JP6166703B2

JP6166703B2 - ナノファイバ製造装置、及び、ナノファイバ製造方法

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Description

本発明の実施形態は、ナノファイバ製造装置、及び、ナノファイバ製造方法に関する。

ナノ単位の直径を有する繊維物質を製造する装置として、ナノファイバ製造装置が医療分野等の広い分野に用いられている。ナノファイバ製造装置において、エレクトロスピニング技術が用いられている。

エレクトロスピニング技術とは、高分子物質等が溶解した原料液と、ワークと、を帯電させ、原料液及びワークの電位差によって原料液をワークに向かって吐出させる技術である。原料液が電気的に延伸することでナノファイバが製造される。このようなナノファイバ製造装置において、生産性を向上させることが望まれる。

特開２００９−２７５３２６号公報

本発明の実施形態は、より生産性が向上したナノファイバ製造装置及びナノファイバ製造方法を提供する。

本発明の実施形態によれば、被堆積部と、吐出部と、電源部と、検査部と、調整部と、を備えたナノファイバ製造装置が提供される。前記被堆積部は、第１面と、第２面と、を有する。前記第２面は、前記第１面と反対の面である。前記吐出部は、前記第１面に向かって原料液を吐出する。前記電源部は、前記吐出部と、前記第１面と、の間に電位差を発生させる。前記検査部は、前記第１面の欠陥を検査する。前記調整部は、前記第２面に対向して設けられる。前記調整部は、前記第２面に電位を発生させる。

第１実施形態に係るナノファイバ製造装置を示す模式図である。ナノファイバ製造装置によってナノファイバが堆積された状態を示す参考図である。第１実施形態に係るナノファイバ製造装置によってナノファイバが堆積された状態を示す図である。第２実施形態に係るナノファイバ製造装置を示す模式図である。第３実施形態に係るナノファイバ製造装置を示す模式図である。ナノファイバ製造装置によってナノファイバが堆積された状態を示す参考図である。第３実施形態に係るナノファイバ製造装置によってナノファイバが堆積された状態を示す図である。ナノファイバ製造方法を示すフローチャートである。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るナノファイバ製造装置を示す模式図である。
図２は、ナノファイバ製造装置によってナノファイバが堆積された状態を示す参考図である。
図３は、第１実施形態に係るナノファイバ製造装置によってナノファイバが堆積された状態を示す図である。

図１に表すように、ナノファイバ製造装置１００は、電源部１０と、制御部２０と、検査部２５と、吐出部３０と、調整部４０と、遮蔽部５０と、被堆積部６０と、を備える。図１の矢印の方向は、吐出部３０が原料液を吐出する方向を示している。

本実施形態のナノファイバ製造装置１００において、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に電圧を印加すると、表面張力によって吐出部３０の先端部分に留まっている原料液は正（または負）に帯電する。また、原料液は、異極に帯電（アース）している被堆積部６０に向かう電気力線に沿って作用する静電力によって吸引される。なお、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に印加する電圧は、１０〜１００ｋＶ程度である。

静電力が表面張力より大きくなると、原料液が吐出部３０の先端部分から吐出される。先端部分から吐出された原料液は、被堆積部６０に向かって吐出される。このとき、原料液に含まれる溶媒は揮発し、ポリマーの繊維体が被堆積部６０に到達する。これにより、ナノファイバＮが被堆積部６０の上に堆積される。本実施形態のナノファイバ製造装置１００は、エレクトロスピニング法を用いてナノファイバＮを形成する。

ナノファイバ製造装置１００によって、平滑表面、多孔表面、ビーズ状、芯鞘状、中空状、極細ファイバー等の形状を有するナノファイバＮが被堆積部６０の上に堆積される。例えば、ナノファイバ製造装置１００によって、電池の電極上にセパレータが形成される。

電源部１０は、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に高電圧を印加する電源装置である。電源部１０は、直流電源を用いた電源装置である。例えば、電源部１０の一方の端子は、吐出部３０に電気的に接続され、電源部１０の他方の端子は、接地されている。また、被堆積部６０の一端は、接地されている。このような接続によって、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に電位差を発生させることができる。

