JP6167067B2 - データ記憶装置及び画像処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、データ記憶装置及びこれを備えた画像処理装置に関し、特に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーにデータを記憶する技術に関する。

近年、複写機、スキャナー、及び複合機等の画像処理装置において、画像データ等の各種データを記憶するためのデータ記憶装置として、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）に代わり、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）の利用が普及してきている。

ＳＳＤは、ＨＤＤに比して振動や衝撃に強く、また高速アクセスが可能というメリットがある。その反面、ＳＳＤは、ＨＤＤに比してビット単価が高いというデメリットがある。また、ＳＳＤは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを備えた構成であるため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを構成するセルの特性上、データの書き換え回数に制限があるというデメリットがある。このため、画像処理装置が寿命に達する前に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが書き換えの寿命を迎えると、ＳＳＤを利用できなくなり、画像処理装置の使用が不可能になる虞がある。

そこで、ＳＳＤを備えた画像処理装置の製品寿命を延ばすために、ＳＳＤが備えるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの記憶容量を増大することが考えられる。しかし、この場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーのビット単価は高価であるので、製品価格が高くなってしまう。

そこで、他の方法として、例えば下記特許文献１に記載のように、ＮＡＮＤフラッシュデバイス（ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー）のブロックのうち、書き込み回数が制限数に達した不良ブロックが所定数に達すると、画像処理条件や印刷速度を変更する等して、書き込む対象のデータのデータ量を低減することにより、ＮＡＮＤフラッシュデバイスの寿命を延ばすことが考えられる。

特開２００９−５５４５７号公報

しかし、上記特許文献１に記載の技術では、ＮＡＮＤフラッシュデバイスの寿命が訪れるまでの時間を延長できるものの、ＮＡＮＤフラッシュデバイスへのデータの書き込みは継続されるため、何れＮＡＮＤフラッシュデバイスは寿命を迎えることとなる。そして、ＮＡＮＤフラッシュデバイスが寿命を迎えた場合には、ＮＡＮＤフラッシュデバイスへのデータの書き換えを必要とする機能を実行しようとしたユーザーは、突然当該機能が実行できなくなるので、煩わしさを感じる虞があった。その上、ユーザーは、当該機能を再実行するためには、ＮＡＮＤフラッシュデバイスを交換したり、他の画像処理装置を利用する等の対処をとらなければならければならないので、更に煩わしさを感じる虞があった。

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた場合であっても、ユーザーにとって利便性の良いデータ記憶装置及びこれを備えた画像処理装置を提供することを目的とする。

本発明によるデータ記憶装置は、データを正常に書き換え可能な回数が予め定められた制限回数を超えると不良状態になる複数の記憶素子を備えたＮＡＮＤメモリーと、正常状態の前記記憶素子に記憶可能なデータの総量である前記ＮＡＮＤメモリーの実記憶容量が予め定められた規定容量未満である場合は、前記ＮＡＮＤメモリーに備えられた全ての前記記憶素子へのデータの書き換えを禁止するＮＡＮＤコントローラーと、前記ＮＡＮＤコントローラーにより前記全ての前記記憶素子へのデータの書き換えが禁止された場合、前記規定容量を予め定められた補正量減少した量に変更する補正部と、前記補正部による前記規定容量の変更が行われた場合、前記ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた旨の警告を報知する警告報知部と、を備え、前記ＮＡＮＤコントローラーは、前記正常状態の前記記憶素子を示す正常記憶素子情報を出力可能であり、前記ＮＡＮＤメモリーへのデータの書き換え指示を受け付ける指示受付部と、前記指示受付部により前記書き換え指示が受け付けられた場合、前記正常記憶素子情報が示す前記正常状態の前記記憶素子を用いて前記書き換え指示が示すデータの書き換えを行ったと仮定したときに、前記実記憶容量が前記規定容量未満になるときは、前記書き換え対象のデータの書き換えを前記ＮＡＮＤコントローラーに行わせず、前記警告を前記警告報知部に報知させる記憶制御部と、を更に備える。

本構成によれば、ＮＡＮＤメモリーの実記憶容量が規定容量未満になり、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えたと考えられる状態になると、ＮＡＮＤコントローラーは、ＮＡＮＤメモリーの全ての記憶素子へのデータの書き換えを禁止する。しかし、このとき、補正部は、規定容量を所定の補正量分減少させ、警告報知部は、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた旨の警告を報知する。

これにより、ＮＡＮＤメモリーの実記憶容量を補正部が減少させた規定容量以上にすることができ、ＮＡＮＤコントローラーによるＮＡＮＤメモリーの各記憶素子へのデータの書き換えを再び行わせることができる。その結果、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた場合であっても、ＮＡＮＤメモリーの全ての記憶素子へのデータの書き換えが突然禁止されることの煩わしさをユーザーに感じさせる虞を軽減することができ、ユーザーの利便性を向上することができる。

