JP6104772B2 - 積層構造体及びその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、積層構造体及びその製造方法に関する。

例えば、発光素子を駆動するための駆動用超小型の半導体装置を製造するバックエンド加工プロセスにあっては、トランジスタ、配線等から構成された半導体装置といった一種の積層構造体を、シリコン半導体基板に、多数、作製した後、それぞれの積層構造体に分離する。ここで、積層構造体を分離するために、積層構造体と積層構造体との間に分離溝（溝部）を形成する場合がある。更には、積層構造体が使用される分野にも依存するが、分離溝の形成時、各積層構造体において、接続端子部としての配線を分離溝内に露出させる場合がある。分離溝は、通常、積層構造体に形成された酸化膜をエッチングすることで形成する。

また、半導体基板の表面側にトランジスタ、配線等が形成され、半導体基板の裏面にバンプが設けられ、半導体基板を貫通する接続部によって配線とバンプとを接続する半導体装置の製造方法が、例えば、特開２０１２−０２８５５７から公知である。このような接続部は、スルーチップビヤ（ＴＣＶ）と呼ばれる。

特開２０１２−０２８５５７

ところで、分離溝の形成において酸化膜をエッチングするが、このとき、分離溝内に露出した接続端子部としての配線がエッチングされ、接続端子部の信頼性が低下するといった問題がある。また、第１の配線が形成された基板と、第２の配線が形成された基体とを、第１の配線と第２の配線が離間し、且つ、対向した状態で接合した後、第１の配線と第２の配線とを接続するために、スルーチップビヤ形成技術を適用するとき、基板をエッチングし、更に、第２の配線に至るまで開口部を形成するが、第１の配線がエッチングされ、第１の配線と第２の配線との接続の信頼性が低下するといった問題が生じる虞がある。

従って、本開示の第１の目的は、基板に形成された複数の例えば半導体装置といった積層構造体を分離するための分離溝（溝部）を形成する際に、分離溝に露出した接続端子部の信頼性が低下することの無い構成、構造を有する積層構造体及びその製造方法を提供することにある。また、本開示の第２の目的は、第１の配線が形成された基板と、第２の配線が形成された基体とを、第１の配線と第２の配線が離間し、且つ、対向した状態で接合した後、第１の配線と第２の配線を接続するために、スルーチップビヤ形成技術を適用するとき、第１の配線と第２の配線との接続の信頼性が低下することの無い構成、構造を有する積層構造体及びその製造方法を提供することにある。

上記の第１の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る積層構造体は、
下から、配線、絶縁層及び基板が積層されて成る積層構造体であって、
積層構造体の側面から配線の端部が突出しており、
絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が、絶縁層と少なくとも配線の一部との間に形成されている。

上記の第２の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る積層構造体は、
絶縁層が形成され、絶縁層上に第１の配線が形成された基板、及び、
第２の配線が形成された基体、
を備えており、
基板は、第１の配線と第２の配線とが離間した状態であって、第１の配線と第２の配線とが対向した状態で、基体と接合されており、
少なくとも第１の配線の端面、及び、第２の配線の一部が露出した開口部が、基板及び絶縁層に形成されており、
開口部には導電材料が埋め込まれており、
絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が、絶縁層と少なくとも第１の配線の一部との間に形成されている。

上記の第１の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る積層構造体の製造方法は、
（Ａ）基板上に絶縁層を形成し、少なくとも配線を形成すべき絶縁層の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成し、次いで、端部を有する配線を形成した後、
（Ｂ）基板の配線が形成されている側と支持基板とを接合し、次いで、
（Ｃ）基板を薄くした後、
（Ｄ）基板及び絶縁層をエッチングし、以て、保護層によって表面が被覆された配線の端部が露出した溝部を形成し、その後、
（Ｅ）溝部に露出した保護層を除去し、配線の端部を露出させる、
各工程を備えている。

上記の第２の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る積層構造体の製造方法は、
第２の配線が形成された基体を準備しておき、
（Ａ）基板上に絶縁層を形成し、少なくとも第１の配線を形成すべき絶縁層の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成し、次いで、端面を有する第１の配線を形成した後、
（Ｂ）第１の配線と第２の配線とが離間した状態であって、第１の配線と第２の配線とが対向した状態で、基板と基体とを接合し、次いで、
（Ｃ）基板を薄くした後、
（Ｄ）基板及び絶縁層をエッチングし、以て、第２の配線の一部及び少なくとも第１の配線の端面が露出した開口部を形成し、その後、
（Ｅ）開口部に導電材料を埋め込む、
各工程を備えている。

本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法にあっては、溝部（分離溝）の形成時、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が配線の少なくとも一部を被覆しているので、配線に損傷が発生することを防止することができ、接続端子部の信頼性の低下発生を抑制することができる。また、本開示の第２の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法にあっては、スルーチップビヤ加工時、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が絶縁層と第１の配線との間に形成されているので、第１の配線に損傷が発生することを防止することができ、第１の配線と第２の配線との接続の信頼性低下を抑制することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ及び図１Ｄは、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図２Ａ及び図２Ｃは、図１Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図であり、図２Ｂは、図２Ａとは異なる仮想垂直面で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、図２Ｂ及び図２Ｃに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ、図３Ａ及び図３Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、図４Ａ及び図４Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、図５Ａに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、実施例２の積層構造体の製造途中における基板等の模式的な一部端面図である。 図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃは、実施例３の積層構造体の製造途中における基板等の模式的な一部端面図である。 図９Ａ及び図９Ｂは、実施例３の積層構造体の模式的な一部端面図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ及び図１０Ｃは、実施例３の積層構造体の変形例の製造途中における基板等の模式的な一部端面図である。 図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃは、実施例４の積層構造体の製造途中における基板等の模式的な一部断面図である。 図１２Ａ、図１２Ｂ及び図１２Ｃは、図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃに引き続き、実施例４の積層構造体の製造途中における基板等の模式的な一部端面図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、実施例５の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３Ｂに引き続き、実施例５の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１５Ａ及び図１５Ｂは、実施例６の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１６Ａ及び図１６Ｂは、実施例７の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図であり、図１６Ｃは、図１６Ｂとは異なる仮想垂直面で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図である。 図１７Ａ及び図１７Ｂは、図１６Ｂに引き続き、実施例７の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂは、図１７Ｂに引き続き、実施例７の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１９は、図１８Ｂに引き続き、実施例７の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜第２の態様に係る積層構造体及びその製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る積層構造体及びその製造方法）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の更に別の変形）
６．実施例５（実施例１の更に別の変形）
７．実施例６（実施例５の変形）
８．実施例７（本開示の第２の態様に係る積層構造体及びその製造方法）、その他

［本開示の第１の態様〜第２の態様に係る積層構造体及びその製造方法、全般に関する説明］
本開示の第１の態様〜第２の態様に係る積層構造体、あるいは又、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る積層構造体の製造方法において、保護層を構成する材料は、絶縁層を構成する材料よりもエッチングされ難い形態とすることが好ましい。限定するものではないが、絶縁層のエッチングレートを「１」としたとき、保護層のエッチングレートは「０．１」以下であることが好ましい。

上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体の製造方法において、前記工程（Ａ）には、配線と配線との間に層間絶縁層を形成する工程が含まれる構成とすることができる。尚、端部を有する配線を保護層上に形成した後、配線と配線の間の保護層の部分の上に層間絶縁層を形成してもよいし、保護層上に層間絶縁層を形成した後、端部を有する配線を層間絶縁層と層間絶縁層の間の保護層の部分の上に形成してもよい。また、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る積層構造体の製造方法において、前記工程（Ａ）には、第１の配線と第１の配線との間に層間絶縁層を形成する工程が含まれる構成とすることができる。尚、端面を有する第１の配線を保護層上に形成した後、第１の配線と第１の配線の間の保護層の部分の上に層間絶縁層を形成してもよいし、保護層上に層間絶縁層を形成した後、端面を有する第１の配線を層間絶縁層と層間絶縁層との間の保護層の部分の上に形成してもよい。

あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体の製造方法にあっては、前記工程（Ａ）において、配線を形成すべき絶縁層の領域に凹部を形成し、次いで、凹部の側面及び底面に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成した後、凹部内に配線を形成する構成とすることができる。また、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る積層構造体の製造方法にあっては、前記工程（Ａ）において、第１の配線を形成すべき絶縁層の領域に凹部を形成し、次いで、凹部の側面及び底面に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成した後、凹部内に第１の配線を形成する構成とすることができる。

更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体の製造方法にあっては、前記工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、基板と支持基板の接合部をエッチングする形態とすることができるし、更には、支持基板の一部をエッチングしてもよい。あるいは又、前記工程（Ｂ）において、基板の配線が形成されている側と支持基板とを接着剤層を用いて接合する形態とすることができる。そして、この場合、前記工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、接着剤層の一部をエッチングする形態とすることができる。また、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第２の態様に係る積層構造体の製造方法にあっては、前記工程（Ｄ）において、開口部の形成の際、基板と基体の接合部をエッチングする形態とすることができるし、前記工程（Ｂ）において、基板と基体とを接着剤層を用いて接合する形態とすることができる。そして、この場合、前記工程（Ｄ）において、開口部の形成の際、接着剤層の一部をエッチングする形態とすることができる。

