JP6160077B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.
半導体素子の製造において、基板等は、干渉計を用いて高精度に位置合わせされる(特許文献1参照)。
[特許文献1]特開2010−147253号公報
In manufacturing a semiconductor element, a substrate or the like is aligned with high accuracy using an interferometer (see Patent Document 1).
[Patent Document 1] JP 2010-147253 A
複数の基板を重ね合わせる場合に、干渉計自体の振動を抑制することが望まれている。 When a plurality of substrates are overlapped, it is desired to suppress vibration of the interferometer itself.
本発明の一態様においては、第1の基板と第2の基板とを互いに重ね合せる基板処理装置であって、第1の基板を保持する第1ステージと、第2の基板を保持し、第1ステージに向かって移動して第1の基板および第2の基板を互いに重ね合わせる第2ステージと、第1ステージに連結され、第2ステージの位置を測定する干渉計と、第1基板と第2基板とが互いに接触することにより生じ、干渉計に向かって伝達される振動を抑制する振動抑制部とを備えるが提供される。 In one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for overlapping a first substrate and a second substrate with each other, the first stage holding the first substrate, the second substrate, A second stage that moves toward the first stage and superimposes the first substrate and the second substrate on each other; an interferometer that is coupled to the first stage and measures the position of the second stage; There is provided a vibration suppression unit that suppresses vibrations generated by the two substrates coming into contact with each other and transmitted toward the interferometer.
上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となり得る。 The above summary of the present invention does not enumerate all necessary features of the present invention. A sub-combination of these feature groups can also be an invention.
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.
図1は、基板貼合装置10の模式的平面図である。一対の基板210を貼り合わせて積層基板230を製造する。貼り合わされる基板210としては、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、ガラス基板等を例示できる。また、貼り合わされる基板210は、それ自体が貼り合わせにより製造された積層構造を有する基板であってもよい。
FIG. 1 is a schematic plan view of the
基板貼合装置10は、大気環境部100および真空環境部300を備える。大気環境部100は、環境チャンバ110の内部に収容された搬送ロボット130、160、180、プリアライナ140、アライナ150、分離部170およびホルダラック190を有する。環境チャンバ110の内部については、清浄な雰囲気の温度、湿度等が管理されている。
The
環境チャンバ110の外側には、制御部112および基板カセット120が配される。制御部112は、基板貼合装置10全体の動作を制御する。基板カセット120は、貼り合わされる基板210と、貼り合わせにより製造された積層基板230とを収容する。基板カセット120は、基板貼合装置10から取り外して、基板210または積層基板230を運搬する場合の容器として使用することもできる。
A
大気環境部100において、プリアライナ140は、基板カセット120から取り出された基板210を、基板ホルダ220に保持させる。アライナ150は、互いに対向する固定ステージ151および移動ステージ152を有し、それぞれが基板ホルダ220に保持された一対の基板210を位置合わせして重ね合わせる。ホルダラック190は、使用していない基板ホルダ220を収容する。
In the
分離部170は、基板210を貼り合わせて製造された積層基板230を基板ホルダ220から分離する。積層基板230から分離された基板ホルダ220は、ホルダラック190に格納して待機させてもよいし、プリアライナ140に搬送して次の基板210を保持させてもよい。
The
搬送ロボット130、160、180のそれぞれは、フィンガ132、162、182と、アーム134、164、184とを有する。フィンガ132、162、182は、基板210、基板ホルダ220および積層基板230のうちの少なくともひとつを保持する。アーム134、164、184は、フィンガ132、162、182を支持して移動させる。
Each of the
基板カセット120の直近に配され、プリアライナ140、アライナ150およびホルダラック190に包囲された搬送ロボット130は、プリアライナ140に、基板ホルダ220および基板210を順次搬入する。また、搬送ロボット130は、プリアライナ140において基板210を保持した基板ホルダ220をアライナ150に搬入する。更に、搬送ロボット130は、分離部170において基板ホルダ220から分離された積層基板230を基板カセット120に搬入する。
