JP6102017B2 - 点灯装置および、これを用いた照明器具 - Google Patents

Description

本発明は、点灯装置および、これを用いた照明器具に関するものである。

節電意識の高まりにより、ＬＥＤ素子等の発光素子を光源負荷に用いた照明器具の普及が加速している。このような照明器具は、所望の直流出力を光源負荷に供給することで、光源負荷を点灯させる点灯装置を備えている（例えば、特許文献１参照）。

一般的に点灯装置は、インダクタとスイッチング素子を有するチョッパ回路を備えている。そして、スイッチング素子がオン・オフ駆動してインダクタに流れるインダクタ電流を断続制御することで所望の直流出力を生成し、この直流出力を光源負荷に供給することで光源負荷を点灯させる。

特開２０１０−１４８７９号公報

しかし、同種の照明器具（点灯装置）を用いる場合であっても、光源負荷の明るさにバラツキが発生するおそれがある。例えば、点灯装置にチョッパ回路を用いた場合、インダクタのインダクタンスにバラツキが発生する。この場合、インダクタのインダクタンスのバラツキによって、スイッチング素子のスイッチング周期の１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値にバラツキが発生し、光源負荷の明るさにバラツキが発生する。

図１１（ａ）（ｂ）に、降圧チョッパ回路を用いて点灯装置を構成した場合におけるインダクタに流れるインダクタ電流の波形図を示す。なお、図１１（ａ）に、インダクタのインダクタンスが比較的小さい場合におけるインダクタ電流の波形図、図１１（ｂ）に、インダクタのインダクタンスが比較的大きい場合におけるインダクタ電流の波形図を示す。

従来では、スイッチング素子のスイッチング周期が一定に設定されており、スイッチング素子のオン期間（以降、スイッチオン期間Ｔｑｏｎ）または、インダクタ電流のピーク値Ｉｐを一定とすることでスイッチング素子をターンオフするタイミングを決定していた。ここでは、スイッチング周期Ｔおよび、スイッチオン期間Ｔｑｏｎが一定となるように、スイッチング素子をスイッチング制御している。

図１１（ａ）（ｂ）に示すように、スイッチオン期間Ｔｑｏｎを一定としているため、インダクタンスの大小によって、インダクタ電流のピーク値Ｉｐが異なる。なお、図１１（ａ）におけるインダクタ電流のピーク値をＩｐ１０１、図１１（ｂ）におけるインダクタ電流のピーク値をＩｐ１０２とする。

インダクタンスが小さくなるにつれて、スイッチング素子のオン時におけるインダクタ電流の傾きが大きくなる。したがって、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、インダクタンスが比較的小さい場合におけるインダクタ電流のピーク値Ｉｐ１０１は、インダクタンスが比較的大きい場合におけるインダクタ電流のピーク値Ｉｐ１０２よりも大きくなる。すなわち、インダクタンスが小さくなるにつれて、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流の平均値が大きくなる。スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流の平均値は、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流の平均値と等しい。したがって、スイッチオン期間Ｔｑｏｎおよび、スイッチング周期Ｔが一定となるようにスイッチング素子をスイッチング制御した場合、インダクタンスが小さくなるにつれて、光源負荷が明るくなる。

次に、スイッチング周期Ｔおよび、インダクタ電流のピーク値Ｉｐが一定となるようにスイッチング素子をスイッチング制御した場合について説明する。図１２（ａ）に、インダクタのインダクタンスが比較的小さい場合におけるインダクタ電流の波形図、図１２（ｂ）に、インダクタのインダクタンスが比較的大きい場合におけるインダクタ電流の波形図を示す。

図１２（ａ）（ｂ）に示すように、インダクタ電流のピーク値Ｉｐを一定としているため、インダクタンスの大小によって、スイッチオン期間Ｔｑｏｎが異なる。なお、図１２（ａ）におけるスイッチオン期間をＴｑｏｎ１０１、図１２（ｂ）におけるスイッチオン期間をＴｑｏｎ１０２とする。

インダクタンスが小さくなるにつれて、スイッチング素子のオン時におけるインダクタ電流の傾きが大きくなる。したがって、図１２（ａ）（ｂ）に示すように、インダクタンスが比較的小さい場合におけるスイッチオン期間Ｔｑｏｎ１０１は、インダクタンスが比較的大きい場合におけるスイッチオン期間Ｔｑｏｎ１０２よりも短くなる。すなわち、インダクタンスが大きくなるにつれて、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流の平均値が大きくなる。スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流の平均値は、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流の平均値と等しい。したがって、インダクタ電流のピーク値Ｉｐおよび、スイッチング周期Ｔが一定となるようにスイッチング素子をスイッチング制御した場合、インダクタンスが大きくなるにつれて、光源負荷が明るくなる。

このように、従来では、インダクタのインダクタンスにバラツキが発生した場合、光源負荷の明るさにバラツキが発生していた。特に、一室に複数台の照明器具（例えばダウンライト等）を設置する場合、照明器具間における明るさのバラツキが目立ってしまう。したがって、例えば可変抵抗の抵抗値を調整してＬＥＤ電流が所定値となるように調整する工程が照明器具毎に必要であった。そのため、光源負荷の明るさのバラツキを抑制することが望まれていた。

本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、光源負荷の明るさのバラツキを抑制することができる点灯装置および、これを用いた照明器具を提供することにある。

本発明の点灯装置は、スイッチング素子及びインダクタを有するチョッパ回路で構成され、前記スイッチング素子をオン・オフ駆動して前記インダクタに流れるインダクタ電流を断続制御することで、所望の直流出力を生成して発光素子からなる光源負荷に供給する電力変換回路と、前記スイッチング素子をスイッチング制御する制御部と、スイッチング周期の１周期あたりにおける、前記インダクタ電流が流れている第１のオン期間を計時するカウンターと、第１のオン期間と前記インダクタ電流のピーク値とを用いて、前記スイッチング周期の１周期あたりにおける前記インダクタ電流を積分値を算出することで、前記スイッチング周期の１周期あたりにおける負荷電流量を算出する電流量算出部とを備え、前記制御部は、前記スイッチング素子の前記スイッチング周期の１周期あたりにおける前記光源負荷に供給される負荷電流の平均値が、予め設定された目標値となるように前記スイッチング周期を設定しており、前記電流量算出部の算出結果から前記目標値を除算することで前記スイッチング周期を算出することを特徴とする。

