JP6077330B2 - インクジェットヘッド及び吐出液の吐出方法 - Google Patents

Description

本発明は、インクジェットヘッド及び吐出液の吐出方法に関する。

インクジェット技術は、様々な用途に用いられている。例えば、特許文献１には、印字に磁性体インクを利用したインクジェットプリンタが開示されており、特許文献２には、インクジェットにより金属パターンを形成する方法が開示されている。本願発明者は、磁性粒子を含む吐出液の吐出にインクジェット技術を応用することを検討している。

特開平５−９６７３７号公報 特開２０１０−２５１５９４号公報

本発明の一目的は、磁性粒子を含む吐出液の吐出に適した新規なインクジェットヘッド及び吐出方法を提供することである。

本発明の一観点によれば、磁性粒子を含む吐出液を収容するインク室と、前記インク室から前記吐出液が供給されるノズルと、前記吐出液を吐出させるエネルギーを供給する吐出機構と、前記ノズルの近傍に配置された電磁石群と、制御装置とを有し、前記磁性粒子は、板状の形状を有し、両面に同一磁極性が生じるように磁化している粒子であり、前記電磁石群は、前記ノズルの外側に吐出方向上流側から並ぶように流路に沿って配置された第１電磁石、第２電磁石、及び第３電磁石を含み、前記制御装置は、前記吐出機構を駆動し吐出動作を行う吐出信号を供給するとともに、前記吐出信号と同期させて前記第１〜第３電磁石を駆動する電磁石駆動信号を供給し、前記電磁石駆動信号は、前記第１電磁石及び第３電磁石が前記磁性粒子に与える引力を制御し、前記第２電磁石が前記磁性粒子に与える斥力を制御するインクジェットヘッド、が提供される。

第１電磁石及び第３電磁石が磁性粒子に与える引力と、第２電磁石が磁性粒子に与える斥力とを制御することにより、磁性粒子の吐出を制御することが容易になる。斥力を与える第２電磁石により、吐出方向に移動する磁性粒子の個数を制御することが容易になる。第２電磁石を挟んで配置された、引力を与える第１及び第３電磁石間で、磁性粒子を移動させることができる。

図１Ａは、粒子状素子の概略断面図であり、図１Ｂは、粒子状素子の分散液である吐出液の概略断面図である。 図２は、粒子状素子の実装工程を示す概略斜視図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、実施例によるインクジェットヘッドを用いた第１の吐出例を示す概略断面図である。 図３Ｃ及び図３Ｄは、実施例によるインクジェットヘッドを用いた第１の吐出例を示す概略断面図である。 図４は、実施例による吐出方法を示すタイミングチャートである。 図５Ａ及び図５Ｂは、実施例によるインクジェットヘッドを用いた第２の吐出例を示す概略断面図である。 図５Ｃ及び図５Ｄは、実施例によるインクジェットヘッドを用いた第２の吐出例を示す概略断面図である。 図６は、変形例によるインクジェットヘッドの概略断面図である。

本願発明者は、微小な粒子状の半導体発光素子を、インクジェット技術を用いて回路基板上に実装する方法について検討している。まず、実装方法の概略について説明する。

図１Ａは、粒子状半導体発光素子の一例を示す概略断面図である。粒子状半導体発光素子１は、例えばＧａＮ系半導体で形成されたｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層が積層されたデバイス構造層２と、ｎ型半導体層上に形成されたｎ側電極層３ｎと、ｐ型半導体層上に形成されたｐ側電極層３ｐとを含む。粒子状半導体発光素子１は、例えば、板状の形状で、大きさが１０μｍ角〜５０μｍ角程度、厚さが４μｍ〜１０μｍ程度である。

ｎ側電極層３ｎ及びｐ側電極層３ｐは、例えば、強磁性体もしくは反磁性体などを用い外部磁場により磁化することで、ｎ側電極層３ｎの上面及びｐ側電極層３ｐの下面（つまり粒子状半導体発光素子１の両面）が同磁極性（本実施例ではＮ極）となるように磁化されている。粒子状半導体発光素子１の側面に、他の磁極性（本実施例ではＳ極）が現れている。図１Ａに、概略的な磁力線を示す。粒子状半導体発光素子１を、単に粒子状素子１とも呼ぶ。

