JP6133028B2 - Optical fiber, optical module, and optical module manufacturing method - Google Patents

Optical fiber, optical module, and optical module manufacturing method Download PDF

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JP6133028B2 JP2012197225A JP2012197225A JP6133028B2 JP 6133028 B2 JP6133028 B2 JP 6133028B2 JP 2012197225 A JP2012197225 A JP 2012197225A JP 2012197225 A JP2012197225 A JP 2012197225A JP 6133028 B2 JP6133028 B2 JP 6133028B2
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Description

本発明は、発光素子に光学的に結合する光ファイバ、相互に光学的に結合した光ファイバと発光素子とを含む光モジュール、及び光モジュールの製造方法に関する。   The present invention relates to an optical fiber optically coupled to a light emitting element, an optical module including an optical fiber optically coupled to each other and a light emitting element, and a method for manufacturing the optical module.

光ファイバと発光素子とを結合する際に、両者の位置ずれが生じると、結合効率が著しく低下してしまう。下記の特許文献1に、光ファイバと光素子との位置合わせを容易に行うことが可能な光モジュールが開示されている。特許文献1に開示された光モジュールにおいては、面発光レーザが形成されている基板の表面に融着層が配置される。融着層の表面と光ファイバの端面とを接合させた状態で両者を融着する。   When the optical fiber and the light emitting element are coupled to each other, if the positional deviation between the two occurs, the coupling efficiency is significantly reduced. The following Patent Document 1 discloses an optical module capable of easily aligning an optical fiber and an optical element. In the optical module disclosed in Patent Document 1, a fusion layer is disposed on the surface of a substrate on which a surface emitting laser is formed. In the state which joined the surface of the melt | fusion layer and the end surface of an optical fiber, both are melt | fused.

融着層の表面に、凸部が形成されている。光ファイバは、その端面に、融着層の凸部と嵌合する形状の嵌合部を有する。光ファイバの嵌合部と、融着層の凸部とを嵌合させることにより、両者を容易に位置合わせすることができる。   Convex portions are formed on the surface of the fusion layer. The optical fiber has a fitting portion having a shape that fits with the convex portion of the fusion layer on the end surface thereof. By fitting the fitting portion of the optical fiber and the convex portion of the fusion layer, both can be easily aligned.

特開2002−107581号公報JP 2002-107581 A

融着層に形成される凸部が、面発光レーザの位置に対してずれると、面発光レーザに対する光ファイバの位置が、目標位置からずれてしまう。   If the convex portion formed in the fusion layer is deviated from the position of the surface emitting laser, the position of the optical fiber with respect to the surface emitting laser is deviated from the target position.

本発明の目的は、光素子と光ファイバとの位置ずれが生じにくい光ファイバを提供することである。本発明の他の目的は、光素子と光ファイバとの位置ずれが生じにくい光モジュールを提供することである。本発明のさらに他の目的は、光素子と光ファイバとの位置ずれが生じにくい光モジュールの製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide an optical fiber in which the positional deviation between the optical element and the optical fiber hardly occurs. Another object of the present invention is to provide an optical module in which positional deviation between an optical element and an optical fiber hardly occurs. Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an optical module in which the positional deviation between the optical element and the optical fiber hardly occurs.

本発明の一観点によると、
複数のコアと、
前記コアを覆うクラッドと、
前記コアと重ならず、前記クラッドの中心から外れた位置に配置されたコア識別用マーカと、
前記複数のコアの各々に対応して、端面に形成された凹部と
前記コア識別用マーカに対応する位置に配置された位置合わせ用凹部と
を有し、
前記凹部に、同一の基板上に形成された複数の発光素子の各々のメサ部が挿入され、前記メサ部の上面から射出された光が少なくとも前記凹部の底面に入射することにより、前記コアに前記発光素子が光学的に結合し、
前記コアは、前記クラッドの中心軸を回転中心として回転対称となる位置に配置されており、前記コア識別用マーカは前記コアの回転対称性を崩す位置に配置されている光ファイバが提供される。
According to one aspect of the invention,
With multiple cores,
A clad covering the core;
A core identifying marker that does not overlap the core but is located at a position off the center of the cladding;
Corresponding to each of the plurality of cores, a recess formed in the end surface ;
An alignment recess disposed at a position corresponding to the core identification marker ;
Each mesa portion of a plurality of light emitting elements formed on the same substrate is inserted into the recess, and light emitted from the top surface of the mesa portion enters at least the bottom surface of the recess, thereby entering the core. The light emitting element is optically coupled ;
The core is disposed at a position that is rotationally symmetric with respect to the center axis of the cladding, and an optical fiber is provided in which the core identification marker is disposed at a position that breaks the rotational symmetry of the core. .

本発明の他の観点によると、
上面から光を射出する複数のメサ部を含む発光素子と、
前記発光素子と光学的に結合する光ファイバと
を有し、
前記光ファイバは、
複数のコアと、
クラッドと、
端面に形成された複数の凹部と、
前記光ファイバの断面内において、前記コアと重ならない位置に配置されたコア識別用のマーカと、
前記光ファイバの前記端面の、前記マーカの位置に形成された位置合わせ用凹部と
を有し、
前記発光素子は、さらに、前記位置合わせ用凹部に挿入された凸部を有し、
前記発光素子の複数の前記メサ部が複数の前記凹部に挿入されており、前記発光素子から射出した光が、前記凹部の底面に入射することにより、前記発光素子が前記コアに光学的に結合する光モジュールが提供される。
According to another aspect of the invention,
A light emitting element including a plurality of mesas that emit light from the upper surface;
An optical fiber optically coupled to the light emitting element;
The optical fiber is
With multiple cores,
Clad,
A plurality of recesses formed on the end face;
In the cross section of the optical fiber, a core identification marker arranged at a position not overlapping the core;
An alignment recess formed at the position of the marker on the end face of the optical fiber;
The light emitting element further includes a convex portion inserted into the alignment concave portion,
A plurality of the mesa portions of the light emitting element are inserted into the plurality of concave portions, and light emitted from the light emitting element is incident on the bottom surface of the concave portion, so that the light emitting element is optically coupled to the core. An optical module is provided.

