JP7098166B2 - 有機無機ハイブリッド材料ならびにこれを用いたペロブスカイト型太陽電池 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 52
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 69
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 33
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 16
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 6
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical compound NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 4
- 101100189471 Mus musculus Pbx1 gene Proteins 0.000 claims description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-O ethylaminium Chemical compound CC[NH3+] QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 description 61
- -1 triphenylamine compound Chemical class 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;iodide Chemical compound I.NC=N QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N methanamine;hydrobromide Chemical compound [Br-].[NH3+]C ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- NDQBNAVJSZQMCX-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-3-propylimidazolidin-1-ium;iodide Chemical compound [I-].CCCN1CC[NH+](C)C1C NDQBNAVJSZQMCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJGDPFNHAWQRD-UHFFFAOYSA-M 1-butyl-3-methylimidazol-3-ium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound CCCC[N+]=1C=CN(C)C=1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F FFJGDPFNHAWQRD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HMAHVRVKBSHMJX-UHFFFAOYSA-M 1-ethyl-2,3-dimethylimidazol-3-ium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.CCN1C=C[N+](C)=C1C HMAHVRVKBSHMJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NJMWOUFKYKNWDW-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-3-methylimidazolium Chemical compound CCN1C=C[N+](C)=C1 NJMWOUFKYKNWDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(4-fluorophenyl)acetate Chemical compound OC(=O)C(N)C1=CC=C(F)C=C1 JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L Calcium iodide Chemical compound [Ca+2].[I-].