JP6115243B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6115243B2 JP6115243B2 JP2013068949A JP2013068949A JP6115243B2 JP 6115243 B2 JP6115243 B2 JP 6115243B2 JP 2013068949 A JP2013068949 A JP 2013068949A JP 2013068949 A JP2013068949 A JP 2013068949A JP 6115243 B2 JP6115243 B2 JP 6115243B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hvnw
- region
- semiconductor device
- well
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 185
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 135
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000005465 channeling Effects 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 56
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 41
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 31
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 28
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 16
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
- H01L27/0928—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors comprising both N- and P- wells in the substrate, e.g. twin-tub
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
- H01L21/823892—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the wells or tubs, e.g. twin tubs, high energy well implants, buried implanted layers for lateral isolation [BILLI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26586—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation characterised by the angle between the ion beam and the crystal planes or the main crystal surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
Description
、P型シリコン(Si)基板の上部にN型ウェルが形成され、N型ウェル内にソース/ドレイン領域、ゲート絶縁膜及びゲート電極等が形成されている。また、P型シリコン基板内に、N型MOSトランジスタが形成されたP型ウェルの周囲を、N型ウェルで取り囲むトリプルウェル構造が知られている。
)105が形成され、HVPW105の周囲を取り囲むようにDNW(Deep N Well)1
06及びHVNW(High Voltage N Well)107が形成されている。HVPW105に
は、高電圧で駆動するN型MOSトランジスタ111が形成され、HVNW107には、高電圧で駆動するP型MOSトランジスタ112が形成されている。また、図27に示すように、半導体基板102内にLVPW(Low Voltage P Well)108及びLVNW(Low Voltage N Well)109が形成されている。LVPW108には、低電圧で駆動するN型MOSトランジスタ113が形成され、LVNW109には、低電圧で駆動するP型MOSトランジスタ114が形成されている。
は、第1導電型のウェルの一例である。
いる。DNW12は、第2導電型の第1ウェルの一例である。半導体基板2内には、HVPW11の水平方向にHVNW(High Voltage N Well)13が形成されている。HVN
W13は、第2導電型の第2ウェルの一例である。このように、半導体装置1は、HVPW11の周囲をDNW12及びHVNW13で取り囲むトリプルウェル構造となっている。
W13の深い領域13Bの上方には素子分離絶縁膜3が形成されていない。すなわち、半導体装置1は、HVNW13の浅い領域13Aの上方に半導体基板2に形成された素子分離絶縁膜3を有し、HVNW13の深い領域13Bの上方には、素子分離絶縁膜3の上面と連続する半導体基板2の上面が位置している。素子分離絶縁膜3は、STI(Shallow Trench Isolation)膜とも呼ばれる。HVPW11とHVNW13との接続部分(境界)の上部に、不純物層14が形成されている。不純物層14上に、シリサイドブロック層15が形成されている。
3A、ソース/ドレイン領域24A及びタップ領域25Aを有している。ゲート電極21A、ソース/ドレイン領域24A及びタップ領域25A上には、金属シリサイド層26が形成されている。
している。ゲート電極21B、ソース/ドレイン領域24B及びタップ領域25B上には、金属シリサイド層26が形成されている。図1Aの左端に図示されているHVNW13には、タップ領域25Bが形成されているが、図1Aではタップ領域25Bの図示を省略している。
領域25D上には、金属シリサイド層26が形成されている。
実施形態に係る半導体装置1の製造方法について説明する。図2から図18は、実施形態に係る半導体装置1の製造方法の各工程を示す断面図である。実施形態に係る半導体装置1の製造方法では、まず、図2に示す工程において、半導体基板2上にシリコン酸化膜(SiO膜)41を形成し、酸化膜41上にシリコン窒化膜(SiN膜)42を形成する。例えば、熱酸化法により、シリコン酸化膜41を形成し、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、シリコン窒化膜42を堆積する。図2に示す工程において
、フォトリソグラフィにより、素子分離絶縁膜3が形成される箇所が開口されたフォトレジスト膜43を、シリコン窒化膜42上に形成する。
基板2に素子分離絶縁膜3を形成する。STI法により半導体基板2に素子分離絶縁膜3を形成する例を示しているが、例えば、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法により半導体基板2に素子分離絶縁膜3を形成してもよい。
する。例えば、HVNW13は、HVPW11の水平方向でHVPW11を囲むようにして、半導体基板2内に形成される。例えば、燐(P)を、加速エネルギー:360keV以上700keV以下、注入量:1.0×1012/cm2以上1.0×1014/cm2以下、チルト角:0°、の条件でイオン注入することにより、HVNW13を形成する。
1.0×1014/cm2以下、の条件でイオン注入することにより、LVPW31A及び
31Bを形成する。その後、例えば、アッシングにより、フォトレジスト膜48を除去する。
.0×1014/cm2以下、の条件でイオン注入することにより、LVNW32を形成す
る。その後、例えば、アッシングにより、フォトレジスト膜49を除去する。
以上1.0×1015/cm2以下、の条件でイオン注入することにより、ポケット領域2
7Aを形成する。例えば、砒素(As)を、加速エネルギー:0.5keV以上10keV以下、注入量:1.0×1013/cm2以上1.0×1016/cm2以下、の条件でイオン注入することにより、エクステンション領域28Aを形成する。その後、例えば、アッシングにより、フォトレジスト膜52を除去する。
えば、硼素(B)を、加速エネルギー:0.1keV以上5keV以下、注入量:1.0×1013/cm2以上1.0×1016/cm2以下、の条件でイオン注入することにより、エクステンション領域28Bを形成する。その後、例えば、アッシングにより、フォトレジスト膜53を除去する。
ロック層15が形成されているため、不純物層14上には金属シリサイド層26が形成されていない。そのため、金属シリサイド層26を介したHVPW11とHVNW13との短絡を抑止することができる。例えば、薬液処理により、未反応の金属膜を選択的に除去する。
てもよい。
上記では、不純物層14及びシリサイドブロック層15が、平面視で、HVPW11とHVNW13との接続部分に沿って延伸された環状形状である例を示している。この例に限らず、不純物層14及びシリサイドブロック層15は、HVPW11とHVNW13との接続部分の一部を跨ぐ矩形形状、楕円形状又は円形形状であってもよい。
HVPW13との接続部分は、シリサイドブロック層15及び素子分離絶縁膜3(図示せず)で覆われている。そのため、変形例1においてもHVNW11とHVPW13とを短絡する金属シリサイド層26の形成を抑止できる。
上記では、HVNW13が、HVPW11の水平方向でHVPW11を囲むようにして、半導体基板2内にHVNW13を形成する例を示している。この例に限らず、HVNW13が、HVPW11の水平方向でHVPW11の一部と接するようにして、半導体基板2内にHVNW13を形成してもよい。例えば、図20に示すように、HVNW13が、HVPW11の水平方向でHVPW11の一部と接するようにして、半導体基板2内にHVNW13を形成してもよい。図20は、半導体装置1の平面図である。図20では、変形例2におけるHVPW11、HVNW13及びシリサイドブロック層15を図示し、それ以外の構成要素についての図示を省略している。
上記では、N型不純物をイオン注入することにより、HVPW11とHVNW13との接続部分の上部に不純物層14を形成する例を示している。この例に限らず、P型不純物をイオン注入することにより、HVPW11とHVNW13との接続部分の上部に不純物層14を形成してもよい。この場合、図10に示す工程において、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面の全体を覆うように、フォトレジスト膜50を形成する。これにより、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面にN型不純物を注入しないようにしておく。
全体にP型不純物をイオン注入することにより、不純物層14が、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面の全体に形成される。
上記では、不純物層14を、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面の全体に形成する例を示している。この例に限らず、図21に示すように、不純物層14を、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面の一部に形成してもよい。図21は、半導体装置1の断面図である。HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面の一部にN型不純物又はP型不純物をイオン注入することにより、不純物層14が、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面の一部に形成される。
上記では、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面に不純物層14を形成する例を示している。この例に限らず、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面に不純物層14を形成しないようにしてもよい。この場合、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面を覆うようにフォトレジスト膜を形成して、HVPW11とHVNW13との接続部分における半導体基板2の露出面にN型不純物又はP型不純物をイオン注入しないようにする。
図22に示す条件を用いて製造された半導体装置1について、TCAD(Technology Computer Aided Design)シミュレーションを行い、HVNW13の深さ及びDNW12とHVNW13との間の抵抗を測定した。また、図22に示す条件を用いて製造された半導体装置101について、TCAD(Technology Computer Aided Design)シミュレーションを行い、HVNW107の深さ及びDNW106とHVNW107との間の抵抗を測定した。図23Aは、TCADシミュレーションの結果を示す図であって、半導体装置101の断面を示している。図23Bは、TCADシミュレーションの結果を示す図であって、半導体装置1の断面を示している。
基板と、
前記基板内に形成された第1導電型のウェルと、
前記第1導電型のウェルの下方の前記基板内に形成された第2導電型の第1ウェルと、
前記第1導電型のウェルの水平方向の前記基板内に形成され、前記基板の表面から第1の深さまで形成された第1領域と、前記基板の表面から前記第1の深さよりも深く形成され、前記第1ウェルと接続する第2領域と、を有する第2導電型の第2ウェルと、を備えることを特徴とする半導体装置。
前記第1領域の上方に、前記基板に形成された絶縁膜を有し、
前記第2領域の上方には、前記絶縁膜の上面と連続する前記基板の上面が位置することを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記第1領域と隣接して前記基板内に形成された第1導電型の第2ウェルを備えることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置。
