JP6211546B2 - 金属基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、金属基板の製造方法に関し、更に詳しくは、原盤の凹凸パターンが転写された金属基板を製造する方法に関する。

近年、２次元的又は３次元的なパターン転写を効率的に行う磁気転写方法及びナノインプリント方法が開発されている。磁気転写は、磁気記録媒体の製造で行われる転写技術であり、微細な磁化パターンを表面に有する磁気転写用マスターディスクをスレーブ媒体（被転写媒体ともいう）に密着させた状態で、転写用磁界を印加して、磁化パターンに対応した情報（例えばサーボ信号）をスレーブ媒体に転写する技術である。一方、ナノインプリントは、例えばディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やビットパターンドメディア（ＢＰＭ）などの製造で行われる転写技術であり、微細な凹凸パターンを表面に有するナノインプリント用マスター担体を熱可塑性樹脂又は光硬化樹脂などに押し当て、その凹凸パターンを樹脂に転写する技術である。このような技術によれば、上記のようなモールド（上記マスターディスクや上記マスター担体を含む）を被転写媒体に押し付けて、２次元的又は３次元的なパターンを一括的に転写することができ、ナノレベルの微細パターンを容易にかつ低コストに形成することが可能である。

上記のようなモールドは、例えば電鋳法により製造できる（例えば特許文献１及び特許文献２を参照）。モールドの製造には、モールドに形成する凹凸パターンと相補的な形状の凹凸パターンを表面に有する原盤が用いられる。その原盤を電鋳治具に固定し、原盤の表面に電鋳物を形成する。電鋳後、洗浄液中で電鋳物（複版）を原盤から剥離する。剥離された電鋳物は、所望の形状に切り取られる。モールドが磁気転写用のマスターディスクである場合には、その後さらに磁性層を成膜する工程などが必要に応じて追加される。

通常、電鋳を行う際には、電源と原盤とを導通させるためのリング状の導通治具（導通リング）が用いられる。原盤が導電性を有する場合、導通リングは原盤の上に載置され、原盤が導電性を有しない場合は、原盤の表面に薄い金属層を形成した後に導通リングが原盤の上に載置される。電鋳により、原盤の導通リングの開口部分から露出する部分に電鋳物が堆積する。電鋳後、導通リングは原盤から剥離される。

特開２００８−２２６３５２号公報 特開２００８−４２０１号公報

ここで、原盤の導通リングが載置される部分はその表面が導通リングで覆われるために、その部分に凹凸パターンがあったとしても、その凹凸パターンは複版には転写されない。従って、原盤は、導通リングの開口の内部にのみ凹凸パターンを有していればよい。事前に、電鋳時に使用する導通リングのサイズがわかっていれば、導通リングの開口に対応する領域に凹凸パターンを有する原盤を作成可能である。

しかしながら、電鋳時に、常に原盤の作製時に想定したサイズの導通リングが使用されるとは限らない。例えば、過去に作製した原盤を電鋳を実施する事業者に持ち込んで複版を作製する場合、その事業者が使用する導通リングは、原盤作製時に想定したものとはサイズが異なる場合がある。そのような場合、導通リングは、全周にわたって或いは部分的に原盤の凹凸パターンの上に載置されることがある。

導通リングが原盤の凹凸パターンが形成されていない部分、すなわち平坦な部分に載置されている場合、電鋳後、導通リングを原盤から支障なく剥離することができる。しかし、導通リングが原盤の凹凸パターンが形成されている部分に載置されている場合は、電鋳によって導通リングが原盤と固着し、導通リングの剥離が困難になることを本発明者は発見した。導通リングが原盤と固着すると、導通リングを原盤から剥離する際に、原盤が損傷することがある。原盤が損傷すると、新たな原盤を作製する必要が生じる。

本発明は、上記に鑑み、原盤の導通リングが重ねられる部分に凹凸パターンが存在するときでも、電鋳後に原盤から導通リングを支障なく剥離できる金属基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、内部に開口を有しかつ導電性を有する材料から成る導通治具を、表面に凹凸パターンを有する原盤の凹凸パターンを有する側の面の上に、原盤と導通治具との固着を防止するための固着防止層を介して重ねる工程と、導通リングが重ねられた原盤に電鋳により金属層を形成する電鋳処理工程と、電鋳処理工程により形成された金属層及び導通治具を、原盤から剥離する剥離工程とを有する金属基板の製造方法を提供する。

