JP6160903B2 - 磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置 - Google Patents
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- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
-
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Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係る不揮発性記憶装置を示す模式的断面図である。
図1に表したように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置610は、磁気記憶素子110と、制御部550と、を含む。
磁気記憶素子110は、積層体SB0を含む。積層体SB0は、第1積層部SB1と、第2積層部SB2と、を含む。
制御部550は、磁気記憶素子110と電気的に接続される。制御部550は、磁気記憶素子110に対して電圧の印加及び電流の供給を行うことにより、磁気記憶素子110の動作を制御する。
第1強磁性層10は、主面10aを有する。第1強磁性層10の磁化10mの方向は、実質的に固定されている。第1強磁性層10の磁化10mの方向は、例えば、主面10aに対して垂直な成分を有する。第1強磁性層10の磁化10mの方向は、主面10aに対して非平行である。
Δ=Ku・V/KB・T
上記の式において、Kuは有効磁気異方性定数であり、Vは第2強磁性層20の体積であり、KBはボルツマン定数であり、Tは磁気記憶素子110の絶対温度である。
図2(a)は、垂直磁化膜における磁化を例示している。図2(b)は、面内磁化膜における磁化を例示している。
図2(a)及び図2(b)に表したように、積層方向SD1に対して垂直な1つの方向を面内方向SD2とする。面内方向SD2は、X−Y平面内の方向である。磁化72の面内磁化成分72bは、磁化72をX−Y平面に投影した成分である。面内磁化成分72bは、面内方向SD2に対して平行である。磁化72の垂直磁化成分72aは、磁化72をZ軸方向に投影した成分である。垂直磁化成分72aは、積層方向SD1に対して平行である。
これらの図は、磁気記憶素子110における「書き込み」動作の際の第1積層部SB1及び第2積層部SB2の状態を例示している。書き込み動作においては、第1強磁性層10の膜面及び第2強磁性層20の膜面を横切るように電子電流60を流すことにより、第2強磁性層20に対して書き込み動作が実施される。ここでは、第1非磁性層10nを介した磁気抵抗効果が、ノーマルタイプである場合について説明する。
図3(a)は、電子電流60を流し始めた状態を例示している。図3(e)は、電子電流60を流し終えた状態(磁化21m及び磁化22mが反転した状態)を例示している。図3(b)〜図3(d)は、その途中の状態を例示している。
図4(a)は、電子電流60を流し始めた状態を例示している。図4(e)は、電子電流60を流し終えた状態(磁化21m及び磁化22mが反転した状態)を例示している。図4(b)〜図4(d)は、その途中の状態を例示している。
磁気記憶素子110における第2強磁性層20の磁化21m及び磁化22mの方向の検出は、例えば、磁気抵抗効果を利用して実施される。磁気抵抗効果においては、各層の磁化の相対的な向きにより電気抵抗が変わる。磁気抵抗効果を利用する場合、第1強磁性層10と第2強磁性層20との間にセンス電流を流し、磁気抵抗が測定される。センス電流の電流値は、書き込み時(記憶時)に流す電子電流60に対応する電流値よりも小さい。
これらの図は、磁気記憶素子110における「読み出し」動作の際の第1積層部SB1の状態を例示している。これらの図では、第2積層部SB2、第1導電層81、第2導電層82及び第3非磁性層30nは省略されている。
ノーマルタイプの磁気抵抗効果においては、図5(a)の状態の抵抗は、図5(b)の状態の抵抗よりも低い。リバースタイプの磁気抵抗効果においては、図5(a)の状態の抵抗は、図5(b)の状態の抵抗よりも高い。
図6(a)は、シミュレーションに用いた磁気記憶部を表す模式的断面図である。図6(b)は、第1部分21に関するシミュレーション条件を示す表である。図6(c)は、第2部分22に関するシミュレーション条件を示す表である。
