JP6127402B2 - 点灯装置及びこの点灯装置を備える照明器具 - Google Patents

点灯装置及びこの点灯装置を備える照明器具 Download PDF

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Description

本発明は、LEDモジュールの着脱の検出精度を高めた点灯装置及びこの点灯装置を備える照明器具に関する。
定電流回路によって、負荷が異なる場合であっても、LEDを点灯させる技術がある。(例えば、特許文献1参照。)
また、定電流回路にLEDが接続されたことを検出して、LEDを点灯させる技術がある。(例えば、特許文献2参照。)
特開2011−210659号公報 特開2011−9232号公報
しかしながら、LEDに直列接続されたスイッチング素子を用いて、定電流回路に接続されたときに、LEDに電流を流れるように制御しているため、スイッチング素子による電力ロスが発生するという課題があった。
本発明は、点灯装置の電力ロスを低減させながら、LEDユニットの接続状態を精度よく検出することを目的とする。
本発明の点灯装置は、入力される交流電流を直流電流に変換する交流直流変換回路と、この交流直流変換回路に接続され、前記LED群に電力を供給する点灯回路と、前記交流直流変換回路に接続されるとともに、前記LEDユニットが取り付けられるとき、前記接続抵抗の影響を受けて検出電圧が変化する接続検出回路と、前記交流直流変換回路に接続され、基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、前記接続検出回路が検出する検出電圧と、前記基準電圧生成回路が生成する基準電圧とを比較する比較器と、前記比較器の比較結果に基づいて、前記点灯回路の動作を制御する点灯用制御回路と、を備えることを特徴とする。
この発明によれば、点灯装置は、電力ロスを低減させながら、LEDユニットの接続状態を精度よく検出することができる。
実施の形態1の照明器具の斜視図である。 図1の照明器具に搭載されるLEDユニット及び点灯装置の回路図である。 図2の点灯装置の回路動作を示す動作波形図である。 図2の点灯装置の回路動作を示す動作波形図である。 実施の形態2の点灯装置の回路図である。 図5の点灯装置の回路動作を示す動作波形図である。
実施の形態1.
図1は、本実施の形態の照明器具の斜視図である。
照明器具1000は、本体100(図示せず)と、この本体100に取付けられる2つのソケット200、点灯装置300(図示せず)及び本体カバー400と、ソケット200に着脱可能に取り付けられるLEDユニット500を備える。
図2は、図1の照明器具に搭載されるLEDユニット及び点灯装置を示す回路図である。
まず、LEDユニット500の回路構成について説明する。
LEDユニット500は、複数のLED511が直列接続されたLED群510(例えば、30個のLED511が直列接続されるLED群510)と、このLED群510に並列に接続される抵抗RLとを備える。なお、この実施の形態におけるLEDユニット500は、いわゆるJIS−C7709などで定められる直管形LEDであるが、これに限定されず、照明器具の内部に内蔵されるものであってもかまわない。
次に点灯装置300の回路構成について説明する。
点灯装置300は、商用電源などに接続され、入力される交流電圧ACを直流電圧に変換する交流直流変換回路310と、この交流直流変換回路310の出力電圧から制御電源Vcc1を生成する制御電源回路320と、LEDユニット500に供給する電流を制御する点灯回路330と、点灯装置300にLEDユニット500が接続されていることを検出する検出回路340と、この検出回路340がLEDユニット500の接続を検出する期間を所定期間マスクするマスク回路350と、点灯回路330に接続されるコネクタ360と、を備える。
交流直流変換回路310は、入力される交流電圧ACをダイオードブリッジDBで脈流の直流電圧に変換する整流回路311と、この脈流の直流電圧を昇圧して平滑された平滑電圧を生成する昇圧チョッパ回路312からなる。
この実施の形態の交流直流変換回路310は、整流回路311と昇圧チョッパ回路312からなる場合について説明するが、これに限定されず、例えば整流回路311が出力する脈流電圧を平滑コンデンサで平滑するコンデンサインプット形の交流直流変換回路を構成してもよい。
昇圧チョッパ回路312は、整流回路311の高電位側に一端が接続されるインダクタL2と、このインダクタL2の他端にアノード端子が接続されるダイオードD2と、このダイオードD2のカソード端子に接続されるコンデンサC2と、ダイオードD2のアノード端子にドレイン端子が接続され、整流回路311の低電位側にソース端子が接続されるnチャネルMOS−FET Q2と、このnチャネルMOS−FET Q2のゲート端子に接続され、このnチャネルMOS−FET Q2のオン/オフを制御する昇圧用制御回路IC2と、を備える。
