JP6194485B2

JP6194485B2 - 半導体光源駆動装置

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Publication number: JP6194485B2
Application number: JP2016093000A
Authority: JP
Inventors: 行天　敬明; 敬明行天; 信次三好
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2015-05-27
Filing date: 2016-05-06
Publication date: 2017-09-13
Anticipated expiration: 2036-05-06
Also published as: JP2016225285A

Description

本開示は、半導体光源に高速パルス幅変調された駆動電流を供給する半導体光源駆動装置に関する。

特許文献１は、温度や電源電圧の変動、素子ばらつきの影響を抑えて一定レベルのパルス電流を出力できるＬＥＤ等の発光素子の駆動回路を開示する。

このＬＥＤ等の発光素子の駆動回路は、スイッチング電源から駆動対象へ供給される電力を断続させるスイッチと、駆動対象に流れた電流を検出し、当該検出結果に応じた検出信号を出力する検出手段と、検出手段から出力される検出信号と目標信号との誤差に応じた誤差信号を生成する誤差信号生成手段とを備える。また、信号保持手段を備えており、この信号保持手段は、スイッチがオンのとき、誤差信号生成手段で生成された誤差信号を平均化し、スイッチがオンからオフへ変化するとき、平均化した誤差信号を保持し、スイッチがオフからオンへ変化するとき、保持した誤差信号の信号レベルを初期レベルとして、誤差信号の平均化を開始する。スイッチがオフのとき、スイッチング電源による駆動対象への電力の供給を停止させ、スイッチがオンのとき、スイッチング電源が駆動対象へ供給する電力を信号保持手段で平均化された誤差信号に応じて制御する。

これにより、温度変化や電源電圧の変動、素子の製造ばらつきの影響を抑えて、一定レベルのパルス電流を出力することができる駆動回路を提供することができる。

特開２００４−１４７４３５号公報

本開示は、電力の効率が高く、高速パルス幅変調が可能で、パルス幅変調のオン時間比を変化させたときに高速に平均電流値が収束し、またパルス幅変調時の平均電流を正確に制御可能な、半導体光源駆動装置を提供する。

本開示の半導体光源駆動装置は、半導体光源と、制御端に供給されるＰＷＭ信号によってオンオフ制御されることにより、半導体光源に流れる電流を制御するスイッチング素子と、半導体光源に流れる電流を検出する電流検出素子と、半導体光源とスイッチング素子と電流検出素子との直列接続に対して電源電圧を供給するスイッチング電源と、ＰＷＭ供給回路と、目標値設定部と、コンパレータと、を備える。ＰＷＭ供給回路は、ＰＷＭ信号及びＰＷＭ信号のオン時間比情報を供給する。目標値設定部は、ＰＷＭ供給回路から供給されるオン時間比情報を目標平均電流値に変換して出力する。コンパレータは、目標値設定部からの目標平均電流値と電流検出素子によって検出された電流値とを比較し、比較出力をスイッチング電源に制御用信号として出力する。

本開示における半導体光源駆動装置は、電力の変換効率が高く、高速パルス幅変調が可能で、パルス幅変調のオン時間比を変化させたときに高速に平均電流値が収束し、パルス幅変調時の平均電流を正確に制御可能な、半導体光源駆動装置を提供するのに有効である。

実施の形態１の半導体光源駆動装置の構成を示す要部ブロック図実施の形態１のスイッチング電源電圧一定の場合の半導体レーザダイオードに流れる電流の波形図実施の形態１で使用される目標値テーブルの特性図実施の形態２の半導体光源駆動装置の構成を示す要部ブロック図実施の形態２で使用される目標値テーブルの特性図実施の形態２の電流ピーク値一定の場合の半導体レーザダイオードに流れる電流の波形図

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。

なお、添付図面および以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために提供されるのであって、これらにより特許請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。

また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

（実施の形態１）
以下、図１〜図３を用いて、実施の形態１を説明する。

［１−１］構成
まず、実施の形態１に係る半導体光源駆動装置１００の構成について、図１を参照しながら説明する。

図１は実施の形態１の半導体光源駆動装置が、投写型映像表示装置に使用された場合の構成を示す要部ブロック図である。図１の破線で囲まれた部分が、本実施の形態の半導体光源駆動装置１００であり、ビデオ処理回路２０１及びＡＰＬ（ＡｖｅｒａｇｅＰｉｃｔｕｒｅＬｅｖｅｌ）回路２０２は投写型映像表示装置内の回路である。ビデオ処理回路２０１からのビデオ信号はＡＰＬ回路２０２に供給され、ＡＰＬ回路２０２はＡＰＬ信号を生成し、半導体光源駆動装置１００のＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７に供給する。半導体光源駆動装置１００は、図１に示すように、スイッチング電源１０１、ＰＷＭモジュレータ１０６、ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７、目標値設定部１０８、コンパレータ１０９及びローパスフィルタ１１０を備える。

スイッチング電源１０１は直流電源電圧を出力し、その両端間には、青色光を発光する複数の半導体レーザダイオード１０２の直列接続と、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）１０３のソース・ドレイン間と、電流検出抵抗１０４とが直列に接続されている。青色光を発光する半導体レーザダイオード１０２は半導体光源の一例、ＦＥＴ１０３はスイッチング素子の一例、電流検出抵抗１０４は電流検出素子の一例である。ＦＥＴ１０３には、ＰチャネルのＭＯＳ−ＦＥＴを用いることができる。

ＦＥＴドライバ１０５は、ＰＷＭモジュレータ１０６から供給されるＰＷＭ（ＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号に従い、ＦＥＴ１０３をオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）駆動する。

ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７は、入力されるＡＰＬ信号をＰＷＭ制御のオン（ＯＮ）時間比（デューティ）情報に変換して出力する。ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７から出力されるオン時間比情報は、ＰＷＭモジュレータ１０６に入力され、そこでオン時間比情報に基づいてＰＷＭ信号が生成される。ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７とＰＷＭモジュレータ１０６はＰＷＭ供給回路の一例である。

ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７から出力されるオン時間比情報は、また、目標値設定部１０８に入力される。目標値設定部１０８は、入力されるオン時間比情報に対応した目標平均電流値が格納された目標値テーブル１０８ａを備え、この目標平均電流値をコンパレータ１０９に出力する。すなわち、目標値設定部１０８は、ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７からのオン時間比情報を目標平均電流値に変換して出力する。

ローパスフィルタ１１０は、電流検出抵抗１０４により検出した半導体レーザダイオード１０２に流れる電流を平均化し、コンパレータ１０９に平均電流値を出力する。

コンパレータ１０９は、目標値設定部１０８からの目標平均電流値と、ローパスフィルタ１１０からの平均電流値とを比較し、比較結果を制御用信号としてスイッチング電源１０１の制御端（不図示）に供給する。これにより、目標値設定部１０８からの目標平均電流値と、ローパスフィルタ１１０からの平均電流値が等しくなるようにスイッチング電源１０１の出力電圧が制御される。

［１−２］動作
以上のように構成された半導体光源駆動装置１００について、その動作を以下説明する。

図１において、半導体レーザダイオード１０２とＦＥＴ１０３と電流検出抵抗１０４は直列に接続され、これら直列接続がスイッチング電源１０１の出力端間に接続される。このように直列接続されているため、電流検出抵抗１０４と半導体レーザダイオード１０２には同じ電流が流れ、その電流波形は、電流検出抵抗１０４の両端で電圧として検出される。

この電流検出抵抗１０４で検出される電流は、ローパスフィルタ１１０のカットオフ周波数が、ＰＷＭ信号の繰り返し周波数に対して１／１０程度に十分小さい場合、ローパスフィルタ１１０によって、リップル成分の少ない平均電流値に変換される。

ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７から目標値設定部１０８に入力されたＰＷＭ制御のオン時間比情報は、目標値設定部１０８によって、そのＰＷＭ制御のオン時間比情報に対応した目標平均電流値に変換される。目標値設定部１０８については、後ほど詳述する。

コンパレータ１０９は、目標値設定部１０８の出力（目標平均電流値）とローパスフィルタ１１０の出力（平均電流値）を比較し、それらが等しくなるようにスイッチング電源１０１の出力電圧を制御する。このような動作により、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流の平均値は、目標値設定部１０８によって定められた、入力されるＰＷＭ制御のオン時間比情報に適応した目標平均電流値に制御される。

ＦＥＴドライバ１０５は、入力されたＰＷＭ信号に従ってＦＥＴ１０３をＯＮ／ＯＦＦ制御して、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流をＰＷＭ制御する。

図２に、スイッチング電源１０１の出力電圧を一定にして、ＰＷＭ制御のオン時間比を変化させた時の半導体レーザダイオード１０２に流れる電流波形の一例を示す。図２において、横軸は時間、縦軸はオン時間比１００％の時の電流値で正規化された電流値を表示している。図２の（ａ）はオン時間比が１００％のとき、図２の（ｂ）はオン時間比が５０％のとき、図２の（ｃ）はオン時間比が２０％のときのそれぞれ半導体レーザダイオード１０２に流れる電流波形を示す。図２の（ｂ）、（ｃ）に示すように、オン時間比が５０％、２０％のとき、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流波形は、実際には矩形波にはならずに鋸状の波形になり、オン時間比を変化させるとその形状及び最大電流値が変化する。そして、オン時間比が小さくなると、最大電流値が減少する。

このような現象は、ＦＥＴ１０３のスイッチング速度の制約による要因は少なく、電流が流れない時間に半導体レーザダイオードのジャンクション部の温度が低下し、半導体レーザダイオードのフォアード電圧が上昇することで発生する。即ち、オン直後はそのフォアード電圧の上昇分を差し引いた電圧が半導体レーザダイオードに印加されることにより電流が流れ、その後、電流が流れることによるフォアード電圧の低下によりなだらかに印加される電圧が上昇し電流値が上昇する。

図３にスイッチング電源１０１の出力電圧を一定にして、オン時間比を変化させたときに半導体レーザダイオード１０２に流れる電流の平均値の特性を示す。図３において、横軸はオン時間比、縦軸は半導体レーザダイオード１０２に流れる電流の平均値を正規化して示している。半導体レーザダイオード１０２に流れる電流波形が理想的な矩形であれば、図３の破線で示すようにオン時間比と平均電流値は比例する。しかしながら、半導体レーザダイオード１０２をスイッチング電源１０１の出力電圧を一定にして駆動したとき、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流は図２に示すように鋸状の波形になり、振幅（最大電流値）も低下するため、平均電流値が低下する。この結果、図３の実線で示す半導体光源駆動時の特性のように、オン時間比が小さくなると、実際の平均電流値は理想的な矩形の電流波形の場合に比べて小さくなる。

例えば、オン時間比が２０％のとき、理想的な矩形の電流波形の場合の平均電流値は０．２であるが、実際の平均電流値は０．１となる。同様に、オン時間比が５０％のとき、理想的な矩形の電流波形の場合の平均電流値は０．５であるが、実際の平均電流値は０．４５となる。

このため、本実施の形態における半導体光源駆動装置１００は、目標値設定部１０８が目標平均電流値を設定するための目標値テーブル１０８ａを、図３の実線で示す実際の半導体光源駆動時の特性曲線を用いて設定している。図３の実線に示す実際の半導体光源駆動時の特性は、スイッチング電源１０１の出力電圧が一定の時の値である。そのため、この特性曲線に基づいて設定された目標平均電流値で半導体レーザダイオード１０２に流れる電流をフィードバック制御すれば、半導体レーザダイオード１０２に流れる平均電流値は、正確に、入力されるＰＷＭ制御のオン時間比に対応して目標値設定部１０８によって設定される目標平均電流値になる。また、これとともにスイッチング電源１０１の出力電圧を、半導体レーザダイオード１０２のフォアード電圧の変化分を除き、ほぼ一定にすることができる。すなわち、スイッチング電源１０１の定常状態では、半導体レーザダイオード１０２のフォアード電圧の変化を補正するためのフィードバックをスイッチング電源１０１に行うことを除けば、コンパレータ１０９からスイッチング電源１０１に供給される制御用信号は一定値になる。