図１Ｂは、粒子状素子の分散液である吐出液の概略断面図である。吐出液４の媒質５中に、多数の粒子状素子１が、磁力により反発し合って分散している。なお、粒子状素子１は、相対的に広い両面に現れた同極性で反発し合い、相対的に狭い側面に現れた異極性の影響は小さいと考えられる。粒子状素子１の相対的に広い両面に現れた磁極性を、粒子状素子１の磁極性と呼ぶ。

媒質５として、例えば、速乾性インクに用いられるメチルエチルケトン、アセトン、エタノールや、水系インクに用いられる水（精製水）や、オイル系インクに用いられるグリコールエーテル、脂肪族炭化水素等が挙げられる。

図２は、粒子状素子の実装工程を示す概略斜視図である。インクジェットヘッド１０から、粒子状素子１を含む吐出液４を、電極１１がパターン形成されたシート基材１２上へ吐出する。なお、粒子状素子１の有する磁性は、シート基材１２上で磁石を用いて粒子状素子１をアライメントするために用いることもできる。

実装工程を容易にするため、１回の吐出動作当りに吐出される粒子状素子１の個数は、１個であることが好ましい。本願発明者は、以下に説明するように、１個ずつ粒子状素子１を吐出させる制御が容易なインクジェットヘッドについて検討した。

次に、本発明の実施例によるインクジェットヘッドを用いた吐出方法について説明する。図３Ａ〜図３Ｄは、第１の吐出例を示す概略断面図である。図４は、実施例による吐出方法を示すタイミングチャートである。

図３Ａを参照する。まず、実施例によるインクジェットヘッド２０の構造について説明する。インクジェットヘッド２０は、インク室２１と、ノズル２２と、吐出機構２３と、電磁石群ＭＧ（電磁石２４〜２６）と、制御装置２７を含んで形成される。

インク室２１に、粒子状素子１を含む吐出液４が収容され、インク室２１からノズル２２へ吐出液４が供給される。吐出機構（アクチュエーター）２３が、吐出液４を吐出するエネルギーを供給する。アクチュエーター２３として、サーマル方式やピエゾ方式などさまざまな方式のものが挙げられる。

ノズル２２の近傍に、電磁石２４〜２６を含む電磁石群ＭＧが配置されている。電磁石２４〜２６は、ノズル２２の外側に流路に沿って並ぶように配置されている。第１電磁石２４が最もインク室２１側（上流側）に配置されており、第３電磁石２６が最も吐出口２２ａ側（下流側）に配置されており、第２電磁石２５が、第１電磁石２４と第３電磁石２６の間に配置されている。

電磁石２４〜２６は、それぞれ、例えばノズル２２の内面に沿ったリング形状であり、ノズル２２の内面部分で単一の磁極性を生じさせることができるものである。電磁石２４〜２６のそれぞれについて、流す電流を制御することにより、電磁石２４〜２６の磁極性や磁界の強さを制御することができる。電磁石２４〜２６のノズル２２の内面部分の磁極性を、電磁石２４〜２６の磁極性と呼ぶ。

制御装置２７が、吐出タイミングを制御する吐出信号を、吐出機構２３に供給する。制御装置２７は、また、電磁石２４〜２６に、吐出信号と同期した駆動を行うための電磁石駆動信号を供給する。以下に説明するように、電磁石２４〜２６の磁力を制御することにより、粒子状素子１の吐出に係る挙動を制御することができる。なお、粒子状素子１の電磁石２４〜２６に対する挙動は、相対的に広い両面の磁極性で制御できると考えられ、相対的に狭い側面に現れた磁極性の影響は小さいと考えられる。

次に、実施例による吐出方法について説明する。図４のタイミングチャートに、吐出信号と、電磁石駆動信号で駆動される第１電磁石２４、第２電磁石２５、及び第３電磁石２６の極性及び磁力の変化を示す。まず、第１の吐出例について説明する。

図３Ａは、図４のタイミングチャートのタイミングａに対応する。タイミングａは、１回分の吐出動作の開始時点、すなわち、吐出信号がＯＮとなる時点である。

吐出動作の開始時における電磁石２４〜２６の制御状態について説明する。本実施例において、第１電磁石２４は、粒子状素子１の磁極性であるＮ極性と反対のＳ極性とされている。つまり、第１電磁石２４は、粒子状素子１に引力を与える。吐出開始時の引力は、吐出動作に伴う吐出液４の流れの中でも第１電磁石２４に粒子状素子１を保持できる程度の強さである。

