JP6212366B2 - Conductive particles, conductive materials, and connection structures - Google Patents

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本発明は、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ導電部の外表面上に複数の突起を有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。   The present invention relates to a conductive particle in which a conductive portion is disposed on the surface of a base particle and has a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion. The present invention also relates to a conductive material and a connection structure using the conductive particles.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。これらの異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。   Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In these anisotropic conductive materials, conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との電極間の接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との電極間の接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との電極間の接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との電極間の接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。   In order to obtain various connection structures, for example, the anisotropic conductive material may be connected between electrodes of a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), an electrode of a semiconductor chip and a flexible printed circuit board. Connection (COF (Chip on Film)), connection between electrodes of a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), and connection between electrodes of a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film)) on Board)) and the like.

また、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと記載することがある)表示素子は、互いに対応する一対の電極間に、有機発光材料層が挟み込まれた積層体の構造を有する。上記有機発光材料層に一方の電極から電子が注入されるとともに、他方の電極から正孔が注入されることにより、上記有機発光材料層内で電子と正孔とが結合して発光する。上記有機EL表示素子は、自己発光を行うことから、バックライトを必要とする液晶表示素子等と比較して視認性がよく、薄型化が可能であり、しかも直流低電圧で駆動が可能であるという利点を有する。有機EL表示素子では、電極(配線)として、チタン電極(チタン配線)が用いられることが多い。   An organic electroluminescence (hereinafter sometimes referred to as organic EL) display element has a stacked structure in which an organic light emitting material layer is sandwiched between a pair of electrodes corresponding to each other. When electrons are injected from one electrode into the organic light emitting material layer and holes are injected from the other electrode, electrons and holes are combined in the organic light emitting material layer to emit light. Since the organic EL display element emits light by itself, the organic EL display element has better visibility than a liquid crystal display element that requires a backlight, can be reduced in thickness, and can be driven with a low DC voltage. Has the advantage. In an organic EL display element, a titanium electrode (titanium wiring) is often used as an electrode (wiring).

また、電極及び導電性粒子の表面には、酸化膜が形成されていることがある。酸化膜を突き破って電極間の接続抵抗を低くするために、導電性の表面に突起を有する導電性粒子が用いられている。   An oxide film may be formed on the surfaces of the electrode and the conductive particles. In order to break through the oxide film and reduce the connection resistance between the electrodes, conductive particles having protrusions on the conductive surface are used.

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1には、平均粒径1〜20μmの球状の基材粒子の表面に、無電解めっき法によりニッケル導電層又はニッケル合金導電層が形成された導電性粒子が開示されている。この導電性粒子は、導電層の最表層に0.05〜4μmの微小な突起を有する。該導電層と該突起とは実質的に連続的に連なっている。   As an example of the conductive particles, the following Patent Document 1 discloses a conductive material in which a nickel conductive layer or a nickel alloy conductive layer is formed on the surface of spherical base particles having an average particle diameter of 1 to 20 μm by an electroless plating method. Sex particles are disclosed. The conductive particles have minute protrusions of 0.05 to 4 μm on the outermost layer of the conductive layer. The conductive layer and the protrusion are substantially continuously connected.

特開2000−243132号公報JP 2000-243132 A

特許文献1に記載のような従来の、導電性の表面に突起を有する導電性粒子を用いて、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、導電性粒子が、チタン電極の表面の酸化膜を十分に突き破らずに、電極間の接続抵抗が低くなるという問題がある。従来の導電性粒子では、ITO電極などの電極間の接続抵抗を低くすることができたとしても、チタン電極を含む電極間の接続抵抗を十分に低くすることができないという問題がある。   When the conventional conductive particles having protrusions on the conductive surface as described in Patent Document 1 are used to electrically connect the electrodes including the titanium electrode, the conductive particles are formed on the surface of the titanium electrode. There is a problem that the connection resistance between the electrodes is lowered without sufficiently breaking through the oxide film. Conventional conductive particles have a problem that even if the connection resistance between electrodes such as an ITO electrode can be reduced, the connection resistance between electrodes including a titanium electrode cannot be sufficiently reduced.

本発明の目的は、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供することである。   The objective of this invention is providing the electroconductive particle which can make connection resistance low, when the electrodes containing a titanium electrode are electrically connected.

本発明の広い局面によれば、チタン電極の電気的な接続に用いられる導電性粒子であって、導電部を少なくとも表面に有し、前記導電部が表面に複数の突起を有し、10%圧縮されたときの圧縮弾性率が9000N/mm以上であり、20%圧縮されたときの圧縮弾性率が8000N/mm以上であり、30%圧縮されたときの圧縮弾性率が7000N/mm以上であり、圧縮回復率が60%以上、90%以下である、導電性粒子が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there are conductive particles used for electrical connection of a titanium electrode, having a conductive portion on at least a surface, the conductive portion having a plurality of protrusions on the surface, and 10% compressive modulus when compressed is at 9000 N / mm 2 or more and compression modulus when compressed 20% 8000 N / mm 2 or more, the compression modulus of 7000N / mm when compressed 30% The electroconductive particle which is 2 or more and a compression recovery rate is 60% or more and 90% or less is provided.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された前記導電部とを備える。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said electroconductive particle is equipped with the base material particle and the said electroconductive part arrange | positioned on the surface of the said base material particle.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起の高さが、導電性粒子の粒子径の1/100以上である。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the height of the said protrusion is 1/100 or more of the particle diameter of electroconductive particle.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を有する。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, it has the some core substance which has raised the surface of the said electroconductive part so that the said some protrusion may be formed in the said electroconductive part.

前記芯物質の材料のモース硬度は、好ましくは前記導電部の材料のモース硬度と同等以上であり、より好ましくは前記導電部の材料のモース硬度よりも大きい。   The Mohs hardness of the material of the core substance is preferably equal to or greater than the Mohs hardness of the material of the conductive part, and more preferably larger than the Mohs hardness of the material of the conductive part.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、粒子径が1μm以上、4μm以下である。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, a particle diameter is 1 micrometer or more and 4 micrometers or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the electroconductive material containing the electroconductive particle mentioned above and binder resin is provided.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方が、チタン電極であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, A connection portion connecting the second connection target member, and the connection portion is formed of the conductive particles described above or formed of a conductive material including the conductive particles and a binder resin. And at least one of the first electrode and the second electrode is a titanium electrode, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles. A connection structure is provided.

