JP6080253B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents
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Description
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に開口する第1のガス供給孔を有し、前記処理室に第1の処理ガスを供給する第1のガス供給系と、
前記処理室内に開口する第2のガス供給孔を有し、前記処理室に第2の処理ガスを供給する第2のガス供給系と、
前記処理室内に開口する触媒供給孔を有し、前記処理室に触媒を供給する触媒供給系と、
を有し、
前記処理室に基板が収容された状態で前記処理室を平面視したとき、前記基板の中心と前記第1のガス供給孔を結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と前記触媒供給孔を結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度である基板処理装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、
基板が収容された処理室に、第1の処理ガス供給系に設けられた第1のガス供給孔から第1の処理ガスを供給しつつ、前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第1のガス供給孔とを結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度となるように配置された触媒供給系に設けられた触媒供給孔から触媒を供給する第1の工程と、
前記処理室に、第2の処理ガス供給系に設けられた第2のガス供給孔から第2の処理ガスを供給しつつ、前記触媒供給孔から前記触媒を供給する第2の工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内の基板に、第1の処理ガス供給系に設けられた第1のガス供給孔から第1の処理ガスを供給しつつ、前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第1のガス供給孔とを結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度となるように配置された触媒供給系に設けられた触媒供給孔から触媒を供給する手順と、
前記処理室に、第2の処理ガス供給系に設けられた第2のガス供給孔から第2の処理ガスを供給しつつ、前記触媒供給孔から前記触媒を供給する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
発明者等は、鋭意研究の結果、上述のように膜厚面内分布が不均一となる原因は、ガス供給系に含まれる各ノズルの配置関係によることを究明した。一般的に、基板上へ膜を形成する成膜シーケンスを実施する際に用いられるガス供給系に含まれる各ノズルの配置関係を、基板処理装置の処理炉上面図で図14に示す。
Wall型、Cold Wall型の処理炉を有する基板処理装置にも適用できる。また、図中、同一または対応する機能を有する部材(構成要素)には同じ符号を付して適宜説明を省略する。また、以下で説明する場合に用いる「上」および「下」という用語は、便宜的に用いるものであって、方向に拘束されるべきでない。
図1は、本発明の実施形態に係る処理炉の一例とこれに付随する部材の概略構成図であって、特に処理炉部分を縦断面で示す図であり、図2は、図1に示す処理炉のA−A線断面図である。図3は、図1に示す処理炉のA−A線断面図の変形例である。
図1〜図3に示す通り、処理炉202は、中心線が垂直になるように縦向きに配されて筐体(図示せず)によって固定的に支持された反応管203を備えている。反応管203は、石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)等の耐熱性の高い材料によって、円筒形状に成形されている。
シールキャップ219にはボート217を支持するボート支持台218が設けられている。ボート支持台218は、たとえば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成され、ボートを支持する支持体として機能すると共に断熱部となっている。図1に示すとおり、ボート217はボート支持台218に固定された底板210とその上方に配置された天板211とを有しており、底板210と天板211との間に複数本の支柱212が架設された構成を有している。ボート217には複数枚(たとえば50〜150枚程度)の基板の一例であるウエハ200が保持されている。ウエハ200はシリコン等で構成されている。複数枚のウエハ200は、互いに一定の間隔をあけながらその中心を揃えて垂直方向に整列させ水平姿勢を保持した状態でボート217の支柱212に支持されている。
処理炉202には、ウエハ200を加熱するためのヒータ207が、反応炉203を包囲するように設けられている。ヒータ207は上方が閉塞された円筒形状の断熱部材と複数本のヒータ素線とを備えており、断熱部材に対しヒータ素線が設けられた構成を有している。反応管203内には温度検出器としての温度センサ263が設置されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ263は、ノズル410、420、430、と同様にL字型に構成されており、反応管203の内壁に沿って設けられている。主に、ヒータ207、温度センサ263により、加熱ユニット(加熱系)が構成される。
処理室201には当該処理室201内を排気するための排気管231が接続されている。排気管231には処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および圧力調整器(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ243eを介して真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。APCバルブ243eは開閉動作により処理室201の真空排気の起動とその停止とをすることができるのに加えて、その弁開度が調節可能であって処理室201の内部の圧力調整をも可能とする開閉弁である。主に、排気管231、APCバルブ243e、圧力センサ245により排気ユニット(排気系)が構成される。また、真空ポンプ246を排気ユニットに含めてもよい。
