JP6213385B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、リアクトルと、コンデンサとを備える電力変換装置に関する。
直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置として、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに電気接続したリアクトル及びコンデンサを備えるものが知られている(下記特許文献1参照)。リアクトルは、直流電圧の変圧等に用いられ、コンデンサは、直流電圧の平滑化やノイズの除去等に用いられる。
リアクトルは、リアクトルケースに収容された電磁コイル及びコアからなる。また、コンデンサは、コンデンサケースに収容されたコンデンサ素子と、該コンデンサ素子をコンデンサケース内に封止する封止部材とからなる。
特開2013−51747号公報
しかしながら、上記電力変換装置は、リアクトルを収容するためのケース(リアクトルケース)と、コンデンサを収容するためのケース(コンデンサケース)とを別々にしてあるため、2個のケースが必要となり、部品点数が多くなりやすい。そのため、電力変換装置の製造コストが上昇したり、電力変換装置全体が大型化したりしやすいという問題がある。
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、製造コストを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供しようとするものである。
本発明の一態様は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、
該半導体モジュールに電気接続したリアクトル及びコンデンサと、
上記リアクトル及び上記コンデンサを収容するケースとを備え、
上記ケース内には分割板が設けられ、該分割板によって、上記ケース内の空間を、上記リアクトルを収容するリアクトル収容空間と、上記コンデンサを収容するコンデンサ収容空間とに分割しており、
上記リアクトルは、上記リアクトル収容空間に収容された電磁コイル及びコアを有し、
上記コンデンサは、上記コンデンサ収容空間に収容されたコンデンサ素子と、該コンデンサ素子を上記コンデンサ収容空間内に封止する封止部材とを有し、
上記ケースの壁部の一部は、ケース外側からケース内側に凹む形状の冷媒流路が形成された流路形成壁部となっており、上記冷媒流路をケース外側から塞ぐ位置に蓋部が取り付けられ、該蓋部のケース外側面に上記半導体モジュールを固定してあり、上記冷媒流路に冷媒を流すことにより、上記リアクトルと上記コンデンサと上記半導体モジュールとを冷却するよう構成されていることを特徴とする電力変換装置にある。
上記電力変換装置においては、上記ケース内に設けた上記分割板によって、上記ケース内の空間を、上記リアクトル収容空間と上記コンデンサ収容空間とに分割してある。そして、リアクトル収容空間に収容した電磁コイル及びコアによって、上記リアクトルを構成してある。また、コンデンサ収容空間に収容したコンデンサ素子と、該コンデンサ素子をコンデンサ収容空間内に封止する封止部材とによって、コンデンサを構成してある。
そのため、1個の上記ケースに、リアクトルとコンデンサとを両方とも収容することができる。したがって、従来のようにリアクトルケースとコンデンサケースとを別々にする必要がなくなり、部品点数を低減することができる。そのため、電力変換装置の製造コストを低減できる。また、電力変換装置を小型化できる。
以上のごとく、本発明によれば、製造コストを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供することができる。
実施例1における、電力変換装置の斜視図。 図1のII矢視図。 図1のIII矢視図。 実施例1における、制御回路基板と半導体モジュールとを取り除いた電力変換装置の平面図。 図2のV-V断面図。 図2のVI-VI断面図。 図4のVII-VII断面図。 実施例1における、制御回路基板を取り除いた電力変換装置の要部拡大平面図。 図8のIX-IX断面図。 図8のX-X断面図。 実施例1における、電力変換装置の回路図。 実施例1における、電力変換装置の製造工程を説明するための概念図。 図12に続く図。 図13に続く図。 図14に続く図。