制御部２０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）及びメモリー等を備えたコンピュータである。制御部２０は、電源部１０及び吐出部３０の動作を制御する。制御部２０は、電源部１０及び吐出部３０に電気的に接続されている。制御部２０は、吐出液に印加される電圧値を決定するように電源部１０を制御する。制御部２０は、吐出液の量を決定するように吐出部３０を制御する。

検査部２５は、ナノファイバＮが堆積された被堆積部６０の第１面６０ａの欠陥を検査する。例えば、表面欠陥を検査する方法として、検査対象である第１面６０ａの外観をカメラ等で撮像し、ディスプレイに表示させた画像を観察する方法がある。また、表面欠陥を検査する別の方法として、第１面６０ａの外観をカメラ等で撮像し、画像データと、検査用のマスターデータと、を比較して表面欠陥を特定する方法がある。また、第１面６０ａに検査体を接触させて表面欠陥を検査しても良い。第１面６０ａの欠陥を検査する検査装置を別に設けても良い。

検査部２５は、第１面６０ａの欠陥に関する情報を欠陥信号を介して制御部２０に送る。制御部２０は、検査部２５からの欠陥信号によるデータに基づいて、電源部１０、吐出部３０、調整部４０及び遮蔽部５０を制御する。例えば、制御部２０は、検出された被堆積部６０上の欠陥に基づいて、吐出部３０の被堆積部６０に対する位置、調整部４０の被堆積部６０に対する位置、及び、遮蔽部５０の被堆積部６０に対する位置を決定する。

吐出部３０、調整部４０及び遮蔽部５０の位置が決まった後、制御部２０は、ナノファイバＮが欠陥部分に形成するように、電源部１０及び吐出部３０を制御する。例えば、制御部２０は、欠陥部分にナノファイバＮを形成させるために、電源部１０により印加する電圧値、及び、吐出部３０から吐出する原料液の量を決定する。これにより、被堆積部６０上の欠陥は修復される。

吐出部３０は、例えば、ナノファイバＮを形成する材料である原料液を吐出するノズルである。吐出部３０は、先端部分と、本体部分と、を有する。例えば、原料液は、吐出部３０とは別に設けられたタンク等に蓄えられ、タンクからパイプを介して吐出部３０の本体部分に供給される。本体部分に蓄えられた原料液は、先端部分から吐出される。

原料液は、ナノファイバＮの基材となる溶質を溶媒中に分散または溶解させた液体である。また、原料液は、ナノファイバＮの材質やナノファイバＮの性質等により適宜調整される液体である。例えば、原料液に分散または溶解する溶質として樹脂がある。また、原料液に使用される溶媒としては、揮発性のある有機溶剤がある。原料液に無機質固体材料を添加しても良い。

調整部４０は、導電性の部材である。例えば、調整部４０は、電極である。調整部４０は、所定の電圧を印加する電源装置を有しても良い。調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂ側に電位を発生させる。

調整部４０は、被堆積部６０の近傍に配置されている。例えば、調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂに対向する。例えば、調整部４０の第２面６０ｂに対向する端部は、尖っている。調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂに近づくにつれて、調整部４０から被堆積部６０に向かう方向に垂直な方向の幅が小さくなる形状を有する。

調整部４０は、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界を変化させ、被堆積部６０の第１面６０ａ上におけるナノファイバＮの堆積状態を均一にする。例えば、調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂ側に、吐出部３０によって発生する電位（例えば、正電位）と反対の電位（例えば、負電位）を発生させる。第２面６０ｂ側に逆電位が発生することで、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界が変化する。つまり、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する第１電界は、調整部４０から発生する第２電界によって影響を受けて変化する。これにより、ナノファイバＮが堆積する範囲を制御することができる。

また、調整部４０の第２面６０ｂに対向する部分が尖っている場合、ナノファイバＮが堆積する範囲を狭くすることができる。吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する第１電界は、調整部４０の先端形状に基づいて発生する第２電界によって変化する。例えば、ナノファイバＮが堆積された領域にピンホール等の開口が発生している場合、ナノファイバＮの進行経路は、調整部４０の先端形状に基づいて発生する第２電界によって制御できる。これにより、小さな開口であってもナノファイバＮを導くことができる。ナノファイバＮの膜厚の均一性も向上させることができる。