本発明のさらに他の観点によると、
クラッドと、複数のコアと、コア識別用マーカとを有する光ファイバの端面から、前記コア及び前記コア識別用マーカのエッチングレートが前記クラッドのエッチングレートよりも速い条件で、前記コア、前記コア識別用マーカ、及び前記クラッドをエッチングすることにより、前記コアに対応する部分に凹部を形成するとともに、前記コア識別用マーカに対応する位置に位置合わせ用凹部を形成する工程と、
上面から光を射出する複数のメサ部及び位置合わせ用凸部を含む発光素子の前記メサ部を、前記光ファイバの前記凹部に挿入するとともに、前記位置合わせ用凸部を前記位置合わせ用凹部に挿入する工程と、
前記メサ部が前記凹部に挿入され、前記位置合わせ用凸部が前記位置合わせ用凹部に挿入された状態で、前記光ファイバを前記発光素子に固定する工程と
を有し、
前記複数のコアは、前記クラッドの中心軸を回転中心として回転対称となる位置に配置されており、前記コア識別用マーカは前記コアの回転対称性を崩す位置に配置されている光モジュールの製造方法が提供される。
According to yet another aspect of the invention,
A cladding, and a plurality of cores, from the end face of an optical fiber having a core identification markers, in the core and fast conditions than the etching rate of the etching rate of the core identification markers said cladding, said core, said core identification Forming a recess in a portion corresponding to the core by etching the marker and the clad , and forming a positioning recess in a position corresponding to the core identification marker ;
The mesa portion of the light emitting element including a plurality of mesa portions emitting light from the upper surface and the alignment convex portion is inserted into the concave portion of the optical fiber, and the alignment convex portion is used as the alignment concave portion. Inserting , and
The mesa portion is inserted into the recess, with the protrusion for the positioning is inserted into the recess for the positioning, possess a step of fixing the optical fiber to the light emitting element,
The plurality of cores are arranged at positions that are rotationally symmetric about the center axis of the cladding, and the core identification marker is arranged at a position that breaks the rotational symmetry of the cores. A method is provided.

メサ部を光ファイバの凹部に挿入することにより、発光素子と光ファイバとの位置合わせを容易に行うことができる。位置合わせが完了した後は、両者の位置ずれが生じにくい。   By inserting the mesa portion into the recess of the optical fiber, the light emitting element and the optical fiber can be easily aligned. After the alignment is completed, the positional deviation between the two hardly occurs.

図1Aは、実施例1による光モジュールに用いられる光ファイバの端面近傍の斜視図であり、図1Bは、実施例1による光モジュールの正面図であり、図1Cは、図1Bの一点鎖線1C−1Cにおける断面図である。1A is a perspective view of the vicinity of an end face of an optical fiber used in the optical module according to the first embodiment, FIG. 1B is a front view of the optical module according to the first embodiment, and FIG. 1C is an alternate long and short dash line 1C in FIG. It is sectional drawing in -1C. 図2は、実施例1による光ファイバと、それに光学的に結合した発光素子との断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical fiber according to Example 1 and a light emitting element optically coupled thereto. 図3Aは、光ファイバに凹部を形成する方法を説明するための光ファイバの端部近傍の断面図、及びエッチングレートの分布を示すグラフであり、図3B及び図3Cは、それぞれコアのエッチングレートが図3Aのエッチングレートより遅い場合及び速い場合の光ファイバの端部近傍の断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view of the vicinity of the end of the optical fiber for explaining a method of forming a recess in the optical fiber, and a graph showing the etching rate distribution. FIGS. 3B and 3C are the etching rates of the core, respectively. 3B is a cross-sectional view of the vicinity of the end of the optical fiber when the etching rate is slower and faster than the etching rate of FIG. 3A. 図4Aは、実施例1による光モジュールに用いられる発光素子の平面図であり、図4Bは、図4Aの一点鎖線4B−4Bにおける断面図である。4A is a plan view of a light-emitting element used in the optical module according to Embodiment 1, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along one-dot chain line 4B-4B in FIG. 4A. 図5Aは、実施例2による光モジュールに用いられる光ファイバの端面の正面図であり、図5Bは、図5Aの一点鎖線5B−5Bにおける光モジュールの断面図である。5A is a front view of an end face of an optical fiber used in the optical module according to the second embodiment, and FIG. 5B is a cross-sectional view of the optical module taken along one-dot chain line 5B-5B in FIG. 5A. 図6は、実施例2による光モジュールに用いられる発光素子及びその基板の平面図である。FIG. 6 is a plan view of a light-emitting element and its substrate used in the optical module according to the second embodiment. 図7Aは、実施例3による光モジュールに用いられる光ファイバの端面の正面図であり、図7Bは、図7Aの一点鎖線7B−7Bにおける光モジュールの断面図である。7A is a front view of an end face of an optical fiber used in the optical module according to Embodiment 3, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the optical module taken along one-dot chain line 7B-7B in FIG. 7A.

[実施例1]
図1Aに、実施例1による光モジュールに用いられる光ファイバ10の端面近傍の斜視図を示し、図1Bに、光ファイバ10の正面図を示す。コア11の側面がクラッド12で覆われている。クラッド12の側面が被覆層13で覆われている。
[Example 1]
FIG. 1A shows a perspective view of the vicinity of the end face of the optical fiber 10 used in the optical module according to the first embodiment, and FIG. 1B shows a front view of the optical fiber 10. The side surface of the core 11 is covered with the cladding 12. The side surface of the clad 12 is covered with a coating layer 13.

図1Cに、図1Bの一点鎖線1C−1Cにおける断面図、すなわち光ファイバ10の中心軸を含む端部近傍の断面図を示す。コア11の側面がクラッド12で覆われている。光ファイバ10の一方の端面14に凹部15が形成されている。凹部15は、コア11の位置に形成される。このため、凹部15の底面は、コア11の端面で構成される。また、凹部15の側面には、クラッド12が露出する。 FIG. 1C shows a cross-sectional view taken along one-dot chain line 1 </ b> C- 1 </ b> C in FIG. 1B, that is, a cross-sectional view in the vicinity of the end including the central axis of the optical fiber 10. The side surface of the core 11 is covered with the cladding 12. A recess 15 is formed on one end face 14 of the optical fiber 10. The recess 15 is formed at the position of the core 11. For this reason, the bottom surface of the recess 15 is constituted by the end surface of the core 11. Further, the clad 12 is exposed on the side surface of the recess 15.

図2に、実施例1による光モジュールの断面図を示す。支持基板30の表面にメサ部20が形成されている。メサ部20は、発光素子21の一部を構成する。発光素子21は、メサ部20の上面から光を射出する。発光素子21として、例えば面発光型レーザ素子、発光ダイオード等が用いられる。   FIG. 2 is a sectional view of the optical module according to the first embodiment. A mesa portion 20 is formed on the surface of the support substrate 30. The mesa unit 20 constitutes a part of the light emitting element 21. The light emitting element 21 emits light from the upper surface of the mesa unit 20. As the light emitting element 21, for example, a surface emitting laser element, a light emitting diode, or the like is used.

