JP6059167B2 - 正孔輸送層形成用組成物及び太陽電池 - Google Patents
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Description
本発明は、チオシアン酸イオン以外のアニオンを有する有機塩(イオン性液体)を用いた場合であっても、p型半導体の結晶化及び微細化を促進し、かつ、p型半導体微粒子表面の化学修飾を可能とする正孔輸送層形成用組成物、及びそれを用いた太陽電池を提供することを目的とする。
本発明の第二の態様は、導電性基板と対極層との間に、光電変換層と、上記正孔輸送層形成用組成物から形成された正孔輸送層とを備える太陽電池である。
本発明の第三の態様は、導電性基板と、上記導電性基板上に設けられ、空孔を有する多孔質n型半導体及び上記多孔質n型半導体に吸着した増感材料を含む光電変換層と、上記光電変換層上に設けられ、かつ、前記空孔の少なくとも一部を充填する正孔輸送層と、上記正孔輸送層上に設けられた対極層と、を備え、上記正孔輸送層が上記正孔輸送層形成用組成物から形成されたものである太陽電池である。
<正孔輸送層形成用組成物>
本発明は、p型半導体と、有機塩と、プロトン又はカチオンの解離によりチオラートアニオンを生成する化合物及びジスルフィド化合物からなる群より選択される少なくとも1種の含硫黄化合物(但し、チオシアン酸塩を除く。)からなり、p型半導体の結晶成長を制御する結晶成長制御剤と、を含有する、太陽電池の正孔輸送層形成用組成物を提供する。本発明の正孔輸送層形成用組成物から太陽電池の正孔輸送層を形成することができる。
p型半導体としては、特に限定されないが、例えば、銅を含む化合物半導体が挙げられ、1価の銅を含む化合物半導体であることが好ましい。p型半導体の具体例としては、ヨウ化銅、チオシアン酸銅等が挙げられ、導電率、イオン化ポテンシャル、拡散長等の観点から、ヨウ化銅が好ましい。なお、ここでのヨウ化銅には、ヨウ素の一部を塩素又は臭素に任意の割合で置き換えた固溶体も含まれるものとする。p型半導体は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
有機塩は、イオン性液体とも呼ばれる場合がある。有機塩としては、特に限定されず、公知のものを用いることができる。
有機塩に含まれるカチオンとしては、例えば、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−メチル−3−プロピルイミダゾリウムイオン、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウムイオン、1−メチル−3−パーフルオロオクチルイミダゾリウムイオン、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−ドデシル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−アリル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−ブチル−1−パーフルオロオクチルイミダゾリウムイオン、1,3−ジメチルイミダゾリウムイオン、1,2,3−トリメチルイミダゾリウムイオン、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムイオン、1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウムイオン、1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウムイオン、1−メチルイミダゾリウムイオン等のイミダゾリウムイオン;トリブチルメチルアンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、テトラペンチルアンモニウムイオン、テトラヘキシルアンモニウムイオン、テトラヘプチルアンモニウムイオン、テトラオクチルアンモニウムイオン、メチル−トリオクチルアンモニウムイオン等のアンモニウムイオン;テトラブチルホスホニウムイオン、トリブチルヘキサデシルホスホニウムイオン、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムイオン等のホスホニウムイオン;1−ブチルピリジニウムイオン、3−メチル−1−プロピルピリジニウムイオン、1−ブチル−3−メチルピリジニウムイオン、1−ブチル−4−メチルピリジニウムイオン等のピリジニウムイオン;1−メチル−1−プロピルピロリジニウムイオン、1−エチル−1−メチルピロリジニウムイオン、1−ブチル−1−メチルピロリジニウムイオン等のピロリジニウムイオン;1−メチル−1−プロピルピペリジニウムイオン;トリエチルスルホニウムイオン等が挙げられる。これらの中でも、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムイオン、トリブチルメチルアンモニウムイオンが好ましい。