本発明の金属基板の製造方法において、導通治具は、原盤と対向する側の面に固着防止層を有していることが好ましい。

上記において、導通治具は、原盤と対向する側の面の、原盤に重ねられたときに原盤の凹凸パターンが存在する方向側の端部から少なくともあらかじめ定められた距離だけ離れた位置までの間に固着防止層を有していればよい。あるいは、導通治具は、原盤と対向する側の面の全面に固着防止層を有していてもよい。

本発明の金属基板の製造方法は、導電治具を重ねる工程に先行して、原盤の凹凸パターンを有する面の導通治具と対向する部分の少なくとも一部に固着防止層を形成する固着防止層形成工程を有していてもよい。

本発明の金属基板の製造方法において、原盤は円盤状に形成され、かつ導通治具は円環状に形成されていることが好ましい。この場合、導通治具は、円盤状の原盤の外周縁に重ねられることが好ましい。

本発明の金属基板の製造方法において、固着防止層には離型剤を用いることができる。離型剤はフッ素系離型剤であることが好ましい。

本発明の金属基板の製造方法において、固着防止層の表面は撥水性を有することが好ましい。

固着防止層の表面の液滴に対する接触角は９０°以上であることが好ましい。

本発明の金属基板の製造方法では、原盤は、導通治具が重ねられる部分の少なくとも一部に凹凸パターンを有していてもよい。

本発明の金属基板の製造方法は、剥離工程に後続して、導通治具と金属層とを切り離す切離し工程を更に有していてもよい。

本発明の金属基板の製造方法では、原盤の上に固着防止層を介して導通治具を重ね、電鋳を実施する。特に、原盤の導通リングが重ねられる部分に凹凸パターンが存在するとき、電鋳時に原盤と導通治具とが固着しやすい。本発明では、原盤と導通治具との間に固着防止層があることで、電鋳の際に原盤と導通治具とが固着することを防止でき、原盤の導通リングが重ねられる部分に凹凸パターンが存在するときでも、電鋳後に原盤から導通リングを支障なく剥離することが可能となる。

本発明の第１実施形態に係る金属基板の製造方法の手順を示すフローチャート。 Ｎｉ電鋳を行うための電鋳装置を示す断面図。 原盤の正面図。 原盤と導通リングの断面図。 原盤上に載置された導通リング付近を拡大した断面図。 比較例における原盤上に載置された導通リング付近の断面図。 比較例における原盤を剥離した後の導通リング及び金属層の写真。 比較例における原盤の導通リングが載置される部分付近の顕微鏡写真。 本発明の第２実施形態に係る金属基板の製造方法の手順を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態に係る金属基板の製造過程を示す断面図。 原盤を剥離した後の導通リング及び金属層を示す写真。 剥離・洗浄後の原盤を示す写真。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る金属基板の製造方法の手順を示す。本実施形態では、パターン転写の原盤として、例えばＳｉなどから成る非導電性原盤が用いられる。原盤の作製方法は特に問わない。原盤の材料には、ガラス、石英、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などを用いることもできる。

まず、原盤の凹凸パターンが形成された表面に、導電体膜（導電体層）を形成する（ステップＡ１）。導電体膜は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法、真空蒸着法、又は無電解メッキ法などによって形成される。なお、原盤が導電性を有する材料から成る場合には、ステップＡ１は省略できる。

次いで、原盤の凹凸パターンが形成された側の面に導通治具（導通リング）を載置し、原盤に導通リングを重ねる（ステップＡ２）。導通リングは、内部に開口を有しかつ導電性を有する材料から成る。原盤は、導通治具が重ねられる部分の少なくとも一部に凹凸パターンを有する。導通リングは、原盤と対向する側の面に、原盤と導通リングとの固着を防止するための固着防止層を有している。固着防止層は、例えば離型剤から成る。導通リング（その本体）は、固着防止層を介して原盤上に重ねられる。