シミュレーションでは、Micromagnetics-LLGにより、トリガ層を設けることで、記憶層の磁気共鳴周波数より低い周波数の磁界で磁化反転がアシストされることを確認する。
図7(a)は、磁気記憶部MMUにおいて、第1部分21及び第2部分22を垂直方向に磁化させた場合を示している。図7(b)は、磁気記憶部MMUにおいて、第1部分21及び第2部分22を面内方向に磁化させた場合を示している。図7(c)は、シミュレーション結果を示すグラフ図である。図7(c)の横軸は、時間(ナノ秒)であり、縦軸は、エネルギーである(J)。
図7(a)及び図7(b)に表したように、記憶層とトリガ層の初期磁化をそれぞれ面内方向に傾けた場合と、それぞれ垂直方向に傾けた場合について、10ns間の磁化緩和過程を計算した。この系では、垂直磁化が安定である。一方、面内磁化は、ある一定時間を経てエネルギーバリアを超えて垂直磁化へ緩和する。
図8は、Δ値の計算結果を表す。図8において、C1及びC2は、第1部分21のみを第2強磁性層20に設けた場合の計算結果である。一方、C3〜C5は、第1部分21と第2部分22とを第2強磁性層20に設けた場合の計算結果である。また、C1は、第1部分21の材料パラメータから解析的に求められる計算結果である。C2は、第1部分21のみを第2強磁性層20に設けた場合の、エネルギーバリアから求めた計算結果である。C3は、第1部分21と第2部分22との結合磁界の大きさを5kOeとしたときの計算結果である。C4は、第1部分21と第2部分22との結合磁界の大きさを6kOeとしたときの計算結果である。C5は、第1部分21と第2部分22との結合磁界の大きさを7kOeとしたときの計算結果である。
図9は、外部印加磁界の周波数を変えた時に、磁化反転にかかった時間を計算したシミュレーション結果を表す。図9の横軸は、外部印加磁界の周波数Fext(GHz)であり、縦軸は、磁化反転にかかった時間Trv(ナノ秒)である。また、図9において、M1は、第1部分21のみを第2強磁性層20に設けたモデルのシミュレーション結果である。M2は、第1部分21と第2部分22との結合磁界の大きさを5kOeとしたときのシミュレーション結果である。M3は、第1部分21と第2部分22との結合磁界の大きさを6kOeとしたときのシミュレーション結果である。
図10は、電流を通電した時の磁化の時間応答を表している。図10の横軸は、電流の供給時間であり、縦軸は、第2強磁性層20の磁化の状態を表している。また、図10において、Mz1は、第1部分21と第2部分22とを第2強磁性層20に設けたモデルに対して外部磁界を与えない時の挙動を表す。Mz2は、21GHzの回転磁界を与えた時の挙動を表す。
図11(a)及び図11(b)に表したように、第1積層部SB1において、第1部分21及び第2部分22の位置は、2通りある。
図11(a)に表したように、第1強磁性層10と第1部分21との間に第2部分22を設けてもよい。
図11(b)に表したように、第1強磁性層10と第2部分22との間に第1部分21を設けてもよい。
図11(a)は、例えば、第1強磁性層10からのスピントルクによって第2部分22の磁化22mが反転することで、第1部分21の磁化21mの磁化反転がアシストされる構造である。図11(b)は、例えば、第2積層部SB2(STO)からの磁界によって第2部分22の磁化22mの歳差運動が増強され、第1部分21の磁化21mの磁化反転をアシストする構造である。
図12は、共鳴アシスト構造を利用した書き込み電流と読み出し電流の関係を表した図である。図12の横軸は、STOの発生磁界の周波数Frmfであり、縦軸は、磁気記憶部MMUに流れる電流である。また、図12において、IRは読み出し電流であり、IWは書き込み電流である。共鳴アシスト構造では、共鳴することで、書き込みに必要となる電流が下がった状態で書き込みをすることで、読み出し時と書き込み時の電流マージン(Ic変化率ΔI)を拡大して、誤書き込みを防ぐことができる。トリガ層付き構造では、STOの発生磁界の周波数Frmfを、例えば、30GHz以下へ下げることができるため、例えば、第2積層部SB2の材料選択性が増す。
図13は、磁気記憶部MMUに印加する外部磁界をZ軸方向に変化させた時の磁気記憶部MMUの抵抗値の変化の一例を表す。図13の横軸は、磁気記憶部MMUに印加する外部磁界Hextであり、縦軸は、磁気記憶部MMUの抵抗値Rである。