メサ部20が、光ファイバ10の凹部15に挿入されている(嵌合している)。メサ部20の表面と凹部15の内面との間に、透明媒体16が充填されている。ここで、透明媒体における「透明」とは、発光素子21から射出される光に対して透明という意味である。また、基板30の上面と光ファイバ10の端面14との間にも、透明媒体16が充填されている。支持基板30の上面を基準として、光ファイバ10の端面14はメサ部20の上面より低い位置に固定されている。発光素子21から射出した光が、メサ部20の上面及び透明媒体16を通過して凹部15の底面に入射する。これにより、発光素子21が、コア11に光学的に結合する。   The mesa unit 20 is inserted (fitted) into the recess 15 of the optical fiber 10. A transparent medium 16 is filled between the surface of the mesa unit 20 and the inner surface of the recess 15. Here, “transparent” in the transparent medium means transparent to the light emitted from the light emitting element 21. The transparent medium 16 is also filled between the upper surface of the substrate 30 and the end surface 14 of the optical fiber 10. With reference to the upper surface of the support substrate 30, the end surface 14 of the optical fiber 10 is fixed at a position lower than the upper surface of the mesa unit 20. The light emitted from the light emitting element 21 passes through the top surface of the mesa unit 20 and the transparent medium 16 and enters the bottom surface of the recess 15. Thereby, the light emitting element 21 is optically coupled to the core 11.

透明媒体16の屈折率とコア11の屈折率との差が、大気の屈折率とコア11の屈折率との差より小さい。これにより、発光素子21から射出した光を、効率的にコア11に入射させることができる。透明媒体16には、例えばマッチングオイル、透明接着剤等が用いられる。   The difference between the refractive index of the transparent medium 16 and the refractive index of the core 11 is smaller than the difference between the refractive index of the atmosphere and the refractive index of the core 11. Thereby, the light emitted from the light emitting element 21 can be efficiently incident on the core 11. For the transparent medium 16, for example, matching oil, a transparent adhesive, or the like is used.

図3Aを参照して、凹部15を形成する方法について説明する。図3Aに、光ファイバ10の端面近傍の断面図及び半径方向に関するエッチングレートの分布のグラフを示す。図3Aにおいて、コア11の半径をr1とし、クラッド12の外周面の半径をr2とする。光ファイバ10を、その端面からエッチングすることにより凹部15を形成することができる。凹部15を形成する前の光ファイバ10の端面は、実線で示すように平坦な面である。エッチング後の端面14を破線で示す。   With reference to FIG. 3A, the method of forming the recessed part 15 is demonstrated. FIG. 3A shows a cross-sectional view near the end face of the optical fiber 10 and a graph of the etching rate distribution in the radial direction. In FIG. 3A, the radius of the core 11 is r1, and the radius of the outer peripheral surface of the clad 12 is r2. The recess 15 can be formed by etching the optical fiber 10 from its end face. The end surface of the optical fiber 10 before forming the recess 15 is a flat surface as shown by a solid line. The end face 14 after etching is indicated by a broken line.

凹部15を形成するときのエッチング条件におけるコア11とクラッド12とのエッチングートを、それぞれR2及びR1で表す。R2>R1となるエッチング条件で光ファイバ10をエッチングすることにより、コア11の箇所が相対的に深く掘り下げられることとなるので、凹部15を形成することができる。このエッチングには、例えば緩衝弗化水素水溶液(バッファード弗酸)を用いることができる。   The etching rates of the core 11 and the clad 12 under the etching conditions for forming the recess 15 are represented by R2 and R1, respectively. By etching the optical fiber 10 under the etching conditions satisfying R2> R1, the portion of the core 11 is dug deeper relatively, so that the recess 15 can be formed. For this etching, for example, a buffered hydrogen fluoride aqueous solution (buffered hydrofluoric acid) can be used.

なお、光ファイバの長さ方向のエッチングレートが、横方向(半径方向)のエッチングレートよりも一般的に速いので、エッチングによって、図3Aに示したように断面が等脚台形状の凹部15が形成される。このように、コア11とクラッド12とのエッチングレートの差を利用して凹部15を形成することにより、凹部15の位置をコア11に自己整合させることができる。凹部15の形成は、エッチングによる手法だけではなく、コア11の部分のみを削るような加工を行って形成してもよい。   Since the etching rate in the length direction of the optical fiber is generally faster than the etching rate in the lateral direction (radial direction), the recess 15 having an isosceles trapezoidal cross section as shown in FIG. It is formed. Thus, by forming the recess 15 using the difference in etching rate between the core 11 and the cladding 12, the position of the recess 15 can be self-aligned with the core 11. The formation of the recess 15 is not limited to a technique using etching, but may be formed by performing a process of cutting only the core 11 portion.

さらに、凹部15の深さは、発光素子のメサ部を凹部15に挿入した場合に、メサ部の上面が凹部15の底面と当接する程度に浅くても良いし、当接しない程度に深くても良い。   Further, the depth of the recess 15 may be shallow enough that the top surface of the mesa portion contacts the bottom surface of the recess 15 when the mesa portion of the light emitting element is inserted into the recess 15, or deep enough not to contact. Also good.

凹部15の深さがメサ部の上面が凹部15の底面と当接する程度の深さの場合には、メサ部の上面から射出された光のほぼすべてが光ファイバ10のコア11に入射する。   When the depth of the recess 15 is such that the upper surface of the mesa portion contacts the bottom surface of the recess 15, almost all of the light emitted from the upper surface of the mesa portion enters the core 11 of the optical fiber 10.

なお、凹部15の深さがメサ部の上面が凹部15の底面と当接しない程度の深さであっ
ても、発光素子から射出される光が凹部15の底面に至ったとき、光の広がりが大きくなければ、射出された光の大部分を光ファイバ10のコア11に入射させることができる。
Even when the depth of the recess 15 is such that the upper surface of the mesa portion does not contact the bottom surface of the recess 15, the light spreads when the light emitted from the light emitting element reaches the bottom surface of the recess 15. If is not large, most of the emitted light can be incident on the core 11 of the optical fiber 10.