The
アライナ150に対して搬送ロボット130と反対側に配された搬送ロボット160は、アライナ150において基板210を保持した基板ホルダ220を重ね合わせることにより形成された積層体201を、真空環境部300に搬送する。また、搬送ロボット160は、真空環境部300において処理された積層体201を、再び大気環境部100に搬出する。
The
アライナ150の図中側部に沿って配された搬送ロボット180は、搬送ロボット160により搬出された積層体201から分離部170において分離された基板ホルダ220および積層基板230を、基板カセット120側に向かって搬送する。
The
基板貼合装置10における真空環境部300は、ロードロック310、ロボットチャンバ320、加熱加圧部340および冷却室360を有する。ロードロック310は、大気環境部100における環境チャンバ110の内部と、真空環境部300のロボットチャンバ320の内部とを連通させる。
The
ロードロック310は、個別に開閉するアクセスドア312およびゲートバルブ314を有する。よって、アクセスドア312およびゲートバルブ314の両方を閉じた状態で給気または排気することにより、ロードロック310の内部を大気環境にすることも真空環境にすることもできる。
The
ロードロック310の内部が大気環境の場合、ゲートバルブ314を閉じたままアクセスドア312を開くことにより、ロードロック310と大気環境部100と連通させることができる。これにより、搬送ロボット160は、大気環境部100の環境を維持したまま、ロードロック310に積層体201を搬入または搬出できる。
When the interior of the
また、ロードロック310の内部が真空環境の場合、アクセスドア312を閉じたままゲートバルブ314を開くことにより、ロードロック310を真空環境部300に連通させることができる。これにより、搬送ロボット330、350により、真空環境部300の環境を維持したまま、真空環境部300側からロードロック310に積層体201を搬入または搬出できる。
Further, when the inside of the
ロボットチャンバ320は、個別に制御される一対の搬送ロボット330、350を有する。搬送ロボット330、350の各々は、積層体201を保持するフィンガ332、352と、フィンガ332、352を支持すると共に移動させるアーム334、354とを有する。
The
複数の加熱加圧部340と単一の冷却室360は、それぞれが断熱容器349、369を有して、個別にロボットチャンバ320に連通する。加熱加圧部340および冷却室360の各々とロボットチャンバ320との間は、個別に開閉できるゲートバルブ342、362により気密に遮断できる。これにより、加熱加圧部340および冷却室360は、個別の温度環境を独立して維持できる。
Each of the plurality of heating and pressurizing
加熱加圧部340は、加熱部と加圧部とを有し、搬入された積層体201を加熱すると共に加圧する。これにより、積層体201において重ね合わされていた基板210は、互いに貼り合わされて単一の積層基板230となる。なお、加熱加圧部340は、加熱加圧後の積層体201をある程度冷却する機能を有してもよい。これにより、加熱加圧部340から搬出される積層体201と、加熱加圧部340に搬入される積層体201とのそれぞれ生じる温度変化を抑制できる。
The heating and
冷却室360は、加熱加圧部340から搬出された積層体201の温度を、大気環境部100の環境温度と略等しい温度まで冷却する。これにより、大気環境部100の熱負荷の増加を防止すると共に、真空環境部300から大気環境部100に搬入された積層体201の温度変化を抑制できる。
The cooling
真空環境部300においては、搬送ロボット330、350の一方が加熱加圧部340のひとつから積層体201を搬出した場合に、搬送ロボット330、350の他方が、他の積層体201を当該加熱加圧部340に即座に搬入できる。これにより、加熱加圧部340の待機時間を短縮して、基板貼合装置10のスループットを向上させることができる。
In the
図2は、基板貼合装置10において貼り合わせる一対の基板210の概念的な斜視図である。基板210の各々は、ノッチ214により一部が欠けた円板型の形状を有する。基板210の各々は、複数の素子領域216および複数のアライメントマーク218を有する。
FIG. 2 is a conceptual perspective view of a pair of
ノッチ214は、基板210の結晶配向性等を示す指標として設けられる。よって、プリアライナ140においては、ノッチ214の位置を検出することにより、基板210に形成された素子領域216の方向を検知する。
The
素子領域216は、基板210の表面に周期的に配される。素子領域216の各々には、フォトリソグラフィ技術等により形成された半導体装置が実装される。また、素子領域216の各々には、基板210を他の基板210に貼り合わせる場合に接続端子となるパッド、バンプ等も含まれる。
The
基板210において、複数の素子領域216相互の間には、素子、回路等の機能的要素が配されていないブランク領域がある。ブランク領域には、基板210を素子領域216毎に切り分ける場合に切断するスクライブライン212が配される。
In the
更に、スクライブライン212上には、貼り合わせる基板210を位置合わせする場合の指標となるアライメントマーク218が配される。スクライブライン212は、基板210を切断してダイにする過程で鋸代となって消滅するので、アライメントマーク218を設けることにより、基板210の実効的な面積が圧迫されることはない。
Furthermore, on the
なお、図中では素子領域216およびアライメントマーク218を大きく描いているが、例えば直径300mmの基板210に形成される素子領域216の数は数百以上にも及ぶ場合がある。また、素子領域216に形成された配線パターン等をアライメントマーク218として利用する場合もある。
Although the
