JP6217627B2 - 赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法 - Google Patents
赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6217627B2 JP6217627B2 JP2014514421A JP2014514421A JP6217627B2 JP 6217627 B2 JP6217627 B2 JP 6217627B2 JP 2014514421 A JP2014514421 A JP 2014514421A JP 2014514421 A JP2014514421 A JP 2014514421A JP 6217627 B2 JP6217627 B2 JP 6217627B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- metal fine
- conversion element
- fine particles
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 296
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 213
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 231
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 231
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 223
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 84
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 35
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 22
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 79
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006065 Leona® Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- -1 Si are dispersed Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/046—Materials; Selection of thermal materials
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0853—Optical arrangements having infrared absorbers other than the usual absorber layers deposited on infrared detectors like bolometers, wherein the heat propagation between the absorber and the detecting element occurs within a solid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/58—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using absorption; using extinction effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N17/00—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details
- H04N17/002—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details for television cameras
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/20—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from infrared radiation only
- H04N23/21—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from infrared radiation only from near infrared [NIR] radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J2005/0077—Imaging
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/36—Micro- or nanomaterials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/11—Function characteristic involving infrared radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/12—Function characteristic spatial light modulator
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
金属微粒子層は、金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る。
誘電体材料から成り、第1面から入射した赤外線を吸収する誘電体膜、並びに、
第1面と対向する誘電体膜の第2面に配された複数の金属微粒子、
から構成されている。
(A)基体、及び、基体上に形成された金属微粒子層から構成された赤外線変換素子であって、金属微粒子層は、金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えている。
(A)金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る金属微粒子層から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えている。
(A)誘電体材料から成り、第1面から入射した赤外線を吸収する誘電体膜、並びに、
第1面と対向する誘電体膜の第2面に配された複数の金属微粒子、
から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えている。
(A)赤外線の吸収による受光材料の誘電率変化を、局所プラズモン共鳴に基づく散乱光強度変化として検出することで、赤外線を可視光に変換して検出する赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えている。
上記の目的を達成するための本開示の第2の態様に係る撮像方法は、上記の本開示の第2の態様に係る撮像装置を用いた撮像方法であり、
上記の目的を達成するための本開示の第3の態様に係る撮像方法は、上記の本開示の第3の態様に係る撮像装置を用いた撮像方法であって、
赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する。
赤外線の吸収により受光材料の誘電率が変化することに起因して、受光材料への参照光の照射によって生じた受光材料における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する。
1.本開示の第1の態様〜第4の態様に係る赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の第1の態様及び第4の態様に係る赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例1〜実施例2の変形)
5.実施例4(実施例1〜実施例3の変形)
6.実施例5(実施例1〜実施例4の変形)
7.実施例6(実施例5の変形)
8.実施例7(本開示の第2の態様及び第4の態様に係る赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法)