昇圧用制御回路IC2は、整流回路311の出力電圧波形とコンデンサC2に充電される電圧値とnチャネルMOS−FET Q2に流れる電流をウォッチしながら、nチャネルMOS−FET Q2のオン/オフを制御する。このように、昇圧用制御回路IC2がnチャネルMOS−FET Q2を制御することによって、インダクタL2にエネルギーを蓄積と放出を繰り返し、昇圧チョッパ回路312は、入力される脈流の直流電圧よりも高い電圧に昇圧し、コンデンサC2によって平滑された平滑電圧を生成する。
制御電源回路320は、例えば、スイッチング電源回路、定電圧レギュレータ回路、抵抗降圧回路などで構成される。
点灯回路330は、昇圧チョッパ回路312の高電位側に接続されるコンデンサC1及びダイオードD1と、このダイオードD1のアノード端子とコンデンサC1との間に接続されるトランスL1と、このトランスL1にドレイン端子が接続されるnチャネルMOS−FET Q1と、このnチャネルMOS−FET Q1のソース端子と昇圧チョッパ回路312の低電位側との間に接続される抵抗Rsと、nチャネルMOS−FET Q1のゲート端子に接続される点灯用制御回路IC1と、トランスL1と点灯用制御回路IC1との間に接続される抵抗R6と、点灯用制御回路IC1のVcc端子及びEN端子間に接続される抵抗R23と、アノード端子が昇圧チョッパ回路312の低電位側に接続され、カソード端子がトランスL1とコンデンサC1(抵抗R1)との中点に接続されるダイオードD4と、を備える。
なお、この実施の形態における点灯回路330は、いわゆるフォワード型コンバータを構成している場合について説明するが、フライバック型コンバータなどで構成している場合であってもよい。
トランスL1は、1次巻線Lpと、2次巻線Lsを有する。
1次巻線Lpは、巻き始め側の一端がコンデンサC1に接続され、他端がダイオードD1のアノード端子に接続される。
2次巻線Lsは、巻き始め側の一端が昇圧チョッパ回路312の低電位側に接続され、他端が抵抗R6を介して、点灯用制御回路IC1のZCD端子に接続される。
点灯用制御回路IC1は、抵抗Rsに流れる電流を検出するとともに、2次巻線Lsに発生する電圧から1次巻線Lpに蓄積されるエネルギー量を検出して、nチャネルMOS−FET Q1のスイッチングを制御する。この抵抗Rsに流れる電流は、LEDユニット500に流れる電流に相当し、点灯用制御回路IC1がnチャネルMOS−FET Q1のスイッチングを制御することで、LEDユニット500に流れる電流を略一定となるようにフィードバック制御することができる。
ダイオードD4は、LED511の点灯制御中にLEDユニット500が外されたときに、負荷の急激な変動によってコイルL1に蓄えられたエネルギーが放電される際、nチャネルMOS−FET Q1に逆電圧が印加されたりするのを防止するための保護用素子である。
抵抗R6は、電流を制限する機能を有している。
コンデンサC1は、LED群510に印加する電圧を平準化する。
抵抗R23は、プルアップ抵抗であり、点灯用制御回路IC1のEN端子に、例えば5VのHIGH信号を入力するためのものである。
ダイオードD1は、nチャネルMOS−FET Q1がオンのとき1次巻線Lpが磁化されたエネルギーを、nチャネルMOS−FET Q1がオフのときにコンデンサC1に帰還させる。
検出回路340は、昇圧チョッパ回路312の出力端子間に接続される抵抗R4、R5と、この抵抗R5に並列に接続されるコンデンサC13と、トランスL1の1次巻線Lpの一端側と昇圧チョッパ回路312の低電位側に接続される抵抗R2、R3と、抵抗R3に並列に接続されるコンデンサC14と、反転入力端子CP1−がコンデンサC14に接続され、非反転入力端子CP1+がコンデンサC13に接続される比較器CP1と、この比較器CP1の出力端子CP1oと制御電源Vcc1との間に接続される抵抗R17と、比較器CP1の出力端子CP1oに接続される抵抗R18と、ベース端子に抵抗R18が接続されるトランジスタQ12と、このトランジスタQ12のベース端子とエミッタ端子に接続されるコンデンサC12と、を備える。ここで、抵抗R1〜R3及びコンデンサC14で構成される回路を接続検出回路341といい、抵抗R4、抵抗R5及びコンデンサC13で構成される回路を基準電圧生成回路342という場合がある。
比較器CP1の非反転入力端子CP1+に入力される電圧をVCP1+、昇圧チョッパ回路312の平滑電圧をVDC、反転入力端子CP1−に入力される電圧をVCP1−、抵抗R1〜R5、RLの抵抗値をそれぞれr1〜r5、rlとする。
このとき、比較器CP1に入力される反転入力端子CP1−と非反転入力端子CP1+の電圧は次の式で表される。
VCP1+=VDC/(r4/r5)×r5 ・・・ (式1)
VCP1−=VDC/(1/(1/rl+1/r1)+r2+r3)×r3 ・・・ (式2)
このとき、検出回路340がLEDユニット500を接続するときと、非接続のときの比較器CP1に入力される反転入力端子CP−と非反転入力端子CP+の電圧の関係は、LEDユニット500が接続されていないとき、抵抗値rlは∞となるため、次のようになる。