本発明に係る導電性粒子は、導電部を少なくとも表面に有し、上記導電部が表面に複数の突起を有し、導電性粒子が10%圧縮されたときの圧縮弾性率が9000N/mm以上であり、20%圧縮されたときの圧縮弾性率が8000N/mm以上であり、30%圧縮されたときの圧縮弾性率が7000N/mm以上であり、上記導電性粒子の圧縮回復率が60%以上、90%以下であるので、本発明に係る導電性粒子を用いて、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、電極間の接続抵抗を低くすることができる。 The conductive particles according to the present invention have at least a conductive portion on the surface, the conductive portion has a plurality of protrusions on the surface, and a compressive elastic modulus when the conductive particles are compressed by 10% is 9000 N / mm 2. The compression elastic modulus when compressed by 20% is 8000 N / mm 2 or more, the compression elastic modulus when compressed by 30% is 7000 N / mm 2 or more, and the compression recovery rate of the conductive particles Therefore, when the conductive particles according to the present invention are used to electrically connect the electrodes including the titanium electrode, the connection resistance between the electrodes can be lowered.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the third embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、チタン電極の電気的な接続に用いられる。本発明に係る導電性粒子は、導電部を少なくとも表面に有する。本発明に係る導電性粒子では、上記導電部が表面に複数の突起を有する。本発明に係る導電性粒子が10%圧縮されたときの圧縮弾性率(10%K値)は9000N/mm以上であり、20%圧縮されたときの圧縮弾性率(20%K値)は8000N/mm以上であり、30%圧縮されたときの圧縮弾性率(30%K値)は7000N/mm以上である。本発明に係る導電性粒子の圧縮回復率は60%以上、90%以下である。
(Conductive particles)
The electroconductive particle which concerns on this invention is used for the electrical connection of a titanium electrode. The electroconductive particle which concerns on this invention has an electroconductive part at least on the surface. In the conductive particles according to the present invention, the conductive portion has a plurality of protrusions on the surface. When the conductive particles according to the present invention are compressed by 10%, the compression elastic modulus (10% K value) is 9000 N / mm 2 or more, and when the conductive particles are compressed by 20%, the compression elastic modulus (20% K value) is It is 8000 N / mm 2 or more, and the compression elastic modulus (30% K value) when compressed by 30% is 7000 N / mm 2 or more. The compression recovery rate of the conductive particles according to the present invention is 60% or more and 90% or less.

チタン電極の表面には、ITO電極の表面等と比べて、厚い酸化膜が存在する。このため、チタン電極を含む電極間の接続抵抗を十分に低くするためには、導電性粒子が、厚い酸化膜を突き破る必要がある。しかしながら、従来の導電性粒子では、チタン電極における厚い酸化膜を十分に突き破ることは困難であり、結果として接続抵抗を十分に低くすることが困難であるという問題がある。   A thick oxide film is present on the surface of the titanium electrode as compared with the surface of the ITO electrode. For this reason, in order to sufficiently reduce the connection resistance between the electrodes including the titanium electrode, it is necessary that the conductive particles break through the thick oxide film. However, the conventional conductive particles have a problem that it is difficult to sufficiently penetrate the thick oxide film on the titanium electrode, and as a result, it is difficult to sufficiently reduce the connection resistance.

これに対して、本発明に係る導電性粒子における上述した構成の採用により、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合であっても、厚い酸化膜を突起により十分に突き破ることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。本発明では、電極間の接続抵抗を低くするために、導電性粒子の10%K値、20%K値及び30%K値がかなり高く設定されている。また、本発明では、圧縮回復率も比較的高いために、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。   On the other hand, by adopting the above-described configuration in the conductive particles according to the present invention, even when the electrodes including the titanium electrode are electrically connected, the thick oxide film can be sufficiently broken by the protrusion. The connection resistance between the electrodes can be lowered. In the present invention, in order to reduce the connection resistance between the electrodes, the 10% K value, 20% K value, and 30% K value of the conductive particles are set to be considerably high. In the present invention, since the compression recovery rate is also relatively high, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced.

接続抵抗を低くし、電極間の接続信頼性を高めるために、上記導電性粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)は9000N/mm以上である。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記10%K値は好ましくは10000N/mm以上、より好ましくは13000N/mm以上である。なお、上記10%K値の上限は特に限定されないが、上記10%K値は、好ましくは20000N/mm以下である。 In order to reduce the connection resistance and increase the connection reliability between the electrodes, the compression elastic modulus (10% K value) when the conductive particles are compressed by 10% is 9000 N / mm 2 or more. From the viewpoint of further reducing the connection resistance, the 10% K value is preferably 10,000 N / mm 2 or more, more preferably 13000 N / mm 2 or more. The upper limit of the 10% K value is not particularly limited, but the 10% K value is preferably 20000 N / mm 2 or less.

接続抵抗を低くし、電極間の接続信頼性を高めるために、上記導電性粒子を20%圧縮したときの圧縮弾性率(20%K値)は8000N/mm以上である。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記20%K値は好ましくは9000N/mm以上、より好ましくは12000N/mm以上である。なお、上記20%K値の上限は特に限定されないが、上記20%K値は、好ましくは19000N/mm以下である。 In order to reduce the connection resistance and increase the connection reliability between the electrodes, the compression elastic modulus (20% K value) when the conductive particles are compressed by 20% is 8000 N / mm 2 or more. From the viewpoint of further reducing the connection resistance, the 20% K value is preferably 9000 N / mm 2 or more, more preferably 12000 N / mm 2 or more. The upper limit of the 20% K value is not particularly limited, but the 20% K value is preferably 19000 N / mm 2 or less.

接続抵抗を低くし、電極間の接続信頼性を高めるために、上記導電性粒子を30%圧縮したときの圧縮弾性率(30%K値)は7000N/mm以上である。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記30%K値は好ましくは8000N/mm以上、より好ましくは11000N/mm以上である。なお、上記30%K値の上限は特に限定されないが、上記30%K値は、好ましくは18000N/mm以下である。 In order to reduce the connection resistance and increase the connection reliability between the electrodes, the compression elastic modulus (30% K value) when the conductive particles are compressed by 30% is 7000 N / mm 2 or more. From the viewpoint of further lowering the connection resistance, the 30% K value is preferably 8000 N / mm 2 or more, more preferably 11000N / mm 2 or more. The upper limit of the 30% K value is not particularly limited, but the 30% K value is preferably 18000 N / mm 2 or less.

上記導電性粒子における上記圧縮弾性率(10%K値、20%K値又は30%K値)は、以下のようにして測定できる。   The compression elastic modulus (10% K value, 20% K value, or 30% K value) of the conductive particles can be measured as follows.

微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径100μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃、圧縮速度0.3mN/秒、及び最大試験荷重20mNの条件下で導電性粒子を圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。   Using a micro-compression tester, the conductive particles are compressed under the conditions of 25 ° C., compression speed of 0.3 mN / sec, and maximum test load of 20 mN on the end face of a cylindrical indenter (diameter: 100 μm, made of diamond). The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the measured value obtained, the compression elastic modulus can be obtained by the following formula. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.

10%K値、20%K値又は30%K値(N/mm)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:導電性粒子が10%、20%又は30%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:導電性粒子が10%、20%又は30%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:導電性粒子の半径(mm)
10% K value, 20% K value or 30% K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S −3 / 2 · R −1/2
F: Load value when the conductive particles are 10%, 20% or 30% compressively deformed (N)
S: Compression displacement (mm) when conductive particles are 10%, 20% or 30% compressively deformed
R: radius of conductive particles (mm)

接続抵抗を低くするために、上記導電性粒子の圧縮回復率は60%以上、90%以下である。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電性粒子の圧縮回復率は好ましくは65%以上、より好ましくは70%以上、好ましくは85%以下、より好ましくは80%以下である。   In order to reduce the connection resistance, the compression recovery rate of the conductive particles is 60% or more and 90% or less. From the viewpoint of further reducing the connection resistance, the compression recovery rate of the conductive particles is preferably 65% or more, more preferably 70% or more, preferably 85% or less, and more preferably 80% or less.

上記圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。   The compression recovery rate can be measured as follows.

試料台上に導電性粒子を散布する。散布された導電性粒子1個について、25℃で、微小圧縮試験機を用いて、導電性粒子の中心方向に、導電性粒子が30%圧縮変形するまで負荷(反転荷重値)を与える。その後、原点用荷重値(0.40mN)まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は0.33mN/秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。   Spread conductive particles on the sample stage. With respect to one dispersed conductive particle, a load (reversal load value) is applied to the central direction of the conductive particle at 25 ° C. until the conductive particle is compressed and deformed by 30% at 25 ° C. Thereafter, unloading is performed up to the origin load value (0.40 mN). The load-compression displacement during this period is measured, and the compression recovery rate can be obtained from the following equation. The load speed is 0.33 mN / sec. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.