図1〜図3に示す通り、処理室201には、ノズル410、420、430がマニホールド209の側壁を貫通するように設けられている。ノズル410、420、430には、ガス供給管310、320、330が、それぞれ接続されている。このように、反応管203には3本のノズルと、3本のガス供給管が設けられており、処理室201内へ複数種類、ここでは3種類のガスを供給することができるように構成されている。なお、ノズル410、420、430は反応管203の下部を貫通するように設けるようにしてもよい。
さらに、第1の処理ガスおよび第2の処理ガスと、触媒とをウエハ200の中心部で混合する比率をさらにより高くするという観点から、図2に示すように、ガス供給管310のノズル410とガス供給管320のノズル420は近接して配置され、ガス供給管330のノズル430はボート217(が保持するウエハ200)を介してガス供給管310のノズル410とガス供給管320のノズル420に実質的に対向する位置に配置されることが好ましい。なお、「実質的に対向する」とは、ガス供給管330のノズル430がガス供給管310のノズル410とガス供給管320のノズル420に完全に対向(角度θ1およびθ2が180°)しているだけでなく、角度θ1およびθ2が180°から±30°程度の範囲を有していることを言う。
一方で、第1の処理ガスおよび第2の処理ガスと、触媒とをウエハ200の外周部から中心部にかけて段階的に多く混合させるという観点から、図3に示すように、ガス供給管310のノズル410とガス供給管320のノズル420が近接して配置され、且つ、第1仮想線L1と第2仮想線L2とのなす時計回りの角度θ1が、実質的に63.5°または296.5°となるようにガス供給管330がボート217の周囲に配置され、且つ、第3仮想線L3と第2仮想線L2とのなす反時計回りの角度θ2が、実質的に296.5°または63.5°となるようにガス供給管330がボート217の周囲に配置されていることが好ましい。
図4に示されているように、制御部(制御手段)であるコントローラ280は、CPU(Central Processing Unit)280a、RAM(Random
Access Memory)280b、記憶装置280c、I/Oポート280dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM280b、記憶装置280c、I/Oポート280dは、内部バス280eを介して、CPU280aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ280には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置282が接続されている。
次に、上述の基板処理装置の処理炉202を用いて、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、大規模集積回路(Large
Scale Integration;LSI)を製造する際などに、基板上に絶縁膜を成膜する方法の例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置および基板処理装置の処理炉を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
その後、複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される(ステップS100)と、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される(ステップS102)。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
その後、ボート217をボート駆動機構267により回転させ、ウエハ200を回転させる。その後、APCバルブ243を開いて真空ポンプ246により処理室201内を真空引きし、ウエハ200の温度が100℃に達して温度等が安定したら、処理室201内の温度を100℃に保持した状態で後述する4つのステップを順次実行する。
ガス供給管310にSi2Cl6ガスを、ガス供給管320にH2Oを、ガス供給管330にピリジンを、不活性ガス供給管510,520,530にN2を導入(流入)させた状態で、バルブ314、334、514、524、534を適宜開く。但し、バルブ324は閉じたままである。
バルブ314,334を閉じてSi2Cl6ガス,ピリジンの供給を停止させるとともに、N2を不活性ガス供給管510,520,530から処理室201に供給し続け、処理室201内をN2でパージする。パージ時間はたとえば15秒とする。また15秒内にパージと真空引きの2工程があってもよい。その結果、処理室201内に残留したSi2Cl6ガスおよびピリジンが処理室201内から除去される。このとき、処理室201内に残留するガスを完全に除去しなくてもよく、処理室201内を完全にパージしなくてもよい。処理室201内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップS110において悪影響が生じることはない。その際、処理室201内に供給するN2の流量も大流量とする必要はなく、たとえば、反応管203(処理室201)の容積と同程度の量を供給することで、ステップS110において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室201内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、N2の消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
