TWI591355B - 晶圓測試流程 - Google Patents

Description

晶圓測試流程

本發明係有關於半導體測試領域，特別係有關於一種半導體晶圓測試流程。

於晶圓等級的測試過程中，是將晶圓放置於一承載盤上，由該承載盤帶著晶圓於針測機(prober)內移動，以測試晶圓中未單離之晶粒。為了增加針測機的測試效率，有人嘗試將晶粒切割單離之後再經由取放機台重新排列。然而，於現有技術中，僅能分別記錄該等晶粒重新排列之前以及重新排列之後的位置，但兩者之間無法直接轉換，因此無法由重新排列之後的位置直接回推任一晶粒原有的位置，故測試效率無法進一步提升。

為了解決上述之問題，本發明之主要目的係在於提供一種晶圓測試流程，可以互相推算任一晶粒重新排列前後的位置，故能在原本的晶粒分佈圖進行分析，不需要更改重新排列後之晶粒分佈圖，以方便資料整理。

本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。本發明揭示一種晶圓測試流程，用以將一晶圓上之 複數個晶粒重新排列，並適用於一多探針測試系統，該晶圓測試流程包含以下幾個步驟。步驟(a)、取得該晶圓上之所述晶粒原有位置，並儲存為一已定義之第一晶粒分佈圖。步驟(b)、將該晶圓上之所述晶粒重新排列，並儲存為一可調整之第二晶粒分佈圖。步驟(c)、以該多探針測試系統對該晶圓進行針測，並於該第二晶粒分佈圖中標記良品與不良品之晶粒位置，其中，每一晶粒的位置可於該第一晶粒分佈圖與該第二晶粒分佈圖之間互相推算轉換。

本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。

在前述晶圓測試流程中，於前述步驟(b)中，每一晶粒背面的雷射標籤被掃描讀取，並且儲存於該第二晶粒分佈圖中，再進行重新排列，每一晶粒的雷射標籤資料儲存於該第二晶粒分佈圖中，以使每一晶粒的位置可於該第一晶粒分佈圖與該第二晶粒分佈圖之間互相推算。

在前述晶圓測試流程中，於前述步驟(a)中，每一晶粒的原有位置透過其背面的雷射標籤被掃描讀取，並且儲存於該第一晶粒分佈圖中。

在前述晶圓測試流程中，還包含一位於前述步驟(b)後之步驟(b-1)，於所述晶粒重新排列之後進行檢測，當未符合排列標準則返回到前述步驟(b)，若符合排列標準則進入前述步驟(c)中。

在前述晶圓測試流程中，前述步驟(b-1)中所述之排列標準為一自我檢查參數，該自我檢查參數包括晶粒與晶粒間的間隙大小以及複數晶粒的組合排列尺寸。

在前述晶圓測試流程中，在前述步驟(b-1)中是使用至少一高倍數光學鏡頭觀測所述之自我檢查參數。

在前述晶圓測試流程中，於前述步驟(c)中，可以同時進行選取晶粒的動作。

在前述晶圓測試流程中，於前述步驟(c)中，選取晶粒後的結果可儲存於該第一晶粒分佈圖中。

在前述晶圓測試流程中，於前述步驟(c)中，選取晶粒後的結果可儲存於該第二晶粒分佈圖中。

在前述晶圓測試流程中，還包含一位於前述步驟(c)之後的(d)步驟，其中，在前述步驟(d)中，由該第二晶粒分佈圖結果所轉換之第一晶粒分佈圖，其上標記有良品與不良品之晶粒以及選取晶粒的位置。

藉由上述的技術手段，本發明可以快速轉換該第一晶粒分佈圖與該第二晶粒分佈圖，工程師只須要在該第一晶粒分佈圖下直接進行分析，不須要再自行推算任一晶粒重新排列後的位置，方便資料的整理，並加快晶圓測試的速度。