更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体の製造方法にあっては、
前記工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、配線の下方に位置する接着剤層の一部をエッチングし、
前記工程（Ｄ）と工程（Ｅ）の間で、基板上及び溝部内に第２絶縁層を形成する、
工程を備えている形態とすることができる。そして、この場合、基板上及び溝部内に第２絶縁層を形成した後、少なくとも溝部の側壁上の第２絶縁層の上に遮光膜を形成する形態とすることができるし、更には、溝部の側壁上及び基板上の第２絶縁層の部分の上に遮光膜を形成する形態とすることができるし、更には、これらの場合、遮光膜を形成した後、遮光膜上に（場合によっては、遮光膜上及び第２絶縁層上に）、第３絶縁層を形成する形態とすることができる。前記工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、配線の下方に位置する接着剤層の一部をエッチングするので、少なくとも第２絶縁層に不連続な部分が形成される。その結果、最終的に支持基板を基板から容易に除去することが可能となるし、支持基板を取り外した後の積層構造体の位置決め精度が低下することが無いし、後述する実装用基板への積層構造体の正確な配置を行うことが可能となる。

以上に説明した好ましい態様、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体において、
基板は半導体基板から成り、
基板には素子（具体的には、例えば、トランジスタ）が形成されており、
素子と配線（あるいは第１の配線）とを接続する接続部が絶縁層に形成されている形態とすることができる。素子をトランジスタから構成する場合の積層構造体として、具体的には、例えば、一辺が６０μｍ乃至１５０μｍの微細な半導体装置を挙げることができる。

更には、以上に説明した好ましい態様、構成を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体において、保護層は、絶縁層と少なくとも配線の一部との間、及び、少なくとも配線の一部と配線の一部との間に形成されている構成とすることができ、この場合、層間絶縁層が配線と配線の間に形成されており、層間絶縁層と絶縁層との間に保護層が形成されている構成とすることができ、更には、配線の端部の端面は、層間絶縁層によって被覆されている構成とすることができる。また、以上に説明した好ましい態様、構成を含む本開示の第２の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体において、保護層は、絶縁層と少なくとも第１の配線の一部との間、及び、少なくとも第１の配線の一部と第１の配線の一部との間に形成されている構成とすることができ、この場合、層間絶縁層が、第１の配線と第１の配線の間であって、保護層と絶縁層との間に形成されており、層間絶縁層と絶縁層との間に保護層が形成されている構成とすることができる。尚、以上の説明における「配線の一部」あるいは「第１の配線の一部」とは、具体的には、積層構造体の側面の近傍に位置する配線の部分、あるいは、開口部の近傍に位置する第１の配線の部分を指す。

更には、以上に説明した好ましい態様、構成を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体において、保護層は、絶縁層の下方に位置する配線の部分の頂面の少なくとも一部に形成されている形態とすることができる。あるいは又、保護層は、絶縁層の下方に位置する配線の部分の頂面に形成されている形態とすることができ、この場合、保護層は、絶縁層の下方に位置する配線の部分の頂面から側面に亙り形成されている形態とすることができ、更には、場合によっては、配線の端部の端面は、保護層によって被覆されている形態とすることができる。また、以上に説明した好ましい態様、構成を含む本開示の第２の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体において、保護層は、絶縁層の下方に位置する第１の配線の部分の頂面の少なくとも一部に形成されている形態とすることができる。あるいは又、保護層は、絶縁層の下方に位置する第１の配線の部分の頂面に形成されている形態とすることができ、この場合、保護層は、絶縁層の下方に位置する第１の配線の部分の頂面から側面に亙り形成されている形態とすることができる。

更には、以上に説明した好ましい態様、構成を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法において、配線の端部は接続端子部である形態とすることができる。

更には、以上に説明した好ましい態様、構成を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体において、少なくとも積層構造体の側面には、第２絶縁層が形成されている形態とすることができる。そして、この場合、積層構造体の頂面にも第２絶縁層が形成されている形態とすることができ、更には、第２絶縁層は、積層構造体の下面の一部にまで延在している形態とすることができるし、あるいは又、積層構造体の下面には接着剤層が形成されており、第２絶縁層は、接着剤層の一部にまで延在している構成とすることができ、更には、これらの場合、第２絶縁層の上には遮光膜が形成されている形態とすることができ、更には、遮光膜上には（場合によっては、遮光膜上及び第２絶縁層上には）、第３絶縁層が形成されている形態とすることができる。

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の第１の態様』と呼ぶ場合があるし、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第２の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法を、総称して、単に、『本開示の第２の態様』と呼ぶ場合がある。

本開示の第１の態様において、配線や、素子と配線とを接続する接続部は、周知の導電材料から構成すればよく、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）、これらの合金を例示することができる。同様に、本開示の第２の態様においても、第１の配線や第２の配線、接続部は、周知の導電材料から構成すればよく、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）、これらの合金を例示することができるし、開口部を埋め込むための導電材料も、周知の導電材料から構成すればよい。素子と配線とを接続する接続部の形成方法、開口部に導電材料を埋め込む方法として、接続部を構成する導電材料、開口部に埋め込むべき導電材料にも依存するが、スパッタリング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を挙げることができる。

本開示の第１の態様において、絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、層間絶縁層を構成する材料として、また、本開示の第２の態様において、絶縁層、層間絶縁層を構成する材料として、例えば、シリコン酸化物系の材料を挙げることができるし、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、フルオロカーボン、アモルファス・テトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、パリレン、ベンゾシクロブテン、アモルファス・カーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、フッ化フラーレン）を挙げることができる。一方、保護層を構成する材料として、例えば、ＳｉＯＮを含むＳｉＮ系の材料、ＳｉＣＨ，ＳｉＣＯ、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＮＨ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＯＣＮＨ、アモルファスカーボン、各種樹脂、ポリシリコン、絶縁性を有する金属化合物（例えば、酸化アルミニウム）を挙げることができる。本開示の第１の態様において、遮光膜を構成する材料として、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ₂等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。基板、絶縁層及び保護層のエッチング方法として、例えば、ＲＩＥ法を挙げることができる。基板の厚さを薄くする方法として、例えば、基板をエッチングする方法や、ラッピングする方法、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）を挙げることができる。

本開示の第１の態様において、基板として、シリコン半導体基板を挙げることができるし、支持基板として、ガラス板、金属板、合金板、石英基板、セラミックス板、プラスチック板を挙げることができる。基板と支持基板とは、上述したとおり、接着剤層を介して接合することができる。最終的には支持基板を基板から除去（剥離）するが、除去（剥離）方法として、レーザ・アブレーション法や加熱法、エッチング法を挙げることができる。本開示の第２の態様において、基板として、シリコン半導体基板を挙げることができるし、基体として、シリコン半導体基板や、第２の配線と絶縁膜の積層構造を挙げることができ、基板や基体には、その他、各種素子が形成されていてもよい。

また、第１の態様に係る実装基板、あるいは、第１の態様に係る電子デバイスは、本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体が実装用基板に実装されて成る。そして、積層構造体に形成された配線の端部と実装用基板に形成された配線部とは、例えば、メッキ層を介して電気的に接続される。積層構造体を実装用基板に実装するためには、例えば、光硬化型接着材料層によって積層構造体の下面を実装用基板に接着すればよい。

あるいは又、第２の態様に係る実装基板、あるいは、第２の態様に係る電子デバイスは、
本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体、並びに、
配線部が形成された実装用基板、
を備えており、
各積層構造体の下面と実装用基板とは、接着材料層によって接着されており、
各積層構造体の配線の端部と実装用基板に設けられた配線部とは、メッキ層を介して電気的に接続されている。

あるいは又、第３の態様に係る電子デバイスは、
本開示の第１の態様に係る積層構造体あるいはその製造方法によって得られる積層構造体、並びに、
配線部が形成された実装用基板、
を備えており、
各積層構造体の下面と実装用基板とは、接着材料層（例えば、光硬化型接着材料層）によって接着されており、
各積層構造体の配線の端部と実装用基板に設けられた配線部とは、メッキ層を介して電気的に接続されており、
各積層構造体において、基板は半導体基板から成り、基板には第１の素子が形成されており、第１の素子と配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されており、
各積層構造体に隣接して、実装用基板上には第２の素子が配置されており、
第１の素子と第２の素子とは、実装用基板に設けられた配線部によって電気的に接続されており（具体的には、例えば、メッキ層を介して電気的に接続されており）、
第２の素子は第１の素子によって駆動される。

電子デバイスの製造にあっては、溝部（分離溝）の形成によって相互に分離された各積層構造体における基板を中継基板によって保持し、上述したとおり、基板から支持基板を除去（剥離）する。そして、実装用基板上の未硬化接着材料層の上に積層構造体を配し、次いで、中継基板を除去した後、未硬化接着材料層を硬化させ、その後、配線と配線部を電気的に接続すればよい。

実装用基板として、リジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板を挙げることができる。配線部は、これらのプリント配線板に形成された配線から構成することができる。あるいは又、実装用基板として、ガラス基板上に配線が形成された基板、ＴＦＴ基板（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された基板）を挙げることもできる。

