JP6138659B2 - 回路基板検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板に実装されている電子部品と回路基板の導体パターンとの接続状態の良否検査を実行可能に構成された回路基板検査装置に関するものである。

この種の回路基板検査装置として、下記特許文献１において出願人が開示した回路基板検査装置が知られている。この回路基板検査装置は、回路基板に実装されている電子部品（集積回路）上の予め規定された位置（電子部品の裏面に形成されている導体パターンとの接続用のパッドの形成位置）の上方に磁界センサを位置させた状態において、磁界センサによって検出された磁界強度に基づいて電子部品と回路基板の導体パターンとの接続状態の良否を検査可能に構成されている。

特開２００６−３４３１０３号公報（第３−４頁、第１−２図）

ところが、従来の回路基板検査装置には、改善すべき以下の問題点がある。すなわち、この回路基板検査装置では、接続状態の良否検査を行う際に、電子部品上の予め規定された位置（規定位置）に磁界センサを位置させて磁界強度を検出させる必要がある。この場合、電子部品上の位置によって磁界強度が異なるため、正確な良否検査を行うためには、磁界強度が最も大きく検出される位置を規定位置として規定するのが好ましい。しかしながら、従来の回路基板検査装置には、このような規定位置を規定する機能が備えられていないため、電子部品におけるパッドの位置やパッドが接続されている導体パターンの位置等を電子部品や回路基板の設計図等に基づいて規定する作業を手作業で行い、その規定位置を回路基板検査装置に入力している。このように、従来の回路基板検査装置には、規定位置を規定する機能を備えていないことに起因して、検査効率の向上が困難であるという課題が存在し、その改善が望まれている。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、回路基板に実装されている電子部品と導体パターンとの接続状態の良否検査の検査効率を向上し得る回路基板検査装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板検査装置は、電子部品が実装された回路基板における導体パターン上の検査ポイントに検査用信号を供給しているときに発生する磁界の磁界強度を検出する磁界検出部と、前記電子部品上の予め規定された規定位置に前記磁界検出部が対向している状態で当該磁界検出部によって検出された前記磁界強度に基づいて前記電子部品と前記導体パターンとの接続状態の良否検査を実行する検査部とを備えた回路基板検査装置であって、前記磁界検出部を移動させる移動機構と、前記移動機構による前記磁界検出部の移動を制御すると共に、前記磁界検出部によって検出された前記磁界強度に基づいて前記良否検査において用いる前記規定位置を予め規定する規定処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記規定処理において、前記電子部品の表面を複数に分割した各分割区画に対向する各対向位置に前記磁界検出部を順次移動させて当該対向位置毎の前記磁界強度を特定する磁界強度特定処理を実行し、当該特定した磁界強度が予め規定された規定条件を満たすと判定した前記分割区画を前記規定位置として規定する。

また、請求項２記載の回路基板検査装置は、請求項１記載の回路基板検査装置において、前記処理部は、前記規定処理において、前記各分割区画の中から基準区画として設定した１つの分割区画の前記対向位置において前記磁界強度特定処理を実行すると共に、前記基準区画に隣接するいずれか１つの前記分割区画を比較区画として選択して当該比較区画の前記対向位置において前記磁界強度特定処理を実行して、前記比較区画の対向位置における前記磁界強度としての比較磁界強度と前記基準区画の対向位置における前記磁界強度としての基準磁界強度とを比較する比較処理を実行し、前記比較処理において前記比較磁界強度が前記基準磁界強度以下と判定したときには、前記基準区画に隣接する他の１つの前記分割区画を新たな前記比較区画として選択して前記比較処理を実行し、前記比較処理において前記比較磁界強度が前記基準磁界強度よりも大きいと判定したときには、前記比較区画を新たな前記基準区画として設定して前記比較処理を実行し、前記比較処理において前記基準区画に隣接する全ての前記分割区画を前記比較区画として選択して実行した前記各比較処理の全てにおいて前記比較磁界強度が前記基準磁界強度以下と判定したときには、当該基準区画を前記規定条件を満たす前記分割区画と判定する。

また、請求項３記載の回路基板検査装置は、請求項１記載の回路基板検査装置において、前記処理部は、前記規定処理において、前記各分割区画の前記対向位置の全てにおいて前記磁界強度特定処理を実行し、特定した各磁界強度の中で磁界強度が最も高いと判定した前記対向位置に対応する前記分割区画を前記規定条件を満たす前記分割区画と判定する。