この点灯装置において、前記制御部は、前記光源負荷の調光レベルに比例した前記目標値を設定することで前記光源負荷を調光制御することが好ましい。

この点灯装置において、前記制御部は、前記光源負荷の調光レベルに基づいて、前記スイッチング素子をオン・オフ駆動する期間と、前記スイッチング素子のオン・オフ駆動を停止する期間との割合を設定することで前記光源負荷を調光制御することが好ましい。

この点灯装置において、前記制御部は、前記スイッチング周期のそれぞれにおいて、前記スイッチング素子をターンオンしてから予め設定された第２のオン期間が経過すると前記スイッチング素子をターンオフしており、前記インダクタ電流を検出するインダクタ電流検出部を備え、前記電流量算出部は、前記第１のオン期間と、前記インダクタ電流検出部の検出結果から得られる前記インダクタ電流のピーク値とを用いて、前記スイッチング周期の１周期あたりにおける前記インダクタ電流の積分値を算出することが好ましい。

この点灯装置において、前記制御部は、前記スイッチング周期のそれぞれにおいて、前記スイッチング素子をターンオンしてから前記インダクタ電流が予め設定された閾値以上になると前記スイッチング素子をターンオフしており、前記電流量算出部は、前記第１のオン期間と、前記閾値とを用いて、前記スイッチング周期の１周期あたりにおける前記インダクタ電流の積分値を算出することが好ましい。

本発明の照明器具は、スイッチング素子を有し、当該スイッチング素子がオン・オフ駆動されることで、所望の直流出力を発光素子からなる光源負荷に供給する電力変換回路と、前記スイッチング素子をスイッチング制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記スイッチング素子のスイッチング周期の１周期あたりにおける前記光源負荷に供給される負荷電流の平均値が、予め設定された目標値となるように前記スイッチング周期を設定する点灯装置と、発光素子からなり、前記点灯装置から所望の直流出力が供給される光源負荷と、前記点灯装置および前記光源負荷が取り付けられる器具本体とを備えることを特徴とする。

以上説明したように、本発明では、スイッチング素子のスイッチング周期の１周期あたりにおける負荷電流の平均値が目標値となるようにスイッチング周期を設定することで、光源負荷の明るさのバラツキを抑制することができることができるという効果がある。

本発明の実施形態１の点灯装置の回路構成図である。 実施形態１のインダクタ電流の波形図である。 （ａ）（ｂ）実施形態１のインダクタ電流の波形図である。 （ａ）〜（ｃ）実施形態１のインダクタ電流の波形図である。 （ａ）（ｂ）実施形態２のインダクタ電流の波形図である。 （ａ）バースト信号の波形図である。（ｂ）（ｃ）実施形態３のインダクタ電流の波形図である。 （ａ）（ｂ）実施形態４のインダクタ電流の波形図である。 実施形態５の点灯装置の回路構成図である。 実施形態５のインダクタ電流の波形図である。 実施形態６の照明器具の分解斜視図である。 （ａ）（ｂ）従来のインダクタ電流の波形図である。 （ａ）（ｂ）従来のインダクタ電流の波形図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

（実施形態１）
本実施形態の点灯装置１０の回路構成図を図１に示す。本実施形態の点灯装置１０は、電力変換回路１，制御部２，スイッチ電流検出回路３，インダクタ電流検出回路４，ゲートドライブ回路５を主構成とする。そして、点灯装置１０は、直流電源Ｅ１を入力電源として、光源負荷６に点灯電力を供給するものである。以下に、本実施形態の点灯装置１０の構成について説明する。

直流電源Ｅ１は、直流の入力電圧Ｖｉを点灯装置１０（電力変換回路１）に印加する。また、直流電源Ｅ１の出力端間に、コンデンサＣ１が接続されている。このコンデンサＣ１は、入力電圧Ｖｉのノイズを除去する。

電力変換回路１は、スイッチング素子Ｑ１，インダクタＬ１，コンデンサＣ２，ダイオードＤ１からなる降圧チョッパ回路で構成されている。そして、電力変換回路１は、所望の直流出力を光源負荷６に供給する。

直流電源Ｅ１の出力端間に、コンデンサＣ２，インダクタＬ１，スイッチング素子Ｑ１，抵抗Ｒ１からなる直列回路が接続されている。そして、コンデンサＣ２，インダクタＬ１からなる直列回路と並列にダイオードＤ１が接続されている。

スイッチング素子Ｑ１は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴで構成されており、制御部２によってスイッチング制御される。スイッチング素子Ｑ１がオンすると、直列接続されたインダクタＬ１に電流（インダクタ電流Ｉｌ）が流れることでインダクタＬ１にエネルギーが蓄積される。また、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、インダクタＬ１に蓄積されたエネルギーが回生用のダイオードＤ１を介してコンデンサＣ２に回生される。コンデンサＣ２は、平滑用のコンデンサであり、スイッチング素子Ｑ１がオン・オフ駆動されてインダクタ電流Ｉｌが断続制御されることで、入力電圧Ｖｉを降圧した出力電圧Ｖｏが両端間に生成される。

また、コンデンサＣ２と並列に、複数（図示例では４つ）のＬＥＤ素子Ｌｄ１（発光素子）が直列接続されることで構成された光源負荷６が接続されている。したがって、コンデンサＣ２の両端間に生成された出力電圧Ｖｏが光源負荷６に印加されることで、各ＬＥＤ素子Ｌｄ１にＬＥＤ電流Ｉｌｄ（負荷電流）が流れて点灯する。

また、スイッチング素子Ｑ１に直列接続された抵抗Ｒ１は、スイッチング素子Ｑ１に流れる電流（スイッチ電流Ｉｑ）、すなわちスイッチング素子Ｑ１のオン時におけるインダクタ電流Ｉｌを検出する電流検出用抵抗である。スイッチ電流検出回路３は、抵抗Ｒ１の両端電圧を検出することで、スイッチング素子Ｑ１に流れるスイッチ電流Ｉｑを検出し、検出結果を制御部２に出力する。

インダクタ電流検出回路４は、スイッチング素子Ｑ１のドレイン（インダクタＬ１とダイオードＤ１との接続点）に接続されている。そして、インダクタ電流検出回路４は、スイッチング素子Ｑ１のドレイン電圧を分圧し、この分圧値を検出することで、スイッチング素子Ｑ１のオフ時におけるインダクタ電流Ｉｌを検出し、検出結果を制御部２に出力する。なお、インダクタ電流検出回路４は、上記に限定するものではなく、インダクタＬ１に二次巻線を設け、この二次巻線に発生する誘導電圧を検出する構成でもよい。