スイッチング電源１０１の出力には、平滑用コンデンサが挿入されるため、その出力電圧値を急激に変化させることができない。スイッチング電源１０１の出力電圧を調整することにより、ＰＷＭ制御の平均電流を一定値に保つような制御を行うと、その出力が安定化するまでに、通常ミリ秒程度の時間が必要になる。これに対し、本開示の半導体光源駆動装置１００によると、スイッチング電源１０１の出力電圧を変化させる必要がないため、非常に高速にプログラムされた電流波形を安定して半導体レーザダイオード１０２に供給することが可能になる。

［１−３］効果
本実施の形態においては、半導体レーザダイオード１０２に流れる平均電流値を電流検出抵抗１０４及びローパスフィルタ１１０により検出している。そして、この平均電流値と、目標値設定部１０８に入力されるＰＷＭ制御のオン時間比に対応した、スイッチング電源１０１の出力電圧が一定となる目標平均電流値との比較をコンパレータ１０９が行い、スイッチング電源１０１を制御する。

これにより、スイッチング電源１０１の出力電圧がＰＷＭ制御のオン時間比によらずほぼ一定となるため、ＰＷＭ制御のオン時間比が変化しても、プログラムされた目標平均電流値に高速に収束する。そして、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流平均値は、フィードバックの効果により安定化される。これにより、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流に依存する半導体レーザダイオード１０２の出力光も、高速に安定化される。

また、ＦＥＴ１０３としてオン抵抗の小さいものを用い、また電流検出抵抗１０４にも抵抗値の小さいものを用いると、これらによる損失を非常に小さくできる。そのため、スイッチング電源１０１の出力のロスを小さくして半導体レーザダイオード１０２に供給することができ、装置全体の効率を高くすることができる。

（実施の形態２）
以下、図４〜図６を用いて、実施の形態２を説明する。

［２−１］構成
まず、実施の形態２に係る半導体光源駆動装置１２０の構成について、図４のブロック図を参照しながら説明する。

図４は、半導体光源駆動装置１２０が、投写型映像表示装置に使用された場合の構成を示す要部ブロック図である。図４の破線で囲まれた部分が、本実施の形態の半導体光源駆動装置１２０である。実施の形態２と実施の形態１との構成の相違点は、実施の形態２では、実施の形態１の目標値設定部１０８とコンパレータ１０９を１つのマイクロコンピュータ１１１で構成した点であり、その他の構成は実施の形態１と同じであるので、その重複説明は省略する。

すなわち、半導体光源駆動装置１２０では、マイクロコンピュータ１１１に、ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７からのオン時間比情報とローパスフィルタ１１０からの平均電流値が入力され、マイクロコンピュータ１１１はそれらに基づいて制御用信号を生成し、スイッチング電源１０１を制御するように構成される。

［２−２］動作
以上のように構成された半導体光源駆動装置１２０について、その動作を以下説明する。

ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路１０７からマイクロコンピュータ１１１にＰＷＭ制御のオン時間比情報が入力される。マイクロコンピュータ１１１は、入力されたオン時間比情報から、そのＰＷＭ制御のオン時間比に対応した目標平均電流値を演算して求める。マイクロコンピュータ１１１は、演算によって求めた目標平均電流値と、ローパスフィルタ１１０からの平均電流値とを比較し、それらが等しくなるようにスイッチング電源１０１を制御する。このような動作により、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流の平均値は、入力されるＰＷＭ制御のオン時間比に対応した値に制御される。ここで、マイクロコンピュータ１１１は、目標平均電流値を求めるために、ＰＷＭ制御のオン時間比と目標平均電流値との対応関係を示す実施の形態１で説明した目標テーブル１０８ａに相当するテーブルを用いることができる。

