JP6154400B2 - メカトロニクス回路遮断装置および関連トリガリング方法並びに高直流を遮断する際のその使用方法 - Google Patents

Description

本発明は、新しいメカトロニクス回路遮断装置およびその関連トリガリング方法に関する。

本発明の主対象用途は、典型的には５０キロボルト（ｋＶ）（ＤＣ）を超えるピークトゥピーク電圧レベル（最大８００ｋＶ（ＤＣ）およびそれを超える電圧）の送電および／または配電線における高直流を遮断することである。高電圧直流（ＨＶＤＣ）という表現は、一般に、この応用分野に使用される。

本発明は、より低いピークトゥピーク電圧（典型的には１ｋＶ〜５０ｋＶ）の直流の遮断または交流の遮断にも適用されうる。

高電圧直流（ＨＶＤＣ）送電および／または配電網における電流の遮断は、その制御が前記送／配電網の拡張を直接条件付けるので、きわめて重要なものになっている。

現在、全ての送／配電網関係者の間で、そのような遮断を達成するために採用される手法に関して合意が生じつつあり、電流を数ミリ秒未満の時間で遮断するために、メカトロニクス回路遮断器を構成する装置の作成を必要としている。この装置は、少なくとも１つの半導体部品遮断器セルを、エネルギー吸収器、および少なくとも１つのメカニカルスイッチ断路器と電気的に並列に組み合わせることによって作成される。メカニカルスイッチ断路器は、最初にその閉位置で最小挿入損で安定電流を通し、これにより半導体遮断器部品内の高損失を回避し、次にその開位置で装置の端子での回復電圧に耐えることができるものである。

ここで、メカトロニクス回路遮断器の原理を記載した特許文献１について述べる。遮断器半導体部品としてＩＧＣＴサイリスタで高直流を遮断するのが理想的であるが、図５Ａに示されたトムソン型メカニカルスイッチは、実際には使用できなかったようである。さらに、特許文献１を参照しても、典型的には５０ｋＶを超えるきわめて高いピークトゥピーク電圧レベルで直流を遮断できるのか、またそれがどのように行われるのかについては実際に明らかでない。さらに、補助分岐内のサイリスタの自動ターンオフの態様は、メカニカルスイッチが完全に開いている時間が、主分岐から補助分岐への切り換えに使用される発振回路の固有半周期より短いことを想定している。この依存関係は、この振動性回路の固有周波数を選択する基準では、メカニカルスイッチの生産に使用できる技術にとって固有周波数が高過ぎることにつながりうるので有害である。さらに、特許文献１は、電流がゼロと交差するように一次電流自体の振動を生成できることを想定しており、このことは、ＩＧＣＴサイリスタがＩＧＣＴサイリスタ自体をターンオフできる必要条件である。実際には、故障が生じたときに回路網Ｌ内にある電磁エネルギーは、振動性回路の挿入が一次電流に著しい影響を及ぼさないようなものである。換言すると、この原理は、公称一次側振幅がそれぞれ１キロアンペア（ｋＡ）の電流と１００ｋＶの電圧を超えると、直流エネルギー伝達用途に適用できない。

最近になって、この種のメカトロニクス回路遮断装置の作成が、特許文献２において提案された。このメカトロニクス回路遮断装置は、ＩＧＢＴトランジスタ、逆並列ダイオード、シャントバリスタおよび単一補助分岐から構成された遮断器セルと電気的に直列のメカニカルスイッチ断路器を有する主分岐（すなわち、公称条件下で安定電流を伝える）を含み、補助分岐は、ＩＧＢＴトランジスタと逆並列ダイオードからそれぞれ構成された複数の遮断器セルを含み、補助分岐の固有抵抗は、主分岐の固有抵抗よりかなり低い。そのようなメカトロニクス回路遮断器は、安定条件下で、ＩＧＢＴトランジスタがオン状態であり、メカニカルスイッチ断路器が閉じられ、補助分岐の遮断器セルの全てのＩＧＢＴトランジスタがオフ状態になるように機能すると仮定される。したがって、安定条件下で、安定電流が主分岐に流れる。ＨＤＶＣ送電線路に故障が生じた場合、その故障は、少なくとも電流サージで反映され、補助分岐の遮断器セルの全てのＩＧＢＴトランジスタが、オン状態に切り換わり、主分岐スイッチの遮断器セルのＩＧＢＴトランジスタが、オフ状態に切り換わる。電流は全て、補助分岐に切り換えられ、次に、メカニカルスイッチ断路器が開かれる。補助分岐の遮断器セルの全てのＩＧＢＴトランジスタが、非導通状態に切り換わり、電流が、バリスタに切り換えられる。そして電流が断たれ、電圧サージが制限される。

上記種類のメカトロニクス回路遮断器には、多くの欠点がある。第１に、将来の開発研究の結果として、現代の半導体（ＩＧＢＴトランジスタ）回路遮断器と同じ機能を達成でき、典型的には２ｋＡの電流を１ミリ秒（ｍｓ）未満で遮断でき、かつ２ｋＶの電圧に耐えることができる電気機械回路遮断器が作成された場合、そのタイプの回路遮断器は、ＩＧＢＴトランジスタと直列接続メカニカルスイッチ断路器の代わりに、主分岐内に自然に含まれることがある（１９ページの７〜１８行を参照）。次に、そのような電気機械回路遮断器を作成するには、第１に、きわめて高コストの開発研究と、第２に、アークの生成およびそれと関連した磨耗による高度な保守を必要とする。さらに、特許文献２で提案された全ての実施形態では、第１に、主分岐内に提供されたＩＧＢＴトランジスタの保護を可能にし（すなわち、公称領域で安定電流を伝える）、次にオン状態からオフ状態に切り換える際に電流を補助分岐に切り換えることを容易にするための装置が提供されない。最後に、提案されたメカトロニクス回路遮断器の主な欠点は、その動作が、主分岐の全てのＩＧＢＴトランジスタを瞬時に切り換えるために、きわめて高い駆動力を想定していることである。特許文献２に記載されたメカトロニクス回路遮断器は、分岐内の電流を確立する時間が無視されているので、動作しない。その時間は、規定された用途で例えば１００ｋＶを超える電圧に必要な寸法が大きい場合には、きわめて長くなることがある。さらに、ＩＧＢＴトランジスタをこのように制御することは、実際には手間がかかる。

欧州特許出願１５３８６４５ 国際特許出願２０１１／０５７６７５

したがって、本発明の目的は、前述した従来技術、特に、特許文献１および特許文献２の従来技術の一部分または全ての欠点を改善する新しいメカトロニクス回路遮断装置を提案することである。

特に、きわめて広範囲、典型的には１５ｋＶ〜１４５ｋＶの範囲の電圧の交流を遮断し、かつ４０ｋＶ（ＤＣ）〜６００ｋＶ（ＤＣ）の範囲のピークトゥピーク電圧で、広範囲の電流、典型的には１．５ｋＡ〜４．５ｋＡの直流を遮断するのに適したメカトロニクス回路遮断装置を提案することを目的とする。

この目的のため、本発明は、電力伝達手段に流れる電流を遮断するように適応されたメカトロニクス回路遮断装置を提供し、前記メカトロニクス回路遮断装置は、
・少なくとも１つの副分岐を有する少なくとも１つの主モジュールを含む主分岐であって、前記少なくとも１つの副分岐が、制御されたデューティレシオを有する少なくとも１つの電力半導体素子から構成された少なくとも１つの遮断器セルと直列に接続された少なくとも１つのメカニカルスイッチ断路器を含む、主分岐と、
・前記主分岐と電気的に並列の補助分岐であって、
・タイミング副分岐と呼ばれる少なくとも１つの第１の副分岐であって、前記第１の副分岐が、前記主分岐に対する前記タイミング副分岐の漏れインダクタンスと、前記タイミング副分岐の全ての部品の分布抵抗とを規定し、カスケードの複数の電力サイリスタから構成された少なくとも１つの第１の遮断器セルを含み、前記タイミング副分岐の少なくとも１つが、さらに、放電抵抗器と電気的に並列の少なくとも１つの第１のキャパシタと電圧サージリミッタとを有する少なくとも１つの第１の切換支援モジュールを含む、第１の副分岐と、
・アーミング副分岐と呼ばれ、前記タイミング副分岐と電気的に並列の第２の副分岐であって、前記第２の副分岐が、前記タイミング副分岐に対する前記アーミング副分岐の漏れインダクタンスと、前記アーミング副分岐の全ての部品の分布抵抗とを規定し、カスケードの複数の電力サイリスタから構成された少なくとも１つの第２の遮断器セルと、放電抵抗器と電気的に並列の少なくとも１つの第２のキャパシタと電圧サージリミッタとを含む少なくとも１つの第２の切換支援モジュールとを含む、第２の副分岐と、
を含む補助分岐と、
・前記主分岐と電気的に並列の少なくとも１つの主電圧サージリミッタと、を含む。

「電力サイリスタ」は、一般的な意味でサイリスタ、すなわち、トリガによってターンオンされるが、ターンオフされず、ターンオフは、入力がゼロとクロスしたときの電流によってトリガされる半導体電子スイッチを意味することに注意されたい。したがって、電力サイリスタは、また、シリコン、炭化ケイ素または窒化ガリウム型の半導体上に作成されるか、高電圧電力切換用途に適した他の半導体素子上に作成されるかによって、パルス電力サイリスタ（ＰＰＴ）またはゲート・ターンオフ（ＧＴＯ）サイリスタとして知られる変形例を指す。