本発明の組成物において、有機塩の含有量は、特に限定されないが、例えば、p型半導体100質量部に対し1〜25質量部が好ましい。
本発明で用いる結晶成長制御剤は、プロトン又はカチオンの解離によりチオラートアニオン(−S−)を生成する化合物及びジスルフィド化合物からなる群より選択される少なくとも1種の含硫黄化合物(但し、チオシアン酸塩を除く。)からなり、p型半導体の結晶成長を制御する。
R1−SH (1)
(式中、R1は、置換基を有していてもよい1価炭化水素基を表す。)
R2−CS−S−X+ (2−1)
(R2A)+−CS−S− (2−2)
(式(2−1)中、R2は、水素原子又は置換基を有していてもよい1価炭化水素基又はアルコキシ基を表し、X+は、第一族元素のカチオン(例えば、H+、Li+、Na+又はK+)又は下記式(3)で表されるアンモニウムイオンを表す。式(2−2)中、(R2A)+は、N+を有する1価有機基を表す。)
N+R3 4 (3)
(式中、R3は、独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい1価炭化水素基を表す。但し、少なくとも1個のR3は置換基を有していてもよい1価炭化水素基である。)
R3が置換基を有していてもよい1価炭化水素基である場合、R3としては、例えば、R1について例示した基が挙げられる。置換基の例及び数は上記のとおりである。
(R2A)+としては、イミダゾリジニウム環含有1価炭化水素基、キノリニウム環含有1価炭化水素基、ピリジニウム環含有1価炭化水素基、ピペラジニウム基含有1価炭化水素基等、N+を有する複素環式基が挙げられる。
(R2 2N−CS−S−)nXm+ (4)
(式中、R2は、上記のとおりであり、R2は、互いに同一でも異なっていてもよい。n及びmは価数を示しn=mである。Xm+は、価数mのカチオンを表す。)
式(4)におけるR2としては、置換基を有していてもよい1価炭化水素基が好ましく、置換基を有していてもよい1価炭化水素基は、上記と同様である。mが1の場合、Xm+(つまりX+)は上記と同様のものが挙げられる。mが2以上の場合は任意の金属イオンを用いることができる。
R2−CS−NHR2 (5)
(式中、R2は、上記のとおりであり、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。)
上記式(5)のチオアミド化合物は、脱プロトン化し、生じた脱プロトン化体は、以下に示すとおり、共鳴構造の1つがチオラートアニオンを有する。
R2−C(SH)=NR2 (6)
(式中、R2は、上記のとおりであり、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。)
R2NH−CS−NHR2 (7)
(式中、R2は、上記のとおりであり、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。)
上記式(7)のチオ尿素化合物は、脱プロトン化し、生じた脱プロトン化体は、以下に示すとおり、共鳴構造の1つがチオラートアニオンを有する。
R2NH−C(SH)=NR2 (8)
(式中、R2は、上記のとおりであり、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。)
R2−S−S−R2 (9)
(式中、R2は、上記のとおりであり、互いに同一でも異なっていてもよい。)
本発明の第二の態様に係る太陽電池は、導電性基板と対極層との間に、光電変換層と、上記正孔輸送層形成用組成物から形成された正孔輸送層とを備える太陽電池である。このような太陽電池としては、全固体型色素増感型太陽電池、量子ドット増感型太陽電池等の増感型太陽電池;有機薄膜型太陽電池;ペロブスカイト型太陽電池が挙げられる。これらのうち、まず、有機薄膜型太陽電池及びペロブスカイト型太陽電池について、説明する。増感型太陽電池については、後述する。
n型半導体層は、上記導電性基板上に設けられ、n型半導体からなる。n型半導体としては、特に限定されないが、例えば、金属酸化物半導体が挙げられる。n型半導体の具体例としては、TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5、In2O3等が挙げられる。電荷分離の効率性等の観点から、TiO2又はZnOが好ましい。n型半導体は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、全固体型色素増感型太陽電池、量子ドット増感型太陽電池等の増感型太陽電池の場合はn型半導体として多孔質n型半導体を用いることが好ましく、当該多孔質n型半導体が有する空孔の直径は、平均で5nm〜1000nm程度であり、好ましくは10nm〜500nm程度である。