圧縮回復率(%)=[(L1−L2)/L1]×100
L1:負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでのまでの圧縮変位
L2:負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位
Compression recovery rate (%) = [(L1-L2) / L1] × 100
L1: Compression displacement from the load value for origin to the reverse load value when applying a load L2: Unloading displacement from the reverse load value to the load value for origin when releasing the load

以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、基材粒子2の表面上に配置された導電部3とを有する。導電性粒子1では、導電部3は導電層である。導電部3は、基材粒子2の表面を覆っている。導電性粒子1は、基材粒子2の表面が導電部3により被覆された被覆粒子である。   The electroconductive particle 1 shown in FIG. 1 has the base particle 2 and the electroconductive part 3 arrange | positioned on the surface of the base particle 2. As shown in FIG. In the conductive particles 1, the conductive part 3 is a conductive layer. The conductive part 3 covers the surface of the base particle 2. The conductive particle 1 is a coated particle in which the surface of the base particle 2 is coated with the conductive portion 3.

上記導電性粒子は、少なくとも表面に導電部を有していればよい。導電性粒子1のように、中心部が導電部とは異なる基材粒子であってもよい。導電性粒子の全体が、導電部であってもよい。導電性粒子の全体が、同じ金属種により形成されていてもよい。   The said electroconductive particle should just have an electroconductive part on the surface at least. Like the electroconductive particle 1, the center part may differ from the electroconductive part in the base material particle | grains. The entirety of the conductive particles may be a conductive portion. The whole conductive particle may be formed of the same metal species.

導電性粒子1は、導電性の表面に突起1aを有する。導電部3は表面(導電層の外表面)に突起3aを有する。   The conductive particle 1 has a protrusion 1a on the conductive surface. The conductive portion 3 has a protrusion 3a on the surface (the outer surface of the conductive layer).

導電性粒子1は、基材粒子2の表面上に複数の芯物質4を有する。導電部3は、基材粒子2と芯物質4とを被覆している。芯物質4を導電部3が被覆していることにより、導電性粒子1は表面に複数の突起1aを有する。芯物質4により導電部3の表面が隆起されており、複数の突起1a,3aが形成されている。導電性粒子1は、導電部3内において、複数の突起1a,3aの内側に、複数の突起1a,3aを形成するように、導電部3の表面を隆起させている複数の芯物質4を有する。   The conductive particle 1 has a plurality of core substances 4 on the surface of the base particle 2. The conductive portion 3 covers the base particle 2 and the core substance 4. By covering the core material 4 with the conductive portion 3, the conductive particles 1 have a plurality of protrusions 1a on the surface. The surface of the conductive portion 3 is raised by the core material 4, and a plurality of protrusions 1 a and 3 a are formed. The conductive particles 1 include a plurality of core substances 4 that have raised the surface of the conductive portion 3 so as to form a plurality of protrusions 1 a and 3 a inside the plurality of protrusions 1 a and 3 a in the conductive portion 3. Have.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the second embodiment of the present invention.

図2に示す導電性粒子1Aは、基材粒子2と、基材粒子2の表面上に配置された導電部3Aとを有する。導電部3Aは導電層である。導電性粒子1と導電性粒子1Aとでは、芯物質4の有無のみが相違している。導電性粒子1Aは、芯物質を有さない。   A conductive particle 1 </ b> A shown in FIG. 2 has a base particle 2 and a conductive part 3 </ b> A disposed on the surface of the base particle 2. The conductive portion 3A is a conductive layer. Only the presence or absence of the core substance 4 is different between the conductive particles 1 and the conductive particles 1A. The conductive particles 1A do not have a core substance.

導電性粒子1Aは、導電性の表面に突起1Aaを有する。導電部3Aは表面(導電層の外表面)に突起3Aaを有する。   The conductive particles 1A have protrusions 1Aa on the conductive surface. The conductive portion 3A has a protrusion 3Aa on the surface (the outer surface of the conductive layer).

導電部3Aは、第1の部分と、該第1の部分よりも厚みが厚い第2の部分とを有する。従って、導電部3Aは表面(導電層の外表面)に突起3Aaを有する。複数の突起1Aa,3Aaを除く部分が、導電部3Aの上記第1の部分である。複数の突起1Aa,3Aaは、導電部3Aの厚みが厚い上記第2の部分である。   The conductive portion 3A has a first portion and a second portion that is thicker than the first portion. Accordingly, the conductive portion 3A has a protrusion 3Aa on the surface (the outer surface of the conductive layer). A portion excluding the plurality of protrusions 1Aa and 3Aa is the first portion of the conductive portion 3A. The plurality of protrusions 1Aa and 3Aa are the second portions where the thickness of the conductive portion 3A is thick.

導電性粒子1Aのように、突起1Aa,3Aaを形成するために、必ずしも芯物質を用いなくてもよい。   In order to form the protrusions 1Aa and 3Aa like the conductive particles 1A, it is not always necessary to use a core substance.

図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the third embodiment of the present invention.

図3に示す導電性粒子1Bは、基材粒子2と、基材粒子2の表面上に配置された導電部3Bとを有する。導電部3Bは導電層である。導電部3Bは、基材粒子2の表面上に配置された第1の導電部3Bxと、第1の導電部3Bxの表面上に配置された第2の導電部3Byとを有する。   A conductive particle 1 </ b> B illustrated in FIG. 3 includes a base particle 2 and a conductive portion 3 </ b> B disposed on the surface of the base particle 2. The conductive part 3B is a conductive layer. The conductive part 3B has a first conductive part 3Bx disposed on the surface of the base particle 2 and a second conductive part 3By disposed on the surface of the first conductive part 3Bx.

導電性粒子1Bは、導電性の表面に突起1Baを有する。導電性粒子1Bは表面に突起1Baを有する。導電部3Bは表面(導電層の外表面)に突起3Baを有する。導電性粒子1Bは、第1の導電部3Bxの表面上に複数の芯物質4を有する。第2の導電部3Byは、第1の導電部3Bxと芯物質4とを被覆している。基材粒子2と芯物質4とは間隔を隔てて配置されている。基材粒子2と芯物質4との間には、第1の導電部3Bxが存在する。芯物質4を第2の導電部3Byが被覆していることにより、導電部3Bは表面に、複数の突起3Baを有する。芯物質4により導電部3B及び第2の導電部3Byの表面が隆起されており、複数の突起3Baが形成されている。   The conductive particles 1B have protrusions 1Ba on the conductive surface. The conductive particles 1B have protrusions 1Ba on the surface. The conductive portion 3B has a protrusion 3Ba on the surface (the outer surface of the conductive layer). The conductive particle 1B has a plurality of core substances 4 on the surface of the first conductive portion 3Bx. The second conductive portion 3By covers the first conductive portion 3Bx and the core substance 4. The base particle 2 and the core substance 4 are arranged with a space therebetween. Between the base material particle 2 and the core substance 4, there is a first conductive portion 3Bx. By covering the core material 4 with the second conductive portion 3By, the conductive portion 3B has a plurality of protrusions 3Ba on the surface. The surfaces of the conductive portion 3B and the second conductive portion 3By are raised by the core material 4, and a plurality of protrusions 3Ba are formed.