したがって、このように定義された各漏れインダクタンスは、主分岐または他の副分岐と関連付けられたときに、少なくとも当該の副分岐の自己インダクタンスを有する。この自己インダクタンスと関連して、追加の直列インダクタンスがあってもよく、その役割は、隣りの副分岐の電流が確立されたときに時間に対する電流のドリフト（ｄｉ／ｄｔで示される）を制限することである。さらに、各副分岐の電力サイリスタは、その複数の使用によって寸法が大きくなり、漏れインダクタンスの値に影響を及ぼす。

同様に、各分布抵抗は、少なくとも、当該の副分岐を構成する部品と導体の抵抗を含み、その抵抗値は、高周波の観点、すなわち、表皮効果を考慮して検討される。抵抗値は、周波数と共に増加する。この固有抵抗に対して、複数の部品内に分布しうる抵抗が加わり、この抵抗の役割は、インダクタンスと関連して、高速スイッチングに必要な条件を採り入れながら電流のｄｉ／ｄｔ値を、クリティカルな減衰領域となるものより低い値に制御することである。

変形例として、各切換支援モジュールは、接続される複数のサイリスタと直列のインダクタと抵抗器を含みうる。

したがって、本発明の基本概念は、第１に安定条件下できわめて低損失で安定電流を通すことを可能にする主分岐と、開位置で装置の端子の回復電圧に耐えることができる少なくとも１つのメカニカルスイッチ断路器とを有する複数分岐メカトロニクス回路遮断器アーキテクチャを提案することである。主電圧サージリミッタは、主分岐で電流サージが生じた場合に、同時に、
・電流を全消滅させ、
・主分岐を開く瞬間に送電線路内にある電磁エネルギーを一時的に蓄積し、
・保守介入の場合にそのエネルギーを排出して人の安全性を保証し、必要に応じて迅速な作業サイクルを十分に迅速に可能にする。

電圧サージリミッタの定格は、当然ながら、メカトロニクス回路遮断器が挿入される電気エネルギー伝達手段の電圧と、蓄積され次に放散されるエネルギーに適応される。これにより、装置の端子における過渡回復電圧の最大値が決まる。また、故障の決定的な除去速度が決定され、この速度は、リミッタのしきい電圧が高くなるほど増大する。

本発明は、主分岐内の電流サージの出現または特定の命令の受け取りに基づいて、
・主分岐から主電圧サージリミッタに電流を送り、
・遮断段階で、装置の端子の電圧を全ての部品の絶縁耐力定格より低くなるように制御し、
・過渡回復電圧の漸進的進化（特に、その上昇率）を制御することを同時に可能にする補助分岐を提供する。

有利な実施形態では、主モジュールの各副分岐は、エネルギー伝達手段によってある方向または逆方向に到達しうる電流を遮断するために、電力半導体を使用して２つの遮断器セル間に直列に接続され互いに逆並列に接続された少なくとも１つのメカニカルスイッチ断路器を含む。

本発明のメカトロニクス回路遮断装置の好都合な変形例は、さらに、主モジュールの各遮断器セルと電気的に並列の電圧上昇率リミッタを含む。この上昇率リミッタは、キャパシタと電気的に直列で放電抵抗器と電気的に並列のダイオードから構成される。主モジュールの各遮断器セルと電気的に並列の電圧サージリミッタが提供されることが有利である。

好ましい変形例として、主モジュールの副分岐の遮断器セルはそれぞれ、制御された導通率を有する少なくとも１つの電力半導体素子から構成され、主モジュールの副分岐はそれぞれ、遮断器セルと逆並列に接続されたダイオードを含む。

変形例では、主モジュールの遮断器セルの制御デューティレシオを有する電力半導体部品は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）である。

好ましい変形例では、主モジュールの副分岐の遮断器セルのデューティレシオ制御式電力半導体素子は、少なくとも１つの電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのドレインをＩＧＢＴトランジスタのエミッタに接続することによって電界効果トランジスタと電気的に直列に接続された絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）とから構成され、そのゲートＧは、カスコード回路タイプのスイッチング挙動を保証する制御回路に接続される。伝えられる安定電流の値の関数として、主分岐は、互いに電気的に並列な複数の主モジュールを含み、各主モジュールは、互いに電気的に並列の複数の副分岐を含むと好都合である。好ましい実施形態では、補助分岐は、互いに電気的に並列の少なくとも２つのタイミング副分岐を含む。第２のタイミング副分岐は、カスケードの複数の電力サイリスタから構成された少なくとも１つの第３の遮断器セルと、少なくとも１つの第３のキャパシタ、少なくとも１つの第３のインダクタ、および第３のキャパシタと電気的に直列の少なくとも１つの第３の抵抗器を有する少なくとも１つの第３の切換支援モジュールとを含み、第３のキャパシタ自体が、放電抵抗器と電気的に並列であり、電圧サージリミッタ自体が抵抗器と直列である。

好ましい変形例では、各主モジュールの各副分岐のメカニカルスイッチ断路器はそれぞれ、電気的に直列の２つの真空遮断器から構成される。

本発明は、また、高電圧交流または直流電気エネルギー伝達手段に取り付けられるように設計された１組の電気スイッチギヤを提供する。電気スイッチギヤは、前述のようなメカトロニクス回路遮断器と、メカトロニクス回路遮断器の２つの端子のそれぞれと直列に接続された少なくとも１つの電気的な接地スイッチとを含む。

この組のスイッチギヤは、有利には、メカトロニクス回路遮断器の端子と電気的に並列に接続され、命令で、特定の期間、メカトロニクス回路遮断器の遮断容量より大きい過渡電流を、回路遮断器の一方の端子から他方の端子に、回路遮断器を通すことなく、流すように適応されたブリッジスイッチを含む。

好ましくは、さらに、複合回路遮断器の端子の一方の側に、メカトロニクス回路遮断器と電気的に直列で、接地スイッチの電気接続端子の外部に断路器を含む。１組のスイッチギヤは、さらに、接地スイッチの電気接続端子と断路器との間に、電気抵抗器を最後の１つと電気的に直列に挿入するためのスイッチまたは装置を含むと好都合である。挿入される抵抗器の値は、本発明のメカトロニクス回路遮断器が電気的に直列に接続された線路またはケーブルの特性インピーダンスと等しいことが好ましい。したがって、電気抵抗器は、１００オーム（Ω）〜１０００Ωの範囲の抵抗値を有することが好ましい。

好ましい変形例では、１組のスイッチギヤは、メカトロニクス回路遮断装置と電気的に直列な追加の回路遮断器を含み、追加の回路遮断器は、低電流を遮断するように適応される。遮断される低電流は、典型的には、１００アンペア（Ａ）未満である。そのような追加の回路遮断器は、帰線用直流遮断器（ＭＲＴＢ）であってもよい。また、これは、機械的アーク消滅型回路遮断器であってもよい。

スイッチギヤおよび追加の回路遮断器は、個別または組み合わせのモジューラ設計のものであると有利である。

本発明は、さらに、前述のようなメカトロニクス回路遮断装置をトリガする方法を提供し、主分岐に安定電流が存在し、かつ特定の命令が存在しない状態でのみ、各スイッチ断路器が閉位置に維持され、組のデューティレシオ制御式電力半導体がオン状態に維持され、補助分岐の１組の電力サイリスタがオフ状態に維持され、装置の主分岐内に電流サージが生じた場合、または特定の命令を受け取った際に、その方法は、
ａ）各スイッチ断路器を閉じたまま、デューティレシオ制御式電力半導体素子をオン状態からオフ状態に切り換えて、全電流を、各メカニカルスイッチ断路器が開くのに必要な期間、少なくとも１つのタイミング副分岐に分流する段階と、
ｂ）段階ａ）と同期して、少なくとも１つのタイミング副分岐の電力サイリスタをオフ状態からオン状態に切り換えて、主分岐と補助分岐の端子に、主分岐にもアーミング分岐にも電圧サージリミッタにも電流が流れないようにする電圧レベルを達成して、次に、各メカニカルスイッチ断路器の開位置で、アーミング分岐の電力サイリスタのオフ状態からオン状態への切り換えを可能にし、次に、各メカニカルスイッチ断路器の開位置で、少なくとも１つのタイミング副分岐の電力サイリスタをオン状態からオフ状態に切り換える段階と、
ｃ）段階ｂ）が完了したとき、各メカニカルスイッチ断路器を開く段階と、
ｄ）段階ｃ）が完了し、各メカニカルスイッチ断路器がその開位置に達したときに、アーミング副分岐の電力サイリスタをオフ状態からオン状態に切り換えてその端子に、電圧サージリミッタに全電流を分流することを可能にする電圧レベルを達成する段階と、
ｅ）主電圧サージリミッタによって電流を消滅させる段階と、を含む。