前記第1導電型のウェルと前記第2導電型の第2ウェルとの接続部分の上部に不純物層が形成されていることを特徴とする付記1から3の何れか一項に記載の半導体装置。
前記不純物層上には、シリサイドブロック層が形成されていることを特徴とする付記4に記載の半導体装置。
基板内に第1導電型のウェルを形成する工程と、
前記第1導電型のウェルの下方の前記基板内に第2導電型の第1ウェルを形成する工程と、
前記基板の表面から第1の深さの第1領域と、前記第1ウェルと接続し、前記基板の表面から前記第1の深さよりも深い深さの第2領域と、を有する第2導電型の第2ウェルを、前記第1導電型の第1ウェルの水平方向の前記基板内に形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第2ウェルを形成する工程の前に、前記基板に絶縁膜を形成する工程を備え、
前記第1領域の上方には、前記絶縁膜が形成されており、
前記第2領域の上方には、前記絶縁膜の上面と連続する前記基板の上面が位置することを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1領域と隣接するように前記基板内に第1導電型の第2ウェルを形成する工程を備えることを特徴とする付記6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2導電型の第2ウェルを形成する工程は、チャネリングが発生し得るチルト角で不純物を注入することによって行われることを特徴とする付記6から8の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1導電型のウェルと前記第2導電型の第2ウェルとの接続部分の上部に不純物層を形成する工程を備えることを特徴とする付記6から9の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記不純物層上に、シリサイドブロック層を形成する工程を備えることを特徴とする付記10に記載の半導体装置の製造方法。
2、102 半導体基板
3、103 素子分離絶縁膜
4A、4B N型MOSトランジスタ
5A、5B P型MOSトランジスタ
6、104 層間絶縁膜
7 コンタクトプラグ
8 配線
9A、9B N型MOS形成領域
10A、10B P型MOS形成領域
11、105 HVPW
12、106 DNW
13、107 HVNW
13A 浅い領域
13B 深い領域
14 不純物層
15 シリサイドブロック層
21A〜21D ゲート電極
22A〜22D サイドウォール絶縁膜
23A、23B LDD領域
24A〜24D ソース/ドレイン領域
25A〜25D タップ領域
26 金属シリサイド層
27A、27B ポケット領域
28A、28B エクステンション領域
31A、31B、108 LVPW
32、109 LVNW
Claims (5)
- 基板と、
前記基板内に形成された第1導電型のウェルと、
前記第1導電型のウェルの下方の前記基板内に形成された第2導電型の第1ウェルと、
前記第1導電型のウェルの水平方向の前記基板内に形成され、前記基板の表面から第1の深さまで形成された第1領域と、前記基板の表面から前記第1の深さよりも深く形成され、前記第1ウェルと接続する第2領域と、を有する第2導電型の第2ウェルと、
前記第1領域と隣接して前記基板内に形成された第1導電型の第2ウェルと、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1領域の上方に、前記基板に形成された絶縁膜を有し、
前記第2領域の上方には、前記絶縁膜の上面と連続する前記基板の上面が位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 基板内に第1導電型のウェルを形成する工程と、
前記第1導電型のウェルの下方の前記基板内に第2導電型の第1ウェルを形成する工程と、
前記基板の表面から第1の深さの第1領域と、前記第1ウェルと接続し、前記基板の表面から前記第1の深さよりも深い深さの第2領域と、を有する第2導電型の第2ウェルを、前記第1導電型の第1ウェルの水平方向の前記基板内に形成する工程と、
前記第1領域と隣接するように前記基板内に第1導電型の第2ウェルを形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2ウェルを形成する工程の前に、前記基板上に絶縁膜を形成する工程を備え、
前記第1領域の上方には、前記絶縁膜が形成されており、
前記第2領域の上方には、前記絶縁膜の上面と連続する前記基板の上面が位置することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2導電型の第2ウェルを形成する工程は、チャネリングが発生し得るチルト角で
不純物を注入することによって行われることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013068949A JP6115243B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US14/206,345 US9437596B2 (en) | 2013-03-28 | 2014-03-12 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013068949A JP6115243B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014192474A JP2014192474A (ja) | 2014-10-06 |
JP6115243B2 true JP6115243B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=51619990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013068949A Active JP6115243B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9437596B2 (ja) |
JP (1) | JP6115243B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6538577B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2019-07-03 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
JP6521454B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2019-05-29 | 株式会社大一商会 | 遊技機 |