(LEDユニット接続時)
VCP1+<VCP1− ・・・ (式3)
(LEDユニット非接続時)
VCP1+>VCP1− ・・・ (式4)
このように、LEDユニット500が点灯装置300に取付けられた状態と、取り外された状態とで、検出回路340の分圧比が変わり、比較器CP1の反転入力端子CP−と非反転入力端子CP1+に入力される電圧の算出式の分子には、ともに昇圧チョッパ回路312が出力する電圧値VDCが存在するため、この電圧値VDCが変化しても互いをキャンセルすることができる。つまり、抵抗値r1〜r5、rlで設定された電圧によって比較器CP1が比較するので、電圧値VDCの電圧変化の影響を受けることがなく、LEDユニット500の接続検出の精度を高めることができる。
マスク回路350は、トランスL1の2次巻線Lsの他端にアノード端子が接続されるダイオードD3と、このダイオードD3のカソード端子に接続される抵抗R11と、この抵抗R11と昇圧チョッパ回路312の低電位側に接続される抵抗R12と、この抵抗R12に並列に接続されるコンデンサC11と、制御電源回路320(制御電源Vcc1)と昇圧チョッパ回路312の低電位側に接続される抵抗R14、R13と、抵抗R13に並列に接続されるコンデンサC15と、反転入力端子CP2−にコンデンサC15が接続され、非反転入力端子CP2+にコンデンサC11が接続される比較器CP2と、この比較器CP2の出力端子CP2oと制御電源回路320(制御電源Vcc1)との間に接続される抵抗R15と、ベース端子が比較器CP2の出力端子CP2oに接続され、コレクタ端子がトランジスタQ12のベース端子に接続され、エミッタ端子が昇圧チョッパ回路312の低電位側に接続されるトランジスタQ11と、を備える。
このマスク回路350は、検出回路340がLEDユニット500の接続を検出した後、LEDユニット500が外されるまでの間、検出回路340の出力をLOW信号にするためのものである。
比較器CP2の反転入力端子CP2−には、制御電源Vcc1を抵抗R14、R13で分圧し、この分圧した電圧を、比較器CP2の基準電圧として入力する。
nチャネルMOS−FET Q1がオン/オフ制御されると1次巻線Lpに電流が流れ、鉄心が励磁され、2次巻線Lsに電圧が発生する。この2次巻線Lsに発生した電圧は、ダイオードD3を抵抗R11、R12に印加され、この抵抗R11とR12に分圧された電圧が比較器CP2の非反転入力端子CP2+に入力される。
次に、各回路の動作を説明する。
図3は、図2の点灯装置の回路動作を示す動作波形図である。
図3(a)は、交流電圧ACのオン/オフ状態、図3(b)は、制御電源Vcc1の電圧、図3(c)は、昇圧チョッパ回路312の出力電圧VDC、図3(d)は、比較器CP1の非反転入力端子CP1+、反転入力端子CP1−に入力される電圧、図3(e)は、比較器CP1の出力端子CP1oの電圧、図3(f)は、比較器CP2の非反転入力端子CP2+、反転入力端子CP2−に入力される電圧、図3(g)は、比較器CP2の出力端子CP2oの電圧、図3(h)は、点灯用制御回路IC1のEN端子に入力される電圧、図3(i)は、nチャネルMOS−FET Q1のスイッチング状態、図3(j)は、コネクタ360の両端電圧VCNをそれぞれ示す図である。
この実施の形態において、点灯用制御回路IC1、昇圧用制御回路IC2の動作電圧は、比較器CP1、CP2の動作電圧よりも高い電圧とし、比較器CP1、CP2が動作開始する電圧をV1、点灯用制御回路IC1、昇圧用制御回路IC2が動作開始する電圧をV2とする。
まず、交流電源ACを投入して、点灯装置300がLEDユニット500に電力を供給し、LED511を点灯する動作について説明する。
交流電圧ACが供給されると、制御電源回路320が制御電源Vcc1を生成すると共に、抵抗R1及び抵抗RL(以下、抵抗R1と抵抗RLの合成抵抗のことを合成抵抗R1Lという。)→抵抗R2→抵抗R3のループと、抵抗R4→抵抗R5のループに電流が流れ、比較器CP1の反転入力端子CP1−、非反転入力端子CP1+にはそれぞれ電圧が印加される(時間T1〜T2)。反転入力端子CP1−の電圧は、図3(d)に実線で示し、非反転入力端子CP1+の電圧は、図3(d)に破線で示す。
制御電源Vcc1の電圧値がV1に達すると、比較器CP1、CP2が起動する(時間T3)。しかしながら、点灯用制御回路IC1、昇圧用制御回路IC2は、起動していないので、nチャネルMOS−FET Q1、nチャネルMOS−FET Q2のスイッチングを制御していない(オフ状態)となっている。そのため、昇圧チョッパ回路312が出力する出力電圧VDCは、整流回路311が出力する脈流のピーク電圧に相当する電圧Vdc1であり、LED群510を点灯することができない。