上記電力変換装置は、ハイブリッド車や電気自動車等の車両に搭載される車載用電力変換装置とすることができる。
(実施例1)
上記電力変換装置に係る実施例について、図1〜図15を用いて説明する。図1に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体モジュール3と、リアクトル4と、コンデンサ5と、ケース2とを備える。半導体モジュール3は、半導体素子30(図7参照)を内蔵している。リアクトル4とコンデンサ5は、それぞれ半導体モジュール3に電気接続している。リアクトル及びコンデンサ5は、ケース2に収容されている。
ケース2内には分割板20が設けられている。この分割板20によって、ケース2内の空間Sを、リアクトル4を収容するリアクトル収容空間Sと、コンデンサ5を収容するコンデンサ収容空間Sとに分割してある。
図2、図7に示すごとく、リアクトル4は、リアクトル収容空間Sに収容された電磁コイル40及びコア41を有する。コア41は、樹脂中に磁性体粉末を分散させた、いわゆるダストコアである。このコア41によって、電磁コイル40を、リアクトル収容空間S内に封止してある。
コンデンサ5は、コンデンサ収容空間Sに収容されたコンデンサ素子50と、コンデンサ素子50をコンデンサ収容空間S内に封止する封止部材51とを有する。
本例の電力変換装置1は、ハイブリッド車や電気自動車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。
図5、図7に示すごとく、ケース2の壁部21の一部は、ケース外側からケース内側に凹む形状の冷媒流路22が形成された流路形成壁部21aとなっている。この冷媒流路22をケース外側から塞ぐ位置に蓋部19が取り付けられている。蓋部19は金属製である。蓋部19のケース外側面190に、上記半導体モジュール3が固定されている。冷媒流路22に冷媒23を流すことにより、リアクトル4と、コンデンサ5と、半導体モジュール3とを冷却するよう構成されている。
また、図7に示すごとく、蓋部19には、半導体モジュール3以外の電子機器6が搭載されている。本例では、冷媒流路22に冷媒23を流すことにより、上記リアクトル4とコンデンサ5と半導体モジュール3と電子機器6との4つの部品80を冷却するよう構成されている。本例の電子機器6は、DC−DCコンバータである。
流路形成壁部21aの厚さ方向(Z方向)から見ると、電子機器6とリアクトル4とが重なっている。また、Z方向から見ると、半導体モジュール3とコンデンサ5とが重なっている。
図7に示すごとく、冷媒流路22内には、冷却フィン24が形成されている。冷却フィン24は、流路形成壁部21a又は蓋部19からZ方向に突出している。
蓋部19には、電子機器6に接触した電子機器接触部位191と、半導体モジュール3に接触した半導体モジュール接触部位192とがある。また、流路形成壁部21aには、リアクトル4に接触したリアクトル接触部位211と、コンデンサ5に接触したコンデンサ接触部位212とがある。
電子機器接触部位191とリアクトル接触部位211との2つの部位のうち、発熱量がより大きい部品80に接触した部位に、上記冷却フィン24を形成してある。本例では、電子機器6よりもリアクトル4の方が、発熱量が大きい。そのため、リアクトル接触部位211に、冷却フィン24を形成してある。
また、半導体モジュール接触部位192とコンデンサ接触部位212との2つの部位のうち、発熱量がより大きい部品80に接触した部位に、冷却フィン24を形成してある。本例では、コンデンサ5よりも半導体モジュール3の方が、発熱量が大きい。そのため、半導体モジュール接触部位192に冷却フィン24を形成してある。
図7に示すごとく、本例では、リアクトル4と、電子機器6と、半導体モジュール3と、コンデンサ5との4つの部品80のうち、発熱量が最も大きい部品80である最大発熱部品89(リアクトル4)を、冷媒23の流れ方向において隣り合う他の部品80(コンデンサ5)よりも、冷媒流路22の上流に配置してある。