電子デバイスにおいて、配線部は、周辺回路及び／又は電源に接続されている形態とすることができる。周辺回路、電源は、周知の周辺回路、電源とすることができ、第１の素子や第２の素子に基づき適切な周辺回路や電源を選択すればよい。

第１の態様〜第３の態様に係る電子デバイスにおいて、
複数の積層構造体及び第２の素子は、対の状態で、２次元マトリクス状に配列されており、
第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子は発光素子から成り、
画像表示装置を構成する形態とすることができる。あるいは又、第１の態様〜第３の態様に係る電子デバイスにおいて、
第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子はセンサから成り、
センサアレイを構成する形態とすることができる。

第１の態様〜第２の態様に係る電子デバイスにおいて、基板に形成された素子あるいは第１の素子（以下、これらを総称して『第１の素子等』と呼ぶ場合がある）の個数は、１以上であればよく、個数の上限に特に限定は無い。第１の素子等を備えた積層構造体は、例えば発光素子あるいはセンサといった第２の素子を、例えば駆動するための駆動用超小型の半導体装置である。１つの第１の素子等が、１つの第２の素子を駆動してもよいし、複数の第２の素子を駆動してもよい。尚、第１の素子等は、トランジスタに限定するものでない。第１の素子等を、ダイオードや、抵抗素子、コンデンサ素子（容量素子）から構成することもできるし、第１の素子等を、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、コンデンサ素子から成る群から選択された少なくとも１種類の部品から構成することもできる。あるいは又、第１の素子等及び第２の素子を、所謂受動素子から構成してもよい。積層構造体において、第１の素子等は基板に形成されているが、具体的には、基板の内部に形成されていてもよいし、基板の表面に形成されていてもよいし、基板と絶縁層との間に形成されていてもよい。但し、基板に第１の素子等を形成することは必須ではない。配線のみを備えた積層構造体は、例えば、一種の切替器（スイッチャ）や分岐器として使用することができる。

第２の素子が発光素子から成る場合、発光素子は、具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）から構成されている形態とすることができる。発光ダイオードは、周知の構成、構造の発光ダイオードとすることができる。即ち、発光ダイオードの発光色に依って、最適な構成、構造を有し、適切な材料から作製された発光ダイオードを選択すればよい。発光ダイオードを発光部とする画像表示装置にあっては、赤色発光ダイオードから成る発光部が赤色発光副画素（サブピクセル）として機能し、緑色発光ダイオードから成る発光部が緑色発光副画素として機能し、青色発光ダイオードから成る発光部が青色発光副画素として機能し、これらの３種類の副画素によって１画素が構成され、これらの３種類の副画素の発光状態によってカラー画像を表示することができる。３種類の副画素によって１画素を構成する場合、３種類の副画素の配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。そして、発光ダイオードを、ＰＷＭ駆動法に基づき、しかも、定電流駆動すればよい。あるいは又、３つのパネルを準備し、第１のパネルを赤色発光ダイオードから成る発光部から構成し、第２のパネルを緑色発光ダイオードから成る発光部から構成し、第３のパネルを青色発光ダイオードから成る発光部から構成し、これらの３つのパネルからの光を、例えば、ダイクロイック・プリズムを用いて纏めるプロジェクタへ適用することもできる。

第２の素子がセンサから成る場合、センサとして、可視光を検出するセンサ、赤外線を検出するセンサ、紫外線を検出するセンサ、Ｘ線を検出するセンサ、気圧を検出するセンサ、温度を検出するセンサ、音を検出するセンサ、振動を検出するセンサ、加速度を検出するセンサ、角加速度を検出するセンサ（所謂ジャイロセンサー）を挙げることができる。

メッキ層の形成は、例えば、電解メッキ法、具体的には、例えば、電解銅メッキ法に基づき行うことができる。尚、メッキの開始時、配線の端部と配線部とは離間した状態にあることが好ましい。そして、配線部をカソードとして用いて、メッキ浴と配線部との間に電圧を印加すると、メッキ層が配線部から成長し始める。そして、メッキ層の成長先端面は多くの場合、丸みを帯びているので、最初に配線の端部と接触するメッキ層の部分は、点状又は極く限られた領域に限定される。そして、メッキ層と配線の端部とが接触した後には、配線部と配線の端部の双方からメッキ層が成長し、次第に接触面が拡大していく。このように、或る狭い範囲からメッキ層が拡大するので、メッキ層に、ボイドが発生し難いし、均一な組成の連続したグレインを生成させることができる。そのため、配線部と配線の端部とが接触した状態でメッキを開始するよりも、電気的、機械的に強固な接合を得ることができる。

実施例１は、本開示の第１の態様に係る積層構造体及びその製造方法に関する。図６Ａに実施例１の積層構造体、具体的には、半導体装置の模式的な一部端面図を示す。

実施例１の積層構造体は、下から、配線３２、絶縁層２１及び基板１１が積層されて成る積層構造体１０である。そして、積層構造体１０の側面１０Ａから配線３２の端部が突出しており、絶縁層２１を構成する材料と異なる材料から成る保護層２２が、絶縁層２１と少なくとも配線３２の一部との間に形成されている。

実施例１の積層構造体１０において、基板１１は半導体基板（より具体的には、シリコン半導体基板）から成り、基板１１には素子（具体的には、トランジスタ）１２が形成されており、素子１２と配線３２とを接続する接続部３１が絶縁層２１に形成されている。接続部３１は、絶縁層２１及び保護層２２を貫通して形成されている。

保護層２２は、絶縁層２１と少なくとも配線３２の一部との間、及び、少なくとも配線３２の一部と配線３２の一部との間に形成されている。具体的には、実施例１にあっては、保護層２２は、絶縁層２１と配線３２との間、及び、配線３２と配線３２との間に形成されている。また、層間絶縁層２３が、配線３２と配線３２の間に形成されている。そして、層間絶縁層２３と絶縁層２１との間に保護層２２が形成されている。積層構造体１０の側面１０Ａから突出した配線３２の端部の端面３３は、層間絶縁層２３によって被覆されている。但し、このような形態に限定するものではなく、積層構造体１０の側面１０Ａから突出した配線３２の端面３３が、露出した状態であってもよい。ここで、積層構造体１０の側面１０Ａから突出した配線３２の部分は接続端子部に相当する。

保護層２２を構成する材料は、絶縁層２１を構成する材料よりもエッチングされ難い。具体的には、絶縁層２１及び層間絶縁層２３は、シリコン酸化物系の材料、より具体的には、ＳｉＯ₂から成り、保護層２２は、ＳｉＮ系の材料、より具体的には、ＳｉＮから成る。配線３２及び接続部３１は、例えば、銅（Ｃｕ）から成る。

以下、図面を参照して、実施例１の積層構造体の製造方法を説明する。ここで、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｃ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図６Ｂは、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図（図１Ｂに示すＸＺ平面あるいは図１Ｄに示す矢印Ｂ−Ｂに沿った模式的な一部端面図）である。また、図１Ｃ、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂは、図１Ｂ、図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａとは異なる仮想垂直面（但し、ＸＺ平面と平行な平面あるいは図１Ｄに示す矢印Ｃ−Ｃに沿った平面）で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図である。更には、図１Ｄは、図１Ｂ及び図１Ｃとは異なる仮想垂直面（図１Ｄに示すＹＺ平面あるいは図１Ｂ、図１Ｃに示す矢印Ｄ−Ｄに沿った平面）で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図である。

先ず、基板１１上に絶縁層２１を形成し、少なくとも配線３２を形成すべき絶縁層２１の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層２１を構成する材料と異なる材料から成る保護層２２を形成し、次いで、端部を有する配線３２を形成する。

［工程−１００］
具体的には、先ず、シリコン半導体基板から成る基板１１に、周知の方法に基づき素子（具体的には、トランジスタ、より具体的には、電界効果トランジスタ，ＦＥＴ）１２を形成する。尚、参照番号１３，１４，１５，１６は、ゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル形成領域、ソース／ドレイン領域である。そして、素子１２が形成された基板１１の上に、周知のＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ₂から成る絶縁層２１を形成し、絶縁層２１上に（具体的には、実施例１にあっては、配線３２を形成すべき絶縁層２１の領域、及び、配線３２と配線３２の間に位置する絶縁層２１の領域を含む領域の上に）、絶縁層２１を構成する材料と異なる材料（具体的には、ＳｉＮ）から成る保護層２２を、ＣＶＤ法及びエッチング技術に基づき形成する（図１Ａ参照）。

［工程−１１０］
その後、端部を有する配線３２を保護層２２の上に形成する。併せて、配線３２と配線３２の間に層間絶縁層２３を形成し、素子１２と配線３２とを接続する接続部３１を絶縁層２１及び保護層２２に形成する。具体的には、保護層２２の上に、ＣＶＤ法に基づき層間絶縁層２３を形成する。そして、配線３２を形成すべき層間絶縁層２３の部分に凹部（溝）を形成し、更に、接続部３１を形成すべき絶縁層２１及び保護層２２の部分に、素子１２のソース／ドレイン領域１６に達する孔部を形成する。そして、例えば、メッキ法に基づき、孔部及び凹部（溝）を銅層によって埋める。こうして、所謂デュアルダマシン法に基づき、端面３３を有する配線３２及び接続部３１を得ることができる（図１Ｂ、図１Ｃ及び図１Ｄ参照）。但し、配線３２、接続部３１、保護層２２の形成方法は、このような方法に限定するものではない。このように、層間絶縁層２３を形成した後、配線３２等を形成してもよいし、配線３２等を形成した後、層間絶縁層２３を形成してもよい。配線３２の端面３３から、保護層２２の端面２２Ａは突出している。

