JP6048279B2 - フォールデッドカスコード増幅回路 - Google Patents
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Description
図1は、一般的な差動型のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。
図2は、増幅回路を使用する場合の一般的な回路構成を示す図である。
図3の回路では、折り返しノードXおよびYとGNDの間に容量C2およびC1を接続して位相補償をすることにより、発振防止対策を行っている。容量はVDDとの間に接続することもできる。
フォールデッドカスコード増幅回路は、個別のICとして提供され、回路基板等に搭載して使用されることが多く、回路基板に大きな値の容量素子を搭載して図3の容量C1およびC2として使用していた。近年、フォールデッドカスコード増幅回路を、他の回路と一緒にLSIに搭載するようになっている。さらに、半導体素子の微細化・多機能化が進み、フォールデッドカスコード増幅回路はLSI内の回路の一部となっている。LSI内で容量を形成するには大きな面積を要する。そのため、LSIに搭載されたフォールデッドカスコード増幅回路に、図3のように大きな容量を付加すると、面積が増加してしまうという問題がある。
図5は、ミラー効果を説明する図である。
i=(Vin−Vou)/Z1=(Vin−AVin)/Z1
である。したがって、この回路の入力インピーダンスZiは、
Zi=Vin/i=Z1/(1−A)
で表される。
また、回路の出力インピーダンスZoは、
Zo=(−Vout)/i=(−AVin)/i=(−AZ1)/(1−A)
=Z1/(1−1/A)
で表される。
図6の(A)に示すように、インピーダンスZ1のインピーダンス要素21を容量C1で、利得Aの増幅器20を利得(−A)の増幅器25を置き換えた場合を考える。この場合、図6の(B)に示すように、入力側から見える容量Ciは、以下の式で表される。
したがって、入力側から見える容量Ciは、C1の(1+A)倍に見える。これがミラー効果である。
図7の回路では、容量C21およびC22を、2段目の入力と出力の間に接続して位相補償を行っている。この場合、ノードXおよびYがゲートに接続されるトランジスタPMOSが2段目の増幅段である。図7の2段目の増幅器は、ソース接地であり利得は−A(A>0)であるため、図6の(A)と同じ接続となるので、ノードXおよびYから出力ノードに繋がる容量は、ノードXおよびYからみると(1+A)倍されて見える。
図8は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路において、増幅段の増幅トランジスタNTr21のソースとドレイン間に容量C31を、NTr22のソースとドレイン間に容量C32を接続した回路を示す図である。
そこで、図1のフォールデッドカスコード増幅回路において、どのようにすればミラー効果が得られるか検討する。
第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路において、正相中間信号のノードと逆相出力信号ノードの間に容量C41を、逆相中間信号ノードと正相出力信号ノードの間に容量C42を接続した回路である。言い換えれば、容量C41は、ノードYと、逆相出力信号VOMを出力する増幅段のトランジスタNTr23のドレインの間に接続される。容量C42は、ノードXと、正相出力信号VOPを出力する増幅段のトランジスタNTr24のドレインの間に接続される。
図11において、Rは容量を接続しない図1のフォールデッドカスコード増幅回路の特性を示し、Sは第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の周波数位相特性を示す。図示のように、第1実施形態では、周波数位相特性が低周波側に大きくシフトする。
第2実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路は、第1実施形態1のフォールデッドカスコード増幅回路において、ノードYと容量C41の間に抵抗R1を、ノードXと容量C42の間に抵抗R2を、接続した回路である。第2実施形態では、第1実施形態よりさらに位相余裕を大きくできる。なお、抵抗R1は、逆相出力信号VOMのノードと容量C41の間に接続しても、抵抗R2は、正相出力信号VOPのノードと容量C42の間に接続してもよい。
第3実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路は、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の入力段をNMOSトランジスタ対とし、それに応じて増幅段を変更した回路である。説明は省略する。
第4実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路は、第2実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の入力段をNMOSトランジスタ対とし、それに応じて増幅段を変更した回路である。説明は省略する。
11 帰還要素
21 インピーダンス要素
PTr11-PTr24 PMOSトランジスタ
NTr11-NTr24 NMOSトランジスタ
C41,C42 容量
Claims (4)
- トランジスタ対を有し、差動信号である正相中間信号および逆相中間信号を出力する入力段と、
多段に接続したトランジスタ対を有し、前記正相中間信号および前記逆相中間信号が供給され、差動信号である正相出力信号および逆相出力信号を出力するカスコード増幅段と、
前記正相中間信号の信号線と前記逆相出力信号の信号線の間に接続された第1容量と、
前記逆相中間信号の信号線と前記正相出力信号の信号線の間に接続された第2容量と、を備えることを特徴とするフォールデッドカスコード増幅回路。 - 前記第1容量と、前記正相中間信号の信号線または前記逆相出力信号の信号線との間に接続された第1抵抗素子と、
前記第2容量と、前記逆相中間信号の信号線または前記正相出力信号の信号線との間に接続された第2抵抗素子と、をさらに備える請求項1記載のフォールデッドカスコード増幅回路。 - 前記入力段の前記トランジスタ対は、PMOSトランジスタを有する請求項1または2記載のフォールデッドカスコード増幅回路。
- 前記入力段の前記トランジスタ対は、NMOSトランジスタを有する請求項1または2記載のフォールデッドカスコード増幅回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013069947A JP6048279B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | フォールデッドカスコード増幅回路 |
US14/178,529 US9093965B2 (en) | 2013-03-28 | 2014-02-12 | Folded cascode amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013069947A JP6048279B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | フォールデッドカスコード増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014195131A JP2014195131A (ja) | 2014-10-09 |
JP6048279B2 true JP6048279B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=51620193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013069947A Expired - Fee Related JP6048279B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | フォールデッドカスコード増幅回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9093965B2 (ja) |
JP (1) | JP6048279B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10506318B2 (en) | 2016-02-23 | 2019-12-10 | Infineon Technologies Ag | System and method for signal read-out using source follower feedback |
US9866939B2 (en) | 2016-02-23 | 2018-01-09 | Infineon Technologies Ag | System and method for signal read-out using source follower feedback |
CN108183691B (zh) * | 2017-12-28 | 2021-05-07 | 上海贝岭股份有限公司 | 折叠共源共栅运算放大器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5079514A (en) * | 1990-10-01 | 1992-01-07 | Motorola Inc. | Compensation circuit and method for stabilizing an operational amplifier |
US6741129B1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Differential amplifier slew rate boosting scheme |
US7592867B2 (en) * | 2007-04-03 | 2009-09-22 | Texas Instruments Incorporated | Common mode feedback for large output swing and low differential error |
JP2009048355A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の設計方法 |
JP2011024086A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 位相補償回路 |
JP2011239154A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Renesas Electronics Corp | 演算増幅回路 |
JP2012156611A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Renesas Electronics Corp | 演算増幅回路 |
-
2013
- 2013-03-28 JP JP2013069947A patent/JP6048279B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2014
- 2014-02-12 US US14/178,529 patent/US9093965B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9093965B2 (en) | 2015-07-28 |
JP2014195131A (ja) | 2014-10-09 |
US20140292410A1 (en) | 2014-10-02 |
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