導電性粒子1Bのように、導電部3Bは、多層構造を有していてもよい。さらに、突起1Ba,3Baを形成するために、芯物質4を内層の第1の導電部3Bx上に配置して、外層の第2の導電部3Byにより芯物質4及び第1の導電部3Bxを被覆してもよい。   Like the conductive particles 1B, the conductive portion 3B may have a multilayer structure. Further, in order to form the protrusions 1Ba and 3Ba, the core material 4 is disposed on the first conductive portion 3Bx of the inner layer, and the core material 4 and the first conductive portion 3Bx are separated by the second conductive portion 3By of the outer layer. It may be coated.

上記した導電性粒子1,1A,1Bの上記圧縮弾性率(10%K値、20%K値及び30%K値)及び上記圧縮回復率が上述した範囲内である。   The compression elastic modulus (10% K value, 20% K value, and 30% K value) and the compression recovery rate of the conductive particles 1, 1A, 1B described above are within the above-described range.

以下、導電性粒子の他の詳細を説明する。   Hereinafter, other details of the conductive particles will be described.

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは500μm以下、より好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下、特に好ましくは20μm以下、最も好ましくは4μm以下である。導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。   The particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 500 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less, particularly preferably 20 μm or less, and most preferably 4 μm or less. It is. When the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrode becomes sufficiently large when the electrodes are connected using the conductive particles, and the conductive part When forming the conductive particles, it becomes difficult to form aggregated conductive particles. Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive layer is difficult to peel from the surface of the base material particles.

上記導電性粒子の粒子径は、1μm以上、4μm以下であることが特に好ましい。上記導電性粒子の粒子径が1μm以上、4μm以下であると、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。電極が形成されているライン(L)と、電極が形成されていないスペース(S)とが狭いときや、電極間の接続における圧着時の圧力が高い(例えば100MPa)である場合に、導電性粒子の粒子径が1μm以上、4μm以下である本発明に係る導電性粒子を用いることによって、上記導電性粒子の粒子径は、1μm未満又は4μmを超える導電性粒子を用いた場合と比べて、接続抵抗の低減効果がより効果的に得られる。   The particle diameter of the conductive particles is particularly preferably 1 μm or more and 4 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is 1 μm or more and 4 μm or less, the connection resistance between the electrodes can be effectively reduced when the electrodes including the titanium electrode are electrically connected. When the line (L) where the electrode is formed and the space (S) where the electrode is not formed are narrow or the pressure at the time of crimping in the connection between the electrodes is high (for example, 100 MPa), the conductivity By using the conductive particles according to the present invention in which the particle diameter of the particles is 1 μm or more and 4 μm or less, the particle diameter of the conductive particles is less than 1 μm or more than 4 μm compared to the case of using conductive particles. The effect of reducing the connection resistance can be obtained more effectively.

上記導電性粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The particle diameter of the conductive particles indicates a number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

接続抵抗をより一層良好にする観点からは、上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された上記導電部とを備えることが好ましい。   From the viewpoint of further improving the connection resistance, the conductive particles preferably include base particles and the conductive portions arranged on the surfaces of the base particles.

上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと該コアの外表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル粒子であってもよい。上記コアが無機コアであり、上記シェルが有機シェルであってもよい。   Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The substrate particles are preferably substrate particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particle may be a core-shell particle having a core and a shell disposed on the outer surface of the core. The core may be an inorganic core, and the shell may be an organic shell.

上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。上記基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。   The substrate particles are preferably resin particles formed of a resin. When connecting between electrodes using the said electroconductive particle, after arrange | positioning the said electroconductive particle between electrodes, the said electroconductive particle is compressed by crimping | bonding. When the substrate particles are resin particles, the conductive particles are easily deformed during the pressure bonding, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes becomes high.

上記樹脂粒子の材料として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。また、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させることにより、導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成可能である。また、基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。   Various organic materials are suitably used as the material for the resin particles. Examples of the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; polyalkylene terephthalate and polysulfone. , Polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene oxide, Polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetherether Tons, polyethersulfone, and polymers such as obtained by a variety of polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is polymerized with one or more thereof. In addition, by polymerizing one or more of various polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group, it is possible to design and synthesize resin particles having any compression property suitable for conductive materials. . Further, since the hardness of the base particles can be easily controlled within a suitable range, the material of the resin particles is a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenically unsaturated groups. It is preferable that

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。   When the resin particles are obtained by polymerizing a monomer having an ethylenically unsaturated group, the monomer having the ethylenically unsaturated group may be a non-crosslinkable monomer or a crosslinkable monomer. And a polymer.

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl ( Alkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; oxygen such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate (Meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether; vinyl acids such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, vinyl stearate Esters; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene Is mentioned.

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipenta Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylates such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) cyanure And silane-containing monomers such as triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, vinyltrimethoxysilane It is done.

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子が得られる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、及び非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。   The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerization by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子の材料である無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。   In the case where the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding metal particles, examples of the inorganic material that is a material of the substrate particles include silica and carbon black. The particles formed from the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary. The particle | grains obtained by performing are mentioned. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記基材粒子が金属粒子である場合には、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。   When the substrate particles are metal particles, examples of the metal that is a material of the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, the substrate particles are preferably not metal particles.

導電性粒子の10%K値、20%K値、30%K値及び圧縮回復率を最適な値にすることが容易であるため、上記基材粒子は、有機無機ハイブリッド粒子又はシリカ粒子であることが好ましい。   Since it is easy to optimize the 10% K value, 20% K value, 30% K value and compression recovery rate of the conductive particles, the substrate particles are organic-inorganic hybrid particles or silica particles. It is preferable.

上記導電部の厚み(複数の導電部がある場合には、複数の導電部全体の厚み)は、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、更に好ましくは20nm以上、特に好ましくは50nm以上、好ましくは1000nm以下、より好ましくは800nm以下、更に好ましくは500nm以下、特に好ましくは400nm以下、最も好ましくは300nm以下である。上記導電部の厚みが上記下限以上であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。上記導電部の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電部との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電部が剥離し難くなる。上記導電部の厚みは、導電性粒子全体での導電部の厚みの平均である。   The thickness of the conductive portion (when there are a plurality of conductive portions, the total thickness of the plurality of conductive portions) is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, still more preferably 20 nm or more, particularly preferably 50 nm or more, preferably Is 1000 nm or less, more preferably 800 nm or less, still more preferably 500 nm or less, particularly preferably 400 nm or less, and most preferably 300 nm or less. When the thickness of the conductive part is equal to or greater than the lower limit, the conductivity of the conductive particles is further improved. When the thickness of the conductive part is not more than the above upper limit, the difference in the coefficient of thermal expansion between the base particle and the conductive part becomes small, and the conductive part becomes difficult to peel from the base particle. The thickness of the conductive part is an average of the thickness of the conductive part in the entire conductive particles.

上記基材粒子の表面上に上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきにより上記導電部を形成する方法、並びに電気めっきにより上記導電部を形成する方法等が挙げられる。   Examples of a method for forming the conductive part on the surface of the substrate particle include a method for forming the conductive part by electroless plating and a method for forming the conductive part by electroplating.

上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部の材料である金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タングステン、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム(ITO)を用いてもよい。上記記金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The conductive part preferably contains a metal. The metal that is the material of the conductive part is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, tungsten, germanium and cadmium, and alloys thereof. Is mentioned. Further, tin-doped indium oxide (ITO) may be used as the metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

導電性粒子の10%K値、20%K値、30%K値及び圧縮回復率を最適な値にすることが容易であるため、上記導電部は、ニッケル又はニッケル合金であることが好ましい。   Since it is easy to optimize the 10% K value, 20% K value, 30% K value and compression recovery rate of the conductive particles, the conductive part is preferably nickel or a nickel alloy.