このときの出力電圧VDCが、抵抗R1・抵抗RL、抵抗R2及び抵抗R3によって分圧され、また、同様に出力電圧VDCが、抵抗R4と抵抗R5によって分圧される。これら分圧された電圧が、比較器CP1の反転入力端子CP1−に電圧値Vcp11、非反転入力端子CP1+に電圧値Vcp14がそれぞれ入力され、比較器CP1が比較して、その結果を出力する。
LEDユニット500が接続されているとき、抵抗R1と抵抗RLの合成抵抗になるので、合成インピーダンスが下がっており、比較器CP1の出力(プルアップ抵抗である抵抗R17の出力)はLOW信号となり、トランジスタQ12のベース端子に電流が流れないので、トランジスタQ12はオフとなる。
したがって、プルアップ抵抗である抵抗R23から点灯用制御回路IC1のEN端子に電圧が印加される。
制御電源Vcc1の電圧値が上昇して電圧値V2に達すると、点灯用制御回路IC1、昇圧用制御回路IC2が起動する(時間T4)。
この点灯用制御回路IC1は、EN端子に電圧が印加されると、nチャネルMOS−FET Q1のスイッチングを開始する。nチャネルMOS−FET Q1がスイッチングを開始すると、トランスL1の1次巻線Lpに電流が流れ始め、2次巻線Lsに2次電圧が発生する。
同時に、昇圧用制御回路IC2も動作を開始し、昇圧用制御回路IC2は、nチャネルMOS−FET Q2のスイッチングして、整流回路311の脈流の直流電圧の昇圧を開始する。
マスク回路350は、制御電源Vcc1が供給されると、抵抗R14と抵抗R13に分圧された電圧が比較器CP2の反転入力端子CP2−に入力され、nチャネルMOS−FET Q1がスイッチング動作する前は、非反転入力端子CP2+には電圧が印加されず、比較器CP2の出力(プルアップ抵抗R15の出力)は、LOW信号となる。したがってトランジスタQ11のベース端子には電流が流れず、トランジスタQ11はオフとなっている。反転入力端子CP2−の電圧は、図3(f)に破線で示し、非反転入力端子CP2+の電圧は、図3(f)に実線で示す。
また、nチャネルMOS−FET Q1がスイッチング動作を開始すると、2次巻線Lsに発生する2次電圧を抵抗R11、R12で分圧し、この分圧した電圧を比較器CP2の非反転入力端子CP2+に印加する。比較器CP2の出力は、HIGH信号となり、トランジスタQ11のベース端子に電流が流れ、トランジスタQ11がオンする(時間T5〜時間T7)。
したがって、点灯用制御回路IC1が制御動作を開始し、nチャネルMOS−FET Q1のスイッチング制御を行うまでの間、比較器CP1の出力をLOW信号にすることができ、制御電源Vcc1の電圧値が規定電圧まで上昇していく不安定な状態であっても、誤動作なくLEDユニット500の接続を検出することができる。
次に、LEDユニット500が点灯中に、点灯装置300からLEDユニット500を外す場合の動作について説明する。
LEDユニット500が外されると、電流がLEDユニット500(LED群510と抵抗RL)を介して流れるループがなくなって抵抗R1を介して流れるループのみになり、LED511が点灯しているときのインピーダンスに比して、抵抗R1は非常に大きいインピーダンス(抵抗値)を持っており、nチャネルMOS−FET Q1をオンにしても抵抗Rsに電流が流れず、点灯用制御回路IC1はnチャネルMOS−FET Q1をターンオフすることなく、ターンオン状態(時間T8〜時間T12)を継続する。
そのため、トランスL1の2次巻線Lsには2次電圧が発生しなくなるので、比較器CP2の非反転入力端子CP2+に電圧が印加されなくなり、比較器CP2はLOW信号を出力し、比較器CP1の出力のマスクを解除する。
なお、この実施の形態における点灯装置300の制御電源装置320は、LEDユニット500を外しても、制御電源Vcc1を出力し続けるものとする。
LEDユニット500が外されて、点灯回路330から抵抗RLが切り離されているので、比較器CP1の反転入力端子CP1−に入力される入力電圧Vcp1−は、抵抗R1〜R3の分圧で決定される。
比較器CP1の非反転入力端子CP1+に入力される入力電圧Vcp1+は、抵抗R4、R5でLEDユニット500が接続されているときと変わりがない。
したがって、抵抗R1と抵抗RLとの合成抵抗値よりも抵抗R1のみの場合の方が、インピーダンスが高くなるので、比較器CP1の反転入力端子CP1−に入力される入力電圧Vcp1−が下がる。よって、比較器CP1の非反転入力端子CP1+に入力される入力電圧Vcp1+よりも反転入力端子CP1−に入力される入力電圧Vcp1−のほうが低いので、比較器CP1の出力はLOW信号となり、抵抗R17からトランジスタQ12のベース端子に電流が流れなくなり、トランジスタQ12はオフする。
そのため、抵抗R23から点灯用制御回路IC1のEN端子に印加される電圧が徐々に低下する。点灯用制御回路IC1のEN端子に印加される電圧Veが動作スレッシュ電圧Vstopよりも低くなると、点灯用制御回路IC1はnチャネルMOS−FET Q1のスイッチングを停止する。