なお、スイッチ電流検出回路３とインダクタ電流検出回路４とで、本願発明のインダクタ電流検出部を構成している。

制御部２は、光源負荷６の調光レベルが目標レベルとなるように、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング制御するための制御信号をゲートドライブ回路５に出力する。

ゲートドライブ回路５は、スイッチング素子Ｑ１の駆動回路（例えば汎用のプリドライバ）であり、出力がスイッチング素子Ｑ１のゲートに接続されている。また、ゲートドライブ回路５の出力は、抵抗Ｒ２を介して直流電源Ｅ１の負極（回路グランド）に接続されている。そして、ゲートドライブ回路５は、制御部２から出力される制御信号に同期した駆動信号をスイッチング素子Ｑ１に出力することで、スイッチング素子Ｑ１をオン・オフ駆動する。

図２に、インダクタ電流Ｉｌの波形図を示す。制御部２は、スイッチング素子Ｑ１をターンオンしてから、インダクタ電流Ｉｌが予め設定された所定のピーク値Ｉｐ（閾値）以上になるとスイッチング素子Ｑ１をターンオフするスイッチング制御を行っている。スイッチング素子Ｑ１がオンしている期間は、インダクタ電流Ｉｌが増加し、インダクタＬ１にエネルギーが蓄積される。そして、インダクタ電流Ｉｌがピーク値Ｉｐ以上になるとスイッチング素子Ｑ１がターンオフされる。スイッチング素子Ｑ１がターンオフされると、インダクタＬ１に蓄積されたエネルギーがダイオードＤ１を介してコンデンサＣ２に回生され、インダクタ電流Ｉｌが徐々に低減してゼロとなる。そして、スイッチング素子Ｑ１をターンオンしてから、スイッチング周期Ｔが経過すると、再びスイッチング素子Ｑ１がターンオンされる。以下に、制御部２の構成および、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング制御について、具体的に説明する。

制御部２は、マイクロコンピュータで構成されており、出力制御部２１，調光信号判定部２２，ＡＤ変換部２３，カウンター２４を有している。なお、汎用のアナログＩＣを用いて制御部２を構成してもよい。この場合、ＡＤ変換部２３を省略することができる。

調光信号判定部２２は、光源負荷６の調光レベルの目標レベル（以降、目標調光レベルと称す）を示す調光信号が外部から入力される。この調光信号は、ＰＷＭ信号で構成され、デューティが目標調光レベルを示している。調光信号判定部２２は、調光信号のＨエッジ，Ｌエッジを検出するコンパレータと、調光信号のＨ期間（またはＬ期間）をカウントするカウンターとを有し、調光信号のデューティを検出する。そして、調光信号判定部２２は、調光信号のデューティから得られる目標調光レベルを出力制御部２１に出力する。なお、調光信号判定部２２の構成は、上記に限定するものではなく、例えば、調光信号を平滑してＤＣレベル（電圧値）に変換し、このＤＣレベルから得られる目標調光レベルを出力制御部２１に出力する構成でもよい。

ＡＤ変換部２３は、スイッチ電流検出回路３からスイッチング素子Ｑ１に流れるスイッチ電流Ｉｑの検出値が入力される。そして、ＡＤ変換部２３は、スイッチ電流Ｉｑの検出値をＡＤ変換し、カウンター２４および出力制御部２１に出力する。また、ＡＤ変換部２３は、インダクタ電流検出回路４からインダクタＬ１に流れるインダクタ電流Ｉｌの検出値が入力される。そして、ＡＤ変換部２３は、インダクタ電流Ｉｌの検出値をＡＤ変換し、カウンター２４に出力する。

カウンター２４は、スイッチ電流Ｉｑの検出値とインダクタ電流Ｉｌの検出値から、インダクタＬ１に電流が流れている第１のオン期間（以降、インダクタオン期間Ｔｌｏｎと称す）を算出する。具体的には、カウンター２４は、スイッチ電流Ｉｑが所定値（例えばゼロ）を上回った時間を始点とし、スイッチ電流Ｉｑが予め設定されたピーク値Ｉｐ以上になるまでの期間（以降、スイッチオン期間Ｔｑｏｎと称す）を計時する。また、カウンター２４は、スイッチ電流Ｉｑがピーク値Ｉｐ以上になった時間を始点とし、インダクタ電流Ｉｌが所定値（例えばゼロ）になるまでの期間（以降、ダイオードオン期間Ｔｄｏｎと称す）を計時する。そして、カウンター２４は、計時したスイッチオン期間Ｔｑｏｎとダイオードオン期間Ｔｄｏｎとを足した期間を、インダクタオン期間Ｔｌｏｎとして出力制御部２１に出力する（下記式（１）参照）。

出力制御部２１は、目標調光レベル，スイッチ電流Ｉｑ，インダクタ電流Ｉｌ，インダクタオン期間Ｔｌｏｎに基づいて、スイッチング素子Ｑ１をスイッチング制御するための制御信号を生成してゲートドライブ回路５に出力する。なお、出力制御部２１が、本願発明の電流量算出部としての機能を有している。

出力制御部２１は、予め設定されたピーク値Ｉｐとスイッチ電流Ｉｑとを比較しており、スイッチ電流Ｉｑがピーク値Ｉｐ以上になるととスイッチング素子Ｑ１をターンオフする。そして、出力制御部２１は、スイッチング素子Ｑ１をターンオンしてから、スイッチング周期Ｔが経過すると再びスイッチング素子Ｑ１をターンオンする。このスイッチング周期Ｔは、目標調光レベルに基づいて算出される。

制御部２は、図示しない記憶部を備えており、この記憶部には、目標調光レベルと目標電流値α（本願発明の目標値に相当）との関係を示すデータテーブルが格納されている。目標電流値αは、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流Ｉｌｄの平均値を示している。また、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流量は、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍ（以降、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍと略称する）に相当する。したがって、目標電流値αは、下記式（２）で表される。

目標電流値αは、目標調光レベルと比例関係にあり、目標調光レベルが増加するにつれて目標電流値αも大きくなる。なお、目標調光レベルと目標電流値αとの関係を示すデータテーブルは、点灯装置１０の個体差（インダクタＬ１のインダクタンスＬのバラツキ）によらず、同種の点灯装置１０であれば同じデータテーブルが用いられる。

