JP6048279B2 - フォールデッドカスコード増幅回路 - Google Patents

フォールデッドカスコード増幅回路 Download PDF

Info

Publication number
JP6048279B2
JP6048279B2 JP2013069947A JP2013069947A JP6048279B2 JP 6048279 B2 JP6048279 B2 JP 6048279B2 JP 2013069947 A JP2013069947 A JP 2013069947A JP 2013069947 A JP2013069947 A JP 2013069947A JP 6048279 B2 JP6048279 B2 JP 6048279B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier circuit
folded cascode
cascode amplifier
signal
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013069947A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014195131A (ja
Inventor
匠 檀上
匠 檀上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2013069947A priority Critical patent/JP6048279B2/ja
Priority to US14/178,529 priority patent/US9093965B2/en
Publication of JP2014195131A publication Critical patent/JP2014195131A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6048279B2 publication Critical patent/JP6048279B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • H03F3/45192Folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45512Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more capacitors, not being switched capacitors, and being coupled between the LC and the IC
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45562Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising a cross coupling circuit, e.g. comprising two cross-coupled transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45631Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45644Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising a cross coupling circuit, e.g. comprising two cross-coupled transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

開示の技術は、フォールデッド(折り返し)カスコード増幅回路に関する。
フォールデッドカスコード増幅回路は、高利得かつ高速な1段増幅器として広く用いられている。フォールデッドカスコード増幅回路は、1段の増幅器であるが、折り返しノードXおよびYと出力ノードの近くに、周波数利得・位相特性の極を有し、高い利得を有する。そのため、負帰還をかける形で使用し、帰還の負荷が小さいと、位相余裕が不足して発振する可能性がある。
そこで、発振防止対策が提案されているが、LSIにおいて大きな面積の容量を設ける必要や、電力増加などの問題があった。
特開2011−024086号公報
実施形態によれば、小さな容量を付加するだけで、実質的に大きな容量を付加したのと同じ効果が得られ、発振しにくいフォールデッドカスコード増幅回路が実現される。
第1の態様によれば、フォールデッドカスコード増幅回路は、入力段と、カスコード増幅段と、第1容量と、第2容量と、を有する。入力段は、トランジスタ対を有し、差動信号である正相中間信号および逆相中間信号を出力する。カスコード増幅段は、多段に接続したトランジスタ対を有し、正相中間信号および逆相中間信号が供給され、差動信号である正相出力信号および逆相出力信号を出力する。第1容量は、正相中間信号の信号線と逆相出力信号の信号線の間に接続される。第2容量は、逆相中間信号の信号線と正相出力信号の信号線の間に接続される。
第1の態様のフォールデッドカスコード増幅回路によれば、小さな容量を付加するだけで、周波数位相特性を低周波数側に大きくシフトできる。これにより、フォールデッドカスコード増幅回路を、帰還を設けるように使用する回路の発振を防止する。