有利な変形例として、さらに、本発明のメカトロニクス回路遮断器と直列の少なくとも１つの断路器を開くことによって残留リーク電流をなくす段階ｆ）が達成される。

本発明は、最終的には、前述の方法を使用する監視制御システムに関する。

本発明の他の利点および特徴は、以下の図面を参照して示した詳細な説明を読むことで明らかになる。

本発明のメカトロニクス回路遮断装置の全体的な電気アーキテクチャの図である。 本発明の複合回路遮断装置の第１の実施形態の電気回路図である。 故障電流の発生に応じて、様々なトリガリング段階の関数として図２のメカトロニクス回路遮断器の等価な電気回路図である。 故障電流の発生に応じて、様々なトリガリング段階の関数として図２のメカトロニクス回路遮断器の等価な電気回路図である。 故障電流の発生に応じて、様々なトリガリング段階の関数として図２のメカトロニクス回路遮断器の等価な電気回路図である。 故障電流の発生に応じて、様々なトリガリング段階の関数として図２のメカトロニクス回路遮断器の等価な電気回路図である。 故障電流の発生に応じて、様々なトリガリング段階の関数として図２のメカトロニクス回路遮断器の等価な電気回路図である。 故障電流の発生に応じて、様々なトリガリング段階の関数として図２のメカトロニクス回路遮断器の等価な電気回路図である。 故障電流の発生に応じて、様々なトリガリング段階の関数として図２のメカトロニクス回路遮断器の等価な電気回路図である。 故障電流の発生に応じて、様々なトリガリング段階の関数として図２のメカトロニクス回路遮断器の等価な電気回路図である。 本発明の複合回路遮断装置の第１の実施形態の電気回路図である。 図２Ａ〜図２Ｈの様々な段階と関連した時間関数として、図２のメカトロニクス回路遮断器の様々な分岐における電流の曲線を示すグラフである。 本発明のメカトロニクス回路遮断装置を含む、１組の電気スイッチギヤの全体的なアーキテクチャのブロック図である。 本発明のメカトロニクス回路遮断装置の主分岐の主モジュールの一実施形態の電気回路図である。 モジュールがモジューラ構造である図５に示された主モジュールの変形例の電気回路図である。 やはりモジューラ構造の図５から主モジュールの一実施形態の電気回路図である。 図６に示された主モジュールの変形例の電気回路図である。 本発明の遮断器セルの変形例の電気回路図である。

特に配電および／または送電線路において高直流を遮断する応用例に関して述べるが、本発明の他の応用例が意図されうる。

詳細には、本発明のメカトロニクス回路遮断器は、交流を遮断するために使用されうる。

本発明のメカトロニクス回路遮断器は、ガス絶縁線路（ＧＩＬ）内でも使用されうる。

図１は、直流３２０ｋＶ以下のピークトゥピーク電圧範囲内の送電網（Ｌ）における高直流を遮断するように設計された、本発明のメカトロニクス回路遮断装置１の全体の電気構成を示す。さらに、発明者は、この種のメカトロニクス回路遮断器が、将来、５００ｋＶ以下またはそれを超えるピークトゥピーク電圧範囲内の直流を遮断できるようになると考える。

そのような装置１は、まず、安定条件下で一次電流が流れる主分岐１０を含む。装置１は、互いに電気的に並列な複数の同一主モジュール１０．１，１０．２，１０．ｎを含む。主モジュール１０．１，１０．２，１０．ｎはそれぞれ、互いに電気的に並列な複数の機能的に同一の副分岐から構成される。各分岐と副分岐およびその関連した電子部品の機能は、電流遮断動作、すなわち、本発明の複合回路遮断器が組み込まれた回路網Ｌに、少なくとも電流サージで反映される故障がおきたときに関して述べる。

各主モジュールは、２つの電子切換支援サブモジュールと電気的に直列の少なくとも１つのメカニカルスイッチ断路器１００を含む。本発明のメカトロニクス回路遮断器が組み込まれた送電網の電圧が高いほど、必然的に、直列に接続されたメカニカルスイッチ断路器の数が増える。メカニカルスイッチ断路器は、典型的には数ｋＡの交流に達することがある遮断容量を有する直列の２つの真空遮断器から構成されることが好ましい。特に本発明のメカニカルスイッチ断路器を動作させるために開発された電磁式アクチュエータは、本特許出願と同日に出願され「Actionneur a aimants permanents et interrupteur mecanique actionne par un tel actionneur" ["Permanent magnet actuator and mechanical switch actuated by such an actuator（永久磁石アクチュエータおよび当該アクチュエータにより作動されるメカニカルスイッチ）"]と題する特許出願に記載され請求されている。

メカニカル断続器断路器の一方の側にある各電子切換支援サブモジュールは、１つまたは複数のデューティレシオ制御式電力半導体部品を含む。これらの部品は、シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）であることが好ましい。これらの部品は、同様に、ＪＦＥＴ／ＢＪＴ複合トランジスタ、さらにはＧＴＯサイリスタなど、現在開発段階のシリコンカーバイドを主成分とする部品であってもよい。各サブモジュールは、以下の機能を提供する。
・複数のメカニカルスイッチ断路器の複数の副分岐を並列に接続する機能。
・それらの副分岐のそれぞれに流れる電流を測定する機能。
・これらの各副分岐内の電流を動的に平衡させて、副分岐の様々な部品の加熱を制御する機能。

デューティレシオ制御式電力半導体部品は、以下の機能を提供する。
・導通状態で、導電率または、オン時間とオフ時間の合計に対するオン時間の比率として定義されたデューティレシオを制御することによって、同じ主モジュール１０．１，１０．２，…，１０．ｎの各副分岐内の電流を調整してそのモジュールの副分岐の部品の熱平衡を保証し、主モジュール１０．１，１０．２，…１０．ｎのそれぞれにおける電流を調整してその熱平衡を保証する機能。
・後述するように、主分岐１０から補助分岐１１への電流の高速切換を可能にする機能。
・主分岐が導通状態に戻ることを可能にする機能。
・副分岐における電流が、他の副分岐内の電流の平均と異常に違う場合は、同じ主モジュール１０．１，１０．２，…，１０．ｎの１つまたは複数の副分岐を非活動化し、この非活動化により、故障のリモート信号が生じ、故障の影響を受けた部品が安全状態になることができる機能。

オン状態で、比較的高電流が部品に流れ、その端子で電圧降下がある場合、電子切換支援サブモジュールの電子部品はそれぞれ大量の熱を放散する。したがって、これらの部品の取り付けは、この熱の適正な放散を保証する。

この放散は、好ましくは、電子切換支援サブモジュールの周囲の空気またはガスの自然対流と、そのような対流を最適化する前記サブモジュールの幾何学的な向きとによって達成される。

好ましい実施形態では、ＩＧＢＴトランジスタは、逆並列に接続されたダイオードを備える。

主分岐１０と並列に、３つのタイミング副分岐１１．１，１１．２，１１．３と１つのアーミング副分岐１１．４を含む補助分岐１１が提供される。

副分岐１１．１，１１．２，１１．３，１１．４はそれぞれ、カスケードの複数の電力サイリスタを含む。幾つかの用途では、一次電流の方向が反転されうる。これは、交流電流の場合に起こるが、電力の流れる方向が逆にされうるような回路遮断器１の位置の場合は直流でも起こることは明らかである。これは、典型的には、相互接続された高直流（ＨＤＶＣ）回路網内で起こる。この状況で、複数の電力サイリスタが、各副分岐内で二重にされており、それにより、複数の電力サイリスタがそれぞれ、１つの電流方向に専用にされ、したがって、複数のサイリスタが、逆並列に相互接続される。

複数グループの直列接続によって構成された複数の電力サイリスタが想定されてもよく、グループの数は、本発明のメカトロニクス回路遮断器が受ける動作電圧に依存する。これは、操作される物体の制限重量や、各複数のサイリスタの適正な圧縮を保証できない妥当な最大高さなど、工業的都合のために行われうる。グループは、１０個の同一電力サイリスタからカスケードで構成されることが好ましい。

各高電圧電力サイリスタは、その制御、監視および安全対策に寄与することが想定されたゲート制御モジュール、移動キャパシタ、および複数の他の部品と関連付けられて、カスケードの複数のサイリスタを構成する。

ゲート制御モジュールは、関連付けられた電力サイリスタを制御する。したがって、ゲート制御モジュールは、以下の機能を提供する。
・当該の副分岐内の位置により、別の先行するゲート制御モジュールまたは監視制御システムによって送られた状況報告リクエストを受け取る機能。
・当該の分岐内の位置に応じて、この信号を複製し次のゲート制御モジュールまたは監視制御システムに転送する機能。この複製を監視制御システムが受け取るときは、含まれる全てのゲート制御モジュールが適正な動作状態になり、受け取らないときは、含まれる制御モジュールの少なくとも幾つかが適正な動作状態ではないことを意味する。この情報によって、監視制御システムは、必要に応じてリモート故障信号を送信し、メカトロニクス回路遮断器の安全対策を適用でき、例えば、完了しそうもない動作を阻止する。
・当該の副分岐内の位置に応じて、別の先行するゲート制御モジュールまたは監視制御システムによって送られたときに実行する命令を受け取る機能。
・当該の分岐内の位置に応じて、その命令を複製して、次のゲート制御モジュールまたは監視制御システムに転送する機能。
・この命令を実行し、非導通（オフ）状態から導通（オン）状態に移行することを必要としている電力サイリスタに制御パルスを送る機能。
・サイリスタが導通し始めるのに必要なエネルギーを蓄積する機能。
・Ｔｒａｎｓｉｌダイオードとして知られるＺｎＯまたは電力ツェナーダイオードタイプの１つまたは複数の電圧サージリミッタによって、電圧サージと関連付けられた電力サイリスタを保護する機能。

所定の電力サイリスタの各ゲート制御モジュールは、そのエネルギーを、関連付けられた移送キャパシタの端子に電圧が現れるときに流れる電流から得る。したがって、これらのキャパシタの機能は、エネルギーをゲート制御モジュールに移動することである。これらの移送キャパシタはチェーンを構成し、チェーンの各リンクは、移送キャパシタとゲート制御モジュールによって構成され、また必要に応じて制動抵抗器などの他の部品によって構成される。制御モジュールおよび移送キャパシタの組み合わせは、複数の電力サイリスタと電気的に並列である。

第１のタイミング副分岐１１．１の機能は、特にその端子に回復電圧が現れたとき、タイミング分岐の絶縁耐力の大部分を提供することである。

第２のタイミング副分岐１１．２は、以下の機能を提供する。
・各メカニカルスイッチ断路器が開き始め、第１の電圧レベルに耐えるのに十分な時間の電流を分流する機能。
・主分岐１０の電力半導体部品と並列に接続された電圧サージリミッタを導通させないほど小さい電圧降下を保証する機能。
・適切な時間に電流を第３のタイミング副分岐１１．３に切り換えるのに十分に高い電圧降下を保証する機能。
・第３のタイミング副分岐１１．３が導通し始めるときに、それ自体の電力サイリスタをオフにするのに十分な電圧を蓄積する機能。

２つのタイミング副分岐１１．２，１１．３の使用は、主に、電力サイリスタのｄｉ／ｄｔおよびｄｕ／ｄｔ制限によって必要になるが、デューティレシオ制御式電力半導体部品（ＩＧＢＴ）、電圧サージリミッタの耐電圧、および回路網の電圧と電圧サージ値よっても必要になることに注意されたい。アーミング副分岐１１．４の導通開始時に、第３のタイミング副分岐１１．３は、メカトロニクス回路遮断器１の端子に回復電圧の約１０％〜２０％の電圧を生成して、ある分岐から次の分岐に切り換えるのに必要な電圧レベルを高める直列インダクタを挿入することによって電力サイリスタのｄｉ／ｄｔストレスを制限する。

第３のタイミング副分岐１１．３は、以下の機能を提供しなければならない。
・メカニカルスイッチ断路器が第１の開路レベル達した後、各メカニカルスイッチ断路器が端子の回復電圧に耐えるのに必要な絶縁耐力を得るのに必要な時間で第２のタイミング副分岐１１．２からそれ自体に電流を分流する機能。
・各メカニカルスイッチ断路器を絶縁破壊しない十分に低い電圧降下を保証する機能。
・適切な時間に前記副分岐１１．３内の電流をアーミング副分岐１１．４に切り換えるのに十分に高い電圧降下を保証する機能。
・アーミング副分岐１１．４の導通開始時に、それ自体の電力サイリスタをターンオフするのに十分な電圧とエネルギーを蓄積する機能。

アーミング副分岐１１．４の本質的な機能は、可変瞬間インピーダンスを回路に挿入することである。瞬間インピーダンスは、流れる瞬間電流に対する端子における瞬間電圧の比率として定義されうる。換言すると、アーミング副分岐１１．４は、したがって、
・導通開始時に、一次電流の全体がアーミング副分岐１１．４に分流されるようにきわめて低い瞬間インピーダンスを有し、
・導通している間、端子の電圧が主電圧サージリミッタ１２内で導通を開始させるように増大する瞬間インピーダンスを有し、
・導通期間後に、残留漏れ電流が流れてもごく僅かになるように、きわめて高いインピーダンスを有しなければならない。

第２と第３のタイミング副分岐１１．２および１１．３、並びにアーミング副分岐１１．４のそれぞれに、少なくとも１つの電子切換支援モジュールが提供され、少なくとも１つの電子切換支援モジュールは、それ自体の副分岐に、
・ｄｉ／ｄｔと示された時間に対する電流のドリフトを制限する機能、
・第２のタイミング副分岐１１．２のモジュール用にメカトロニクス回路遮断器の端子に定電圧を維持する機能、
・第３のタイミング副分岐１１．３のモジュール用のアーミング副分岐１１．４への切り換えを可能にする高い電圧を生成する機能、および、
・アーミング副分岐１１．４のモジュール用の主電圧サージリミッタ１２への切り換えを可能にする十分に高い電圧を生成する機能を提供する。

電子切換支援モジュールは、少なくとも１つのキャパシタ、そのキャパシタを放電するための抵抗器、および２つのタイミング副分岐１１．２，１１．３用の補助電圧サージリミッタ（サージ・アレスタ）の並列接続によって構成される。電子切換支援モジュールは、直列の１つまたは複数の抵抗器、および直列の１つまたは複数のインダクタと関連付けられてもよい。

本発明のメカトロニクス回路遮断器は、最後に、以下の機能を提供する主分岐１０と電気的に並列な主電圧サージリミッタ１２を含む。
・電流の全消失を保証する機能。
・主分岐１０を開く瞬間に線路内にある電磁エネルギーを一時的に蓄積する機能。
・必要に応じて、高速作業サイクルを等しく可能にするのに十分に素早くエネルギーを排出する機能。

好ましい実施形態では、電圧サージリミッタ１２は、１組のＺｎＯ型サージアレスタから構成される。

本発明の一実施形態のメカトロニクス回路遮断器１は、図２〜図２Ｈを参照して後述される。

なお、指数ｌは、本発明のメカトロニクス回路遮断器が挿入される電気送電線路Ｌに関し、したがって、Ｕ_l、Ｒ_l、Ｌ_lはそれぞれ、線路Ｌの高電圧レベル、抵抗、インダクタンスを示す。

なお、指数ａは、電流の一方向（関係図の右から左）に専用化されたメカトロニクス回路遮断器の電子部品に関する。指数ｂは、方向ａと反対方向の電流に専用化された電子部品に関する。分かりやすくするために、当該の部品ａは、逆方向の電流に専用化された部品ｂと同一でかつ逆並列に電気的に接続されているので、部品ａだけについて説明される。明らかに、この構成は、ＩＧＢＴトランジスタのフリーホイールダイオードを除き対称的であり、１０１１ａで示されたダイオードは、逆並列でないＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａと共に動作し、１０１１ｂで示された他のダイオードは、やはり逆並列でないトランジスタ１０１０ｂと共に動作する。さらに、図２ｉで、ダイオード１０１１ａおよび１０１１ｂが、それぞれの遮断器セル１０１ｂ，１０１ａと逆並列に示されているが、図３のように、それぞれのデューティレシオ制御式電力半導体１０１０ｂ，１０１０ａと逆並列ではないことに注意されたい。ダイオード１０１１ａおよび１０１１ｂは、遮断器セル１０１ｂ，１０１ａと全く別の部品であることが好ましい。

また、図２〜図２Ｉは、主分岐１０内の１つの主モジュールの１つの副分岐のみを示し、本明細書ではこれについてのみ述べる。

また、図２〜図２Ｉは、単一のメカニカルスイッチ断路器１００のみを示すが、実際には、直列に接続された複数のメカニカルスイッチ断路器があってもよい。また、副分岐のそれぞれの機械的スイッチアイソレータの端子に対する絶縁と電圧の分布を調整するために意図された線形および非線形部品はどちらも示されていないことに注意されたい。以下に、図５〜図６Ｃを参照して、直列のスイッチ断路器および関連した線形および非線形部品の複数の副分岐を有する主モジュール１０．１について説明する。

また、図２〜図２Ｉは、当該の各位置における単一の電力サイリスタのみを示すが、実際には、カスケードの複数のサイリスタがあることに注意されたい。したがって、前記サイリスタのうち１つについてのみ述べる。

最終的には、そのようなパワー・トランジスタは、図２〜図２Ｈでは、象徴的にのみ表わされ、その関連した移送キャパシタおよびゲート制御素子を示していないことに注意されたい。図２Ｉは、各電力サイリスタ１１１ａ，１１１ｂ；１１２ａ，１１２ｂ；１１３ａ，１１３ｂ；１１４ａ，１１４ｂの端子と並列に、それぞれの電圧サージリミッタ（サージアレスタ）１１１６ａ，１１１６ｂ；１１２６ａ，１１２６ｂ；１１３６ａ，１１３６ｂ；１１４６ａ，１１４６ｂを示す。カスケードの複数の電力サイリスタにより、互いに電気的に直列の複数の電圧サージリミッタが提供され、前記複数の電圧サージリミッタは、当該の複数の電力サイリスタと電気的に並列である。したがって、各電圧サージリミッタ（サージアレスタ）１１１６ａ，１１１６ｂ；１１２６ａ，１１２６ｂ；１１３６ａ，１１３６ｂ；１１４６ａ，１１４６ｂは、各電力サイリスタに回復電圧を分配する機能を有する。

主分岐１０は、遮断器セル１０１ａと電気的に直列のメカニカルスイッチ断路器１００を含む。この遮断器セル１０１ａは、ダイオード１０１１ｂと逆並列の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）１０１０ａから構成される。遮断器セル１０１ａ，１０１ｂは、メカニカルスイッチ断路器１００の両側の主分岐１０の端に取り付けられることが好ましい。

電圧上昇率に関して、リミッタ１０２ａは、遮断器セル１０１ａと電気的に並列である。上昇率リミッタは、キャパシタ１０２１ａと電気的に直列のダイオード１０２０ａから構成され、キャパシタ１０２１ａ自体は、放電抵抗器１０２２ａと電気的に並列である。キャパシタ１０２１ａは、ＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａがオフ状態に切り換えられたときのその端子での電圧の上昇率を制御する。ダイオード１０２０ａは、ＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａが導通し始めるときのキャパシタ１０２１ａの激しい放電を防ぐ。最終的に、抵抗器１０２２ａは、キャパシタ１０２１ａの遅い放電を可能にする。換言すると、ＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａと関連したこの電圧リミッタ１０２ａは、導通（オン）状態から非導通（オフ）状態に切り換わるときにその端子間の電圧の上昇率を制御することによってＩＧＢＴを保護する。また、この電圧上昇率の制限は、前記分岐内の電流のｄｉ／ｄｔの制御に寄与するという点で、電流を主分岐から補助分岐に切り換えるのに有益な効果を有する。

また、電圧サージリミッタ１０３ａは、遮断器セル１０１ａと電気的に並列である。電圧サージリミッタ１０３ａは、電圧をＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａの耐電圧より低い値に制限するように設計されている。３３００Ｖの耐電圧を有するＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａの場合、典型的には、リミッタ１０３ａによって制限された２８００Ｖと等しい最大電圧値が設定される。

補助分岐１１は、カスケードの複数の電力サイリスタ１１１ａを含む第１のタイミング副分岐１１．１を含む。

第２のタイミング副分岐１１．２は、第１のタイミング副分岐１１．１に続き、第１のキャパシタ１１２０、第１のインダクタ１１２１、および第１のキャパシタと電気的に直列の第１の抵抗器１１２２を有する第１の切換支援モジュールＭ１を含み、第１のキャパシタ１１２０自体は、放電抵抗器１１２５と電気的に並列である。補助電圧サージリミッタ１１２４は、キャパシタ１１２０と電気的に並列であり、キャパシタ１１２０およびその放電抵抗器１１２５を同時に保護し、また一次電流が第２のタイミング副分岐１１．２を流れるとき、補助分岐の端子に現われる電圧を規定し制限する。

インダクタ１１２１と抵抗器１１２２は不可欠ではなく、したがって、それらの値が、少なくとも固有抵抗と漏れインダクタンスによって定義される第１のタイミング副分岐１１．１とタイミング副分岐１１．２の分布定数の総合的な値に依存することに注意されたい。

第２のタイミング副分岐１１．２と電気的に並列の第３のタイミング副分岐１１．３は、第２のタイミング副分岐と同じように、第２のキャパシタ１１３０、第２のインダクタ１１３１、および第２のキャパシタと電気的に直列の第２の抵抗器１１３２を有する第２の切換支援モジュールＭ２を含み、第２のキャパシタ１１３０自体は、その放電抵抗器１１３５と電気的に並列である。補助電圧サージリミッタ１１３４は、キャパシタ１１３０と電気的に並列であり、同時にキャパシタ１１３０とその放電抵抗器１１３５を保護し、また、一次電流が第３のタイミング副分岐１１．３に流れるときに補助分岐の端子に現われる電圧を規定し制限する。さらに、追加の抵抗器１１３６は、第２の補助電圧サージリミッタ１１３４と電気的に直列に提供される。この抵抗器は、補助電圧サージリミッタ１１３４の特性の関数として、一次電流が第３のタイミング副分岐１１．３に流れるときの補助分岐の端子に現われる電圧の漸進的変化の調整を可能にする。

なお、抵抗器１１３６は、補助電圧サージリミッタ１１３４の特性が、必要とされる特性に本質的に適している場合は、省略されてもよい。

また、インダクタ１１３１と抵抗器１１３２が、必須ではなく、したがって、それらの値が、少なくとも固有抵抗と漏れインダクタンスによって定義される第１のタイミング副分岐１１．１とタイミング副分岐１１．３の分布定数の総合的な値を依存することに注意されたい。

最後に、補助分岐１１は、カスケードの複数の電力サイリスタ１１４ａも含むアーミング副分岐１１．４と、２つの第１の切換支援モジュールＭ１およびＭ２と類似した第３の切換支援モジュールＭ３とを含む。より正確に言えば、この第３の切換支援モジュールＭ３は、第３のキャパシタ１１４０、第３のインダクタ１１４１、および第３のキャパシタと電気的に直列の第３の抵抗器１１４２を含み、キャパシタ１１４０自体は、その放電抵抗器１１４５と電気的に並列である。補助電圧サージリミッタ１１４４は、キャパシタ１１４０と電気的に並列であり、一次電流が主電圧サージリミッタ１２に流れるときに、キャパシタ１１４０とその放電抵抗器１１４５を同時に保護する。

この補助電圧サージリミッタ１１４４が、メカトロニクス回路遮断器の動作に必須でなく、そのストライキング電圧（点弧電圧）が、主電圧サージリミッタ１２の電圧より大きくなるように選択されることに注意されたい。しかしながら、大型の高電圧電気スイッチギヤでは、主電圧サージリミッタ１２の場合と同じように、システムの端子での電圧が他の手段によって限定される場合でも高周波で局所的電圧サージが生じることがあるので、補助電圧サージリミッタ１１４４を有することが好ましい。

なお、抵抗器１１４２とインダクタ１１４１が必須ではなく、したがって、それらの値が、少なくとも固有抵抗と漏れインダクタンスによって定義されるアーミング副分岐１１．４の分布定数の総合的な値に依存する。

最後に、主電圧サージリミッタ１２は、主および補助分岐１０および１１と電気的に並列に接続される。この電圧サージリミッタは、後で説明するように、メカトロニクス回路遮断器１が挿入される回路網Ｌの電圧と、故障した場合に電流の消衰を吸収し放散するのに必要なエネルギーとに関して評価される。当然ながら、分離協調が考慮される。

したがって、メカトロニクス回路遮断装置１の動作は、故障の発生の特定の状況で結果として生じる等価な電気回路図を有する様々な順序を示す図２Ａ〜図２Ｈを参照して述べられ、特定の命令によって開いたときに同じシーケンスが連続して続くことに注意されたい。図３は、時間の関数として様々な副分岐の電流値の代表的な曲線を示す。

安定条件下、すなわち、回路網Ｌの通常動作において、図３の時間ｔ１の前に、主分岐の全てのＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａがオン状態（導通）であり、全電流が通る（図２Ａの電流ｉ₁₀）。

図３の時間ｔ１で回路網Ｌに故障が生じ、その故障が電流サージ（図２の右から左）によって反映された場合、監視制御システムは、ＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａをオン状態からオフ状態に切り換える。次に、電流は、ＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａから電圧サージリミッタ１０３ａに切り換えられる。この切り換えは、電圧の上昇率を制限するリミッタ１０２ａがあるために徐々に達成される。次に、主分岐１０と補助分岐１１の端子で電圧の急上昇が起こる。これと同期して、駆動エネルギーが、電力サイリスタ１１１ａ，１１２ａおよび１１３ａのゲート制御モジュールに自動的に供給される。このエネルギーは、回路網Ｌから得られ、時間が来ると電力サイリスタ１１１ａ，１１２ａを導通させ始める。さらに同時に、図３のｔ２より僅かに遅い時間に、監視制御システムは、状況報告リクエストを、好ましくは光ファイバを介して、電力サイリスタ１１１ａ，１１２ａおよび１１３ａの全てのゲート制御モジュールに送る。

監視制御システムが、この反応として、やはり好ましくは光ファイバを介して、電力サイリスタ１１１ａ、１１２ａおよび１１３ａの全てのゲート制御モジュールが十分なレベルのエネルギーを受け取り、それらの機能を実行できる適切な位置にあるという確認を受け取った場合は、やはり好ましくは光ファイバを介して、電力サイリスタ１１１ａ，１１２ａ内の導通を開始する命令を送り、同時にメカニカルスイッチ断路器１００に、やはり好ましくは光ファイバを介して、開路する命令を送る。開路は、図３の時間差ｔ２−ｔ１よりもかなり遅延した後でようやく始まり、メカニカルスイッチ断路器１００の機械的慣性を示す。この理由により、開路する命令は、監視制御システムによってあらかじめ提供され、メカトロニクス回路遮断器の全体的な動作時間が短縮される。

指定された待ち持間を過ぎても、監視制御システムが、電力サイリスタ１１１ａ、１１２ａおよび１１３ａの全てのゲート制御モジュールが十分なエネルギーレベルを既に受け取り、またその機能を実行するのに適した位置にあるという確認を受け取らない場合は、リモートフォルト信号を送り、電力サイリスタにもメカニカルスイッチ断路器１００にも導通命令を送らず、メカトロニクス回路遮断器１を安全にする対策を実行する。

したがって、この時間ｔ１後に、電流が、主分岐１０から分流され、タイミング副分岐１１．１および１１．２に入る（図２Ｂ）。過渡期間中、すなわち図３の時間ｔ２まで、電流は、ゼロ値から回路網Ｌ内の電流の値まで増える。インダクタ１１２１、抵抗器１１２２および１１２５、並びにキャパシタ１１２０によって構成されたＲＬＣシステムの値が、当該の主分岐１０とタイミング副分岐１１．１および１１．２との間に振動過渡領域を有するように決定されることによって、完全な分流が保証される。この振動過渡領域は、第１に、電流を主分岐１０からタイミング副分岐１１．１および１１．２に高速スイッチングし、第２に、電流のｄｉ／ｄｔを、電力サイリスタ１１１ａおよび１１２ａが受け入れることができるレベルより低いレベルに制限する条件である。

したがって、図３の時間ｔ２で、全ての電流が、副分岐１１．１および１１．２に分流される（図２Ｃ）。タイミング副分岐１１．１，１１．２の電子部品の定格により、このトポロジーは、メカニカルスイッチ断路器１００を開路し、メカニカルスイッチ断路器１００が端子の第１の電圧レベルに耐えることができるのに必要な特定の期間ｔｄを継続する。発明者は、アクチュエータが、電気的に直列の２つの真空遮断器で構成されたメカニカルスイッチ断路器１００を十分に開路するのに十分な２００μｓ〜２０００μｓの範囲のきわめて短い期間ｔｄを設定することを好んでいる。このアクチュエータは、本出願人の名前で本日出願され、「Actionneur a aimants permanents et interrupteur mecanique actionne par un tel actionneur" ["Permanent magnet actuator and mechanical switch actuated by such an actuator（永久磁石アクチュエータおよび当該アクチュエータにより作動されるメカニカルスイッチ）"]」と題する特許出願に記載され請求されたものである。

電圧サージリミッタ１０３ａと補助電圧サージリミッタ１１２４はそれぞれ、一次電流がタイミング副分岐１１．１および１１．２内で適切に確立される時、すなわち、図３でｔ２の少し後でかつｔ３のかなり前の時間の終わりに、主分岐１０内の残留電流の振幅が実質的にゼロになる（典型的には、１Ａ未満）ように設定される。そのため、電気アークの発生が事実上ないので、メカニカルスイッチ断路器１００の真空遮断器が、著しい電食なしに開路することができる。

図３で、第３のタイミング副分岐１１．３の電力サイリスタ１１３ａは、ｔ２に期間ｔｄを加えた時間ｔ３で、監視制御システムによってそのオフ状態からそのオン状態に切り換えられる。次に、電流は、この副分岐で分流される（図２Ｄ）。次に、この副分岐１１．３の電流ｉ₂は、０値から、図３の時間ｔ４で、この副分岐（図２Ｅ）内の線Ｌの電流の値まで増える。インダクタ１１３１、抵抗器１１３２および１１３５、並びにキャパシタ１１３０によって構成されたＲＬＣシステムの値を、当該のタイミング副分岐１１．２とタイミング副分岐１１．３との間に振動領域が生じるように決定することによって、電流の完全な分流が保証される。この振動遷移領域は、まず、電流をタイミング副分岐１１．２からタイミング副分岐１１．３に高速スイッチングし、次に、電流のｄｉ／ｄｔを、電力サイリスタ１１３ａが受け入れることができるレベルより低いレベルに制限するのに必要な条件である。この時間ｔ４で、キャパシタ１１２０によって遷移逆方向バイアスが印加されるので、電力サイリスタ１１２ａは、ターンオフし（オフ状態に切り換わる）、副分岐１１．２に電流がなくなる。

この逆方向バイアスは、短期間であり、電力サイリスタ１１２ａは、きわめて短いターンオフ時間を有し、かつ数マイクロ秒から数十マイクロ秒の範囲の時間十分なフォワード回復電圧に耐えられるように適応される。これと同じことは、同じ理由から、電力サイリスタ１１１ａおよび１１３ａにも適用される。

図３の時間ｔ４からｔ５までのこの期間に、補助分岐１１の端子の電圧は、補助電圧サージリミッタ１１２４によって規定される初期値から、補助電圧サージリミッタ１１３４と抵抗器１１３６とによって実質的に規定される値まで上昇する。

本発明のメカトロニクス回路遮断器１が実装された回路網Ｌの電圧レベルに応じて、これらの最終電圧と初期電圧との比率は、典型的に、５〜２０の範囲で変化することがある。

補助分岐１１の端子のそのような電圧上昇が可能な場合、図５の時間ｔ３は、メカニカルスイッチ断路器１００の開路がその電圧に十分に耐えられるように決定される。

補助分岐１１の端子のこの電圧上昇は、最初に、電流をアーミング分岐１１．４に将来切り換えることを容易にする。一次故障電流が達しうる値が高い場合、典型的には上昇率が１０Ａ／μｓに達するかまたはそれを超えたときに、この大きなサイズによって、きわめて高電圧で漏れインダクタンスが大きくなり、したがって、高いスイッチング電圧が必要になる。

また、これにより、アーミング分岐１１．４の電力サイリスタ１１４ａのゲート制御モジュールに十分なエネルギーが自動的に提供されうる。回路網Ｌから得られるこのエネルギーは、電力サイリスタ１１４ａを適切な時間に導通させ始めることを可能にする。

図３のｔ５の少し前の時間に、監視制御システムは、好ましくは光ファイバを介して、電力サイリスタ１１４ａの全てのゲート制御モジュールに状況報告リクエストを送る。

監視制御システムが、応答として、やはり好ましくは光ファイバを介して、電力サイリスタ１１４ａの全てのゲート制御モジュールが十分なレベルのエネルギーを既に受け取り、その機能を実行するのに適切な位置にあるという確認を受け取った場合は、図３の時間ｔ５で、やはり好ましくは光ファイバを介して、電力サイリスタ１１４ａに導通を開始する命令を送信する。

指定された待ち持間が過ぎても、監視制御システムが、応答として、電力サイリスタ１１４ａの全てのゲート制御モジュールが十分なレベルのエネルギーを既に受け取り、それらの機能を実行するのに適切な位置にあるという確認を受け取らない場合は、故障レポートを送信し、電力サイリスタ１１４ａに導通命令を送らず、メカトロニクス回路遮断器を安全にする対策を実行する。

時間ｔ４の後、すなわち、図３の時間ｔ５で、監視制御システムは、アーミング副分岐１１．４の電力サイリスタ１１４ａをオフ状態からオン状態に切り換え、その結果キャパシタ１１４０が迅速に充電される。次に、電流が、この副分岐１１．４に分流される（図２Ｆ）。次に、この副分岐１１．４の電流ｉ₃は、ゼロの値から、図３の時間ｔ６におけるこの副分岐（図２Ｇ）の線Ｌの電流の値まで増大する。電流の完全な分流は、インダクタ１１４１、抵抗器１１４２および１１４５並びにキャパシタ１１４０によって構成されたＲＬＣシステムの値と、タイミング副分岐１１．１，１１．３のＲＬＣシステムとの値が、当該の前記副分岐１１．１，１１．３およびアーミング副分岐１１．４との間の振動遷移領域を作成するように決定されることにより保証される。この振動遷移領域は、第１に電流をタイミング副分岐１１．１，１１．３からアーミング副分岐１１．４に高速切り換えし、第２に電流のｄｉ／ｄｔを電力サイリスタ１１４ａが受け入れることができるレベルより低いレベルに制限するための条件である。この時間ｔ６で、キャパシタ１１３０によって遷移逆方向バイアスが印加されるので、電力サイリスタ１１１ａおよび１１３ａはオフになり（オフ状態に切り換わる）、それぞれの副分岐１１．１および１１．３に電流がなくなる。

この逆方向バイアスが短時間なので、電力サイリスタ１１１ａおよび１１３ａは、きわめて短いターンオフ時間を有し、数マイクロ秒〜数十マイクロ秒の範囲の時間、その十分なフォワード回復電圧に耐えられるように適応される。

この時間ｔ６から、アーミング副分岐１１．４のキャパシタ１１４０は、主電圧サージリミッタ１２のトリガ電圧に達するまで充電し続ける。回路網Ｌの無効エネルギーの作用のため、この電圧は、主電圧サージリミッタ１２の特性によって決定される法則にしたがって僅かに上昇し続ける。同時に、一次電流は、アーミング副分岐１１．４から主電圧サージリミッタ１２に送られ、主電圧サージリミッタ１２は、回路網Ｌの無効エネルギーを吸収する。

このように高電圧エネルギー吸収素子１２の回路網Ｌに直列挿入することによって、一次電流が、主電圧サージリミッタ１２のストライキング電圧が回路網Ｌの公称電圧より高くなる割合で減少する。主電圧サージリミッタ１２のストライキング電圧と回路網Ｌの公称電圧の比率は、典型的には、回路網Ｌの公称電圧に応じて、１〜４の範囲（例えば、２）で選択されてもよい。

図３の時間ｔ６で、回路網Ｌの無効エネルギーが、主電圧サージリミッタ１２によって課される高電圧サージレベルを維持するのに十分でなくなり、その端子の電圧が急速に低下する。これと同時に、キャパシタ１１４０の端子の電圧は、主電圧サージリミッタ１２の電圧に近い最大値に達し、放電抵抗器１１４５によって課される割合でゆっくり低下する。その割合は、明らかに異なるこれらの２つの低下率に関して明確に評価される。この結果、所定の時間に、キャパシタ１１４０の端子の電圧が、主電圧サージリミッタ１２の端子の電圧より高くなる。したがって、キャパシタ１１４０は、サイリスタ１１４ａに遷移逆方向バイアスを印加する。

なお、補助電圧サージリミッタ１１４４は、主電圧サージリミッタ１２より高いストライキング電圧を有し、前述したシーケンスで動作しない。

図３の時間ｔ７で、キャパシタ１１４０に遷移逆方向バイアスが印加されるので、電力サイリスタ１１４ａはターンオフし（オフ状態に切り換わる）、アーミング副分岐１１．４に電流がなくなる。

図３のこの時間ｔ７を過ぎると、高電圧回路網に直列に挿入された全てのスイッチギヤ内にある部品の欠陥により生じる残留電流リークとは別として、主分岐１０にも補助分岐１１にも電流が流れなくなる。これらの電流は、図４に関して後で述べるように、メカトロニクス回路遮断器と電気的に直列の従来の分離手段によって必要に応じて除去される。次に、一次電流は、主電圧サージリミッタ１２に完全に分流され、システムの等価回路図は、図２Ｈに示されたものである。主リミッタ１２のストライキング電圧と回路網の公称電圧との比率として減少する期間の終わりに、一次電流は、メカトロニクス回路遮断器の電流リークまで減少し、遮断が達成される（図２Ｈ）。

一方、最初に高電圧レベルまで充電されたキャパシタ１１４０は、放電抵抗器１１４５に放電される。

図４は、高電力高直流送電網に一体化され、前述のようにメカトロニクス回路遮断器１を含む１組の電気スイッチギヤを示す。

追加の電気スイッチギヤ２、３、４、５は、
・回路遮断器の保守の総合的安全性を可能にし、
・電流を遮断したときに電気応力を受けないようにすることによって動作の信頼性を高め、
・スイッチング電流を制限し、
・低電流の遮断を可能にし、
・命令で、その遮断容量より大きい電流の通過を許可するように適応された補助的機能によって回路遮断器１の性能を補完する。

したがって、最初に、回路遮断器の端子の両側に、保守作業のために、閉位置で主分岐１０と補助分岐１１の接続端子を接地する接地スイッチ２が提供される。通常動作では、接地スイッチ２は、明らかに開いており、端子と接地の間の分離を提供しなければならない。

また、メカトロニクス回路遮断器の端子と電気的に並列にブリッジスイッチ３が提供される。ブリッジスイッチ３は、命令で、特定の期間に、メカトロニクス回路遮断器１の遮断容量より多い過渡電流を、メカトロニクス回路遮断器１の一方の端子から他方の端子に通し、メカトロニクス回路遮断器１を通さないように適応される。

断路器４は、接地スイッチ２の電気接続端子の外部で、メカトロニクス回路遮断器１と電気的に直列である。断路器４はその開位置で、端子間と端子とグランドとの間の絶縁耐力を提供する働きをする。閉位置では、断路器４は、主分岐１０の電気的導通を提供する。断路器４は、接地スイッチ２と関連付けられ、したがって、メカトロニクス回路遮断器１の保守操作を安全にすることができる。したがって、複合回路遮断器１に人間が介在するには、断路器４の開路と接地が必要である。

抵抗器挿入スイッチ５は、各断路器４とメカトロニクス回路遮断器１との間で電気的に直列であり、このスイッチ５は、閉じる瞬間に端子に電位差がある場合に閉路のスイッチング電流を制限するように適応される。

最後に、追加の回路遮断器６は、低電流を遮断するために本発明のメカトロニクス回路遮断器１と電気的に直列に提供される。交流用途か直流用途かにより、追加の回路遮断器を作成するために異なる技術が使用される。直流用途では、回路遮断器６は、帰線用直流遮断器（ＭＲＴＢ：metal return transfer breaker）と同等の技術を使用して作成されてもよい。そのような回路遮断器は、現在、きわめて高電圧で動作する交流直流および直流交流変換器施設で使用されている。交流用途では、回路遮断器６は、超高電圧変電所で使用される交流回路遮断器のものと同等の技術を使用して作成されてもよい。したがって、回路遮断器６は、ＳＦ_６などの絶縁ガスによるアーク消衰を使用する回路遮断器でよい。

図５は、本発明のメカトロニクス回路遮断器の主分岐１０の一実施形態を示す。分岐１０は、互いに電気的に並列の複数の同一の副分岐１０．１１，１０．１２…，１０．１ｎから構成された単一の主モジュール１０．１を含む。主モジュールの数は、回路網Ｌ内を通過中の一次電流の関数である。発明者は、典型的には、１５００Ａの安定電流を提供または送信するために並列の１２個の副分岐１０．１１，１０．１２…，１０．１ｎを含む並列モジュール１０．１を有するメカトロニクス回路遮断装置１を使用する。２つまたは３つのそのような主モジュール１０．１の並列接続はそれぞれ、３０００Ａまたは４５００Ａの安定電流を可能にする。

各副分岐は、互いに電気的に直列の複数のメカニカルスイッチ断路器１００と、やはりスイッチ１００と電気的に直列であるが逆並列に接続された２つの同一の遮断器セル１０１ａ，１０１ｂとを含む。これにより、遮断器セル１０１ａ，１０１ｂはそれぞれ電流の１つの方向に専用化される。複数の副分岐１０．１１，１０．１２…，１０．１ｎの間のこの種の並列接続は、複数の大きい利点を有する。

副分岐１０．１１，１０．１２の同じ側に配置された遮断器セル１０１ａ，１０１ｂは、図５Ａに点線で示されたように、電子切換支援サブモジュールＭ４．１，Ｍ４．２を構成する単一の物理エンティティにグループ化されうる。

２つの電子切換支援サブモジュールＭ４．１，Ｍ４．２はそれぞれ、単一導体上で、様々な並列副分岐の電流を結合する。

２つの電子切換支援サブモジュールＭ４．１，Ｍ４．２はそれぞれ、前述の方法によって各並列副分岐の電流を平衡させることができ、単一エンティティ内で組み合わされたときの遮断器セルの接近は、そのような電流の遠隔測定と比較を容易にする。

電子切換支援サブモジュールＭ４．１，Ｍ４．２はそれぞれ、きわめて限られた方式でのみ動作することになりやすいので、遮断器セルの迅速な活動化または非活動化に必要なエネルギーを蓄積する手段が提供されてもよい。さらに、電子切換支援サブモジュールＭ４．１，Ｍ４．２内の機器は、低消費電力電子部品を基準に設計されており、したがって、負荷がない状態で動作するのに必要な電力が最小になる。これにより、地面上に配置されたユニットから電磁波形の伝送によって電力をモジュールに供給することができるが、高電圧には晒されず、この接続は、導波路またはビームによって達成され有利である。そのような電磁波は、マイクロ波スペクトルのいわゆるミリメートル波でもよく、波長ウィンドウ７５０ｎｍ〜１６００ｎｍの赤外スペクトルの光波でもよい。これらの波は、絶縁シースを有するドープトシリカ光ファイバによって導かれることが好ましい。

同じように、様々な副分岐のメカニカルスイッチ断路器１００は、図５Ａ、図６および図６Ａに点線で抽象的に示されたように、モジュールＭ５．１，Ｍ５．２，Ｍ５．３，Ｍ５．４，Ｍ５．５にグループ化されうる。このことは、本発明のメカトロニクス回路遮断器上にモジューラ構造を与えることができるという利点を有する。本発明の電磁式アクチュエータモジュールはそれぞれ、本出願と同一日に出願され、「Actionneur a aimants permanents et interrupteur mecanique actionne par un tel actionneur" ["Permanent magnet actuator and mechanical switch actuated by such an actuator（永久磁石アクチュエータおよび当該アクチュエータにより作動されるメカニカルスイッチ）"]」と題する特許出願に記載され請求されている。したがって、メカトロニクス回路遮断器は、電気的に直列のモジュールの数により、より高電圧レベルでも低電圧レベルでも使用されうる。

図６は、真空遮断器（図示せず）によって構成されたメカニカルスイッチ断路器１００の好ましい実施形態を示す。各真空遮断器は、開位置にあるときに同じ副分岐内の直列に接続された全ての遮断器間で電圧を十分に均一に分割し、および／または遮断器がそれぞれ受ける最大電圧を制限するように適応された分流器電圧サージリミッタ１０００を備える。同一副分岐内の直列の遮断器の総数は、厳密に必要な数より多いことが好ましく、したがって、１つまたは２つの遮断器の故障、すなわち、開位置で電圧に耐えることができないことは、本発明のメカトロニクス回路遮断器の機能の結果ではない。換言すると、これは、電圧に耐えることができない１つまたは複数の真空遮断器のリスクも考慮するための調整機能の問題である。電圧サージリミッタ１０００が構成する非線形システムは、例えば、数ｍＡほどのごくわずかな残留電流だけを通すそれぞれの高値抵抗器と個々に置き換えられてもよい。また、非線形システムは、キャパシタでもよく、電圧サージリミッタ１０００、高値抵抗器、および適切な場合にはキャパシタの組み合わせでよい。

図６Ａは、前述の好ましい実施形態の有利な変形例を示す。この変形例では、同一メカニカルスイッチ断路器モジュールＭ５．１，Ｍ５．２，Ｍ５．３，Ｍ５．４，Ｍ５．５の各副分岐の２つの遮断器１００の中間点は、モジュールの共通点に、同一メカニカルスイッチ断路器モジュールのこれらの中間点間の電位差を制限するように適応された線形または非線形抵抗器１００１を介して接続される。

図７は、遮断器セル１０１ａ，１０１ｂに有利な変形例と、本発明の主分岐１０の副分岐１０．１１へのその一体化を示す。この変形例では、遮断器セル１０１ａ，１０１ｂのデューティレシオ制御式電力半導体素子は、少なくとも１つの電界効果トランジスタ１０１２ａ，１０１２ｂと、電界効果トランジスタと電気的に直列の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）１０１０ａ，１０１０ｂとによって構成される。したがって、電界効果トランジスタ１０１２ａ，１０１２ｂのドレインＤは、ＩＧＢＴトランジスタ１０１０ａ，１０１０ｂのエミッタＥに接続され、ゲートＧは、カスコード回路として通常知られる回路と似た全体のスイッチング挙動を保証する制御回路に接続される。さらに、そのようなカスコード回路内のＩＧＢＴの漂遊コレクタゲート容量によって生じるミラー効果を中和する利点は、本発明の文脈では、主回路網によって主分岐に注入されることがある高周波干渉の影響を受けないことによって制御回路の信頼性が高まるという利点を有する。

本発明の範囲から逸脱せずに多くの改良を行い得うる。

したがって、既に前述したように、図２に示された本発明のアーキテクチャは、高電圧線Ｌを介して一方向または逆方向に到達しうる電流を遮断するように設計される。遮断される電流が常に同一方向に流れる用途では、アーキテクチャは、図２で二重化された全ての電子部品（すなわち、それらの電子部品は全て同じ指数ａまたはｂで示された）をなくすことによって単純化されてもよい。

１ メカトロニクス回路遮断装置
１０ 主分岐
１０．１，１０．２，１０．ｎ 主モジュール
１０．１１，１０．１２，１０．１ｎ，１１．１，１１．２，１１．３，１１．４ 副分岐
１００ メカニカルスイッチ断路器
１０１ａ；１０１ｂ 遮断器セル
１０１０ａ；１０１０ｂ 電力半導体素子
１１ 補助分岐
１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ 電力サイリスタ
１１２０，１１４０ キャパシタ
１１２１ インダクタ
１１２２ 抵抗器
１１２４，１１４４ 電圧サージリミッタ
１１２５ 放電抵抗器
１１４１ インダクタ
１１４２ 抵抗器
１１４５ 放電抵抗器
１１４ａ；１１４ｂ 電力サイリスタ
１２ 主電圧サージリミッタ
Ｌ 電力伝達手段
Ｍ１，Ｍ３ 切換支援モジュール

Claims (22)