このように、抵抗R1〜R3、RLの分圧比によって、検出回路340が、LEDユニット500の着脱を検出するので、昇圧チョッパ回路312の出力電圧VDCによらずに、精度を高めることができる。
また、LEDユニット500が点灯中に、LEDユニット500を点灯装置300から外すと、点灯回路330の出力はLEDユニット500に電流が流せなくなるので、抵抗R1を介して、トランスL1→nチャネルMOS−FET Q1→抵抗Rsのループで電流が流れるようになる。つまり、点灯回路330は、抵抗R1に流す電流をLEDユニット500に供給する電流になるように制御をし始めるため、点灯回路330が出力する出力電圧は上昇する。このままの状態を継続すると、点灯回路330が出力する出力電圧が上昇し続けるが、上記説明のように検出回路340によって、LEDユニット500が外されたことを検出できるので、点灯回路330の出力電圧の上昇を抑えることができる。
次に、商用電源供給中で、LEDユニット500を外された状態から、LEDユニット500を取付ける場合について、図3を用いて説明する。
図4は、図2に示す点灯装置の回路動作を示す動作波形図である。
図4(a)は、交流電圧ACのオン/オフ状態、図4(b)は、制御電源Vcc1の電圧、図4(c)は、昇圧チョッパ回路312の出力電圧VDC、図4(d)は、比較器CP1の非反転入力端子CP1+、反転入力端子CP1−に入力される電圧、図4(e)は、比較器CP1の出力端子CP1oの電圧、図4(f)は、比較器CP2の非反転入力端子CP2+、反転入力端子CP2−に入力される電圧、図4(g)は、比較器CP2の出力端子CP2oの電圧、図4(h)は、点灯用制御回路IC1のEN端子に入力される電圧、図4(i)は、nチャネルMOS−FET Q1のスイッチング状態、図4(j)は、コネクタ360の両端電圧VCNをそれぞれ示す図である。
LEDユニット500が点灯装置300から外されているとき、制御電源回路320は、制御電源Vcc1、昇圧チョッパ回路312の出力電圧VDCは、比較器CP1の非反転入力端子CP1+は、抵抗R4、R5によって分圧された一定電圧、反転入力端子CP1−は、抵抗R1〜R3によって分圧された検出電圧、比較器CP1の出力は、HIGH信号、比較器CP2の反転入力端子CP2−は、抵抗R13、R14によって分圧された一定電圧、非反転入力端子CP2+は、抵抗R11、R12によって分圧されたマスク動作電圧、比較器CP2の出力は、LOW信号、点灯用制御回路IC1のEN端子に入力される信号は、LOW信号、nチャネルMOS−FET Q1はオフ状態、点灯回路330の出力であるコネクタ360の両端電圧VCNは、出力電圧値Vcn3となっている。(時間T20〜T21)
この状態で、LEDユニット500を点灯装置300に接続すると、コネクタ360を介して、抵抗RLに電流が流れ始め、検出回路340の分圧が合成抵抗R1Lと、抵抗R2、R3の分圧になり、分圧比が変わる。
したがって、比較器CP1の反転入力端子CP1−に入力される電圧は上昇していき、時間T22で非反転入力端子CP1+に入力される電圧よりも高くなる。よって、比較器CP1の出力はLOW信号になり、トランジスタQ12はオフになる。よって、抵抗R23より点灯用制御回路IC1のEN端子に印加される電圧は徐々に上昇し、時間T23で動作スレッシュ電圧Vstartを超え、点灯用制御回路IC1はnチャネルMOS−FET Q1のスイッチングを開始する。
nチャネルMOS−FET Q1のスイッチングが開始されると、トランスL1の1次巻線Lpに電流が流れ始めるので、2次巻線Lsに二次電圧が発生する。
比較器CP2の非反転入力端子CP2+に印加される電圧が上昇し、比較器CP2の出力がHIGH信号となり、比較器CP1の反転入力端子CP1−に印加される電圧の影響は、抵抗R2と抵抗R3によるので、反転入力端子CP1−の電圧が時間T23〜T25にかけて徐々に電圧Vcp13まで下がり、その後、電圧Vcp13で一定となる。
このように、LEDユニット500が外れた状態からLEDユニット500を点灯装置300に取付ける際も、抵抗R1〜R3、RLの分圧比によって、検出回路340が、LEDユニット500の装着を検出するので、昇圧チョッパ回路312の出力電圧VDCによらずに、精度を高めることができる。
この実施の形態のLEDユニット500は、複数のLED511が直列接続されたLED群510とこのLED群510に並列に接続される抵抗RLとを備える場合について説明したが、一つのLEDに並列に抵抗が接続される場合であってもよく、または複数のLED群が並列に複数接続され、この並列に接続されるLED群に対して抵抗が並列に接続される場合であってもよい。
また、この実施の形態のLEDユニット500は、1つの抵抗RLを備える場合について説明したが、複数のLED511に対して、それぞれのLED511に1個ずつ抵抗が並列に接続されていてもよい。
この実施の形態の点灯装置300は、LEDユニット500が取付けられた状態または取り外された状態であるかの接続状態を精度よく検出することができる。
実施の形態2.