100‧‧‧晶圓

110‧‧‧晶粒

120‧‧‧第一晶粒分佈圖

130‧‧‧第二晶粒分佈圖

140‧‧‧雷射標籤

150‧‧‧高倍數光學鏡頭

(a)‧‧‧步驟

(b)‧‧‧步驟

(b-1)‧‧‧步驟

(c)‧‧‧步驟

(d)‧‧‧步驟

第1圖：依據本發明之一具體實施例，一種晶圓測試流程之流程圖。

第2圖：依據本發明之一具體實施例，輔助說明第1圖中步驟(a)、步驟(b)之示意圖，用以說明晶圓上之晶粒重新排列前後的態樣。

第3圖：依據本發明之一具體實施例，輔助說明第1圖中步驟(a)、步驟(b)之示意圖，用以說明每一晶粒是透過其背面的雷射標籤被掃描讀取。

第4圖：依據本發明之一具體實施例，輔助說明第1圖中步驟(b-1)之示意圖。

第5圖：依據本發明之一具體實施例，輔助說明第1圖中步驟(d)之示意圖。

以下將配合所附圖示詳細說明本發明之實施例，然應注意的是，該些圖示均為簡化之示意圖，僅以示意方法來說明本發明之基本架構或實施方法，故僅顯示與本案有關之元件與組合關係，圖中所顯示之元件並非以實際實施之數目、形狀、尺寸做等比例繪製，某些尺寸比例與其他相關尺寸比例或已誇張或是簡化處理，以提供更清楚的描述。實際實施之數目、形狀及尺寸比例為一種選置性之設計，詳細之元件佈局可能更為複雜。

請參閱第1圖，依據本發明之一具體實施例，一種晶圓測試流程，用以將一晶圓100上之複數個晶粒110重新排列(如第2圖所示)，並適用於一多探針測試系統。配合參閱第2與3圖，該晶圓測試流程包含以下幾個步驟。步驟(a)、取得該晶圓100上 之所述晶粒110原有位置，並儲存為一已定義之第一晶粒分佈圖120。步驟(b)、將該晶圓100上之所述晶粒110重新排列，並儲存為一可調整之第二晶粒分佈圖130。步驟(c)、以該多探針測試系統對該晶圓100進行針測，並於該第二晶粒分佈圖130中標記良品與不良品之晶粒110的位置，其中，每一晶粒110的位置可於該第一晶粒分佈圖120與該第二晶粒分佈圖130之間互相推算轉換。步驟(d)、由該第二晶粒分佈圖130所轉換之第一晶粒分佈圖120，其上標記有良品與不良品之晶粒110以及選取晶粒110的位置。

以下針對各步驟詳細說明。請參閱第1圖至第3圖，於前述步驟(a)中，每一晶粒110的原有位置透過其背面的雷射標籤140(如第3圖所示)被掃描讀取，並且儲存於該第一晶粒分佈圖120中。每一晶粒110背面的雷射標籤140是用來辨識每一晶粒110之晶圓原有位置，如第2圖左側中被標示編號1至編號20之晶粒110，而如第2圖右側中編號1至編號20之晶粒110被重新排列而組成為另一晶粒分佈圖。於前述步驟(b)中，每一晶粒110背面的雷射標籤140被掃描讀取，並且儲存於該第二晶粒分佈圖130中，再進行重新排列；例如，如第3圖所示，具有編號11之雷射標籤140之晶粒110具有由該第一晶粒分佈圖120轉換至該第二晶粒分佈圖130之位置變化。其中，每一晶粒110的雷射標籤140資料同樣會儲存於該第二晶粒分佈圖130中，以使每一晶粒110的位置可以透過其雷射標籤140內的資料，於該第一晶粒分佈圖120與該第二晶粒分佈圖130之間互相推算。

請參閱第1及4圖，要進入前述步驟(c)之前更具體地還有一步驟(b-1)。於前述步驟(b-1)中，所述晶粒110重新排列之後進行檢測，當未符合排列標準則返回到前述步驟(b)，當符合排列標準則進入前述步驟(c)中。前述步驟(b-1)中所述之排列標準為一自我檢查參數，該自我檢查參數包括晶粒110與晶粒110之間的間隙大小以及複數晶粒110的組合排列尺寸，藉以檢查各晶粒110是否正確排列，而能被多探針測試系統所探觸。於本實施例中，是使用至少一高倍數光學鏡頭150觀測所述之自我檢查參數。

當所述晶粒110重新排列並檢測無誤之後，即進行前述步驟(c)。於前述步驟(c)中以該多探針測試系統進行針測，並於該第二晶粒分佈圖130中標記良品與不良品之晶粒110位置。標記完成後，可以同時進行選取晶粒110的動作，而選取晶粒110後的結果可儲存於該第一晶粒分佈圖120中，亦可儲存於該第二晶粒分佈圖130中。如第5圖左側起的第一個晶粒分佈圖，在該第二晶粒分佈圖130中，該等晶粒110中被標示為「X」者是不良品晶粒。