9.実施例8(本開示の第3の態様及び第4の態様に係る赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法)、その他
εm+2εd=0
で表すことができる。本開示の第1の態様に係る赤外線変換素子等あるいは本開示の第2の態様に係る赤外線変換素子等にあっては、金属微粒子の周囲に存在する物質は、金属微粒子と金属微粒子との間を埋める誘電体材料であり、本開示の第3の態様に係る赤外線変換素子等にあっては、金属微粒子の周囲に存在する物質は空気であり、あるいは又、真空である。局所プラズモン共鳴条件において、入射光は、効率良く金属微粒子に吸収され、散乱光に変換される。この際、金属微粒子の散乱断面積が大きく、吸収断面積が小さくなるように、適宜、金属微粒子を設計することにより、金属微粒子による発熱ロスを抑制することができる。尚、非共鳴状態では、金属微粒子による参照光の吸収は少なく、参照光の多くは、透過、あるいは、何らかの界面において反射し、散逸する。
(ケース1)基体の第1面から赤外線が入射され、金属微粒子層は、第1面と対向する基体の第2面上に形成されており、撮像素子アレイ部及び光源は基体の第2面側に配置されている。
(ケース2)基体の第1面から赤外線が入射され、金属微粒子層は、第1面と対向する基体の第2面上に形成されており、撮像素子アレイ部は基体の第2面側に配置されており、光源は基体の第1面側に配置されている。
(ケース3)基体の第1面から赤外線が入射され、金属微粒子層は基体の第1面上に形成されており、撮像素子アレイ部及び光源は基体の第2面側に配置されている。
(ケース4)基体の第1面から赤外線が入射され、金属微粒子層は基体の第1面上に形成されており、撮像素子アレイ部は基体の第2面側に配置されており、光源は基体の第1面側に配置されている。
(a)基体122、及び、
(b)基体122上に形成された金属微粒子層123、
から構成されており、金属微粒子層123は、
金属微粒子124、及び、
金属微粒子124と金属微粒子124との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料125から成る。
(A)上述した実施例1の赤外線変換素子121が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部120、
(B)赤外線変換素子アレイ部120へ参照光31を照射する光源30、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部120の赤外線入射側とは反対側に配置された、具体的には、赤外線変換素子アレイ部120と離間して配置された撮像素子アレイ部40、
を備えている。
λsca =500nm
Qscaのピーク値=7.2057
λsca =508.9nm
Qsca’=6.04597
10nm 0.015μm2 22nm
100nm 0.18μm2 240nm
(A)上述した実施例7の赤外線変換素子221が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部220、
(B)赤外線変換素子アレイ部120へ参照光31を照射する光源30、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部220の赤外線入射側とは反対側に配置された、具体的には、赤外線変換素子アレイ部220と離間して配置された撮像素子アレイ部40、
を備えている。
誘電体材料325から成り、第1面325Aから入射した赤外線を吸収する誘電体膜325、並びに、
第1面325Aと対向する誘電体膜325の第2面325Bに配された複数の金属微粒子324、
から構成されている。尚、複数の金属微粒子324は、誘電体膜325の第2面325Bに部分的に埋め込まれていてもよい。
(A)上述した実施例8の赤外線変換素子321が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部320、
(B)赤外線変換素子アレイ部120へ参照光31を照射する光源30、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部320の赤外線入射側とは反対側に配置された、具体的には、赤外線変換素子アレイ部320と離間して配置された撮像素子アレイ部40、
を備えている。
[1]《赤外線変換素子:第1の態様》
基体、及び、基体上に形成された金属微粒子層から構成されており、
金属微粒子層は、金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る赤外線変換素子。
[2]《赤外線変換素子:第2の態様》
金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る金属微粒子層から構成された赤外線変換素子。
[3]《赤外線変換素子:第3の態様》
誘電体材料から成り、第1面から入射した赤外線を吸収する誘電体膜、並びに、
第1面と対向する誘電体膜の第2面に配された複数の金属微粒子、
から構成された赤外線変換素子。
[4]《赤外線変換素子:第4の態様》
赤外線の吸収による受光材料の誘電率変化を、局所プラズモン共鳴に基づく散乱光強度変化として検出することで、赤外線を可視光に変換して検出する赤外線変換素子。
[5]金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴に基づき、散乱光が生じる[1]乃至[3]のいずれか1項に記載の赤外線変換素子。
[6]赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化する[5]に記載の赤外線変換素子。
[7]局所プラズモン共鳴状態が変化することで、散乱光の光強度が低下する[6]に記載の赤外線変換素子。
[8]参照光は可視光であり、散乱光の振動数は参照光の振動数と等しい[5]乃至[7]のいずれか1項に記載の赤外線変換素子。
[9]参照光の波長は可変である[8]に記載の赤外線変換素子。
[10]金属微粒子は規則的に配列されている[1]乃至[9]のいずれか1項に記載の赤外線変換素子。
[11]《撮像装置:第1の態様》
(A)基体、及び、基体上に形成された金属微粒子層から構成された赤外線変換素子であって、金属微粒子層は、金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置。
[12]《撮像装置:第2の態様》
(A)金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る金属微粒子層から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置。
[13]《撮像装置:第3の態様》
(A)誘電体材料から成り、第1面から入射した赤外線を吸収する誘電体膜、並びに、
第1面と対向する誘電体膜の第2面に配された複数の金属微粒子、
から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置。
[14]《撮像装置:第4の態様》
(A)赤外線の吸収による受光材料の誘電率変化を、局所プラズモン共鳴に基づく散乱光強度変化として検出することで、赤外線を可視光に変換して検出する赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置。
[15]金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴に基づき散乱光が生じる[11]乃至[13]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[16]赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化する[15]に記載の撮像装置。
[17]局所プラズモン共鳴状態が変化することで、散乱光の光強度が低下する[15]又は[16]に記載の撮像装置。
[18]参照光は可視光であり、散乱光の振動数は参照光の振動数と等しい[11]乃至[17]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[19]参照光の波長は可変である[18]に記載の撮像装置。
[20]光源と金属微粒子層との間に、参照光の波長を選択する波長選択手段が配されている[11]乃至[19]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[21]金属微粒子は規則的に配列されている[11]乃至[20]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[22]散乱光の光強度検出校正のための遮光機構を備えている[11]乃至[21]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[23]遮光機構は、誘電体材料への赤外線の入射を制御するシャッター機構から成る[22]に記載の撮像装置。