［工程−１２０］
次いで、基板１１の配線３２が形成されている側と、石英基板から成る支持基板４０とを接合する。具体的には、配線３２及び層間絶縁層２３を介して、基板１１と支持基板４０とを接合する。より具体的には、接着剤層４３を用いて、周知の方法に基づき、基板１１と支持基板４０とを接合する（図２Ａ、図２Ｂ参照）。

［工程−１３０］
その後、例えば、ＣＭＰ法に基づき、基板１１の厚さを、例えば、１０μｍ程度まで薄くする（図２Ｃ参照）。

［工程−１４０］
次に、基板１１及び絶縁層２１をエッチングして、保護層２２によって表面が被覆された配線３２の端部が露出した溝部４５を形成する。具体的には、基板１１及び絶縁層２１をエッチングする。より具体的には、基板１１の頂面１１Ａの上にエッチング用レジスト４４を周知の方法で形成する（図３Ａ、図３Ｂ参照）。そして、基板１１、絶縁層２１及び層間絶縁層２３をエッチングする（図４Ａ、図４Ｂ参照）。このとき、保護層２２はエッチングされず、且つ、絶縁層２１及び層間絶縁層２３はエッチングされるようなエッチング条件を選択する。こうして、溝部（分離溝）４５を形成することができるが、溝部（分離溝）４５には、保護層２２によって表面が被覆された配線３２の一部が露出する。ここで、溝部４５に露出した配線３２の一部は、接続端子部である。図４Ａ、図４Ｂに示すように、絶縁層２１及び層間絶縁層２３のエッチング時、保護層２２が、若干、エッチングされる場合もあるが、配線３２は保護層２２によって被覆されているので、配線３２に損傷等が発生することを防止することができる。また、溝部４５の形成の際、基板１１と支持基板４０の接合部をエッチングする。具体的には、基板１１と支持基板４０との接合部である接着剤層４３の一部をエッチングする。

［工程−１５０］
次いで、溝部４５に露出した保護層２２を除去し、配線３２の端部を露出させる。具体的には、エッチング条件を変更して、溝部（分離溝）４５に露出した保護層２２を除去し、配線３２の一部の表面を露出させる（図５Ａ、図５Ｂ参照）。その後、エッチング用レジスト４４を除去することで、図６Ａに示す構造を有する実施例１の積層構造体（半導体装置）を得ることができる。積層構造体のそれぞれは、相互に分離される。

［工程−１６０］
接着層（粘着層）が全面に形成された中継基板（図示せず）を準備する。そして、接着層と基板１１の頂面１１Ａとを接触させ、接着層に基板１１の頂面１１Ａを付着させる。その後、支持基板側からエキシマレーザを接着剤層４３に照射することでレーザ・アブレージョンを生じさせ、接着剤層４３と支持基板４０の界面において積層構造体１０から支持基板４０を取り外し、中継基板によって保持する。その後、中継基板に保持された積層構造体１０を実装用基板（例えば、プリント配線板）５０に配置し、中継基板を周知の方法で除去した後、実装用基板５０に設けられた配線部５１と配線３２の端部とを電気的に接続する。具体的には、配線３２の射影像と配線部５１の射影像とが一部分で重なった状態となるように、実装用基板５０上の未硬化接着材料層の上に積層構造体１０を配し、次いで、中継基板を除去した後、未硬化接着材料層を硬化させ、その後、配線３２の端部と配線部５１とを電気的に接続する。こうして、図６Ｂに示すように、実装用基板５０に積層構造体（半導体装置）１０が取り付けられた構造を得ることができる。尚、図６Ｂにおいて、参照番号５２は、実装用基板５０に積層構造体１０を固定するための光硬化型接着材料層を示し、参照番号５３は、接続端子部として機能する配線３２の端部と配線部５１とを電気的に接続するメッキ層を表す。第２の素子（具体的には、発光素子であり、例えば、発光ダイオード、ＬＥＤ）６０は、光硬化型接着材料層５４によって実装用基板５０に固定されており、配線部５１と、第２の素子６０に設けられたボンディング・パッド部６１とは、メッキ層５５によって電気的に接続されている。周知の転写法に基づき、第２の素子６０を実装用基板５０に固定することができる。

こうして、実施例１の積層構造体１０が配線部５１が形成された実装用基板５０に実装された実装基板を得ることができ、また、実施例１の積層構造体１０を備えた電子デバイスを得ることができる。第２の素子６０は、配線部５１を介して接続された素子（トランジスタ）１２によって駆動される。即ち、このような構成にあっては、１つの発光素子が１つの半導体装置によって駆動される。尚、配線部５１は、図示しない周辺回路及び／又は電源にも接続されている。

あるいは又、電子デバイスは、
実施例１の積層構造体１０、並びに、
配線部５１が形成された実装用基板５０、
を備えており、
各積層構造体１０の下面と実装用基板５０とは、接着材料層（例えば、光硬化型接着材料層５２）によって接着されており、
各積層構造体１０の配線３２の端部と実装用基板５０に設けられた配線部５１とは、メッキ層５３を介して電気的に接続されている。

あるいは又、電子デバイスは、
実施例１の積層構造体１０、並びに、
配線部５１が形成された実装用基板５０、
を備えており、
各積層構造体１０の下面と実装用基板５０とは、接着材料層（例えば、光硬化型接着材料層５２）によって接着されており、
各積層構造体１０の配線３２の端部と実装用基板５０に設けられた配線部５１とは、メッキ層５３を介して電気的に接続されており、
各積層構造体１０において、基板１１は半導体基板から成り、基板１１には第１の素子１２が形成されており、第１の素子１２と配線３２とは、絶縁層２１、更には、保護層２２に設けられた接続部３１を介して電気的に接続されており、
各積層構造体１０に隣接して、実装用基板５０上には第２の素子６０が配置されており、
第１の素子１２と第２の素子６０とは、実装用基板５０に設けられた配線部５１によって電気的に接続されており（具体的には、メッキ層５３を介して電気的に接続されており）、
第２の素子６０は第１の素子１２によって駆動される。

尚、電子デバイスにおいて、
複数の積層構造体１０及び第２の素子６０は、対の状態で、２次元マトリクス状に配列されており、
第１の素子１２はトランジスタから成り、
第２の素子６０は発光素子から成り、
画像表示装置を構成する。

このように、実施例１の積層構造体あるいはその製造方法にあっては、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が配線と絶縁層との間に形成されているので、溝部（分離溝）の形成時、基板、絶縁層及び保護層をエッチングするとき、配線に損傷が発生することを防止することができ、接続端子部の信頼性の低下発生を抑制することができる。また、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が配線と絶縁層との間に形成されているので、エッチング工程の安定化、エッチング時間の短縮化を図ることができる。

尚、従来の半導体装置の製造方法にあっては、エッチング時、配線に損傷が発生することを防止するために、シリコン半導体基板の上方に形成された配線の上に保護層を形成することが考えられる。即ち、シリコン半導体基板、配線、及び、保護層を、この順に形成することが考えられる。一方、実施例１の積層構造体１０にあっては、基板１１、保護層２２、及び、配線３２が、この順に形成されており、保護層２２の位置が異なる。

実施例２は、実施例１の変形である。図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃの模式的な一部端面図に示すように、実施例２の積層構造体において、保護層２２は、絶縁層２１の下方（これらの図においては、便宜上、上方に位置するように図示している）に位置する配線３２の部分の頂面に形成されている。

尚、図７Ａ、あるいは、後述する図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａは、図１Ｄに示すＹＺ平面あるいは図１Ｂ、図１Ｃに示す矢印Ｄ−Ｄに沿った平面と同様の平面で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図（図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、）あるいは一部断面図（図１１Ａ、図１２Ａ）である。また、図７Ｂ、あるいは、後述する図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂ、図１２Ｂは、図１Ｂに示すＸＺ平面あるいは図１Ｄに示す矢印Ｂ−Ｂに沿った平面と同様の平面で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図（図７Ｂ、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ）あるいは一部断面図（図１１Ｂ、図１２Ｂ）である。更には、図７Ｃ、あるいは、後述する図８Ｃ、図１０Ｃ、図１１Ｃ、図１２Ｃは、ＸＺ平面と平行な平面あるいは図１Ｄに示す矢印Ｃ−Ｃに沿った平面と同様の平面で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図（図７Ｃ、図８Ｃ、図１０Ｃ）あるいは一部断面図（図１１Ｃ、図１２Ｃ）である。

実施例２の積層構造体は、実施例１の［工程−１００］と同様の工程において、絶縁層２１上に、具体的には、実施例２にあっては、配線３２を形成すべき絶縁層２１の領域上に、絶縁層２１を構成する材料と異なる材料（具体的には、ＳｉＮ）から成る保護層２２を、ＣＶＤ法及びエッチング技術に基づき形成すればよい。

以上の点を除き、実施例２の積層構造体の構成、構造、製造方法は、実施例１の積層構造体の構成、構造、製造方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。実施例２にあっては、配線３２等を形成した後の平坦化処理の軽減を図ることができるし、場合によっては、平坦化処理が不要となる。また、実施例２、あるいは、後述する実施例３〜実施例４の構造を採用することで、浮遊容量や配線間容量の低減を図ることができる。実施例２における保護層２２の構成を、後述する実施例５〜実施例７に適用することができる。

実施例３も、実施例１の変形である。図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図９Ａ、図９Ｂの模式的な一部端面図に示すように、保護層２２は、絶縁層２１の下方（図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃにおいては、便宜上、上方に位置するように図示している）に位置する配線３２の部分の頂面の少なくとも一部（具体的には、配線３２の端部及び溝部４５の近傍に位置する部分）に形成されている。尚、図９Ａは、図１Ｂと同様の仮想平面で積層構造体を切断したときの模式的な一部端面図であり、図９Ｂは、図１Ｃと同様の仮想平面で積層構造体を切断したときの模式的な一部端面図である。

実施例３の積層構造体は、実施例１の［工程−１００］と同様の工程において、絶縁層２１上に、具体的には、実施例３にあっては、配線３２の端部及び溝部４５の近傍に位置する配線３２の部分を形成すべき絶縁層２１の領域上に、絶縁層２１を構成する材料と異なる材料（具体的には、ＳｉＮ）から成る保護層２２を、ＣＶＤ法及びエッチング技術に基づき形成すればよい。

尚、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃに示すように、実施例２において説明した保護層２２の構成に実施例３における保護層２２の構成を適用することもできる。

以上の点を除き、実施例３の積層構造体の構成、構造、製造方法は、実施例１の積層構造体の構成、構造、製造方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。また、実施例３における保護層２２の構成を、後述する実施例５〜実施例７に適用することができる。

実施例４も、実施例１の変形である。図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃ、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃの模式的な一部断面図に示すように、保護層２２は、絶縁層２１の下方（これらの図においては、便宜上、上方に位置するように図示している）に位置する配線３２の部分の頂面、更には、頂面から側面に亙り形成されている。

実施例４の積層構造体は、実施例１の［工程−１００］と同様の工程において、絶縁層２１に、具体的には、実施例４にあっては、配線３２を形成すべき絶縁層２１の領域に、凹部を形成し、次いで、凹部の側面及び底面に、絶縁層２１を構成する材料と異なる材料（具体的には、ＳｉＮ）から成る保護層２２を、ＣＶＤ法及びＣＭＰ技術に基づき形成する（図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃ参照）。その後、凹部内に、バリアメタル層（図示せず）を形成し、更に、配線３２を形成する（図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃ参照）。こうして、所謂デュアルダマシン法に基づき、端面３３を有する配線３２及び接続部３１を得ることができる。

以上の点を除き、実施例４の積層構造体の構成、構造、製造方法は、実施例１の積層構造体の構成、構造、製造方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。また、実施例４における保護層２２の構成を、後述する実施例５〜実施例７に適用することができる。

実施例５も、実施例１の変形である。実施例５の積層構造体にあっては、模式的な一部端面図を図１４Ｂに示すように、少なくとも積層構造体１０の側面１０Ａに第２絶縁層７０が形成されており、第２絶縁層７０の上にはチタン（Ｔｉ）から成る遮光膜７１が形成されている。尚、実施例５にあっては、積層構造体１０の頂面１０Ｂにも第２絶縁層７０が形成されており、更には、遮光膜７１の上には第３絶縁層７２が形成されている。但し、このような構成、構造に限定するものではない。

図６Ｂに示したように、積層構造体（半導体装置）１０に隣接して発光素子６０が配設されている。それ故、発光素子６０から出射された光が積層構造体１０に入射し、その結果、積層構造体１０の特性に悪影響（例えば、光電変換に起因した悪影響）が生じる虞がある。実施例５にあっては、積層構造体１０の側面１０Ａの部分に遮光膜７１が形成されており、更には、積層構造体１０の頂面１０Ｂの部分にも遮光膜７１が形成されているので、発光素子６０から出射された光が積層構造体１０に入射することを確実に防止することができ、積層構造体（半導体装置）１０の特性に悪影響が生じることがない。また、第３絶縁層７２を形成することで、図６Ｂに示したメッキ層５３の形成時、遮光膜７１と配線３２との間に短絡が発生することを防止することができる。

以下、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂを参照して、実施例５の積層構造体の製造方法を説明するが、これらの図は、図１Ｂに示すＸＺ平面あるいは図１Ｄに示す矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。

［工程−５００］
実施例５の積層構造体の製造方法にあっては、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１４０］と同様の工程を実行した後、エッチング用レジスト４４を除去する（図１３Ａ参照）。こうして、保護層２２によって表面が被覆された配線３２の端部が露出した溝部（分離溝）４５を形成することができる。

［工程−５１０］
次に、基板１１の上及び溝部４５内に、周知のＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ₂から成る第２絶縁層７０を形成する。尚、第２絶縁層７０を構成する材料として、その他、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅を挙げることができる。また、形成方法として、ＰＶＤ法を採用してもよい。

［工程−５２０］
その後、少なくとも溝部４５の側壁上の第２絶縁層７０の上に遮光膜７１を形成する。尚、実施例５にあっては、溝部４５の側壁及び基板１１の上の第２絶縁層７０の上に遮光膜７１を形成する。具体的には、第２絶縁層７０の上に、周知のスパッタリング法に基づき、Ｔｉから成る遮光膜７１を形成する（図１３Ｂ参照）。その後、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面の上に位置する遮光膜７１の部分及び第２絶縁層７０の部分を、エッチング技術に基づき除去する（図１４Ａ参照）。このときにも、配線３２は保護層２２によって被覆されているので、配線３２に損傷が発生することを防止することができるだけでなく、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面上に位置する遮光膜７１の部分及び第２絶縁層７０の部分を確実に除去することができる。また、溝部４５内における遮光膜７１の下端部と配線３２との間の距離Ｌ（図１４Ａ参照）は、溝部４５の底部における第２絶縁層７０の膜厚及び保護層２２の膜厚によって規定されるので、この距離Ｌのバラツキを少なくすることができ、プロセスの安定化を図ることができる結果、遮光性能の向上、積層構造体（半導体装置）１０の特性の安定化を図ることができる。尚、一般に、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面の上方に位置する遮光膜７１の部分の厚さは、基板１１の上方に位置する遮光膜７１の部分の厚さよりも薄いので、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面の上に位置する遮光膜７１の部分及び第２絶縁層７０の部分を、選択的にエッチングすることができる。

［工程−５３０］
こうして遮光膜７１を形成した後、実施例５にあっては、遮光膜７１上に第３絶縁層７２を形成する。具体的には、全面に、周知のＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ₂から成る第３絶縁層７２を形成し、その後、エッチング技術に基づき、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面上に位置する第３絶縁層７２を除去する。尚、一般に、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面の上方に位置する第３絶縁層７２の部分の厚さは、基板１１の上方に位置する第３絶縁層７２の部分の厚さよりも薄いので、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面の上に位置する第３絶縁層７２の部分を、選択的にエッチングすることができる。また、配線３２の端面３３の上には、第２絶縁層７０、遮光膜７１、第３絶縁層７２が残される。こうして、図１４Ｂに示す構造を得ることができる。その後、配線３２の上の保護層２２を除去する実施例１の［工程−１５０］以降の工程を実行することで、実施例５の積層構造体を得ることができる。尚、積層構造体１０の側面１０Ａが第２絶縁層７０、遮光膜７１等で覆われているので、実施例１の［工程−１５０］と同様の工程において、保護層２２を除去するとき、たとえ、配線３２がエッチングされてエッチング残渣が生じたとしても、エッチング残渣が積層構造体１０の側面１０Ａから積層構造体１０に侵入することを阻止することができる。

尚、実施例５においては、第２絶縁層７０の形成後、遮光膜７１、第３絶縁層７２の形成を行ったが、遮光膜７１、第３絶縁層７２の形成は必須ではない。第２絶縁層７０の形成のみを行うことで、図６Ｂに示したメッキ層５３の形成時、メッキ層５３と基板１１との間に短絡が発生することを防止することができる。次に述べる実施例６においても同様である。

実施例６は，実施例５の変形である。実施例５において作製された積層構造体では、図１４Ｂに示した状態にあっては、接着剤層４３と配線３２等の界面の近傍における溝部４５の側壁に、第２絶縁層７０や遮光膜７１、第３絶縁層７２が残存している。それ故、実施例１の［工程−１６０］と同様の工程にあっては、接着剤層４３と支持基板４０の界面において積層構造体１０から支持基板４０を取り外すことが困難となり、あるいは又、支持基板４０を取り外した後の積層構造体１０の位置決め精度が低下し、あるいは又、実装用基板５０への積層構造体１０の正確な配置が困難となり、以上の結果として、製造歩留りの低下を招く虞がある。