請求項１記載の回路基板検査装置では、処理部が、規定処理において、電子部品の表面を複数に分割した各分割区画に対向する各対向位置に磁界検出部を順次移動させて対向位置毎の磁界強度を特定する磁界強度特定処理を実行し、特定した磁界強度が予め規定された規定条件を満たすと判定した分割区画を検査の際に磁界検出部を位置させる規定位置として規定する。このため、この回路基板検査装置によれば、正確な良否検査を行うために好ましい規定位置として、磁界強度が大きく検出される規定位置を自動的に規定させることができる。したがって、この回路基板検査装置によれば、規定位置を電子部品や回路基板の設計図等に基板の設計データ等に基づいて規定する作業を省略することができる結果、回路基板に実装されている電子部品と導体パターンとの接続状態の良否検査の検査効率を十分に向上させることができる。

また、請求項２記載の回路基板検査装置では、処理部が、規定処理において、基準区画に隣接する比較区画の対向位置における比較磁界強度と基準区画の対向位置における基準磁界強度とを比較する比較処理を実行し、比較処理において比較磁界強度が基準磁界強度以下と判定したときには、他の比較区画を選択して比較処理を実行し、比較処理において比較磁界強度が基準磁界強度よりも大きいと判定したときには、その比較区画を新たな基準区画として設定して比較処理を実行し、比較処理において基準区画に隣接する各分割区画を比較区画として選択して実行した比較処理の全てにおいて比較磁界強度が基準磁界強度以下と判定したときには、その基準区画を規定条件を満たす分割区画と判定する。このような処理を処理部が実行することで、全ての分割区画について磁界強度特定処理を実行することなく磁界強度が大きい分割区画を特定することができる。このため、この回路基板検査装置によれば、例えば、全ての分割区画について磁界強度特定処理を実行して磁界強度が最も大きい分割区画を特定する構成と比較して、少ない回数の磁界強度特定処理によって磁界強度が大きい分割区画を特定することができる結果、電子部品と導体パターンとの接続状態の良否検査の検査効率をさらに向上させることができる。

また、請求項３記載の回路基板検査装置では、処理部が、規定処理において、各分割区画の対向位置の全てにおいて磁界強度特定処理を実行し、特定した各磁界強度の中で磁界強度が最も高いと判定した対向位置に対応する分割区画を規定条件を満たす分割区画と判定する。このため、この回路基板検査装置によれば、例えば、電子部品の表面における磁界強度が大きい分割区画が複数存在する場合において、それらの中から磁界強度が最も大きい分割区画を確実に特定することができる。

回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。 回路基板１００の構成を示す構成図である。 規定処理の手順を説明する第１の説明図である。 規定処理の手順を説明する第２の説明図である。 規定処理の手順を説明する第３の説明図である。 規定処理の手順を説明する第４の説明図である。 規定処理の手順を説明する第５の説明図である。

以下、回路基板検査装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。

最初に、回路基板検査装置の一例としての図１に示す回路基板検査装置１の構成について説明する。この回路基板検査装置１は、例えば図２に示す回路基板１００に実装されている電子部品１０３と回路基板１００の導体パターン１０２との接続状態の良否検査を実行可能に構成されている。

なお、回路基板１００は、一例として、図２に示すように、基板１０１と、基板１０１の表面に形成された導体パターン１０２と、基板１０１上に実装された電子部品１０３とを備えて構成されている。

一方、回路基板検査装置１は、図１に示すように、信号出力部２、プロービング機構３、磁界検出部４、移動機構５、記憶部６および処理部７を備えて構成されている。

信号出力部２は、処理部７の制御に従って検査用信号Ｓａを出力する。プロービング機構３は、導体パターン１０２上に規定されている図外の検査ポイント（プロービングポイント）に対して、信号出力部２に接続されているプローブ２１をプロービング（接触）させるプロービング処理を処理部７の制御に従って実行する。

磁界検出部４は、一例として、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）を備えて構成されて、回路基板１００の導体パターン１０２上の検査ポイントに対して検査用信号Ｓａが供給されているときに発生する磁界の磁界強度Ｍを検出して、検出信号Ｓｓを出力する。この場合、この回路基板検査装置１では、感磁方向（ＭＲ素子が磁界を最もよく検出する配置方向）が互いに９０°だけ異なるように配置された２つのＭＲ素子を備えて磁界検出部４が構成されている。