[24]赤外線変換素子アレイ部は、赤外線検出領域、及び、散乱光の光強度検出校正のための校正領域を備えている[11]乃至[23]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[25]校正領域には、赤外線の入射を妨げる遮光膜が形成されており、
赤外線検出領域と校正領域の境界領域には、遮光部材が配置されている[24]に記載の撮像装置。
[26]各赤外線変換素子の赤外線入射側には、散乱光を金属微粒子層側に反射する反射部材が設けられている[11]乃至[25]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[27]各赤外線変換素子の赤外線入射側には、マイクロレンズが設けられている[11]乃至[26]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[28]《撮像方法:第1の態様》
(A)基体、及び、基体上に形成された金属微粒子層から構成された赤外線変換素子であって、金属微粒子層は、金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置を用いた撮像方法であって、
赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する撮像方法。
[29]《撮像方法:第2の態様》
(A)金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る金属微粒子層から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置を用いた撮像方法であって、
赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する撮像方法。
[30]《撮像方法:第3の態様》
(A)誘電体材料から成り、第1面から入射した赤外線を吸収する誘電体膜、並びに、
第1面と対向する誘電体膜の第2面に配された複数の金属微粒子、
から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置を用いた撮像方法であって、
赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する撮像方法。
[31]《撮像方法:第4の態様》
(A)赤外線の吸収による受光材料の誘電率変化を、局所プラズモン共鳴に基づく散乱光強度変化として検出することで、赤外線を可視光に変換して検出する赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置を用いた撮像方法であって、
赤外線の吸収により受光材料の誘電率が変化することに起因して、受光材料への参照光の照射によって生じた受光材料における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する撮像方法。
Claims (16)
- 基体、及び、基体上に形成された金属微粒子層から構成されており、
金属微粒子層は、金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成り、
金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴に基づき、散乱光が生じる赤外線変換素子。 - 金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る金属微粒子層から構成されており、
金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴に基づき、散乱光が生じる赤外線変換素子。 - 誘電体材料から成り、第1面から入射した赤外線を吸収する誘電体膜、並びに、
第1面と対向する誘電体膜の第2面に配された複数の金属微粒子、
から構成されており、
金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴に基づき、散乱光が生じる赤外線変換素子。 - 赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の赤外線変換素子。
- 局所プラズモン共鳴状態が変化することで、散乱光の光強度が低下する請求項4に記載の赤外線変換素子。
- 参照光は可視光であり、散乱光の振動数は参照光の振動数と等しい請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の赤外線変換素子。
- 参照光の波長は可変である請求項6に記載の赤外線変換素子。
- 金属微粒子は規則的に配列されている請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の赤外線変換素子。
- (A)基体、及び、基体上に形成された金属微粒子層から構成された赤外線変換素子であって、金属微粒子層は、金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置。 - (A)金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る金属微粒子層から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置。 - (A)誘電体材料から成り、第1面から入射した赤外線を吸収する誘電体膜、並びに、
第1面と対向する誘電体膜の第2面に配された複数の金属微粒子、
から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置。 - 金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴に基づき散乱光が生じる請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化する請求項12に記載の撮像装置。
- (A)基体、及び、基体上に形成された金属微粒子層から構成された赤外線変換素子であって、金属微粒子層は、金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置を用いた撮像方法であって、
赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する撮像方法。 - (A)金属微粒子、及び、金属微粒子と金属微粒子との間を埋め、入射した赤外線を吸収する誘電体材料から成る金属微粒子層から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置を用いた撮像方法であって、
赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する撮像方法。 - (A)誘電体材料から成り、第1面から入射した赤外線を吸収する誘電体膜、並びに、
第1面と対向する誘電体膜の第2面に配された複数の金属微粒子、
から構成された赤外線変換素子が、2次元マトリクス状に配列されて成る赤外線変換素子アレイ部、
(B)赤外線変換素子アレイ部へ参照光を照射する光源、並びに、
(C)赤外線変換素子アレイ部の赤外線入射側とは反対側に配置された撮像素子アレイ部、
を備えた撮像装置を用いた撮像方法であって、
赤外線の吸収により誘電体材料の誘電率が変化することに起因して、金属微粒子への参照光の照射によって生じた金属微粒子における局所プラズモン共鳴状態が変化することで散乱光に生じる光強度低下を撮像素子アレイ部で検出する撮像方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012106477 | 2012-05-08 | ||
JP2012106477 | 2012-05-08 | ||
PCT/JP2013/061365 WO2013168522A1 (ja) | 2012-05-08 | 2013-04-17 | 赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017184675A Division JP6551485B2 (ja) | 2012-05-08 | 2017-09-26 | 赤外線変換素子及び撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013168522A1 JPWO2013168522A1 (ja) | 2016-01-07 |