また、エッチングによって形成される凹部15の底面の外周と、コア11の外周とが、必ずしも一致していなくてもよい。すなわち、エッチングレートR2が比較的遅い場合には、コア11のエッチングが進行しにくいので、図3Bに示したように、凹部15の底面の径が、コア11の径より小さくなる場合がある。また、エッチングレートR2が比較的速い場合には、図3Cに示したように、クラッド12の側壁方向にもエッチングが進行するので、凹部15の底面の径が、コア11の径より大きくなる場合もある。なお、エッチングレートが図3Aに示したような場合でも、エッチング時間を適宜調整することによって、図3Bや図3Cに示したような端部形状とすることが可能である。   Further, the outer periphery of the bottom surface of the recess 15 formed by etching and the outer periphery of the core 11 do not necessarily coincide with each other. That is, when the etching rate R2 is relatively slow, the etching of the core 11 is difficult to proceed, so that the diameter of the bottom surface of the recess 15 may be smaller than the diameter of the core 11 as shown in FIG. Further, when the etching rate R2 is relatively fast, as shown in FIG. 3C, the etching proceeds also in the direction of the side wall of the clad 12, so that the diameter of the bottom surface of the recess 15 is larger than the diameter of the core 11. There is also. Even when the etching rate is as shown in FIG. 3A, the end shape as shown in FIG. 3B or FIG. 3C can be obtained by appropriately adjusting the etching time.

図4Aに、発光素子21(図2)の平面図を示す。平面形状がほぼ円形のメサ部20の内側に、円形の上部分布ブラッグ反射(上部DBR)膜53が形成されている。上部DBR膜53を、リング状の上部電極56が取り囲んでいる。上部電極56から半径方向(図4Aにおいて右方向)に、引出線57が伸びる。引出線57は、メサ部20よりも外側まで伸びている。メサ部20を取り囲むように、リング状の下部電極55が形成されている。上部電極56の引出線57と下部電極55との交差箇所において、下部電極55が切断されており、下部電極55と引出線57との絶縁が確保されている。   FIG. 4A shows a plan view of the light emitting element 21 (FIG. 2). A circular upper distributed Bragg reflection (upper DBR) film 53 is formed inside the mesa portion 20 having a substantially circular planar shape. The upper DBR film 53 is surrounded by a ring-shaped upper electrode 56. A lead line 57 extends from the upper electrode 56 in the radial direction (rightward in FIG. 4A). Leader line 57 extends to the outside of mesa portion 20. A ring-shaped lower electrode 55 is formed so as to surround the mesa unit 20. The lower electrode 55 is cut at the intersection between the lead wire 57 of the upper electrode 56 and the lower electrode 55, and insulation between the lower electrode 55 and the lead wire 57 is ensured.

図4Bに、図4Aの一点鎖線4B−4Bにおける断面図を示す。面方位(001)のn型GaAsからなる基板40の上に、下部分布ブラッグ反射(下部DBR)膜41、及びn型コンタクト層42が、この順番に形成されている。n型コンタクト層42の一部の領域に、メサ部20が形成されている。   FIG. 4B is a cross-sectional view taken along one-dot chain line 4B-4B in FIG. 4A. On a substrate 40 made of n-type GaAs having a plane orientation (001), a lower distributed Bragg reflection (lower DBR) film 41 and an n-type contact layer 42 are formed in this order. A mesa portion 20 is formed in a partial region of the n-type contact layer 42.

メサ部20は、基板側から順番に積層されたn型クラッド層43、活性層44、p型クラッド層45、下部組成傾斜層46、電流狭窄層47、上部組成傾斜層48、p型スペーサ層49、p型高導電率層50、p型スペーサ層51、及びp型コンタクト層52を含む。p型コンタクト層52の一部の領域の上に、上部DBR膜53が形成されている。   The mesa unit 20 includes an n-type cladding layer 43, an active layer 44, a p-type cladding layer 45, a lower composition gradient layer 46, a current confinement layer 47, an upper composition gradient layer 48, and a p-type spacer layer, which are sequentially stacked from the substrate side. 49, a p-type high conductivity layer 50, a p-type spacer layer 51, and a p-type contact layer 52. An upper DBR film 53 is formed on a partial region of the p-type contact layer 52.

n型コンタクト層42に、下部電極55がオーミック接触している。p型コンタクト層52に、上部電極56がオーミック接触している。n型コンタクト層42のうち下部電極55が形成されていない領域、メサ部20の側面、メサ部20の上面のうち上部DBR膜53及び上部電極56のいずれも形成されていない領域が、絶縁膜54で覆われている。上部電極56に連続する引出線57が、絶縁膜54の上に形成されている。引出線57は、メサ部20の側面を通過して、メサ部20が形成されていない領域まで引き出されている。基板40、下部DBR膜41及びn型コンタクト層42が、図2Bに示した支持基板30に相当する。   The lower electrode 55 is in ohmic contact with the n-type contact layer 42. The upper electrode 56 is in ohmic contact with the p-type contact layer 52. The region where the lower electrode 55 is not formed in the n-type contact layer 42, the side surface of the mesa unit 20, and the region where neither the upper DBR film 53 nor the upper electrode 56 is formed on the upper surface of the mesa unit 20 54. A lead line 57 continuous to the upper electrode 56 is formed on the insulating film 54. The lead line 57 passes through the side surface of the mesa unit 20 and is led out to a region where the mesa unit 20 is not formed. The substrate 40, the lower DBR film 41, and the n-type contact layer 42 correspond to the support substrate 30 shown in FIG. 2B.

下部DBR膜41は、交互に積層された複数の低屈折率層と複数の高屈折率層とを含む。例えば、低屈折率層にAlGaAsが用いられ、高屈折率層にGaAsが用いられる。下部DBR膜41は、活性層44の発光波長域の光を反射する。   The lower DBR film 41 includes a plurality of low refractive index layers and a plurality of high refractive index layers that are alternately stacked. For example, AlGaAs is used for the low refractive index layer, and GaAs is used for the high refractive index layer. The lower DBR film 41 reflects light in the emission wavelength region of the active layer 44.

n型コンタクト層42は、例えばn型GaAsで形成され、n型クラッド層43は、例えばn型GaAsで形成される。   The n-type contact layer 42 is made of, for example, n-type GaAs, and the n-type cladding layer 43 is made of, for example, n-type GaAs.

活性層44は、3層の井戸層と2層の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。井戸層及び障壁層の組成及び膜厚は、目標とする発振波長に基づいて、通常の設計手法により求められる。井戸層には、例えばGaInAs系半導体材料が用いられる。井戸層には、例えばGaAsが用いられる。   The active layer 44 has a multiple quantum well structure in which three well layers and two barrier layers are alternately stacked. The composition and film thickness of the well layer and the barrier layer are determined by a normal design method based on the target oscillation wavelength. For example, a GaInAs semiconductor material is used for the well layer. For example, GaAs is used for the well layer.

p型クラッド層45は、例えばp型AlGaAsで形成される。   The p-type cladding layer 45 is made of, for example, p-type AlGaAs.