実施例６にあっては、実施例５の［工程−５００］と［工程−５１０］の間において、配線３２の下方に位置する接着剤層４３の一部を、例えば、等方的に、選択的にエッチングする（図１５Ａの模式的な一部端面図を参照）。そして、実施例５の［工程−５１０］以降の工程と同様の工程を実行する。ここで、実施例５の［工程−５１０］と同様の工程において、第２絶縁層７０を形成すると、溝部４５の底部近傍からは接着剤層４３が取り除かれているので、第２絶縁層７０に不連続な部分が生じる。尚、第２絶縁層７０は、積層構造体１０の下面の一部にまで延在する。あるいは又、積層構造体１０の下面には接着剤層４３が形成されており、第２絶縁層７０は、接着剤層４３の一部にまで延在する。また、場合によっては、第２絶縁層７０は、配線３２の端部の下面まで延在する。そして、実施例５の［工程−５２０］と同様の工程において、遮光膜７１を形成すると、やはり、遮光膜７１に不連続な部分が生じるし（図１５Ｂ参照）、［工程−５３０］と同様の工程において、第３絶縁層７２を形成すると、やはり、第３絶縁層７２に不連続な部分が生じる。また、配線３２の端面３３の上には、第２絶縁層７０、遮光膜７１、第３絶縁層７２が残される。尚、図１５Ｂは、図１５Ａにおいて円で囲んだ領域と同じ領域を拡大した模式的な一部端面図である。それ故、実施例１の［工程−１６０］と同様の工程において、接着剤層４３と支持基板４０の界面において積層構造体１０から支持基板４０を取り外す際、この界面近傍には第２絶縁層７０等が存在していないので、積層構造体１０から支持基板４０を容易に取り外すことができるし、支持基板４０を取り外した後の積層構造体１０の位置決め精度が低下することが無いし、あるいは又、実装用基板５０への積層構造体１０の正確な配置を行うことができる。そして、以上の結果として、製造歩留りの低下を招くことが無い。

実施例７は、本開示の第２の態様に係る積層構造体及びその製造方法に関する。図１９に実施例７の積層構造体（半導体装置）の模式的な一部端面図を示す。

実施例７の積層構造体は、
絶縁層１２１が形成され、絶縁層１２１上に第１の配線１３２が形成された基板１１１、及び、
第２の配線１４２が形成された基体１４０、
を備えている。そして、
基板１１１は、第１の配線１３２と第２の配線１４２とが離間した状態であって、第１の配線１３２と第２の配線１４２とが対向した状態で（即ち、第１の配線１３２の射影像と第２の配線１４２の射影像とが一部分で重なった状態で）、基体１４０と接合されており、
少なくとも第１の配線１３２の端面１３３、及び、第２の配線１４２の一部が露出した開口部（孔部）１４５が、基板１１１及び絶縁層１２１に形成されており、
開口部１４５には導電材料１４６が埋め込まれており、
絶縁層１２１を構成する材料と異なる材料から成る保護層１２２が、絶縁層１２１と少なくとも第１の配線１３２の一部との間に形成されている。尚、開口部１４５には、具体的には、第１の配線１３２の一部及び第１の配線１３２の端面１３３並びに第２の配線１４２の一部が露出している。また、保護層１２２を構成する材料は、絶縁層１２１を構成する材料よりもエッチングされ難い。

ここで、保護層１２２は、具体的には、絶縁層１２１と少なくとも第１の配線１３２の一部との間、及び、少なくとも第１の配線１３２の一部と第１の配線１３２の一部との間に形成されている。より具体的には、実施例７にあっては、保護層１２２は、絶縁層１２１と第１の配線１３２との間、及び、第１の配線１３２と第１の配線１３２との間に形成されている。そして、層間絶縁層１２３が、第１の配線１３２と第１の配線１３２の間に形成されており、層間絶縁層１２３と絶縁層１２１との間に保護層１２２が形成されている。

実施例１と同様に、絶縁層１２１及び層間絶縁層１２３は、シリコン酸化物系の材料、より具体的には、ＳｉＯ₂から成り、保護層１２２は、ＳｉＮ系の材料、より具体的には、ＳｉＮから成る。シリコン半導体基板から成る基板１１１には、実施例１と同様に、素子（具体的には、トランジスタ）１２が形成されており、素子１２と第１の配線１３２とは接続部３１によって接続されている。第１の配線１３２及び接続部３１は、例えば、銅（Ｃｕ）から成る。基体１４０は、例えば、シリコン半導体基板から成り、トランジスタ（図示せず）や絶縁膜１４１が形成され、絶縁膜１４１に第２の配線１４２が形成されている。基板１１１と基体１４０とは、例えば、接着剤層１４３を介して接合されている。

以下、基板等の模式的な一部端面図（図１Ｂに示すＸＺ平面あるいは図１Ｄに示す矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図）である図１６Ａ、図１６Ｂ、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９を参照して、実施例７の積層構造体の製造方法を説明する。尚、図１６Ｃは、図１６Ｂとは異なる仮想垂直面（但し、ＸＺ平面と平行な平面あるいは図１Ｄに示す矢印Ｃ−Ｃに沿った平面と同様の平面）で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図である。

ここで、予め、第２の配線１４２が形成された基体１４０を、周知の方法で作製し、準備しておく。一方、基板１１１上に絶縁層１２１を形成し、少なくとも第１の配線１３２を形成すべき絶縁層１２１の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層１２１を構成する材料と異なる材料から成る保護層１２２を形成し、次いで、端面１３３を有する第１の配線１３２を形成する。

［工程−７００］
具体的には、先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、シリコン半導体基板から成る基板１１１に素子１２を形成する。そして、実施例１の［工程−１００］と同様にして、素子１２が形成された基板１１１の上に、周知のＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ₂から成る絶縁層１２１を形成し、絶縁層１２１上に（具体的には、実施例７にあっては、第１の配線１３２を形成すべき絶縁層１２１の領域上、及び、第１の配線１３２と第１の配線１３２の間に位置する絶縁層１２１の領域上に）、絶縁層１２１を構成する材料と異なる材料（具体的には、ＳｉＮ）から成る保護層１２２を、ＣＶＤ法及びエッチング技術に基づき形成する。次いで、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、保護層１２２上に第１の配線１３２を形成し、併せて、素子１２と第１の配線１３２とを接続する接続部３１を形成し、また、第１の配線１３２と第１の配線１３２との間に、ＳｉＯ₂から成る層間絶縁層１２３を形成する。尚、層間絶縁層１２３を形成した後、配線１３２等を形成してもよいし、配線１３２等を形成した後、層間絶縁層１２３を形成してもよい。こうして、図１６Ａに示す構造を得ることができるが、図１６Ａにおいては、天地を逆にして表示している。

［工程−７１０］
そして、第２の配線１４２と第１の配線１３２とが離間した状態であって、第１の配線１３２と第２の配線１４２とが対向した状態で（即ち、第１の配線１３２の射影像と第２の配線１４２の射影像とが一部分で重なった状態で）、基板１１１と基体１４０とを接合する。具体的には、接着剤層１４３を用いて、周知の方法に基づき、基板１１１と基体１４０とを接合する（図１６Ｂ、図１６Ｃ参照）。

［工程−７２０］
その後、例えば、ＣＭＰ法に基づき、基板１１１の厚さを、例えば、１０μｍ程度まで薄くする（図１７Ａ参照）。

［工程−７３０］
次に、基板１１１及び絶縁層１２１をエッチングし、第２の配線１４２の一部及び少なくとも第１の配線１３２の端面１３３が露出した開口部（孔部）１４５を形成する。具体的には、基板１１１の頂面１１１Ａの上にエッチング用レジスト１４４を周知の方法で形成する（図１７Ｂ参照）。そして、基板１１１、絶縁層１２１及び層間絶縁層１２３をエッチングする（図１８Ａ参照）。このとき、保護層１２２はエッチングされず、且つ、絶縁層１２１及び層間絶縁層１２３はエッチングされるようなエッチング条件を選択する。更には、開口部１４５の形成の際、基板１１１と基体１４０の接合部をエッチングする。具体的には、基板１１１と基体１４０とを接着剤層１４３を用いて接合しているので、接着剤層１４３の一部をエッチングする。こうして、開口部（孔部）１４５を形成することができるが、開口部１４５には、第２の配線１４２の一部及び少なくとも第１の配線１３２の端面１３３（具体的には、第２の配線１４２の一部、第１の配線１３２の一部及び第１の配線１３２の端面１３３）が露出している。開口部１４５に露出した第１の配線１３２の一部は、保護層１２２によって表面が被覆された状態にある。図１８Ａに示すように、このとき、保護層１２２が、若干、エッチングされる場合もあるが、保護層１２２を構成する材料は、絶縁層１２１を構成する材料よりもエッチングされ難く、第１の配線１３２は保護層１２２によって被覆されているので、第１の配線１３２に損傷等が発生することを防止することができる。また、第２の配線１４２を厚く形成しておけば、第２の配線１４２に大きな損傷等が発生することを防止することができる。尚、少なくとも、開口部１４５の底部に位置する第２の配線１４２の部分の表面に、保護層１２２と同じ材料から成る保護膜を形成してもよい。