そして、出力制御部２１は、調光信号判定部２２から入力される目標調光レベルに対応する目標電流値αを記憶部から取得する。

また、出力制御部２１は、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍを算出する。具体的には、予め設定されているインダクタ電流Ｉｌのピーク値Ｉｐと、カウンター２４によって計時されたインダクタオン期間Ｔｌｏｎとを用いて、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍを算出する。インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍは、図２における斜線部分の面積に相当し、下記式（３）によって算出される。

そして、出力制御部２１は、算出したインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍから、記憶部から取得した目標電流値αを除算することで、スイッチング周期Ｔを算出する（下記式（４）参照）。

そして、出力制御部２１は、算出したスイッチング周期Ｔを、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング制御に適用する。上記演算は、スイッチング周期Ｔ毎におけるインダクタ電流Ｉｌがゼロであるインダクタオフ期間Ｔｌｏｆｆに行われ、算出結果は次のスイッチング周期Ｔに適用される。

ここで、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍは、インダクタＬ１のインダクタンスＬによって決定される。インダクタオン期間Ｔｌｏｎを構成するスイッチオン期間Ｔｑｏｎ，ダイオードオン期間Ｔｄｏｎは、下記式（５）（６）で表される。なお、インダクタＬ１の両端電圧をＶｌとする。

上記式（５）（６）より、インダクタＬ１のインダクタンスＬが小さくなるにつれて、スイッチオン期間Ｔｑｏｎ，ダイオードオン期間Ｔｄｏｎが短くなるので、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍも小さくなる（式（１）（３）参照）。

例えば、同種の点灯装置１０であっても、インダクタＬ１のインダクタンスＬにバラツキが発生する場合がある。インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図を図３（ａ）、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタ電流Ｉの波形図を図３（ｂ）に示す。なお、インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタオン期間をＴｌｏｎ１、スイッチオン期間をＴｑｏｎ１、ダイオードオン期間をＴｄｏｎ１、インダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ１とする。また、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタオン期間をＴｌｏｎ２、スイッチオン期間をＴｑｏｎ２、ダイオードオン期間をＴｄｏｎ２、インダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ２とする。なお、図３（ａ）（ｂ）は、目標調光レベルが同じ場合の波形図である。

インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタオン期間Ｔｌｏｎ１は、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタオン期間Ｔｌｏｎ２よりも短くなる（式（１）（５）（６）参照）。したがって、インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍ１は、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍ２よりも小さくなる（式（３）参照）。これにより、インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるスイッチング周期Ｔ１は、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるスイッチング周期Ｔ２よりも短くなる（式（４）参照）。

すなわち、インダクタンスＬが小さくなるにつれて、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍが小さくなるが、スイッチング周期Ｔも短くなる。したがって、インダクタンスＬの大小に関わらず、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値が一定（目標電流値α）となる。スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値は、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流Ｉｌｄの平均値と等しい。つまり、本実施形態では、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値が目標電流値αとなるようにスイッチング周期Ｔを設定することで、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流Ｉｌｄの平均値が目標電流値αとなる。これにより、ＬＥＤ電流Ｉｌｄのバラツキが抑制され、光源負荷６の明るさのバラツキを抑制することができる。

また、目標電流値αは、上述したように目標調光レベルに基づいて決定される。図４（ａ）に目標調光レベルが上限値（定格点灯）である場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図を示す。また、図４（ｂ）に目標調光レベルが中レベルである場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図を示す。また、図４（ｃ）に目標調光レベルが下限値である場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図を示す。なお、目標調光レベルが上限値である場合におけるスイッチング周期をＴ３、目標調光レベルが中レベルである場合におけるスイッチング周期をＴ４、目標調光レベルが下限値である場合におけるスイッチング周期をＴ５とする。

目標調光レベルと目標電流値αとは比例関係にあり、目標調光レベルが高くなるにつれて目標電流値αも大きくなるので、スイッチング周期Ｔが短くなる（式（４）参照）。したがって、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、各スイッチング周期Ｔの関係はＴ３＜Ｔ４＜Ｔ５となる。すなわち、目標調光レベルが高くなるにつれてスイッチング周期Ｔが短くなるので、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌ（ＬＥＤ電流Ｉｌｄ）の平均値が高くなり、光源負荷の調光レベルが高くなる。

このように、本実施形態では、目標調光レベルに基づいてスイッチング周期Ｔを可変制御することで、光源負荷６を調光制御している。これにより、光源負荷６を調光制御した場合であっても、明るさのバラツキを抑制することができる。

なお、図４（ａ）に示すように、本実施形態では、目標調光レベルの上限値に対応する目標電流値αは、インダクタ電流Ｉｌが不連続モードとなる値に設定されている。

ここで、目標調光レベルと目標電流値αとの関係を示すデータテーブルは、同種の点灯装置１０であれば、インダクタンスＬの大小に関わらず同じデータテーブルが用いられる。したがって、複数の点灯装置１０を用いる場合、インダクタンスＬにバラツキが発生しても、光源負荷６の明るさのバラツキを抑制することができる。

なお、実施形態では、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍを算出し、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値が目標電流値αとなるようにスイッチング周期Ｔを設定している。しかし、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流量（ＬＥＤ電流Ｉｌｄの積分値）を算出し、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流Ｉｌｄの平均値が目標電流値αとなるようにスイッチング周期Ｔを設定してもよい。

なお、本実施形態では、電力変換回路１は、降圧チョッパ回路で構成されているが、これに限定するものではなく、昇圧チョッパ回路や昇降圧チョッパ回路等で構成されていてもよい。また、光源負荷６を構成する発光素子はＬＥＤ素子Ｌｄ１に限定するものではなく、有機ＥＬ素子等で構成されていてもよい。

（実施形態２）
本実施形態の点灯装置１０は、図１に示す実施形態１の点灯装置１０と同様の構成であるが、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング制御方法が異なる。なお、実施形態１と同様の構成には、同一符号を付して説明を省略する。

実施形態１では、予め設定された所定のピーク値Ｉｐと、計時したインダクタオン期間Ｔｌｏｎとを用いてインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍを算出している（式（１）（３）参照）。一方、本実施形態では、予め所定のスイッチオン期間Ｔｑｏｎ（第２のオン期間）が設定されており、インダクタ電流Ｉｌのピーク値Ｉｐ（ターンオフ時におけるインダクタ電流Ｉｌ）を検出して、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍを算出する。