下部組成傾斜層46、電流狭窄層47、及び上部組成傾斜層48の構成について説明する。電流狭窄層46は、電流通過部47Aと電流阻止部47Bとを含む。電流通過部47Aは、平面視においてメサ部20の中央部に配置され、電流阻止部47Bは、電流通過部47Aを取り囲むように配置される。電流通過部47AはAlGaAsで形成される。電流阻止部47Bは、AlGaAsを選択酸化することによって形成される。電流通過部47Aの直径は、例えば4μm〜15μmである。   The configurations of the lower composition gradient layer 46, the current confinement layer 47, and the upper composition gradient layer 48 will be described. The current confinement layer 46 includes a current passage portion 47A and a current blocking portion 47B. The current passage portion 47A is disposed at the center of the mesa portion 20 in plan view, and the current blocking portion 47B is disposed so as to surround the current passage portion 47A. The current passage portion 47A is made of AlGaAs. The current blocking portion 47B is formed by selectively oxidizing AlGaAs. The diameter of the current passage portion 47A is, for example, 4 μm to 15 μm.

下部組成傾斜層46及び上部組成傾斜層48は、p型AlGaAsで形成される。下部組成傾斜層46及び上部組成傾斜層48のAlの組成比は、積層方向に関して電流狭窄層47に近づくに従って、電流通過部47AのAlの組成比に近づく。電流狭窄層47は、上部電極56から活性層44に注入されるキャリアを、電流通過部47Aの直下の領域に集中させる。   The lower composition gradient layer 46 and the upper composition gradient layer 48 are formed of p-type AlGaAs. The Al composition ratio of the lower composition gradient layer 46 and the upper composition gradient layer 48 approaches the Al composition ratio of the current passage portion 47A as it approaches the current confinement layer 47 in the stacking direction. The current confinement layer 47 concentrates carriers injected from the upper electrode 56 into the active layer 44 in a region immediately below the current passage portion 47A.

p型スペーサ層49、51は、例えばp型AlGaAsで形成される。p型高導電率層50は、例えばp型AlGaAsで形成される。p型高導電率層50は、上部電極56から注入されたキャリアを面内方向に輸送する経路となる。p型高導電率層50を配置することにより、上部電極56から注入されたキャリアを、より効率的に電流通過部47Aに集中させることができる。   The p-type spacer layers 49 and 51 are made of, for example, p-type AlGaAs. The p-type high conductivity layer 50 is made of, for example, p-type AlGaAs. The p-type high conductivity layer 50 provides a path for transporting carriers injected from the upper electrode 56 in the in-plane direction. By disposing the p-type high conductivity layer 50, the carriers injected from the upper electrode 56 can be more efficiently concentrated on the current passage portion 47A.

p型コンタクト層52は、例えばp型GaAsで形成される。   The p-type contact layer 52 is made of, for example, p-type GaAs.

上部DBR膜53は、交互に積層された複数の低屈折率層と複数の高屈折率層とを含む。例えば、低屈折率層にSiOが用いられ、高屈折率層にSiNが用いられる。上部DBR膜53は、下部DBR膜41と同様に、活性層44の発光波長域の光を反射する。 The upper DBR film 53 includes a plurality of low refractive index layers and a plurality of high refractive index layers that are alternately stacked. For example, SiO 2 is used for the low refractive index layer, and SiN is used for the high refractive index layer. Similar to the lower DBR film 41, the upper DBR film 53 reflects light in the emission wavelength region of the active layer 44.

実施例1においては、図2に示したように、光ファイバ10と発光素子21とを光学的に結合する際に、メサ部20を凹部15に挿入することにより、両者を容易に位置合わせすることができる。活性層44(図4B)がメサ部20内に位置するため、メサ部20を凹部15に挿入することにより、発光部位である活性層44がコア11に位置合わせされる。   In the first embodiment, as shown in FIG. 2, when the optical fiber 10 and the light emitting element 21 are optically coupled, the mesa portion 20 is inserted into the concave portion 15 so that they can be easily aligned. be able to. Since the active layer 44 (FIG. 4B) is located in the mesa portion 20, the active layer 44 that is a light emitting portion is aligned with the core 11 by inserting the mesa portion 20 into the recess 15.

光ファイバ10と発光素子21との位置合わせが完了した後、発光素子21を光ファイバ10に固定する。発光素子21と光ファイバ10との固定は、両者をパッケージに装填することにより行うことができる。メサ部20が凹部15に挿入されているため、光ファイバ10と発光素子21との位置ずれが生じにくい。このため、パッケージへの装填の作業性を高めることができる。   After the alignment between the optical fiber 10 and the light emitting element 21 is completed, the light emitting element 21 is fixed to the optical fiber 10. The light emitting element 21 and the optical fiber 10 can be fixed by loading them in a package. Since the mesa portion 20 is inserted into the concave portion 15, it is difficult for the optical fiber 10 and the light emitting element 21 to be misaligned. For this reason, the workability | operativity of the loading to a package can be improved.

凹部15へのメサ部20の挿入を容易にするために、発光素子21のメサ部20の上面を、光ファイバ10の中心軸に垂直な断面へ投影した図形が、凹部15の底面を、同一の断面へ投影した図形に内包されるようにすることが好ましい。一例として、メサ部20の上面の径が、エッチングされた光ファイバ10の凹部15の底面の径より小さくなるようにすればよい。   In order to facilitate the insertion of the mesa unit 20 into the recess 15, the figure obtained by projecting the upper surface of the mesa unit 20 of the light emitting element 21 onto the cross section perpendicular to the central axis of the optical fiber 10 is the same as the bottom surface of the recess 15. It is preferable to be included in the figure projected onto the cross section. As an example, the diameter of the upper surface of the mesa portion 20 may be made smaller than the diameter of the bottom surface of the recessed portion 15 of the etched optical fiber 10.

さらに、実施例1においては、発光素子21の、光を射出する面(メサ部20の上面)が、コア11の端面に近接して対向するため、両者の間の光の結合効率を高めることができる。   Furthermore, in Example 1, the light emitting surface (the upper surface of the mesa unit 20) of the light emitting element 21 is opposed to the end surface of the core 11 so as to increase the light coupling efficiency between the two. Can do.