[I-] UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEJOCWOXCDWNID-UHFFFAOYSA-N Nitrilooxonium Chemical compound [O+]#N KEJOCWOXCDWNID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTUNKKWUXHBUHO-UHFFFAOYSA-N [Br].Br.C1=CC=NC=C1 Chemical compound [Br].Br.C1=CC=NC=C1 DTUNKKWUXHBUHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Nb+5] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Nb+5] OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001640 calcium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940046413 calcium iodide Drugs 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BQVVSSAWECGTRN-UHFFFAOYSA-L copper;dithiocyanate Chemical compound [Cu+2].[S-]C#N.[S-]C#N BQVVSSAWECGTRN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L iron(ii) iodide Chemical compound [Fe+2].[I-].[I-] BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L lead(ii) iodide Chemical compound I[Pb]I RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910003473 lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001511 metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- BJDYCCHRZIFCGN-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium;iodide Chemical compound I.C1=CC=NC=C1 BJDYCCHRZIFCGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940045105 silver iodide Drugs 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000005463 sulfonylimide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003866 tertiary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- ZRXVCYGHAUGABY-UHFFFAOYSA-O tris(4-bromophenyl)azanium Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1[NH+](C=1C=CC(Br)=CC=1)C1=CC=C(Br)C=C1 ZRXVCYGHAUGABY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
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Description
1)無機半導体を用いたもの(例えば、非特許文献3、4参照)
2)低分子有機ホール輸送材料を用いたもの(例えば、特許文献2、非特許文献5、6参照)
3)導電性高分子を用いたもの(例えば、特許文献3、非特許文献7参照)
<0>第一電極上に、電子輸送性化合物の層を設けた第一電極、前記第一電極上に設けられたペロブスカイト化合物層、前記ペロブスカイト化合物層上に設けられたホール輸送層、前記ホール輸送層上に第二電極を具備したペロブスカイト型太陽電池に用いることのできる、少量の無機一価陽イオンとしてカリウム(K)を添加した以下の一般式からなる有機無機ハイブリッド材料。
一般式
KxA1yA2zPbX1pX2q
(式中、Kはカリウム、Pbは鉛、A1とA2は任意の一価陽イオンで有機でも無機でも良く同じであっても構わない。X1とX2はハロゲン原子を表し、同じであっても構わない。xは0.01~0.20の間の数値で、y、z、pおよびqは、任意の数であり、x+y+z=1、p+q=3である。)
<1> 第一電極、前記第一電極上に設けられた電子輸送性化合物の層、前記電子輸送性化合物の層上に設けられたペロブスカイト化合物層、前記ペロブスカイト化合物層上に設けられたホール輸送層、前記ホール輸送層上に設けられた第二電極を具備したペロブスカイト型太陽電池に用いることのできる、少量の無機一価陽イオンとしてカリウム(K)を添加した以下の一般式1で表される化合物からなる有機無機ハイブリッド材料。
一般式1
KxA1yA2zPbX1pX2q
(式中、Kはカリウム、Pbは鉛、A1とA2は任意の陽イオンで有機でも無機でも良く同じであっても構わない。X1とX2はハロゲン原子を表し、同じであっても構わない。xは0.01~0.20の間の数値で、y、z、pおよびqは、任意の数であり、x+y+z=1、p+q=3である。)
<2> 前記一般式1で表される化合物が、ハロゲン化鉛と鉛以外の二価金属陽イオンハロゲン化物の混合物と、一価陽イオンハロゲン化物により形成される、<1>に記載の有機無機ハイブリッド材料。