図1は、一般的な差動型のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。 図2は、増幅回路を使用する場合の一般的な回路構成を示す図である。 図3は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路に、負帰還をかけて使用する場合の発振防止対策を施した時の回路図である。 図4は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路および図2の発振防止対策を施した場合の周波数利得特性を示す図である。 図5は、ミラー効果を説明する図である。 図6は、ミラー効果を説明する図であり、図5のインピーダンス要素を容量で置き換えた場合を示す。 図7は、ミラー効果を利用した二段増幅回路の例を示す図である。 図8は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路において、増幅段の増幅トランジスタのソースとドレイン間に容量を接続した回路を示す図である。 図9は、正の利得A、Bを持つ増幅器の出力と、差動信号のように極性が逆の信号を、容量を介して接続する構成を示す図である。 図10は、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。 図11は、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の周波数位相特性を示す図である。 図12は、第2実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。 図13は、第3実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。 図14は、第4実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。 図15は、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の効果を確かめるためAC解析をした結果を示す図であり、(A)は周波数利得特性を、(B)は周波数位相特性を、示す。 図16は、他の実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の効果を確かめるためAC解析をした結果を示す図であり、(A)は周波数利得特性を、(B)は周波数位相特性を、示す。
実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路を説明する前に、一般的なフォールデッドカスコード増幅回路について説明する。
図1は、一般的な差動型のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。
この増幅回路は、入力段と、カスコード増幅段と、を有する。入力段は、3個のPMOSトランジスタPTr11, PTr12, PTr13を有する。PTr11は、ゲートにバイアス信号VBP1が供給され、負荷として機能する。PTr12およびPTr13は、差動対を形成し、PTr12とPTr13のゲートに供給される入力信号VIPおよびVIMに応じた正相および逆相中間信号を出力する。PTr12のドレインに生成される信号は、PTr12のゲートに供給される正相の入力信号VIPの逆相信号であり、PTr13のドレインに生成される信号は、PTr13のゲートに供給される逆相の入力信号VIMの逆相、すなわち正相信号である。したがって、ここでは、PTr12のドレインに生成される信号を逆相中間信号、PTr13のドレインに生成される信号を正相中間信号と称する。
カスコード増幅段は、4個のPMOSトランジスタPTr21, PTr22, PTr23, PTr24および4個のNMOSトランジスタNTr21, NTr22, NTr23, NTr24を有する。PTr21とPTr22、PTr23とPTr24、NTr21とNTr22およびNTr23とNTr24は、それぞれ差動対を形成する。PTr21, PTr23, NTr21およびNTr23は電源VDDとGND間に接続される。PTr22, PTr24, NTr22およびNTr24は電源VDDとGND間に接続される。PTr21とPTr22のゲートにはVBP1が供給され、PTr23とPTr24のゲートにはVBP2が供給される。NTr21とNTr22のゲートにはVBN2が供給され、NTr23とNTr24のゲートにはVBN1が供給される。逆相中間信号はNTr21とNTr23の接続ノードXに供給され、正相中間信号はNTr22とNTr24の接続ノードYに供給される。
図1のフォールデッドカスコード増幅回路は、差動入力信号VIPおよびVIMを増幅して、差動出力信号VOPおよびVOMを出力する。ここでは、入力信号VIPを正相入力信号、VIMを逆相入力信号、出力信号VOPを正相出力信号、VOMを逆相出力信号、と称する。また、差動出力信号VOPおよびVOMが出力されるノードを、出力ノードと称する。
図1のフォールデッドカスコード増幅回路は、広く知られているので、これ以上の説明は省略する。
図2は、増幅回路を使用する場合の一般的な回路構成を示す図である。
図2に示すように、増幅回路(アンプ:A)10の出力と入力の間に帰還要素(β)11を接続して負帰還をかけることが行われる。負帰還をかける場合、位相が180度回る周波数で0dB以上の利得を有する場合、発振条件が満たされ、発振することが知られている。そのため、発振を防止するため、増幅回路では、位相が180度回る周波数で0dB以上の利得を持たないようにしている。
図1のフォールデッドカスコード増幅回路は、高利得かつ高速な1段増幅器としてよく用いられる。図1のフォールデッドカスコード増幅回路は、1段の増幅器であるが、折り返しノードXおよびYと出力ノードの近くに、周波数利得・位相特性の極を有し、高い利得を有する。
そのため、図1のフォールデッドカスコード増幅回路を、図2のように負帰還をかける形で使用し、帰還の負荷が小さいと、位相余裕が不足して発振する可能性がある。
図3は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路に、負帰還をかけて使用する場合の発振防止対策を施した時の回路図である。
図3の回路では、折り返しノードXおよびYとGNDの間に容量C2およびC1を接続して位相補償をすることにより、発振防止対策を行っている。容量はVDDとの間に接続することもできる。