[実施例2]
図5Aに、実施例2による光モジュールに用いられる光ファイバの端面の正面図を示す。以下、実施例1との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例2による光ファイバ10には、クラッド12内に複数のコア11が配置されている。すなわち、実施例2による光ファイバ10は、いわゆるマルチコアファイバである。一例として、実施例2による光ファイバ10は、7本のコア11を含む。1本のコア11は、光ファイバ11の中心軸と一致する位置に配置され、他の6本のコア11は、図5Aに示した例では、中心軸を回転中心とした6回回転対称となる位置に配置されている。
[Example 2]
FIG. 5A is a front view of the end face of the optical fiber used in the optical module according to the second embodiment. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described, and description of the same configuration will be omitted. In the optical fiber 10 according to the second embodiment, a plurality of cores 11 are arranged in a clad 12. That is, the optical fiber 10 according to the second embodiment is a so-called multicore fiber. As an example, the optical fiber 10 according to the second embodiment includes seven cores 11. One core 11 is arranged at a position that coincides with the central axis of the optical fiber 11, and the other six cores 11 have six-fold rotational symmetry about the central axis in the example shown in FIG. 5A. It is arranged at the position.

コア11の本数を7本以外の本数としてもよい。例えば、4本のコア11を配置する場合、1本のコア11を光ファイバ10の中心軸の位置に配置し、他の3本のコア11を、光ファイバ10の中心軸を回転中心として3回回転対称となる位置に配置するようにしてもよい。より一般的に、(n+1)本のコア11を配置する場合、1本のコア11を光ファイバ10の中心軸の位置に配置し、他のn本のコア11を、光ファイバ10の中心軸を回転中心としてn回回転対称となる位置に配置するようにしてもよい。ここで、nは2以上の整数である。   The number of cores 11 may be other than seven. For example, when four cores 11 are arranged, one core 11 is arranged at the position of the central axis of the optical fiber 10, and the other three cores 11 are arranged with the central axis of the optical fiber 10 as the rotation center. You may make it arrange | position in the position used as rotational rotation symmetry. More generally, when (n + 1) cores 11 are arranged, one core 11 is arranged at the position of the central axis of the optical fiber 10, and the other n cores 11 are arranged at the central axis of the optical fiber 10. May be arranged at a position that is n times rotationally symmetric with respect to the rotation center. Here, n is an integer of 2 or more.

光ファイバ10の中心軸に沿って1本のコア11を配置して、他の複数のコア11を光ファイバ10の中心軸を回転中心とした回転対称の位置に配置する形態だけではなく、光ファイバ10の中心軸に沿ってコア11を配置しない形態であってもよい。この場合は、光ファイバ10内に配置された複数のコア11の配置場所に対応して、支持基板30の表面に複数の発光素子21を形成するようにする。   One core 11 is arranged along the central axis of the optical fiber 10, and other cores 11 are arranged not only in a rotationally symmetric position with the central axis of the optical fiber 10 as the rotation center, The form which does not arrange | position the core 11 along the central axis of the fiber 10 may be sufficient. In this case, a plurality of light emitting elements 21 are formed on the surface of the support substrate 30 in correspondence with the arrangement locations of the plurality of cores 11 arranged in the optical fiber 10.

図5Bに、図5Aの一点鎖線5B−5Bにおける光モジュールの断面図を示す。光ファイバ10の端面14に、コア11に対応して凹部15が形成されている。支持基板30の表面に、複数の発光素子21が形成されている。発光素子21の各々は、メサ部20を含む。メサ部20は、基板30を光ファイバ10の端面14に対向させた状態で、凹部15に対応する位置に配置されている。メサ部20が、対応する凹部15に挿入されている(嵌合している)。   FIG. 5B shows a cross-sectional view of the optical module taken along one-dot chain line 5B-5B in FIG. 5A. A recess 15 is formed in the end face 14 of the optical fiber 10 corresponding to the core 11. A plurality of light emitting elements 21 are formed on the surface of the support substrate 30. Each of the light emitting elements 21 includes a mesa unit 20. The mesa unit 20 is disposed at a position corresponding to the recess 15 in a state where the substrate 30 is opposed to the end face 14 of the optical fiber 10. The mesa portion 20 is inserted (fitted) into the corresponding recess 15.

図6に、実施例2による発光素子21及び支持基板30の平面図を示す。支持基板30の表面に、複数、例えば7個の発光素子21が形成されている。発光素子21の各々は、図4A及び図4Bに示した実施例1による発光素子21と同一の構造を有する。発光素子21の各々は、上部電極56と下部電極55とを含む。発光素子21に対応して、一対のパッド60、61が基板30の表面に形成されている。   FIG. 6 is a plan view of the light emitting element 21 and the support substrate 30 according to the second embodiment. A plurality of, for example, seven light emitting elements 21 are formed on the surface of the support substrate 30. Each of the light emitting elements 21 has the same structure as the light emitting element 21 according to Example 1 shown in FIGS. 4A and 4B. Each of the light emitting elements 21 includes an upper electrode 56 and a lower electrode 55. A pair of pads 60 and 61 are formed on the surface of the substrate 30 corresponding to the light emitting element 21.

引出線58が、下部電極55と一方のパッド60とを接続する。引出線57が、上部電極56と他方のパッド61とを接続する。パッド60、61から発光素子21に電流が供給される。   Leader line 58 connects lower electrode 55 and one pad 60. A lead line 57 connects the upper electrode 56 and the other pad 61. Current is supplied from the pads 60 and 61 to the light emitting element 21.

実施例2においても、メサ部20(図5B)を凹部15(図5B)に挿入することにより、光ファイバ10と発光素子21との位置合わせを容易に行うことができる。また、複数のコア11と複数の発光素子21とを同時に位置合わせすることが可能であるため、シングルコアの光ファイバを1本ずつ発光素子と結合させる構成に比べて、作業効率を高めることができる。   Also in Example 2, the alignment between the optical fiber 10 and the light emitting element 21 can be easily performed by inserting the mesa portion 20 (FIG. 5B) into the concave portion 15 (FIG. 5B). Further, since the plurality of cores 11 and the plurality of light emitting elements 21 can be aligned at the same time, the working efficiency can be improved as compared with the configuration in which single core optical fibers are coupled to the light emitting elements one by one. it can.

実施例2によるマルチコアファイバ及び発光素子は、例えば、コンピュータ内の光配線(インターコネクション)等に適用することが可能である。   The multi-core fiber and the light emitting element according to the second embodiment can be applied to, for example, optical wiring (interconnection) in a computer.