第２電磁石２５は、粒子状素子１の磁極性と同じＮ極性とされている。つまり、第２電磁石２５は、粒子状素子１に斥力を与える。吐出開始時の斥力は、吐出動作に伴う吐出液４の流れがあっても、第２電磁石２５の配置領域を、１個の粒子状素子１も通過できない程度の強さである。吐出動作に伴う吐出液４の流れがあっても、第２電磁石２５の配置領域を、１個の粒子状素子１も通過できない最小の斥力を、閾値Ｂｔｈとする。

第３電磁石２６は、粒子状素子１の磁極性と反対のＳ極性とされている。つまり、第３電磁石２６は、粒子状素子１に引力を与える。吐出開始時の引力は、吐出動作に伴う吐出液４の流れの中でも第３電磁石２６に粒子状素子１を保持できる程度の強さである。

第１の吐出例では、吐出動作の開始時、粒子状素子１ａが、第３電磁石２６に保持され、粒子状素子１ｂが、第１電磁石２４に保持されている。

吐出動作が開始すると、吐出口２２ａからの吐出液４の吐出が開始する。吐出動作の開始時点と同時かそれより後に（吐出動作の開始時点以後に）、第３電磁石２６の引力が弱められ、粒子状素子１ａが、流れにより第３電磁石２６から解放される。

図３Ｂを参照する。図３Ｂは、図４のタイミングチャートのタイミングｂに対応する。タイミングｂにおいて、粒子状素子１ａは、第３電磁石２６から解放されているが、粒子状素子１ｂは、第１電磁石２４の引力が吐出液４の流れの中でも粒子状素子１ｂを保持できる程度の強さに維持されており、第１電磁石２４に保持されている。第２電磁石２５の斥力は、１個の粒子状素子１も通過させない程度の強さ（閾値Ｂｔｈ以上）に維持されている。

第３電磁石２６から粒子状素子１ａが解放される時点と同時かそれより後に（粒子状素子１ａが解放される時点以後に）、第１電磁石２４の引力が弱められ、粒子状素子１ｂが、流れにより第１電磁石２４から解放される。第１電磁石２４の引力を弱める制御と並行して、第１電磁石２４から解放された粒子状素子１ｂが第２電磁石２５の配置領域を通過できる程度に、第２電磁石２５の斥力を弱める（閾値Ｂｔｈより小さくする）。

図３Ｃを参照する。図３Ｃは、図４のタイミングチャートのタイミングｃに対応する。タイミングｃにおいて、第１電磁石２４から解放された粒子状素子１ｂが、吐出液４の流れにより、第２電磁石２５の配置領域を通過している。

第２電磁石２５の配置領域を通過した粒子状素子１ｂが捕捉されるよう、第３電磁石２６から粒子状素子１ａが解放された時点より後に、第３電磁石２６の引力を強める。

粒子状素子１ｂが第２電磁石２５の配置領域を通過した後、第２電磁石２５の斥力を、１個の粒子状素子１も通過させない程度に強める（閾値Ｂｔｈ以上にする）。また、粒子状素子１ｂが第１電磁石２４から解放された時点より後に、第１電磁石２４の引力を強めて、インク室２１を浮遊する粒子状素子１を捕捉する。

図３Ｄを参照する。図３Ｄは、図４のタイミングチャートのタイミングｄに対応する。タイミングｄは、１回分の吐出動作の終了時点、すなわち、吐出信号がＯＦＦとなった時点の直後である。

タイミングｄにおいて、粒子状素子１ａを含む液滴４ｄが吐出されており、第２電磁石２５の配置領域を通過した粒子状素子１ｂが第３電磁石２６に捕捉されており、また、インク室２１側から新たに供給された粒子状素子１ｃが第１電磁石２４に捕捉されている。

このようにして、１回の吐出動作により、第３電磁石２６に当初保持されていた粒子状素子１ａが吐出され、第１電磁石２４に当初保持され次回に吐出される粒子状素子１ｂが第３電磁石２６に移動して保持され、次々回に吐出される粒子状素子１ｃが第１電磁石２４に保持された状態が準備される。必要に応じ、上述のような吐出動作が繰り返される。

以上のように、まず、次回に吐出されるべき粒子状素子１ｂが第１電磁石２４に保持された状態で、第３電磁石２６から今回吐出されるべき粒子状素子１ａを解放し、粒子状素子１ａの解放以後、粒子状素子１ｂを第１電磁石２４から解放して第３電磁石２６に移動させて捕捉することができる。これにより、１回分の吐出動作で粒子状素子１ａのみを吐出し、粒子状素子１ｂは吐出しないようにすることが容易になる。

第２電磁石は、次回に吐出されるべき粒子状素子１ｂを第１電磁石２４から第３電磁石２６へ移動させる期間のみに開く磁気的なゲートとして働く。これにより、第３電磁石２６に、１個ずつ粒子状素子１を供給することが容易になるので、１回の吐出動作で複数個の粒子状素子１が吐出されることを抑制できる（以下に説明する第２の吐出例も参照）。

なお、第２電磁石２５の配置領域を通過した、次回に吐出されるべき粒子状素子１ｂが、第３電磁石２６に捕捉され損ねると、今回の吐出で粒子状素子１ｂまでが吐出されてしまうことになる。吐出液４（の媒質）とともに流れる粒子状素子１ｂであっても捕捉できるよう、第３電磁石２６の引力を十分に強めることにより、このような不具合は抑制されると考えられるが、さらに、以下のような対応策も考えられる。

図４のタイミングチャートにおいて、第１電磁石２４の引力を弱めて粒子状素子１ｂを解放し第２電磁石による磁気的ゲートを通過させる期間（タイミングｃの近傍）を、吐出期間の終了近くに配置する。これにより、吐出動作終了時点の流れが弱まった状態で、粒子状素子１ｂを第３電磁石２６の近傍に到達させやすくなると考えられる。従って、吐出動作の途中の流れが強い状態で粒子状素子１ｂが第３電磁石２６近傍に到達する場合に比べて、粒子状素子１ｂが第３電磁石２６に捕捉され損ねて流されてしまう危険性を低下させられるであろう。

次に、第２の吐出例について説明する。図５Ａ〜図５Ｄは、第２の吐出例を示す概略断面図であり、それぞれ、図４のタイミングチャートのタイミングａ〜ｄに対応する。吐出信号及び第１〜第３電磁石２４〜２６の駆動シーケンスは、第１の吐出例と同様である。

図５Ａを参照する（タイミングａ）。第２の吐出例では、吐出動作の開始時、粒子状素子１ａが、第３磁石２６に保持され、粒子状素子１ｂ及び１ｃが、第１磁石２４に保持されている。

粒子状素子１同士は、斥力が働くため、第１電磁石２４に１個目の粒子状素子１が捕捉された後、２個目以降の粒子状素子１は捕捉されにくいと考えられる。しかし、第１電磁石２４の形状等によっては、第１電磁石２４に複数個の粒子状素子１が捕捉される可能性はある。

吐出動作が開始すると、吐出液４の吐出が開始する。吐出動作の開始に同期して、第３電磁石２６の引力が弱められ、流れにより第３電磁石２６から粒子状素子１ａが解放される。

図５Ｂを参照する（タイミングｂ）。粒子状素子１ａは第３電磁石２６から解放されている。一方、粒子状素子１ｂ及び１ｃは、第１電磁石２４の引力の強さがそのまま維持されており、第１電磁石２４に保持されたままである。

第３電磁石２６からの粒子状素子１ａの解放時点以後、第１電磁石２４の引力が弱められ、これと並行して、第２電磁石２５の斥力が、１個の粒子状素子１も通過させない程度の強さ（閾値Ｂｔｈ）よりも弱められる。ここで、閾値Ｂｔｈよりも弱められた第２電磁石２５の斥力が弱すぎたり、閾値Ｂｔｈよりも弱められる期間が長すぎたりすれば、第１電磁石２４から解放された粒子状素子１ｂ及び１ｃの両方が、第２電磁石２５の配置領域を通過してしまう。

第２電磁石２５の閾値Ｂｔｈよりも弱められた斥力を、閾値Ｂｔｈ未満で十分強く設定すること、及び、閾値Ｂｔｈよりも弱められる期間を十分に短くすること、の少なくとも一方により、第１電磁石２４から解放された粒子状素子１ｂ及び１ｃのうち、第２電磁石２５の形成する磁気的ゲートを通り易い方（例えば第２電磁石２５に近い方）を選択的に通過させ、他方を通過させないことができる。