バルブ514、524、534を開いたままで、バルブ324,334を適宜開く。バルブ314は閉じたままである。その結果、H2Oが、N2と混合されながらガス供給管320を流通してノズル420に流出し、ガス供給孔420aから処理室201に供給される。また、ピリジンも、N2と混合されながらガス供給管330を流通してノズル430に流出し、ガス供給孔430aから処理室201に供給される。さらに、N2が不活性ガス供給管510を流通してノズル410に流出し、ガス供給孔410aから処理室201に供給される。処理室201に供給されたH2O、ピリジンはウエハ200の表面上を通過して排気管231から排気される。ここで、本実施形態では上述した構成としたので、第3仮想線L3と第2仮想線L2とのなす時計回りの角度θ1が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度となるように、ノズル430がボート217(ウエハ200)の周囲に配置された状態で、処理室201内にH2Oとピリジンが供給される。
バルブ324、334を閉じてH2Oとピリジンの供給を停止させるとともに、N2を不活性ガス供給管510,520,530から処理室201に供給し続け、処理室201内をN2でパージする。パージ時間はたとえば15秒とする。また15秒内にパージと真空引きの2工程があってもよい。その結果、処理室201内に残留したH2O、ピリジンが処理室201内から除去される。このとき、処理室201内に残留するガスを完全に除去しなくてもよく、処理室201内を完全にパージしなくてもよい。処理室201内に残留するガスが微量であれば、その後にステップS106を行う場合であっても悪影響が生じることはない。その際、処理室201内に供給するN2の流量も大流量とする必要はなく、たとえば、反応管203(処理室201)の容積と同程度の量を供給することで、ステップS106において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室201内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、N2の消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
以降、ステップS106〜S112を1サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返し、ウエハ200上に所定膜厚のSiO2膜を形成する。この場合、各サイクル中で、上記の通りに、ステップS106におけるSi含有ガスと触媒により構成される雰囲気と、ステップS110におけるO含有ガスと触媒により構成される雰囲気のそれぞれの雰囲気が処理室201内で混合しないように成膜することに留意する。これにより、ウエハ200上に、SiO2膜が形成される。
所定膜厚のSiO2膜を形成する成膜処理がなされると、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給しつつ排気することで処理室201内を不活性ガスでパージする(ガスパージ:ステップS116)。その後、処理室201内の雰囲気を不活性ガスで置換し、(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力を常圧に復帰する(大気圧復帰:ステップS118)。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から処理室201の外部に搬出(ボートアンロード:ステップS120)される。その後、処理済ウエハ200はボート217より取出される(ウエハディスチャージ:ステップS122)。
なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、たとえば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わせて実施可能である。また、以下の変形例同士を、適宜、組み合わせてもよい。
3)SiCl3)等であっても適用可能である。
実施例1として、図1に示す基板処理装置の処理炉202を用いて、SiO2膜を成膜した。そして実施例1では、特に図2に示す処理炉の構成、すなわち、第1仮想線L1と第2仮想線L2とのなす角度θ1と、第3仮想線L3と第2仮想線L2とのなす角度θ2ともに同じ角度で180°に近い角度(176°付近)である処理炉202の構成を用いて、SiO2膜を成膜した。なお、実施例1では、ボート217の下部、中間部および上部にあるパターン付きでない平らな3つのウエハ上にそれぞれSiO2膜を成膜している。
実施例2として、図1に示す基板処理装置の処理炉202を用いて、SiO2膜を成膜した。そして実施例1では、特に図3に示す処理炉の構成、すなわち、第1仮想線L1と第2仮想線L2とのなす角度θ1が約63.5°であり、第3仮想線L1と第2仮想線L2とのなす角°θ2が約269.5°である処理炉202の構成を用いて、SiO2膜を成膜した。なお、実施例2では、ボート217の下部、中間部および上部にあるパターン付きでない平らな3つのウエハ上にそれぞれSiO2膜を成膜している。また、成膜温度、圧力、流量の成膜条件は、実施例1と同一とした。ただし、サイクル数は実施例1の約3倍とした。
比較例1として、図1に示す基板処理装置の処理炉202を用いて、SiO2膜を成膜した。そして比較例1では、特に図14に示す処理炉の構成、すなわち、ガス供給管910のノズル1010とガス供給管920のノズル1020とガス供給管930のノズル1030とが処理室201の円筒状の側壁に沿って互いに近接して配置された処理炉202の構成を用いて、SiO2膜を成膜した。なお、比較例1では、ボート217の下部、中間部および上部にあるパターン付きでない平らな3つのウエハ上にそれぞれSiO2膜を成膜している。また、成膜温度、圧力、流量、サイクル数等の成膜条件は、実施例1と同一とした。
以上のように実施例1に係るSiO2膜を成膜した後、SiO2膜の膜厚面内分布を測定(評価)した。
図9は、実施例1に係るSiO2膜の膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフで示す図であって、(A)は図8(A)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものであり、(B)は図8(B)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものであり、(C)は図8(C)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものである。