[実施例3]
図7Aに、実施例3による光モジュールに用いられる光ファイバの端面の正面図を示す。以下、実施例2との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例3による光ファイバ10は、クラッド12内に、コア11の他にコア識別用マーカ17が配置されている。コア識別用マーカ17は、コア11と同様に光ファイバ10の軸方向に沿って配置される。一例として、コア識別用マーカ17はコア11と同一の材料で形成される。また、コア識別用マーカ17を空孔で形成してもよい。
[Example 3]
FIG. 7A is a front view of the end face of the optical fiber used in the optical module according to the third embodiment. Hereinafter, differences from the second embodiment will be described, and description of the same configuration will be omitted. In the optical fiber 10 according to the third embodiment, a core identifying marker 17 is disposed in the clad 12 in addition to the core 11. The core identifying marker 17 is arranged along the axial direction of the optical fiber 10 in the same manner as the core 11. As an example, the core identification marker 17 is formed of the same material as the core 11. Further, the core identifying marker 17 may be formed of holes.

7本のコア11は、光ファイバ10の断面内において6回回転対称となるパターンを構成している。コア識別用マーカ17は、コア11と重ならず、かつ光ファイバ10の中心から外れた位置に配置されている。コア識別用マーカ17は、コア11の配置の回転対称性を崩している。コア識別用マーカ17の位置を認識することにより、6回回転対称の位置に配置された6本のコア11を相互に容易に区別することができる。   The seven cores 11 form a pattern that is 6-fold rotationally symmetric in the cross section of the optical fiber 10. The core identifying marker 17 is not overlapped with the core 11 and is disposed at a position off the center of the optical fiber 10. The core identifying marker 17 breaks the rotational symmetry of the arrangement of the cores 11. By recognizing the position of the core identification marker 17, the six cores 11 arranged at the six-fold rotationally symmetric positions can be easily distinguished from each other.

図7Bに、図7Aの一点鎖線7B−7Bにおける光モジュールの断面図を示す。光ファイバ10の端面14に、コア11に対応する凹部15の他に、位置合わせ用凹部18が形成されている。位置合わせ用凹部18は、コア識別用マーカ17に対応する位置に配置されている。マーカ17がコア11と同一の材料で形成されている場合には、凹部15をエッチングによって形成するときに、位置合わせ用凹部18も同時に形成される。マーカ17が空孔で形成されているとき、凹部15をエッチングによって形成するときに、空孔の開口部近傍(光ファイバ10の端面14の近傍)のクラッド12がエッチングされることにより、位置合わせ用凹部18が形成される。   7B shows a cross-sectional view of the optical module taken along one-dot chain line 7B-7B in FIG. 7A. In addition to the recess 15 corresponding to the core 11, an alignment recess 18 is formed on the end face 14 of the optical fiber 10. The alignment recess 18 is arranged at a position corresponding to the core identification marker 17. When the marker 17 is formed of the same material as that of the core 11, when the recess 15 is formed by etching, the alignment recess 18 is also formed at the same time. When the marker 17 is formed with a hole, when the recess 15 is formed by etching, the cladding 12 in the vicinity of the opening of the hole (near the end face 14 of the optical fiber 10) is etched, thereby aligning the position. A recess 18 is formed.

発光素子21が形成されている支持基板30の表面に、発光素子21を構成するメサ部20の他に、位置合わせ用の凸部22が形成されている。発光素子21のメサ部20が凹部15に挿入されると同時に、凸部22が、位置合わせ用凹部18に挿入される。凸部22を位置合わせ用凹部18に位置合わせして挿入することにより、複数の発光素子21が形成された基板30と、光ファイバ10との回転方向の位置合わせを容易に行うことができる。   On the surface of the support substrate 30 on which the light emitting element 21 is formed, a convex portion 22 for alignment is formed in addition to the mesa portion 20 constituting the light emitting element 21. At the same time as the mesa portion 20 of the light emitting element 21 is inserted into the recess 15, the projection 22 is inserted into the alignment recess 18. By aligning and inserting the convex portion 22 into the alignment concave portion 18, it is possible to easily align the rotation direction of the optical fiber 10 with the substrate 30 on which the plurality of light emitting elements 21 are formed.

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。   Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

10 光ファイバ
11 コア
12 クラッド
13 被覆層
14 端面
15 凹部
16 透明媒体
17 コア識別用マーカ
18 位置合わせ用凹部
20 メサ部
21 発光素子
22 位置合わせ用の凸部
30 支持基板
40 基板
41 下部DBR膜
42 n型コンタクト層
43 n型クラッド層
44 活性層
45 p型クラッド層
46 下部組成傾斜層
47 電流狭窄層
48 上部組成傾斜層
49 p型スペーサ層
50 p型高導電率層
51 p型スペーサ層
52 p型コンタクト層
53 上部DBR膜
54 絶縁膜
55 下部電極
56 上部電極
57 引出線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Optical fiber 11 Core 12 Cladding 13 Cover layer 14 End face 15 Recess 16 Transparent medium 17 Core identification marker 18 Positioning recess 20 Mesa 21 Light emitting element 22 Positioning convex 30 Support substrate 40 Substrate 41 Lower DBR film 42 n-type contact layer 43 n-type cladding layer 44 active layer 45 p-type cladding layer 46 lower composition gradient layer 47 current confinement layer 48 upper composition gradient layer 49 p-type spacer layer 50 p-type high conductivity layer
51 p-type spacer layer 52 p-type contact layer 53 upper DBR film 54 insulating film 55 lower electrode 56 upper electrode 57 leader line

Claims (10)