導電リングを重ねた後、導通リングが重ねられた原盤に、電鋳により金属層を形成する（ステップＡ３）。このステップでは、例えばＮｉ電鋳を行うことで、原盤の導通リングの開口から露出する部分の凹凸パターン上に、Ｎｉ電鋳層を形成する。

図２に、Ｎｉ電鋳を行うための電鋳装置１００を示す。この電鋳装置１００は、メッキ液１０２が入っている電鋳槽１０４と、電鋳槽１０４からオーバーフローしたメッキ液１０２を受けるドレイン槽１０６と、陽極となるＮｉペレット１０８が充填されており電鋳槽１０４からオーバーフローしたメッキ液１０２を受けるアノード室１１０と、原盤を保持する陰極１１２とを備える。

電鋳槽１０４には、メッキ液供給配管１１４によりメッキ液１０２が供給される。電鋳槽１０４からドレイン槽１０６にオーバーフローしたメッキ液１０２は、ドレイン槽配管１１６により回収される。また、電鋳槽１０４からアノード室１１０にオーバーフローしたメッキ液１０２は、アノード室排水管１１８により回収される。

電鋳槽１０４とアノード室１１０とは、隔壁板１２０によって区切られている。電鋳槽１０４側の隔壁板１２０の表面には、電極遮断板１２２が陰極１１２と対向するように固定されている。この電極遮断板１２２は、電鋳物の膜厚が面内で均一になるように、陽極を覆うように形成されている。

以上の構成から成る電鋳装置１００において、陰極１１２に原盤を保持させ、陰極１１２を負電極に接続し、アノード室１１０を正電極に接続して通電することにより、Ｎｉ電鋳物の電鋳が行われる。なお、電鋳の際に電流密度と時間とを制御することにより、Ｎｉ電鋳物の内部応力を低減させることができ、電鋳された後のＮｉ電鋳物の表面の平坦度を高め、かつ、表面粗さを小さくすることが可能である。

図３は、原盤１１の正面図である。原盤１１は、円盤状に形成されており、凹凸パターンが形成されたパターン部１２をその表面に有する。導通リングは円環状に形成されており、円盤状の原盤の外周縁に重ねられる。原盤１１に重ねられた導電通リングは、押さえ治具によって原盤１１に押し付けられて固定される。図３には、導通リングの開口の外縁１３を投影した位置が破線で示されている。導通リングの載置後、原盤１１の、導通リングの開口の外縁１３よりも外周側は導通リングで覆われる。パターン部１２は、導通リングの開口の外縁１３より外側にも存在している。

図４は、原盤１１と導通リング２１の断面図である。原盤１１の厚みは例えば０．６ｍｍ程度であり、導通リング２１の厚みは例えば０．９ｍｍ程度である。導通リング２１の材料には、電鋳装置での使用により錆などの変質を生じない各種金属材料、具体的にはステンレス鋼などが用いられる。図４では図示を省略しているが、原盤１１のパターン部１２の上には、例えば５０ｎｍ程度の厚みで導電体膜が形成されている。電鋳を行うことにより、導通リング２１の開口部分に金属層（電鋳物）２３が形成される。金属層２３の厚みは例えば０．３ｍｍ程度である。なお、本実施形態では、導通治具として内部に開口を有する導通リング２１を用いるが、導通治具は、導電性を有していればよく、必ずしも内部に開口を有するものである必要はない。

図５は、原盤１１上に載置された導通リング２１付近を拡大した断面図である。原盤１１と導通リング２１とは、導通リング２１に形成された固着防止層２２を介して接触する。固着防止層２２の厚みは、導通リング２１と原盤１１との導通をとる観点から、１０ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以下であることが好ましい。図５では、導通リング２１は、原盤１１と対向する側の面の全面に固着防止層２２を有する。固着防止層２２は、原盤１１と対向する側の面の全面に形成されている必要はなく、開口、すなわち原盤１１に重ねられたときに凹凸パターンが存在する方向側の端部から径方向に少なくともあらかじめ定められた距離だけ離れた位置までの間に形成されていればよい。