図10は、実施例2に係るSiO2膜の膜厚面内分布を示す図であって、(A)はボート217の上部にある平らなウエハ上に成膜されたSiO2膜の膜厚面内分布を示す図であり、(B)はボート217の中部にある平らなウエハ上に成膜されたSiO2膜の膜厚面内分布を示す図であり、(C)はボート217の下部にある平らなウエハ上に成膜されたSiO2膜の膜厚面内分布を示す図である。
図11は、実施例2に係るSiO2膜の膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフで示す図であって、(A)は図10(A)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものであり、(B)は図10(B)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものであり、(C)は図10(C)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものである。
図12は、比較例1に係るSiO2膜の膜厚面内分布を示す図であって、(A)はボート217の上部にある平らなウエハ上に成膜されたSiO2膜の膜厚面内分布を示す図であり、(B)はボート217の中部にある平らなウエハ上に成膜されたSiO2膜の膜厚面内分布を示す図であり、(C)はボート217の下部にある平らなウエハ上に成膜されたSiO2膜の膜厚面内分布を示す図である。
図13は、比較例1に係るSiO2膜の膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフで示す図であって、(A)は図12(A)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものであり、(B)は図12(B)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものであり、(C)は図12(C)に示す膜厚面内分布を距離と厚みの相関グラフにしたものである。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、基板を収容する処理室と、
前記処理室内に開口する第1のガス供給孔を有し、前記処理室に第1の処理ガスを供給する第1のガス供給系と、
前記処理室内に開口する第2のガス供給孔を有し、前記処理室に第2の処理ガスを供給する第2のガス供給系と、
前記処理室内に開口する触媒供給孔を有し、前記処理室に触媒を供給する触媒供給系と、
を有し、
前記処理室に基板が収容された状態で前記処理室を平面視したとき、前記基板の中心と前記第1のガス供給孔を結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と前記触媒供給孔を結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度である基板処理装置が提供される。
好ましくは、第2の仮想線と、前記処理室に基板が収容された状態で前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第2のガス供給孔を結ぶ第3の仮想線とのなす角度が、63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度である。
好ましくは、前記第1のガス供給孔と前記触媒供給孔との間の距離と、前記第2のガス供給孔と前記触媒供給孔との間の距離とが、それぞれ前記第1のガス供給孔と前記第2のガス供給孔との間の距離よりも長い。
好ましくは、前記第1のガス供給孔と前記触媒供給孔との間の距離と、前記第2のガス供給孔と前記触媒供給孔との間の距離とは、実質的に等しい。
好ましくは、前記第1のガス供給孔と前記第2のガス供給孔はそれぞれ前記基板を介して前記触媒供給孔と実質的に対向する位置に開口する。
好ましくは、前記第1の処理ガスはシリコン含有ガスであって、前記第2の処理ガスは酸素含有ガスまたは窒素含有ガスである。
好ましくは、前記触媒は、複素環にNが結合している触媒であって、ピリジン、アミノピリジン、ピコリン、ピペラジン、ルチジンのいずれかである。
好ましくは、前記処理室は複数の基板を積層して収容可能であり、前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、前記触媒供給系は、それぞれ処理室内に基板の積層方向に延在する第1のノズル、第2のノズル、第3のノズルを有し、それぞれ基板の積層方向に沿って複数の第1のガス供給孔、第2のガス供給孔、触媒供給孔が設けてられている。
好ましくは、前記基板は表面にパターンを有する。
本発明の他の態様によれば、基板が収容された処理室に、第1の処理ガス供給系に設けられた第1のガス供給孔から第1の処理ガスを供給しつつ、前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第1のガス供給孔とを結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度となるように配置された触媒供給系に設けられた触媒供給孔から触媒を供給する第1の工程と、
前記処理室に、第2の処理ガス供給系に設けられた第2のガス供給孔から第2の処理ガスを供給しつつ、前記触媒供給孔から前記触媒を供給する第2の工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第2のガス供給孔とを結ぶ第3の仮想線と、前記基板の中心と前記触媒供給孔を結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度となるように配置された前記触媒供給孔から前記触媒を供給する。
好ましくは、前記第1のガス供給孔と前記触媒供給孔との間の距離と、前記第2のガス供給孔と前記触媒供給孔との間の距離とが、それぞれ前記第1のガス供給孔と前記第2のガス供給孔との間の距離よりも長い。
好ましくは、前記第1のガス供給孔と前記触媒供給孔との間の距離と、前記第2のガス供給孔と前記触媒供給孔との間の距離とは、実質的に等しい。
好ましくは、前記第1のガス供給孔と前記第2のガス供給孔はそれぞれ前記基板を介して前記触媒供給孔と実質的に対向する位置に開口する。