まず、出力制御部２１は、目標調光レベルに対応した目標電流値αを記憶部から取得する。

次に、出力制御部２１は、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍを算出する。本実施形態では、予め所定のスイッチオン期間Ｔｑｏｎが設定されている。したがって、カウンター２４は、実施形態１と同様の方法でダイオードオン期間Ｔｄｏｎのみを計時し、計時したダイオードオン期間Ｔｄｏｎと、予め設定されているスイッチオン期間Ｔｑｏｎとを足したインダクタオン期間Ｔｌｏｎを出力制御部２１に出力する（式（１）参照）。

また、出力制御部２１は、スイッチング素子Ｑ１のターンオフ時におけるスイッチ電流Ｉｑ（インダクタ電流Ｉｌ）をピーク値Ｉｐとして取得する。そして、出力制御部２１は、インダクタオン期間Ｔｌｏｎとピーク値Ｉｐとから、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍを算出する（式（３）参照）。そして、出力制御部２１は、記憶部から取得した目標電流値αと、算出したインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍとを用いてスイッチング周期Ｔを算出し、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング制御に適用する（式（４）参照）。

ここで、ピーク値Ｉｐ，インダクタオン期間Ｔｌｏｎ，インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍは、インダクタＬ１のインダクタンスＬによって決定される。インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図を図５（ａ）、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタ電流Ｉの波形図を図５（ｂ）に示す。なお、インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタオン期間をＴｌｏｎ１１、ピーク値をＩｐ１１、ダイオードオン期間をＴｄｏｎ１１、インダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ１１とする。また、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタオン期間をＴｌｏｎ１２、ピーク値をＩｐ１２、ダイオードオン期間をＴｄｏｎ１２、インダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ１２とする。なお、図５（ａ）（ｂ）は、目標調光レベルが同じ場合の波形図である。

上記式（５）（６）より、インダクタンスＬが小さくなるにつれて、ピーク値Ｉｐが大きくなる。したがって、インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるピーク値Ｉｐ１１は、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるピーク値Ｉｐ１２よりも大きくなる。

したがって、インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍ１１は、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍ１２よりも大きくなる（式（３）参照）。これにより、インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるスイッチング周期Ｔ１１は、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるスイッチング周期Ｔ１２よりも長くなる（式（４）参照）。

すなわち、インダクタンスＬが小さくなるにつれて、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍが大きくなるが、スイッチング周期Ｔも長くなる。したがって、インダクタンスＬの大小に関わらず、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値が一定（目標電流値α）となる。スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値は、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流Ｉｌｄの平均値と等しい。つまり、本実施形態では、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値が目標電流値αとなるようにスイッチング周期Ｔを設定することで、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流Ｉｌｄの平均値が目標電流値αとなる。これにより、ＬＥＤ電流Ｉｌｄのバラツキが抑制され、光源負荷６の明るさのバラツキを抑制することができる。

また、本実施形態でも実施形態１と同様に、目標調光レベルに対応した目標電流値αを設定し、スイッチング周期Ｔを可変制御することで光源負荷６を調光制御してもよい（図４参照）。これにより、光源負荷６を調光制御した場合であっても、明るさのバラツキを抑制することができる。

また、本実施形態では、予めスイッチオン期間Ｔｑｏｎが所定値に設定されているため、スイッチ電流Ｉｑとピーク値Ｉｐとを比較するコンパレータを省略することができる。

（実施形態３）
本実施形態の点灯装置１０は、図１に示す実施形態１の点灯装置１０と同様の構成であるが、光源負荷６の調光制御方法が異なる。なお、実施形態１と同様の構成には、同一符号を付して説明を省略する。

実施形態１では、目標調光レベルに対応した目標電流値αを設定し、スイッチング周期Ｔを可変制御することで、光源負荷６を調光制御している（図４参照）。

一方、本実施形態では、目標調光レベルに基づいて、スイッチング素子Ｑ１をオン・オフ駆動する期間と、スイッチング素子Ｑ１のオン・オフ駆動を停止する期間との割合を変動させるバースト調光を行っている。具体的には、本実施形態では、スイッチング素子Ｑ１をオン・オフ駆動する期間を、低周波のＰＷＭ信号からなるバースト信号のオン期間に同期させている。図６（ａ）にバースト信号の波形図を示す。また、図６（ｂ）にインダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図、図６（ｃ）にインダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図を示す。なお、インダクタンスＬが比較的小さい場合におけるインダクタオン期間をＴｌｏｎ２１、インダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ２１、スイッチング周期をＴ２１とする。また、インダクタンスＬが比較的大きい場合におけるインダクタオン期間をＴｌｏｎ２２（＞Ｔｌｏｎ２１）、インダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ２２（＞Ｍ２１）、スイッチング周期をＴ２２（＞Ｔ２１）とする。

本実施形態では、予め所定の目標電流値αが製造時に設定されている。具体的には、目標電流値αは、光源負荷６を定格点灯させた場合における、スイッチング周期Ｔの１周期あたりのＬＥＤ電流Ｉｌｄ（インダクタ電流Ｉｌ）の平均値が設定されている。そして、出力制御部２１は、この目標電流値αを用いてスイッチング周期Ｔが算出され、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング制御に適用される。なお、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング制御は、実施形態１と同様であるので詳細な説明は省略する。

そして、本実施形態では、スイッチング素子Ｑ１をオン・オフ駆動する期間を、低周波（周期Ｔｂ）のＰＷＭ信号からなるバースト信号のオン期間Ｔｂｏｎに同期させている。具体的には、出力制御部２１は、バースト信号のオン期間Ｔｂｏｎ（Ｈ期間）にスイッチング素子Ｑ１をオン・オフ駆動し、バースト信号のオフ期間Ｔｂｏｆｆ（Ｌ期間）にスイッチング素子Ｑ１のオン・オフ駆動を停止する。そして、このバースト信号のオンデューティ（オン期間Ｔｂｏｎ）は、目標調光レベルに基づいて設定される。出力制御部２１は、目標調光レベルが調光上限値である場合、バースト信号のオンデューティを１００％に設定し、目標調光レベルが低下するにつれて、バースト信号のオンデューティを低減（オン期間Ｔｂｏｎを短く）させる。これにより、バースト信号の周期Ｔｂの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌ（ＬＥＤ電流Ｉｌｄ）の平均値を増減させることができ、光源負荷６を調光制御することができる。