図５Ｃを参照する（タイミングｃ）。本例では、第１電磁石２４から解放された粒子状素子１ｂが、第２電磁石２５の配置領域を通過する。他方の粒子状素子１ｃは、第２電磁石２５の配置領域を通過できず、第１電磁石２４の近傍に留まる。

図５Ｄを参照する（タイミングｄ）。粒子状素子１ａを含む液滴４ｄが吐出されており、第２電磁石２５の配置領域を通過した粒子状素子１ｂが第３電磁石２６に捕捉されており、また、第１電磁石２４の近傍に留まった粒子状素子１ｃが、そのまま第１電磁石２４に捕捉されている。

このようにして、吐出動作により、第３電磁石２６に当初保持されていた粒子状素子１ａが吐出され、次回に吐出される粒子状素子１ｂが第３電磁石２６に移動して保持され、次々回に吐出される粒子状素子１ｃが第１電磁石２４に保持された状態が準備される。

第２の吐出例のように、第１電磁石２４に複数個の粒子状素子１が保持された場合でも、第２電磁石２５の形成する磁気的ゲートにより選択的に１個の粒子状素子１を通過させることで、第３電磁石２６に１個の粒子状素子１が供給された状態を作り出して、１回の吐出動作で吐出される粒子状素子１の個数を１個とすることが容易になる。

次に、図６を参照して、上記実施例の変形例によるインクジェットヘッドについて説明する。図６は、変形例によるインクジェットヘッドの概略断面図である。例えば、上記実施例で示したように縦方向への吐出を行うインクジェットヘッドに替えて、変形例で示すように横方向への吐出を行うインクジェットヘッドを用いることもできる。

変形例によるインクジェットヘッドにおいても、ノズル２２の吐出方向に沿って電磁石２４〜２６を配置することにより、吐出動作当りの粒子状素子の吐出個数を１個に制御することが容易になる。

電磁石２４〜２６は、上記実施例のようなノズル内面に沿うリング状のものに限らない。インク室２１やノズル２２の構造、吐出機構２３のアクチュエーターの駆動方式、電磁石２４〜２６の形状や配置位置、吐出信号や電磁石駆動信号の駆動シーケンス等は、必要に応じて例えば実験的に、好ましい条件を探すことができる。また、吐出させる粒子状素子の大きさや、吐出液の媒質や調整条件等も、必要に応じて変えることができる。

以上説明したように、第１電磁石２４及び第３電磁石２６が粒子状素子１に与える引力と、第２電磁石２５が粒子状素子１に与える斥力とを制御することにより、粒子状素子１の吐出を制御することが容易になる。

なお、実施例では、ノズルの流路に沿って３個の電磁石を配置した電磁石群を用いたが、電磁石群は、粒子状素子に引力を与える電磁石部分と、斥力を与える電磁石部分とを交互に並べて、３個より多い個数（例えば５個や７個）の電磁石で形成することもできる。斥力を与える電磁石により、吐出方向に移動する粒子状素子の個数を制御することが容易になる。斥力を与える電磁石を挟んで配置された、引力を与える電磁石間で、粒子状素子を移動させることができる。

なお、実施例では粒子状の半導体発光素子を吐出する場合について説明したが、実施例の吐出技術は、半導体発光素子に限らず、磁性を有する粒子を、インクジェットを利用して吐出する場合に応用することができるであろう。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１ 粒子状半導体発光素子（磁性粒子）
２ デバイス構造層
３ｎ ｎ側電極
３ｐ ｐ側電極
４ 吐出液（磁性粒子の分散液）
５ 媒質
１０ インクジェットヘッド
１１ 電極
１２ シート基材
２０ インクジェットヘッド
２１ インク室
２２ ノズル
２２ａ 吐出口
２３ 吐出機構
ＭＧ 電磁石群
２４〜２６ 電磁石
２７ 制御装置

Claims (6)