［工程−７４０］
次いで、エッチング条件を変更して、開口部１４５に露出した保護層１２２を除去し、第１の配線１３２の一部の表面を露出させる（図１８Ｂ参照）。尚、保護層１２２の除去は必須ではない。第１の配線１３２の端面１３３が露出していれば、導電材料１４６との間で導通が取れる。その後、エッチング用レジスト１４４を除去する。

［工程−７５０］
その後、周知の方法に基づき、開口部１４５に導電材料１４６を埋め込む（図１９参照）。

実施例７の積層構造体あるいはその製造方法にあっては、絶縁層と第１の配線との間には絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が形成されているので、基板、絶縁層及び保護層をエッチングするといった、スルーチップビヤ加工時、第１の配線に損傷が発生することを防止することができ、第１の配線と第２の配線との接続の信頼性低下を抑制することができる。また、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が第１の配線と絶縁層との間に形成されているので、エッチング工程の安定化、エッチング時間の短縮化を図ることができる。

尚、スルーチップビヤ（ＴＣＶ）技術において、エッチング時、配線に損傷が発生することを防止するために、シリコン半導体基板の上方に形成された配線の上に保護層を形成することが考えられる。即ち、シリコン半導体基板、配線、及び、保護層を、この順に形成することが考えられる。一方、実施例７の積層構造体にあっては、基板１１１、保護層１２２、及び、第１の配線１３２が、この順に形成されており、保護層１２２の位置が異なる。

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した積層構造体の構成、構造、使用した材料等は例示で有り、適宜、変更することができる。実施例にあっては、配線を単層としたが、これに限定するものではなく、２層配線、３層配線、４層配線等の多層配線とすることができる。場合によっては、積層構造体を覆うように絶縁層あるいはパッシベーション膜を形成してもよい。

実施例においては第２の素子を発光素子から構成したが、電子デバイスにおいて、第１の素子はトランジスタから成り、第２の素子は、例えば、可視光を検出するセンサ、赤外線を検出するセンサ、紫外線を検出するセンサ、Ｘ線を検出するセンサから成り、センサアレイを構成する形態とすることもできる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《積層構造体：第１の態様》
下から、配線、絶縁層及び基板が積層されて成る積層構造体であって、
積層構造体の側面から配線の端部が突出しており、
絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が、絶縁層と少なくとも配線の一部との間に形成されている積層構造体。
［Ａ０２］保護層を構成する材料は、絶縁層を構成する材料よりもエッチングされ難い［Ａ０１］に記載の積層構造体。
［Ａ０３］基板は半導体基板から成り、
基板には素子が形成されており、
素子と配線とを接続する接続部が絶縁層に形成されている［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の積層構造体。
［Ａ０４］保護層は、絶縁層と少なくとも配線の一部との間、及び、少なくとも配線の一部と配線の一部との間に形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ａ０５］層間絶縁層が配線と配線の間に形成されており、層間絶縁層と絶縁層との間に保護層が形成されている［Ａ０４］に記載の積層構造体。
［Ａ０６］配線の端部の端面は、層間絶縁層によって被覆されている［Ａ０５］に記載の積層構造体。
［Ａ０７］保護層は、絶縁層の下方に位置する配線の部分の頂面の少なくとも一部に形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ａ０８］保護層は、絶縁層の下方に位置する配線の部分の頂面に形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ａ０９］保護層は、絶縁層の下方に位置する配線の部分の頂面から側面に亙り形成されている［Ａ０８］に記載の積層構造体。
［Ａ１０］配線の端部の端面は、保護層によって被覆されている［Ａ０９］に記載の積層構造体。
［Ａ１１］配線の端部は接続端子部である［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ａ１２］少なくとも積層構造体の側面には、第２絶縁層が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ａ１３］積層構造体の頂面にも第２絶縁層が形成されている［Ａ１２］に記載の積層構造体。
［Ａ１４］第２絶縁層は、積層構造体の下面の一部にまで延在している［Ａ１２］又は［Ａ１３］に記載の積層構造体。
［Ａ１５］積層構造体の下面には接着剤層が形成されており、第２絶縁層は、接着剤層の一部にまで延在している［Ａ１２］又は［Ａ１３］に記載の積層構造体。
［Ａ１６］第２絶縁層の上には遮光膜が形成されている［Ａ１２］乃至［Ａ１５］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ａ１７］遮光膜上には第３絶縁層が形成されている［Ａ１５］に記載の積層構造体。
［Ｂ０１］《積層構造体：第２の態様》
絶縁層が形成され、絶縁層上に第１の配線が形成された基板、及び、
第２の配線が形成された基体、
を備えており、
基板は、第１の配線と第２の配線とが離間した状態であって、第１の配線と第２の配線とが対向した状態で、基体と接合されており、
少なくとも第１の配線の端面、及び、第２の配線の一部が露出した開口部が、基板及び絶縁層に形成されており、
開口部には導電材料が埋め込まれており、
絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が、絶縁層と少なくとも第１の配線の一部との間に形成されている積層構造体。
［Ｂ０２］保護層を構成する材料は、絶縁層を構成する材料よりもエッチングされ難い［Ｂ０１］に記載の積層構造体。
［Ｂ０３］保護層は、絶縁層と少なくとも第１の配線の一部との間、及び、少なくとも第１の配線の一部と第１の配線の一部との間に形成されている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の積層構造体。
［Ｂ０４］層間絶縁層が、第１の配線と第１の配線の間であって、保護層と絶縁層との間に形成されており、層間絶縁層と絶縁層との間に保護層が形成されている［Ｂ０３］に記載の積層構造体。
［Ｂ０５］保護層は、絶縁層の下方に位置する第１の配線の部分の頂面の少なくとも一部に形成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ｂ０６］保護層は、絶縁層の下方に位置する第１の配線の部分の頂面に形成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ｂ０７］保護層は、絶縁層の下方に位置する第１の配線の部分の頂面から側面に亙り形成されている［Ｂ０６］に記載の積層構造体。
［Ｃ０１］《積層構造体の製造方法：第１の態様》
（Ａ）基板上に絶縁層を形成し、少なくとも配線を形成すべき絶縁層の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成し、次いで、端部を有する配線を形成した後、
（Ｂ）基板の配線が形成されている側と支持基板とを接合し、次いで、
（Ｃ）基板を薄くした後、
（Ｄ）基板及び絶縁層をエッチングし、以て、保護層によって表面が被覆された配線の端部が露出した溝部を形成し、その後、
（Ｅ）溝部に露出した保護層を除去し、配線の端部を露出させる、
各工程を備えている積層構造体の製造方法。
［Ｃ０２］前記工程（Ａ）には、配線と配線との間に層間絶縁層を形成する工程が含まれる［Ｃ０１］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ０３］前記工程（Ａ）において、配線を形成すべき絶縁層の領域に凹部を形成し、次いで、凹部の側面及び底面に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成した後、凹部内に配線を形成する［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ０４］前記工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、基板と支持基板の接合部をエッチングする［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ０５］更に、支持基板の一部をエッチングする［Ｃ０４］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ０６］前記工程（Ｂ）において、基板の配線が形成されている側と支持基板とを接着剤層を用いて接合する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ０７］前記工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、接着剤層の一部をエッチングする［Ｃ０６］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ０８］前記工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、配線の下方に位置する接着剤層の一部をエッチングし、
前記工程（Ｄ）と工程（Ｅ）の間で、基板上及び溝部内に第２絶縁層を形成する、
工程を備えている［Ｃ０１］乃至［Ｃ０７］のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ０９］基板上及び溝部内に第２絶縁層を形成した後、少なくとも溝部の側壁上の第２絶縁層の上に遮光膜を形成する［Ｃ０８］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ１０］溝部の側壁上及び基板上の第２絶縁層の部分の上に遮光膜を形成する［Ｃ０９］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ１１］遮光膜を形成した後、遮光膜上に第３絶縁層を形成する［Ｃ０９］又は［Ｃ１０］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ１２］保護層を構成する材料は、絶縁層を構成する材料よりもエッチングされ難い［Ｃ０１］乃至［Ｃ１１］のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｃ１３］配線の端部は接続端子部である［Ｃ０１］乃至［Ｃ１２］のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｄ０１］《積層構造体の製造方法：第２の態様》
第２の配線が形成された基体を準備しておき、
（Ａ）基板上に絶縁層を形成し、少なくとも第１の配線を形成すべき絶縁層の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成し、次いで、端面を有する第１の配線を形成した後、
（Ｂ）第１の配線と第２の配線とが離間した状態であって、第１の配線と第２の配線とが対向した状態で、基板と基体とを接合し、次いで、
（Ｃ）基板を薄くした後、
（Ｄ）基板及び絶縁層をエッチングし、以て、第２の配線の一部及び少なくとも第１の配線の端面が露出した開口部を形成し、その後、
（Ｅ）開口部に導電材料を埋め込む、
各工程を備えている積層構造体の製造方法。
［Ｄ０２］保護層を構成する材料は、絶縁層を構成する材料よりもエッチングされ難い［Ｄ０１］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｄ０３］前記工程（Ａ）には、第１の配線と第１の配線との間に層間絶縁層を形成する工程が含まれる［Ｄ０１］又は［Ｄ０２］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｄ０４］前記工程（Ａ）において、第１の配線を形成すべき絶縁層の領域に凹部を形成し、次いで、凹部の側面及び底面に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成した後、凹部内に第１の配線を形成する［Ｄ０１］乃至［Ｄ０３］のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｄ０５］前記工程（Ｄ）において、開口部の形成の際、基板と基体の接合部をエッチングする［Ｄ０１］乃至［Ｄ０４］のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｄ０６］前記工程（Ｂ）において、基板と基体とを接着剤層を用いて接合する［Ｄ０１］乃至［Ｄ０５］のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｄ０７］前記工程（Ｄ）において、開口部の形成の際、接着剤層の一部をエッチングする［Ｄ０６］に記載の積層構造体の製造方法。
［Ｅ０１］《実装基板：第１の態様》
［Ａ０１］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の積層構造体を備えている実装基板。
［Ｅ０２］配線部が形成された実装用基板に、配線と配線部とが電気的に接続された状態で、積層構造体が実装されている［Ｅ０１］に記載の実装基板。
［Ｅ０３］《実装基板：第２の態様》
［Ａ０１］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の積層構造体、並びに、
配線部が形成された実装用基板、
を備えており、
各積層構造体の下面と実装用基板とは、接着材料層によって接着されており、
各積層構造体の配線の端部と実装用基板に設けられた配線部とは、メッキ層を介して電気的に接続されている実装基板。
［Ｆ０１］《電子デバイス：第１の態様》
［Ａ０１］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の積層構造体を備えた電子デバイス。
［Ｆ０２］《電子デバイス：第２の態様》
［Ａ０１］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の積層構造体、並びに、
配線部が形成された実装用基板、
を備えており、
各積層構造体の下面と実装用基板とは、接着材料層によって接着されており、
各積層構造体の配線の端部と実装用基板に設けられた配線部とは、メッキ層を介して電気的に接続されている電子デバイス。
［Ｆ０３］《電子デバイス：第３の態様》
［Ａ０１］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の積層構造体、並びに、
配線部が形成された実装用基板、
を備えており、
各積層構造体の下面と実装用基板とは、接着材料層によって接着されており、
各積層構造体の配線の端部と実装用基板に設けられた配線部とは、メッキ層を介して電気的に接続されており、
各積層構造体において、基板は半導体基板から成り、基板には第１の素子が形成されており、第１の素子と配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されており、
各積層構造体に隣接して、実装用基板上には第２の素子が配置されており、
第１の素子と第２の素子とは、実装用基板に設けられた配線部によって電気的に接続されており、
第２の素子は第１の素子によって駆動される電子デバイス。
［Ｆ０４］複数の積層構造体及び第２の素子は、対の状態で、２次元マトリクス状に配列されており、
第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子は発光素子から成り、
画像表示装置を構成する［Ｆ０３］に記載の電子デバイス。
［Ｆ０５］第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子はセンサから成り、
センサアレイを構成する［Ｆ０３］に記載の電子デバイス。