図4に示すごとく、冷媒流路22には、リアクトル4及び電子機器6を冷却する幅広部22aと、半導体モジュール3及びコンデンサ5を冷却する幅狭部22bとがある。ケース2の底面29(図5参照)の法線方向(X方向)における、幅広部22aの長さL1は、幅狭部22bの長さL2よりも長い。また、本例では、幅広部22aと幅狭部22bは、単位体積当たりの冷却フィン24の数が略等しい。そのため、幅広部22aと幅狭部22bとの、冷媒23の流水抵抗は略等しい。
図7に示すごとく、半導体モジュール3は、半導体素子30を内蔵した本体部31と、該本体部31から突出した制御端子311とを備える。制御端子311は、制御回路基板13に接続している。この制御回路基板13によって、半導体素子30のオンオフ動作を制御している。また、半導体モジュール3は、2枚の冷却板37(37a,37b)と、連結部38と、2枚の絶縁板39(39a,39b)とを備える。冷却板37は、本体部31から露出している。絶縁板39は、冷却板37と半導体素子30との間に介在している。連結部38は、2枚の冷却板37を互いに連結している。冷却板37と連結部38は金属製である。
冷却板37には、蓋部19に接触した第1冷却板37aと、蓋部19に接触していない第2冷却板37bとがある。また、半導体素子30には、第1冷却板37aに近い位置に配された第1半導体素子30aと、第2冷却板37bに近い位置に配された第2半導体素子30bとがある。第1半導体素子30aから発生した熱は、絶縁板39aと、第1冷却板37aとを通って、蓋部19に伝わる。これにより、第1半導体素子30aを冷却するよう構成されている。また、第2半導体素子30bから発生した熱は、絶縁板39bと、第2冷却板37bと、連結部38と、第1冷却板37aとを通り、蓋部19に伝わる。これにより、第2半導体素子30bを冷却するよう構成されている。
このように本例では、半導体モジュール3の2枚の冷却板37のうち、一方の冷却板37(第1冷却板37a)しか蓋部19に接触していないが、半導体モジュール3に連結部38を設けてあるため、この連結部38を介して、上記第2半導体素子30bから発生した熱を、蓋部19に伝えることができる。これにより、第1半導体素子30bと第2半導体素子30bとの、2種類の半導体素子30を、効果的に冷却できるようにしてある。
図11に示すごとく、半導体モジュール3には、昇圧回路101を構成する昇圧用半導体モジュール3aと、インバータ回路102を構成するインバータ用半導体モジュール3bとがある。個々の半導体モジュール3は、それぞれ6個の半導体素子30(IGBT素子)を内蔵している。本例では、昇圧用半導体モジュール3aに含まれる半導体素子30をオンオフ動作させることにより、直流電源81の電圧を昇圧している。そして、インバータ用半導体モジュール3bに含まれる半導体素子30をオンオフさせることにより、昇圧後の直流電力を交流電力に変換し、交流負荷82(三相交流モータ)を駆動させている。これにより、上記車両を走行させている。
図5に示すごとく、インバータ用半導体モジュール3bは、上記本体部31から突出したコンデンサ接続端子35と、交流出力端子36とを備える。コンデンサ接続端子35は、コンデンサ5のコンデンサ端子52に接続している。コンデンサ接続端子35は、本体部31からX方向に突出した第1部分351と、該第1部分351からZ方向に延出した第2部分352とを備える。第2部分352は、ケース2の壁部21に形成された貫通孔26を通り、コンデンサ端子52にボルト締結されている。封止部材51には袋ナット16が封止されており、ボルト17を挿入して袋ナット16に螺合することにより、上記第2部分352とコンデンサ端子52とを締結してある。
交流出力端子36は、交流負荷82(図11参照)に電気接続される。交流出力端子36には、電流値を測定する電流センサ7が取り付けられている。電流センサ7は制御回路基板13に接続している。制御回路基板13は、電流センサ7によって測定した、交流出力端子36の電流値を、半導体モジュール3のフィードバック制御等に利用している。
