JP2014192413A - 光電変換素子及び太陽電池セル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】強誘電体層10と、強誘電体層10の表面又は表層部に設けられた第1電極21と、強誘電体層10の表面又は表層部に設けられて第1電極21との間に電圧を印加できる第2電極22と、強誘電体層10から電力を取り出す一対の取出電極31、32とを具備し、第1電極21と第2電極22とが所定方向に亘って交互に配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、新規な光電変換素子及び太陽電池セルを提供することを目的とする。
かかる態様では、第1電極と第2電極との間に電圧を印加すると、前記強誘電体層の電極間の領域に交互に異なる分極が生じ、電極に対向する領域である異なる分極を有する領域の間にウォール部が形成されてドメイン構造が形成され、これにより、光照射により取出電極間から電力を取り出すことができる。
かかる態様では、ドメイン構造により光電変換する光電変換素子を具備するので、比較的簡便に且つ再現性よく且つ低コストでの太陽電池が実現できる。
図1は、本発明の実施形態1に係る光電変換素子(太陽電池)の概略構成を示す図であり、図2はそのA−A′線断面図である。
図1に示すように、光電変換素子1は、板状に形成された強誘電体層10上に、一対の第1電極21及び第2電極22が相対向して設けられている。実施形態1の第1電極21及び第2電極22は、組み合った一対の櫛型電極であり、第1電極21及び第2電極22のそれぞれの櫛歯の歯の部分が一方向(櫛歯の歯の延びる方向とは直交方向)に所定間隔で交互に配置されるようになっている。第1電極21及び第2電極22の前記一方向の一端に電圧を印加するための端子部21a及び22aが設けられている。また、第1電極21及び第2電極22の歯の部分が設けられた領域の前記一方向の両外側に取出電極31及び32が設けられている。
第1電極21及び第2電極22の間に、櫛歯の歯の間隔および強誘電体材料の抗電界から求められる抗電圧以上の電圧を印加することで、分極処理を行う。これにより、図2に矢印で示したように、第1電極21及び第2電極22の歯の間の領域に交互異なる分極方向になるように分極が行われる。この分極は強誘電体層10の表層部に形成され、表面に平行な分極方向となる。また、分極方向は、第1電極21及び第2電極22の歯が交互に並ぶ並設方向(前記一方向)となる。また、第1電極21及び第2電極22の電極の下側には異なる分極の境界となるウォール部が形成される。
光を照射させることにより発生する電力は、取出電極31及び32より配線を通じて取り出され、外部の負荷に送ることができる。
図3には、本実施形態の光電変換素子1Aの概略構成を示す図であり、図4はそのB−B′線断面図である。
基体40として、例えば、各種ガラス材料、石英やサファイア等の透明セラミック材料、ポリイミド等のポリマー材料、Si等の半導体材料、その他SiC等の各種化合物が挙げられるが、後述の制約を満たせば前記の材料に限定されるものではない。
本実施形態の光電変換素子1Aの分極処理、及び発電については、上述した実施形態1と同様である。
図5には、本実施形態の光電変換素子1Bの概略構成を示す図であり、図6はそのC−C′線断面図である。
本実施形態の光電変換素子1Bの分極処理、及び発電については、上述した実施形態1、2と同様である。
図7には、本実施形態の光電変換素子1Cの概略構成を示す図であり、図8はそのD−D′線断面図である。
ITO櫛型電極を形成したガラス基板上にBiFeO3系強誘電体材料の薄膜を形成して、Ptからなる電力取り出し用の取出電極を形成した光電変換素子を作製した。
作製した素子に対して700V、25Hzの三角波で分極処理を行なった。図9に分極処理結果を示す。電極間隔が複数ある櫛型電極パターンのために段差のあるヒステリシス曲線が描かれているが、分極処理されていることが確認された。
Claims (7)
- 強誘電体層と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられた第1電極と、前記強誘電体層の表面又は表層部に設けられて前記第1電極との間に電圧を印加できる第2電極と、前記強誘電体層から電力を取り出す一対の取出電極とを具備し、
前記第1電極と前記第2電極とが所定方向に亘って交互に配置されていることを特徴とする光電変換素子。 - 前記第1電極及び前記第2電極が、櫛形電極又は渦型電極であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記取出電極が、前記第1電極及び前記第2電極が設けられた領域の外側に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換素子。
- 前記強誘電体層が、基体上に形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の光電変換素子。
- 前記第1電極及び前記第2電極と、前記基体との少なくとも一方が、前記強誘電体層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする請求項4に記載の光電変換素子。
- 前記基体上に前記第1電極及び前記第2電極が形成され、前記基体、前記第1電極、及び前記第2電極上に前記強誘電体層が形成されていることを特徴とする請求項4又は請求項5の何れか一項に記載の光電変換素子。
- 請求項1〜6の何れか一項に記載の光電変換素子を用いたことを特徴とする太陽電池セル。
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CN104851928B (zh) * | 2015-05-28 | 2017-08-25 | 重庆科技学院 | 一种太阳能电池结构 |
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CN108400249B (zh) * | 2018-03-07 | 2020-09-22 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 基于镍酸镧空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS619692A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置 |
JPH0555616A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Mitsubishi Materials Corp | 光エネルギを電気エネルギに変換してこれを貯蔵する装置 |
JP2006019649A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドセンサ及びその製造方法 |
US20060213549A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Kui Yao | Thin film photovoltaic device |
JP2006286825A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光電変換装置 |
JP2010526450A (ja) * | 2007-05-03 | 2010-07-29 | エイジェンシー フォー サイエンス, テクノロジー アンド リサーチ | 紫外検出器及び線量計 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69223569T2 (de) * | 1991-09-18 | 1998-04-16 | Fujitsu Ltd | Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung für die Erzeugung eines frequenzverdoppelten optischen Strahls |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS619692A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置 |
JPH0555616A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Mitsubishi Materials Corp | 光エネルギを電気エネルギに変換してこれを貯蔵する装置 |
JP2006019649A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドセンサ及びその製造方法 |
US20060213549A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Kui Yao | Thin film photovoltaic device |
JP2006286825A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光電変換装置 |
JP2010526450A (ja) * | 2007-05-03 | 2010-07-29 | エイジェンシー フォー サイエンス, テクノロジー アンド リサーチ | 紫外検出器及び線量計 |
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