このように、本実施形態では、予め所定の目標電流値αを設定して、スイッチング周期Ｔを算出する。これにより、実施形態１と同様に、インダクタンスＬの大小に関わらず、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌ（ＬＥＤ電流Ｉｌｄ）の平均値が一定（目標電流値α）となる。そして、目標調光レベルに基づいて、スイッチング素子Ｑ１をオン・オフ駆動する期間を間欠制御することで、光源負荷６の調光制御（バースト調光）している。ここで、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値が一定（目標電流値α）であるので、バースト信号の周期Ｔｂの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌ（ＬＥＤ電流Ｉｌｄ）の平均値も一定となる。これにより、調光時における光源負荷６の明るさのバラツキも抑制される。

さらに、本実施形態では、光源負荷６をバースト調光するので、スイッチング周期Ｔを可変制御することで調光制御する実施形態１（図４参照）よりも、深い調光が可能となる。

なお、本実施形態では、実施形態１と同様にピーク値Ｉｐを一定にして、スイッチング素子Ｑ１をスイッチング制御しているが、実施形態２と同様に、スイッチオン期間Ｔｑｏｎを一定にして、スイッチング素子Ｑ１をスイッチング制御してもよい。

（実施形態４）
本実施形態の点灯装置１０は、図１に示す実施形態１の点灯装置１０と同様の構成であるが、インダクタ電流Ｉｌのモードが異なる。なお、実施形態１と同様の構成には、同一符号を付して説明を省略する。

実施形態１，２では、目標調光レベルが上限値であっても、目標電流値αは、インダクタ電流Ｉｌが不連続モードとなる値に設定されていた（図２，４，５参照）。

一方、本実施形態では、目標調光レベルが上限値である場合、目標電流値αは、インダクタ電流Ｉｌが連続モードとなる値が設定され、目標調光レベルが下限値である場合、目標電流値αは、インダクタ電流Ｉｌが不連続モードとなる値が設定される。

図７（ａ）に目標調光レベルが上限値である場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図、図７（ｂ）に目標調光レベルが下限値である場合におけるインダクタ電流Ｉｌの波形図を示す。なお、図７（ａ）におけるピーク値をＩｐ３１、ダイオードオン期間をＴｄｏｎ３１、インダクタオン期間をＴｌｏｎ３１、インダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ３１、スイッチング周期をＴ３１とする。また、図７（ｂ）におけるピーク値をＩｐ３２、ダイオードオン期間をＴｄｏｎ３２、インダクタオン期間をＴｌｏｎ３２、インダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ３２、スイッチング周期をＴ３２とする。

実施形態２と同様に予め所定のスイッチオン期間Ｔｑｏｎが設定されており、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング制御は、実施形態２と同様であるので詳細な説明は省略する。

本実施形態では、目標調光レベルの上限値に対応する目標電流値αが、実施形態１，２よりも大きい値が設定されており、算出されるスイッチング周期Ｔが短くなる（式（４）参照）。図７（ａ）に示すように、目標調光レベルが上限値である場合、算出されるスイッチング周期Ｔ３１が短く、インダクタ電流Ｉｌがゼロとなる前に、スイッチング素子Ｑ１がターンオンされる。すなわち、インダクタオン期間Ｔｌｏｎ３１と、スイッチング周期Ｔ３１とが一致し、インダクタ電流Ｉｌが連続モードとなる。

ここで、連続モード時におけるインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍは、下記式（７）で算出される。なお、スイッチング素子Ｑ１のターンオン時におけるインダクタ電流Ｉｌをボトム値Ｉｂとする。図７（ａ）におけるインダクタ電流Ｉｌのボトム値をＩｂ３１とする。

一方、目標調光レベルが低い場合、目標電流値αが小さくなるので、算出されるスイッチング周期Ｔが長くなる（式（４）参照）。図７（ｂ）に示すように、目標調光レベルが下限値である場合、算出されるスイッチング周期Ｔ３２が長くなり、インダクタ電流Ｉｌがゼロとなる期間が発生する不連続モードとなる。なお、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍは、実施形態１と同様に式（３）で算出することができる。

このように、本実施形態の目標電流値αは、目標調光レベルが上限値である場合、インダクタ電流Ｉｌが連続モードとなる値に設定され、目標調光レベルが下限値である場合、インダクタ電流Ｉｌが不連続モードとなる値に設定される。これにより、スイッチング周期Ｔの変動範囲が実施形態１，２よりも広くなるので、光源負荷６の調光範囲も広くなり、より深い調光も可能となる。

また、実施形態３では、光源負荷６をバースト調光するため、スイッチング素子Ｑ１のオン・オフ駆動する期間が間欠制御されるので、容量の大きいコンデンサＣ２を用いて出力を平滑する必要があった。しかし、本実施形態（および実施形態１，２）では、スイッチング素子Ｑ１のオン・オフ駆動が継続して行われるので出力のリップルが小さくなり、コンデンサＣ２の容量を小さくすることができ、小型化および低コストが可能となる。

なお、本実施形態は、目標調光レベルの上限値に対応する目標電流値αが、実施形態１，２よりも大きい値が設定されることで、目標調光レベルが上限値である場合にインダクタ電流Ｉｌを連続モードで制御している。しかし、目標調光レベルの上限値に対応する目標電流値αを実施形態１，２と同じ値に設定し、インダクタＬ１のインダクタンスＬを調整することで、目標調光レベルが上限値である場合にインダクタ電流Ｉｌを連続モードで制御してもよい。

なお、本実施形態では、実施形態２と同様にスイッチオン期間Ｔｑｏｎを一定にして、スイッチング素子Ｑ１をスイッチング制御しているが、実施形態１と同様に、ピーク値Ｉｐを一定してスイッチング素子Ｑ１をスイッチング制御してもよい。

（実施形態５）
本実施形態の点灯装置１０の回路構成図を図８に示す。なお、実施形態１の点灯装置１０と同様の構成には、同一符号を付して説明を省略する。実施形態１〜４の電力変換回路１は降圧チョッパ回路で構成されているが、本実施形態の電力変換回路１ａは、フライバックコンバータ回路で構成されている。

本実施形態の点灯装置１０は、電力変換回路１ａ，制御部２，スイッチ電流検出回路３，インダクタ電流検出回路４，ゲートドライブ回路５を主構成とする。そして、点灯装置１０は、直流電源Ｅ１１を入力電源として、光源負荷６に点灯電力を供給するものである。以下に、本実施形態の点灯装置１０の構成について説明する。