また、図6に示すごとく、昇圧用半導体モジュール3aは、上記本体部31から突出したリアクトル接続端子33と、昇圧用コンデンサ接続端子34とを備える。昇圧用コンデンサ接続端子34は、コンデンサ5のコンデンサ端子52に接続している。リアクトル接続端子33は、上記本体部31からX方向に突出した第1部分331と、該第1部分331からZ方向に延出した第2部分332とを備える。第2部分332は、ケース2の壁部21に形成された貫通孔26を通り、リアクトル端子43にボルト締結されている。
次に、交流出力端子36の構造について説明する。図8に示すごとく、1個のインバータ用半導体モジュール3bから、3本の交流出力端子36(36a,36b,36c)が突出している。これら3本の交流出力端子36は、X方向とZ方向との双方に直交する方向(Y方向)に配列している。3本の交流出力端子36a,36b,36cのうち、Y方向における両端に位置する2本の両端交流出力端子36a,36cに、それぞれ電流センサ7を取り付けてある。また、Y方向における中央に位置する中央交流出力端子36bには、電流センサ7を取り付けていない。交流出力端子36には三相交流電流が流れるため、3本の交流出力端子36のうち2本の交流出力端子36a,36cにのみ電流センサ7を取り付ければ、他の1本の交流出力端子36bに流れる電流は、算出することができるようになっている。
図9に示すごとく、両端交流出力端子36a,36bは、インバータ用半導体モジュール3bの本体部31から、屈曲することなくX方向に突出している。この両端交流出力端子36a,36bを取り囲むように、電流センサ7が取り付けられている。また、電流センサ7はセンサ出力端子71を有する。このセンサ出力端子71を、制御回路基板13に接続してある。
図8に示すごとく、Z方向から見たときに、中央交流出力端子36bは、2個の電流センサ7と重なっている。図10に示すごとく、中央交流出力端子36bには、Z方向におけるケース2側に凹む凹部361が形成されている。この凹部361内に、電流センサ7の一部が配されている。上記凹部361を形成することにより、中央交流出力端子36bが電流センサ7に干渉することを防止している。
次に、本例の電力変換装置1の製造方法について説明する。図12に示すごとく、電力変換装置1を製造するにあたって、まず、内部に分割板20を設けたケース2を用意する。この状態では、ケース2には、蓋部19(図1参照)を取り付けていない。そして図13に示すごとく、ケース2のリアクトル収容空間Sに電磁コイル40を収容する。この際、電磁コイル40のリアクトル端子42,43がケース2の開口部25からケース外に突出するようにしておく。次いで、未硬化のコア41を注入し、電磁コイル40を埋設する。コア41は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に、磁性体粉末を分散させたものである。この後、加熱処理を行って、コア41を硬化させる。これにより、リアクトル4を形成する。
その後、図14に示すごとく、コンデンサ収容空間Sにコンデンサ素子50を収容する。この際、コンデンサ素子50のコンデンサ端子52がケース2の開口部25からケース外に突出するようにしておく。次いで、未硬化の封止部材51を注入し、コンデンサ素子50を埋設する。封止部材51は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。また、封止部材51内に、袋ナット16を配置しておく。この後、加熱処理を行って、封止部材51を硬化させる。これにより、コンデンサ5を形成する。
なお、本例では、コア41を硬化させるときの温度T1の方が、封止部材51を硬化させるときの温度T2よりも高い。
次いで、図15に示すごとく、リアクトル端子42,43、コンデンサ端子52を折り曲げる。その後、ケース2に蓋部19を取り付ける。これにより、ケース2に冷媒流路22(図7参照)を形成する。次いで、図1に示すごとく、蓋部19に半導体モジュール3、電子機器6を取り付け、さらに制御回路基板13、電流センサ7、冷媒導入パイプ11、冷媒導出パイプ12を取り付ける。又、半導体モジュール3のリアクトル接続端子33とリアクトル4のリアクトル端子43とをボルト締結すると共に、コンデンサ接続端子35とコンデンサ端子52とをボルト締結する。以上の工程を行うことにより、電力変換装置1を製造する。
本例の作用効果について説明する。図1に示すごとく、本例においては、ケース2内に分割板20を設けることにより、ケース2内の空間Sを、リアクトル収容空間Sとコンデンサ収容空間Sとに分割してある。そして、リアクトル収容空間Sに収容した電磁コイル40及びコア41によって、リアクトル4を構成してある。また、コンデンサ収容空間Sに収容したコンデンサ素子50と、該コンデンサ素子50をコンデンサ収容空間S内に封止する封止部材51とによって、コンデンサ5を構成してある。
そのため、1個のケース2に、リアクトル4とコンデンサ5とを両方とも収容することができる。したがって、従来のようにリアクトルケースとコンデンサケースとを別々にする必要がなくなり、部品点数を低減することができる。そのため、電力変換装置1の製造コストを低減できる。また、電力変換装置1を小型化できる。
また、本例では、半導体モジュール3を、蓋部19を介してケース2に固定してある。そのため、半導体モジュール3とケース2とを一部品化でき、電力変換装置1の構造を簡素にすることができる。
また、本例では図7に示すごとく、ケース2の壁部21の一部は、上記冷媒流路22が形成された流路形成壁部21aになっている。そして、冷媒流路22をケース外側から覆う位置に蓋部19を取り付け、この蓋部19に半導体モジュール3を固定してある。また、冷媒流路22に冷媒23を流すことにより、リアクトル4とコンデンサ5と半導体モジュール3とを冷却するよう構成してある。
このようにすると、ケース2と冷却器を一体化できる。そのため、ケース2と冷却器とを別部品にした場合と比べて、部品点数を低減することができる。そのため、電力変換装置1の製造コストを低減できる。また、電力変換装置1を小型化しやすくなる。
また、本例では図7に示すごとく、冷媒流路22内に冷却フィン24を形成してある。そのため、流路形成壁部21a及び蓋部19の、冷媒23に接触する面積を増やすことができる。これにより、リアクトル4や半導体モジュール3等の冷却効率を高めることが可能となる。
また、上記電力変換装置1では、電子機器接触部位191とリアクトル接触部位211との2つの部位のうち、発熱量がより大きい部品80に接触した部位に、上記冷却フィン24を形成してある。そのため、電子機器6とリアクトル4とのうち、発熱量がより大きい部品80(本例ではリアクトル4)を、より効率的に冷却することができる。
また、上記電力変換装置1では、半導体モジュール接触部位192とコンデンサ接触部位212との2つの部位のうち、発熱量がより大きい部品80に接触した部位に、冷却フィン24を形成してある。そのため、半導体モジュール3とコンデンサ5とのうち、発熱量がより大きい部品80(本例では半導体モジュール3)を、より効率的に冷却することができる。
また、図7に示すごとく、本例では、リアクトル4とコンデンサ5と電子機器6と半導体モジュール3とのうち、発熱量が最も大きい部品80である最大発熱部品89(本例ではリアクトル4)を、冷媒23の流れ方向において隣り合う他の部品80(コンデンサ5)よりも、冷媒流路22の上流に配置してある。このようにすると、外部から冷媒流路22内に入った、温度が低い冷媒23を用いて、最大発熱部品89を冷却することができる。そのため、最大発熱部品89の冷却効率を高めることができる。
また、本例では図1、図5に示すごとく、ケース2の側壁部218を、上記流路形成壁部21aとしてある。蓋部19には、複数個の半導体モジュール3が固定されている。半導体モジュール3には、昇圧用半導体モジュール3aと、インバータ用半導体モジュール3bとがある。図5、図6に示すごとく、昇圧用半導体モジュール3aのリアクトル接続端子33と、インバータ用半導体モジュール3bのコンデンサ接続端子35とは、本体部31から、X方向における開口部25側に突出している。
そのため、リアクトル接続端子33とコンデンサ接続端子35とを、ケース2の開口部25に近い位置に配置することができる。したがって、コア41(図1参照)から開口部25側に突出したリアクトル端子43と、リアクトル接続端子33とを接近させることができ、これらを用意に接続することが可能になる。また、封止部材51から開口部25側に突出したコンデンサ端子52とコンデンサ接続端子35とを接近させることができ、これらを容易に接続することが可能になる。