1. 磁性粒子を含む吐出液を収容するインク室と、
   前記インク室から前記吐出液が供給されるノズルと、
   前記吐出液を吐出させるエネルギーを供給する吐出機構と、
   前記ノズルの近傍に配置された電磁石群と、
   制御装置と
   を有し、
   前記磁性粒子は、板状の形状を有し、両面に同一磁極性が生じるように磁化している粒子であり、
   前記電磁石群は、前記ノズルの外側に吐出方向上流側から並ぶように流路に沿って配置された第１電磁石、第２電磁石、及び第３電磁石を含み、
   前記制御装置は、前記吐出機構を駆動し吐出動作を行う吐出信号を供給するとともに、前記吐出信号と同期させて前記第１〜第３電磁石を駆動する電磁石駆動信号を供給し、前記電磁石駆動信号は、前記第１電磁石及び第３電磁石が前記磁性粒子に与える引力を制御し、前記第２電磁石が前記磁性粒子に与える斥力を制御するインクジェットヘッド。
2. 前記電磁石駆動信号は、１回分の吐出動作が行われる吐出期間において、
   吐出動作の開始前に前記第３電磁石に保持された第１の磁性粒子が、吐出動作の開始時点以後に前記第３電磁石から解放されるように、前記第３電磁石による引力を制御し、
   吐出動作の開始前に前記第１電磁石に保持された第２の磁性粒子が、前記第１の磁性粒子が前記第３電磁石から解放される時点以後に前記第１電磁石から解放されるように、前記第１電磁石による引力を制御し、
   前記第１電磁石から解放された前記第２の磁性粒子が第１の期間に前記第２電磁石の配置領域を通過でき、それ以外の期間では通過できないように、前記第２電磁石による斥力を制御し、
   前記第２電磁石の配置領域を通過した前記第２の磁性粒子が前記第３電磁石に捕捉されるように、前記第３電磁石による引力を制御する請求項１に記載のインクジェットヘッド。
3. １回分の吐出動作が行われる吐出期間において、前記第２電磁石の配置領域を、前記第２の磁性粒子は通り抜けられるが、他の磁性粒子は通り抜けられないように、前記第１の期間が短く設定されているか、または、前記第１の期間における前記第２電磁石の斥力が強く設定されている請求項２に記載のインクジェットヘッド。
4. 磁性粒子を含む吐出液を収容するインク室と、
   前記インク室から前記吐出液が供給されるノズルと、
   前記吐出液を吐出させるエネルギーを供給する吐出機構と、
   前記ノズルの近傍に配置された電磁石群と、
   制御装置と
   を有し、
   前記磁性粒子は、板状の形状を有し、両面に同一磁極性が生じるように磁化されており、
   前記電磁石群は、前記ノズルの外側に吐出方向上流側から並ぶように流路に沿って配置された第１電磁石、第２電磁石、及び第３電磁石を含み、
   前記制御装置は、前記吐出機構を駆動し吐出動作を行う吐出信号を供給するとともに、前記吐出信号と同期させて前記第１〜第３電磁石を駆動する電磁石駆動信号を供給し、前記電磁石駆動信号は、前記第１及び第３電磁石が前記磁性粒子に与える引力を制御し、前記第２電磁石が前記磁性粒子に与える斥力を制御するインクジェットヘッドから、前記吐出液を吐出する方法であって、
   （ａ）前記第３電磁石及び前記第１電磁石にそれぞれ第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子が吸引され保持された状態で、かつ、前記第２電磁石の配置領域を磁性粒子が通過できないような斥力を前記第２電磁石に生じさせた状態で、吐出動作を開始する工程と、
   （ｂ）吐出動作の開始時点以後、前記第１電磁石に前記第２の磁性粒子が保持された状態で、前記第３電磁石の引力を弱め前記第１の磁性粒子を解放する工程と、
   （ｃ）前記第１の磁性粒子の解放された時点以後に、前記第１電磁石の引力を弱め前記第２の磁性粒子を解放する工程と、
   （ｄ）前記第１電磁石から解放された前記第２の磁性粒子が、第１の期間のみ前記第２電磁石の配置領域を通過できるように、前記第２電磁石による斥力を弱める工程と、
   （ｅ）前記第２電磁石の配置領域を通過した前記第２の磁性粒子を、前記第３電磁石の引力を強めて、前記第３電磁石に捕捉させる工程と
   （ｆ）吐出動作を終了させる工程と、
   を有する吐出液の吐出方法。
5. 前記工程（ｄ）において、前記第２電磁石の配置領域を、前記第２の磁性粒子は通り抜けられるが、他の磁性粒子は通り抜けられないように、前記第１の期間が短く設定されているか、または、前記第１の期間における前記第２電磁石の斥力が強く設定されている請求項４に記載の吐出液の吐出方法。
6. 前記磁性粒子は、大きさが１０μｍ〜５０μｍの範囲である請求項４または５に記載の吐出液の吐出方法。