実施の形態1では、点灯用制御回路IC1の動作開始/停止を制御するためのEN端子を用いて点灯用制御回路IC1がnチャネルMOS−FET Q1のスイッチングを制御する場合について説明したが、この実施の形態では、点灯用制御回路IC1に供給される制御電源を制御して、nチャネルMOS−FET Q1のスイッチングを制御するものである。
本実施の形態において、実施の形態1と同様の構成について同符号を付して説明を省略し、実施の形態1と異なる構成について詳細に説明する。
図5は、本実施の形態における点灯装置及びLEDユニットの回路図である。
LEDユニット500は、実施の形態1と同様の構成である。
点灯装置300aは、交流直流変換回路310と、制御電源回路320と、点灯回路330aと、検出回路340aと、マスク回路350と、コネクタ360と、を有する。
点灯回路330aは、後述する制御電源Vcc2で点灯用制御回路IC1が動作することが実施の形態1と異なり、そのほかは実施の形態1と同様の構成、動作のため、説明を省略する。
検出回路340aは、分圧抵抗である抵抗R1〜R3並びに抵抗R4、R5と、比較器CP1と、この比較器CP1の出力端子CP1oに接続される抵抗R18と、この抵抗R18にゲート端子が接続されるpチャネルMOS−FET Q13と、このpチャネルMOS−FET Q13のドレイン端子−ゲート端子に並列に接続される抵抗R22と、pチャネルMOS−FET Q13のゲート端子と昇圧チョッパ回路312の低電位側に接続されるコンデンサC12と、pチャネルMOS−FET Q13のソース端子と昇圧チョッパ回路312の低電位側に接続されるコンデンサC20と、を備える。
pチャネルMOS−FET Q13は、制御電源回路320から制御電源Vcc1がドレイン端子に入力され、ゲート端子に入力される制御信号に基づいて、ソース端子からコンデンサC20に第二の制御電源Vcc2を出力する。この第二の制御電源Vcc2は、点灯用制御回路IC1に制御電源として供給される。
次に、この実施の形態における動作について説明する。
図6は、図5に示す点灯装置の回路動作を示す動作波形図である。
図6(a)は、交流電圧ACのオン/オフ状態、図6(b)は、制御電源Vcc1の電圧、図6(c)は、pチャネルMOS−FET Q13の動作状態(ゲート端子電圧)、図6(d)は、制御電源Vcc2の電圧、図6(e)は、昇圧チョッパ回路の出力電圧、図6(f)は、比較器CP1の入力端子に入力される電圧、図6(g)は、比較器CP1の出力端子CP1oの電圧、図6(h)は、比較器CP2の入力端子に入力される電圧、図6(i)は、比較器CP2の出力端子CP2oの電圧、図6(j)は、点灯用制御回路IC1のEN端子に入力される電圧、図6(k)は、nチャネルMOS−FET Q1のスイッチング状態、図6(l)は、コネクタ360の両端電圧をそれぞれ示す図である。
交流電圧ACが点灯装置300aに供給されると、制御電源320が制御電源Vcc1を生成するとともに、合成抵抗R1L→抵抗R2→抵抗R3のループと、抵抗R4→抵抗R5のループに電流が流れ、比較器CP1の反転入力端子CP1−、非反転入力端子CP1+にそれぞれ電圧が印加される(時間T31〜時間T32)。反転入力端子CP1−に入力される電圧は、図5(d)に実線で示し、非反転入力端子CP1+に入力される電圧は、図5(d)に破線で示す。
AC電源が投入されると、制御電源Vcc1の電圧、pチャネルMOS−FET Q13のゲート端子の電圧、直流電圧VDC、抵抗R4、R5の分圧電圧(比較器CP1の非反転入力端子CP1+の入力電圧Vcp1+)、抵抗R1〜R3の分圧電圧(比較器CP1の反転入力端子CP1−の入力電圧Vcp1−)、比較器CP1の出力端子CP1o、抵抗R14、R13の分圧電圧(比較器CP2の反転入力端子CP2−の入力電圧Vcp2−)、コネクタ360の両端間電圧VCN、は徐々に上昇していく。
なお、比較器CP1は動作しておらず、出力端子CP1oはオープンコレクタのため、制御電圧Vcc1の上昇に伴って電圧が上昇している(時間T31)。
pチャネルMOS−FET Q13のゲート電圧がスレッシュ電圧を超えると、pチャネルMOS−FET Q13はオフとなる(時間T32)。