JP6217627B2 true JP6217627B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=49550574
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014514421A Expired - Fee Related JP6217627B2 (ja) | 2012-05-08 | 2013-04-17 | 赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法 |
JP2017184675A Expired - Fee Related JP6551485B2 (ja) | 2012-05-08 | 2017-09-26 | 赤外線変換素子及び撮像装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017184675A Expired - Fee Related JP6551485B2 (ja) | 2012-05-08 | 2017-09-26 | 赤外線変換素子及び撮像装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9264631B2 (ja) |
EP (1) | EP2848988A4 (ja) |
JP (2) | JP6217627B2 (ja) |
KR (1) | KR102052227B1 (ja) |
CN (2) | CN110275231A (ja) |
TW (1) | TWI595219B (ja) |
WO (1) | WO2013168522A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6018857B2 (ja) * | 2012-09-18 | 2016-11-02 | 住友化学株式会社 | 金属系粒子集合体 |
JP2017024285A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 株式会社Jvcケンウッド | 印刷装置,印刷システム,印刷方法,及びカードの製造方法 |
TWI565323B (zh) * | 2015-09-02 | 2017-01-01 | 原相科技股份有限公司 | 分辨前景的成像裝置及其運作方法、以及影像感測器 |
CN110598685B (zh) * | 2015-09-14 | 2023-06-30 | 原相科技股份有限公司 | 分辨前景的成像装置 |
JP6777428B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-10-28 | アズビル株式会社 | 温度測定装置 |
CN109830491A (zh) * | 2019-01-09 | 2019-05-31 | 北京科易达知识产权服务有限公司 | 一种热红外光探测器阵列、热红外成像系统及方法 |
KR102203219B1 (ko) * | 2019-07-08 | 2021-01-14 | 한화시스템 주식회사 | 적외선 촬영 장치 및 촬영 방법 |
KR102180493B1 (ko) * | 2019-07-08 | 2020-11-18 | 한화시스템 주식회사 | 적외선 촬영 장치 및 촬영 방법 |
US11231365B2 (en) | 2019-07-08 | 2022-01-25 | Hanwha Systems Co., Ltd. | Apparatus and method for infrared imaging |
WO2021011056A1 (en) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | Massachusetts Institute Of Technology | All-optical spatial light modulators |
WO2022087263A1 (en) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | The Regents Of The University Of California | Surface sensitization for high-resolution thermal imaging |
CN114136453B (zh) * | 2021-08-09 | 2024-05-31 | 南方科技大学 | 红外探测芯片和红外探测器 |
WO2023239424A2 (en) * | 2021-12-15 | 2023-12-14 | The Regents Of The University Of California | Temperature-adaptive radiative coating for all-season thermal regulation |
CN114203745A (zh) * | 2022-02-18 | 2022-03-18 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 一种近红外图像传感器结构及其制作方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05273503A (ja) | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Rikagaku Kenkyusho | 空間光変調器および空間光変調方法 |
JPH11142898A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学素子およびその製造方法 |
TW501290B (en) * | 1999-07-23 | 2002-09-01 | Telcordia Tech Inc | Infrared thermographic method for process monitoring and control of multilayer conductive compositions |
JP5068402B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-11-07 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法 |
JP2003207391A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検知素子とその製造方法及びその製造装置 |
US6788727B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-09-07 | Intel Corporation | Method and apparatus for tunable wavelength conversion using a bragg grating and a laser in a semiconductor substrate |
GB0224911D0 (en) * | 2002-10-25 | 2002-12-04 | Council Cent Lab Res Councils | Tuneable phase shifter |
US20060266157A1 (en) * | 2003-09-05 | 2006-11-30 | Dai Nippon Toryo Co., Ltd. | Metal fine particles, composition containing the same, and production method for producing metal fine particles |
JP5151097B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2013-02-27 | 株式会社リコー | 複合金属ナノ粒子、複合金属ナノ粒子を含む多光子吸収反応材料と反応生成物、複合金属ナノ粒子を含む多光子吸収反応助剤 |
US7820968B2 (en) * | 2007-08-10 | 2010-10-26 | Hitachi Maxell, Ltd. | Image acquisition apparatus, conversion apparatus and image acquisition method |
JP5674260B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2015-02-25 | 日立マクセル株式会社 | 画像取得装置、変換装置、及び画像取得方法 |
JP2009042164A (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Maxell Ltd | 赤外線カメラ |
CN101294806B (zh) * | 2008-04-25 | 2010-10-27 | 东南大学 | 表面等离子体激元慢光陀螺及其制备方法 |
US8772890B2 (en) * | 2008-10-07 | 2014-07-08 | Terasense Group, Inc. | Apparatus and method of detecting electromagnetic radiation |
JP5460113B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2014-04-02 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | 局在表面プラズモン共鳴測定基板及び局在表面プラズモン共鳴センサ |
KR101145133B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2012-05-14 | 한국과학기술원 | 금속 나노입자 전자 이동을 이용한 플라즈몬 센서 및 그 제조 방법 |
JP2011138067A (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Ricoh Co Ltd | 二光子吸収薄膜とその製造方法 |
US9076975B2 (en) * | 2010-04-27 | 2015-07-07 | Xerox Corporation | Dielectric composition for thin-film transistors |
JP2012069770A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Canon Inc | 半導体発光素子および、該半導体発光素子による波長可変光源装置、sd−oct装置、ss−oct装置 |
-
2013
- 2013-04-10 TW TW102112737A patent/TWI595219B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-04-17 US US14/394,658 patent/US9264631B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-17 JP JP2014514421A patent/JP6217627B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-17 CN CN201910623674.XA patent/CN110275231A/zh active Pending
- 2013-04-17 WO PCT/JP2013/061365 patent/WO2013168522A1/ja active Application Filing
- 2013-04-17 EP EP13788449.0A patent/EP2848988A4/en not_active Withdrawn
- 2013-04-17 CN CN201380023014.9A patent/CN104272175A/zh active Pending
- 2013-04-17 KR KR1020147027829A patent/KR102052227B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-09-26 JP JP2017184675A patent/JP6551485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2848988A4 (en) | 2016-05-04 |
JP6551485B2 (ja) | 2019-07-31 |
EP2848988A1 (en) | 2015-03-18 |
TW201348681A (zh) | 2013-12-01 |
KR20150013442A (ko) | 2015-02-05 |
JP2018032036A (ja) | 2018-03-01 |
TWI595219B (zh) | 2017-08-11 |
CN104272175A (zh) | 2015-01-07 |
WO2013168522A1 (ja) | 2013-11-14 |
KR102052227B1 (ko) | 2019-12-04 |
JPWO2013168522A1 (ja) | 2016-01-07 |
US20150069237A1 (en) | 2015-03-12 |
CN110275231A (zh) | 2019-09-24 |
US9264631B2 (en) | 2016-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6551485B2 (ja) | 赤外線変換素子及び撮像装置 | |
JP5538813B2 (ja) | 光学素子、及びこれを用いたイメージセンサ、撮像装置 | |
KR101175395B1 (ko) | 광학필터 | |
US6888141B2 (en) | Radiation sensor with photo-thermal gain | |
US20070023661A1 (en) | Infrared camera system | |
JP2006351972A (ja) | 固体撮像素子、固体撮像装置およびその製造方法 | |
KR20100122058A (ko) | 2차원 고체 촬상 장치, 및 2차원 고체 촬상 장치에서의 편광광 데이터 처리 방법 | |
JP2020520467A (ja) | 赤外マルチスペクトル撮像用の装置及び方法 | |
WO2010007792A1 (ja) | 固体撮像素子 | |
US20090078873A1 (en) | Image acquisition apparatus, conversion apparatus and image acquisition method | |
WO2020122038A1 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 | |
CN111947791B (zh) | 一种红外辐射探测装置及暗场背散射光学读出方法 | |
CN110261333B (zh) | 一种微型光谱测试系统及测试方法 | |
Peltzer et al. | Plasmonic micropolarizers for full Stokes vector imaging | |
US10451483B2 (en) | Short wave infrared polarimeter | |
CN113660433B (zh) | 一种非制冷热红外焦平面器件以及红外成像设备 | |
US9429475B2 (en) | Thermal radiation sensor and thermal image capturing device including same | |
US20230105874A1 (en) | Weakly coupled absorber to plasmonic device | |
JP6931161B2 (ja) | 化合物半導体装置、赤外線検知器及び撮像装置 | |
CN117007194A (zh) | 红外热探测器和红外探测焦平面阵列 | |
WO2024081947A1 (en) | Nanowire-based sensors | |
JP2011159681A (ja) | 撮像素子、それを用いた撮像光学系および撮像装置 | |
Nehmetallah et al. | Nanoparticle-dispersed metamaterial sensors for adaptive coded aperture imaging applications | |
JP2012149922A (ja) | 遠赤外線検出素子及び遠赤外線検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160316 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170911 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6217627 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |