JP6166971B2 - 熱アニーリング方法 - Google Patents
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Description
式
式
式
本発明は、マイクロスコピック(microscopic)エッチングまたはマイクロパターン形成された表面を必要とするデバイス(例えば、マイクロエレクトロニクス、マイクロセンサおよびバイオチップ)の構築において、後でのパターン転写処理において使用される、リソグラフィで有用なラインアンドスペースフィーチャを形成するための方法を提供する。本発明の方法は従来のリソグラフィ手段を用いて基体上に作成されたガイドパターンに対して整数倍で割りきれるピッチ寸法を有するパターンの作成を提供する。より小さな寸法、例えば、従来のリソグラフィ技術を使用して製造されうるものの2分の1、または4分の1で、その高解像パターンを形成する能力は、例えば、半導体チップの設計および製造において全く新たな技術を可能にする。
式
式
式
2リットルのガラス反応器内に、窒素雰囲気下で、シクロヘキサン(1,500g)が入れられた。次いで、カニューレを介して、この反応器にスチレン(50.34g)が入れられた。次いで、この反応器の内容物は40℃に加熱された。次いで、この反応器に、シクロヘキサン中で0.32Mの濃度に希釈されたsec−ブチルリチウム(19.18g)がカニューレを介して、素早く添加され、反応器内容物が黄色に変わった。この反応器の内容物は30分間攪拌された。次いで、この反応器の内容物は30℃に冷却された。次いで、エチレンオキシド(0.73g)がこの反応器に移された。この反応器の内容物は15分間攪拌された。次いで、メタノール中の1.4M HCl溶液20mLがこの反応器に入れられた。ついで、この反応器中のポリマーが、イソプロパノール中で、500mLのポリマー溶液対1,250mLのイソプロパノールの比率で、沈殿させられることによって、分離された。次いで、得られた沈殿はろ過され、真空オーブン内で60℃で一晩乾燥させられて、生成物であるヒドロキシル末端化ポリスチレンブラシ42gを生じさせた。この生成物であるヒドロキシル末端化ポリスチレンブラシは数平均分子量MN7.4kg/mol、および多分散度PD 1.07を示した。
500mLの丸底反応器に、アルゴン雰囲気下で、シクロヘキサン(90mL)およびスチレン(17.1g)が入れられた。次いで、シクロヘキサン中のsec−ブチルリチウムの1.4M溶液の0.7mLショットがこの反応器に、カニューレを介して素早く添加され、反応器の内容物が黄橙色に変化した。この反応器内容物は30分間攪拌された。次いで、形成されたポリスチレンブロックのゲル浸透クロマトグラフィ分析のために、この反応器内容物の少量がこの反応器から取り出されて、無水メタノールを収容している小さな丸底フラスコに入れられた。次いで、2,2,5,5−テトラメチルジシラフラン(472mg)がこの反応器に入れられた。橙色がゆっくりと薄くなり、そして1時間後に、反応器の内容物は薄黄色であった。次いで、10.5gの新たに昇華させられたヘキサメチルシクロトリシロキサンがこの反応器に移された。この反応器内容物が無色になるまで、この反応器内容物は1.5時間にわたって反応させられた。次いで、乾燥テトラヒドロフラン(90mL)がこの反応器に添加され、そしてこの反応は3.25時間にわたって進められた。次いで、クロロトリメチルシラン(1mL)がこの反応器に添加されてこの反応をクエンチした。生成物は500mLのメタノール中で沈殿させられ、ろ過することによって分離された。追加のメタノールで洗浄した後で、このポリマーは150mLの塩化メチレンに再溶解させられ、脱イオン水で3回洗浄され、次いで500mLのメタノール中で再沈殿させられた。次いで、このポリマーはろ過され、真空オーブン内で70℃で一晩乾燥させられて、20.5gを得た。このポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー生成物は、数平均分子量MN 24kg/mol、多分散度PD 1.01、および28重量%のポリ(シロキサン)含有量(1H NMRで決定)を示した。
コポリマー組成物の調製
実施例2に従って調製されたPSt−b−PSiブロックコポリマーをプロピレングリコールメチルエーテルアセタート(ザダウケミカルカンパニーから入手可能なダウアノール(Dowanol(登録商標))PMA)に溶解させることにより、比較例S1および実施例3〜5のそれぞれにおける、フィルム堆積のための、1.6重量%の固形分の濃度を有するベーススピニング溶液が調製された。このベーススピニング溶液に表1に示される酸化防止剤が添加されて、最終スピニング溶液中に、示された濃度を生じさせた。
s商品名イルガフォス(IRGAFOS(登録商標))168でBASFから入手可能。
自然酸化物層を有するシリコン基体の表面上に、実施例1に従って製造されたヒドロキシル末端化ポリスチレンブラシのトルエン中の1.5重量%(固形分)溶液を3,000rpmで1分間にわたってスピンコーティングすることによって、自然酸化物層を有するシリコン基体の表面が修飾された。次いで、この基体は150℃にセットされたホットプレート上に1分間配置された。次いで、この基体は250℃にセットされたホットプレート上に窒素雰囲気下で20分間配置されて、堆積されたブラシ層をアニールした。次いで、この基体は、結合していないポリマーを洗い流すためにその基体をまずトルエン中に1分間浸漬することによりトルエンですすがれ、次いで3,000rpmで1分間回転乾燥させた。次いで、この基体は110℃にセットされたホットプレート上で1分間にわたってベークされた。
比較例S1、並びに実施例3および5に従って調製されたスピニング溶液が、それぞれ、0.2μmのワットマンシリンジフィルタを用いて手作業でろ過された。比較例F1〜F3は比較例S1に従って調製された濾過されたスピニング溶液を使用した。実施例7〜9は実施例3に従って調製された濾過されたスピニング溶液を使用した。実施例10〜11は実施例5に従って調製された濾過されたスピニング溶液を使用した。次いで、これらスピニング溶液は実施例6に従って準備された別々のポリ(スチレン)ブラシ処理された基体上に、2,500rpmでスピンコートされた。次いで、これら基体は150℃にセットされたホットプレート上に1分間配置された。次いで、これら基体は、堆積フィルムをアニールするために、表2に示されたアニール時間にわたって空気下で340℃にセットされたホットプレート上に置かれた。