また、図8に示すごとく、本例では、インバータ用半導体モジュール3bから突出した3本の交流出力端子36(36a,36b,36c)のうち、上記両側交流出力端子36a,36cに電流センサ7を取り付け、上記中央交流出力端子36bには電流センサ7を取り付けていない。そして、中央交流出力端子36bに凹部361(図10参照)を形成し、この凹部361内に、電流センサ7の一部を配してある。また、Z方向から見たときに、2つの電流センサ7と中央交流出力端子36bとが重なるようにしてある。
そのため、3本の交流出力端子36のY方向のピッチが狭くても、比較的大きな電流センサ7を取り付けることができる。
また、本例では図9に示すごとく、インバータ用半導体モジュール3bの交流出力端子36に電流センサ7を直接、取り付けてある。すなわち、交流出力端子36にバスバー等を接続し、このバスバーに電流センサ7を取り付けるのではなく、交流出力端子36に直接、電流センサ7を取り付けてある。そのため、インバータ用半導体モジュール3b及び制御回路基板13に近い位置に、電流センサ7を配置することができる。したがって、電流センサ7を制御回路基板13に直接、接続することが可能になる。そのため、制御回路基板13に、電流センサ7の出力信号を処理する回路(センサ処理回路)を形成することができる。つまり、上記センサ処理回路を形成するための基板を、制御回路基板13とは別部品にする必要がなくなる。そのため、部品点数を低減することができ、電力変換装置1の製造コストを低減できる。
また、本例では図10に示すごとく、中央交流出力端子36bの凹部361を、ケース2側に凹ませてある。そのため、凹部361を制御回路基板13から遠ざけることができる。したがって、制御回路基板13が、凹部361から放射されるノイズを受けにくくなる。
また、図13、図14に示すごとく、本例では、リアクトル4のコア41を硬化させる工程を行った後、コンデンサ5の封止部材51を硬化させる工程を行う。
上述したように、コア41を硬化させるための温度T1は、封止部材51を硬化させるための温度T2よりも高い。そのため、仮に、コンデンサ5の封止部材51を硬化させる工程を先に行い、その後、コア41を硬化させたとすると、コア41を硬化させるときの温度T1が封止部材51に加わることになる。したがって、封止部材51に熱ストレスが加わることが考えられる。しかしながら、本例のように、コア41を硬化させる工程を先に行い、その後、封止部材51を硬化させる工程を行えば、封止部材51に大きな熱ストレスが加わることを抑制できる。
以上のごとく、本発明によれば、製造コストを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供することができる。
なお、本例では図1に示すごとく、ケース2の側壁部218を流路形成壁部21aにしたが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、ケース2の底壁部219(図5、図6参照)を、流路形成壁部21aにしてもよい。
また、本例では図7に示すごとく、コア41を、いわゆるダストコアとして構成し、このダストコアを用いて、電磁コイル40をリアクトル収容空間S内に封止したが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、例えば、磁性体からなるコアに電磁コイル40を巻回した、アウターコイル式のリアクトル4にしても良い。
1 電力変換装置
2 ケース
20 分割板
3 半導体モジュール
30 半導体素子
4 リアクトル
40 電磁コイル
41 コア
5 コンデンサ
50 コンデンサ素子
51 封止部材
リアクトル収容空間
コンデンサ収容空間

Claims (5)

  1. 半導体素子(30)を内蔵した半導体モジュール(3)と、
    該半導体モジュール(3)に電気接続したリアクトル(4)及びコンデンサ(5)と、
    上記リアクトル(4)及び上記コンデンサ(5)を収容するケース(2)とを備え、