上記導電性粒子は、導電性の表面に複数の突起を有する。上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部の外表面に突起を容易に形成可能である。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、突起によって、導電性粒子と電極との間のバインダー樹脂が効果的に排除される。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。   The conductive particles have a plurality of protrusions on the conductive surface. Since the core substance is embedded in the conductive portion, protrusions can be easily formed on the outer surface of the conductive portion. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. When conductive particles having protrusions are used, the oxide film is effectively excluded by the protrusions by placing the conductive particles between the electrodes and pressing them. For this reason, an electrode and electroconductive particle contact more reliably and the connection resistance between electrodes becomes still lower. Furthermore, the protrusion effectively eliminates the binder resin between the conductive particles and the electrode. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes becomes high.

上記導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第1の導電部を形成した後、該第1の導電部上に芯物質を配置し、次に第2の導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。   As a method for forming protrusions on the surface of the conductive particles, a method of forming a conductive portion by electroless plating after attaching a core substance to the surface of the base particles, and electroless plating on the surface of the base particles Examples include a method of forming a conductive part by, attaching a core substance, and further forming a conductive part by electroless plating. As another method for forming the protrusion, a first conductive part is formed on the surface of the base particle, and then a core substance is disposed on the first conductive part, and then the second conductive part. And a method of adding a core substance in the middle of forming a conductive part on the surface of the base particle.

上記基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。   As a method of attaching the core substance to the surface of the base particle, for example, a core substance is added to the dispersion of the base particle, and the core substance is applied to the surface of the base particle by, for example, van der Waals force. Examples thereof include a method of accumulating and adhering, and a method of adding a core substance to a container containing base particles and attaching the core substance to the surface of the base particles by a mechanical action such as rotation of the container. Especially, since the quantity of the core substance to adhere is easy to control, the method of making a core substance accumulate and adhere on the surface of the base particle in a dispersion liquid is preferable.

上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。   Examples of the material of the core substance include a conductive substance and a non-conductive substance. Examples of the conductive material include conductive non-metals such as metals, metal oxides, and graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene. Examples of the nonconductive material include silica, alumina, and zirconia. Among them, metal is preferable because conductivity can be increased and connection resistance can be effectively reduced. The core substance is preferably metal particles.

上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タングステン、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質の材料である金属は、上記導電部の材料である金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質の材料は、ニッケルを含むことが好ましい。また、上記金属の酸化物としては、アルミナ、シリカ及びジルコニア等が挙げられる。   Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, tungsten, germanium, and cadmium, and tin. -Alloys composed of two or more metals such as lead alloy, tin-copper alloy, tin-silver alloy, tin-lead-silver alloy, and tungsten carbide. Of these, nickel, copper, silver or gold is preferable. The metal that is the material of the core substance may be the same as or different from the metal that is the material of the conductive part. The material of the core substance preferably includes nickel. Examples of the metal oxide include alumina, silica and zirconia.

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム(モース硬度4.5)、ニッケル(モース硬度5)、シリカ(二酸化珪素、モース硬度6〜7)、酸化チタン(モース硬度7)、ジルコニア(モース硬度8〜9)、アルミナ(モース硬度9)、炭化タングステン(モース硬度9)及びダイヤモンド(モース硬度10)等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは5以上、より好ましくは6以上、更に好ましくは7以上、特に好ましくは7.5以上である。   Specific examples of the core material include barium titanate (Mohs hardness 4.5), nickel (Mohs hardness 5), silica (silicon dioxide, Mohs hardness 6-7), titanium oxide (Mohs hardness 7), zirconia. (Mohs hardness 8-9), alumina (Mohs hardness 9), tungsten carbide (Mohs hardness 9), diamond (Mohs hardness 10), and the like. The inorganic particles are preferably nickel, silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, more preferably silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, titanium oxide, zirconia. Alumina, tungsten carbide or diamond is more preferable, and zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond is particularly preferable. The Mohs hardness of the core material is preferably 5 or more, more preferably 6 or more, still more preferably 7 or more, and particularly preferably 7.5 or more.

電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記芯物質の材料のモース硬度は、上記導電部の材料のモース硬度と同等以上であることが好ましく、上記導電部の材料のモース硬度よりも大きいことが好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度と上記導電部の材料のモース硬度との差の絶対値は、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.2以上、更に好ましくは0.5以上、特に好ましくは1以上、最も好ましくは2以上である。また、導電部が複数の層により形成されていている場合には、複数の層を構成する全ての金属よりも、上記芯物質の材料の方が硬いことが、接続抵抗の低減効果がより一層効果的に発揮される。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance between the electrodes, the Mohs hardness of the material of the core substance is preferably equal to or greater than the Mohs hardness of the material of the conductive part, and the Mohs hardness of the material of the conductive part Is preferably larger. The absolute value of the difference between the Mohs hardness of the material of the core substance and the Mohs hardness of the material of the conductive part is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.5 or more, particularly preferably Is 1 or more, most preferably 2 or more. In addition, when the conductive portion is formed of a plurality of layers, the material of the core substance is harder than all the metals constituting the plurality of layers, so that the effect of reducing the connection resistance is further increased. Effectively demonstrated.

上記芯物質の材料と上記導電部の材料とは同一であってもよいが、異なることが好ましい。上記芯物質の材料は、上記芯物質を構成する主材料(50重量%以上)であり、上記芯物質に最も多く含まれている材料である。上記導電部の材料は、上記導電部を構成する主材料(50重量%以上)であり、上記導電部に最も多く含まれている材料である。   The material of the core substance and the material of the conductive part may be the same, but are preferably different. The material of the core substance is a main material (50% by weight or more) constituting the core substance, and is the material most contained in the core substance. The material of the conductive part is a main material (50% by weight or more) constituting the conductive part, and is the material most contained in the conductive part.

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。   The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core substance is preferably a lump. Examples of the core substance include a particulate lump, an agglomerate in which a plurality of fine particles are aggregated, and an irregular lump.

上記芯物質の径(粒子径)は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。   The diameter (particle diameter) of the core substance is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the diameter of the core substance is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced.

上記芯物質の径(粒子径)は、数平均径(数平均粒子径)を示す。芯物質の径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The diameter (particle diameter) of the core substance indicates a number average diameter (number average particle diameter). The diameter of the core material is obtained by observing 50 arbitrary core materials with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記導電性粒子における上記突起の高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記突起の高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。上記突起の高さは、導電性粒子1個当たりの複数の突起の高さの平均である。上記突起の高さは、導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線(図1に示す破線L1)上における、突起が無いと想定した場合の導電層の仮想線(図1に示す破線L2)上(突起が無いと想定した場合の球状の導電性粒子の外表面上)から突起の先端までの距離を示す。すなわち、図1においては、破線L1と破線L2との交点から突起の先端までの距離を示す。   The height of the protrusion in the conductive particle is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the height of the protrusion is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced. The height of the protrusion is an average of the heights of a plurality of protrusions per conductive particle. The height of the protrusion is a virtual line of the conductive layer (dashed line shown in FIG. 1) on the assumption that there is no protrusion on the line connecting the center of the conductive particles and the tip of the protrusion (broken line L1 shown in FIG. 1). L2) Indicates the distance from the top (on the outer surface of the spherical conductive particles assuming no projection) to the tip of the projection. That is, in FIG. 1, the distance from the intersection of the broken line L1 and the broken line L2 to the tip of the protrusion is shown.