<3> 前記一般式1で表される化合物が、ハロゲン化鉛と一価陽イオンハロゲン化物により形成される、<1>に記載の有機無機ハイブリッド材料。
<4> 前記陽イオンハロゲン化物は、ハロゲン化カリウムを含む、<2>または<3>に記載の有機無機ハイブリッド材料。
<5> 前記陽イオンハロゲン化物は、ハロゲン化カリウムとハロゲン化アルキルアンモニウムとを含む、<2>または<3>に記載の有機無機ハイブリッド材料。
<6> 前記一般式1で表される化合物が、ハロゲン化アルキルアンモニウムを用いて形成される、<1>に記載の有機無機ハイブリッド材料。
<7> 前記ハロゲン化アルキルアンモニウムが、ハロゲン化メチルアンモニウム、ハロゲン化ホルムアミジニウムの何れかを含む、<5>または<6>に記載の有機無機ハイブリッド材料。
<8> 前記電子輸送性化合物が、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブおよび酸化イットリウムの少なくとも1種である、<1>~<7>のいずれかに記載の有機無機ハイブリッド材料。
<9> <1>~<8>のいずれか1に記載の有機無機ハイブリッド材料を含む、ペロブスカイト型太陽電池。
<2> 前記一般式1で表される化合物が、ハロゲン化鉛と鉛以外の二価金属陽イオンハロゲン化物の混合物と、一価陽イオンハロゲン化物により形成される、上記<1>に記載の有機無機ハイブリッド材料およびペロブスカイト型太陽電池。
<3> 前記一般式1で表される化合物が、ハロゲン化鉛と一価陽イオンハロゲン化物により形成される、<1>に記載の有機無機ハイブリッド材料およびペロブスカイト型太陽電池。
<4> 前記陽イオンハロゲン化物は、ハロゲン化カリウムを含む、<2>または<3>に記載の有機無機ハイブリッド材料およびペロブスカイト型太陽電池。
<5> 前記陽イオンハロゲン化物は、ハロゲン化カリウムとハロゲン化アルキルアンモニウムとを含む、<2>または<3>に記載の有機無機ハイブリッド材料およびペロブスカイト型太陽電池。
<6> 前記一般式1で表される化合物が、ハロゲン化アルキルアンモニウムを用いて形成される、<1>に記載の有機無機ハイブリッド材料およびペロブスカイト型太陽電池。
<7> 前記ハロゲン化アルキルアンモニウムが、ハロゲン化メチルアンモニウム、ハロゲン化ホルムアミジニウムの何れかを含む、<5>または<6>に記載の有機無機ハイブリッド材料。
<8> 前記電子輸送性化合物が、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブおよび酸化イットリウムの少なくとも1種である、<1>~<7>のいずれかに記載の有機無機ハイブリッド材料およびペロブスカイト型太陽電池。
前記<8>に記載の構成により、電子輸送層に上記金属酸化物用いることで、電子移動が効率的となり、更に優れた変換効率を示すペロブスカイト型太陽電池が提供される。
ペロブスカイト型太陽電池の構成について図1~3に基づいて説明する。
図1に示す態様においては、基板1上に第一電極2が設けられている。この第一電極2上に、緻密な電子輸送層3、ナノ粒子4が堆積した層が順次設けられている。ナノ粒子4が堆積した層上にペロブスカイト層5、ホール輸送層6、第二電極7が順次設けられた構成をとっている。また、第一電極2、第二電極7にはそれぞれリードライン8、9が設けられている。
図2に示す態様においては、基板1上に第一電極2が設けられている。この第一電極2上に、電子輸送層3、ペロブスカイト層5、ホール輸送層6、第二電極7が順次設けられた構成をとっている。また、第一電極2、第二電極7にはそれぞれリードライン8、9が設けられている。この構成は、いわゆるプラナー型と呼ばれる構造である。
図3に示す態様においては、基板1上に第一電極2が設けられ、ホール輸送層6、ペロブスカイト層5、電子輸送層6、第二電極7が順次設けられた構成をとっている。また、第一電極2、第二電極7にはそれぞれリードライン8、9が設けられている。この構成は、いわゆる逆構造と呼ばれるものである。
本発明のペロブスカイト型太陽電池においては、図1~3に示す、何れの構造であっても構わない。
なお、図1、2に示す態様においては、第一電極2が請求項1で規定する「第一電極」に相当し、第二電極7が同「第二電極」に相当する。また、図3に示す態様においては、第二電極7が請求項1で規定する「第一電極」に相当し、第一電極2が同「第二電極」に相当する。
本発明で用いられる基板1は、一定の硬性を維持する必要があり、基板1として用いられるものとしては、ガラス、透明プラスチック板、透明プラスチック膜、無機物透明結晶体等が挙げられる。
本発明で用いられる第一電極2は、基板1の上に設ける。第一電極2としては、可視光に対して透明な導電性物質や金属で構成されるものであり、通常の光電変換素子、あるいは液晶パネル等に用いられる公知のものを使用できる。例えば、インジウム・スズ酸化物(以下、ITOと称する)、フッ素ドープ酸化スズ(以下、FTOと称する)、アンチモンドープ酸化スズ(以下、ATOと称する)、インジウム・亜鉛酸化物、ニオブ・チタン酸化物、グラフェン、金、銀、Pt、Ti、Crなどの金属が挙げられ、これらが単独あるいは複数積層されていてもよい。第一電極2の厚さは5nm~100μmが好ましく、50nm~10μmが更に好ましい。