図3は、基板貼合装置10の内部で一対の基板210を貼り合わせる場合に用いられる一組の基板ホルダ220の斜視図である。アライナ150は、基板処理装置の一例である。
FIG. 3 is a perspective view of a pair of
基板ホルダ220は、アルミナセラミックス等の硬質材料で形成される。基板ホルダ220の各々は、保持する基板210に接する円形の保持面227、228と、保持面227、228の径方向外側に延在する縁部221、222と有する。
The
基板ホルダ220の各々において、保持面227、228には、基板210を吸着する静電チャック225、226が埋設される。これにより、基板ホルダ220は、それぞれ基板210を吸着して保持する。
In each of the
また、一組の基板ホルダ220において、一方は縁部221に配された磁石片223を有し、他方は縁部222に配された磁性体片224を有する。これにより、一組の基板ホルダ220は、間に基板210を挟んで、相互に結合された状態を自律的に維持できる。
In the set of
図4、図5、図6および図7は、基板貼合装置10における基板210の積層基板230への変遷を、段階を追って示す図である。これらの図面を参照しつつ、基板貼合装置10の動作を説明する。
4, FIG. 5, FIG. 6 and FIG. 7 are diagrams showing the transition of the
図4に示すように、貼り合わせる基板210の各々は、プリアライナ140において、1枚ずつ基板ホルダ220に搭載される。この段階では、基板210は、静電チャック225、226の静電力により基板ホルダ220に保持される。
As shown in FIG. 4, each of the
プリアライナ140において基板210を保持した基板ホルダ220は、搬送ロボット130によりアライナ150に搬入される。アライナ150においては、固定ステージ151に保持された基板ホルダ220と、移動ステージに保持された基板ホルダ220とが、図5に示すように互いに対向する。これにより、貼り合わされる一対の基板210も互いに対向する。
The
引き続きアライナ150においては、一対の基板210が、位置合わせされた上で重ね合わされる。これにより、図6に示すように、一対の基板210および一対の基板ホルダ220により積層体201が形成される。
Subsequently, in the
積層体201において、一対の基板ホルダ220は、互いに吸着する磁石片223および磁性体片224により結合され、重ね合わされた一対の基板210の相対位置を維持する。ただし、アライナ150から搬出された段階の積層体201において、一対の基板210は重ね合わされているに過ぎず、貼り合わされてはいない。
In the
このような積層体201は、加熱加圧部340において加熱加圧される。これにより、積層体201に含まれる一対の基板210は相互に貼り合わされて積層基板230を形成する。積層基板230となった基板210は、図7に示すように、分離部170において基板ホルダ220から分離され、基板カセット120に収納される。
Such a laminate 201 is heated and pressurized in the heating and
なお、上記の例では、磁石片223を有する基板ホルダ220を上側に、磁性体片224を有する基板ホルダ220を下側に描いている。しかしながら、基板ホルダ220の配置はこれに限られない。また、一対の基板ホルダ220を結合する部材は、磁石片223および磁性体片224の組み合わせに限られるわけではなく、一対の基板ホルダ220を弾性的に挟んで保持するクリップ等を用いることもできる。
In the above example, the
更に、上記の基板貼合装置10においては、アライナ150において重ね合わせた基板210を加熱加圧部340において貼り合わせることにより積層基板230とした。しかしながら、例えば、基板210を高度に鏡面研磨しておくことにより、加熱加圧なしにアライナ150における重ね合わせで積層基板230とすることもできる。また、接着剤を用いて基板210を貼り合わせて積層基板230を形成することもできる。
Further, in the above-described
図8は、上記基板貼合装置10に含まれるアライナ150の模式的縦断面図である。アライナ150は、枠体159、固定ステージ151、移動ステージ152および上部干渉計258と有する。枠体159は、他の部材を収容する直方体の空間を形成する。
FIG. 8 is a schematic longitudinal sectional view of an
固定ステージ151は、ロードセル259および振動減衰器410を介して、枠体159の天井面に対して、図中下向きに固定される。また、固定ステージ151の側部には、顕微鏡254が図中下向きに固定される。
The fixed
固定ステージ151は、静電チャック、真空チャック等の吸着装置を有し、基板210を保持した基板ホルダ220を吸着して保持する。これにより、アライナ150において、固定ステージ151には基板210が下向きに保持される。
The fixed
ロードセル259は、固定ステージ151に保持された基板210に対して下方からかかる負荷を検出する。顕微鏡254は、固定ステージ151に対向する位置にある基板210のアライメントマーク218を観察する。振動減衰器410は、固定ステージ151に生じた振動を減衰させて抑制する振動抑制部を形成する。
The
即ち、振動減衰器410は、枠体159および固定ステージ151のいずれか一方に結合されたシリンダと、当該シリンダ内を移動するピストンに一端を結合され、他端を枠体に結合されたピストンロッドとを有する。シリンダ内には、シリコンオイル等の粘性を有する流体が充填されているので、振動により枠体159と固定ステージ151とが互いに異なる変位を生じた場合、ピストンは当該流体に浸漬された状態で移動する。これにより、固定ステージ151の枠体159に対する振動は、振動減衰器410に吸収されて減衰する。よって、固定ステージ151に生じた振動は早期に減衰される。また、固定ステージ151に生じた振動が枠体159に伝達することが防止される。
That is, the
なお、図中には単一の振動減衰器410を描いているが、複数の振動減衰器410を設けてもよい。それにより、振動減衰器410は、固定ステージ151のZ軸方向の振動のみならず、他の方向の振動および揺動による振動とその伝播の抑制にも寄与させることができる。