    上記ケース(2)内には分割板(20)が設けられ、該分割板(20)によって、上記ケース(2)内の空間(S)を、上記リアクトル(4)を収容するリアクトル収容空間(S)と、上記コンデンサ(5)を収容するコンデンサ収容空間(S)とに分割しており、
    上記リアクトル(4)は、上記リアクトル収容空間(S)に収容された電磁コイル(40)及びコア(41)を有し、
    上記コンデンサ(5)は、上記コンデンサ収容空間(S)に収容されたコンデンサ素子(50)と、該コンデンサ素子(50)を上記コンデンサ収容空間(S)内に封止する封止部材(51)とを有し、
    上記ケース(2)の壁部(21)の一部は、ケース外側からケース内側に凹む形状の冷媒流路(22)が形成された流路形成壁部(21a)となっており、上記冷媒流路(22)をケース外側から塞ぐ位置に蓋部(19)が取り付けられ、該蓋部(19)のケース外側面(190)に上記半導体モジュール(3)を固定してあり、上記冷媒流路(22)に冷媒(23)を流すことにより、上記リアクトル(4)と上記コンデンサ(5)と上記半導体モジュール(3)とを冷却するよう構成されていることを特徴とする電力変換装置(1)。
  2. 上記冷媒流路(22)内には、上記流路形成壁部(21a)または上記蓋部(19)から、上記流路形成壁部(21a)の厚さ方向に突出した冷却フィン(24)が形成されていることを特徴とする請求項に記載の電力変換装置(1)。
  3. 上記蓋部(19)には、上記半導体モジュール(3)と、該半導体モジュール(3)とは異なる電子機器(6)とが配され、上記厚さ方向から見たときに、上記電子機器(6)と上記リアクトル(4)とが重なると共に、上記半導体モジュール(3)と上記コンデンサ(5)とが重なっており、上記冷媒(23)によって、上記電子機器(6)と上記リアクトル(4)と上記半導体モジュール(3)と上記コンデンサ(5)との4つの部品(80)を冷却しており、上記蓋部(19)には、上記電子機器(6)に接触した電子機器接触部位(191)と、上記半導体モジュール(3)に接触した半導体モジュール接触部位(192)とがあり、上記流路形成壁部(21a)には、上記リアクトル(4)に接触したリアクトル接触部位(211)と、上記コンデンサ(5)に接触したコンデンサ接触部位(212)とがあり、上記電子機器接触部位(191)と上記リアクトル接触部位(211)との2つの部位のうち、発熱量がより大きい上記部品(80)に接触した部位に、上記冷却フィン(24)を形成してあり、上記半導体モジュール接触部位(192)と上記コンデンサ接触部位(212)との2つの部位のうち、発熱量がより大きい上記部品(80)に接触した部位に、上記冷却フィン(24)を形成してあることを特徴とする請求項に記載の電力変換装置(1)。
  4. 上記4つの部品(80)のうち、発熱量が最も大きい上記部品(80)である最大発熱部品(89)を、上記冷媒(23)の流れ方向において隣り合う他の上記部品(80)よりも、上記冷媒流路(22)の上流に配置してあることを特徴とする請求項に記載の電力変換装置(1)。
  5. 上記ケース(2)の側壁部(218)を上記流路形成壁部(21a)としてあり、上記蓋部(19)に複数個の上記半導体モジュール(3)が固定され、該半導体モジュール(3)には、昇圧回路(101)を構成する昇圧用半導体モジュール(3a)と、インバータ回路(102)を構成するインバータ用半導体モジュール(3b)とがあり、上記昇圧用半導体モジュール(3a)は、上記リアクトル(4)に接続したリアクトル接続端子(33)を備え、上記インバータ用半導体モジュール(3b)は、上記コンデンサ(5)に接続したコンデンサ接続端子(35)を備え、上記リアクトル接続端子(33)および上記コンデンサ接続端子(35)は、上記半導体モジュール(3)における上記半導体素子(30)を内蔵した本体部(31)から、上記ケース(2)の底面(29)の法線方向における、上記ケース(2)の開口部(25)側に突出していることを特徴とする請求項1〜請求項のいずれか1項に記載の電力変換装置(1)。
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