図4は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路および図2の発振防止対策を施した場合の周波数利得特性を示す図である。図4において、Pは図1のフォールデッドカスコード増幅回路の周波数利得特性を、Qは図2の発振防止対策を施した場合の周波数利得特性を示す。
例えば、図1のフォールデッドカスコード増幅回路を図2のように負帰還をかけて使用する場合、位相が180°回る周波数で0dB以上の利得を持っているため場合には発振する。そこで図2のように第一極であるXおよびYノードに大きな容量を付与することで極の位置を低周波側にずらし、Qで示すような特性を持たせることで、位相が180°回る周波数で0dB以上の利得を持たないようにする。
しかし、図3において、Pで示す特性をQで示す特性にシフトするには、大きな容量が必要である。
フォールデッドカスコード増幅回路は、個別のICとして提供され、回路基板等に搭載して使用されることが多く、回路基板に大きな値の容量素子を搭載して図3の容量C1およびC2として使用していた。近年、フォールデッドカスコード増幅回路を、他の回路と一緒にLSIに搭載するようになっている。さらに、半導体素子の微細化・多機能化が進み、フォールデッドカスコード増幅回路はLSI内の回路の一部となっている。LSI内で容量を形成するには大きな面積を要する。そのため、LSIに搭載されたフォールデッドカスコード増幅回路に、図3のように大きな容量を付加すると、面積が増加してしまうという問題がある。
このような問題を解決するため、出力ノードと折り返しノードの間に、バッファ(ソースフォロア)と比較的小さな容量を直列に繋ぎ、位相の方を早めることで位相補償を実現することが提案されている。しかし、この提案は、バッファ(ソースフォロア)が必要となることから、電力及び面積が増加してしまうという問題がある。
以上の通り、フォールデッドカスコード増幅回路は、位相補償を行うことが求められるが、位相補償だけのために、大きな面積を利用した容量を付与することは望ましくない。また上記のように別回路を付加することも、回路が複雑化し電力が増加するため望ましくない。
そこで、付加する容量を減らしても、実質的に大きな容量を付加したのと同じ効果が得られるミラー効果を利用することを検討する。
図5は、ミラー効果を説明する図である。
図5の(A)のように、利得Aの増幅器20とインピーダンスZ1を有するインピーダンス要素21が並列に接続された回路を考える。この回路は、図5の(B)に示すように、増幅器20の入力とGNDの間に入力インピーダンスZiのインピーダンス要素22を接続し、増幅器20の出力とGNDの間に出力インピーダンスZoのインピーダンス要素23を接続した回路と等価である。ここで、増幅器20の入力インピーダンスが十分に高いとすると、Vout=AVinである。
図5の(A)のように、インピーダンス要素21に流れる電流をiとすると、
i=(Vin−Vou)/Z1=(Vin−AVin)/Z1
である。したがって、この回路の入力インピーダンスZiは、
Zi=Vin/i=Z1/(1−A)
で表される。
また、回路の出力インピーダンスZoは、
Zo=(−Vout)/i=(−AVin)/i=(−AZ1)/(1−A)
=Z1/(1−1/A)
で表される。
図6は、ミラー効果を説明する図であり、図5のインピーダンス要素を容量で置き換えた場合を示す。
図6の(A)に示すように、インピーダンスZ1のインピーダンス要素21を容量C1で、利得Aの増幅器20を利得(−A)の増幅器25を置き換えた場合を考える。この場合、図6の(B)に示すように、入力側から見える容量Ciは、以下の式で表される。
Z1=1/(sC1)であるから、Zi=Z1/(1−A)=1/(sC1(1+A))
したがって、入力側から見える容量Ciは、C1の(1+A)倍に見える。これがミラー効果である。
図7は、ミラー効果を利用した二段増幅回路の例を示す図である。
図7の回路では、容量C21およびC22を、2段目の入力と出力の間に接続して位相補償を行っている。この場合、ノードXおよびYがゲートに接続されるトランジスタPMOSが2段目の増幅段である。図7の2段目の増幅器は、ソース接地であり利得は−A(A>0)であるため、図6の(A)と同じ接続となるので、ノードXおよびYから出力ノードに繋がる容量は、ノードXおよびYからみると(1+A)倍されて見える。
上記の構成を、フォールデッドカスコード増幅回路にも適用すれば、効果的に位相補償を行うことができると考えられる。
図8は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路において、増幅段の増幅トランジスタNTr21のソースとドレイン間に容量C31を、NTr22のソースとドレイン間に容量C32を接続した回路を示す図である。
しかし、図8の回路では、NTr21およびNTr22がゲート接地であることから、利得A>0あり、ミラー効果は得られない。
そこで、図1のフォールデッドカスコード増幅回路において、どのようにすればミラー効果が得られるか検討する。
ミラー効果が得られるには、増幅段において、利得が負となる関係にある入力と出力の間に容量を接続する。図1のフォールデッドカスコード増幅回路は、差動型であり、差動の入力に対して差動の出力が存在する。増幅段の増幅トランジスタはゲート接地であり、利得は正であるが、一方の増幅トランジスタの入力と他方の増幅トランジスタの出力は逆位相であり、信号上は負の利得を有するのと等価である。
そこで、実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路では、差動入力と差動出力の間で負の利得の関係を有する信号線の間に容量を接続して擬似的にミラー効果を得る。