Although a
移動ステージ152は、枠体159の底面から順次積層された粗動部251、微動部252および昇降部253により支持される。粗動部251および微動部252は、それぞれ、移動ステージ152を図中に矢印で示すX方向およびY方向に移動させる。これにより、移動ステージ152は、アライナ150において二次元的に移動できる。
The moving
移動ステージ152の側部には、顕微鏡255が上向きに固定される。顕微鏡255は、移動ステージ152に対向する位置にある基板210のアライメントマーク218を観察できる。また、移動ステージ152の側部には、反射鏡256も固定される。反射鏡256は、上部干渉計258が発生するレーザビームを反射して、再び上部干渉計258に返す。これにより、上部干渉計258は、枠体159の内部における移動ステージ152の位置を、高精度に検出できる。
A
また、移動ステージ152は、静電チャック、真空チャック等の吸着装置を有し、基板210を保持した基板ホルダ220を吸着して保持する。これにより、アライナ150において、移動ステージ152には基板210が上向きに保持される。
The moving
基板貼合装置10において、制御部112は、上部干渉計258による検出結果を参照して、微動部252の移動量を高精度に制御する。ただし、微動部252の移動速度は、粗動部251の移動速度よりも低い。
In the board |
なお、移動ステージ152は、球面座を介して昇降部253から支持される。よって、移動ステージ152は、図中に矢印で示すX方向、Y方向およびZ方向への並進運動の他に、X軸、Y軸およびZ軸の廻りに回転運動させることもできる。
The moving
図9は、アライナ150において、移動ステージ152が、固定ステージ151に対向する位置まで移動した状態を示す。即ち、基板貼合装置10において、制御部112は、専ら粗動部251を用いて、移動ステージ152を固定ステージ151に対向する位置まで移動させる。また、制御部112は、移動ステージ152の移動の過程で、顕微鏡254、255を用いて、固定ステージ151に保持された基板210と、移動ステージ152に保持された基板210との位置ずれを検出する。
FIG. 9 shows a state where the moving
上側の顕微鏡254の固定ステージ151に対する相対位置は予め判っており、且つ、アライナ150の動作により変化することがない。よって、制御部112は、移動ステージ152に保持された基板210のアライメントマーク218を顕微鏡254で観察することにより、当該基板210と固定ステージ151との相対位置を検知できる。
The relative position of the
同様に、下側の顕微鏡255の移動ステージ152に対する相対位置は予め判っており、且つ、アライナ150の動作により変化することがない。よって、制御部112は、固定ステージ151に保持された基板210のアライメントマーク218を顕微鏡255で観察することにより、当該基板210と移動ステージ152との相対位置を検知できる。
Similarly, the relative position of the
更に、制御部112は、一対の顕微鏡254、255を互いに対向させることにより、顕微鏡254、255の相対位置を初期化できる。よって、制御部112は、初期化された相対位置を基準にして一対の基板210の位置ずれ量を算出できる。更に、制御部112は、検出された位置ずれ量を補償すべく移動ステージ152を移動させて、固定ステージ151に保持された基板210と、移動ステージ152に保持された基板210とを位置合わせする。
Furthermore, the
図10は、アライナ150の模式的断面図である。アライナ150において、昇降部253は、図中に矢印で示すZ方向に移動ステージ152を昇降させる。よって、対向する一対の基板210が位置合わされると、制御部112は、昇降部253により移動ステージ152を上昇させ、一対の基板210を密着させて相互に重ね合わせる。こうして、重ね合わされた一対の基板210と、それを挟む一対の基板ホルダ220により、積層体201が形成される。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the
なお、制御部112は、移動ステージ152が固定ステージ151に向かって上昇する間も、当初部分的に接触した一対の基板210が密着するまでの間も、上部干渉計258により移動ステージ152の位置を検出し続ける。また、検出した位置に基づく移動ステージ152のフィードバック制御も継続する。
Note that the
次いで、制御部112は、固定ステージ151による基板ホルダ220の吸着を解除した後、移動ステージ152を下降させて積層体201を固定ステージ151から離間させ、搬送ロボット160によりアライナ150から搬出させる。搬出された積層体201は、搬送ロボット160により、ロードロック310に搬入される。
Next, after releasing the suction of the
上記のように基板210を重ね合わせる過程においては、固定ステージ151に保持された基板210と移動ステージ152に保持された基板210とが接触した状態で、移動ステージ152が移動する場合がある。このような場合、移動ステージ152の変位によりロードセル259の弾性変形が励起され、固定ステージ151に振動が生じる。
In the process of superimposing the
仮に枠体159の剛性を高くしたとしても、固定ステージ151に生じた振動は、枠体159を通じて上部干渉計258に伝達されてしまう。固定ステージ151の振動が上部干渉計258に伝播されると、上部干渉計258による移動ステージ152の位置検出の精度が低下する。これにより、基板210の位置合わせ精度が低下するので、積層基板230の歩留りが低下する。また、上部干渉計258の精度低下をさける目的で、固定ステージ151の振動が減衰することを待つ場合は、アライナ150におけるアライメントに要する時間が増加し、基板貼合装置10のスループットが低下する。
Even if the rigidity of the