また、第一電極2には金属リード線等が設けられていてもよい。金属リード線の材質はアルミニウム、銅、銀、金、白金、ニッケル等の金属が挙げられる。金属リード線は、基板に蒸着、スパッタリング、圧着等で設置し、その上にITOやFTOを設ける方法が挙げられる。
図1、2に示す態様のペロブスカイト型太陽電池においては、上記の第一電極2上に、半導体である電子輸送性化合物からなる層(以下、電子輸送層ともいう)が設けられている。この電子輸送層は、第一電極2上に緻密な電子輸送層が形成され、更にその上に多孔質状のナノ粒子4の層が形成されていても構わない。この緻密な電子輸送層の膜厚に制限はないが、5nm~1μmが好ましく、20nm~700nmがより好ましい。なお、電子輸送層の「緻密」とは、ナノ粒子4の層中のナノ粒子の充填密度より高密度で半導体が充填されていることを意味する。
具体的には、シリコン、ゲルマニウムのような単体半導体、あるいは金属のカルコゲニドに代表される化合物半導体、フラーレン等の有機材料の電子アクセプター、またはペロブスカイト構造を有する化合物等を挙げることができる。
これらの中でも酸化物半導体が好ましく、特に酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ニオブが好ましく、単独、あるいは2種以上の混合で使用しても構わない。これらの半導体の結晶型は特に限定されるものではなく、単結晶でも多結晶でも、あるいは非晶質でも構わない。
ナノ粒子のサイズに特に制限はないが、一次粒子の平均粒径は1~100nmが好ましく、5~50nmがより好ましい。また、より大きい平均粒径のナノ粒子を混合あるいは積層して入射光を散乱させる効果により、効率を向上させることも可能である。この場合の半導体の平均粒径は50~500nmが好ましい。
ナノ粒子は、絶縁体であっても前述の半導体の何れであっても構わない。
焼成する場合、焼成温度の範囲に特に制限はないが、温度を上げ過ぎると基板の抵抗が高くなり、溶融することもあるため、30~700℃が好ましく、100~600℃がより好ましい。また、焼成時間にも特に制限はないが、10分~10時間が好ましい。焼成後、四塩化チタンの水溶液や有機溶剤との混合溶液を用いた化学メッキや三塩化チタン水溶液を用いた電気化学的メッキ処理を行なってもよい。マイクロ波照射は、電子輸送層形成側から照射しても、裏側から照射しても構わない。照射時間には特に制限がないが、1時間以内で行なうことが好ましい。
ペロブスカイト化合物層5は、本発明の有機無機ハイブリッド材料で構成されている。この有機無機ハイブリッド材料は以下の一般式1で表される化合物であって、有機化合物と無機化合物の複合物質であり、ペロブスカイト型構造を示すことが好ましい。本発明の有機無機ハイブリッド材料は、ペロブスカイト型構造を示す化合物でもあることから、以下、ペロブスカイト化合物ともいう。
一般式1
KxA1yA2zPbX1pX2q
(式中、Kはカリウム、Pbは鉛、A1とA2は任意の陽イオンで有機でも無機でも良く同じであっても構わない。X1とX2はハロゲン原子を表し、同じであっても構わない。xは0.01~0.20の間の数値で、y、z、pおよびqは、任意の数であり、x+y+z=1、p+q=3である。)
y、z、pおよびqは、それぞれ独立に、任意の数であり、x+y+z=1およびp+q=3は、x+y+zおよびp+qが、それぞれ、小数点第一位を四捨五入した値が1または3となることを意味する。
具体的には、X1およびX2は、それぞれ独立に、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を挙げることができ、これらは単独または混合物として用いることができる。pおよびqがそれぞれ0を超える値であって、かつ、X1およびX2のいずれか一方がヨウ素で、他方が臭素である組み合わせが好ましい態様として挙げられる。
また、A1およびA2は、それぞれ独立に、メチルアンモニウム、エチルアンモニウム、n-ブチルアンモニウム、ホルムアミジニウム等の有機一価陽イオンを挙げることができる。
また、一段階析出法にて乾燥する際に、ヘキサンやトルエンなどの貧溶媒や窒素ガスなどの気体を吹き付けることを行っても構わない。
電子輸送層またはホール輸送層6上に塗布する方法としては、浸漬法、スピンコート法、スプレー法、ディップ法、ローラ法、エアーナイフ法等を用いることができる。また、二酸化炭素などを用いた超臨界流体中で電子輸送層またはホール輸送層6上に析出させても構わない。
ホール輸送層6は、液体電解液、固体ホール輸送性化合物の何れであっても構わないが、特に固体ホール輸送性化合物を用いて形成されることが好ましい。
第二電極7は、基板の上に形成されていてもよい。第二電極7としては、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム若しくはインジウム等の金属、グラファイト、フラーレン若しくはカーボンナノチューブ等の炭素系化合物、ITO、フッ素ドープ酸化スズ(以下、FTOと称す)、アンチモンドープ酸化スズ(以下、ATOと称す)等の導電性金属酸化物又はポリチオフェン若しくはポリアニリン等の導電性高分子等が挙げられる。
[実施例1]
(酸化チタン半導体電極の作製)
チタニウムテトラ-n-プロポキシド2ml、酢酸4ml、イオン交換水1ml、2-プロパノール40mlを混合し、FTOガラス基板上にスピンコートし、室温で乾燥後、空気中450℃で30分間焼成した。再度同一溶液を用いて、得た電極上に膜厚50nmになるようにスピンコートで塗布し、空気中450℃で30分間焼成して緻密な電子輸送層を形成した。