n型半導体層の厚さは、10nm〜30μm程度が好ましい。
光電変換層は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する固体状の層である。ペロブスカイト型太陽電池の場合、光電変換層の材料としては、例えば、有機−無機ハイブリッド系のペロブスカイト(例えば、ハロゲン化鉛ペロブスカイト)が挙げられる。
光電変換層は、上記n型半導体層上に設けられ、公知の堆積法や溶液法(滴下法又は塗布法)等により形成することができる。光電変換層の厚さは、10〜2000nm程度が好ましい。
p型半導体層は、上記光電変換層上に設けられ、かつ、本発明の正孔輸送層形成用組成物から形成されている。p型半導体は上記[p型半導体]の項で説明したとおりである。
p型半導体層の厚さは、100〜3000nm程度が好ましい。
p型半導体層は、例えば、本発明の正孔輸送層形成用組成物を用いて、公知の塗布法や堆積法により、上記光電変換層上に形成することができる。塗布法を用いる場合は正孔輸送層形成用組成物は、有機溶媒を含むことが好ましい。
以下、本発明に係る増感型太陽電池について図1を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の第三の態様に係る増感型太陽電池を示す縦断面図である。本発明の第三の態様に係る増感型太陽電池1は、導電性基板2と、上記導電性基板2上に設けられ、空孔を有する多孔質n型半導体3及び多孔質n型半導体3に吸着した増感材料4を含む光電変換層5と、光電変換層5上に設けられ、かつ、上記空孔の少なくとも一部を充填する正孔輸送層6と、正孔輸送層6上に設けられた対極層7と、を備え、正孔輸送層6は本発明の正孔輸送層形成用組成物から形成されている。増感型太陽電池1は、更に、導電性基板2の主面のうち、光電変換層5と接する主面とは反対側の主面上に支持基板8を備え、対極層7の主面のうち、正孔輸送層6と接する主面とは反対側の主面上に支持基板9を備える。
導電性基板2は、導電性材料からなる基板である。導電性材料としては、例えば、白金、金等の金属、炭素、及びフッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金属酸化物が挙げられる。支持基板8としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板等が挙げられる。導電性基板2及び支持基板8はともに透明である。
なお、例えば、導電性基板2のみで十分な強度が得られる場合には、支持基板8を設けなくてもよい。
光電変換層5は、上記導電性基板2上に設けられ、空孔を有する多孔質n型半導体3及び多孔質n型半導体3に吸着した増感材料4を含む。多孔質n型半導体3は上記[n型半導体層]の項で説明したとおりである。
光電変換層5の厚さは、100nm〜30μm程度が好ましい。
正孔輸送層6は、上記光電変換層5上に設けられ、かつ、前記空孔の少なくとも一部を充填するものであり、本発明の正孔輸送層形成用組成物から形成されている。正孔輸送層に含まれるp型半導体は上記[p型半導体]の項で説明したとおりである。
正孔輸送層6の厚さは、100〜3000nm程度が好ましい。
対極層7は、正孔輸送層6上に設けられる。対極層7の材料としては、例えば、白金、金等の金属、炭素、及びフッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金属酸化物が挙げられる。対極層7は透明であってもよい。
対極層7の厚さは、特に限定されないが、例えば、15μm程度が好ましい。
[ヨウ化銅塗布液の調製]
ヨウ化銅をアセトニトリルに0.15Mになるように溶解し、得られた溶液に、表1に示す濃度となるように有機塩及び結晶成長制御剤を添加し混合して、ヨウ化銅塗布液を得た。
ガラス基板(厚さ:1100μm)とその一方の主面を覆うFTO層(厚さ:0.8μm)とからなる透明導電性支持体のFTO層上に二酸化チタンペーストをスクリーン印刷し、150℃で乾燥した後、電気炉で450℃に加熱して、透明導電性支持体とその上に設けられた多孔質二酸化チタン層とを備える多孔質二酸化チタン基板を作製した。この基板を、市販のインドリン系色素D149を0.4mMになるように溶解したアセトニトリル/tert−ブチルアルコール溶液に浸漬し、多孔質二酸化チタンに色素を吸着させた。この基板をアセトニトリルで洗浄して余分な色素を除去した後、この基板を乾燥させて、色素吸着多孔質二酸化チタン基板を得た。
この色素吸着二酸化チタン基板を、窒素雰囲気下、ホットプレートで60℃に加熱しながら、ヨウ化銅塗布液を10μL滴下し、乾燥後、次の10μLを滴下した。この工程を繰り返し、計200μLのヨウ化銅塗布液を多孔質二酸化チタン基板に滴下し乾燥させて、多孔質二酸化チタンの細孔にヨウ化銅を充填し、ヨウ化銅充填多孔質二酸化チタン基板を得た。多孔質二酸化チタン層上に積層されたヨウ化銅層の厚さは1μmであった。