図9は、正の利得A、Bを持つ増幅器31、32の出力と、差動信号のように極性が逆の信号Vip, Vimを、容量を介して接続する構成を示す図である。ここで、Vim = -C * Vipとする(C>0)。Vipから見るとVomは Vom = -B * C * Vipと見なせ、またVimから見るとVopはVop = -A * (1/C) * Vimと見なせる。そのため、容量Cp, Cmを図9のように交差させて接続することにより、疑似的にミラー効果を引き出すことができる。
図10は、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。
第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路は、図1のフォールデッドカスコード増幅回路において、正相中間信号のノードと逆相出力信号ノードの間に容量C41を、逆相中間信号ノードと正相出力信号ノードの間に容量C42を接続した回路である。言い換えれば、容量C41は、ノードYと、逆相出力信号VOMを出力する増幅段のトランジスタNTr23のドレインの間に接続される。容量C42は、ノードXと、正相出力信号VOPを出力する増幅段のトランジスタNTr24のドレインの間に接続される。
容量C41およびC42は、正の利得Aを有するNTr23およびNTr24が、擬似的に負の利得を示す信号線の間に接続され、擬似的ミラー効果により、出力から見た容量が(1+A)倍に見える。これにより、大きな容量を接続した時のように、回路の周波数位相特性を低周波側に大きくずらす。
図11は、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の周波数位相特性を示す図である。
図11において、Rは容量を接続しない図1のフォールデッドカスコード増幅回路の特性を示し、Sは第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の周波数位相特性を示す。図示のように、第1実施形態では、周波数位相特性が低周波側に大きくシフトする。
図12は、第2実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。
第2実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路は、第1実施形態1のフォールデッドカスコード増幅回路において、ノードYと容量C41の間に抵抗R1を、ノードXと容量C42の間に抵抗R2を、接続した回路である。第2実施形態では、第1実施形態よりさらに位相余裕を大きくできる。なお、抵抗R1は、逆相出力信号VOMのノードと容量C41の間に接続しても、抵抗R2は、正相出力信号VOPのノードと容量C42の間に接続してもよい。
図13は、第3実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。
第3実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路は、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の入力段をNMOSトランジスタ対とし、それに応じて増幅段を変更した回路である。説明は省略する。
図14は、第4実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の回路図である。
第4実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路は、第2実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の入力段をNMOSトランジスタ対とし、それに応じて増幅段を変更した回路である。説明は省略する。
図15は、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の効果を確かめるためAC解析をした結果を示す図であり、(A)は周波数利得特性を、(B)は周波数位相特性を、示す。
図15において、Xは、図1のように位相補償をしないフォールデッドカスコード増幅回路の特性を示す。この場合、位相余裕は無い。Yは、図8のフォールデッドカスコード増幅回路のようにC31およびC32として、20fFの容量を付加した場合の特性を示す。位相は全く改善しておらず、位相余裕がないことが分かる。Zは、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路で、C51およびC52として、20fFの容量を付加した場合の特性を示す。第一極(ポール)が大きく移動し、位相余裕が改善され、31°の位相余裕が得られる。
図16は、他の実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路の効果を確かめるためAC解析をした結果を示す図であり、(A)は周波数利得特性を、(B)は周波数位相特性を、示す。なお、図15と一部重複して示している。
図16において、Dは、図1のように位相補償をしないフォールデッドカスコード増幅回路の特性を示す。この場合、位相余裕は無い。Eは、図3のフォールデッドカスコード増幅回路のようにC1およびC2として、4.5pFの容量を付加した場合の特性を示す。大きな容量を付加したが、位相はあまり改善しておらず、位相余裕は7°である。Fは、第1実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路で、C51およびC52として、20fFの容量を付加した場合の特性を示す。位相余裕は31°である。Gは、第2実施形態のフォールデッドカスコード増幅回路で、C51およびC52として、20fFの容量を、抵抗R1およびR2として5kオームの抵抗を付加した場合の特性を示す。位相余裕はさらに改善して48°である。
以上実施形態を説明したが、説明した疑似ミラー効果は一例であり、フォールデッドカスコード増幅回路に限ったものではない。