Dyesol社製18NR-T(酸化チタンペースト)を、上記緻密な電子輸送層上に膜厚300nmになるようにスピンコートで塗布し、120℃で3分温風乾燥後、空気中500℃で30分間焼成し、多孔質状の電子輸送層を形成した。
(ペロブスカイト化合物層の作製)
ヨウ化鉛(II)(0.507mg)、臭化化鉛(II)(0.073mg)、ヨウ化ホルムアミジニウム(0.172mg)、臭化メチルアンモニウム(0.022mg)を溶解したN,N-ジメチルホルムアミド(1.0ml)溶液に、ヨウ化カリウム(I)(249mg)を溶解したジメチルスルホキシド(1mL)溶液を100μL添加して撹拌し、ペロブスカイト前駆体溶液を作製した。ペロブスカイト膜の膜厚が500nmとなるように、電子輸送層が形成された基板上に前駆体溶液を滴下しスピンコート法にて膜形成を行った。
(ホール輸送層の作製)
2,2(7,7(-テトラキス-(N,N-ジ-p-メトキシフェニルアミン)9,9(-スピロビフルオレン)))(100mM)、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(27mM)、4-t-ブチルピリジン(110mM)を溶解したクロロベンゼン溶液をスピンコートにて製膜し、自然乾燥した。この上に金を真空蒸着で約100nm形成して図1に示す構造の太陽電池を作製した。
(太陽電池特性の評価)
得た太陽電池の疑似太陽光照射下(AM1.5、100mW/cm2)における光電変換効率を測定した。擬似太陽光は山下電装社製YSS-80、評価機器は東陽テクニカ社製 ModuLab M-2Aにて測定した。その結果、開放電圧=1.16V、短絡電流密度23.0mA/cm2、形状因子=0.76、変換効率=20.3%という優れた特性を示した。また、この太陽電池のI-V(Current-Voltage)を測定した結果を図4に示す。図4より、ヨウ化鉛(II)とヨウ化カリウム(I)の混合物より形成されたペロブスカイト化合物(実施例1)は、I-Vの測定にて、短絡電流状態から開放電圧状態へ電位を変化させて検出された電流値と、開放電圧状態から短絡電流状態へ電位を変化させて検出された電流値の間にほぼ差が見られず、ヒステリシスがほとんど存在しないことが確認された。
また、図5に、スキャンレートを変化させて測定したI-V曲線を示し、図6にスキャンレートを変化させて測定したヒステリシスファクターの試験結果を示す。なお、図5において、矢印の位置において、左側から順に、200mV/sのスキャンレートで測定したForwardのI-V曲線(200mV/s-Forward)、100mV/sのスキャンレートで測定したForwardのI-V曲線(100mV/s-Forward)、50mV/sのスキャンレートで測定したForwardのI-V曲線(50mV/s-Forward)、25mV/sのスキャンレートで測定したForwardのI-V曲線(25mV/s-Forward)、200mV/sのスキャンレートで測定したReverseのI-V曲線(200mV/s-Reverse)、100mV/sのスキャンレートで測定したReverseのI-V曲線(100mV/s-Reverse)、50mV/sのスキャンレートで測定したReverseのI-V曲線(50mV/s-Reverse)、25mV/sのスキャンレートで測定したReverseのI-V曲線(25mV/s-Reverse)である。また、図6における実施例1のヒステリシスファクターは、図5のI-V曲線から算出した。図5、6に示すように、実施例の太陽電池は、スキャンレートを変化させてもヒステリシスがほとんど存在しないことが確認された。
またこの太陽電池のエネルギー変換効率ヒストグラム(太陽電池40個)を図7に示す。図7より、ヨウ化鉛(II)とヨウ化カリウム(I)の混合物より形成されたペロブスカイト化合物(実施例1)は、エネルギー変換効率19.5%にピークを示し、それの±1.5%以内に40個全ての太陽電池のエネルギー変換効率が含まれることが確認された。
また、図8に、この太陽電池におけるペロブスカイト化合物層のSEM写真(倍率50000倍)を示す。図8示すように、このペロブスカイト化合物層(図中のperovskite)は、結晶粒界がほとんど観測されなかった。
また、図9に、実施例1および比較例1の太陽電池におけるペロブスカイト化合物層のバンドギャップエネルギーを示す(図9の左が実施例1であり、右が比較例1である)。実施例1のペロブスカイト化合物層のバンドギャップエネルギーは、後述の比較例1に比べて低かった。
また、図10に、実施例1および比較例1の太陽電池についての最大荷電電圧での過渡電流の変化(過渡応答特性)を示す。なお、実施例1の太陽電池の最大荷電電圧は0.95Vであり、比較例1の太陽電池の最大荷電電圧は0.90Vであった。図10に示すように、実施例1の太陽電池は、後述の比較例1に比べて過渡応答特性に優れていた。