接続抵抗を効果的に低くし、電極間の接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記突起の高さが、上記導電性粒子の粒子径の1/100以上であることが好ましく、1/15以上であることがより好ましい。また、突起の高さが、導電性粒子の粒子径の1/10以下であることが好ましい。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance and effectively increasing the connection reliability between the electrodes, the height of the protrusion is preferably 1/100 or more of the particle diameter of the conductive particles. / 15 or more is more preferable. The height of the protrusion is preferably 1/10 or less of the particle diameter of the conductive particles.

上記導電性粒子1個当たりの上記の突起は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。   The number of the protrusions per conductive particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more. The upper limit of the number of protrusions is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the conductive particles.

本発明に係る導電性粒子は、上記導電部の表面上(導電層の外表面上)に配置された絶縁性物質を備えていてもよい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電層の外表面に複数の突起を有するので、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。   The electroconductive particle which concerns on this invention may be equipped with the insulating substance arrange | positioned on the surface (on the outer surface of an electroconductive layer) of the said electroconductive part. In this case, when the conductive particles are used for connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be further prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact with each other, an insulating material is present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent in the lateral direction instead of between the upper and lower electrodes. In addition, the insulating substance between the conductive layer of an electroconductive particle and an electrode can be easily excluded by pressurizing electroconductive particle with two electrodes in the case of the connection between electrodes. Since the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive layer, the insulating substance between the conductive layer of the conductive particles and the electrode can be easily excluded.

電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。   The insulating substance is preferably an insulating particle because the insulating substance can be more easily removed when the electrodes are pressed.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the conductive particles described above and a binder resin. The conductive particles according to the present invention are preferably dispersed in a binder resin and used as a conductive material.

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が使用可能である。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin can be used. Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. As for the said binder resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。   Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogenated product of a styrene block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記異方性導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の
他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
In addition to the conductive particles and the binder resin, the anisotropic conductive material includes, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, and a heat stabilizer. Further, various additives such as a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant may be contained.

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。   The conductive material can be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film that does not include conductive particles may be laminated on a conductive film that includes conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the conductive material, the content of the binder resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, preferably 99.% or more. It is 99 weight% or less, More preferably, it is 99.9 weight% or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further increased.

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the conductive material, the content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 40% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, More preferably, it is 10 weight% or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

(接続構造体)
本発明の導電性粒子を用いて、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting the connection target members using the conductive particles of the present invention or using a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

上記接続構造体は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が本発明の導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、第1,第2の電極が上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。   The connection structure connects the first connection target member having the first electrode on the surface, the second connection target member having the second electrode on the surface, and the first and second connection target members. The connection part is formed of the conductive particles of the present invention, or is formed of a conductive material containing the conductive particles and a binder resin, and the first and second electrodes Is preferably a connection structure electrically connected by the conductive particles. In the case where conductive particles are used, the connection portion itself is conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.

また、上記接続構造体では、上記第1の電極及び上記第2の電極の内の少なくとも一方がチタン電極である。本発明における接続抵抗の低減効果がより一層顕著に得られることから、上記第1の電極及び上記第2の電極の双方がチタン電極であることが好ましい。   In the connection structure, at least one of the first electrode and the second electrode is a titanium electrode. Both the first electrode and the second electrode are preferably titanium electrodes because the effect of reducing the connection resistance in the present invention can be obtained more remarkably.

なお、チタン電極は、電極の外表面にチタン原子を50重量%以上含む。チタン電極は、電極の外表面に、少量であれば、アルミニウム原子等が含まれていてもよい。   The titanium electrode contains 50% by weight or more of titanium atoms on the outer surface of the electrode. The titanium electrode may contain aluminum atoms or the like on the outer surface of the electrode as long as the amount is small.

図4に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。   In FIG. 4, the connection structure using the electroconductive particle which concerns on the 1st Embodiment of this invention is typically shown with front sectional drawing.

図4に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料により形成されている。接続部54は、導電性粒子1とバインダー樹脂54aとを含む。なお、図4では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子1A,1Bなどの他の導電性粒子を用いてもよい。   4 includes a first connection target member 52, a second connection target member 53, and a connection portion 54 that connects the first and second connection target members 52 and 53. Prepare. The connection part 54 is formed of a conductive material including the conductive particles 1. The connection part 54 includes the conductive particles 1 and the binder resin 54a. In FIG. 4, the conductive particles 1 are schematically shown for convenience of illustration. Instead of the conductive particles 1, other conductive particles such as the conductive particles 1A and 1B may be used.

第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1,第2の電極52a,53aの内の少なくとも一方はチタン電極である。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。   The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52a on the surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on the surface (lower surface). At least one of the first and second electrodes 52a and 53a is a titanium electrode. The first electrode 52 a and the second electrode 53 a are electrically connected by one or a plurality of conductive particles 1. Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1.

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例として、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は9.8×10〜4.9×10Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。フレキシブルプリント基板の電極、樹脂フィルム上に配置された電極及びタッチパネルの電極を接続するための上記加圧の圧力は9.8×10〜1.0×10Pa程度である。 The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of a method of manufacturing a connection structure, a method of placing the conductive material between a first connection target member and a second connection target member to obtain a laminate, and then heating and pressurizing the laminate Etc. The pressure of the said pressurization is about 9.8 * 10 < 4 > -4.9 * 10 < 6 > Pa. The temperature of the said heating is about 120-220 degreeC. The pressure of the pressurization for connecting the electrode of the flexible printed board, the electrode arranged on the resin film, and the electrode of the touch panel is about 9.8 × 10 4 to 1.0 × 10 6 Pa.

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記導電材料は、回路接続用導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電子部品のチタン電極を電気的に接続するための導電材料であることが好ましい。上記導電ペーストはペースト状の導電材料であり、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗工されることが好ましい。   Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and electronic components such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards, and glass boards. The conductive material is preferably a conductive material for circuit connection. The conductive material is preferably a conductive material for electrically connecting a titanium electrode of an electronic component. The conductive paste is a paste-like conductive material, and is preferably applied on the connection target member in a paste-like state.

また、上記接続対象部材は、有機EL表示素子用部材であることが好ましく、有機EL表示素子用基板であることが好ましい。上記接続対象部材は、有機EL表示素子であることが好ましい。上記導電材料は、有機EL表示素子用部材のチタン電極を電気的に接続するための導電材料であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the said connection object member is a member for organic EL display elements, and it is preferable that it is a board | substrate for organic EL display elements. The connection target member is preferably an organic EL display element. The conductive material is preferably a conductive material for electrically connecting the titanium electrode of the organic EL display element member.

本発明による接続抵抗の低減効果をより一層効果的に得る観点からは、上記電極が形成されているライン(L)の幅及び上記電極が形成されていないスペース(S)の幅はそれぞれ、好ましくは10μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは90μm以下、更に好ましくは70μm以下である。   From the viewpoint of more effectively obtaining the effect of reducing the connection resistance according to the present invention, the width of the line (L) where the electrode is formed and the width of the space (S) where the electrode is not formed are each preferable. Is 10 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 90 μm or less, and even more preferably 70 μm or less.

上記接続対象部材に設けることが可能なチタン電極以外の電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   Examples of the electrode other than the titanium electrode that can be provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

(実施例1)
(1)基材粒子の作製
攪拌機及び温度計が取り付けられた500mLの反応容器内に、0.13重量%のアンモニア水溶液300gを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン4.1gと、ビニルトリメトキシシラン19.2gと、シリコーンアルコキシオリゴマー(信越化学工業社製「X−41−1053」)0.7gとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、25重量%アンモニア水溶液2.4mLを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧10−17atm、350℃で2時間焼成して、粒子径が3μmの有機無機ハイブリッド基材粒子を得た。
Example 1
(1) Preparation of substrate particles 300 g of a 0.13% by weight ammonia aqueous solution was placed in a 500 mL reaction vessel equipped with a stirrer and a thermometer. Next, 4.1 g of methyltrimethoxysilane, 19.2 g of vinyltrimethoxysilane, and 0.7 g of silicone alkoxy oligomer (“X-41-1053” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) in an aqueous ammonia solution in the reaction vessel. The mixture with was added slowly. After the hydrolysis and condensation reaction proceeded with stirring, 2.4 mL of a 25 wt% aqueous ammonia solution was added, and then the particles were isolated from the aqueous ammonia solution, and the resulting particles were subjected to an oxygen partial pressure of 10 −17 atm. And calcining at 350 ° C. for 2 hours to obtain organic-inorganic hybrid substrate particles having a particle size of 3 μm.

(2)芯物質付着工程
パラジウムが付着された樹脂粒子をイオン交換水300mL中で3分間攪拌し、分散させ、分散液を得た。次に、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径150nm、ニッケルのモース硬度5)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子を得た。
(2) Core substance adhesion step The resin particles to which palladium was adhered were stirred and dispersed in 300 mL of ion exchange water for 3 minutes to obtain a dispersion. Next, 1 g of metal nickel particle slurry (average particle diameter 150 nm, nickel Mohs hardness 5) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain base particles to which the core substance was adhered.

(3)導電性粒子の作製
パラジウム触媒液5重量%を含むアルカリ溶液100重量部に、芯物質が付着された基材粒子10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、芯物質が付着された基材粒子を取り出した。次いで、芯物質が付着された基材粒子をジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、基材粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子を十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、懸濁液を得た。
(3) Preparation of conductive particles After dispersing 10 parts by weight of base material particles, to which the core material is attached, in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution, a solution is obtained. The base material particle to which the core substance was adhered was taken out by filtering. Subsequently, the base material particle to which the core substance was attached was added to 100 parts by weight of a 1% by weight dimethylamine borane solution to activate the surface of the base material particle. The substrate particles whose surface was activated were sufficiently washed with water, and then added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a suspension.

また、硫酸ニッケル0.23mol/L、ジメチルアミンボラン0.92mol/L、クエン酸ナトリウム0.5mol/L及びタングステン酸ナトリウム0.01mol/Lを含むニッケルめっき液(pH8.5)を用意した。   Further, a nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.23 mol / L of nickel sulfate, 0.92 mol / L of dimethylamine borane, 0.5 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium tungstate was prepared.

得られた懸濁液を60℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を上記懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子の表面上に、ニッケル−タングステン−ボロン導電層(厚み約0.1μm、ニッケルのモース硬度5)が配置された粒子径が3.2μmの導電性粒子を得た。得られた導電性粒子の突起の高さは、芯物質に由来して150nmであった。   While stirring the obtained suspension at 60 ° C., the nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Thereafter, the suspension is filtered to remove the particles, washed with water, and dried to form a nickel-tungsten-boron conductive layer (thickness of about 0.1 μm, nickel Mohs hardness of 5 on the surface of the base particles). ) Were disposed, and conductive particles having a particle diameter of 3.2 μm were obtained. The height of the protrusion of the obtained conductive particle was 150 nm derived from the core substance.

(実施例2)
基材粒子の作製時の焼成温度を350℃から400℃に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 2)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the firing temperature during the production of the base particles was changed from 350 ° C to 400 ° C.

(実施例3)
芯物質付着工程で、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径150nm)を、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径50nm)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 3)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the metal nickel particle slurry (average particle diameter 150 nm) was changed to the metal nickel particle slurry (average particle diameter 50 nm) in the core substance adhesion step.

(実施例4)
芯物質付着工程で、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径150nm)を、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径200nm)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
Example 4
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the metal nickel particle slurry (average particle size 150 nm) was changed to the metal nickel particle slurry (average particle size 200 nm) in the core substance adhesion step.

(実施例5)
芯物質付着工程で、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径150nm)を、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径350nm)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 5)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the metal nickel particle slurry (average particle diameter 150 nm) was changed to the metal nickel particle slurry (average particle diameter 350 nm) in the core substance adhesion step.

(実施例6)
芯物質をジルコニアスラリー(平均粒子径150nm、ジルコニアのモース硬度8〜9)に変更したこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 6)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the core material was changed to zirconia slurry (average particle diameter 150 nm, zirconia Mohs hardness 8-9).

(実施例7)
芯物質をアルミナスラリー(平均粒子径150nm、アルミナのモース硬度9)に変更したこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 7)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the core material was changed to alumina slurry (average particle diameter 150 nm, alumina Mohs hardness 9).

(実施例8)
芯物質を炭化タングステンスラリー(平均粒子径150nm、炭化タングステンのモース硬度9)に変更したこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 8)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the core substance was changed to a tungsten carbide slurry (average particle diameter 150 nm, tungsten carbide Mohs hardness 9).

(実施例9)
芯物質をダイヤモンドスラリー(平均粒子径150nm、ダイヤモンドのモース硬度10)に変更したこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
Example 9
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the core substance was changed to diamond slurry (average particle diameter 150 nm, diamond Mohs hardness 10).

(実施例10)
芯物質を酸化チタンスラリー(平均粒子径150nm、酸化チタンのモース硬度7)に変更したこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 10)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the core substance was changed to a titanium oxide slurry (average particle diameter 150 nm, Mohs hardness 7 of titanium oxide).

(実施例11)
芯物質をチタン酸バリウム(平均粒子径150nm、チタン酸バリウムのモース硬度4.5)に変更したこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 11)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the core substance was changed to barium titanate (average particle size 150 nm, Mohs hardness 4.5 of barium titanate).

(実施例12)
有機無機ハイブリッド基材粒子の粒子径を1μmに変更して、粒子径が1.2μmの導電性粒子を得たこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
Example 12
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the particle size of the organic / inorganic hybrid substrate particles was changed to 1 μm to obtain conductive particles having a particle size of 1.2 μm.

(実施例13)
有機無機ハイブリッド基材粒子の粒子径を3.8μmに変更して、粒子径が4.0μmの導電性粒子を得たこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 13)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the particle size of the organic / inorganic hybrid substrate particles was changed to 3.8 μm to obtain conductive particles having a particle size of 4.0 μm.

(実施例14)
有機無機ハイブリッド基材粒子の粒子径を5μmに変更して、粒子径が5.2μmの導電性粒子を得たこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 14)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the particle size of the organic / inorganic hybrid substrate particles was changed to 5 μm to obtain conductive particles having a particle size of 5.2 μm.

(比較例1)
基材粒子の作製時の酸素分圧を、窒素分圧に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 1)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the oxygen partial pressure during the production of the base particles was changed to a nitrogen partial pressure.

(比較例2)
基材粒子の作製時の焼成温度を350℃から300℃に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 2)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the firing temperature during the production of the base particles was changed from 350 ° C to 300 ° C.

(比較例3)
基材粒子の作製時の焼成温度を350℃から250℃に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 3)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the firing temperature during the production of the base particles was changed from 350 ° C to 250 ° C.