遮蔽部５０は、金属等の導電性の部材である。遮蔽部５０は、所定の電圧を印加する電源装置を有しても良い。例えば、所定の電位が遮蔽部５０に発生する。

遮蔽部５０は、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に配置されている。また、遮蔽部５０は、３つの環状体を有する。遮蔽部５０が有する環状体の数は、１つ又は２つでも良く、４つ以上でも良い。このような環状体によって、吐出部３０から発生したナノファイバＮが堆積する範囲が制御される。

遮蔽部５０は、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界を変化させ、被堆積部６０の第１面６０ａ上におけるナノファイバＮの堆積状態を均一にする。例えば、遮蔽部５０に、吐出部３０によって発生する電位（例えば、正電位）と同一の電位が発生する。遮蔽部５０に同電位が発生することで、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界が変化する。つまり、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する第１電界は、遮蔽部５０に発生する第３電界によって影響を受けて変化する。これにより、ナノファイバＮが堆積する範囲を制御することができる。

ナノファイバＮの進行経路は、遮蔽部５０から発生する電界によって制御される。例えば、ナノファイバＮの進行経路が調整部４０から発生する電界によって制御される場合、遮蔽部５０は、調整部４０におけるナノファイバＮの進行経路の制御と共に、ナノファイバＮの進行経路を制御できる。これにより、小さな開口であってもナノファイバＮを導くことができる。ナノファイバＮの膜厚の均一性も向上させることができる。

被堆積部６０は、吐出部３０との間に形成された空間に吐出されたナノファイバＮを堆積させて収集する。被堆積部６０は、第１面６０ａ及び第２面６０ｂを有する。第１面６０ａは、第２面６０ｂの反対側の面である。ナノファイバＮは、被堆積部６０の第１面６０ａに堆積される。

被堆積部６０は、例えば、基板である。被堆積部６０は、シート状の部材でも良い。被堆積部６０がシート状の部材である場合、被堆積部６０がロール等に巻きつけられた状態でナノファイバを堆積させて収集しても良い。

被堆積部６０は可動しても良い。例えば、被堆積部６０は、回転ドラム、ベルトコンベア等の搬送装置でも良い。ベルトコンベアは、ベルトを長尺化できるためナノファイバＮの量産に向いている。

ナノファイバ製造装置１００に、吐出部３０に原料液を供給する供給部が設けられても良い。また、吐出部３０は、複数設けられても良い。複数の吐出部３０は、任意の方向に沿って直線状に並んで配置され、原料液が供給部から複数の吐出部３０の各々に供給されることができる。

ここで、図２に表すように、リチウムイオン二次電池のセパレータを形成する場合、ナノファイバ製造装置を用いて電極６４上にナノファイバＮを直接塗布することもできる。多孔質状の高分子膜シートとしてセパレータが電極６４上に形成される。

電極６４は、正電極又は負電極である。電極６４が集電体６５の両面に設けられている。集電体６５として、アルミニウム（Ａｌ）等の金属を含む箔が用いられる。電極体６６は、電極６４及び集電体６５を有する。例えば、被堆積部６０の第１面６０ａ上に電極体６６を載せ、ナノファイバＮが電極６４上に形成される。このような電極体６６を複数積層することでリチウムイオン二次電池が形成される。電極体６６を複数積層する場合、ナノファイバＮが電極６４上に設けられることで電極間の接触（例えば、正電極と負電極との接触）が抑制される。

しかし、ナノファイバＮが堆積された領域には、ピンホール等の開口６４ｏが発生し易い。開口６４ｏが電極６４上に形成されると、正電極と負電極とが接触する虞がある。正電極と、負電極と、が開口を介して接触すると、リチウムイオン二次電池に短絡等の不具合が生じる可能性がある。

本実施形態のナノファイバ製造装置１００において、調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂに対向して配置され、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界を変化させている。このような調整部４０を設けると、被堆積部６０の第１面６０ａ上におけるナノファイバＮの堆積状態は、均一化できる。これにより、歩留りが向上する。

例えば、図３に表すように、ナノファイバＮの堆積面と反対の面に対向して調整部４０を設けると、電極６４上に形成された開口６４ｏをナノファイバＮによって埋めることができる。

本実施形態によれば、より生産性が向上したナノファイバ製造装置が提供できる。

（第２実施形態）
図４は、第２実施形態に係るナノファイバ製造装置を示す模式図である。
図４に表すように、ナノファイバ製造装置１１０は、電源部１０と、制御部２０と、検査部２５と、複数の吐出部３０ａと、供給部３５と、調整部４０と、遮蔽部５０と、被堆積部６０と、を備える。

被堆積部６０は、ローラ６１と、回動体６２と、シート６３と、を備える。シート６３は、第１面６３ａ及び第２面６３ｂを有する。第１面６３ａは、第２面６３ｂの反対側の面である。図２の矢印の方向は、複数の吐出部３０ａが原料液を吐出する方向を示し、ナノファイバＮ（図示せず）は、シート６３の第１面６３ａに堆積される。

電源部１０は、基板１１に電圧を印加する。基板１１は、複数の吐出部３０ａを保持する。基板１１は、複数の吐出部３０ａの各々に電気的に接続されている。複数の吐出部３０ａは、少なくとも周面の一部が基板１１に接触した状態で基板１１に固定されている。電源部１０、基板１１、及び複数の吐出部３０ａによって、電源部１０から供給される電圧は、複数の吐出部３０ａに印加される。

複数の吐出部３０ａは、シート６３の長手方向に沿って直線状に並んで配置されている。供給部３５は、複数の吐出部３０ａの各々に原料液を供給する。例えば、制御部２０は、複数の吐出部３０ａの各々から吐出される原料液の量、又は、供給部３５から複数の吐出部３０ａの各々に供給される原料液の量を決定するように、供給部３５を制御する。

調整部４０は、シート６３の第２面６３ｂに対向し、第２面６３ｂ側に所定の電位を発生させる。遮蔽部５０は、吐出部３０ａとシート６３との間に配置され、遮蔽部５０に所定の電位を発生させる。このような調整部４０及び遮蔽部５０を設けることによって、吐出部３０ａと、シート６３と、の間に発生する電界は変化する。電界の変化によって、ナノファイバＮの堆積領域上に発生した開口が埋まり、ナノファイバＮの堆積状態は均一になる。

調整部４０は、複数設けられても良い。例えば、調整部４０は、複数の吐出部３０ａの各々に対応するように設けられても良い。遮蔽部５０は、複数設けられても良い。例えば、遮蔽部５０は、複数の吐出部３０の各々に対応するように設けられても良い。

被堆積部６０は、ナノファイバＮを堆積させて搬送する。シート６３は、ローラ６１に巻かれている。ローラ６１は、回動体６２により駆動されることによって、シート６３を巻くように回転する。ローラ６１の駆動によって、シート６３上に堆積されたナノファイバＮは、吐出部３０が原料液を吐出する方向（矢印の方向）に垂直な方向に搬送される。

本実施形態のナノファイバ製造装置１１０において、調整部４０は、シート６３の第２面６３ｂに対向して配置され、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界を変化させている。このような調整部４０を設けると、シート６３の第１面６３ａ上におけるナノファイバＮの堆積状態は、均一化できる。これにより、歩留りが向上する。

（第３実施形態）
図５は、第３実施形態に係るナノファイバ製造装置を示す模式図である。
図６は、ナノファイバ製造装置によってナノファイバが堆積された状態を示す参考図である。
図７は、第３実施形態に係るナノファイバ製造装置によってナノファイバが堆積された状態を示す図である。

図５に表すように、ナノファイバ製造装置１２０は、電源部１０と、制御部２０と、検査部２５と、吐出部３０と、調整部４０と、遮蔽部５０と、被堆積部６０と、を備える。被堆積部６０は、第１面６０ａ及び第２面６０ｂを有する。第１面６０ａは、第２面６０ｂの反対側の面である。図５の矢印の方向は、吐出部３０が原料液を吐出する方向を示し、ナノファイバＮは、被堆積部６０の第１面６０ａに堆積される。

調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂ側に所定の電位を発生する。調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂに対向する。調整部４０は、直方体である。調整部４０は、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界を変化させ、被堆積部６０の第１面６０ａ上におけるナノファイバＮの堆積状態を均一にする。