請參閱第1及5圖，前述步驟(c)之後接著進行前述步驟(d)，在前述步驟(d)中，由該第二晶粒分佈圖130結果轉換為該第一晶粒分佈圖120，其上標記有良品與不良品之晶粒110以及被選取之晶粒110的位置，如第5圖中左側起第二個晶粒分佈圖，在該第一晶粒分佈圖120中，該等晶粒110中被標示為「X」者是不 良品晶粒。

如第5圖中左側起第三個晶粒分佈圖，依據該第一晶粒分佈圖120，進行晶粒選取作業，其中該等晶粒110中被標示為「/」者，即為被選取的晶粒110。

如第5圖中左側起第四個晶粒分佈圖，是經由晶粒選取作業之後的該第一晶粒分佈圖120進行轉換成為該第二晶粒分佈圖130，其中該等晶粒110中被標示為「/」者，即為被選取的晶粒110。因此，由第5圖左側起第三個及第四個晶粒分佈圖即可清楚得知，被標示為「/」者的晶粒110(也就是被選取的晶粒110)在該第一晶粒分佈圖120與該第二晶粒分佈圖130上的位置變化。

透過上述流程的設計，系統可以將該第一晶粒分佈圖120與該第二晶粒分佈圖130進行轉換，因此可以從該第二晶粒分佈圖130中直接推算出任一個晶粒110在該第一晶粒分佈圖120上的位置。藉此，利用晶粒110的重新排列不但可以提高單片晶圓100的下壓效率，而該第一晶粒分佈圖120與該第二晶粒分佈圖130的快速互相轉換，亦便於後續的分析使用。

以上所揭露的僅為本發明較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利範圍，因此依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬本發明所涵蓋的範圍。

110‧‧‧晶粒

120‧‧‧第一晶粒分佈圖

130‧‧‧第二晶粒分佈圖

140‧‧‧雷射標籤

Claims (10)

1. 一種晶圓測試流程，用以將一晶圓上之複數個晶粒重新排列，並適用於一多探針測試系統，該晶圓測試流程包含：(a)取得該晶圓上之所述晶粒原有位置，並儲存為一已定義之第一晶粒分佈圖；(b)將該晶圓上之所述晶粒重新排列，並儲存為一可調整之第二晶粒分佈圖；及(c)以該多探針測試系統對該晶圓進行針測，並於該第二晶粒分佈圖中標記良品與不良品之晶粒位置，其中，每一晶粒的位置可於該第一晶粒分佈圖與該第二晶粒分佈圖之間互相推算轉換。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓測試流程，其中，於前述步驟(b)中，每一晶粒背面的雷射標籤被掃描讀取，並且儲存於該第二晶粒分佈圖中，再進行重新排列，每一晶粒的雷射標籤資料儲存於該第二晶粒分佈圖中，以使每一晶粒的位置可於該第一晶粒分佈圖與該第二晶粒分佈圖之間互相推算。
3. 如申請專利範圍第2項所述之晶圓測試流程，其中，於前述步驟(a)中，每一晶粒的原有位置透過其背面的雷射標籤被掃描讀取，並且儲存於該第一晶粒分佈圖中。
4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓測試流程，還包含一位於前述步驟(b)後之步驟(b-1)，於所述晶粒重新排列之後進行檢測，當未符合排列標準則返回到前述步驟(b)，當符合排列標準則進入前述步驟(c)中。
5. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓測試流程，其中，前述步驟(b-1)中所述之排列標準為一自我檢查參數，該自我檢查參數包括晶粒與晶粒間的間隙大小以及複數晶粒的組合排列尺寸。
6. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓測試流程，其中，在前述步驟(b-1)中是使用至少一高倍數光學鏡頭觀測所述之自我檢查參數。
7. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之晶圓測試流程，其中，於前述步驟(c)中，可以同時進行選取晶粒的動作。
8. 如申請專利範圍第7項所述之晶圓測試流程，其中，於前述步驟(c)中，選取晶粒後的結果可儲存於該第一晶粒分佈圖中。
9. 如申請專利範圍第7項所述之晶圓測試流程，其中，於前述步驟(c)中，選取晶粒後的結果可儲存於該第二晶粒分佈圖中。
10. 如申請專利範圍第7項所述之晶圓測試流程，還包含一位於前述步驟(c)之後的(d)步驟，其中，在前述步驟(d)中，由該第二晶粒分佈圖結果所轉換之第一晶粒分佈圖，其上標記有良品與不良品之晶粒以及選取晶粒的位置。