本実施形態において、アライナ150は、固定ステージ151と枠体159との間を結合する振動減衰器410を有する。振動減衰器410は、粘性抵抗または摩擦により振動のエネルギを吸収して、固定ステージ151の振動を急速に減衰させる。また、固定ステージ151から枠体159への転動の伝達を抑制する。これにより、固定ステージ151で発生した振動が上部干渉計258に伝達されることが防止される。このように、振動減衰器410は、固定ステージ151の振動を減衰させる制振部を形成する。
In the present embodiment, the
換言すれば、固定ステージ151に振動減衰器410を結合することにより、固定ステージ151の振動を早期に減衰させて基板210の位置合わせを迅速に開始できる。これにより、制御部112は、基板貼合装置10のスループットを向上させることができる。また、固定ステージ151と枠体159との間に振動減衰器410を配することにより振動の伝播を抑制し、上部干渉計258による位置検出精度の低下を防止できる。これにより、基板210の位置合わせ精度を向上させて、基板貼合装置10の歩留りを向上させることができる。
In other words, by coupling the
図11は、他の構造を有するアライナ501の模式的断面図である。アライナ501は、下記に説明する部分を除くと、アライナ150と同じ構造を有する。よって、共通の要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of an
アライナ501においては、固定ステージ151と枠体159との間の振動減衰器410は省かれる。しかしながら、アライナ501は、枠体159と上部干渉計258との間を結合する振動減衰器420を備え、振動減衰器420が振動抑制部を形成する。
In the
よって、固定ステージ151に生じた振動が枠体159を通じて上部干渉計258に伝達された場合に、振動のエネルギが振動減衰器420に吸収されて、上部干渉計258の振動は急速に減速する。これにより、制御部112は、上部干渉計258の振動を早期に減衰させて基板210の位置合わせを開始できるので、基板貼合装置10のスループットを向上させることができる。
Therefore, when the vibration generated in the fixed
このように、振動を生じる固定ステージ151から振動の影響が顕在化する上部干渉計258までの系に振動減衰器410、420を挿入して、固定ステージ151と上部干渉計258との間に振動減衰器410、420を挟むことにより、振動が上部干渉計258に与える影響を抑制できる。これにより、基板貼合装置10のスループットと歩留りを向上させることができる。
As described above, the
図12は、また他のアライナ502の構造を示す模式的断面図である。アライナ502は、下記に説明する部分を除くと、上記のアライナ501と同じ構造を有する。よって、共通の要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing the structure of another
アライナ502は、マスダンパ430を備え、マスダンパ430が振動抑制部を形成する。マスダンパ430は、弾性体432と、質量部434とを有する。
The
マスダンパ430において、棒状の弾性体432は、図中縦に配され、上端を上部干渉計258の底部に固定される。これにより、上部干渉計258が変位した場合は、弾性体432の上端は、上部干渉計258と一体的に変位する。
In the
質量部434は、上部干渉計258から離間した位置において、弾性体432に対して結合される。振動により弾性体432が上部干渉計258と共に変位した場合、質量部434は慣性により弾性体432を弾性変形させて、上部干渉計258と異なる位相で振動する。よって、弾性体432のばね定数と質量部434の質量とを予め調整して、固定ステージ151、枠体159および上部干渉計258により形成される系の固有振動を急速に減衰させることができる。
The
これにより、上部干渉計258を含む系とマスダンパ430が形成する系とが反共振となり、上部干渉計258の機械インピーダンスが大きくなる。よって、上部干渉計258の振動が抑制され、移動ステージ152の位置検出精度の低下が抑制され、基板貼合装置10全体のスループットおよび歩留りの向上にも寄与する。
As a result, the system including the
なお、アライナ502に設けるマスダンパ430の数は1個に限らない。また、アライナ502に複数のマスダンパ430を設ける場合に、質量部434の重量および弾性体432の弾性率を相互に異なるものにしてもよい。これにより、抑制できる振動の範囲を拡大できる。
Note that the number of
図13は、また他のアライナ503の構造を示す模式的断面図である。アライナ503は、下記に説明する部分を除くと、上記のアライナ502と同じ構造を有する。よって、共通の要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing the structure of another
アライナ503は、枠体159の天面に配されたマスダンパ440を備え、マスダンパ440が振動抑制部を形成する。マスダンパ440は、弾性体442、質量部444およびストッパ446を備える。
The
マスダンパ440において、質量部444は、枠体159の上面に沿って円滑に移動する。また、質量部444は、少なくとも一対の弾性体442により挟まれる。弾性体442の他端は、それぞれ、ストッパ446により、枠体159に対して固定される。よって、枠体159の上部が図中水平に変位した場合、質量部444は、慣性により当初の位置を保とうとする。
In the mass damper 440, the
しかしながら、弾性体442は、ストッパ446により枠体159に対して固定されているので、弾性体442の他端は、枠体159と共に変位する。このため、質量部444は枠体159と異なる位相で変位する。よって、弾性体442のばね定数と質量部444の質量とを予め調整して、枠体159の変位を急速に減衰させることができる。
However, since the
これにより、枠体159と質量部444とが反共振の関係になり、枠体159の機械インピーダンスが大きくなる。よって、固定ステージ151において発生した振動が上部干渉計258を振動させることが抑制され、移動ステージ152の位置検出精度の低下が抑制され、基板貼合装置10全体のスループットおよび歩留りの向上にも寄与する。