例えば、調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂ側に、吐出部３０によって発生する電位（例えば、正電位）と反対の電位（例えば、負電位）を発生させる。第２面６０ｂ側に逆電位が発生することで、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界が変化する。つまり、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する第１電界は、調整部４０から発生する第２電界によって影響を受けて変化する。これにより、ナノファイバＮが堆積する範囲を制御することができる。

ナノファイバＮの堆積状態が均一でなく、膜厚が不足している部分が生じている場合、ナノファイバＮの進行経路は、調整部４０の形状に基づいて発生する電界によって制御できる。これにより、堆積領域内の膜厚が不足している部分がナノファイバＮによって埋めることができる。ナノファイバＮの膜厚の均一性が向上する。

遮蔽部５０は、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に配置されている。所定の電位が遮蔽部５０に発生する。遮蔽部５０は、２つの直方体形状を有し、互いに対向させて２つ設けられている。調整部４０の幅４０Ｗは、遮蔽部５０間の幅５０Ｗと略同じ、若しくは、幅５０Ｗより小さい。遮蔽部５０が有する直方体の数は、１つでも良く、３つ以上でも良い。

ナノファイバＮの堆積状態が均一でなく、膜厚が不足している部分が生じている場合、ナノファイバＮの進行経路は、遮蔽部５０から発生する電界によって制御できる。ナノファイバＮの進行経路が調整部４０から発生する電界によって制御される場合、遮蔽部５０は、調整部４０におけるナノファイバＮの進行経路の制御と共に、ナノファイバＮの進行経路を制御できる。これにより、堆積領域内の膜厚が不足している部分がナノファイバＮによって埋めることができる。ナノファイバＮの膜厚の均一性が向上する。

ここで、図６に表すように、リチウムイオン二次電池のセパレータを形成する場合、電極６４から突出している集電体６５の近傍にセパレータは形成されない。また、ナノファイバＮは塗り分けられ、電極６４の端部に回り込んで塗布される。これにより、電極６４の端部近傍にナノファイバＮの膜厚が不足している部分が発生し易い。つまり、膜厚不足部６４ｄは、電極６４の端部の近傍に発生し易い。

膜厚不足部６４ｄが電極６４上に形成されると、正電極と負電極とが接触する虞がある。正電極と、負電極と、が膜厚不足部６４ｄを介して接触すると、リチウムイオン二次電池に短絡等の不具合が生じる可能性がある。

本実施形態のナノファイバ製造装置１２０において、調整部４０は、被堆積部６０の第２面６０ｂに対向して配置され、吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界を変化させている。このような調整部４０を設けると、被堆積部６０の第１面６０ａ上におけるナノファイバＮの堆積状態は、均一化できる。これにより、歩留りが向上する。

例えば、図７に表すように、ナノファイバＮの堆積面と反対の面に対向して調整部４０を設けると、電極６４上に形成された膜厚不足部６４ｄはナノファイバＮによって埋められる。

図８は、ナノファイバ製造方法を示すフローチャートである。
図８に表したように、ナノファイバＮが堆積された被堆積部６０の表面欠陥を検査する（ステップＳ１１０）。検査部２５は、被堆積部６０の第１面６０ａの欠陥を検査する。表面欠陥は、ピンホール等の開口や、ナノファイバＮの膜厚が不足している部分等である。以下のステップにおいて、ナノファイバＮが堆積された被堆積部６０に表面欠陥が存在する場合を述べる。

制御部２０は、被堆積部６０上の欠陥の位置及び種類に基づいて、吐出部３０、調整部４０及び遮蔽部５０の位置を決定する（ステップＳ１２０）。制御部２０は、被堆積部６０上の欠陥に基づいて、吐出部３０の被堆積部６０に対する位置、調整部４０の被堆積部６０に対する位置、及び、遮蔽部５０の被堆積部６０に対する位置を決定する。位置の決定後、駆動機構等によって、吐出部３０、調整部４０及び遮蔽部５０は、座標軸方向に移動することができる。

制御部２０は、吐出部３０、調整部４０及び遮蔽部５０の少なくともいずれかの位置を決定しても良い。位置の決定後、駆動機構等によって、吐出部３０、調整部４０及び遮蔽部５０の少なくともいずれかは、座標軸方向に移動することができる。

吐出部３０と、被堆積部６０と、の間に発生する電界は、調整部４０及び遮蔽部５０から発生する電界によって変化する。ナノファイバＮの進行経路は、調整部４０及び遮蔽部５０から発生する電界によって制御される。

