JP6181963B2 - 電子放出素子 - Google Patents
電子放出素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6181963B2 JP6181963B2 JP2013089819A JP2013089819A JP6181963B2 JP 6181963 B2 JP6181963 B2 JP 6181963B2 JP 2013089819 A JP2013089819 A JP 2013089819A JP 2013089819 A JP2013089819 A JP 2013089819A JP 6181963 B2 JP6181963 B2 JP 6181963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- emitting device
- electrode
- electrons
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 79
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 44
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H5/00—Direct voltage accelerators; Accelerators using single pulses
- H05H5/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/312—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field perpendicular to the surface, e.g. tunnel-effect cathodes of metal-insulator-metal [MIM] type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
以下、実施形態1に係る電子放出素子10について、図1〜3を参照しながら説明する。電子放出素子10は、電源部である電源20とともに本発明の一態様に係る電子放出装置1を構成する。電子放出素子10は、下部電極と表面電極との間に、電源20から供給される電圧を印加することによって、下部電極と表面電極との間において電子を加速させて、表面電極から電子を放出させる電子放出素子である。
図1は、電子放出素子10の構成の概略を示す図である。図1の(a)は、電子放出素子10の断面図であり、より詳細には、表面電極13を構成する単位電極の長手方向と平行であって、単位電極の1つである単位電極13aを通る直線における断面図である。図1の(b)は、下部電極12および表面電極13の構成を示すための上面図である。なお、図1の(b)において、電子加速層14は図示していない。
基板11は、電子放出素子10を支持する支持体としての働きを有する。また、下部電極12は、基板11における一方の表面上に形成される。したがって、基板11は、(i)強度がある程度高いこと、(ii)じかに接する物質との密着性が良好なこと、(iii)抵抗率が高いこと、が要求される。基板11は、上記の条件を満たした上で、加工の容易さ、耐久性、コストなどを考慮して適宜選択すればよい。基板11の具体例として、樹脂基板、ガラス基板、シリコン基板などが挙げられる。
下部電極12は、表面電極13と対になり電圧を印加されることによって、電子加速層14の内部に高電界を形成するものである。図1の(a)および(b)に示すように、下部電極12は、規則的に配置されている6つの単位電極12a〜12fからなるストライプ状の電極である。本実施形態において、単位電極12a〜12fのそれぞれは、長方形である。また、単位電極12a〜12fのそれぞれは、基板11の表面上に、互いに平行に配置されている。より詳しくは、各単位電極12a〜12fの形状は、電子放出素子10の上面図(図1の(b))における上下方向を長手方向とする長方形である。下部電極12が単位電極12a〜12fからなるストライプ状の電極であることによって、電子放出素子10内に、効率よく(無駄なく)各単位電極12a〜12fを配置することが可能である。したがって、限られた電子放出素子10の面積を有効利用し、可能な限り広い領域から電子を放出することを可能とする。
下部電極ドライバ18は、6つの単位電極12a〜12fの中から、電圧を印加する1つの単位電極を順次選択する電極選択部である。下部電極ドライバ18は、電源20のプラス端子から電圧を供給されている。図1の(b)は、下部電極ドライバ18が電圧を印加する1つの単位電極として単位電極12eを選択している様子を示している。
表面電極13は、下部電極12と対になり電子加速層14内に電圧を印加するための電極である。図1の(a)および(b)に示すように、表面電極13は、規則的に配置されている6つの単位電極13a〜13fからなるストライプ状の電極である。本実施形態において、単位電極13a〜13fのそれぞれは、長方形であり、平行に配置されている。より詳しくは、各単位電極13a〜13fの形状は、電子放出素子10の上面図(図1の(b))における左右方向を長手方向とする長方形である。表面電極13が単位電極13a〜13fからなるストライプ状の電極であることによって、電子放出素子10内に、効率よく(無駄なく)各単位電極13a〜13fを配置することが可能である。したがって、限られた電子放出素子10の面積を有効利用し、可能な限り広い領域から電子を放出することを可能とする。
表面電極ドライバ19は、6つの単位電極13a〜13fの中から、電圧を印加する1つの単位電極を順次選択する電極選択部である。表面電極ドライバ19は、電源20のマイナス端子から電圧を供給されている。図1の(b)は、下部電極ドライバ18が電圧を印加する1つの単位電極として単位電極12eを選択し、表面電極ドライバ19が電圧を印加する1つの単位電極として単位電極13aを選択している様子を示している。すなわち、単位電極12eと単位電極13aとが重畳する(交差する)領域Reaにおいてのみ、電子加速層14の内部には高電界が形成されている。したがって、上記の状態においては、領域Reaからのみ電子が放出される。
電子加速層14は、少なくとも絶縁体物質によって構成されるものである。電子加速層14は、その抵抗率を制御するために、絶縁体物質の中に、導電体微粒子を分散させることによって構成されていてもよい。本実施形態において、電子加速層14は、単分散の絶縁体微粒子15が整列して充填した層、すなわち絶縁体微粒子層からなる(図1の(a)参照)。また、電子加速層14の中には、導電体微粒子16を分散している。