ＦＥＴ１０３がＰＷＭ信号によってオン／オフ制御された場合の半導体レーザダイオード１０２に流れる電流波形は、実施の形態１で図２を参照して説明した内容と同じである。

スイッチング電源１０１の出力電圧を一定にして、オン時間比を変化させたときの平均電流値の特性も図３と同様であり、マイクロコンピュータ１１１が、入力されたオン時間比から目標平均電流値を算出するのに、図３に示された実際の半導体光源駆動時の特性を使用する。図３に示された実際の半導体光源駆動時の特性は、スイッチング電源１０１の出力電圧が一定の時の値である。そのため、この特性曲線に基づいて設定された目標平均電流値で半導体レーザダイオード１０２に流れる電流をフィードバック制御すれば、半導体レーザダイオード１０２に流れる平均電流値は、正確に、入力されるＰＷＭ制御のオン時間比に対応してマイクロコンピュータ１１１が設定する目標平均電流値になる。また、これとともにスイッチング電源１０１の出力電圧は、半導体レーザダイオード１０２のフォアード電圧特性の変化分を除きほぼ一定にすることができる。

スイッチング電源１０１の出力には、平滑用コンデンサが挿入されるため、その出力電圧値を急激に変化させることができない。スイッチング電源１０１の出力電圧を調整することにより、ＰＷＭ制御の平均電流を一定値に保つような制御を行うと、その出力が安定化するまでに、通常ミリ秒程度の時間が必要になる。これに対し、本開示の半導体光源駆動装置１２０によると、スイッチング電源１０１の出力電圧を変化させる必要がないため、非常に高速にプログラムされた電流波形を安定して半導体レーザダイオード１０２に供給することが可能になる。

また、マイクロコンピュータ１１１が、入力されたオン時間比から目標平均電流値を算出するのに、図３に示すスイッチング電源電圧一定の場合の実際の半導体光源駆動時の特性に代えて、図５に示す電流ピーク値一定の特性を用いることもできる。図５には、比較のため、図３に示すスイッチング電源電圧一定の場合の特性曲線を合わせて表示している。電流ピーク値一定の場合とは、図６に示すように、ＰＷＭ制御のオン時間比にかかわらず、半導体レーザダイオード１０２に流れる最大電流値（ピーク値）が一定になるようにスイッチング電源の出力電圧を制御する場合である。

スイッチング電源電圧一定の特性では、図２に示すように、ＰＷＭ制御のオン時間比が小さくなると、最大電流値が小さくなる傾向にあるが、電流ピーク値一定の特性では、図６に示すように、オン時間比が小さくなっても最大電流値（ピーク値）が一定になるように制御される。そのため、図５に示すように、電流ピーク値一定の場合の平均電流値はスイッチング電源電圧一定の場合よりも大きくなり、理想的な矩形の電流波形の場合の特性に近づく。このような特性を用いると駆動電流が小さくなったときに発生する半導体レーザダイオードの光出力の不安定さを解消できる。

また、電流ピーク値一定の場合の制御とスイッチング電源電圧一定の場合の制御とを組み合わせて用いることもできる。即ち、駆動電流が小さくなったときに発生する半導体レーザダイオードの光出力の不安定さはＰＷＭ制御のオン時間比が小さい場合に発生するので、オン時間比が大きいときはスイッチング電源電圧一定の場合の特性を用い、オン時間比が小さいときは電流ピーク値一定の場合の特性を用いる。例えば、オン時間比が３０％以上ではスイッチング電源電圧一定の場合の特性を用い、オン時間比３０未満では電流ピーク値一定の場合の特性を用いて目標平均電流値を設定する。

［２−３］効果
本実施の形態においては、半導体レーザダイオード１０２に流れる平均電流値を電流検出抵抗１０４及びローパスフィルタ１１０により検出している。そして、マイクロコンピュータ１１１は、この平均電流値と、別途入力されるＰＷＭ制御のオン時間比に基づいて演算して得た目標平均電流値とを比較し、スイッチング電源１０１の出力電圧が一定となる目標平均電流値となるように、スイッチング電源１０１を制御するようにしている。これによって、スイッチング電源１０１の出力電圧がＰＷＭ制御のオン時間比によらずほぼ一定となるため、ＰＷＭ制御のオン時間比が変化しても、プログラムされた目標平均電流値に高速に収束する。また、これとともに、半導体レーザダイオード１０２に流れる平均電流値は、フィードバックの効果により安定化され、流れる電流に依存する半導体レーザダイオード１０２の出力光も、高速に安定化される。