US10490558B2 (en) * | 2017-05-31 | 2019-11-26 | Qualcomm Incorporated | Reducing or avoiding mechanical stress in static random access memory (SRAM) strap cells |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02214114A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4121201B2 (ja) * | 1998-03-26 | 2008-07-23 | 三星電子株式会社 | 半導体メモリ装置のトリプルウェルの製造方法 |
KR100265774B1 (ko) | 1998-03-26 | 2000-09-15 | 윤종용 | 반도체 메모리장치의 트리플 웰의 제조방법 |
US6900091B2 (en) * | 2002-08-14 | 2005-05-31 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Isolated complementary MOS devices in epi-less substrate |
US7719054B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-05-18 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | High-voltage lateral DMOS device |
US6855985B2 (en) * | 2002-09-29 | 2005-02-15 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Modular bipolar-CMOS-DMOS analog integrated circuit & power transistor technology |
TWI233688B (en) * | 2004-08-30 | 2005-06-01 | Ind Tech Res Inst | Diode structure with low substrate leakage current and applications thereof |
EP1949425A4 (en) * | 2005-10-14 | 2010-08-18 | Silicon Space Technology Corp | RADIATION-HARDENED INSULATION STRUCTURES AND MANUFACTURING METHOD |
US8530298B2 (en) * | 2011-11-01 | 2013-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Radiation hardened integrated circuit |
-
2013
- 2013-03-28 JP JP2013068949A patent/JP6115243B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-12 US US14/206,345 patent/US9437596B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140291807A1 (en) | 2014-10-02 |
US9437596B2 (en) | 2016-09-06 |
JP2014192474A (ja) | 2014-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5695745B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
KR102057340B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
JP5703790B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US8476676B2 (en) | Trench poly ESD formation for trench MOS and SGT | |
KR101674398B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP5202473B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN103715133A (zh) | Mos晶体管及其形成方法 | |
TWI751431B (zh) | 具有低閃爍雜訊的半導體裝置及其形成方法 | |
JP5560812B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9368488B2 (en) | Efficient integration of CMOS with poly resistor | |
JP6115243B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008085205A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5654184B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
CN107492572B (zh) | 半导体晶体管元件及其制作方法 | |
JP2019169682A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2013149677A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US8796130B2 (en) | Diffusion barrier for oppositely doped portions of gate conductor | |
TW202405891A (zh) | 半導體裝置及其形成方法 | |
JP2013045953A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5833214B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6221284B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6329301B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP6284585B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
US9502508B2 (en) | Method for manufacturing isolation structure integrated with semiconductor device | |
JP6156883B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6115243 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |