JP6182903B2 - セラミック回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のセラミックス回路基板の製造方法は、銅または銅合金からなる第1の金属基板とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第2の金属基板とを同時にろう材を用いて窒化物であるセラミックス基板に接合するセラミックス回路基板の製造方法であって、平均粒子径(d50)が0.1〜5μmの水素化チタン粒子を0.2〜5.0質量%と、平均粒子径(d50)が10〜5000nmの銀粒子を含むろう材ペーストを準備し、当該ろう材ペーストを前記セラミックス基板の一面に塗布する第1の塗布工程と、前記ろう材ペーストを前記セラミックス基板の他面に塗布する第2の塗布工程と、前記セラミックス基板の一面において、塗布された前記ろう材ペーストを介して前記第1の金属基板を、前記セラミックス基板の他面において、塗布された前記ろう材ペーストを介して前記第2の金属基板を、それぞれ載置する載置工程と、前記載置工程の後に、前記セラミックス基板、前記ろう材ペースト、前記第1の金属基板、及び前記第2の金属基板を、前記第2の金属基板の融点未満の温度で同時に真空雰囲気下において加熱し、その後冷却することによって前記セラミックス基板に前記第1の金属基板及び前記第2の金属基板を接合する接合工程と、を具備することを特徴とする。
本発明のセラミックス回路基板の製造方法は、前記接合工程において、前記セラミックス基板、前記ろう材ペースト、前記第1の金属基板、及び前記第2の金属基板を、300〜600℃の温度に加熱する、ことを特徴とする。
本発明のセラミックス回路基板の製造方法は、銅または銅合金からなる第1の金属基板とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第2の金属基板とを同時にろう材を用いて窒化物であるセラミックス基板に接合するセラミックス回路基板の製造方法であって、平均粒子径(d50)が0.1〜20μmの水素化チタン粒子を0.2〜5.0質量%と、平均粒子径(d50)が10〜5000nmの銀粒子を含むろう材ペーストを準備し、当該ろう材ペーストを前記セラミックス基板の一面に塗布する第1の塗布工程と、前記ろう材ペーストを前記セラミックス基板の他面に塗布する第2の塗布工程と、前記セラミックス基板の一面において、塗布された前記ろう材ペーストを介して前記第1の金属基板を、前記セラミックス基板の他面において、塗布された前記ろう材ペーストを介して前記第2の金属基板を、それぞれ載置する載置工程と、前記載置工程の後に、前記セラミックス基板、前記ろう材ペースト、前記第1の金属基板、及び前記第2の金属基板を、前記第2の金属基板の融点未満の温度で同時に真空雰囲気下において300〜600℃の温度で加熱し、その後冷却することによって前記セラミックス基板に前記第1の金属基板及び前記第2の金属基板を接合する接合工程と、を具備することを特徴とする。
本発明のセラミックス回路基板の製造方法において、前記ろう材ペーストは、前記水素化チタン粒子と前記銀粒子との混合粉末100質量部に対し、メタクリル系樹脂を2〜10質量部、有機溶剤を1〜8質量部含む、ことを特徴とする。
本発明のセラミックス回路基板の製造方法は、窒化珪素粉末、酸化マグネシウム粉末、及び酸化イットリウム粉末を混合、成形、焼成することによって前記セラミックス基板を製造することを特徴とする。
図1に示された構成の回路基板を、図2に示した手順で製造した。ここで、各実施例、比較例において用いられたセラミックス基板(厚さt1)は窒化珪素質セラミックスで構成されており、窒化珪素粉末96質量%、酸化マグネシウム粉末3質量%、酸化イットリウム粉末3質量%の原料を混合、成形、焼成して得たものを用いた。図2におけるセラミックス基板11の外形寸法は100mm×80mm、金属回路板12(第1の金属基板:厚さt2)はCu(無酸素銅)で構成され、放熱板13(第2の金属基板:厚さt3)はAl(純Al)で構成され、金属回路板(第1の金属基板)、放熱板(第2の金属基板)共に外形寸法は99mm×79mmである。
11 セラミックス基板
12 金属回路板(第1の金属基板)
13 放熱板(第2の金属基板)
14 接合層
16 ろう材ペースト
141 第1の接合層(接合層)
142 第2の接合層(接合層)
20、21 フォトレジスト層
Claims (5)
- 銅または銅合金からなる第1の金属基板とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第2の金属基板とを同時にろう材を用いて窒化物であるセラミックス基板に接合するセラミックス回路基板の製造方法であって、
平均粒子径(d50)が0.1〜5μmの水素化チタン粒子を0.2〜5.0質量%と、平均粒子径(d50)が10〜5000nmの銀粒子を含むろう材ペーストを準備し、当該ろう材ペーストを前記セラミックス基板の一面に塗布する第1の塗布工程と、
前記ろう材ペーストを前記セラミックス基板の他面に塗布する第2の塗布工程と、
前記セラミックス基板の一面において、塗布された前記ろう材ペーストを介して前記第1の金属基板を、前記セラミックス基板の他面において、塗布された前記ろう材ペーストを介して前記第2の金属基板を、それぞれ載置する載置工程と、
前記載置工程の後に、前記セラミックス基板、前記ろう材ペースト、前記第1の金属基板、及び前記第2の金属基板を、前記第2の金属基板の融点未満の温度で同時に真空雰囲気下において加熱し、その後冷却することによって前記セラミックス基板に前記第1の金属基板及び前記第2の金属基板を接合する接合工程と、
を具備するセラミックス回路基板の製造方法。 - 前記接合工程において、前記セラミックス基板、前記ろう材ペースト、前記第1の金属基板、及び前記第2の金属基板を、300〜600℃の温度に加熱する、
ことを特徴とする請求項1に記載のセラミックス回路基板の製造方法。 - 銅または銅合金からなる第1の金属基板とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第2の金属基板とを同時にろう材を用いて窒化物であるセラミックス基板に接合するセラミックス回路基板の製造方法であって、
平均粒子径(d50)が0.1〜20μmの水素化チタン粒子を0.2〜5.0質量%と、平均粒子径(d50)が10〜5000nmの銀粒子を含むろう材ペーストを準備し、当該ろう材ペーストを前記セラミックス基板の一面に塗布する第1の塗布工程と、
前記ろう材ペーストを前記セラミックス基板の他面に塗布する第2の塗布工程と、
前記セラミックス基板の一面において、塗布された前記ろう材ペーストを介して前記第1の金属基板を、前記セラミックス基板の他面において、塗布された前記ろう材ペーストを介して前記第2の金属基板を、それぞれ載置する載置工程と、
前記載置工程の後に、前記セラミックス基板、前記ろう材ペースト、前記第1の金属基板、及び前記第2の金属基板を、前記第2の金属基板の融点未満の温度で同時に真空雰囲気下において300〜600℃の温度で加熱し、その後冷却することによって前記セラミックス基板に前記第1の金属基板及び前記第2の金属基板を接合する接合工程と、
を具備するセラミックス回路基板の製造方法。 - 前記ろう材ペーストは、前記水素化チタン粒子と前記銀粒子との混合粉末100質量部に対し、メタクリル系樹脂を2〜10質量部、有機溶剤を1〜8質量部含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のセラミックス回路基板の製造方法。 - 窒化珪素粉末、酸化マグネシウム粉末、及び酸化イットリウム粉末を混合、成形、焼成することによって前記セラミックス基板を製造することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
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