実施例1におけるヨウ化鉛(II)(0.507mg)、臭化化鉛(II)(0.073mg)、ヨウ化ホルムアミジニウム(0.172mg)、臭化メチルアンモニウム(0.022mg)を溶解したN,N-ジメチルホルムアミド(1.0ml)溶液に、ヨウ化カリウム(I)(249mg)を溶解したジメチルスルホキシド(1mL)溶液を100μL添加して撹拌し作製したペロブスカイト前駆体溶液を、ヨウ化カリウム(I)を添加しないN,N-ジメチルホルムアミド(1.0ml)溶液に変更した以外は実施例1と同様にして太陽電池を作製し、評価した。その結果、開放電圧=1.11V、短絡電流密度22.6mA/cm2、形状因子=0.71、変換効率=17.8%という値であり、本発明の太陽電池に比較して特性が低かった。
また、図11に、スキャンレートを変化させて測定したI-V曲線を示し、図6にスキャンレートを変化させて測定したヒステリシスファクターの試験結果を示す。なお、図11において、矢印の位置において、左側から順に、200mV/sのスキャンレートで測定したForwardのI-V曲線(200mV/s-Forward)、100mV/sのスキャンレートで測定したForwardのI-V曲線(100mV/s-Forward)、50mV/sのスキャンレートで測定したForwardのI-V曲線(50mV/s-Forward)、25mV/sのスキャンレートで測定したForwardのI-V曲線(25mV/s-Forward)、200mV/sのスキャンレートで測定したReverseのI-V曲線(200mV/s-Reverse)、100mV/sのスキャンレートで測定したReverseのI-V曲線(100mV/s-Reverse)、50mV/sのスキャンレートで測定したReverseのI-V曲線(50mV/s-Reverse)、25mV/sのスキャンレートで測定したReverseのI-V曲線(25mV/s-Reverse)である。また、図6における比較例1のヒステリシスファクターは、図11のI-V曲線から算出した。図6、11に示すように、比較例の太陽電池は、実施例に比べて大きなヒステリシスファクターを有していた。また、図12に、この太陽電池におけるペロブスカイト化合物層のSEM写真(倍率50000倍)を示す。図12に示すように、このペロブスカイト化合物層(図中のperovskite)は、結晶粒界が多く観測された。
実施例1において、ヨウ化カリウム(I)の配合量について、下記の組成式となるように調整して、ペロブスカイト前駆体溶液を作製した。このペロブスカイト前駆体溶液を、ペロブスカイト膜の膜厚が500nmとなるように、基板上に前駆体溶液を滴下しスピンコート法にて膜形成を行った。得られた膜についてのXRDチャート(2θ)を図13に示す。図中の0%のXRDチャートは、ヨウ化カリウムを配合しなかった膜のXRDチャートであり、この膜の組成式はFA0.85MA0.15Pb(I0.85Br0.15)3の組成式である。また、図中の2.5~20%のXRDチャートは、ヨウ化カリウムを配合して調製した膜のXRDチャートであって、2.5%のXRDチャートの膜の組成式は、K0.025(FA0.85MA0.15)0.975Pb(I0.85Br0.15)3であり、5%のXRDチャートの膜の組成式は、K0.05(FA0.85MA0.15)0.95Pb(I0.85Br0.15)3であり、7.5%のXRDチャートの膜の組成式は、K0.075(FA0.85MA0.15)0.925Pb(I0.85Br0.15)3であり、10%のXRDチャートの膜の組成式は、K0.1(FA0.85MA0.15)0.9Pb(I0.85Br0.15)3であり、20%のXRDチャートの膜の組成式は、K0.2(FA0.85MA0.15)0.8Pb(I0.85Br0.15)3である。
また、上記の組成式において、Kはカリウム原子を意味し、FAはホルムアミジニウムを表し、MAはメチルアンモニウムを表し、Pbは鉛原子を表し、Iはヨウ素原子を表し、Brは臭素原子を表す。
図13のXRDチャートから、得られた膜はペロブスカイト構造の結晶構造を有していることを確認できた。
2 第一電極
3 電子輸送層
4 ナノ粒子
5 ペロブスカイト層
6 ホール輸送層
7 第二電極
8、9 リードライン
Claims (8)
- 第一電極、前記第一電極上に設けられた電子輸送性化合物の層、前記電子輸送性化合物の層上に設けられたペロブスカイト化合物層、前記ペロブスカイト化合物層上に設けられたホール輸送層、前記ホール輸送層上に設けられた第二電極を具備したペロブスカイト型太陽電池に用いることのできる、一般式1で表される化合物からなる有機無機ハイブリッド材料。
一般式1
KxA1yA2zPbX1pX2q
(式中、Kはカリウムを表し、
Pbは鉛を表し、
A1とA2は有機一価陽イオンを表し、A1とA2は同じであっても構わなく、
X1とX2はハロゲン原子を表し、X1とX2は同じであっても構わなく、
xは0.01~0.20の間の数値で、y、z、pおよびqは、任意の数であり、x+y+z=1、p+q=3である。) - A1およびA2は、それぞれ独立に、メチルアンモニウム、エチルアンモニウム、n-ブチルアンモニウムまたはホルムアミジニウムである、請求項1に記載の有機無機ハイブリッド材料。
- A1およびA2のいずれか一方はホルムアミジニウムである、請求項1または2に記載の有機無機ハイブリッド材料。
- A1およびA2のいずれか一方はホルムアミジニウムであり、他方はメチルアンモニウムである、請求項1~3のいずれか1項に記載の有機無機ハイブリッド材料。
- X1およびX2のいずれか一方がヨウ素で、他方が臭素である、請求項1~4のいずれか1項に記載の有機無機ハイブリッド材料。