複数のコアと、
前記コアを覆うクラッドと、
前記コアと重ならず、前記クラッドの中心から外れた位置に配置されたコア識別用マーカと、
前記複数のコアの各々に対応して、端面に形成された凹部と、
前記コア識別用マーカに対応する位置に配置された位置合わせ用凹部と
を有し、
前記凹部に、同一の基板上に形成された複数の発光素子の各々のメサ部が挿入され、前記メサ部の上面から射出された光が少なくとも前記凹部の底面に入射することにより、前記コアに前記発光素子が光学的に結合し、
前記コアは、前記クラッドの中心軸を回転中心として回転対称となる位置に配置されており、前記コア識別用マーカは前記コアの回転対称性を崩す位置に配置されている光ファイバ。
With multiple cores,
A clad covering the core;
A core identifying marker that does not overlap the core but is located at a position off the center of the cladding;
Corresponding to each of the plurality of cores, a recess formed in the end surface;
An alignment recess disposed at a position corresponding to the core identification marker;
Each mesa portion of a plurality of light emitting elements formed on the same substrate is inserted into the recess, and light emitted from the top surface of the mesa portion enters at least the bottom surface of the recess, thereby entering the core. The light emitting element is optically coupled;
The core is disposed at a position that is rotationally symmetric about the center axis of the clad, and the core identification marker is disposed at a position that breaks the rotational symmetry of the core.
前記発光素子の前記メサ部の上面を、前記光ファイバの中心軸に垂直な断面へ投影した図形が、前記凹部の底面を、前記断面へ投影した図形に内包される請求項1に記載の光ファイバ。   The light according to claim 1, wherein a figure obtained by projecting the upper surface of the mesa portion of the light emitting element onto a cross section perpendicular to the central axis of the optical fiber is included in a figure obtained by projecting the bottom surface of the concave portion onto the cross section. fiber. 前記凹部の底面が、前記コアの端面で構成される請求項1または2に記載の光ファイバ。   The optical fiber according to claim 1, wherein a bottom surface of the concave portion is constituted by an end surface of the core. 前記凹部の側面に前記クラッドが露出している請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光ファイバ。   The optical fiber according to any one of claims 1 to 3, wherein the clad is exposed on a side surface of the recess. 上面から光を射出する少なくとも1つのメサ部、前記メサ部内に位置する活性層、上部電極、及び下部電極を含み、前記上部電極は前記メサ部の上面にオーミック接触する発光素子と、
前記発光素子と光学的に結合する光ファイバと
を有し、
前記光ファイバは、
少なくとも1本のコアと、
クラッドと、
端面に形成された凹部と
を有し、
前記発光素子の前記メサ部が前記凹部に挿入されており、前記発光素子から射出した光が、前記凹部の底面に入射することにより、前記発光素子が前記コアに光学的に結合する光モジュール。
A light emitting device including at least one mesa portion emitting light from an upper surface, an active layer located in the mesa portion, an upper electrode, and a lower electrode, wherein the upper electrode is in ohmic contact with the upper surface of the mesa portion;
An optical fiber optically coupled to the light emitting element;
The optical fiber is
At least one core;
Clad,
A recess formed on the end face,
An optical module in which the mesa portion of the light emitting element is inserted into the recess, and the light emitted from the light emitting element is incident on the bottom surface of the recess to optically couple the light emitting element to the core.
前記光ファイバは、前記1本のコアの他に複数の他のコアを含み前記凹部の他に前記複数の他のコアにそれぞれ対応して端面に形成された複数の他の凹部を含み、
前記発光素子は、複数のメサ部を含み、
前記複数のメサ部が、それぞれ前記複数の凹部に収容されている請求項5に記載の光モジュール。
Said optical fiber, said include one other to a plurality of other core of the core comprises in addition to corresponding to said plurality of other core formed on the end face a plurality of other of the recess of the recess,
The light emitting element includes a plurality of mesas,
The optical module according to claim 5, wherein the plurality of mesa portions are accommodated in the plurality of concave portions, respectively.
前記発光素子は、面発光型半導体レーザ素子または発光ダイオードである請求項5または6に記載の光モジュール。   The optical module according to claim 5, wherein the light emitting element is a surface emitting semiconductor laser element or a light emitting diode. 前記下部電極は、前記メサ部を取り囲むように形成されている請求項5乃至7のいずれか1項に記載の光モジュール。   The optical module according to claim 5, wherein the lower electrode is formed so as to surround the mesa portion. 上面から光を射出する複数のメサ部を含む発光素子と、
前記発光素子と光学的に結合する光ファイバと
を有し、
前記光ファイバは、
複数のコアと、
クラッドと、
端面に形成された複数の凹部と、
前記光ファイバの断面内において、前記コアと重ならない位置に配置されたコア識別用のマーカと、
前記光ファイバの前記端面の、前記マーカの位置に形成された位置合わせ用凹部と
を有し、
前記発光素子は、さらに、前記位置合わせ用凹部に挿入された凸部を有し、
前記発光素子の複数の前記メサ部が複数の前記凹部に挿入されており、前記発光素子から射出した光が、前記凹部の底面に入射することにより、前記発光素子が前記コアに光学的に結合する光モジュール。
A light emitting element including a plurality of mesas that emit light from the upper surface;
An optical fiber optically coupled to the light emitting element;
The optical fiber is
With multiple cores,
Clad,
A plurality of recesses formed on the end face;
In the cross section of the optical fiber, a core identification marker arranged at a position not overlapping the core;
An alignment recess formed at the position of the marker on the end face of the optical fiber;
The light emitting element further includes a convex portion inserted into the alignment concave portion,
A plurality of the mesa portions of the light emitting element are inserted into the plurality of concave portions, and light emitted from the light emitting element is incident on the bottom surface of the concave portion, so that the light emitting element is optically coupled to the core. Optical module.
クラッドと、複数のコアと、コア識別用マーカとを有する光ファイバの端面から、前記コア及び前記コア識別用マーカのエッチングレートが前記クラッドのエッチングレートよりも速い条件で、前記コア、前記コア識別用マーカ、及び前記クラッドをエッチングすることにより、前記コアに対応する部分に凹部を形成するとともに、前記コア識別用マーカに対応する位置に位置合わせ用凹部を形成する工程と、
上面から光を射出する複数のメサ部及び位置合わせ用凸部を含む発光素子の前記メサ部を、前記光ファイバの前記凹部に挿入するとともに、前記位置合わせ用凸部を前記位置合わせ用凹部に挿入する工程と、
前記メサ部が前記凹部に挿入され、前記位置合わせ用凸部が前記位置合わせ用凹部に挿入された状態で、前記光ファイバを前記発光素子に固定する工程と
を有し、
前記複数のコアは、前記クラッドの中心軸を回転中心として回転対称となる位置に配置されており、前記コア識別用マーカは前記コアの回転対称性を崩す位置に配置されている光モジュールの製造方法。
From the end face of the optical fiber having a cladding, a plurality of cores, and a core identification marker, the core and the core identification are performed under a condition that an etching rate of the core and the core identification marker is faster than an etching rate of the cladding. Forming a recess in a portion corresponding to the core by etching the marker and the clad, and forming a positioning recess in a position corresponding to the core identification marker;
The mesa portion of the light emitting element including a plurality of mesa portions emitting light from the upper surface and the alignment convex portion is inserted into the concave portion of the optical fiber, and the alignment convex portion is used as the alignment concave portion. Inserting, and
Fixing the optical fiber to the light emitting element in a state where the mesa portion is inserted into the recess and the alignment convex portion is inserted into the alignment recess,
The plurality of cores are arranged at positions that are rotationally symmetric about the center axis of the cladding, and the core identification marker is arranged at a position that breaks the rotational symmetry of the cores. Method.
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