図2は、電子放出素子10における、下部電極12が備えている単位電極12a〜12f、および、表面電極13が備えている単位電極13a〜13fの配置を示す上面図である。なお、図2には図示していないが、単位電極12a〜12fのそれぞれは、下部電極ドライバ18に接続されており、単位電極13a〜13fのそれぞれは、表面電極ドライバ19に接続されている。図3は、電子放出素子10を駆動する際の流れを表す図である。以下に、電子放出素子10を駆動する工程について、図3を参照しながら説明する。
上述の通り、電子放出素子10は、領域Raa〜領域Rffの各領域から、等しい時間づつ電子を放出するものである。すなわち、電子を放出する領域は、下部電極ドライバ18および表面電極ドライバ19が選択する各単位電極に応じて、一定の時間ごとに順次移動する。
以下、実施形態2に係る電子放出素子30について、図4を参照しながら説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。図4は、電子放出素子30の構成の概略を示す上面図である。
以下、実施形態3に係る電子放出素子40について、図5を参照しながら説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。図5は、電子放出素子40の構成の概略を示す図であり、(a)は断面図であり、(b)は上面図である。
(帯電装置50)
図6に、実施形態1において説明した電子放出素子10を備えている帯電装置の一例を示す。図6は、実施形態4に係る帯電装置50の構成の概略を示す図である。帯電装置50は、電子放出素子10と、これに電圧を印加するための電源20とを備える電子放出装置1と、感光体ドラム51とからなる。本発明に係る画像形成装置は、この帯電装置50を備えている。
(電子線硬化装置60)
図7に、実施形態1において説明した電子放出素子10を備えた電子線硬化装置の一例を示す。図7は、実施形態5に係る電子線硬化装置60の構成の概略を示す図である。電子線硬化装置60は、電子放出素子10と、これに電圧を印加する電源20と、を備えている電子放出装置1と、放出された電子を加速させる加速電極61とを備えている。
本発明の態様1に係る電子放出素子(30)は、下部電極(12)と表面電極(33)とを備え、下部電極(12)と表面電極(33)との間に電圧を印加することによって、下部電極(12)と表面電極(33)との間において電子を加速させて、表面電極(12)から電子を放出させる電子放出素子であって、下部電極(12)と表面電極(33)との間には、少なくとも絶縁体物質(絶縁体微粒子15または樹脂)からなる電子加速層(14または44)が設けられており、下部電極(12)および表面電極(33)のうち少なくとも一方の電極(下部電極12)は、規則的に配置されている複数の単位電極(12a〜12f)からなるストライプ状の電極であり、さらに、複数の単位電極(12a〜12f)から電圧を印加する単位電極を順次選択する電極選択部(18)を備えている。
10、30、40 電子放出素子
11 基板
12 下部電極
12a〜12f 単位電極
13、33 表面電極
13a〜13f 単位電極
14、44 電子加速層
15 絶縁体微粒子
16 導電体微粒子
18 下部電極ドライバ
19 表面電極ドライバ
20 電源
Claims (3)
- 下部電極と表面電極とを備え、当該下部電極と表面電極との間に電圧を印加することによって、当該下部電極と表面電極との間において電子を加速させて、当該表面電極から当該電子を放出させる電子放出素子であって、
上記下部電極と上記表面電極との間には、少なくとも絶縁体物質からなる電子加速層が設けられており、
上記下部電極および上記表面電極のうち少なくとも一方の電極は、規則的に配置されている複数の単位電極からなるストライプ状の電極であり、さらに、
上記複数の単位電極から電圧を印加する単位電極を順次選択する電極選択部を備え、
上記下部電極は、規則的に配置されている複数の単位電極からなるストライプ状の電極であり、
上記表面電極は、上記下部電極を覆う1つの薄膜電極からなることを特徴とする電子放出素子。 - 上記電子加速層は、少なくとも絶縁体微粒子からなることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
- 上記電子加速層は、少なくとも導電体微粒子を含む樹脂層からなることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013089819A JP6181963B2 (ja) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | 電子放出素子 |
US14/253,902 US9307627B2 (en) | 2013-04-22 | 2014-04-16 | Electron emitting device with electron acceleration layer containing conductive microparticles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013089819A JP6181963B2 (ja) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | 電子放出素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014216063A JP2014216063A (ja) | 2014-11-17 |
JP6181963B2 true JP6181963B2 (ja) | 2017-08-16 |
Family
ID=51728487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013089819A Active JP6181963B2 (ja) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | 電子放出素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9307627B2 (ja) |
JP (1) | JP6181963B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7010577B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2022-01-26 | シャープ株式会社 | 電子放出装置、帯電装置および画像形成装置 |
JP6655136B2 (ja) * | 2018-08-08 | 2020-02-26 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、画像形成装置、および大気中分子のイオン化装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3311075B2 (ja) * | 1993-04-05 | 2002-08-05 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置及びその駆動方法 |
US6426595B1 (en) * | 1999-02-08 | 2002-07-30 | Sony Corporation | Flat display apparatus |
US6791278B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-09-14 | Sony Corporation | Field emission display using line cathode structure |
JP3937907B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2007-06-27 | ソニー株式会社 | 冷陰極電界電子放出表示装置 |
JP4644148B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-03-02 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
JP5004484B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-08-22 | 日本碍子株式会社 | 誘電体デバイス |
JP4303308B2 (ja) | 2007-11-20 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 |
JP4932873B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2012-05-16 | シャープ株式会社 | 自発光素子、自発光装置、画像表示装置、自発光素子駆動方法、および自発光素子の製造方法 |
JP4732533B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2011-07-27 | シャープ株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 |
-
2013
- 2013-04-22 JP JP2013089819A patent/JP6181963B2/ja active Active
-
2014
- 2014-04-16 US US14/253,902 patent/US9307627B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9307627B2 (en) | 2016-04-05 |
US20140312763A1 (en) | 2014-10-23 |
JP2014216063A (ja) | 2014-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8860293B2 (en) | Electron emitting element and method for producing the same | |
JP5033892B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 | |
US5821680A (en) | Multi-layer carbon-based coatings for field emission | |
US10832885B2 (en) | Electron transparent membrane for cold cathode devices | |
US20180247784A1 (en) | Compact ion beam sources formed as modular ionizer | |
JP6181963B2 (ja) | 電子放出素子 | |
JP5783798B2 (ja) | 電子放出素子およびそれを備えた装置 | |
JP5784354B2 (ja) | 電子放出素子およびそれを備えた電子放出装置 | |
US6956333B2 (en) | Hot electron emission array for e-beam photolithography and display screens | |
Choi et al. | Optimization of electron beam focusing for gated carbon nanotube field emitter arrays | |
WO1998045868A1 (fr) | Dispositif emetteur d'electrons et procede de fabrication associe | |
JP6008594B2 (ja) | 電子放出素子およびそれを備えた装置 | |
JP5860412B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法、電子放出素子の修復方法 | |
JP3387005B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
CN115299182A (zh) | 利用电子束的极紫外线光源装置 | |
Xiao et al. | Boosting the electron beam transmittance of field emission cathode using a self-charging gate | |
JP5795330B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、および電子放出素子の製造方法 | |
US20200161071A1 (en) | A field emission cathode structure for a field emission arrangement | |
EP4401513A1 (en) | Electron beam-based extreme ultraviolet light source device | |
KR20240076128A (ko) | 전자빔 기반 극자외선 광원 장치 | |
JP3486131B2 (ja) | 電子放出素子およびその製造方法 | |
JP6422748B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、およびイオン流発生装置 | |
TW202244970A (zh) | 閘化場發射陰極裝置能量調諧器及相關方法 | |
JP2024536746A (ja) | 電子ビームベースの極紫外線光源装置 | |
JP2024531679A (ja) | 電子ビームおよび液滴ベースの極紫外線光源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170721 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6181963 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |