JP6146559B2 - 光電変換素子及び太陽電池セル - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 60
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical compound FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N [K].[Bi] Chemical compound [K].[Bi] YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPYKIKAOXJKNGG-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Bi].[Sr] Chemical compound [Nb].[Bi].[Sr] KPYKIKAOXJKNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N bismuth sodium Chemical compound [Na].[Bi] FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N sodium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [Na+].[O-][Nb](=O)=O UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
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Description
本発明は、酸化物半導体を用いた光電変換素子及び太陽電池セルに関する。
従来より、環境にやさしい電源として、シリコンを用いた太陽電池（光電変換素子）が注目を集めている。シリコンを用いた太陽電池としては、単結晶、多結晶シリコン基板にＰＮ接合を形成したものである（特許文献１参照）。
しかしながら、このような太陽電池は、製造コストが高く、また、製造条件を高度に制御する必要があり、さらに製造に多大なエネルギーを必要とし、必ずしも省エネルギーな電源とは言えない。
また、これに替わる次世代の太陽電池として、製造コストが安く、また、製造エネルギーが少ないとされる色素増感型太陽電池が開発されている。しかしながら、色素増感型太陽電池には、蒸気圧の高い電解液を用いているため、電解液が揮発するという問題がある。
さらに、最近新たに開発されるようになった方式の太陽電池として、強誘電体材料のドメイン構造を用いた方式（例えば、非特許文献１参照）がある。
S.Y.Yang, J.Seidel, S.J.Byrnes, P.Shafer, C.-H.Yang, M.D.Rossell, P.Yu, Y.-H.Chu, J.F.Scott, J.W.Ager, III, L.W.Martin, and R.Ramesh: Nature Nanotechnology 5(2010)143
しかしながら、非特許文献１は、単結晶の強誘電体にドメイン構造を有していると、光照射により発電されるという報告であり、実用化に向けては全く未知数である。
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、新規な光電変換素子及び太陽電池セルを提供することを目的とする。
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、新規な光電変換素子及び太陽電池セルを提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の態様は、基体上に形成された強誘電体層と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられた第１電極と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられて前記第１電極との間に電圧を印加できる第２電極と、前記強誘電体層から電力を取り出す一対の取出電極とを具備し、前記第１電極と前記第２電極とが所定方向に亘って交互に配置されており、前記第１電極及び前記第２電極と、前記基体との少なくとも一方が、前記強誘電体層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする光電変換素子にある。
かかる態様では、第１電極と第２電極との間に電圧を印加すると、前記強誘電体層の電極間の領域に交互に異なる分極が生じ、電極に対向する領域である異なる分極を有する領域の間にウォール部が形成されてドメイン構造が形成され、これにより、光照射により取出電極間から電力を取り出すことができる。また、前記強誘電体層が基体上に形成されているので、強誘電体層を簡便且つ効率的に形成することができ、第１電極及び第２電極と、基体との少なくとも一方が、強誘電体層よりも大きなバンドギャップを有するので、強誘電体層に効率よく光を取り込むことができる。
ここで、前記第１電極及び前記第２電極が、櫛形電極又は渦型電極であることが好ましい。これによれば、高密度で効率的に第１電極及び第２電極を配置でき、効率的にドメイン構造を形成できる。
また、前記取出電極が前記第１電極及び前記第２電極が設けられた領域の外側に配置されていることが好ましい。これによれば、ドメイン構造で発電された電力を効率的に取出電極から取り出すことができる。
また、前記基体上に前記第１電極及び前記第２電極が形成され、前記基体、前記第１電極、及び前記第２電極上に前記強誘電体層が形成されていることが好ましい。これによれば、強誘電体層の下層部にドメイン構造が形成できる。
本発明の他の態様は、光電変換素子を用いたことを特徴とする太陽電池セルにある。
かかる態様では、ドメイン構造により光電変換する光電変換素子を具備するので、比較的簡便に且つ再現性よく且つ低コストでの太陽電池が実現できる。
また、別の態様は、強誘電体層と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられた第１電極と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられて前記第１電極との間に電圧を印加できる第２電極と、前記強誘電体層から電力を取り出す一対の取出電極とを具備し、前記第１電極と前記第２電極とが所定方向に亘って交互に配置されていることを特徴とする光電変換素子にある。
かかる態様では、第１電極と第２電極との間に電圧を印加すると、前記強誘電体層の電極間の領域に交互に異なる分極が生じ、電極に対向する領域である異なる分極を有する領域の間にウォール部が形成されてドメイン構造が形成され、これにより、光照射により取出電極間から電力を取り出すことができる。
かかる態様では、第１電極と第２電極との間に電圧を印加すると、前記強誘電体層の電極間の領域に交互に異なる分極が生じ、電極に対向する領域である異なる分極を有する領域の間にウォール部が形成されてドメイン構造が形成され、これにより、光照射により取出電極間から電力を取り出すことができる。また、前記強誘電体層が基体上に形成されているので、強誘電体層を簡便且つ効率的に形成することができ、第１電極及び第２電極と、基体との少なくとも一方が、強誘電体層よりも大きなバンドギャップを有するので、強誘電体層に効率よく光を取り込むことができる。
ここで、前記第１電極及び前記第２電極が、櫛形電極又は渦型電極であることが好ましい。これによれば、高密度で効率的に第１電極及び第２電極を配置でき、効率的にドメイン構造を形成できる。
また、前記取出電極が前記第１電極及び前記第２電極が設けられた領域の外側に配置されていることが好ましい。これによれば、ドメイン構造で発電された電力を効率的に取出電極から取り出すことができる。
また、前記基体上に前記第１電極及び前記第２電極が形成され、前記基体、前記第１電極、及び前記第２電極上に前記強誘電体層が形成されていることが好ましい。これによれば、強誘電体層の下層部にドメイン構造が形成できる。
本発明の他の態様は、光電変換素子を用いたことを特徴とする太陽電池セルにある。
かかる態様では、ドメイン構造により光電変換する光電変換素子を具備するので、比較的簡便に且つ再現性よく且つ低コストでの太陽電池が実現できる。
また、別の態様は、強誘電体層と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられた第１電極と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられて前記第１電極との間に電圧を印加できる第２電極と、前記強誘電体層から電力を取り出す一対の取出電極とを具備し、前記第１電極と前記第２電極とが所定方向に亘って交互に配置されていることを特徴とする光電変換素子にある。
かかる態様では、第１電極と第２電極との間に電圧を印加すると、前記強誘電体層の電極間の領域に交互に異なる分極が生じ、電極に対向する領域である異なる分極を有する領域の間にウォール部が形成されてドメイン構造が形成され、これにより、光照射により取出電極間から電力を取り出すことができる。
ここで、前記第１電極及び前記第２電極が、櫛形電極又は渦型電極であることが好ましい。これによれば、高密度で効率的に第１電極及び第２電極を配置でき、効率的にドメイン構造を形成できる。
また、前記取出電極が前記第１電極及び前記第２電極が設けられた領域の外側に配置されていることが好ましい。これによれば、ドメイン構造で発電された電力を効率的に取出電極から取り出すことができる。
また、前記強誘電体層が基体上に形成されていることが好ましい。これによれば、強誘電体層を簡便且つ効率的に形成することができる。
また、前記第１電極及び前記第２電極と、前記基体との少なくとも一方が、前記強誘電体層よりも大きなバンドギャップを有することが好ましい。これによれば、強誘電体層に効率よく光を取り込むことができる。
また、前記基体上に前記第１電極及び前記第２電極が形成され、前記基体、前記第１電極、及び前記第２電極上に前記強誘電体層が形成されていることが好ましい。これによれば、強誘電体層の下層部にドメイン構造が形成できる。
本発明の他の態様は、光電変換素子を用いたことを特徴とする太陽電池セルある。
かかる態様では、ドメイン構造により光電変換する光電変換素子を具備するので、比較的簡便に且つ再現性よく且つ低コストでの太陽電池が実現できる。
かかる態様では、ドメイン構造により光電変換する光電変換素子を具備するので、比較的簡便に且つ再現性よく且つ低コストでの太陽電池が実現できる。
以下、本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る光電変換素子（太陽電池）の概略構成を示す図であり、図２はそのＡ−Ａ′線断面図である。
図１に示すように、光電変換素子１は、板状に形成された強誘電体層１０上に、一対の第１電極２１及び第２電極２２が相対向して設けられている。実施形態１の第１電極２１及び第２電極２２は、組み合った一対の櫛型電極であり、第１電極２１及び第２電極２２のそれぞれの櫛歯の歯の部分が一方向（櫛歯の歯の延びる方向とは直交方向）に所定間隔で交互に配置されるようになっている。第１電極２１及び第２電極２２の前記一方向の一端に電圧を印加するための端子部２１ａ及び２２ａが設けられている。また、第１電極２１及び第２電極２２の歯の部分が設けられた領域の前記一方向の両外側に取出電極３１及び３２が設けられている。
図１は、本発明の実施形態１に係る光電変換素子（太陽電池）の概略構成を示す図であり、図２はそのＡ−Ａ′線断面図である。
図１に示すように、光電変換素子１は、板状に形成された強誘電体層１０上に、一対の第１電極２１及び第２電極２２が相対向して設けられている。実施形態１の第１電極２１及び第２電極２２は、組み合った一対の櫛型電極であり、第１電極２１及び第２電極２２のそれぞれの櫛歯の歯の部分が一方向（櫛歯の歯の延びる方向とは直交方向）に所定間隔で交互に配置されるようになっている。第１電極２１及び第２電極２２の前記一方向の一端に電圧を印加するための端子部２１ａ及び２２ａが設けられている。また、第１電極２１及び第２電極２２の歯の部分が設けられた領域の前記一方向の両外側に取出電極３１及び３２が設けられている。
ここで、強誘電体層１０としては例えば、チタン酸鉛ＰｂＴｉＯ３、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸ナトリウム（ＮａＮｂＯ３）、タンタル酸ナトリウム（ＮａＴａＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ３）、チタン酸ビスマスナトリウム（（Ｂｉ１／２Ｎａ１／２）ＴｉＯ３）、チタン酸ビスマスカリウム（（Ｂｉ１／２Ｋ１／２）ＴｉＯ３）、鉄酸ビスマス（ＢｉＦｅＯ３）、タンタル酸ストロンチウムビスマス（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９）、ニオブ酸ストロンチウムビスマス（ＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９）、チタン酸ビスマス（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）、およびこれらのうち少なくとも一つを成分として有する固溶体が挙げられるが、強誘電性を有する材料であれば前記の材料に限定されるものでははく、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）や、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と三フッ化エチレン（ＴｒＦＥ）のコポリマー（Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ））等の、有機強誘電体材料を用いることもできる。強誘電体層１０の形成方法として、原料粉末あるいは原料溶液を所望の形状に成形して焼結する方法、単結晶あるいは多結晶基板を成長させて切り出す方法、等が例示されるが、塊状の強誘電体層１０が得られれば前述の方法に限定されない。また、強誘電体層１０の厚さは、後述するように表面近傍のみを分極させるため極薄くても構わないが、構造としての機械的強度を保つためある程度の厚さがあっても問題ない。また、強誘電体層１０の電極を配置する面の平坦性は、平坦であるほど好ましいが、電極が導電性を有する範囲であれば、多少の表面粗さを有するものであっても問題ない。また、強誘電体層は、好ましくは、所定方向に配向、例えば、（１００）面に配向しているものを用いるのが好ましい。
第１電極２１及び第２電極２２と、取出電極３１及び３２とを形成する材料としては、例えば、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレス鋼、等の金属元素、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）等の酸化錫系導電材料、酸化亜鉛系導電材料、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ３）、ニッケル酸ランタン（ＬａＮｉＯ３）、元素ドープチタン酸ストロンチウム、等の酸化物導電材料、導電性ポリマー、等が挙げられるが、導電性を有する材料であれば前記の材料に限定されるものではない。第１電極２１及び第２電極２２並びに取出電極３１及び３２の形成方法として、ＣＶＤ法等の気相法、塗布法等の液相法、スパッタ法等の固相法、印刷法、等が例示されるが、この限りではない。第１電極２１及び第２電極２２並びに取出電極３１及び３２の厚さは導電性を有することができる範囲であれば限定されない。第１電極２１及び第２電極２２と、取出電極３１及び３２とは同じ材料で形成してもよいが、異なる材料としてもよいことは言うまでもない。
本実施形態による光電変換素子１は、最初に強誘電体層１０の分極処理を行う。図２には強誘電体層１０の分極処理の模式図を示す。
第１電極２１及び第２電極２２の間に、櫛歯の歯の間隔および強誘電体材料の抗電界から求められる抗電圧以上の電圧を印加することで、分極処理を行う。これにより、図２に矢印で示したように、第１電極２１及び第２電極２２の歯の間の領域に交互異なる分極方向になるように分極が行われる。この分極は強誘電体層１０の表層部に形成され、表面に平行な分極方向となる。また、分極方向は、第１電極２１及び第２電極２２の歯が交互に並ぶ並設方向（前記一方向）となる。また、第１電極２１及び第２電極２２の電極の下側には異なる分極の境界となるウォール部が形成される。
第１電極２１及び第２電極２２の間に、櫛歯の歯の間隔および強誘電体材料の抗電界から求められる抗電圧以上の電圧を印加することで、分極処理を行う。これにより、図２に矢印で示したように、第１電極２１及び第２電極２２の歯の間の領域に交互異なる分極方向になるように分極が行われる。この分極は強誘電体層１０の表層部に形成され、表面に平行な分極方向となる。また、分極方向は、第１電極２１及び第２電極２２の歯が交互に並ぶ並設方向（前記一方向）となる。また、第１電極２１及び第２電極２２の電極の下側には異なる分極の境界となるウォール部が形成される。
この分極処理を行うことにより、強誘電体層１０にはドメイン構造が確実に形成され、これにより、光電変換素子として機能することとなる。なお、分極処理は、最初に行っただけでもよいが、所定期間毎に行うようにしてもよい。
分極処理を容易に行なうためには第１電極２１及び第２電極２２の櫛歯の歯の間隔は狭い方がより好ましい。また、分極がされていない領域（ウォール部に対応する）が多く存在すると機能の一部が損なわれるため、第１電極２１及び第２電極２２の櫛歯の歯の部分の幅（電極幅）も狭い方がより好ましい。
このように分極処理された光電変換素子１は、光が照射されると電力が発生する。かかる発電のための光は、第１電極２１及び第２電極２２が、対象とする光、特に可視光を反射、あるいは吸収する材料の場合、強誘電体層１０の第１電極２１及び第２電極２２を配置していない面から照射させるのが好ましい。第１電極２１及び第２電極２２が、対象とする光を反射、吸収しない場合には、いずれの面から光を照射させても良い。
光を照射させることにより発生する電力は、取出電極３１及び３２より配線を通じて取り出され、外部の負荷に送ることができる。
光を照射させることにより発生する電力は、取出電極３１及び３２より配線を通じて取り出され、外部の負荷に送ることができる。
（実施形態２）
図３には、本実施形態の光電変換素子１Ａの概略構成を示す図であり、図４はそのＢ−Ｂ′線断面図である。
図３には、本実施形態の光電変換素子１Ａの概略構成を示す図であり、図４はそのＢ−Ｂ′線断面図である。
本実施形態では、強誘電体層１０Ａは、基体４０上に形成されている。
基体４０として、例えば、各種ガラス材料、石英やサファイア等の透明セラミック材料、ポリイミド等のポリマー材料、Ｓｉ等の半導体材料、その他ＳｉＣ等の各種化合物が挙げられるが、後述の制約を満たせば前記の材料に限定されるものではない。
基体４０として、例えば、各種ガラス材料、石英やサファイア等の透明セラミック材料、ポリイミド等のポリマー材料、Ｓｉ等の半導体材料、その他ＳｉＣ等の各種化合物が挙げられるが、後述の制約を満たせば前記の材料に限定されるものではない。
強誘電体層１０Ａ、第１電極２１Ａ及び第２電極２２Ａ並びに取出電極３１Ａ及び３２Ａについては実施形態１と同様な材料および条件を使うことができる。ここで、強誘電体層１０Ａの形成方法として、前述の塊状の強誘電体層を基体４０に貼り付ける方法以外に、ＣＶＤ法等の気相法、塗布法等の液相法、スパッタ法等の固相法、印刷法、等の薄膜形成方法も用いることができる。
本実施形態においては、第１電極２１Ａ及び第２電極２２Ａと、基体４０とが強誘電体層１０Ａの異なる面に配置されているので、これらの少なくとも一方が、強誘電体層１０Ａに用いられている強誘電体材料よりも大きなバンドギャップを有する材料であることが好ましい。このような材料を用いることにより、強誘電体層に効率よく光を取り込むことができる。例えば、強誘電体材料がＢｉＦｅＯ３（バンドギャップ＝２．６ｅＶ）であれば、もし基体４０がＳｉ（バンドギャップ＝１．１ｅＶ）であれば第１電極２１Ａ及び第２電極２２Ａの材料は酸化物導電材料（バンドギャップ＞３．２ｅＶ）が好ましいし、第１電極２１Ａ及び第２電極２２Ａの材料が金属（バンドギャップなし）であれば基体４０の材料はポリマー、ガラス、石英（バンドギャップ＞７．８ｅＶ）等の材料が好ましい。
本実施形態の光電変換素子１Ａの分極処理、及び発電については、上述した実施形態１と同様である。
本実施形態の光電変換素子１Ａの分極処理、及び発電については、上述した実施形態１と同様である。
（実施形態３）
図５には、本実施形態の光電変換素子１Ｂの概略構成を示す図であり、図６はそのＣ−Ｃ′線断面図である。
図５には、本実施形態の光電変換素子１Ｂの概略構成を示す図であり、図６はそのＣ−Ｃ′線断面図である。
本実施形態の光電変換素子１Ｂは、図５および図６に示すように、基体４０上に第１電極２１Ｂ及び第２電極２２Ｂを形成し、その上に強誘電体層１０Ｂを形成している。また、電力取り出し用の取出電極３１Ｂ及び３２Ｂは、強誘電体層１０Ｂの基体４０と接する面と反対側の面に配置されている。
取出電極３１Ｂ及び３２Ｂは、本実施形態のように強誘電体層１０Ｂの基体４０と接する面と反対側の面に設けてもよいが、第１電極２１Ｂ及び第２電極２２Ｂと同じ面に設けてもよい。また、第１電極２１Ｂ及び第２電極２２Ｂは、本実施形態のように、基体４０上に形成してもよいが、基体４０に埋め込んで形成してもよい。
その他の条件については実施形態２で前述した内容と同じであるが、分極処理を行う際に電圧を印加するため、第１電極２１Ｂ及び第２電極２２Ｂの端子部２１ａ及び２２ａは、強誘電体層１０Ｂから露出させて設けられている。
なお、本実施形態では、第１電極２１Ｂ及び第２電極２２Ｂと基体４０が強誘電体層１０Ｂの同じ面側にあるため、実施形態バンドギャップの制約がないことが挙げられる。
本実施形態の光電変換素子１Ｂの分極処理、及び発電については、上述した実施形態１、２と同様である。
本実施形態の光電変換素子１Ｂの分極処理、及び発電については、上述した実施形態１、２と同様である。
（実施形態４）
図７には、本実施形態の光電変換素子１Ｃの概略構成を示す図であり、図８はそのＤ−Ｄ′線断面図である。
図７には、本実施形態の光電変換素子１Ｃの概略構成を示す図であり、図８はそのＤ−Ｄ′線断面図である。
本実施形態の光電変換素子１Ｃは、図７および図８に示すように、櫛型電極の代わりに、渦型に形成された第１電極２１Ｃ及び第２電極２２Ｃを強誘電体層１０Ｃ上に有する以外は、実施形態１と同様である。また、電力取り出し用の取出電極３１Ｃ及び３２Ｃは、強誘電体層１０Ｃの一方向両端に設けられているが、これに交差する方向の両側に設けてもよく、両方に設けてもよい。
本実施形態の光電変換素子１Ｃの分極処理、及び発電については、上述した実施形態１〜３と同様である。なお、本実施形態の渦型電極の構造は、実施形態２、３の櫛型電極の代わりに設けてもよいことは言うまでもない。
＜実施例＞
ＩＴＯ櫛型電極を形成したガラス基板上にＢｉＦｅＯ３系強誘電体材料の薄膜を形成して、Ｐｔからなる電力取り出し用の取出電極を形成した光電変換素子を作製した。
ＩＴＯ櫛型電極を形成したガラス基板上にＢｉＦｅＯ３系強誘電体材料の薄膜を形成して、Ｐｔからなる電力取り出し用の取出電極を形成した光電変換素子を作製した。
まず、ガラス基板にレジストで櫛型電極のパターンを形成し、ＲＦスパッタ法によりＩＴＯ電極を形成した後にレジストを除去してＩＴＯ櫛型電極を形成した。この櫛型電極は、電極幅と電極間隔の組み合わせとして１２０μｍと５０μｍ、７０μｍと１００μｍ、の２種類の組み合わせにより形成されている。
ＢｉＦｅＯ３系強誘電体材料の薄膜はスピンコート法により形成した。配位子に２−エチルヘキサン酸を、溶媒にｎ−オクタンを使用したＢｉ、Ｌａ、Ｆｅ、及びＭｎの各種溶液を、８０：２０：９５：５の物質量比で混合することで、溶液を合成した。次に、合成した溶液を、ＩＴＯ櫛型電極のパターンを形成したガラス基板上にスピンコート法にて２，０００ｒｐｍで塗布し、１５０℃で２分間加熱した後に３５０℃で２分間加熱した。この工程を３回繰り返した後に、ＲＴＡを使用し６５０℃で５分間加熱した。以上の工程を３回繰り返すことで、計９層、膜厚６５０ｎｍのＢｉＦｅＯ３系薄膜を作製した。
次に、このＢｉＦｅＯ３系薄膜にスパッタリング法でＰｔ膜を１００ｎｍ作製することで、実施例に係る光電変換素子を作製した。
作製した素子に対して７００Ｖ、２５Ｈｚの三角波で分極処理を行なった。図９に分極処理結果を示す。電極間隔が複数ある櫛型電極パターンのために段差のあるヒステリシス曲線が描かれているが、分極処理されていることが確認された。
作製した素子に対して７００Ｖ、２５Ｈｚの三角波で分極処理を行なった。図９に分極処理結果を示す。電極間隔が複数ある櫛型電極パターンのために段差のあるヒステリシス曲線が描かれているが、分極処理されていることが確認された。
１、１Ａ〜１Ｃ 光電変換素子、 １０、１０Ａ〜１０Ｃ 強誘電体層、 ２１、２１Ａ〜２１Ｃ 第１電極、 ２２、２２Ａ〜２２Ｃ 第２電極、 ３１、３１Ａ〜３１Ｃ、３２、３２Ａ〜３２Ｃ 取出電極、 ４０ 基体
Claims (5)
- 基体上に形成された強誘電体層と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられた第１電極と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられて前記第１電極との間に電圧を印加できる第２電極と、前記強誘電体層から電力を取り出す一対の取出電極とを具備し、
前記第１電極と前記第２電極とが所定方向に亘って交互に配置されており、
前記第１電極及び前記第２電極と、前記基体との少なくとも一方が、前記強誘電体層よりも大きなバンドギャップを有する
ことを特徴とする光電変換素子。 - 前記第１電極及び前記第２電極が、櫛形電極又は渦型電極であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子。
- 前記取出電極が、前記第１電極及び前記第２電極が設けられた領域の外側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換素子。