1. 電力伝達手段（Ｌ）に流れる電流を遮断するように適応されたメカトロニクス回路遮断装置（１）であって、
   少なくとも１つの副分岐（１０．１１，１０．１２，１０．１ｎ）を有する少なくとも１つの主モジュール（１０．１，１０．２，１０．ｎ）を含む主分岐（１０）であって、前記少なくとも１つの副分岐（１０．１１，１０．１２，１０．１ｎ）が、制御されたデューティレシオを有する少なくとも１つの電力半導体素子（１０１０ａ；１０１０ｂ）から構成された少なくとも１つの遮断器セル（１０１ａ；１０１ｂ）と直列に接続された少なくとも１つのメカニカルスイッチ断路器（１００）を含む、主分岐（１０）と、
   前記主分岐と電気的に並列の補助分岐（１１）であって、
   タイミング副分岐と呼ばれ、カスケードの複数の電力サイリスタ（１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ；１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ）を有する少なくとも１つの第１の遮断器セルを含む少なくとも１つの第１の副分岐（１１．１，１１．２，１１．３）であって、前記タイミング副分岐の少なくとも１つが、さらに、放電抵抗器（１１２５）および電圧サージリミッタ（１１２４）と電気的に並列である少なくとも１つの第１のキャパシタ（１１２０）を有する少なくとも１つの第１の切換支援モジュール（Ｍ１）を含む、第１の副分岐（１１．１，１１．２，１１．３）と、
   アーミング副分岐と呼ばれ、前記タイミング副分岐と電気的に並列で、カスケードの複数の電力サイリスタ（１１４ａ；１１４ｂ）から構成された少なくとも１つの第２の遮断器セルと、放電抵抗器（１１４５）と電気的に並列である少なくとも１つの第２のキャパシタ（１１４０）を有する第２の切換支援モジュール（Ｍ３）を含む、第２の副分岐（１１．４）と、
   を含む補助分岐（１１）と、
   前記主分岐と電気的に並列の少なくとも１つの主電圧サージリミッタ（１２）とを含む、メカトロニクス回路遮断装置（１）。
2. 主モジュールの各副分岐が、互いに逆並列に電力半導体を使用して接続された２つの遮断器セル（１０１ａ，１０１ｂ）の間に直列に接続された少なくとも１つのメカニカルスイッチ断路器（１００）を含む、請求項１に記載のメカトロニクス回路遮断器。
3. 主モジュールの各遮断器セルと電気的に並列の電圧上昇率リミッタ（１０２ａ，１０２ｂ）をさらに含み、前記電圧上昇率リミッタが、キャパシタ（１０２１ａ，１０２１ｂ）と電気的に直列のダイオード（１０２０ａ，１０２０ｂ）を含み、前記キャパシタ（１０２１ａ，１０２１ｂ）自体が、放電抵抗器（１０２２ａ，１０２２ｂ）と電気的に並列である、請求項１または請求項２に記載のメカトロニクス回路遮断器。
4. 主モジュールの各遮断器セルと電気的に並列の電圧サージリミッタ（１０３ａ）をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器。
5. 主モジュールの副分岐の各遮断器セルが、制御された導電率を有する少なくとも１つの電力半導体素子（１０１０ａ，１０１０ｂ）を含み、前記主モジュールの各副分岐が、遮断器セルと逆並列に接続されたダイオード（１０１１ｂ，１０１１ａ）を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器。
6. 主モジュールの遮断器セルの制御デューティレシオを有する前記電力半導体部品が、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）（１０１０ａ，１０１０ｂ）である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器。
7. 主モジュール（１０．１，１０．２，１０．ｎ）の副分岐（１０．１１，１０．１２，１０．１ｎ）の遮断器セル（１０１ａ，１０１ｂ）の前記デューティレシオ制御式電力半導体素子が、少なくとも１つの電界効果トランジスタ（１０１２ａ，１０１２ｂ）と、前記電界効果トランジスタのドレインを絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）のエミッタに接続することによって前記電界効果トランジスタと電気的に直列に接続されたＩＧＢＴトランジスタ（１０１０ａ，１０１０ｂ）とを含み、前記電界効果トランジスタのゲートＧが、前記カスコード回路型のスイッチング挙動を保証する制御回路に接続されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器。
8. 前記主分岐が、互いに電気的に並列の複数の主モジュール（１０．１，１０．２，…，１０．ｎ）を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器。
9. 各主モジュール（１０．１，１０．２，…１０．ｎ）が、互いに電気的に並列の複数の副分岐（１０．１１，１０．１２，…，１０．１ｎ）を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器。
10. 前記補助分岐（１１）が、互いに電気的に並列の少なくとも２つのタイミング副分岐（１１．２，１１．３）を含み、少なくとも１つの第３の遮断器セルを含む前記第２のタイミング副分岐が、カスケードの複数の電力サイリスタ（１１１ａ，１１３ａ；１１１ｂ，１１３ｂ）と、少なくとも１つの第３の切換支援モジュール（Ｍ２）とを含み、前記第３の切換支援モジュール（Ｍ２）が、少なくとも１つの第３のキャパシタ（１１３０）と、少なくとも１つの第３のインダクタ（１１３１）と、前記第３のキャパシタと電気的に直列の少なくとも１つの第３の抵抗器（１１３２，１１３６）とを有し、前記第３のキャパシタ（１１３０）自体が、放電抵抗器（１１３５）および電圧サージリミッタ（１１３４）と電気的に並列であり、前記電圧サージリミッタ（１１３４）自体が抵抗器（１１３６）と直列である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器。
11. 各主モジュール（１０．１，１０．２，…，１０．ｎ）の各副分岐（１０．１１，１０．１２，…，１０．１ｎ）の各メカニカルスイッチ断路器（１００）が、電気的に直列の２つの真空遮断器を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器。
12. 高電圧交流または直流電気エネルギー伝達手段に取り付けられるように設計された１組の電気スイッチギヤであって、
    請求項１〜１１のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断器と、前記メカトロニクス回路遮断器の前記２つの端子のそれぞれと直列に接続された少なくとも１つの電気的接地スイッチ（２）とを含む、１組の電気スイッチギヤ。
13. 前記メカトロニクス回路遮断器の前記端子と電気的に並列に接続され、命令で、特定の期間に、前記メカトロニクス回路遮断器の遮断容量より大きい過渡電流を、前記回路遮断器の一方の端子から他方の端子に、前記回路遮断器を通さずに流すように適応されたブリッジスイッチ（３）を含む、請求項１２に記載の１組の電気スイッチギヤ。
14. 前記複合回路遮断器の端子の両側で、前記メカトロニクス回路遮断器と電気的に直列で前記接地スイッチの前記電気接続端子の外側に配置された断路器（４）を含む、請求項１２または請求項１３に記載の１組の電気スイッチギヤ。
15. 接地スイッチの電気接続端子と断路器との間に、前記断路器と電気的な直列の電気抵抗器（５）を挿入するためのスイッチを含む、請求項１４に記載の１組の電気スイッチギヤ。
16. 前記メカトロニクス回路遮断装置と電気的に直列の追加の回路遮断器を含み、前記追加の回路遮断器が、低電流を遮断するように適応された、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の１組の電気スイッチギヤ。
17. 前記追加の回路遮断器が、帰線用直流遮断器（ＭＲＴＢ）である、請求項１６に記載の１組の電気スイッチギヤ。
18. 前記追加の回路遮断器が、メカニカルアーク消滅型である、請求項１６に記載の１組の電気スイッチギヤ。
19. 前記スイッチギヤおよび追加の回路遮断器が、個別または組み合わせのモジューラ設計のものである、請求項１２〜１８のいずれか一項に記載の１組の電気スイッチギヤ。
20. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載のメカトロニクス回路遮断装置をトリガする方法であって、
    前記主分岐に安定電流が存在し、特定の命令が存在しない状態でのみ、各スイッチ断路器が、閉位置に維持され、前記１組または複数組のデューティレシオ制御式電力半導体がオン状態に維持され、前記補助分岐の前記１組の電力サイリスタがオフ状態に維持され、前記装置の主分岐に電流サージが生じた場合または特定の命令を受け取ったときに、
    ａ）各スイッチ断路器を閉じた状態に維持したまま前記デューティレシオ制御式電力半導体素子をオン状態からオフ状態に切り換えて、全ての電流を少なくとも１つのタイミング副分岐に、各メカニカルスイッチ断路器が開くのに必要な期間、分流する段階と、
    ｂ）段階ａ）と同期して、少なくとも１つのタイミング副分岐の電力サイリスタをオフ状態からオン状態に切り換えて、前記主分岐と前記補助分岐の前記端子に、前記主分岐にも前記アーミング副分岐にも前記主電圧サージリミッタにも電流が流れないようにする電圧レベルを達成し、次に各メカニカルスイッチ断路器の開位置で前記アーミング副分岐の前記電力サイリスタを前記オフ状態からオン状態に切り換え、次に各メカニカルスイッチ断路器の前記開位置で前記少なくとも１つのタイミング副分岐の前記電力サイリスタを前記オン状態から前記オフ状態に切り換える段階と、
    ｃ）段階ｂ）が完了したとき、各メカニカルスイッチ断路器を開く段階と、
    ｄ）段階ｃ）が完了したとき、またメカニカルスイッチ断路器がその開位置に達したときに、前記アーミング副分岐の前記電力サイリスタを前記オフ状態から前記オン状態に切り換えて、前記電力サイリスタの端子で、前記主電圧サージリミッタへの全電流の分流を可能にする電圧レベルを達成する段階と、
    ｅ）前記主電圧サージリミッタによって電流を消失させる段階と、を含む、方法。
21. 少なくとも１つの断路器（４）を開くことによって残留漏れ電流をなくす段階ｆ）をさらに実行する、請求項２０に記載のトリガリング方法。
22. 請求項２０または請求項２１に記載の方法を使用した監視制御システム。

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