また、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流のピーク値が一定になるように制御すると、半導体レーザダイオード１０２に流れる電流が小さくなった時に発生する、半導体レーザダイオード１０２の光出力の不安定さを解消できる。

（他の実施の形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態１〜２を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態１〜２で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。

そこで、以下、他の実施の形態を例示する。

実施の形態１〜２では、電流検出手段の一例として電流検出抵抗を説明した。電流検出の手段は、電流が検出できればよい。したがって、電流検出手段は、電流検出抵抗に限定されない。ただし、電流検出手段として電流検出抵抗を用いれば、簡単な回路で電流検出することが可能である。また、ホールセンサ型電流検出装置を電流検出手段として用いてもよい。電流検出手段としてホールセンサ型電流検出装置を用いれば、電流検出回路による損失を低減できる。

以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。

したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。

本開示は、半導体光源駆動装置に適用可能である。具体的には、レーザダイオードやＬＥＤの駆動などに適用可能である。

１００，１２０半導体光源駆動装置
１０１スイッチング電源
１０２半導体レーザダイオード
１０３ＦＥＴ
１０４電流検出抵抗
１０５ＦＥＴドライバ
１０６ＰＷＭモジュレータ
１０７ＡＰＬ／ＰＷＭ変換回路
１０８目標値設定部
１０９コンパレータ
１１０ローパスフィルタ
１１１マイクロコンピュータ
２０１ビデオ処理回路
２０２ＡＰＬ回路

Claims

半導体光源と、
制御端に供給されるＰＷＭ信号によってオンオフ制御されることにより、前記半導体光源に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
前記半導体光源に流れる電流を検出する電流検出素子と、
前記半導体光源と前記スイッチング素子と前記電流検出素子との直列接続に対して電源電圧を供給するスイッチング電源と、
前記ＰＷＭ信号及び前記ＰＷＭ信号のオン時間比情報を供給するＰＷＭ供給回路と、
前記ＰＷＭ供給回路から供給される前記オン時間比情報を目標平均電流値に変換して出力する目標値設定部と、
前記目標値設定部からの目標平均電流値と前記電流検出素子によって検出された平均電流値とを比較し、比較出力を前記スイッチング電源に制御用信号として出力するコンパレータと、を備え、
前記目標平均電流値は、前記ＰＷＭ信号の前記オン時間比情報を変化させたときに得られる前記半導体光源に流れる電流値であり、
前記目標値設定部は、前記オン時間比情報に対応した前記目標平均電流値が格納された目標値テーブルを備える、半導体光源駆動装置。
前記目標値設定部と前記コンパレータが１つのマイクロコンピュータによって構成される、請求項１に記載の半導体光源駆動装置。
前記目標平均電流値は、前記スイッチング電源の電源電圧が一定の場合の前記オン時間比情報と前記平均電流値との関係に基づいて設定される、請求項１又は２に記載の半導体光源駆動装置。
前記目標平均電流値は、前記半導体光源に流れる電流のピーク値が一定の場合の前記オン時間比情報と前記平均電流値との関係に基づいて設定される、請求項１又は２に記載の半導体光源駆動装置。
所定のオン時間比以上の前記オン時間比情報に対応する前記目標平均電流値は、前記スイッチング電源の電源電圧が一定の場合の前記オン時間比情報と前記平均電流値との関係に基づいて設定され、
前記所定のオン時間比未満の前記オン時間比情報に対応する前記目標平均電流値は、前記半導体光源に流れる電流のピーク値が一定の場合の前記オン時間比情報と前記平均電流値との関係に基づいて設定される、請求項１又は２に記載の半導体光源駆動装置。