移動機構５は、処理部７の制御に従い、回路基板１００の上方において磁界検出部４を移動させる。記憶部６は、回路基板１００を構成する基板１０１や導体パターン１０２の形状および電子部品１０３の配置位置を特定可能な基板データＤｂ、並びに電子部品１０３の形状を特定可能な電子部品データＤｅを記憶する。また、記憶部６は、処理部７によって生成される後述する規定位置データＤｒおよび規定磁界強度データＤｍを記憶する。

処理部７は、信号出力部２による検査用信号Ｓａの出力を制御する。また、処理部７は、プロービング機構３によるプロービング処理を制御する。また、処理部７は、移動機構５による磁界検出部４の移動を制御する。また、処理部７は、検査部として機能し、電子部品１０３上の規定位置Ｐｒ（図６参照）に磁界検出部４が対向している状態で磁界検出部４によって検出された磁界の磁界強度Ｍ（磁界検出部４から出力される検出信号Ｓｓ）に基づいて電子部品１０３と導体パターン１０２との接続状態の良否検査を実行する。

さらに、処理部７は、良否検査において用いる上記した規定位置Ｐｒを、磁界検出部４によって検出された磁界強度Ｍに基づいて予め（検査対象の回路基板１００に対する検査に先立って）規定する規定処理を実行する。

次に、回路基板検査装置１を用いて回路基板１００の電子部品１０３と導体パターン１０２との接続状態の良否検査を実行する方法、およびその際の回路基板検査装置１を構成する各部の動作について、図面を参照して説明する。

検査対象の回路基板１００に対する良否検査の実行に先立ち、回路基板検査装置１を用いて上記した規定位置Ｐｒ（良否検査を行う際に磁界検出部４を対向させる電子部品１０３上の位置）を規定する規定処理を実行させる。具体的には、まず、導体パターン１０２に断線や短絡がなく、かつ導体パターン１０２と電子部品１０３とが良好に接続されている回路基板１００（以下、「良品の回路基板１００」ともいう）を図外の基板保持部に保持させる。次いで、図外の操作部を操作して、規定処理の開始を指示する。これに応じて、処理部７が、規定処理を実行する。

この規定処理では、処理部７は、まず、記憶部６から基板データＤｂおよび電子部品データＤｅを読み出して、これらの各データＤｂ，Ｄｅに基づいて良品の回路基板１００の基板１０１上における電子部品１０３の位置、および電子部品１０３の形状（平面形状）を特定する。

続いて、処理部７は、図２に示すように、電子部品１０３の表面（電子部品１０３を平面視した状態における平面領域）を予め決められた長さを１辺とする正方形の複数の分割区画Ｂ１〜Ｂ３５（以下、区別しないときには「分割区画Ｂ」ともいう）に分割する。次いで、処理部７は、プロービング機構３を制御して、良品の回路基板１００の導体パターン１０２上に規定されている図外の検査ポイントに対してプローブ２１をプロービングさせる。続いて、処理部７は、信号出力部２を制御して、検査用信号Ｓａを出力させる。これにより、導体パターン１０２の検査ポイントにプローブ２１を介して検査用信号Ｓａが供給される。また、検査用信号Ｓａの供給に伴い、導体パターン１０２や、導体パターン１０２に接続されている電子部品１０３の接続端子等に磁界が発生する。

次いで、処理部７は、移動機構５を制御して、各分割区画Ｂに対向する各対向位置（基準区画Ｂｓの上方の位置）に磁界検出部４を順次移動させて、対向位置毎の磁界強度Ｍを磁界検出部４から出力される検出信号Ｓｓに基づいて特定する磁界強度特定処理を実行し、特定した磁界強度Ｍが予め規定された規定条件を満たすと判定した分割区画Ｂを規定位置Ｐｒとして規定する。

具体的には、処理部７は、各分割区画Ｂの中の１つの分割区画Ｂ（例えば、図３に示す分割区画Ｂ１３）を基準区画Ｂｓとして設定する。続いて、処理部７は、この基準区画Ｂｓとしての分割区画Ｂ１３に対向する対向位置において磁界強度特定処理（対向位置に磁界検出部４を移動させて、磁界検出部４から出力される検出信号Ｓｓに基づいて対向位置の磁界強度Ｍを特定する処理）を実行する。この場合、基準区画Ｂｓの対向位置において磁界強度特定処理によって特定した磁界強度Ｍを、以下「基準磁界強度Ｍｓ」ともいう。