１０・・・積層構造体、１０Ａ・・・積層構造体の側面、１０Ｂ・・・積層構造体の頂面、１１・・・基板、１１Ａ・・・基板の頂面、１２・・・素子（第１の素子、トランジスタ）、１３・・・ゲート電極、１４・・・ゲート絶縁層、１５・・・チャネル形成領域、１６・・・ソース／ドレイン領域、２１・・・絶縁層、２２・・・保護層、２３・・・層間絶縁層、３１・・・接続部、３２・・・配線（第１の配線）、３３・・・配線の端面、４０・・・支持基板、４３・・・接着剤層、４４・・・エッチング用レジスト、４５・・・溝部（分離溝）、５０・・・実装用基板、５１・・・配線部、５２，５４・・・光硬化型接着材料層、５３，５５・・・メッキ層、６０・・・発光素子、６１・・・ボンディング・パッド部、７０・・・第２絶縁層、７１・・・遮光膜、７２・・・第３絶縁層、１１１・・・基板、１１１Ａ・・・基板の頂面、１２１・・・絶縁層、１２２・・・保護層、１２３・・・層間絶縁層、１３２・・・第１の配線、１３３・・・第１の配線の端面、１４０・・・基体、１４１・・・絶縁膜、１４２・・・第２の配線、１４３・・・接着剤層、１４４・・・エッチング用レジスト、１４５・・・開口部、１４６・・・導電材料

Claims (17)

1. 下から、配線、絶縁層及び基板が積層されて成る積層構造体であって、
   積層構造体の側面から配線の端部が突出しており、
   絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が、絶縁層と少なくとも配線の一部との間に形成されており、
   少なくとも積層構造体の側面には、第２絶縁層が形成されており、
   第２絶縁層の上には遮光膜が形成されている積層構造体。
2. 絶縁層のエッチングレートを１としたとき、保護層のエッチングレートは０．１以下である請求項１に記載の積層構造体。
3. 基板は半導体基板から成り、
   基板には素子が形成されており、
   素子と配線とを接続する接続部が絶縁層に形成されている請求項１に記載の積層構造体。
4. 保護層は、絶縁層の下方に位置する配線の部分の頂面の少なくとも一部に形成されている請求項１に記載の積層構造体。
5. 配線の端部は接続端子部である請求項１に記載の積層構造体。
6. 遮光膜上には第３絶縁層が形成されている請求項１に記載の積層構造体。
7. 絶縁層が形成され、絶縁層上に第１の配線が形成された基板、及び、
   第２の配線が形成された基体、
   を備えており、
   基板は、第１の配線と第２の配線とが離間した状態であって、第１の配線と第２の配線とが対向した状態で、基体と接合されており、
   少なくとも第１の配線の端面、及び、第２の配線の一部が露出した開口部が、基板及び絶縁層に形成されており、
   開口部には導電材料が埋め込まれており、
   絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層が、絶縁層と少なくとも第１の配線の一部との間に形成されている積層構造体。
8. 絶縁層のエッチングレートを１としたとき、保護層のエッチングレートは０．１以下である請求項７に記載の積層構造体。
9. （Ａ）基板上に絶縁層を形成し、少なくとも配線を形成すべき絶縁層の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成し、次いで、端部を有する配線を形成した後、
   （Ｂ）基板の配線が形成されている側と支持基板とを接合し、次いで、
   （Ｃ）基板を薄くした後、
   （Ｄ）基板及び絶縁層をエッチングし、以て、保護層によって表面が被覆された配線の端部が露出した溝部を形成し、その後、
   （Ｅ）溝部に露出した保護層を除去し、配線の端部を露出させる、
   各工程を備えており、
   工程（Ａ）において、配線を形成すべき絶縁層の領域に凹部を形成し、次いで、凹部の側面及び底面に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成した後、凹部内に配線を形成する積層構造体の製造方法。
10. 前記工程（Ａ）には、配線と配線との間に層間絶縁層を形成する工程が含まれる請求項９に記載の積層構造体の製造方法。
11. 前記工程（Ｂ）において、基板の配線が形成されている側と支持基板とを接着剤層を用いて接合する請求項９に記載の積層構造体の製造方法。
12. 前記工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、接着剤層の一部をエッチングする請求項１１に記載の積層構造体の製造方法。
13. （Ａ）基板上に絶縁層を形成し、少なくとも配線を形成すべき絶縁層の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成し、次いで、端部を有する配線を形成した後、
    （Ｂ）基板の配線が形成されている側と支持基板とを接合し、次いで、
    （Ｃ）基板を薄くした後、
    （Ｄ）基板及び絶縁層をエッチングし、以て、保護層によって表面が被覆された配線の端部が露出した溝部を形成し、その後、
    （Ｅ）溝部に露出した保護層を除去し、配線の端部を露出させる、
    各工程を備えており、
    工程（Ｄ）において、溝部の形成の際、配線の下方に位置する接着剤層の一部をエッチングし、
    工程（Ｄ）と工程（Ｅ）の間で、基板上及び溝部内に第２絶縁層を形成する、
    工程を備えている積層構造体の製造方法。
14. 保護層を構成する材料は、絶縁層を構成する材料よりもエッチングされ難い請求項９又は請求項1３に記載の積層構造体の製造方法。
15. 配線の端部は接続端子部である請求項９又は請求項１３に記載の積層構造体の製造方法。
16. 第２の配線が形成された基体を準備しておき、
    （Ａ）基板上に絶縁層を形成し、少なくとも第１の配線を形成すべき絶縁層の領域の少なくとも一部の上に、絶縁層を構成する材料と異なる材料から成る保護層を形成し、次いで、端面を有する第１の配線を形成した後、
    （Ｂ）第１の配線と第２の配線とが離間した状態であって、第１の配線と第２の配線とが対向した状態で、基板と基体とを接合し、次いで、
    （Ｃ）基板を薄くした後、
    （Ｄ）基板及び絶縁層をエッチングし、以て、第２の配線の一部及び少なくとも第１の配線の端面が露出した開口部を形成し、その後、
    （Ｅ）開口部に導電材料を埋め込む、
    各工程を備えている積層構造体の製造方法。
17. 絶縁層のエッチングレートを１としたとき、保護層のエッチングレートは０．１以下である請求項１６に記載の積層構造体の製造方法。

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