直流電源Ｅ１１は、直流の入力電圧Ｖｉを点灯装置１０（電力変換回路１ａ）に印加する。また、直流電源Ｅ１１の出力端間に、コンデンサＣ１１が接続されている。このコンデンサＣ１１は、入力電圧Ｖｉのノイズを除去する。

電力変換回路１ａは、トランスＴ１１，スイッチング素子Ｑ１１，ダイオードＤ１１，コンデンサＣ１２からなるフライバックコンバータ回路（チョッパ回路）で構成されている。そして、電力変換回路１ａは、所望の直流出力を光源負荷６に供給する。

トランスＴ１１は、一次側に設けられる一次巻線Ｌ１１と、二次側に設けられる二次巻線Ｌ１２，検出巻線Ｌ１３とで構成される。

直流電源Ｅ１１の出力端間に、トランスＴ１１の一次巻線Ｌ１１，スイッチング素子Ｑ１１，抵抗Ｒ１１からなる直列回路が接続されている。また、トランスＴ１１の二次巻線Ｌ１２の両端間に、ダイオードＤ１１，コンデンサＣ１２の直列回路が接続されている。また、トランスＴ１１の検出巻線Ｌ１３は、一端が回路グランドに接続され、他端がインダクタ電流検出回路４に接続されている。

スイッチング素子Ｑ１１は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴで構成されており、制御部２によってスイッチング制御される。スイッチング素子Ｑ１１がオンすると、直列接続された一次巻線Ｌ１１に電流が流れることで、トランスＴ１１にエネルギーが蓄積される。そして、スイッチング素子Ｑ１１がオフすると、トランスＴ１１に蓄積されたエネルギーが二次巻線Ｌ１２から放出されてコンデンサＣ１２に蓄積される。このとき、二次巻線Ｌ１２からダイオードＤ１１を介してインダクタ電流Ｉｌが流れる。なお、二次巻線Ｌ１２が本願発明のインダクタに相当する。コンデンサＣ１２は、平滑用のコンデンサであり、スイッチング素子Ｑ１１がオン・オフ駆動されてインダクタ電流Ｉｌが断続制御されることで、出力電圧Ｖｏが両端間に生成される。

また、コンデンサＣ１２と並列に、複数（図示例では４つ）のＬＥＤ素子Ｌｄ１（発光素子）が直列接続されることで構成された光源負荷６が接続されている。したがって、コンデンサＣ１２の両端間に生成された出力電圧Ｖｏが光源負荷６に印加されることで、各ＬＥＤ素子Ｌｄ１にＬＥＤ電流Ｉｌｄ（負荷電流）が流れて点灯する。

また、スイッチング素子Ｑ１１に直列接続された抵抗Ｒ１１は、スイッチング素子Ｑ１１に流れる電流（スイッチ電流Ｉｑ）を検出する電流検出用抵抗である。スイッチ電流検出回路３は、抵抗Ｒ１１の両端電圧を検出することで、スイッチング素子Ｑ１１に流れるスイッチ電流Ｉｑを検出し、検出結果を制御部２に出力する。

インダクタ電流検出回路４は、トランスＴ１１の検出巻線Ｌ１３に接続されている。インダクタ電流検出回路４は、検出巻線Ｌ１３に生じる電圧を検出することで、二次巻線Ｌ１２に流れるインダクタ電流Ｉｌを検出し、検出結果を制御部２に出力する。なお、インダクタ電流検出回路４は、必要であればフォトカプラ等を用いて制御部２と絶縁するように構成してもよい。また、インダクタ電流検出回路４は、二次巻線Ｌ１２とダイオードＤ１１との接続点電圧を分圧し、この分圧値を検出することでインダクタ電流Ｉｌを検出するように構成してもよい。

制御部２は、光源負荷６の調光レベルが目標レベルとなるように、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御を行う。なお、制御部２の構成および動作は実施形態１と同様であるので、説明を省略する。

また、ゲートドライブ回路５は、スイッチング素子Ｑ１１の駆動回路であり、出力が抵抗Ｒ１２，Ｒ１３の直列回路を介して回路グランドに接続されており、抵抗Ｒ１２，Ｒ１３間がスイッチング素子Ｑ１１のゲートに接続されている。そして、ゲートドライブ回路５は、出力制御部２１から入力される制御信号に同期した駆動信号をスイッチング素子Ｑ１１に出力することで、スイッチング素子Ｑ１１をオン・オフ駆動する。

図９に、二次巻線Ｌ１２に流れるインダクタ電流Ｉｌの波形図を示す。本実施形態の電力変換回路１ａは、フライバックコンバータで構成されている。そのため、スイッチング素子Ｑ１１がオンするスイッチオン期間Ｔｑｏｎ４１に、一次巻線Ｌ１１に電流が流れトランスＴ１１にエネルギーが蓄積される。このとき、二次巻線Ｌ１２には、ダイオードＤ１１が逆接続されているためインダクタ電流Ｉｌが流れない。そして、スイッチング素子Ｑ１１がターンオフすると、トランスＴ１１に蓄積されたエネルギーによって、二次巻線Ｌ１２からダイオードＤ１１を介してインダクタ電流Ｉｌが流れる（ダイオードオン期間Ｔｄｏｎ４１）。本実施形態では、ダイオードオン期間Ｔｄｏｎ４１が、本願発明の第１のオン期間に相当する。

本実施形態でも、実施形態１と同様に、目標調光レベルに基づいた目標電流値α、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍを用いて、スイッチング周期Ｔを算出し、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御に適用する。ここで、電力変換回路１ａをフライバックコンバータで構成した場合におけるスイッチオン期間Ｔｑｏｎ、ダイオードオン期間Ｔｄｏｎは、下記式（８）（９）で算出される。なお、スイッチング素子Ｑ１１（一次巻線Ｌ１１）に流れる電流のピーク値をＩｐ、二次巻線Ｌ１２のインダクタンスをＬ、一次巻線Ｌ１１と二次巻線Ｌ１２との巻数比をｋとする。

ここで、二次巻線Ｌ１２に流れるインダクタ電流Ｉｌのピーク値は、一次巻線Ｌ１１に流れる電流のピーク値Ｉｐと、一次巻線Ｌ１１と二次巻線Ｌ１２との巻数比ｋとによって決定される。すなわち、インダクタ電流Ｉｌのピーク値は、ｋ×Ｉｐとなる。

そして、電力変換回路１ａをフライバックコンバータで構成した場合、スイッチオン期間Ｔｑｏｎにインダクタ電流Ｉｌが流れないため、ダイオードオン期間Ｔｄｏｎがインダクタオン期間Ｔｌｏｎとなる。したがって、インダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍは、下記式（１０）で算出される。