ヨウ化銅の充填性の評価は、実施例4又は比較例4若しくは5で得られたヨウ化銅充填多孔質二酸化チタン基板の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)像を画像処理することで行った。ヨウ化銅を充填した二酸化チタンを含む多孔質二酸化チタン層断面の二次電子像では、帯電状態の差により、ヨウ化銅部分は白色の像、二酸化チタン部分は黒色の像として得られた。二次電子像の白黒が元素組成の差に由来することは、反射電子像と比較することで確認した。得られた二次電子像(8000倍〜10000倍拡大の像)を画像処理ソフトImage J(National Institute of Health、アメリカ合衆国)により、白/黒二階調化して白色部及び黒色部のピクセル数を計測し、(白色部のピクセル数)/(白色部のピクセル数+黒色部のピクセル数)の比をヨウ化銅の充填率とした。なお、二階調化の設定は、上記ソフトの自動設定を用いて行った。
上記で得たヨウ化銅充填多孔質二酸化チタン基板を作用極、白金箔(15μm)を対極とし、1 sun、AM 1.5の光照射下の電流−電圧特性をポテンショスタットで測定することにより、太陽電池の性能を評価した。結果を相対値で表2に示す(比較例1で得られた各測定値を1とした)。
上記実施例2のヨウ化銅塗布液において、表3のように濃度を変更した他は、[太陽電池性能の評価−1−]と同様にして、太陽電池の性能を評価し、表3の各ヨウ化銅塗布液について、効率Effを求めた。結果は、比較例1のEffに対する比(rel. Eff. vs. EMI−SCN)として表3に示す。
また、表3の結果から、本発明に係る組成物中、含硫黄化合物からなる結晶成長制御剤の濃度が5mM以下であり、有機塩の濃度が結晶成長制御剤の濃度の5〜15倍程度である場合が好ましいことが分かる。
2 導電性基板
3 多孔質n型半導体
4 増感材料
5 光電変換層
6 正孔輸送層
7 対極層
8 支持基板
9 支持基板
Claims (5)
- p型半導体と、有機塩と、プロトン又はカチオンの解離によりチオラートアニオンを生成する化合物及びジスルフィド化合物からなる群より選択される少なくとも1種の含硫黄化合物(但し、チオシアン酸塩を除く。)からなり、p型半導体の結晶成長を制御する結晶成長制御剤と、を含有する、太陽電池の正孔輸送層形成用組成物(但し、以下の(1)及び(2)の正孔輸送層形成用組成物を除く;
(1)Cuを含有した第1のジアルキルジチオカルバミン酸化合物、Znを含有した第2のジアルキルジチオカルバミン酸化合物、及びSnを含有した第3のジアルキルジチオカルバミン酸化合物を、脂肪族アミンと脂肪族チオールとの混合溶媒中で加熱処理し、作製した化合物半導体であるp型半導体及びp型半導体の結晶成長を制御する結晶成長制御剤を含有する太陽電池の正孔輸送層形成用組成物。
(2)銅及び/又は銀と、インジウム、ガリウム、亜鉛、及び錫からなる群より選ばれる少なくとも1つの元素と、硫黄、セレン及びテルルからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素とを含むIb−IIIB−VIB化合物又はIb−IIB−IVB−VIB化合物であるp型半導体及びp型半導体の結晶成長を制御する結晶成長制御剤を含有する太陽電池の正孔輸送層形成用組成物。)。 - 前記含硫黄化合物が、チオール化合物、ジチオカルボン酸化合物、ジチオカルバミン酸化合物、チオアミド化合物又はその互変異性体、チオ尿素化合物又はその互変異性体、及びジスルフィド化合物からなる群より選択される少なくとも1種である請求項1に記載の正孔輸送層形成用組成物。
- 前記有機塩が、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、及びジシアナミドイオンからなる群より選択される少なくとも1種のアニオンを有する請求項1又は2に記載の正孔輸送層形成用組成物。
- 導電性基板と対極層との間に、光電変換層と、請求項1〜3のいずれか1項に記載の正孔輸送層形成用組成物から形成された正孔輸送層とを備える太陽電池。
- 導電性基板と、
前記導電性基板上に設けられ、空孔を有する多孔質n型半導体及び前記多孔質n型半導体に吸着した増感材料を含む光電変換層と、
前記光電変換層上に設けられ、かつ、前記空孔の少なくとも一部を充填する正孔輸送層と、
前記正孔輸送層上に設けられた対極層と、
を備え、
前記正孔輸送層が請求項1〜3のいずれか1項に記載の正孔輸送層形成用組成物から形成されたものである太陽電池。
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