Thereby, the
なお、図13は、質量部444を一対の弾性体442により挟むように記載した。しかしながら、質量部444を弾性体442が四方から付勢する配置にすることにより、枠体159の振動を、水平な各方向について減衰させることができる。更に、質量部444を、図中上下から弾性体により支持することにより、枠体159の図中天地方向の振動も減衰させることができる。
Note that FIG. 13 shows the
また、アライナ503に設けるマスダンパ440の数は1個に限らない。また、アライナ503に複数のマスダンパ440を設ける場合に、質量部444の重量および弾性体442の弾性率を相互に異なるものにしてもよい。これにより、抑制できる振動の範囲を拡大できる。
Further, the number of mass dampers 440 provided in the
図14は、他の構造を有するアライナ504の模式的断面図である。アライナ504は、下記に説明する部分を除くと、アライナ501と同じ構造を有する。共通の要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of an
アライナ504は、アクティブマスダンパ450を有し、アクティブマスダンパ450が振動抑制部を形成する。アクティブマスダンパ450は、付加質量部451、アクチュエータ452、下部干渉計454および反射鏡456を含む。付加質量部451は、アクチュエータ452を介して、上部干渉計258の図中下端に配される。これにより、アクチュエータ452が動作した場合、付加質量部451は上部干渉計258に対して相対的に変位する。
The
下部干渉計454は、枠体159の底面に固定され、反射鏡456に向かってレーザビームを照射して、反射鏡456の変位を検出する。反射鏡456は、上部干渉計258の表面に一体的に取り付けられる。これにより、下部干渉計454は、固定ステージ151および枠体159の振動と関わりなく、上部干渉計258の変位を検出できる。
The
上記のようなアライナ504を備えた基板貼合装置10において、制御部112は、下部干渉計454により検出された上部干渉計258の変位を相殺するように、アクチュエータ452を動作させる。これにより、固定ステージ151の振動が、枠体159を通じて上部干渉計258に伝播したとしても、移動ステージ152に対する上部干渉計258の振動を急速に減衰させることができる。よって、上部干渉計258を用いた移動ステージ152の位置検出精度の低下が防止される。
In the
なお、上記の例では、上部干渉計258に作用するアクティブマスダンパ450を設けた。しかしながら、固定ステージ151および枠体159のいずれかにアクティブマスダンパ450を設けて、固定ステージ151から上部干渉計258まで振動が伝播する経路上のいずれかで振動を懸垂させてもよい。更に、固定ステージ151、枠体159および上部干渉計258のうちの複数または全てに、個々にアクティブマスダンパ450を設けてもよい。
In the above example, the active
また更に、上記の例では、アクティブマスダンパ450により上部干渉計258の振動を補償する目的で、上部干渉計の変位を検出する下部干渉計454を設けて、検出した振動を減衰させた。しかしながら、下部干渉計454に換えて、あるいは、下部干渉計454に加えて、固定ステージ151、枠体159等の変位を検出する干渉計を設けてもよい。更に、干渉計以外の、加速度センサ等を用いてアクティブマスダンパ450を形成してもよいし、上部干渉計258に加速度センサを取り付けてもよい。
Furthermore, in the above example, for the purpose of compensating for the vibration of the
図15は、他のアライナ505の構造を示す模式的断面図である。アライナ505は、下記に説明する部分を除くと、アライナ501と同じ構造を有する。よって、共通の要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing the structure of another
アライナ505は、付加質量部460および結合部462を有し、付加質量部460および結合部462が振動抑制部を形成する。結合部462は、付加質量部460を、上部干渉計258に対して一体的に結合する。付加質量部460は、上部干渉計258に対して結合された場合に、上部干渉計258の慣性質量を増大させて、上部干渉計258の振動特性を変化させる。
The
また、結合部462を介して付加質量部460を上部干渉計258に結合することにより、上部干渉計258および付加質量部460の複合的な重心の枠体159に対する相対位置を変化させて、上部干渉計258の振動モードを変化させることができる。これにより、上部干渉計258を含む振動の系の固有振動数を変化させて、外部から伝達された振動に対する共振を抑制できる。
Further, by coupling the additional
このように、上部干渉計258に付加質量部460を結合することにより、上部干渉計258の機械インピーダンスを大きくして、上部干渉計258の振動を抑制できる。よって、基板貼合装置10のスループットおよび歩留りを向上させることができる。
In this way, by coupling the additional
なお、付加する付加質量部460の数は、ひとつに限らない。また、振動を生じる固定ステージ151から振動の影響が顕在化する上部干渉計258までの系のいずれかに付加質量部460を配して、固定ステージ151と上部干渉計258との間で振動を減衰させることができる。
Note that the number of additional
なお、上記の例では、上部干渉計258に付加質量部460を設けて、上部干渉計の機械インピーダンスを上昇させた。しかしながら、他の部材、例えば枠体159に付加質量を取り付けて、固定ステージ151から上部干渉計258まで振動を伝播する部材の機械インピーダンスを上昇させてもよい。これにより、最終的に上部干渉計258に伝わる振動が抑制され、基板貼合装置10のスループットおよび歩留りを向上させることができる。
In the above example, the additional
図16は、また他のアライナ506の構造を示す模式的断面図である。アライナ506は、下記に説明する部分を除くと、アライナ501と同じ構造を有する。よって、共通の要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing the structure of another
アライナ506は、枠体159と上部干渉計258との間に配された除振部470を備え、振動減衰器420が振動抑制部を形成する。換言すれば、アライナ506において、上部干渉計258は、除振部470を介して枠体159から支持される。
The
除振部470は、固定ステージ151から枠体159に伝わる振動に対して、振動伝達率が1未満となる固有振動数を有する。なお、振動伝達率Trは、除振部470が設けられていない場合に枠体159から上部干渉計258に伝達される力F0と、除振部470を設けた場合に上部干渉計258に伝達される力Ftとの比(Ft/F0)を意味する。
The
例えば、図中に矢印Zで示す鉛直方向の1自由度の振動モデルについて考えると、振動伝達率Trは、枠体159の振動数fと、除振部470の固有振動数fnとの比(f/fn)に依存する。よって、除振部470の固有振動数を適切に設定することにより、振動伝達率Trを1未満にできる。
For example, considering a vertical one-degree-of-freedom vibration model indicated by an arrow Z in the figure, the vibration transmissibility T r is calculated by the frequency f of the
これにより、固定ステージ151において発生し、枠体159に伝達された振動は、上部干渉計258に減衰して伝達される。よって、振動による上部干渉計258の測定精度低下が防止され、基板貼合装置10のスループットおよび歩留りを向上させることができる。
As a result, the vibration generated in the fixed
なお、上記の例では、枠体159と上部干渉計258との間に除振部470を設けた。しかしながら、除振部470の配置はこれに限定されるわけではない。例えば、固定ステージ151と枠体159の間に除振部470を設けることにより、固定ステージ151において発生した振動が上部干渉計258に伝わることを抑制できる。また、固定ステージ151と上部干渉計258との間で枠体159をいったん切断し、切断部に除振部470を挟んで再連結することにより、枠体159において振動の伝播を抑制することもできる。
In the above example, the
上記の一連の形態では、種類の異なる制振部について1種類ずつ説明した。しかしながら、上記した振動減衰器410、420、マスダンパ430、440、アクティブマスダンパ450、付加質量部460および除振部470のうちから選択した少なくとも2つを組み合わせてアライナ150に実装してもよい。更に、振動減衰器410、420、マスダンパ430、440、アクティブマスダンパ450、付加質量部460および除振部470のうちの同じ種類のものを複数設けてもよい。
In the series of forms described above, one type of each of the different types of vibration control units has been described. However, at least two selected from the
また更に、上部干渉計258および枠体159以外の要素にも個別に制振部を設けて、アライナ150、501、502、503、504、505、506の各部において、機械的インピーダンスを個別に高くしてもよい。これにより、アライナ150、501、502、503、504、505、506の各部がそれぞれ振動の発生を抑制できる他、振動が発生した場合も、その伝播を抑制できる。
Furthermore, a vibration damping unit is also provided for each element other than the
上記のように、振動減衰器410、420、マスダンパ430、440、アクティブマスダンパ450、付加質量部460、除振部470等の振動抑制部を設けることにより、固定ステージ151に生じた振動を抑制し、減衰させ、更に伝播を防止できる。しかしながら、移動ステージ152の移動を制御する制御系が振動または発振した場合には、たとえ上部干渉計258の振動を抑制または防止しても、基板210の位置合わせを完遂することができない。よって、制御系の振動または発振が検知または予測される場合は、基板210の位置合わせを中止することが好ましい。
As described above, by providing vibration suppression units such as the
このような場合、制御部112は、昇降部253により移動ステージ152を下降させ、移動ステージ152が保持する基板210と固定ステージ151が保持する基板210とをいったん離間させる。次いで、制御系の発振が納まった後に再び移動ステージ152を上昇させて、位置合わせおよび重ね合わせを再試行してもよい。また、発振を生じた場合は、当該貼り合わせに関与した基板210をいったん格納し、例えば、他の基板ホルダ220または他の基板210との組み合わせで、貼り合わせを再試行してもよい。
In such a case, the
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を、後の処理で用いる場合でない限り、任意の順序で実現しうることに留意されたい。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。 The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output of the previous process may be realized in any order unless used in a subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.