好ましくは、前記第1の処理ガスはシリコン含有ガスであって、前記第2の処理ガスは酸素含有ガスまたは窒素含有ガスである。
好ましくは、前記触媒は、複素環にNが結合している触媒であって、ピリジン、アミノピリジン、ピコリン、ピペラジン、ルチジンのいずれかである。
好ましくは、前記処理室は複数の基板を積層して収容可能であり、前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、前記触媒供給系は、それぞれ処理室内に基板の積層方向に延在する第1のノズル、第2のノズル、第3のノズルを有し、それぞれ基板の積層方向に沿って複数の第1のガス供給孔、第2のガス供給孔、触媒供給孔が設けてられている。
好ましくは、前記基板は表面にパターンを有する。
本発明の他の態様によれば、基板処理装置の処理室内の基板に、第1の処理ガス供給系に設けられた第1のガス供給孔から第1の処理ガスを供給しつつ、前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第1のガス供給孔とを結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度となるように配置された触媒供給系に設けられた触媒供給孔から触媒を供給する手順と、
前記処理室に、第2の処理ガス供給系に設けられた第2のガス供給孔から第2の処理ガスを供給しつつ、前記触媒供給孔から前記触媒を供給する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
好ましくは、前記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
好ましくは、前記記録媒体を備える基板処理装置が提供される。
201 処理室
217 ボート
410、420、430 ノズル
410a、420a、430a ガス供給孔
θ1 角度
θ2 角度
L1 第1仮想線
L2 第2仮想線
L3 第3仮想線
Claims (5)
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内に開口する第1のガス供給孔を有し、前記処理室に第1の処理ガスを供給する第1のガス供給系と、
前記処理室内に開口する第2のガス供給孔を有し、前記処理室に第2の処理ガスを供給する第2のガス供給系と、
前記処理室内に開口する触媒供給孔を有し、前記処理室にピリジン、アミノピリジン、ピコリン、ピペラジン、ルチジンのいずれかである触媒を供給する触媒供給系と、
を有し、
前記処理室に基板が収容された状態で前記処理室を平面視したとき、前記基板の中心と前記第1のガス供給孔を結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と前記触媒供給孔を結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度である基板処理装置。 - 第2の仮想線と、前記処理室に基板が収容された状態で前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第2のガス供給孔を結ぶ第3の仮想線とのなす角度が、63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度であるような請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記処理室は複数の基板を積層して収容可能であり、前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、前記触媒供給系は、それぞれ処理室内に基板の積層方向に延在する第1のノズル、第2のノズル、第3のノズルを有し、それぞれ基板の積層方向に沿って複数の第1のガス供給孔、第2のガス供給孔、触媒供給孔が設けてられている請求項1もしくは請求項2に記載の基板処理装置。
- 基板が収容された処理室に、第1の処理ガス供給系に設けられた第1のガス供給孔から第1の処理ガスを供給しつつ、前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第1のガス供給孔とを結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度となるように配置された触媒供給系に設けられた触媒供給孔からピリジン、アミノピリジン、ピコリン、ピペラジン、ルチジンのいずれかである触媒を供給する第1の工程と、
前記処理室に、第2の処理ガス供給系に設けられた第2のガス供給孔から第2の処理ガスを供給しつつ、前記触媒供給孔から前記触媒を供給する第2の工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板処理装置の処理室内の基板に、第1の処理ガス供給系に設けられた第1のガス供給孔から第1の処理ガスを供給しつつ、前記処理室を平面視したとき前記基板の中心と前記第1のガス供給孔とを結ぶ第1の仮想線と、前記基板の中心と結ぶ第2の仮想線とのなす角度が63.5°以上296.5°以下の範囲内の角度となるように配置された触媒供給系に設けられた触媒供給孔からピリジン、アミノピリジン、ピコリン、ピペラジン、ルチジンのいずれかである触媒を供給する手順と、
前記処理室に、第2の処理ガス供給系に設けられた第2のガス供給孔から第2の処理ガスを供給しつつ、前記触媒供給孔から前記触媒を供給する手順と、
を行う基板処理装置を制御させるコンピュータにおいて、実行されるプログラム。
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JP6568508B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2019-08-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
KR102203745B1 (ko) * | 2017-02-23 | 2021-01-18 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 컴퓨터 프로그램 및 반응관 |
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