制御部２０は、ナノファイバＮが欠陥部分に形成するように、電源部１０及び吐出部３０を制御し、吐出量を決定する（ステップＳ１３０）。制御部２０は、欠陥部分にナノファイバＮを形成するために、電源部１０から印加する電圧値、及び、吐出部３０から吐出する原料液の量を決定する。供給部３５がナノファイバ製造装置１００に設けられている場合、制御部２０は、供給部３５を制御して吐出部３０から吐出する原料液の量を決定しても良い。

原料液が吐出部３０から吐出され、欠陥部分がナノファイバＮによって埋められる（ステップＳ１４０）。これにより、被堆積部６０上の表面欠陥は修復される。

本実施形態によれば、より生産性が向上したナノファイバ製造方法が提供できる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…電源部、１１…基板、２０…制御部、２５…検査部、３０、３０ａ…吐出部、３５…供給部、４０…調整部、４０Ｗ、５０Ｗ…幅、５０…遮蔽部、６０…被堆積部、６０ａ、６３ａ…第１面、６０ｂ、６３ｂ…第２面、６１…ローラ、６２…回動体、６３…シート、６４…電極、６４ｄ…膜厚不足部、６４ｏ…開口、６５…集電体、６６…電極体、１００、１１０、１２０…ナノファイバ製造装置、Ｎ…ナノファイバ

Claims

第１面と、前記第１面と反対の第２面と、を有する被堆積部と、
前記第１面に向かって原料液を吐出する吐出部と、
前記吐出部と、前記第１面と、の間に電位差を発生させる電源部と、
前記第１面の欠陥を検査する検査部と、
前記第２面に対向して設けられ、前記第２面に電位を発生させる調整部と、
を備えたナノファイバ製造装置。
前記調整部を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記検査部から送られる欠陥信号に基づいて、前記調整部の前記被堆積部に対する位置を決定する請求項１記載のナノファイバ製造装置。
前記制御部は、前記吐出部及び前記電源部を制御し、
前記制御部は、前記検査部から送られる欠陥信号に基づいて、前記電源部から印加する電圧値、及び、前記吐出部から吐出する前記原料液の量を決定する請求項２記載のナノファイバ製造装置。
前記第２面に発生する電位は、前記吐出部に発生する電位と極性が逆の電位である請求項１〜３のいずれか１つに記載のナノファイバ製造装置。
前記調整部は、前記第２面に近づくにつれて幅が小さくなる形状を有する請求項１〜４のいずれか１つに記載のナノファイバ製造装置。
前記調整部の前記第２面に対向する端部は尖っている請求項１〜５のいずれか１つに記載のナノファイバ製造装置。
前記吐出部と、前記第１面と、の間に設けられた遮蔽部をさらに備え、
前記遮蔽部に発生する電位は、前記吐出部に発生する電位と極性が同じ電位である請求項１〜６のいずれか１つに記載のナノファイバ製造装置。
前記遮蔽部は、前記欠陥を囲むように設けられた電場制御部を有し、
前記調整部の大きさは、前記遮蔽部間の幅と略同じ、若しくは小さい請求項７記載のナノファイバ製造装置。
前記遮蔽部は、前記欠陥を囲むように互いに対向して設けられた一対の直方体を有し、
前記調整部の幅は、前記直方体間の幅と略同じ、若しくは、前記直方体間の幅より小さい請求項７または８記載のナノファイバ製造装置。
前記吐出部は、複数のノズルを有し、
前記複数のノズルの各々に前記原料液を供給する供給部をさらに備えた請求項１〜９のいずれか１つに記載のナノファイバ製造装置。
請求項１〜１０のいずれか１つに記載のナノファイバ製造装置を用いたナノファイバ製造方法であって、
前記第１面の欠陥を検査する工程と、
前記欠陥の位置に基づいて、前記吐出部の前記被堆積部に対する位置、及び、前記調整部の前記被堆積部に対する位置の少なくともいずれかを決定する工程と、
前記電源部から印加する電圧値、及び、前記吐出部から吐出する前記原料液の量を決定する工程と、
前記欠陥にナノファイバを堆積する工程と、
を備えたナノファイバ製造方法。