次いで、処理部７は、基準区画Ｂｓに隣接する（基準区画Ｂｓを取り囲む）各分割区画Ｂ（図３に示す分割区画Ｂ１〜Ｂ３，Ｂ１２，Ｂ１４，Ｂ１５〜Ｂ１７）のうちのいずれか１つの分割区画Ｂ（例えば、同図に示す分割区画Ｂ１４）を比較区画Ｂｃとして選択して、比較区画Ｂｃとしての分割区画Ｂ１４の対向位置において磁界強度特定処理を実行する。この場合、比較区画Ｂｃの対向位置において磁界強度特定処理によって特定した磁界強度Ｍを、以下「比較磁界強度Ｍｃ」ともいう。続いて、処理部７は、比較磁界強度Ｍｃと基準磁界強度Ｍｓとを比較する比較処理を実行する。

処理部７は、上記の比較処理において、比較磁界強度Ｍｃが基準磁界強度Ｍｓ以下と判定したときには、基準区画Ｂｓに隣接する分割区画Ｂ１〜Ｂ３，Ｂ１２，Ｂ１４，Ｂ１５〜Ｂ１７のうちの他の１つの分割区画Ｂ（分割区画Ｂ１４以外の分割区画Ｂであって、例えば分割区画Ｂ１７）を新たな比較区画Ｂｃとして選択して比較処理（２回目の比較処理）を実行して、新たな比較区画Ｂｃについての比較磁界強度Ｍｃと基準磁界強度Ｍｓとを比較する。

この場合、処理部７は、２回目の比較処理において、比較磁界強度Ｍｃが基準磁界強度Ｍｓ以下と判定したときには、分割区画Ｂ１〜Ｂ３，Ｂ１２，Ｂ１４，Ｂ１５〜Ｂ１７のうちのさらに他の１つの分割区画Ｂを新たな比較区画Ｂｃとして選択して比較処理（３回目の比較処理）を実行する。つまり、処理部７は、比較処理において比較磁界強度Ｍｃが基準磁界強度Ｍｓ以下と判定する限り、比較区画Ｂｃとする分割区画Ｂを変更して比較処理を繰り返して実行する。

一方、処理部７は、比較処理において、例えば、比較区画Ｂｃとしての分割区画Ｂ１７（図４参照）についての比較磁界強度Ｍｃが基準磁界強度Ｍｓよりも大きいと判定したときには、同図に示すように、その分割区画Ｂ１７を新たな基準区画Ｂｓとして設定して比較処理を実行する。また、この比較処理では、上記したように新たな基準区画Ｂｓに隣接する各分割区画Ｂ（同図に示す分割区画Ｂ１１〜Ｂ１３，Ｂ１６，Ｂ１８，Ｂ２５〜Ｂ２７）のうちのいずれか１つの分割区画Ｂを比較区画Ｂｃとして選択して磁界強度特定処理を実行し、この比較区画Ｂｃについての比較磁界強度Ｍｃと基準区画Ｂｓについての基準磁界強度Ｍｓとを比較する比較処理を実行する。以下、処理部７は、このような比較処理を繰り返して実行する。

次いで、処理部７は、比較処理において、例えば、比較区画Ｂｃとしての分割区画Ｂ１８（図４参照）についての比較磁界強度Ｍｃが基準区画Ｂｓとしての分割区画Ｂ１７についての基準磁界強度Ｍｓよりも大きいと判定したときには、図５に示すように、分割区画Ｂ１８を新たな基準区画Ｂｓとして設定して、基準区画Ｂｓに隣接する分割区画Ｂ１０〜Ｂ１２，Ｂ１７，Ｂ１９，Ｂ２４〜Ｂ２６のうちのいずれか１つの分割区画Ｂを比較区画Ｂｃとして選択して比較処理を実行する。