コポリマー組成物の調製
実施例2に従って調製されたPSt−b−PSiブロックコポリマーをプロピレングリコールメチルエーテルアセタート(ザダウケミカルカンパニーから入手可能なダウアノール(Dowanol(登録商標))PMA)に溶解させることにより、比較例S2および実施例12のそれぞれにおける、フィルム堆積のための、1.75重量%の固形分濃度を有するベーススピニング溶液が調製された。このベーススピニング溶液に表3に示される酸化防止剤が添加されて、最終スピニング溶液中に、示された濃度を生じさせた。
比較例S2並びに実施例12に従って調製されたスピニング溶液が、それぞれ、0.2μmのワットマンシリンジフィルタを用いて手作業でろ過された。比較例F4〜F6は比較例S2に従って調製された濾過されたスピニング溶液を使用した。実施例13〜15は実施例12に従って調製された濾過されたスピニング溶液を使用した。次いで、これらスピニング溶液は実施例6に従って準備された別々のポリ(スチレン)ブラシ処理された基体上に、1,500rpmでスピンコートされた。次いで、これら基体は150℃にセットされたホットプレート上に1分間配置された。次いで、これら基体は、堆積フィルムをアニールするために、表4に示されたアニール時間にわたって空気下で250℃にセットされたホットプレート上に置かれた。
Claims (10)
- 表面を有する基体を提供し;
ポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー成分および酸化防止剤を含むコポリマー組成物を提供し、前記ポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー成分の数平均分子量が5〜1,000kg/molであり、前記コポリマー組成物は酸化防止剤を(ブロックコポリマー成分の重量を基準にして)2重量%より多く含んでおり;
前記基体の前記表面に前記コポリマー組成物のフィルムを適用し;
前記フィルムを240〜350℃で、20重量%以上のO2を含む気体雰囲気下で、1秒〜4時間の期間にわたって加熱することにより前記フィルムをアニールし;並びに、
前記アニールされたフィルムからポリ(スチレン)ブロックを除去し、かつ前記アニールされたフィルム中のポリ(シロキサン)ブロックをSiOxに変換するように前記アニールされたフィルムを処理する;
ことを含む、基体を処理する方法。 - 表面を有する基体を提供し;
ポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー成分および酸化防止剤を含むコポリマー組成物を提供し、前記ポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー成分の数平均分子量が5〜1,000kg/molであり、前記コポリマー組成物は酸化防止剤を(ブロックコポリマー成分の重量を基準にして)2重量%より多く含んでおり;
前記基体の前記表面に前記コポリマー組成物のフィルムを適用し;
前記フィルムをベークし;
前記フィルムを240〜350℃で、20重量%以上のO 2 を含む気体雰囲気下で、1秒〜4時間の期間にわたって加熱することにより前記フィルムをアニールし;並びに、
前記アニールされたフィルムからポリ(スチレン)ブロックを除去し、かつ前記アニールされたフィルム中のポリ(シロキサン)ブロックをSiO x に変換するように前記アニールされたフィルムを処理する;
ことを含む、基体を処理する方法。 - 提供される前記ポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー成分が、25〜1,000kg/molの数平均分子量MN、1〜3の多分散度PD、および0.19〜0.33のポリ(シロキサン)重量分率WfPSiを有する単一種のポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ジブロックコポリマーである、請求項3に記載の方法。
- 提供される前記コポリマー組成物がさらに溶媒を含み、前記溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)、エトキシエチルプロピオナート、アニソール、乳酸エチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン(GBL)、n−メチルピロリドン(NMP)およびトルエンからなる群から選択される請求項5に記載の方法。
- 前記ポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー成分が少なくとも2種の異なるポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマーのブレンドであり、
前記少なくとも2種の異なるポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマーが1〜1,000kg/molの数平均分子量MN、および1〜3の多分散度PDを有するポリ(スチレン)−b−ポリ(シロキサン)ブロックコポリマーの群から選択され、並びに
前記ブレンドが25〜1,000kg/molのブレンド数平均分子量MN−ブレンドを示す、請求項3に記載の方法。 - 前記ブレンドが0.19〜0.33のブレンドポリ(シロキサン)重量分率WfPSi−ブレンドを示す請求項7に記載の方法。
- 提供される前記コポリマー組成物がさらに溶媒を含み、前記溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)、エトキシエチルプロピオナート、アニソール、乳酸エチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン(GBL)、n−メチルピロリドン(NMP)およびトルエンからなる群から選択される請求項8に記載の方法。
- 前記気体雰囲気が空気である請求項1または2に記載の方法。
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