また、補正部が規定容量を変更することにより、ＮＡＮＤメモリーの全ての記憶素子へのデータの書き換えが禁止されなくなった状態で、ユーザーは、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた旨の警告に気づくことができる。これにより、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた場合であっても、ＮＡＮＤメモリーの全ての記憶素子へのデータの書き換えが禁止される事前に、ＮＡＮＤメモリーを交換する等の対処を行うための時間的猶予をユーザーに与えることができ、ユーザーの利便性を向上することができる。

この構成によれば、ＮＡＮＤメモリーへのデータの書き換えが指示された場合、当該データの書き換えを行ったと仮定したときに実記憶容量が規定容量未満になるときは、当該データの書き換えを行わせず、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた旨の警告を報知する。

このため、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えるようなデータの書き換え指示がされた場合に、当該データの書き換えを行うことによってＮＡＮＤメモリーが寿命を迎える状態になることを抑止することができ、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えないような少量のデータの書き換えが可能なうちに、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えたことをユーザーへ報知することができる。これにより、ユーザーに、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えないような少量のデータの書き換え指示をさせる猶予を与えつつ、早期にＮＡＮＤメモリーを交換する等の対処をとらせることができる。

また、情報を表示する表示部と、前記規定容量を前記表示部に表示させる表示制御部と、を更に備えることが好ましい。

この構成によれば、ユーザーは、表示部を視認することで、規定容量を容易に把握することができる。このため、ＮＡＮＤメモリーの使用開始当初から警告が報知されるまでの間、ユーザーは、表示部に表示された規定容量を視認することで、当該規定容量のデータの書き換えが可能なＮＡＮＤメモリーを利用していることを認識することができる。その後、ＮＡＮＤメモリーへのデータの書き換えを繰り返し、規定容量が減少された場合、ユーザーは、表示部に表示された、ＮＡＮＤメモリーの使用開始当初よりも少ない規定容量を視認することで、ＮＡＮＤメモリーへ書き換え可能なデータ量が減少していることに気付きやすくなる。これにより、ユーザーは、ＮＡＮＤメモリーを交換する等の対処を取りやすくなる。

また、前記ＮＡＮＤコントローラーは、各前記記憶素子におけるデータの書き換え回数を均一にするウェアレベリング機能を有することが好ましい。

この構成によれば、データを書き換える対象の記憶素子が特定の記憶素子に偏る虞が軽減される。これにより、当該特定の記憶素子へのデータの書き換え回数が急速に増大し、不良状態になる記憶素子の数が急速に増大する虞を軽減することができる。その結果、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えるまでに要する時間を増大することができる。

また、本発明による画像処理装置は、前記データ記憶装置と、前記ＮＡＮＤメモリーに記憶された画像を表すデータを用いて所定の処理を行う画像処理部と、を備える。

この構成によれば、前記データ記憶装置を備えているので、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた場合であっても、ＮＡＮＤメモリーの全ての記憶素子へのデータの書き換えが突然禁止され、画像処理部に所定の処理を行わせられなくなることの煩わしさをユーザーに感じさせる虞を軽減することができる。また、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた場合であっても、ＮＡＮＤメモリーの全ての記憶素子へのデータの書き換えが禁止され、画像処理部に所定の処理を行わせられなくなる事前に、ＮＡＮＤメモリーを交換する等の対処を行うための時間的猶予をユーザーに与えることができ、ユーザーの利便性を向上することができる。

この発明によれば、ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた場合であっても、ユーザーにとって利便性の良いデータ記憶装置及びこれを備えた画像処理装置を提供することができる。

本発明に係る画像処理装置の一実施形態に係る複写機の電気的構成を示すブロック図である。 ＮＡＮＤメモリーの総記憶容量と規定容量と実記憶容量の一例を示す図である。 ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えたときの総記憶容量と規定容量と実記憶容量の一例を示す図である。 補正部による規定容量変更後のＮＡＮＤメモリーの総記憶容量と規定容量と実記憶容量の一例を示す図である。 ＮＡＮＤメモリーへのデータの書き換えの動作を示すフローチャートである。 変形実施形態における、ＮＡＮＤメモリーへのデータの書き換えの動作を示すフローチャートである。 正常記憶素子情報が示す正常状態のブロックを用いてデータの書き換えを行ったと仮定したときのＮＡＮＤメモリーの総記憶容量と規定容量と実記憶容量の一例を示す図である。 （Ａ）は、補正部による規定容量の変更が行われていない場合に、表示制御部により規定容量が表示された表示部の一例を示す図であり、（Ｂ）は、補正部による規定容量の変更が行われた後に、表示制御部により変更後の規定容量が表示された表示部の一例を示す図である。

以下、本発明に係るデータ記憶装置及びこれを備えた画像処理装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。尚、本実施形態では、画像処理装置として複写機を例に説明するが、これに限定する趣旨ではなく、画像処理装置は、例えば、プリンター、ファクシミリ装置、スキャナー、又は、複合機であってもよい。

図１は、本発明に係る画像処理装置の一実施形態に係る複写機１の電気的構成を示すブロック図である。例えば、図１に示すように、複写機１は、画像読取部２１と、画像形成部２２（画像処理部）と、操作部２３と、ＳＳＤ２４と、制御部１０と、を備えている。尚、ＳＳＤ２４及び制御部１０は、本発明に係るデータ記憶装置の一実施形態を構成する。

画像読取部２１は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）ラインセンサーや露光ランプ等を有する不図示の光学系ユニットを備えている。光学系ユニットは、制御部１０による制御の下、不図示の原稿台に載置された原稿の画像を走査しつつ取得した画像データを制御部１０へ出力する。尚、制御部１０は、当該入力された画像データを後述のＮＡＮＤコントローラー２４２によって、ＮＡＮＤメモリー２４１に記憶させる。

画像形成部２２は、制御部１０による制御の下、ＮＡＮＤメモリー２４１から読み出された画像データに基づいて、用紙に画像を形成する画像形成処理（所定の処理）を行う。具体的には、画像形成部２２は、感光体ドラム、感光体ドラムの周面に対向して配設された帯電部、帯電部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設された露光部、露光部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設された現像部、現像部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設されたクリーニング部等を備えた周知の構成を有する。

操作部２３は、情報を表示するための表示部２３１と、ユーザーによって各種指示の操作を行わせるための操作キー部２３２と、を備えている。表示部２３１は、例えばタッチパネル機能を有する液晶ディスプレイ等であり、各種情報を表示する。操作キー部２３２は、例えば、コピー機能等の機能の実行開始を指示するためのスタートキーや、数値や記号を入力するためのテンキー等の各種キーを含む。

ＳＳＤ２４は、ＳＳＤ２４の製品仕様により定められた規定容量のデータを記憶可能な記憶装置である。具体的には、ＳＳＤ２４は、ＮＡＮＤメモリー２４１と、ＮＡＮＤコントローラー２４２と、を備えている。

ＮＡＮＤメモリー２４１は、所謂ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと呼ばれる不揮発性メモリーである。ＮＡＮＤメモリー２４１には、画像読取部２１が出力した画像データや、各ユーザーが過去に複写機１の各機能を実行するときに指示した実行条件を示すデータや、画像形成部２２や画像読取部２１等の各動作部を制御するためのプログラム等の各種データが記憶される。

具体的には、ＮＡＮＤメモリー２４１は、所定の複数バイトのデータを記憶可能なブロックと呼ばれる記憶素子を複数備えている。各ブロックは、１ビットのデータを蓄積可能なセルと呼ばれる内部素子を、上記複数バイトのデータを表すビット列のビット数分備えている。

ＮＡＮＤコントローラー２４２は、不図示のＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、不図示のＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、及び、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの読み書きを指示するコマンドや当該読み書きされるデータを制御部１０との間で入出力する入出回路等を備えている。

ＮＡＮＤコントローラー２４２は、制御部１０から入力されたＮＡＮＤメモリー２４１に対するデータの読み出し指示を示すコマンドをＣＰＵによって実行することにより、指示されたデータをＮＡＮＤメモリー２４１から読み出す。

また、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、制御部１０から入力されたＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換え指示を示すコマンドをＣＰＵによって実行することにより、ＮＡＮＤメモリー２４１の各ブロックに記憶されているデータの消去後、指示されたデータを各ブロックに書き込む。このようにして、ＮＡＮＤメモリー２４１は、制御部１０による制御の下、ブロック単位でデータの書き換えを行う。

また、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、ＮＡＮＤメモリー２４１の各ブロックの状態を管理し、制御部１０による制御の下、各ブロックの状態を示す情報を出力する。

具体的には、ＮＡＮＤメモリー２４１の各ブロックは、セルを構成する酸化膜の特性上、データの書き換えを正常に行うことができる制限回数が、一般的に、１００万回程度に制限されている。そこで、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、各ブロックへのデータの書き換え時に、当該各ブロックの所定の記憶領域に記憶されている当該各ブロックへのデータの書き換え回数をカウントアップし、当該カウントアップ後の書き換え回数に書き換える。

そして、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、各ブロックへのデータの書き換え後、上記所定の領域に記憶した各ブロックへのデータの書き換え回数が、予め定められた制限回数を超えた場合は、当該各ブロックが正常にデータを書き換えできない不良状態になったことを示すバッドブロック情報を、当該各ブロックの所定の他の記憶領域に記憶する。

尚、制限回数は、複写機１の初期動作時等の所定のタイミングで制御部１０からＮＡＮＤコントローラー２４２へ入力される。そして、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、制御部１０による制御の下、当該入力された制限回数をＮＡＮＤコントローラー２４２内の不図示のＲＡＭに記憶する。

このように、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、各ブロックの上記他の記憶領域にバッドブロック情報が記憶されているか否かによって、各ブロックが不良状態であるか、正常状態であるかを管理する。正常状態のブロックとは、データの書き換え回数が上記制限回数を超えていず、正常にデータを書き換え可能な状態のブロックを示す。

また、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、ＮＡＮＤメモリー２４１の実記憶容量が上記の規定容量未満である場合は、ＮＡＮＤメモリー２４１に備えられた全てのブロックへのデータの書き換えを禁止する。ＮＡＮＤメモリー２４１の実記憶容量とは、正常状態のブロックに記憶可能なデータの総量を示す。

尚、規定容量は、複写機１の初期動作時等の所定のタイミングで制御部１０からＮＡＮＤコントローラー２４２へ入力される。そして、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、制御部１０による制御の下、当該入力された規定容量をＮＡＮＤコントローラー２４２内の不図示のＲＡＭに記憶する。

以下、ＮＡＮＤコントローラー２４２による上記のデータの書き換えを禁止する制御の詳細について説明する。先ず、当該制御に用いられる、ＮＡＮＤメモリー２４１の総記憶容量と規定容量と実記憶容量について説明する。図２は、ＮＡＮＤメモリー２４１の総記憶容量Ｃａと規定容量Ｃｄと実記憶容量Ｃｒの一例を示す図である。

図２の横軸に示すように、ＮＡＮＤメモリー２４１は、ｎ個（ｎ≧２）のブロックを備えている。つまり、ＮＡＮＤメモリー２４１の総記憶容量Ｃａは、図２の縦軸に示す１ブロック当たりの記憶容量Ｃｕと、ブロック数（＝ｎ）と、の積（図２の太線の実線矩形部の面積）によって示される。

図２に示すように、ＮＡＮＤメモリー２４１は、総記憶容量Ｃａが、一点鎖線矩形部の面積によって示される規定容量Ｃｄよりも大きくなるように、規定容量Ｃｄのデータを記憶するために必要なブロックの数（図２では、１番目のブロックからｍ−１番目のブロックまでのｍ−１個）よりも多い数（ｎ個）のブロックを備えている。以下にその理由を示す。

ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えを繰り返した結果、不良状態のブロックが増大し、正常状態のブロックが減少すると、ＮＡＮＤメモリー２４１は、規定容量Ｃｄのデータを正常状態のブロックに書き換えることができない状態になり、寿命を迎えることになる。つまり、ＮＡＮＤメモリー２４１は、正常状態のブロック数が規定容量Ｃｄのデータを記憶するために必要なブロックの数よりも大きい状態である期間を長くして、上記寿命を延ばすために、規定容量Ｃｄのデータを記憶するために必要なブロックの数よりも多い数のブロックを備えている。

次に、ＮＡＮＤメモリー２４１の実記憶容量Ｃｒについて説明する。ＮＡＮＤコントローラー２４２がデータの書き換えを繰り返した結果、図２の斜線部に示すように、ｍ＋１番目からｎ番目までのｎ−ｍ個のブロックが不良状態であり、残りの１番目からｍ番目までのｍ個のブロックが正常状態であったとする。

この場合、正常状態のブロックに記憶可能なデータの総量である実記憶容量Ｃｒは、正常状態のブロック数（＝ｍ）と１ブロック当たりの記憶容量Ｃｕとの積（破線矩形部の面積）によって示される。つまり、不良状態のブロック数が増大し、正常状態のブロック数が減少すると、これに合わせて実記憶容量Ｃｒも減少することになる。

次に、ＮＡＮＤコントローラー２４２による上記のデータの書き換えを禁止する制御の詳細について説明する。図３は、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えたときの総記憶容量Ｃａと規定容量Ｃｄと実記憶容量Ｃｒの一例を示す図である。例えば、図２に示す状態から、更にＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えを繰り返した結果、図３に示すように、ｍ−１番目とｍ番目のブロックが更に不良状態になったとする。

この場合、実記憶容量Ｃｒは、１番目からｍ−２番目までのｍ−２個のブロックの記憶容量の総和（＝（ｍ−２）×Ｃｕ）となり、ｍ−１個のブロックの記憶容量の総和（＝（ｍ−１）×Ｃｕ）に相当する規定容量Ｃｄよりも小さくなる。つまり、この場合、ＳＳＤ２４の製品仕様により定められた規定容量Ｃｄのデータを正常に書き換えることはできないので、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えたと判断し、ｎ個の全てのブロックへのデータの書き換えを禁止する。

図１に参照を戻す。制御部１０は、例えば、所定の演算処理を実行する不図示のＣＰＵと、所定の制御プログラムや、上記の制限回数や規定容量Ｃｄ等の各種初期設定データが記憶されたＥＥＰＲＯＭ等の不図示の不揮発性メモリーと、データを一時的に記憶するための不図示のＲＡＭと、これらの周辺回路等とを備えている。制御部１０は、不揮発性メモリー等に記憶された制御プログラムをＣＰＵによって実行することによって各種処理を実行し、複写機１の各部の動作を制御する。

例えば、制御部１０は、複写機１に電源が投入された初期動作時に、不揮発性メモリーに記憶されている制限回数及び規定容量Ｃｄを読み出す。そして、制御部１０は、読み出した制限回数及び規定容量ＣｄをＮＡＮＤコントローラー２４２へ出力し、ＮＡＮＤコントローラー２４２を制御して、当該出力した制限回数及び規定容量ＣｄをＮＡＮＤコントローラー２４２内のＲＡＭに記憶させる。

また、制御部１０は、ＮＡＮＤコントローラー２４２にＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えを行わせる制御に関し、特に、図１の実線部に示すように、指示受付部１１、補正部１２、及び警告報知部１３として動作する。

指示受付部１１は、ユーザーによる操作部２３の操作により入力された各種指示を受け付ける。

例えば、指示受付部１１は、ユーザーによる操作部２３の操作によりコピー機能の実行指示が入力されると、当該実行指示を受け付ける。そして、指示受付部１１は、画像読取部２１に原稿の画像を表す画像データを出力させ、当該出力させた画像データを、ＮＡＮＤコントローラー２４２によってＮＡＮＤメモリー２４１へ書き込ませる。そして、ＮＡＮＤコントローラー２４２にＮＡＮＤメモリー２４１に記憶された画像データを読み出させ、当該読み出された画像データを用いた画像形成処理を画像形成部２２に実行させる。

つまり、指示受付部１１は、コピー機能の実行指示を受け付けることにより、ＮＡＮＤメモリー２４１への画像データの書き換え指示及びＮＡＮＤメモリー２４１からの画像データの読み出し指示を受け付ける。

補正部１２は、上記のように、ＮＡＮＤコントローラー２４２によりＮＡＮＤメモリー２４１の全てのブロックへのデータの書き換えが禁止された場合、規定容量Ｃｄを予め定められた補正量減少した量に変更する。

具体的には、図３に示すように、ｍ−１番目からｎ番目までのｎ−ｍ−２個のブロックが不良状態となり、残りの１番目からｍ−２番目までのｍ−２個のブロックが正常状態になることで、実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ未満になったとする。この場合、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、上記のように、ＮＡＮＤメモリー２４１に備えられた全てのブロックへのデータの書き換えを禁止する。

このように、ＮＡＮＤコントローラー２４２によって、ＮＡＮＤメモリー２４１に備えられた全てのブロックへのデータの書き換えが禁止された場合、補正部１２は、制御部１０の不揮発性メモリーに記憶されている規定容量Ｃｄ及び補正量を読み出す。尚、補正量は、例えば２個のブロックの記憶容量の総和（＝２×Ｃｕ）に相当する量に定められているものとする。

図４は、補正部１２による規定容量Ｃｄ変更後のＮＡＮＤメモリー２４１の総記憶容量Ｃａと規定容量Ｃｄと実記憶容量Ｃｒの一例を示す図である。そして、補正部１２は、図４に示すように、上記読み出した規定容量Ｃｄを、上記読み出した補正量（２個のブロックの記憶容量の総和（＝２×Ｃｕ））減少した量（一点鎖線矩形部の面積）に変更する。つまり、変更後の規定容量Ｃｄは、ｍ−３個のブロックの記憶容量の総和（＝（ｍ−３）×Ｃｕ）に相当する量となる。

補正部１２は、当該変更後の規定容量Ｃｄを不揮発性メモリーに記憶するとともに、ＮＡＮＤコントローラー２４２へも出力する。そして、補正部１２は、ＮＡＮＤコントローラー２４２を制御して、当該出力した変更後の規定容量ＣｄをＮＡＮＤコントローラー２４２内のＲＡＭに記憶させる。

これにより、ｍ−２個のブロックの記憶容量の総和（＝（ｍ−２）×Ｃｕ、破線矩形部の面積）に相当する実記憶容量Ｃｒは、ｍ−３個のブロックの記憶容量の総和（＝（ｍ−３）×Ｃｕ）に相当する変更後の規定容量Ｃｄ以上となる。このため、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えを禁止せずに、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えを行えるようになる。

警告報知部１３は、補正部１２による規定容量Ｃｄの変更が行われた場合、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた旨のメッセージを表示部２３１に表示する。これにより、警告報知部１３は、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた旨の警告をユーザーに報知する。

以下、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えの動作について説明する。図５は、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えの動作を示すフローチャートである。

図５に示すように、制御部１０は、複写機１の初期動作時等の所定タイミングに、不揮発性メモリーから制限回数及び規定容量を読み出し、ＮＡＮＤコントローラー２４２を制御して、ＮＡＮＤコントローラー２４２内の不図示のＲＡＭに記憶させる（Ｓ１）。

そして、指示受付部１１により、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換え指示が受け付けられると（Ｓ２）、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、実記憶容量Ｃｒが、ステップＳ１でＲＡＭに記憶された規定容量Ｃｄ未満であるか否かを判定する（Ｓ３）。

ＮＡＮＤコントローラー２４２は、ステップＳ３において、実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ未満であると判定した場合（Ｓ３；ＹＥＳ）、ＮＡＮＤメモリー２４１に備えられた全てのブロックへのデータの書き換えを禁止する（Ｓ４）。

ステップＳ４において、ＮＡＮＤコントローラー２４２により、ＮＡＮＤメモリー２４１に備えられた全てのブロックへのデータの書き換えが禁止された場合、補正部１２は、規定容量Ｃｄを所定の補正量減少した量に変更する。そして、補正部１２は、変更後の規定容量Ｃｄを不揮発性メモリーに記憶するとともに、ＮＡＮＤコントローラー２４２を制御して、当該出力した変更後の規定容量ＣｄをＮＡＮＤコントローラー２４２内のＲＡＭに記憶させる（Ｓ５）。

補正部１２による規定容量Ｃｄの変更が行われた場合、警告報知部１３は、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた旨の警告をユーザーに報知する（Ｓ６）。ステップＳ６の実行後は、ステップＳ２以降の処理が繰り返される。

一方、ステップＳ３において、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ以上であると判定した場合（Ｓ３；ＮＯ）、ＮＡＮＤメモリー２４１に備えられた全てのブロックへのデータの書き換えを禁止しない。この場合、制御部１０は、指示受付部１１が受け付けた指示が示すデータの書き換えを実行させる（Ｓ７）。ステップＳ７の実行後は、ステップＳ２以降の処理が繰り返される。

このように、上記実施形態の構成によれば、ＮＡＮＤメモリー２４１の実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ未満になり、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えたと考えられる状態になると、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、ＮＡＮＤメモリー２４１の全てのブロックへのデータの書き換えを禁止する。しかし、このとき、補正部１２は、規定容量Ｃｄを所定の補正量分減少させ、警告報知部１３は、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた旨の警告を報知する。

これにより、ＮＡＮＤメモリー２４１の実記憶容量Ｃｒを補正部１２が減少させた規定容量Ｃｄ以上にすることができ、ＮＡＮＤコントローラー２４２によるＮＡＮＤメモリー２４１の各ブロックへのデータの書き換えを再び行わせることができる。その結果、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた場合であっても、ＮＡＮＤメモリー２４１の全てのブロックへのデータの書き換えが突然禁止されることの煩わしさをユーザーに感じさせる虞を軽減することができ、ユーザーの利便性を向上することができる。

また、補正部１２が規定容量Ｃｄを変更することにより、ＮＡＮＤメモリー２４１の全てのブロックへのデータの書き換えが禁止されなくなった状態で、ユーザーは、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた旨の警告に気づくことができる。これにより、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた場合であっても、ＮＡＮＤメモリー２４１の全てのブロックへのデータの書き換えが禁止される事前に、ＮＡＮＤメモリー２４１を交換する等の対処を行うための時間的猶予をユーザーに与えることができ、ユーザーの利便性を向上することができる。

尚、上記実施形態は、本発明に係る実施形態の例示に過ぎず、本発明を上記実施形態に限定する趣旨ではない。例えば、以下に示す変形実施形態であってもよい。

（１）図１の破線部に示すように、制御部１０が、更に、記憶制御部１４として動作するようにしてもよい。記憶制御部１４は、指示受付部１１により、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換え指示が受け付けられた場合、ＮＡＮＤコントローラー２４２に、正常状態のブロックを示す正常記憶素子情報を出力させる。そして、記憶制御部１４は、当該正常記憶素子情報が示す正常状態のブロックを用いて上記書き換え指示が示すデータの書き換えを行ったと仮定したときに、実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ未満になるときは、当該書き換え対象のデータの書き換えをＮＡＮＤコントローラー２４２に行わせず、警告報知部１３に上記警告を報知させる。正常記憶素子情報については後述する。

図６は、変形実施形態における、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えの動作を示すフローチャートである。図６において、図５と同じ処理内容のステップについては同符号を付し、その説明を省略する。

具体的には、図４及び図６に示すように、ステップＳ５において、補正部１２が、規定容量Ｃｄをｍ−３個のブロックの記憶容量の総和（＝（ｍ−３）×Ｃｕ）に相当する量に変更した結果、実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ以上になり、ＮＡＮＤコントローラー２４２によるＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えが可能になったとする。また、１番目からｍ−２番目までの各ブロックのデータの書き換え回数が、制限回数よりも１だけ少ない数であるとする。つまり、１番目からｍ−２番目までの各ブロックは、データの書き換えを１度行うと不良状態になるものとする。その後、ステップＳ２において、指示受付部１１により、複数枚の原稿を複写するコピー機の実行指示が受け付けられた結果、２つのブロックの記憶容量に相当する量の画像データの書き換え指示が受け付けられたとする。