続いて、処理部７は、分割区画Ｂ１０〜Ｂ１２，Ｂ１７，Ｂ１９，Ｂ２４〜Ｂ２６を１つずつ比較区画Ｂｃとして選択して実行した比較処理の全て（８回の比較処理の全て）において比較磁界強度Ｍｃが基準磁界強度Ｍｓ以下と判定したときには、そのときの基準区画Ｂｓとしての分割区画Ｂ１８（以下、この基準区画Ｂｓを「最後の基準区画Ｂｓ」ともいう）を規定条件を満たす分割区画Ｂと判定する。この場合、上記のようにして比較処理を繰り返すことによって最後の基準区画Ｂｓとなった分割区画Ｂ１８についての磁界強度Ｍは、それまでに基準区画Ｂｓとして設定し、または比較区画Ｂｃとして選択した全ての分割区画Ｂについての各磁界強度Ｍの中で最大の値であるということができる。つまり、上記のようにして比較処理を繰り返すことで、磁界強度Ｍが十分に大きい分割区画Ｂ１８を特定できることが理解される。

次いで、処理部７は、図６に示すように、規定条件を満たす分割区画Ｂと判定した基準区画Ｂｓとしての分割区画Ｂ１８（具体的には、分割区画Ｂ１８の中心部）を規定位置Ｐｒとして規定し、その規定位置Ｐｒを示す規定位置データＤｒを生成して記憶部６に記憶させる。また、処理部７は、規定位置Ｐｒについての磁界強度Ｍ（つまり、分割区画Ｂ１８についての磁界強度Ｍであって、以下、「規定磁界強度Ｍｒ」ともいう）を示す規定磁界強度データＤｍを生成して記憶部６に記憶させる。

続いて、処理部７は、移動機構５を制御して磁界検出部４を初期位置に移動させる。また、処理部７は、信号出力部２を制御して検査用信号Ｓａの出力を停止させると共に、プロービング機構３を制御してプローブ２１を初期位置に移動させる。

次いで、処理部７は、導体パターン１０２上に他の検査ポイントが規定されているときには、プロービング機構３を制御して、その検査ポイントに対してプローブ２１をプロービングさせると共に、信号出力部２を制御して、検査用信号Ｓａを出力させる。続いて、処理部７は、上記した規定処理を実行して規定位置Ｐｒを規定し、規定位置データＤｒおよび規定磁界強度データＤｍを生成して記憶部６に記憶させる。以下、処理部７は、検査ポイント毎に同様の処理を実行して規定位置Ｐｒを規定し、規定位置データＤｒおよび規定磁界強度データＤｍを生成して記憶部６に記憶させる。以上により、規定処理が終了する。

次に、検査対象の回路基板１００における電子部品１０３と導体パターン１０２との接続状態の良否検査を実行させる。具体的には、検査対象の回路基板１００を図外の基板保持部に保持させ、次いで、図外の操作部を操作して、良否検査の開始を指示する。これに応じて、処理部７が、良否検査を実行する。

この良否検査では、処理部７は、プロービング機構３を制御して、導体パターン１０２上に規定されている検査ポイントに対してプローブ２１をプロービングさせ、続いて、信号出力部２を制御して、検査用信号Ｓａを出力させる。これにより、導体パターン１０２の検査ポイントにプローブ２１を介して検査用信号Ｓａが供給され、検査用信号Ｓａの供給に伴って導体パターン１０２や電子部品１０３の接続端子等に磁界が発生する。

次いで、処理部７は、記憶部６から規定位置データＤｒおよび規定磁界強度データＤｍを読み出す。続いて、処理部７は、移動機構５を制御して、規定位置データＤｒによって特定される規定位置Ｐｒの対向位置に磁界検出部４を移動させる。この際に、磁界検出部４が磁界強度Ｍを検出して検出信号Ｓｓを出力する。次いで、処理部７は、規定位置Ｐｒについての磁界強度Ｍを磁界検出部４から出力される検出信号Ｓｓに基づいて特定する。続いて、処理部７は、特定した磁界強度Ｍと規定磁界強度データＤｍによって示される良品の回路基板１００における規定位置Ｐｒについての規定磁界強度Ｍｒとを比較する。

ここで、この回路基板１００の接続端子と導体パターン１０２との接続状態が不良で検査用信号Ｓａが流れない箇所が存在するときには、良品の回路基板１００に対して検査用信号Ｓａを供給したときと比較して磁界強度Ｍが小さくなったり、大きくなったりする。このため、処理部７は、特定した検査対象の回路基板１００における規定位置Ｐｒについての磁界強度Ｍが規定磁界強度Ｍｒを中心値とした範囲基準範囲外のときには、検査対象の回路基板１００に実装されている電子部品１０３と導体パターン１０２との接続状態が不良であると判定する。次いで、処理部７は、判定結果（検査結果）を図外の表示部に表示させる。

続いて、処理部７は、移動機構５を制御して磁界検出部４を初期位置に移動させる。また、処理部７は、信号出力部２を制御して検査用信号Ｓａの出力を停止させると共に、プロービング機構３を制御してプローブ２１を初期位置に移動させる。

次いで、処理部７は、導体パターン１０２上に他の検査ポイントが規定されているときには、プロービング機構３を制御して、その検査ポイントに対してプローブ２１をプロービングさせると共に、信号出力部２を制御して、検査用信号Ｓａを出力させる。続いて、処理部７は、上記した良否検査を実行する

このように、この回路基板検査装置１では、処理部７が、規定処理において、電子部品１０３の表面を複数に分割した各分割区画Ｂに対向する各対向位置に磁界検出部４を順次移動させて対向位置毎の磁界強度Ｍを特定する磁界強度特定処理を実行し、特定した磁界強度Ｍが予め規定された規定条件を満たすと判定した分割区画Ｂを検査の際に磁界検出部４を位置させる規定位置Ｐｒとして規定する。このため、この回路基板検査装置１によれば、正確な良否検査を行うために好ましい規定位置Ｐｒとして、磁界強度Ｍが大きく検出される規定位置Ｐｒを自動的に規定させることができる。したがって、この回路基板検査装置１によれば、規定位置Ｐｒを電子部品や回路基板の設計図等に基板の設計データ等に基づいて規定する作業を省略することができる結果、回路基板１００に実装されている電子部品１０３と導体パターン１０２との接続状態の良否検査の検査効率を十分に向上させることができる。

また、この回路基板検査装置１では、処理部７が、規定処理において、基準区画Ｂｓに隣接する比較区画Ｂｃの対向位置における比較磁界強度Ｍｃと基準区画Ｂｓの対向位置における基準磁界強度Ｍｓとを比較する比較処理を実行し、比較処理において比較磁界強度Ｍｃが基準磁界強度Ｍｓ以下と判定したときには、他の比較区画Ｂｃを選択して比較処理を実行し、比較処理において比較磁界強度Ｍｃが基準磁界強度Ｍｓよりも大きいと判定したときには、その比較区画Ｂｃを新たな基準区画Ｂｓとして設定して比較処理を実行し、比較処理において基準区画Ｂｓに隣接する各分割区画Ｂを比較区画Ｂｃとして選択して実行した比較処理の全てにおいて比較磁界強度Ｍｃが基準磁界強度Ｍｓ以下と判定したときには、その基準区画Ｂｓを規定条件を満たす分割区画Ｂと判定する。このような処理を処理部７が実行することで、全ての分割区画Ｂについて磁界強度特定処理を実行することなく磁界強度Ｍが大きい分割区画Ｂを特定することができる。このため、例えば、全ての分割区画Ｂについて磁界強度特定処理を実行して磁界強度Ｍが最も大きい分割区画Ｂを特定する構成と比較して、少ない回数の磁界強度特定処理によって磁界強度Ｍが大きい分割区画Ｂを特定することができる結果、電子部品１０３と導体パターン１０２との接続状態の良否検査の検査効率をさらに向上させることができる。

なお、回路基板検査装置は、上記した構成に限定されない。例えば、処理部７が、規定処理において、各分割区画Ｂの全てについて磁界強度特定処理を実行し、特定した各磁界強度Ｍの中で磁界強度Ｍが最も高いと判定した分割区画Ｂを規定条件を満たす分割区画Ｂと判定する構成を採用することもできる。この構成によれば、例えば、電子部品１０３の表面における磁界強度Ｍが大きい分割区画Ｂが複数存在する場合において、それらの中から磁界強度Ｍが最も大きい分割区画Ｂを確実に特定することができる。この場合、図７に示すように、上記の回路基板１００の端部に位置する分割区画Ｂの対向位置を始点として隣接する分割区画Ｂの対向位置に磁界検出部４を順次移動させて磁界強度特定処理を実行することで、規定処理を効率的に行うことができる。

また、各分割区画Ｂに対向する各対向位置に磁界検出部４を順次移動させて磁界強度特定処理を実行する過程において、磁界強度Ｍが予め決められた値以上のときに、その分割区画Ｂを規定条件を満たす分割区画Ｂと判定して規定位置Ｐｒに規定する構成を採用することもできる。

また、感磁方向が互いに９０°だけ異なるように配置された２つのＭＲ素子を備えた磁界検出部４を用いる例について上記したが、ＭＲ素子を１つだけ備えた磁界検出部４を用いる構成を採用することもできる。この場合、１つの分割区画Ｂの対向位置において磁界検出部４（ＭＲ素子）の向きを９０°だけ異ならせた２回の磁界強度特定処理を実行し、２回の磁界強度特定処理において特定した各磁界強度Ｍの合計値や平均値を用いて比較処理を行うこともできる。また、ＭＲ素子に代えて、他の磁界検出素子（例えば、磁気インピーダンス素子（ＭＩ素子）やフラックス・ゲートセンサ等）で構成した磁界検出部４を用いることもできる。

また、規定処理において、電子部品１０３の表面を正方形の分割区画Ｂで分割した例について上記したが、分割区画Ｂの形状としは、正方形以外の四角形や、四角形以外の多角形などの任意の形状を採用することができる。また、分割区画Ｂの大きさは、必ずしも互いに同じ大きさである必要はなく、異なっていても良い。

１ 回路基板検査装置
２ 信号出力部
４ 磁界検出部
５ 移動機構
７ 処理部
１００ 回路基板
１０２ 導体パターン
１０３ 電子部品
Ｂ 分割区画
Ｂｃ 比較区画
Ｂｓ 基準区画
Ｍ 磁界強度
Ｍｃ 比較磁界強度
Ｍｓ 基準磁界強度
Ｐｒ 規定位置
Ｓａ 検査用信号
Ｓｓ 検出信号

Claims (3)

1. 電子部品が実装された回路基板における導体パターン上の検査ポイントに検査用信号を供給しているときに発生する磁界の磁界強度を検出する磁界検出部と、前記電子部品上の予め規定された規定位置に前記磁界検出部が対向している状態で当該磁界検出部によって検出された前記磁界強度に基づいて前記電子部品と前記導体パターンとの接続状態の良否検査を実行する検査部とを備えた回路基板検査装置であって、
   前記磁界検出部を移動させる移動機構と、
   前記移動機構による前記磁界検出部の移動を制御すると共に、前記磁界検出部によって検出された前記磁界強度に基づいて前記良否検査において用いる前記規定位置を予め規定する規定処理を実行する処理部とを備え、
   前記処理部は、前記規定処理において、前記電子部品の表面を複数に分割した各分割区画に対向する各対向位置に前記磁界検出部を順次移動させて当該対向位置毎の前記磁界強度を特定する磁界強度特定処理を実行し、当該特定した磁界強度が予め規定された規定条件を満たすと判定した前記分割区画を前記規定位置として規定する回路基板検査装置。
2. 前記処理部は、前記規定処理において、
   前記各分割区画の中から基準区画として設定した１つの分割区画の前記対向位置において前記磁界強度特定処理を実行すると共に、前記基準区画に隣接するいずれか１つの前記分割区画を比較区画として選択して当該比較区画の前記対向位置において前記磁界強度特定処理を実行して、前記比較区画の対向位置における前記磁界強度としての比較磁界強度と前記基準区画の対向位置における前記磁界強度としての基準磁界強度とを比較する比較処理を実行し、
   前記比較処理において前記比較磁界強度が前記基準磁界強度以下と判定したときには、前記基準区画に隣接する他の１つの前記分割区画を新たな前記比較区画として選択して前記比較処理を実行し、
   前記比較処理において前記比較磁界強度が前記基準磁界強度よりも大きいと判定したときには、前記比較区画を新たな前記基準区画として設定して前記比較処理を実行し、
   前記比較処理において前記基準区画に隣接する全ての前記分割区画を前記比較区画として選択して実行した前記各比較処理の全てにおいて前記比較磁界強度が前記基準磁界強度以下と判定したときには、当該基準区画を前記規定条件を満たす前記分割区画と判定する請求項１記載の回路基板検査装置。
3. 前記処理部は、前記規定処理において、
   前記各分割区画の前記対向位置の全てにおいて前記磁界強度特定処理を実行し、特定した各磁界強度の中で磁界強度が最も高いと判定した前記対向位置に対応する前記分割区画を前記規定条件を満たす前記分割区画と判定する請求項１記載の回路基板検査装置。

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