固着防止層２２は、例えば離型剤から成る。離型剤の例としては、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）やフッ素系離型剤が挙げられる。固着防止層２２に用いられる離型剤は、フッ素系離型剤であることが好ましい。フッ素系離型剤の例としては、下記化学式１で表されるＦＡＳ３、下記化学式２で表されるＦＡＳ１３、下記化学式３で表されるＦＡＳ１７、及びダイキン工業製のオプツールＨＤなどが挙げられる。固着防止層２２の表面は撥水性を有する。撥水性を有するとは、例えば表面の液滴に対する接触角が９０°以上であることを意味する。固着防止層２２の液滴に対する接触角は１２０°以上であることが更に好ましい。

図１に戻り、電鋳後、電鋳処理工程により形成された金属層２３（図４を参照）及び導通リング２１を、原盤１１から分離（剥離）する（ステップＡ４）。その後、導通リング２１から金属層２３を分離する（ステップＡ５）。この金属層２３が、原盤１１のパターンが転写された金属基板（複版）となる。

ここで、比較例として、導通リング２１が固着防止層を有しない場合を考える。図６は、比較例における原盤１１上に載置された導通リング付近の断面図である。比較例では、原盤１１と導通リング２１との間に固着防止層２２（図４及び図５を参照）が存在しない。原盤１１のパターン部１２は、導通リング２１の開口よりも広いため、導通リング２１の内側の一部はパターン部１２の上に載置される。例えば原盤１１と導通リング２１との接触面の長さが７ｍｍのとき、導通リング２１は、その開口から外縁側に３ｍｍまでの位置範囲において、パターン部１２の上に載置される。

本発明者は、上記比較例のように導通リング２１がパターン部１２の上に載置された状態で電鋳を行うと、原盤１１と導通リング２１とが固着することを発見した。この固着の問題は、パターン部１２が導通リング２１の開口よりも狭く、従って導通リング２１が原盤１１の平坦な面の上に載置された場合には生じない。原盤１１と導通リング２１とが固着する理由は、パターン部１２の表面のわずかな凹凸を通じて電鋳液が原盤１１と導通リング２１との間に入り込むためであると考えられる。

図７は、比較例における原盤１１を剥離した後の導通リング２１及び金属層２３の写真である。比較例では、原盤１１と導通リング２１とが固着し、原盤１１を剥離することが困難であった。無理に原盤１１を剥がすと、原盤１１に割れが生じた。原盤１１と導通リング２１との固着力が強い箇所では、図７に示すように、原盤の一部１４が、導通リング２１及び金属層２３から分離できずに、導通リング２１及び金属層２３に残存した。剥離後の原盤１１を観察すると、導通リング２１と接触していたパターン部１２（図３を参照）に変色が見られた。

図８は、比較例における原盤１１の導通リング２１が載置される部分付近の顕微鏡写真である。本発明者は、原盤１１にＳｉ原盤を用い、Ｓｉ原盤への電鋳後、原盤１１の導通リング２１が載置されていた部分付近を、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）により観察した。観察の結果、導通リングの開口の外縁１３（図３も参照）よりも導通リング２１の内部側に電鋳液がしみ出した痕跡が観察された。

また、本発明者は、図８に示す領域Ａ〜領域Ｃについて、ＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy：エネルギー分散型Ｘ線分光法）により、原盤１１表面の組成分析を行った。領域Ａは、導通リングの開口の外縁１３（導通リング２１が載置される部分と導通リング２１がない部分との境界）付近の領域である。領域Ｂは、原盤１１における凹凸パターンがある部分とない部分との境界１６よりも少し内側の領域である。領域Ｃは、凹凸パターンがない平坦部の領域である。

領域Ａからは、ＯとＳｉとＮｉとが検出された。領域Ａにおける各物質の質量濃度は、Ｏが０．２７％、Ｓｉが０．７２％、Ｎｉが９９．０１％であった。これを分子濃度で表すと、Ｏは０．９７％、Ｓｉは１．４９％、Ｎｉは９７．５４％となる。領域Ｂからは、ＯとＳｉとＮｉとが検出された。領域Ｂにおける各物質の質量濃度は、Ｏが３．８７％、Ｓｉが８７．５１％、Ｎｉが８．６１％であった。これを分子濃度で表すと、Ｏは６．９１％、Ｓｉは８８．９１％、Ｎｉは４．１９％となる。領域Ｃからは、ＳｉとＮｉとが検出された。領域Ｃにおける各物質の質量濃度は、Ｓｉが８５．５８％、Ｎｉが１４．４２％であった。これを分子濃度で表すと、Ｓｉは９２．５４％、Ｎｉは７．４６％となる。