- X1およびX2のいずれか一方がヨウ素で、他方が臭素であり、
pおよびqがそれぞれ0を超える値である、請求項1~4のいずれか1項に記載の有機無機ハイブリッド材料。 - 前記電子輸送性化合物が、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブおよび酸化イットリウムの少なくとも1種である、請求項1~6のいずれか1項に記載の有機無機ハイブリッド材料。
- 請求項1~7のいずれか1項に記載の有機無機ハイブリッド材料を含む、ペロブスカイト型太陽電池。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017093656 | 2017-05-10 | ||
JP2017093656 | 2017-05-10 | ||
JP2017222393 | 2017-11-20 | ||
JP2017222393 | 2017-11-20 | ||
PCT/JP2018/018060 WO2018207857A1 (ja) | 2017-05-10 | 2018-05-10 | 有機無機ハイブリッド材料ならびにこれを用いたペロブスカイト型太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018207857A1 JPWO2018207857A1 (ja) | 2020-03-19 |
JP7098166B2 true JP7098166B2 (ja) | 2022-07-11 |
Family
ID=64105716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019517683A Active JP7098166B2 (ja) | 2017-05-10 | 2018-05-10 | 有機無機ハイブリッド材料ならびにこれを用いたペロブスカイト型太陽電池 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200294727A1 (ja) |
JP (1) | JP7098166B2 (ja) |
WO (1) | WO2018207857A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3679607A4 (en) * | 2017-09-06 | 2021-06-16 | Alliance for Sustainable Energy, LLC | ORGANIC-INORGANIC PEROVSKITE MATERIALS AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION |
CN113224239B (zh) * | 2021-03-15 | 2022-11-25 | 南开大学 | 一种原位生成水、热稳定的钝化层及具有钝化层的钙钛矿太阳能电池 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016079145A1 (en) | 2014-11-21 | 2016-05-26 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Pedot in perovskite solar cells |
WO2016143506A1 (ja) | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子、太陽電池および光電変換素子の製造方法 |
JP2016186968A (ja) | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 株式会社カネカ | 光電変換装置及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-05-10 WO PCT/JP2018/018060 patent/WO2018207857A1/ja active Application Filing
- 2018-05-10 US US16/611,332 patent/US20200294727A1/en not_active Abandoned
- 2018-05-10 JP JP2019517683A patent/JP7098166B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2016186968A (ja) | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 株式会社カネカ | 光電変換装置及びその製造方法 |
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Title |
---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018207857A1 (ja) | 2018-11-15 |
US20200294727A1 (en) | 2020-09-17 |
JPWO2018207857A1 (ja) | 2020-03-19 |
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