直流電圧VDCは、整流回路DBのピーク電圧であるVdc1まで上昇し、これにともなって、抵抗R4、R5の分圧電圧(比較器CP1の非反転入力端子VCP+)が電圧Vcp11まで、抵抗R1〜R3の分圧電圧(比較器CP1の反転入力端子VCP−)が電圧Vcp14まで上昇する(時間T33)。
制御電源Vcc1はさらに上昇を続け、電圧V11に達すると、比較器CP1、CP2が起動する。したがって、比較器CP1は、非反転入力端子VCP+、反転入力端子VCP−に入力される電圧を比較し、その結果、出力端子CP1oの出力はLOW信号となる(時間T34)。
制御電源Vcc1の電圧がV11を越えて上昇してV12に達すると、昇圧用制御回路IC2が起動する(時間T35)。
昇圧用制御回路IC2が起動すると、直流電源VDCが電圧Vdc1から上昇していき、比較器CP1の反転入力端子CP1−、非反転入力端子CP+に入力される電圧も、直流電源VDCの上昇値に比例しながら上昇する(時間T36)。比較器CP2の反転入力端子CP2−の電圧は上昇して電圧値Vcp22に達した後(時間T37)、直流電源VDCが電圧Vdc2に達すると、比較器CP1の反転入力端子CP1−、非反転入力端子CP+に入力される電圧はそれぞれVcp12、Vcp15に達する(時間T38)。
pチャネルMOS−FET Q13のゲート電圧が低下し、オンスレッシュ電圧に達すると、pチャネルMOS−FET Q13のソース端子−ドレイン端子に電流が流れ、制御電源Vcc2を供給し始め(時間T39)、制御電源Vcc2の電圧が徐々に上昇し、点灯用制御回路IC1に供給される電圧も上昇する。制御電源Vcc2が電圧V21に達すると、点灯用制御回路IC1が起動し、MOS−FET Q1のスイッチングを開始する(時間T39)。
MOS−FET Q1のスイッチングが開始されると、トランスL1の2次巻線に電圧が発生するので、比較器CP2の非反転入力端子CP2+の入力電圧がVcp23まで上昇し、比較器CP2の出力がVcp2_hiとなる(時間T40)。また、MOS−FET Q1がスイッチングされることによって、コネクタ360の両端に発生する電圧は、電圧値Vcn4まで上昇するが、この電圧上昇に伴って、比較器CP1の反転入力端子CP1−に入力される電圧は、Vcp14まで低下する(時間T41)。
このように、AC電源が投入されてから、点灯装置の各回路が動作して、直流電源の電圧VDCによらず、点灯装置はLEDモジュールの接続状態を確実に検出することができ、点灯装置にLEDモジュールが接続されているときにMOS−FET Q1をスイッチングしてLEDを確実に点灯させることができる。
次に、点灯装置がLEDを点灯させているときにLEDモジュールを点灯装置から外した場合について説明する。
点灯しているLED(LEDモジュール)を点灯装置から外す(時間T42)と、検出抵抗Rsで検出する電圧が小さくなるため、点灯用制御回路IC1は出力電流を多くなるように、MOS−FET Q1をオン状態に維持するようになる。そのため、コネクタ360の両端電圧はVcn5まで上昇し、これに伴って比較器CP2の非反転入力端子の電圧はVcp24まで上昇する(時間T43)。同時に、LEDモジュールが点灯装置から外されたことによって、抵抗RLが点灯回路から切り離されるため、比較器CP1の反転入力端子CP1−に接続される検出抵抗は、抵抗R1〜R3の分圧になるのに加えて、MOS−FET Q1がオン状態のため、反転入力端子CP1−に入力される電圧が低くなっていき、非反転入力端子CP1+に入力される電圧よりも低くなる。したがって、比較器CP1の出力は、Vcp_hiとなる(時間T44)。
比較器CP2の出力がVcp_hiになると、pチャネルMOS−FET Q13のゲート端子の電圧がソース端子の電圧と等しいまたは高くなるため、pチャネルMOS−FET Q13のソース端子ドレイン端子に電流が流れなくなり、制御電源Vcc2の電圧が低くなっていく(時間T46)。制御電源Vcc2の出力電圧がV21に達すると、点灯用制御回路IC1の動作電圧が維持できなくなるので、点灯用制御回路IC1の動作が停止し、MOS−FET Q1はオフとなる(時間T47)。
MOS−FET Q1がオフになることによって、抵抗R2、R3に印加される電圧が上昇し、反転入力端子CP1−に入力される電圧は電圧値Vcp11まで上昇するが、非反転入力端子CP1+に入力される電圧は電圧値Vcp12であるため、この電圧よりも低い。そのため、比較器CP1の出力は、Vcp_hiを維持する(時間T48)。