そして、出力制御部２１は、算出したインダクタ電流Ｉｌの積分値Ｍから、記憶部から取得した目標電流値αを除算することで、スイッチング周期Ｔを算出する（下記式（４）参照）。なお、図９におけるインダクタ電流Ｉｌの積分値をＭ４１、スイッチング周期をＴ４１とする。

このように、電力変換回路１ａをフライバックコンバータで構成した場合であっても、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるインダクタ電流Ｉｌの平均値が目標電流値αとなるようにスイッチング周期Ｔを設定することで、スイッチング周期Ｔの１周期あたりにおけるＬＥＤ電流Ｉｌｄの平均値が目標電流値αとなる。これにより、ＬＥＤ電流Ｉｌｄのバラツキが抑制され、光源負荷６の明るさのバラツキを抑制することができる。

なお、電力変換回路１ａを昇降圧コンバータまたは昇圧コンバータとして動作させる場合、巻数比ｋ＝１として上記演算を行う。また、電力変換回路１ａを昇圧コンバータとして動作させる場合におけるダイオードオン期間Ｔｄｏｎは、下記式（１１）によって算出される。

（実施形態６）
本実施形態の照明器具１１の概略構成図を図１０に示す。本実施形態の照明器具１１は、実施形態１〜５のうちいずれかの点灯装置１０と、この点灯装置１０から所望の直流出力が供給される光源負荷６と、点灯装置１０および光源負荷６が取り付けられる器具本体１２とを主構成とし、住宅等の天井面に取り付けられるものである。

器具本体１２は、金属製板部材をプレス成形や、硬質の樹脂材料を用いた成形によって、円筒形に形成された筐体であり、内部に点灯装置１０，光源負荷６を収納する。

光源負荷６は、複数のＬＥＤ素子Ｌｄ１を実装した実装基板（図示なし）が、円筒状に形成されたケース６１に収納されている。また、ケース６１には、ＬＥＤ素子Ｌｄ１の照射方向に透光部材６２が設けられている。このように構成された光源負荷６は、器具本体１２の下面開口を閉塞するように取り付けられる。

点灯装置１０は、電力変換回路１，制御部２，スイッチ電流検出回路３，インダクタ電流検出回路４，ゲートドライブ回路５を構成する回路素子が実装基板に実装されることで構成されており、器具本体１２内に収納される。そして、点灯装置１０は、光源負荷６に電気的に接続される。

また、器具本体１２の上端部には、ブラケット１３が設けられ、このブラケット１３には器具本体１２の外部に電源端子台１４を固定している。電源端子台１４は、外部電源（例えば、直流電源Ｅ１）を点灯装置１０に電気的に接続する。

そして、上記構成の照明器具１１は、天井面に設けられた取付穴に埋込配設され、床面に向かって光を照射する。

本実施形態の照明器具１１は、実施形態１〜５のうちいずれかの点灯装置１０を備えているため、光源負荷６の明るさのバラツキが抑制される。特に、一室に複数の照明器具１１を設ける場合であっても、各照明器具１１間の明るさのバラツキが抑制されるため、ユーザーの違和感を低減させることができる。

１ 電力変換回路
２ 制御部
３ スイッチ電流検出回路（インダクタ電流検出部）
４ インダクタ電流検出回路（インダクタ電流検出部）
５ ゲートドライブ回路
６ 光源負荷
１０ 点灯装置
２１ 出力制御部（電流量算出部）
２４ カウンター
Ｑ１ スイッチング素子
Ｌ１ インダクタ
Ｌｄ１ ＬＥＤ素子（発光素子）

Claims (6)

1. スイッチング素子及びインダクタを有するチョッパ回路で構成され、前記スイッチング素子をオン・オフ駆動して前記インダクタに流れるインダクタ電流を断続制御することで、所望の直流出力を生成して発光素子からなる光源負荷に供給する電力変換回路と、
   前記スイッチング素子をスイッチング制御する制御部と、
   スイッチング周期の１周期あたりにおける、前記インダクタ電流が流れている第１のオン期間を計時するカウンターと、
   第１のオン期間と前記インダクタ電流のピーク値とを用いて、前記スイッチング周期の１周期あたりにおける前記インダクタ電流を積分値を算出することで、前記スイッチング周期の１周期あたりにおける負荷電流量を算出する電流量算出部とを備え、
   前記制御部は、前記スイッチング素子の前記スイッチング周期の１周期あたりにおける前記光源負荷に供給される負荷電流の平均値が、予め設定された目標値となるように前記スイッチング周期を設定しており、前記電流量算出部の算出結果から前記目標値を除算することで前記スイッチング周期を算出することを特徴とする点灯装置。
2. 前記制御部は、前記光源負荷の調光レベルに比例した前記目標値を設定することで前記光源負荷を調光制御することを特徴とする請求項１記載の点灯装置。
3. 前記制御部は、前記光源負荷の調光レベルに基づいて、前記スイッチング素子をオン・オフ駆動する期間と、前記スイッチング素子のオン・オフ駆動を停止する期間との割合を設定することで前記光源負荷を調光制御することを特徴とする請求項１記載の点灯装置。
4. 前記制御部は、前記スイッチング周期のそれぞれにおいて、前記スイッチング素子をターンオンしてから予め設定された第２のオン期間が経過すると前記スイッチング素子をターンオフしており、
   前記インダクタ電流を検出するインダクタ電流検出部を備え、
   前記電流量算出部は、前記第１のオン期間と、前記インダクタ電流検出部の検出結果から得られる前記インダクタ電流のピーク値とを用いて、前記スイッチング周期の１周期あたりにおける前記インダクタ電流の積分値を算出することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の点灯装置。
5. 前記制御部は、前記スイッチング周期のそれぞれにおいて、前記スイッチング素子をターンオンしてから前記インダクタ電流が予め設定された閾値以上になると前記スイッチング素子をターンオフしており、
   前記電流量算出部は、前記第１のオン期間と、前記閾値とを用いて、前記スイッチング周期の１周期あたりにおける前記インダクタ電流の積分値を算出することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の点灯装置。
6. 請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の点灯装置と、
   発光素子からなり、前記点灯装置から所望の直流出力が供給される光源負荷と、
   前記点灯装置および前記光源負荷が取り付けられる器具本体とを備えることを特徴とする照明器具。

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