この場合、実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ以上になり、ＮＡＮＤコントローラー２４２によるＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えが禁止されていないので（Ｓ３；ＮＯ）、記憶制御部１４は、ＮＡＮＤコントローラー２４２を制御して、ＮＡＮＤコントローラー２４２に正常状態のブロックを示す正常記憶素子情報を出力させることにより、正常記憶素子情報を取得する（Ｓ８）。正常記憶素子情報には、正常状態である１番目からｍ−２番目までのｍ−２個の各ブロックの記憶容量と、当該各ブロックにおけるデータの書き換え回数と、が含まれる。

次に、記憶制御部１４は、ステップＳ８で取得した正常記憶素子情報が示す、ｍ−２個の正常状態の各ブロックの記憶容量を用いて、ステップＳ２において受け付けられた指示が示す画像データの書き換えを行ったと仮定した場合に、実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ未満になるか否かを判定する（Ｓ９）。

図７は、正常記憶素子情報が示す正常状態のブロックを用いてデータの書き換えを行ったと仮定したときのＮＡＮＤメモリー２４１の総記憶容量Ｃａと規定容量Ｃｄと実記憶容量Ｃｒの一例を示す図である。具体的には、記憶制御部１４は、ステップＳ９において、例えば図７に示すように、ｍ−３番目及びｍ−２番目の２つのブロックに画像データを書き換えると仮定する。これにより、記憶制御部１４は、正常記憶素子情報として取得した当該ｍ−３番目及びｍ−２番目の２つのブロックの書き換え回数が制限回数に達し、当該２つのブロックが不良ブロックになると判断する。

その結果、記憶制御部１４は、正常状態のブロックが１番目からｍ−４番目までのｍ−４個のブロックになると判断し、実記憶容量Ｃｒが、図７の破線矩形部に示すように、１番目からｍ−４番目までのｍ−４個のブロックの記憶容量の総和（＝（ｍ−４）×Ｃｕ）に相当する量であることを把握する。

そして、記憶制御部１４は、不揮発性メモリーから規定容量Ｃｄを読み出し、上記把握した実記憶容量Ｃｒが当該読みだした規定容量Ｃｄ未満であるか否かを判定する。例えば、上記具体例の場合、記憶制御部１４は、把握した実記憶容量Ｃｒがｍ−３個のブロックの記憶容量の総和（＝（ｍ−３）×Ｃｕ）に相当する規定容量Ｃｄ未満であると判定する（Ｓ９；ＹＥＳ）。

記憶制御部１４は、ステップＳ９において、把握した実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ未満であると判定した場合（Ｓ９；ＹＥＳ）、当該２つの画像データの書き換えをＮＡＮＤコントローラー２４２に行わせず、警告報知部１３に上記警告を報知させる（Ｓ６）。一方、記憶制御部１４は、ステップＳ９において、把握した実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ以上であると判定した場合（Ｓ９；ＮＯ）、ステップＳ２において指示受付部１１が受け付けた指示が示すデータの書き換えを実行させる（Ｓ７）。

本変形実施形態の構成によれば、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えが指示された場合、当該データの書き換えを行ったと仮定したときに実記憶容量Ｃｒが規定容量Ｃｄ未満になるときは、当該データの書き換えを行わせず、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた旨の警告を報知する。

このため、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えるようなデータの書き換え指示がされた場合に、当該データの書き換えを行うことによってＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎える状態になることを抑止することができ、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えないような少量のデータの書き換えが可能なうちに、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えたことをユーザーへ報知することができる。これにより、ユーザーに、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えないような少量のデータの書き換え指示をさせる猶予を与えつつ、早期にＮＡＮＤメモリー２４１を交換する等の対処をとらせることができる。

（２）また、図１の一点鎖線部に示すように、制御部１０が、更に、規定容量Ｃｄを表示部２３１に表示させる表示制御部１５として動作するようにしてもよい。

図８（Ａ）は、補正部１２による規定容量Ｃｄの変更が行われていない場合に、表示制御部１５により規定容量Ｃｄが表示された表示部２３１の一例を示す図であり、図８（Ｂ）は、補正部１２による規定容量Ｃｄの変更が行われた後に、表示制御部１５により変更後の規定容量Ｃｄが表示された表示部２３１の一例を示す図である。

例えば、補正部１２による規定容量Ｃｄの変更が行われていない場合に、指示受付部１１により、ＳＳＤ２４の記憶容量を表示する指示が受け付けられたとする。この場合、表示制御部１５は、不揮発性メモリーに記憶されている規定容量Ｃｄを読み出す。そして、表示制御部１５は、図８（Ａ）に示すように、取得した規定容量Ｃｄを示す文字列Ｄ１（図８（Ａ）では、「ＸＸＸ ＧＢ」）を表示部２３１に表示するとともに、規定容量Ｃｄに対応する所定の面積を有する矩形図形Ｄ２を表示する。

その後、補正部１２による規定容量Ｃｄの変更が行われた場合に、指示受付部１１により、ＳＳＤ２４の記憶容量を表示する指示が受け付けられたとする。この場合、表示制御部１５は、補正部１２によって不揮発性メモリーに記憶された変更後の規定容量Ｃｄを、不揮発性メモリーから読み出す。そして、表示制御部１５は、図８（Ｂ）に示すように、取得した変更後の規定容量Ｃｄを示す文字列Ｄ３（図８（Ｂ）では、「ＹＹＹ ＧＢ」）を表示部２３１に表示するとともに、当該変更後の規定容量Ｃｄに対応する所定の面積を有する矩形図形Ｄ４を表示する。尚、表示制御部１５が、規定容量Ｃｄを表示部２３１に表示する態様を、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す態様に限定する趣旨ではない。

この変形実施形態の構成によれば、ユーザーは、表示部２３１を視認することで、規定容量Ｃｄを容易に把握することができる。このため、ＮＡＮＤメモリー２４１の使用開始当初から警告が報知されるまでの間、ユーザーは、表示部２３１に表示された規定容量Ｃｄを視認することで、当該規定容量Ｃｄのデータの書き換えが可能なＮＡＮＤメモリー２４１を利用していることを認識することができる。その後、ＮＡＮＤメモリー２４１へのデータの書き換えを繰り返し、規定容量Ｃｄが減少された場合、ユーザーは、表示部２３１に表示された、ＮＡＮＤメモリー２４１の使用開始当初よりも少ない規定容量Ｃｄを視認することで、ＮＡＮＤメモリー２４１へ書き換え可能なデータ量が減少していることに気付きやすくなる。これにより、ユーザーは、ＮＡＮＤメモリー２４１を交換する等の対処を取りやすくなる。

（３）また、ＮＡＮＤコントローラー２４２は、ＮＡＮＤメモリー２４１の各ブロックにおけるデータの書き換え回数を均一にする周知のウェアレベリング機能を有していてもよい。

この変形実施形態の構成によれば、データを書き換える対象のブロックが特定のブロックに偏る虞が軽減される。これにより、当該特定のブロックへのデータの書き換え回数が急速に増大し、不良状態になるブロックの数が急速に増大する虞を軽減することができる。その結果、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えるまでに要する時間を増大することができる。

（４）また、操作部２３が、音声を出力するスピーカーを含むように構成してもよい。そして、警告報知部１３は、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた旨を示す所定の警告音を当該スピーカに出力させることで、ＮＡＮＤメモリー２４１が寿命を迎えた旨の警告を報知してもよい。

１ 複写機（画像処理装置）
１０ 制御部（データ記憶装置）
１１ 指示受付部
１２ 補正部
１３ 警告報知部
１４ 記憶制御部
１５ 表示制御部
２２ 画像形成部（画像処理部）
２３ 操作部
２３１ 表示部
２３２ 操作キー部
２４１ ＮＡＮＤメモリー
２４２ ＮＡＮＤコントローラー
Ｃａ 総記憶容量
Ｃｄ 規定容量
Ｃｒ 実記憶容量

Claims (4)

1. データを正常に書き換え可能な回数が予め定められた制限回数を超えると不良状態になる複数の記憶素子を備えたＮＡＮＤメモリーと、
   正常状態の前記記憶素子に記憶可能なデータの総量である前記ＮＡＮＤメモリーの実記憶容量が予め定められた規定容量未満である場合は、前記ＮＡＮＤメモリーに備えられた全ての前記記憶素子へのデータの書き換えを禁止するＮＡＮＤコントローラーと、
   前記ＮＡＮＤコントローラーにより前記全ての前記記憶素子へのデータの書き換えが禁止された場合、前記規定容量を予め定められた補正量減少した量に変更する補正部と、
   前記補正部による前記規定容量の変更が行われた場合、前記ＮＡＮＤメモリーが寿命を迎えた旨の警告を報知する警告報知部と、
   を備え、
   前記ＮＡＮＤコントローラーは、前記正常状態の前記記憶素子を示す正常記憶素子情報を出力可能であり、
   前記ＮＡＮＤメモリーへのデータの書き換え指示を受け付ける指示受付部と、
   前記指示受付部により前記書き換え指示が受け付けられた場合、前記正常記憶素子情報が示す前記正常状態の前記記憶素子を用いて前記書き換え指示が示すデータの書き換えを行ったと仮定したときに、前記実記憶容量が前記規定容量未満になるときは、前記書き換え対象のデータの書き換えを前記ＮＡＮＤコントローラーに行わせず、前記警告を前記警告報知部に報知させる記憶制御部と、
   を更に備えるデータ記憶装置。
2. 情報を表示する表示部と、
   前記規定容量を前記表示部に表示させる表示制御部と、
   を更に備える請求項１に記載のデータ記憶装置。
3. 前記ＮＡＮＤコントローラーは、各前記記憶素子におけるデータの書き換え回数を均一にするウェアレベリング機能を有する請求項１又は２に記載のデータ記憶装置。
4. 請求項１から３の何れか一項に記載のデータ記憶装置と、
   前記ＮＡＮＤメモリーに記憶された画像を表すデータを用いて所定の処理を行う画像処理部と、
   を備える画像処理装置。

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