図14は、第2強磁性層20にトリガ層がある場合とない場合における、外部磁界に対する書き込み電流の変化を表した図である。図14の横軸は、外部磁界の周波数であり、縦軸は、磁化反転に必要であった電流密度である。
第2強磁性層20の磁気共鳴周波数は、例えば、積層体SB0の上下電極(例えば、第1導電層81及び第2導電層82)にプローブをあて、ダンピング測定法を利用して測定することができる。ダンピング測定法としては、例えば、H. Kubota et. al., Nature physics 4 (08) 37,または、J. Sankey et. al., Nature physics 4 (08) 67などに記載された方法を利用することができる。
図14に表したように、トリガ層を設けていない参考例では、第2強磁性層20の磁気共鳴周波数が、50GHz付近である。一方、磁気記憶素子110では、第2強磁性層20の磁気共鳴周波数が、20GHz未満である。このように、第2強磁性層20にトリガ層が設けられているか否かは、例えば、ダンピング測定法を利用して第2強磁性層20の磁気共鳴周波数を測定することにより、判別することができる。
図15は、第1部分21の有効異方性磁界Hk1及び第2部分22の有効異方性磁界Hk2の測定結果の一例を表す。図15の横軸は、外部磁界であり、縦軸は、磁気記憶部の抵抗値Rである。
第1部分21の有効異方性磁界Hk1及び第2部分22の有効異方性磁界Hk2は、例えば、積層体SB0の上下電極にプローブをあて、容易軸方向と困難軸方向とにそれぞれ磁界を印加したときの磁気記憶部の抵抗を測定することで、求めることができる。この例において、容易軸方向は、積層方向SD1であり、困難軸方向は、面内方向SD2である。
図16は、第1部分21の磁気共鳴周波数f1及び第2部分22の磁気共鳴周波数f2の測定結果の一例を表す。図16の横軸は、測定装置の測定周波数であり、縦軸は、測定装置の信号強度SIである。
第1部分21の磁気共鳴周波数f1及び第2部分22の磁気共鳴周波数f2は、例えば、強磁性共鳴(FMR:Ferromagnetic Resonance)測定装置などで測定することができる。FMR測定では、例えば、積層体SB0の上下電極にプローブをあて、スペクトルを測定する。第2強磁性層20に第1部分21と第2部分22とが設けられている場合には、第1部分21の磁気共鳴周波数f1及び第2部分22の磁気共鳴周波数f2のそれぞれに対応した2本以上のスペクトルが観察される。これにより、観察されたスペクトルの1つを第1部分21の磁気共鳴周波数f1、別の1つを第2部分22の磁気共鳴周波数f2として測定することができる。
第3非磁性層30nに用いられる非磁性金属層には、例えば、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、パラジウム(Pd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、白金(Pt)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)及びオスミウム(Os)よりなる群から選択された少なくともいずれかの非磁性金属、または、上記の群から選択された2つ以上の非磁性金属を含む合金を含むことができる。
以上により、磁気記憶素子110が完成する。
図17に表しように、磁気記憶素子111では、第1強磁性層10の磁化10mの向きが下向きであり、第4強磁性層40の磁化40mの向きが上向きである。このように、磁化10mの向き及び磁化40mの向きは、磁気記憶素子110の磁化10mの向き及び磁化40mの向きに対して、それぞれ逆向きでもよい。
図18に表しように、磁気記憶素子112では、第2強磁性層20が、第4非磁性層40nをさらに含む。第4非磁性層40nは、第1部分21と第2部分22との間に設けられる。このように、第1部分21の磁化21mは、第4非磁性層40nを介して第2部分22の磁化22mと強磁性結合させてもよい。