10 基板貼合装置、100 大気環境部、110 環境チャンバ、112 制御部、120 基板カセット、130、160、180、330、350 搬送ロボット、132、162、182、332、352 フィンガ、134、164、184、334、354 アーム、140 プリアライナ、150、501、502、503、504、505、506 アライナ、151 固定ステージ、152 移動ステージ、159 枠体、170 分離部、190 ホルダラック、201 積層体、210 基板、212 スクライブライン、214 ノッチ、216 素子領域、218 アライメントマーク、220 基板ホルダ、221、222 縁部、223 磁石片、224 磁性体片、225、226 静電チャック、227、228 保持面、230 積層基板、251 粗動部、252 微動部、253 昇降部、254、255 顕微鏡、256 反射鏡、258 上部干渉計、259 ロードセル、300 真空環境部、310 ロードロック、312 アクセスドア、314、342、362 ゲートバルブ、320 ロボットチャンバ、340 加熱加圧部、349、369 断熱容器、360 冷却室、410、420 振動減衰器、430、440 マスダンパ、432、442 弾性体、434、444 質量部、446 ストッパ、450 アクティブマスダンパ、451、460 付加質量部、452 アクチュエータ、454 下部干渉計、456 反射鏡、462 結合部、470 除振部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate bonding apparatus, 100 Atmosphere environment part, 110 Environmental chamber, 112 Control part, 120 Board cassette, 130, 160, 180, 330, 350 Transfer robot, 132, 162, 182, 332, 352 Finger, 134, 164, 184, 334, 354 Arm, 140 Pre-aligner, 150, 501, 502, 503, 504, 505, 506 Aligner, 151 Fixed stage, 152 Moving stage, 159 Frame body, 170 Separating section, 190 Holder rack, 201 Laminated body, 210 Substrate, 212 scribe line, 214 notch, 216 element region, 218 alignment mark, 220 substrate holder, 221, 222 edge, 223 magnet piece, 224 magnetic body piece, 225, 226 electrostatic chuck, 227, 228 holding surface, 30 Laminated substrate, 251 Coarse moving part, 252 Fine moving part, 253 Lifting part, 254, 255 Microscope, 256 Reflecting mirror, 258 Upper interferometer, 259 Load cell, 300 Vacuum environment part, 310 Load lock, 312 Access door, 314, 342 , 362 Gate valve, 320 Robot chamber, 340 Heating and pressurizing unit, 349, 369 Thermal insulation container, 360 Cooling chamber, 410, 420 Vibration damper, 430, 440 Mass damper, 432, 442 Elastic body, 434, 444 Mass unit, 446 Stopper, 450 Active mass damper, 451, 460 Additional mass part, 452 Actuator, 454 Lower interferometer, 456 Reflector, 462 Coupling part, 470 Vibration isolator
Claims (12)
前記第1の基板を保持する第1ステージと、
前記第1ステージを支持する枠体と、
前記第2の基板を保持し、前記第1ステージに向けて移動して前記第1の基板および前記第2の基板を互いに重ね合わせる第2ステージと、
前記第2ステージの位置を測定する測定部と、
前記第1ステージと前記枠体との間に設けられ、前記第1の基板と前記第2の基板との接触による前記測定部の振動を抑制する振動抑制部と、
を備える基板処理装置。 A substrate processing apparatus for overlapping a first substrate and a second substrate,
A first stage for holding the first substrate;
A frame that supports the first stage;
A second stage for holding the second substrate and moving toward the first stage to superimpose the first substrate and the second substrate;
A measurement unit for measuring the position of the second stage;
A vibration suppression unit that is provided between the first stage and the frame and suppresses vibration of the measurement unit due to contact between the first substrate and the second substrate;
A substrate processing apparatus comprising:
前記第1の基板を保持する第1ステージと、A first stage for holding the first substrate;
前記第2の基板を保持し、前記第1ステージに向けて移動して前記第1の基板および前記第2の基板を互いに重ね合わせる第2ステージと、A second stage for holding the second substrate and moving toward the first stage to superimpose the first substrate and the second substrate;
前記第2ステージの位置を測定する測定部と、A measurement unit for measuring the position of the second stage;
前記測定部に結合され、前記第1の基板と前記第2の基板との接触による前記測定部の振動を抑制する振動抑制部と、A vibration suppression unit coupled to the measurement unit and configured to suppress vibration of the measurement unit due to contact between the first substrate and the second substrate;
を備える基板処理装置。A substrate processing apparatus comprising:
前記測定部は、前記枠体に支持される請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the measurement unit is supported by the frame body.
前記第1の基板を保持する第1ステージと、A first stage for holding the first substrate;
前記第1ステージを支持する枠体と、A frame that supports the first stage;
前記第2の基板を保持し、前記第1ステージに向けて移動して前記第1の基板および前記第2の基板を互いに重ね合わせる第2ステージと、A second stage for holding the second substrate and moving toward the first stage to superimpose the first substrate and the second substrate;
前記第2ステージの位置を測定する測定部と、A measurement unit for measuring the position of the second stage;
前記枠体の上面に設けられ、前記第1の基板と前記第2の基板との接触による前記測定部の振動を抑制する振動抑制部と、A vibration suppression unit that is provided on an upper surface of the frame body and suppresses vibration of the measurement unit due to contact between the first substrate and the second substrate;
を備える基板処理装置。A substrate processing apparatus comprising:
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