通常であれば、原盤１１と導通リング２１との間に隙間はなく、電鋳時に、導通リング２１が載置されていた箇所に電鋳液が侵入することはないため、導通リング２１が載置されていた箇所においてＮｉは検出されない。しかしながら、組成分析の結果、特に導通リングの開口の外縁１３に近い領域Ａにおいて、Ｎｉが高濃度で検出された。Ｎｉが高濃度で検出される理由は、原盤１１の表面に凹凸パターンが存在することによって原盤１１の表面が親水性となり、導通リング２１と接触する凹凸パターンの部分から、原盤１１と導通リング２１との間に電鋳液が入り込むためと推察される。

本実施形態では、導通リング２１の原盤１１と対向する面に固着防止層を形成し、原盤１１と導通リング２１の本体とを固着防止層を介して接触させる。固着防止層が存在することで、原盤１１のパターン部１２の一部に導通リング２１が重なる場合でも、原盤１１と導通リング２１との固着を防ぐことができ、原盤１１を支障なく剥離することができる。特に、固着防止層２２にその表面に撥水性を与える材料を用いることで、原盤１１のパターン部１２と導通リング２１との間に電鋳液がしみ出すことを抑制することができ、原盤１１と導通リング２１との固着を防止できる。

次いで、本発明の第２実施形態を説明する。図９は、本発明の第２実施形態に係る金属基板の製造方法の手順を示す。図１０（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る金属基板の製造過程を示す。第１実施形態では、固着防止層を有する導通リング２１が用いられた。本実施形態では、導通リング２１を載置する工程に先行して、原盤１１の凹凸パターンを有する面の導通リング２１と対向する部分の少なくとも一部に固着防止層を形成する。

本実施形態においても、まず、原盤の凹凸パターンが形成された表面に、導電体膜（導電体層）を形成する（ステップＢ１）。このステップは、図１のステップＡ１と同様である。次いで、図１０（ａ）に示すように、原盤１１の導通リング２１が載置される部分に固着防止層１５を形成する（ステップＢ２）。図１０（ａ）では、導通リングの開口の外縁１３（図２を参照）よりも外側に固着防止層１５を形成しているが、固着防止層１５は、導通リングの開口の外縁１３から径方向にあらかじめ定められた距離だけ離れた位置までの間に形成されていればよい。

固着防止層１５の形成後、図１０（ｂ）に示すように、原盤の凹凸パターンが形成された側の面の上に導通リング２１を載置する（ステップＢ３）。導通リング２１は、原盤１１上の固着防止層１５を介して原盤１１上に載置される。導電リングの載置後、原盤の導通リングの開口から露出する部分に金属層を電鋳により形成する（ステップＢ４）。電鋳により、図１０（ｃ）に示すように、原盤の凹凸パターン上に金属層２３が形成される。

電鋳後、電鋳処理工程により形成された金属層２３及び導通リング２１を、原盤１１から分離（剥離）する（ステップＢ５）。その後、導通リング２１から金属層２３を分離する（ステップＢ６）。この金属層２３が、原盤１１のパターンが転写された金属基板（複版）となる。なお、本実施形態と第１実施形態とを組み合わせることも可能である。すなわち、固着防止層１５を原盤１１の導通リング２１が載置される部分に形成したうえで、固着防止層２２（図４及び図５を参照）を有する導通リング２１を原盤１１上に載置してもよい。

本実施形態では、原盤１１側に固着防止層１５を形成する。この場合も、第１実施形態と同様に、原盤１１のパターン部１２と導通リング２１との間に電鋳液がしみ出すことを防止でき、原盤１１と導通リング２１との固着を防止することができる。