- 前記基体上に前記第１電極及び前記第２電極が形成され、前記基体、前記第１電極、及び前記第２電極上に前記強誘電体層が形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の光電変換素子。
- 請求項１〜４の何れか一項に記載の光電変換素子を用いたことを特徴とする太陽電池セル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013067942A JP6146559B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | 光電変換素子及び太陽電池セル |
| US14/221,864 US20140290725A1 (en) | 2013-03-28 | 2014-03-21 | Photoelectric conversion element and photovoltaic cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013067942A JP6146559B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | 光電変換素子及び太陽電池セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014192413A JP2014192413A (ja) | 2014-10-06 |
| JP6146559B2 true JP6146559B2 (ja) | 2017-06-14 |
Family
ID=51619617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013067942A Expired - Fee Related JP6146559B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | 光電変換素子及び太陽電池セル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140290725A1 (ja) |
| JP (1) | JP6146559B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851928B (zh) * | 2015-05-28 | 2017-08-25 | 重庆科技学院 | 一种太阳能电池结构 |
| CN105702753B (zh) * | 2016-01-21 | 2017-08-25 | 重庆科技学院 | 一种具有体光伏效应的铁电薄膜器件 |
| CN108400249B (zh) * | 2018-03-07 | 2020-09-22 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 基于镍酸镧空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619692A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置 |
| JPH0555616A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Mitsubishi Materials Corp | 光エネルギを電気エネルギに変換してこれを貯蔵する装置 |
| EP0532969B1 (en) * | 1991-09-18 | 1997-12-17 | Fujitsu Limited | Process for fabricating an optical device for generating a second harmonic optical beam |
| JP2006019649A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドセンサ及びその製造方法 |
| US7851697B2 (en) * | 2005-03-22 | 2010-12-14 | Agency For Science, Technology And Research | Thin film photovoltaic device |
| JP2006286825A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光電変換装置 |
| JP2010526450A (ja) * | 2007-05-03 | 2010-07-29 | エイジェンシー フォー サイエンス， テクノロジー アンド リサーチ | 紫外検出器及び線量計 |
-
2013
- 2013-03-28 JP JP2013067942A patent/JP6146559B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-21 US US14/221,864 patent/US20140290725A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140290725A1 (en) | 2014-10-02 |
| JP2014192413A (ja) | 2014-10-06 |
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