(評価)
(1)圧縮弾性率(10%K値、20%K値及び30%K値)
得られた導電性粒子の圧縮弾性率(10%K値、20%K値及び30%K値)を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
(Evaluation)
(1) Compression modulus (10% K value, 20% K value and 30% K value)
The compression elastic modulus (10% K value, 20% K value, and 30% K value) of the obtained conductive particles was measured by the above-described method using a micro compression tester (“Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer). And measured.

(2)圧縮回復率
得られた導電性粒子の圧縮回復率を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
(2) Compression recovery rate The compression recovery rate of the obtained electroconductive particle was measured by the method mentioned above using the micro compression tester ("Fischer scope H-100" by Fischer).

(3)接続抵抗
接続構造体Aの作製:
L/Sが15μm/15μmのTi−Al−Tiの複層電極パターンを上面に有する透明ガラス基板(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが15μm/15μmのニッケル電極パターンを下面に有する半導体チップ(第2の接続対象部材)を用意した。
(3) Connection resistance Fabrication of connection structure A:
A transparent glass substrate (first connection target member) having a Ti—Al—Ti multilayer electrode pattern having an L / S of 15 μm / 15 μm on the upper surface was prepared. In addition, a semiconductor chip (second connection target member) having a nickel electrode pattern with a L / S of 15 μm / 15 μm on the lower surface was prepared.

仮圧着機を用いて、上記透明ガラス基板上のチップ搭載部分に、得られた異方性導電フィルムを仮圧着し、貼り付けた。次に、上記半導体チップを電極同士が対向するように積層した後、異方性導電フィルムの温度が150℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せて、3MPaの圧力をかけて10秒間熱圧着を行い、異方性導電フィルム中のバインダー樹脂を硬化させて、接続構造体Aを得た。   The obtained anisotropic conductive film was temporarily pressure-bonded and attached to the chip mounting portion on the transparent glass substrate using a temporary pressure bonding machine. Next, after laminating the semiconductor chip so that the electrodes face each other, a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive film becomes 150 ° C. The bonded structure A was obtained by applying pressure of 3 MPa and thermocompression bonding for 10 seconds to cure the binder resin in the anisotropic conductive film.

接続構造体Bの作製:
L/Sが30μm/30μmのTi−Al−Tiの複層電極パターンを上面に有する透明ガラス基板(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが30μm/30μmのニッケル電極パターンを下面に有する半導体チップ(第2の接続対象部材)を用意した。
Production of connection structure B:
A transparent glass substrate (first connection target member) having a Ti—Al—Ti multilayer electrode pattern with an L / S of 30 μm / 30 μm on the upper surface was prepared. In addition, a semiconductor chip (second connection target member) having a nickel electrode pattern with a L / S of 30 μm / 30 μm on the lower surface was prepared.

L/Sが異なる上記の第1,第2の接続対象部材を用いたこと、並びに圧着時の圧力を100MPaに変更したこと以外は接続構造体Aと同様にして、接続構造体Bを得た。   A connection structure B was obtained in the same manner as the connection structure A except that the first and second connection target members having different L / S were used and that the pressure during crimping was changed to 100 MPa. .

接続抵抗の測定:
得られた接続構造体A,Bの対向する電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。
Connection resistance measurement:
The connection resistance between the opposing electrodes of the obtained connection structures A and B was measured by a four-terminal method.

[接続抵抗の評価基準]
○○:接続抵抗が3.0Ω以下
○:接続抵抗が3.0Ωを超え、4.0Ω以下
△:接続抵抗が4.0Ωを超え、5.0Ω以下
×:接続抵抗が5.0Ωを超える
[Evaluation criteria for connection resistance]
◯: Connection resistance is 3.0Ω or less ○: Connection resistance exceeds 3.0Ω, 4.0Ω or less △: Connection resistance exceeds 4.0Ω, 5.0Ω or less ×: Connection resistance exceeds 5.0Ω

結果を下記の表1に示す。   The results are shown in Table 1 below.

Figure 0006212366
Figure 0006212366

なお、実施例2,6〜10の接続構造体Bの接続抵抗の評価結果はいずれも「○○」であるが、実施例6〜10の接続構造体Bの接続抵抗の値は、実施例2の接続構造体Bの接続抵抗の値よりもかなり低かった。   In addition, although the evaluation results of the connection resistance of the connection structures B of Examples 2 and 6 to 10 are all “◯◯”, the value of the connection resistance of the connection structure B of Examples 6 to 10 is It was considerably lower than the connection resistance value of the connection structure B of 2.

1,1A,1B…導電性粒子
1a,1Aa,1Ba…突起
2…基材粒子
3,3A,3B…導電部
3a,3Aa,3Ba…突起
3Bx…第1の導電部
3By…第2の導電部
4…芯物質
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
54a…バインダー樹脂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1A, 1B ... Conductive particle 1a, 1Aa, 1Ba ... Protrusion 2 ... Base material particle 3, 3A, 3B ... Conductive part 3a, 3Aa, 3Ba ... Protrusion 3Bx ... 1st conductive part 3By ... 2nd conductive part DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Core substance 51 ... Connection structure 52 ... 1st connection object member 52a ... 1st electrode 53 ... 2nd connection object member 53a ... 2nd electrode 54 ... Connection part 54a ... Binder resin

Claims (9)

チタン電極の電気的な接続に用いられる導電性粒子であって、
導電部を少なくとも表面に有し、
前記導電部が表面に複数の突起を有し、
10%圧縮されたときの圧縮弾性率が9000N/mm以上であり、20%圧縮されたときの圧縮弾性率が8000N/mm以上であり、30%圧縮されたときの圧縮弾性率が7000N/mm以上であり、
圧縮回復率が60%以上、90%以下である、導電性粒子。
Conductive particles used for electrical connection of titanium electrodes,
Having at least a conductive part on the surface;
The conductive part has a plurality of protrusions on the surface;
Compressive modulus when compressed by 10% is at 9000 N / mm 2 or more and compression modulus when compressed 20% 8000 N / mm 2 or more, 7000N compression elastic modulus when compressed 30% / Mm 2 or more,
Conductive particles having a compression recovery rate of 60% or more and 90% or less.
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された前記導電部とを備える、請求項1に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of Claim 1 provided with a base particle and the said electroconductive part arrange | positioned on the surface of the said base particle. 前記突起の高さが、導電性粒子の粒子径の1/100以上である、請求項1又は2に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to claim 1 or 2, wherein a height of the protrusion is 1/100 or more of a particle diameter of the conductive particle. 前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-3 which has the some core substance which has raised the surface of the said electroconductive part so that the said some protrusion may be formed in the said electroconductive part. 前記芯物質の材料のモース硬度が、前記導電部の材料のモース硬度と同等以上である、請求項4に記載の導電性粒子。   The conductive particles according to claim 4, wherein the Mohs hardness of the material of the core substance is equal to or greater than the Mohs hardness of the material of the conductive part. 前記芯物質の材料のモース硬度が、前記導電部の材料のモース硬度よりも大きい、請求項5に記載の導電性粒子。   6. The conductive particle according to claim 5, wherein a Mohs hardness of a material of the core substance is larger than a Mohs hardness of a material of the conductive part. 粒子径が1μm以上、4μm以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-6 whose particle diameter is 1 micrometer or more and 4 micrometers or less. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。   The electroconductive material containing the electroconductive particle of any one of Claims 1-7, and binder resin. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方が、チタン電極であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection object member having a first electrode on its surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The connecting portion is formed of the conductive particles according to any one of claims 1 to 7, or is formed of a conductive material including the conductive particles and a binder resin.
At least one of the first electrode and the second electrode is a titanium electrode;
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
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