ここで、特許文献２には、非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に導電体層を形成し、その導電体層の上に単分子層を形成し、単分子層が形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させて、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成することが記載されている（例えば請求項４を参照）。しかしながら、特許文献２には導通リングの記載はない。特許文献２では、凹凸パターンを単分子層で覆うのに対し、本実施形態では、原盤１１の導通リング２１が載置される部分の少なくとも一部に固着防止層を形成する。特許文献２には、導通リング２１が載置される部分に凹凸パターンが形成されることは記載されておらず、従って、導通リングと原盤との固着の問題は生じない。

本発明者は、固着防止層２２（図４及び図５を参照）として、ＰＤＭＳ（dimethylpolysiloxane：ジメチルポリシロキサン）を付与した導通リング２１を用いた実験を行った。この実験では、固着防止層１５（図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）を参照）として、ＦＡＳ（フッ化アルキルシラン）１３を形成した原盤１１を用いた。

図１１は、原盤を剥離した後の導通リング２１及び金属層２３を示す。同図に示すように、導通リング２１及び複版である金属層２３と、原盤１１との固着は見られなかった。図１２は、剥離・洗浄後の原盤を示す。同図に示すように、剥離後の原盤１１に損傷は見られなかった。従って、この原盤１１は次の使用が可能である。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の金属基板の製造方法は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

１１：原盤
１２：パターン部
１３：導通リングの開口の外縁
１４：原盤の一部
１５：固着防止層
１６：境界
２１：導通リング
２２：固着防止層
２３：金属層（電鋳物）
１００：電鋳装置
１０２：メッキ液
１０４：電鋳槽
１０６：ドレイン槽
１０８：Ｎｉペレット
１１０：アノード室
１１２：陰極
１１４：メッキ液供給配管
１１６：ドレイン槽配管
１１８：アノード室排水管
１２０：隔壁板
１２２：電極遮断板

Claims (13)

1. 導電性を有する材料から成る導通治具を、表面に凹凸パターンを有する原盤の前記凹凸パターンを有する側の面に、前記原盤と前記導通治具との固着を防止するための固着防止層を介して重ねる工程と、
   前記導通治具が重ねられた前記原盤に電鋳により金属層を形成する電鋳処理工程と、
   前記電鋳処理工程により形成された金属層及び前記導通治具を、前記原盤から剥離する剥離工程とを有する金属基板の製造方法。
2. 前記導通治具は、前記原盤と対向する側の面に前記固着防止層を有している請求項１に記載の金属基板の製造方法。
3. 前記導通治具は、前記原盤と対向する側の面の、前記原盤に重ねられたときに前記凹凸パターンが存在する方向側の端部から少なくともあらかじめ定められた距離だけ離れた位置までの間に前記固着防止層を有する請求項２に記載の金属基板の製造方法。
4. 前記導通治具は、前記原盤と対向する側の面の全面に前記固着防止層を有する請求項２又は３に記載の金属基板の製造方法。
5. 前記導通治具を重ねる工程に先行して、前記原盤の前記凹凸パターンを有する面の前記導通治具と対向する部分の少なくとも一部に前記固着防止層を形成する固着防止層形成工程を有する請求項１から４何れか１項に記載の金属基板の製造方法。
6. 前記原盤は円盤状に形成され、かつ前記導通治具は円環状に形成されている請求項１から５何れか１項に記載の金属基板の製造方法。
7. 前記導通治具は、円盤状の前記原盤の外周縁に重ねられる請求項６に記載の金属基板の製造方法。
8. 前記固着防止層は離型剤から成る請求項１から７何れか１項に記載の金属基板の製造方法。
9. 前記離型剤はフッ素系離型剤である請求項８に記載の金属基板の製造方法。
10. 前記固着防止層の表面は撥水性を有する請求項１から９何れか１項に記載の金属基板の製造方法。
11. 前記固着防止層の表面の液滴に対する接触角は９０°以上である請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
12. 前記原盤は、前記導通治具が重ねられる部分の少なくとも一部に前記凹凸パターンを有する請求項１から１１の何れか１項に記載の金属基板の製造方法。
13. 前記剥離工程に後続して、前記導通治具と前記金属層とを切り離す切離し工程を更に有する請求項１から１２何れか１項に記載の金属基板の製造方法。