このように、点灯用制御回路IC1に供給する制御電源Vcc2を制御することによって、点灯用制御回路IC1の動作開始、停止を制御しているので、点灯装置に、点灯用制御回路IC1に動作開始/停止を制御するためのEN端子を持たないものを用いる場合であっても、LEDユニット500の着脱検出の精度を高めることができる。
1000 照明器具、100 本体、200 ソケット、300 点灯装置、310 交流直流変換回路、311 整流回路、312 昇圧チョッパ回路312 制御電源回路、330 点灯回路、340、340a 検出回路、341 接続検出回路、342 基準電圧生成回路、350、350a マスク回路、360 コネクタ、400 本体カバー、500 LEDユニット、510 LED群、511 LED、AC 交流電圧、L2 インダクタ、D2 ダイオード、C2 コンデンサ、Q2 nチャネルMOS−FET、IC2 昇圧用制御回路、Vcc1 制御電源、C1 コンデンサ、D1 ダイオード、L1 トランス、IC1 点灯用制御回路、Q1 nチャネルMOS−FET、Rs、R6、R23 抵抗、D4 ダイオード、Lp 1次巻線、Ls 2次巻線、R2、R3、R4、R5、R17、R18 抵抗、C12、C13、C14 コンデンサ、CP1 比較器、CP1+ 非反転入力端子、CP1− 反転入力端子、CP1o 出力端子、Q12 トランジスタ、D3 ダイオード、R11、R12、R13、R14、R15 抵抗、C11、C15 コンデンサ、CP2 比較器、CP2+ 非反転入力端子、CP2− 反転入力端子、CP2o 出力端子、Q11 トランジスタ、RL 抵抗。

Claims (3)

  1. 接続抵抗と、複数のLEDからなるLED群を有するLEDユニットが、電気的に着脱
    される点灯装置において、
    入力される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路、前記整流回路により変換された直流電圧を昇圧させる昇圧チョッパ回路とを有する交流直流変換回路と、
    この交流直流変換回路に接続され、前記LED群に電力を供給する点灯回路と、
    前記昇圧チョッパ回路の出力端子間に接続されるとともに、前記LEDユニットが取り付けられるとき、前記接続抵抗の影響を受けて検出電圧が変化する接続検出回路と、
    前記昇圧チョッパ回路の出力端子間に接続され、基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
    前記接続検出回路が検出する検出電圧と、前記基準電圧生成回路が生成する基準電圧と
    を比較する比較器と、
    前記比較器の比較結果に基づいて、前記点灯回路の動作を制御する点灯用制御回路と、
    を備えることを特徴とする点灯装置。
  2. 2つの入力端子と、この2つの入力端子の間に設けられる接続抵抗と、複数のLEDか
    らなるLED群を有するLEDユニットが着脱可能に取り付けられる点灯装置において、
    入力される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路、前記整流回路により変換された直流電圧を昇圧させる昇圧チョッパ回路とを有する交流直流変換回路と、
    前記LED群に電力を供給する点灯回路と、
    前記LEDユニットが取り付けられるとき、前記接続抵抗と並列に接続され、一端側が
    前記昇圧チョッパ回路の高電位側に接続される接続検出抵抗と、
    この接続検出抵抗の他端側と前記昇圧チョッパ回路の低電位側の間に接続される第一の分圧部と、
    前記昇圧チョッパ回路の出力端子間に接続される第二の分圧部と、
    前記第一の分圧部と前記第二の分圧部に接続され、前記第一の分圧部及び前記第二の分
    圧部の出力電圧を比較する比較器と、
    この比較器の比較結果に基づいて、前記点灯回路の動作を制御する点灯用制御回路と、
    を備えることを特徴とする点灯装置。
  3. 請求項1または請求項に記載の点灯装置と、
    この点灯装置に電気的に着脱可能に取り付けられるLEDユニットと、
    を備えることを特徴とする照明器具。
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