第4非磁性層40nに用いられる非磁性金属層には、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、パラジウム(Pd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、白金(Pt)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)及びオスミウム(Os)よりなる群から選択された少なくともいずれかの非磁性金属、または、上記の群から選択された2つ以上の元素を含む合金を用いることができる。
図19(a)〜図19(f)に表したように、磁気記憶素子121〜磁気記憶素子126では、第2強磁性層20、第1非磁性層10n、第1強磁性層10、第3非磁性層30n、第4強磁性層40、第2非磁性層20n及び第3強磁性層30が、この順に積層されている。このように、積層体SB0の積層順は、図19(a)〜図19(f)に表した順序でもよい。
図20に表したように、磁気記憶素子131は、磁気シールド51をさらに含む。積層体SB0は、積層方向SD1に延びる側面SS0を有する。第1積層部SB1は、積層方向SD1に延びる側面SS1(第1側面)を有する。第2積層部SB2は、積層方向SD1に延びる側面SS2(第2側面)を有する。第3非磁性層30nは、積層方向SD1に延びる側面SSnを有する。ここで、「積層方向SD1に延びる」には、積層方向SD1に対して非平行な状態も含むものとする。「積層方向SD1に延びる」は、少なくとも積層方向SD1に延びる成分を有していればよい。すなわち、「積層方向SD1に延びる面」とは、積層方向SD1に対して直交する面でなければよい。
まず、ウェーハ上に下部電極(図示せず)を形成した後、そのウェーハを超高真空スパッタ装置内に配置する。次に、下部電極上に、Ta/Ru層(電極とのコンタクト層、兼ストッパー層)、CoFeB層(トリガ層)、FePd/CoFeB層(記憶層)、MgO(第1非磁性層10n)、CoFeB/FePt層(第1強磁性層10)、Ru(第3非磁性層30n)、FePt/CoFeB/Cu/Py層(磁界発生部)および、その上にTa(電極とのコンタクト層)による層をこの順に積層させる。ここで、磁界中でアニールすることによって、FePd/CoFeB層とCoFeB/FePt層の膜面垂直方向の磁気異方性の強さを調節することもできる。
以上により、磁気記憶素子131が完成する。
図21(a)及び図21(b)に表したように、磁気記憶素子132及び磁気記憶素子133においては、第4強磁性層40及び第3非磁性層30nが省略されている。磁気記憶素子132及び磁気記憶素子133においては、第1積層部SB1と第3強磁性層30との間に、第2非磁性層20nが設けられる。磁気記憶素子132においては、第2強磁性層20、第1非磁性層10n、第1強磁性層10、第2非磁性層20n及び第3強磁性層30が、この順に積層される。磁気記憶素子133においては、第1強磁性層10、第1非磁性層10n、第2強磁性層20、第2非磁性層20n及び第3強磁性層30が、この順に積層される。
図22(a)に表したように、磁気記憶素子134では、第2積層部SB2の幅(積層方向SD1に対して垂直な方向の長さ)が、上方向に向かうに従って連続的に減少する。すなわち、第2積層部SB2の形状は、テーパ状である。第2積層部SB2の形状は、例えば、錐台状である。第2強磁性層20などのX−Y平面に投影した形状は、例えば、円形である。従って、第2積層部SB2の形状は、例えば、円錐台状である。従って、この例では、第2積層部SB2の積層方向SD1に対して垂直な方向の長さが、第2強磁性層20の積層方向SD1に対して垂直な方向の長さよりも短い。例えば、第3強磁性層30の積層方向SD1に対して垂直な方向の長さが、第2強磁性層20の積層方向SD1に対して垂直な方向の長さよりも短い。
図23に表したように、磁気記憶素子141では、第1積層部SB1が、第5強磁性層50と第5非磁性層50nとをさらに含む。
図24(a)は、磁気記憶素子142の模式的平面図であり、図24(b)は、磁気記憶素子142の模式的断面図である。図24(b)は、図24(a)のA1−A2線断面を模式的に表す。
図24(a)及び図24(b)に表したように、磁気記憶素子142では、第2強磁性層20、第1非磁性層10n、第2積層部SB2及び第3非磁性層30nが、それぞれ複数設けられている。複数の第2強磁性層20は、積層方向SD1に対して垂直な方向に並ぶ。この例では、複数の第2強磁性層20が、Y軸方向に並ぶ。複数の第1非磁性層10nのそれぞれは、第1強磁性層10と複数の第2強磁性層20とのそれぞれの間に設けられる。複数の第2積層部SB2のそれぞれは、複数の第2強磁性層20のそれぞれと積層される。複数の第3非磁性層30nのそれぞれは、複数の第2強磁性層20と複数の第2積層部SB2とのそれぞれの間に設けられる。
図25(a)に表したように、磁気記憶素子143では、積層部分SPの幅(積層方向SD1に対して垂直な方向の長さ)が、第1積層部SB1から第2積層部SB2に向かう方向において減少する。例えば、積層部分SPの幅が、連続的に減少する。
図26(a)〜図26(c)に表したように、磁気記憶素子145〜磁気記憶素子147では、第1強磁性層10と複数の第2強磁性層20との間に、1つの第1非磁性層10nが設けられる。磁気記憶素子145〜磁気記憶素子147では、第1強磁性層10の上に第1非磁性層10nが設けられる。複数の第2強磁性層20が、第1非磁性層10nの上に並べて設けられる。複数の第3非磁性層30nが、複数の第2強磁性層20のそれぞれの上に設けられる。複数の第2積層部SB2が、複数の第3非磁性層30nのそれぞれの上に設けられる。
図27は、第2の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式図である。
図27に表したように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置620は、メモリセルアレイMCAを備える。メモリセルアレイMCAは、マトリクス状に配列された複数のメモリセルMCを有する。各メモリセルMCは、第1の実施形態に係る磁気記憶素子のいずれかを、MTJ素子(積層体SB0)として有する。
図28は、1つのメモリセルMCの部分を例示している。この例では、磁気記憶素子110が用いられているが、実施形態に係る任意の磁気記憶素子を用いることができる。
Claims (14)
- 磁化の方向が固定された第1強磁性層と、
前記第1強磁性層と積層された第2強磁性層であって、
磁化の方向が可変である第1部分と、
前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との積層方向に前記第1部分と積層され磁化の方向が可変である第2部分と、
を含み、前記第2部分の磁気共鳴周波数は前記第1部分の磁気共鳴周波数よりも低い第2強磁性層と、
前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、
を含む第1積層部と、
前記積層方向に前記第1積層部と積層された第2積層部であって、磁化の方向が可変である第3強磁性層を含む第2積層部と、
を備え、
前記積層方向に前記第1積層部及び前記第2積層部に電流が流れた際に、回転磁界が発生して、前記第1部分及び前記第2部分のそれぞれの前記磁化の方向は前記電流の向きに応じた方向に向き、
前記第1部分の前記磁気共鳴周波数は、20GHz以上であり、
前記第2部分の前記磁気共鳴周波数は、20GHz未満である磁気記憶素子。 - 前記第1部分の前記磁気共鳴周波数は、20GHz以上であり、
前記第2部分の前記磁気共鳴周波数は、15GHz以下である請求項1記載の磁気記憶素子。 - 前記第2積層部は、
前記積層方向に前記第3強磁性層と積層され磁化の方向が固定された第4強磁性層と、
前記第3強磁性層と前記第4強磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、
を、さらに含む請求項1または2に記載の磁気記憶素子。 - 前記第1強磁性層の前記磁化の前記積層方向の成分の向きは、前記第4強磁性層の前記磁化の前記積層方向の成分の向きに対して逆である請求項3記載の磁気記憶素子。
- 前記第1積層部と前記第2積層部との間に設けられた第3非磁性層を、さらに備え、
前記第3非磁性層は、ルテニウム(Ru)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、及び、バナジウム(V)よりなる群から選択されたいずれかの金属、または、前記群から選択された少なくとも2つ以上の金属を含む合金を含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記第1積層部と前記第2積層部との間に設けられた第3非磁性層を、さらに備え、
前記第3非磁性層は、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、及び、イリジウム(Ir)よりなる群から選択されたいずれかの金属、または、前記群から選択された少なくとも2つ以上の金属を含む合金を含み、
前記第3非磁性層の厚さは、3ナノメートル以下である請求項1〜4のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記第1強磁性層の前記磁化の前記積層方向に対して平行な垂直磁化成分は、前記第1強磁性層の前記磁化の前記積層方向に対して垂直な面内磁化成分よりも大きく、
前記第1部分の前記磁化の前記垂直磁化成分は、前記第1部分の前記磁化の前記面内磁化成分よりも大きく、
前記第2部分の前記磁化の前記垂直磁化成分は、前記第2部分の前記磁化の前記面内磁化成分よりも大きく、
前記第3強磁性層の前記磁化の前記垂直磁化成分は、前記第3強磁性層の前記磁化の前記面内磁化成分よりも小さい請求項1〜6のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記積層方向に対して垂直な面内方向の前記第3強磁性層の長さは、35ナノメートル以下であり、
前記積層方向の前記第3強磁性層の長さは、0.5ナノメートル以上3.5ナノメートル以下である請求項1〜7のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記第1積層部は、
磁化の方向が固定された第5強磁性層と、
第5非磁性層と、
をさらに含み、
前記第1強磁性層は、前記第2強磁性層と前記第5強磁性層との間に配置され、
前記第5非磁性層は、前記第1強磁性層と前記第5強磁性層との間に配置され、
前記第5強磁性層の前記磁化の前記積層方向の成分の向きは、前記第1強磁性層の前記磁化の前記積層方向の成分の向きに対して逆である請求項1〜8のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記第2強磁性層、前記第1非磁性層及び前記第2積層部は、それぞれ複数設けられ、
前記複数の第2強磁性層は、前記積層方向に対して垂直な面内方向に並び、
前記複数の第1非磁性層のそれぞれは、前記第1強磁性層と前記複数の第2強磁性層とのそれぞれの間に配置され、
前記複数の第2積層部は、前記複数の第2強磁性層のそれぞれと積層され、
前記複数の第2積層部のそれぞれの前記面内方向の長さは、前記複数の第2強磁性層のそれぞれの前記面内方向の長さよりも短い請求項1〜9のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記第1強磁性層の前記積層方向に対して垂直な面内方向の長さは、前記第1積層部から前記第2積層部に向かう方向において減少する請求項1〜10のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。
- 前記第2強磁性層及び前記第2積層部は、それぞれ複数設けられ、
前記複数の第2強磁性層は、前記積層方向に対して垂直な面内方向に並び、
前記第1非磁性層は、前記第1強磁性層と前記複数の第2強磁性層との間に配置され、
前記複数の第2積層部は、前記複数の第2強磁性層のそれぞれと積層される請求項1〜9のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 請求項1〜12のいずれか1つに記載の磁気記憶素子と、
前記磁気記憶素子の一端に電気的に接続された第1配線と、
前記磁気記憶素子の他端に電気的に接続された第2配線と、
前記第1配線及び前記第2配線を介して前記磁気記憶素子と電気的に接続された制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記第1部分の前記磁化の方向及び前記第2部分の前記磁化の方向を変化させる書き込みのときに前記磁気記憶素子に電流を供給する時間を、前記第1部分の前記磁化の方向及び前記第2部分の前記磁化の方向を読み出す読み出しのときに前記磁気記憶素子に電流を供給する時間よりも長くする不揮発性記憶装置。 - 前記磁気記憶素子と前記第1配線との間及び前記磁気記憶素子と前記第2配線との間の少なくとも一方に設けられた選択トランジスタをさらに備えた請求項13記載の不揮発性記憶装置。
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