１１１Ａ，１１１Ｂ 導体用孔
１２０ ブースターアンテナ
１２１ 第１コイルパターン
１２２ 第２コイルパターン
１２３ 絶縁体基材
１３０ バッテリーパック
１３１ 金属部材
１４０ 封止樹脂層
１４１ 磁性体ブロック
２００ 回路基板
２０１ 樹脂成型体
２０２ 下部筐体
２０３ 上部筐体
３０１，３０２ ＲＦＩＤタグ付き物品
４０１ 射出成型用金型
４０２ 射出成型用樹脂

Claims (13)

  1. 第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
    配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
    前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
    前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
    を備え、
    前記アンテナコイルは、
    前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
    前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
    を有し、
    前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置され、
    前記磁性体回路基板は、前記アンテナコイルから離れて配置され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子が実装される前記磁性体回路基板の実装面は、前記樹脂部材の前記第２主面に対向するように配置され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第１導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第２導体を介して、前記第１配線パターンに接続される、
    無線ＩＣデバイス。
  2. 第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
    配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
    前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
    前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
    を備え、
    前記アンテナコイルは、
    前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
    前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
    を有し、
    前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置され、
    前記磁性体回路基板は、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、
    前記磁性体回路基板の前記第２面は、前記樹脂部材の前記第２主面の少なくとも一部を形成し、
    前記ＲＦＩＣ素子は、前記磁性体回路基板の前記第１面に搭載され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第３導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第４導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記第３導体及び前記第４導体は、前記磁性体回路基板の内部に設けられている、
    無線ＩＣデバイス。
  3. 前記第１金属体及び前記第２金属体は、柱状の金属ピンである、請求項１又は２に記載の無線ＩＣデバイス。
  4. 前記磁性体回路基板は、前記樹脂部材の前記第１主面に面する第１面と、前記樹脂部材の前記第２主面に面する第２面と、を有し、
    前記ＲＦＩＣ素子は、前記磁性体回路基板の前記第２面に実装される、請求項１に記載の無線ＩＣデバイス。
  5. 前記磁性体回路基板の前記第２面に、前記第１配線パターンを形成し、
    前記第１金属体は、前記磁性体回路基板上の第１接続端子に接続され、前記磁性体回路基板内に設けられた第１接続導体を介して前記第１配線パターンに接続され、
    前記第２金属体は、前記磁性体回路基板上の第２接続端子に接続され、前記磁性体回路基板内に設けられた第２接続導体を介して前記第１配線パターンに接続される、
    請求項２に記載の無線ＩＣデバイス。
  6. 前記磁性体回路基板は、
    多結晶相がほぼ全体を占めている磁性体基材層と、
    前記磁性体基材層の少なくとも一方の面に配置され、かつ多結晶相がほぼ全体を占めている磁性体補助層と、
    を含み、
    前記磁性体基材層における多結晶相と前記磁性体補助層における多結晶相とは、互いに実質的に同一の結晶構造を有し、
    前記磁性体補助層の線膨張係数は、前記磁性体基材層の線膨張係数よりも小さい、
    請求項１〜５のいずれか一項に記載の無線ＩＣデバイス。
  7. 前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンは、それぞれ複数の配線パターンを有し、
    前記第１金属体及び前記第２金属体は、それぞれ複数の金属体を有し、
    前記アンテナコイルは、前記第１配線パターンと、前記第２配線パターンと、前記第１金属体と、前記第２金属体と、によって形成される複数のループを有するヘリカル状に形成される、
    請求項１〜６のいずれか一項に記載の無線ＩＣデバイス。
  8. 前記第１金属体及び前記第２金属体は、それぞれ３つ以上の金属体を有し、
    前記第１金属体及び前記第２金属体は、それぞれＹ軸方向に配列され、かつＺ軸方向に見て千鳥状に配置される、
    請求項７に記載の無線ＩＣデバイス。
  9. 前記アンテナコイルは、前記Ｙ軸方向から見て内外径の異なる複数のループを含み、
    前記アンテナコイルの開口面に位置するループは、前記複数のループのうち内外径が最も大きいループである、
    請求項８に記載の無線ＩＣデバイス。
  10. 無線ＩＣデバイスを備えた樹脂成型体であって、
    前記無線ＩＣデバイスは、
    第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
    配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
    前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
    前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
    を備え、
    前記アンテナコイルは、
    前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
    前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
    を有し、
    前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置され、
    前記磁性体回路基板は、前記アンテナコイルから離れて配置され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子が実装される前記磁性体回路基板の実装面は、前記樹脂部材の前記第２主面に対向するように配置され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第１導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第２導体を介して、前記第１配線パターンに接続される、
    樹脂成型体。
  11. 無線ＩＣデバイスを備えた樹脂成型体であって、
    前記無線ＩＣデバイスは、
    第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
    配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
    前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
    前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
    を備え、
    前記アンテナコイルは、
    前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
    前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
    を有し、
    前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置され、
    前記磁性体回路基板は、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、
    前記磁性体回路基板の前記第２面は、前記樹脂部材の前記第２主面の少なくとも一部を形成し、
    前記ＲＦＩＣ素子は、前記磁性体回路基板の前記第１面に搭載され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第３導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第４導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記第３導体及び前記第４導体は、前記磁性体回路基板の内部に設けられている、
    樹脂成型体。
  12. 無線ＩＣデバイスを備えた通信端末装置であって、
    前記無線ＩＣデバイスは、
    第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
    配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
    前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
    前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
    を備え、
    前記アンテナコイルは、
    前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
    前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
    を有し、
    前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置され、
    前記磁性体回路基板は、前記アンテナコイルから離れて配置され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子が実装される前記磁性体回路基板の実装面は、前記樹脂部材の前記第２主面に対向するように配置され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第１導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第２導体を介して、前記第１配線パターンに接続される、
    通信端末装置。
  13. 無線ＩＣデバイスを備えた通信端末装置であって、
    前記無線ＩＣデバイスは、
    第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する樹脂部材と、
    配線導体パターンを有する磁性体回路基板と、
    前記磁性体回路基板の前記配線導体パターン上に搭載され、第１入出力端子と第２入出力端子とを備えたＲＦＩＣ素子と、
    前記樹脂部材に設けられる一方、一端が前記第１入出力端子に接続され、他端が前記第２入出力端子に接続されたアンテナコイルと、
    を備え、
    前記アンテナコイルは、
    前記樹脂部材の前記第２主面に形成され、前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子及び前記第２入出力端子に接続される第１配線パターンと、
    前記樹脂部材の前記第１主面に形成される第２配線パターンと、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第１金属体と、
    前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続する第２金属体と、
    を有し、
    前記磁性体回路基板の少なくとも一部は、前記アンテナコイルの磁性体コアとして、前記アンテナコイルの内側に配置され、
    前記磁性体回路基板は、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、
    前記磁性体回路基板の前記第２面は、前記樹脂部材の前記第２主面の少なくとも一部を形成し、
    前記ＲＦＩＣ素子は、前記磁性体回路基板の前記第１面に搭載され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第３導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子は、前記磁性体回路基板の接続端子から前記樹脂部材の前記第２主面に向かって延びる第４導体を介して、前記第１配線パターンに接続され、
    前記第３導体及び前記第４導体は、前記磁性体回路基板の内部に設けられている、
    通信端末装置。
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