以上、実施形態を説明したが、ここに記載したすべての例や条件は、発明および技術に適用する発明の概念の理解を助ける目的で記載されたものである。特に記載された例や条件は発明の範囲を制限することを意図するものではなく、明細書のそのような例の構成は発明の利点および欠点を示すものではない。発明の実施形態を詳細に記載したが、各種の変更、置き換え、変形が発明の精神および範囲を逸脱することなく行えることが理解されるべきである。
10、20 増幅回路
11 帰還要素
21 インピーダンス要素
PTr11-PTr24 PMOSトランジスタ
NTr11-NTr24 NMOSトランジスタ
C41,C42 容量

Claims (4)

  1. トランジスタ対を有し、差動信号である正相中間信号および逆相中間信号を出力する入力段と、
    多段に接続したトランジスタ対を有し、前記正相中間信号および前記逆相中間信号が供給され、差動信号である正相出力信号および逆相出力信号を出力するカスコード増幅段と、
    前記正相中間信号の信号線と前記逆相出力信号の信号線の間に接続された第1容量と、
    前記逆相中間信号の信号線と前記正相出力信号の信号線の間に接続された第2容量と、を備えることを特徴とするフォールデッドカスコード増幅回路。
  2. 前記第1容量と、前記正相中間信号の信号線または前記逆相出力信号の信号線との間に接続された第1抵抗素子と、
    前記第2容量と、前記逆相中間信号の信号線または前記正相出力信号の信号線との間に接続された第2抵抗素子と、をさらに備える請求項1記載のフォールデッドカスコード増幅回路。
  3. 前記入力段の前記トランジスタ対は、PMOSトランジスタを有する請求項1または2記載のフォールデッドカスコード増幅回路。
  4. 前記入力段の前記トランジスタ対は、NMOSトランジスタを有する請求項1または2記載のフォールデッドカスコード増幅回路。
JP2013069947A 2013-03-28 2013-03-28 フォールデッドカスコード増幅回路 Expired - Fee Related JP6048279B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013069947A JP6048279B2 (ja) 2013-03-28 2013-03-28 フォールデッドカスコード増幅回路
US14/178,529 US9093965B2 (en) 2013-03-28 2014-02-12 Folded cascode amplifier circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013069947A JP6048279B2 (ja) 2013-03-28 2013-03-28 フォールデッドカスコード増幅回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014195131A JP2014195131A (ja) 2014-10-09
JP6048279B2 true JP6048279B2 (ja) 2016-12-21

Family

ID=51620193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013069947A Expired - Fee Related JP6048279B2 (ja) 2013-03-28 2013-03-28 フォールデッドカスコード増幅回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9093965B2 (ja)
JP (1) JP6048279B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9866939B2 (en) 2016-02-23 2018-01-09 Infineon Technologies Ag System and method for signal read-out using source follower feedback
US10506318B2 (en) 2016-02-23 2019-12-10 Infineon Technologies Ag System and method for signal read-out using source follower feedback
CN108183691B (zh) * 2017-12-28 2021-05-07 上海贝岭股份有限公司 折叠共源共栅运算放大器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5079514A (en) * 1990-10-01 1992-01-07 Motorola Inc. Compensation circuit and method for stabilizing an operational amplifier
US6741129B1 (en) * 2002-12-19 2004-05-25 Texas Instruments Incorporated Differential amplifier slew rate boosting scheme
US7592867B2 (en) * 2007-04-03 2009-09-22 Texas Instruments Incorporated Common mode feedback for large output swing and low differential error
JP2009048355A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の設計方法
JP2011024086A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 位相補償回路
JP2011239154A (ja) * 2010-05-10 2011-11-24 Renesas Electronics Corp 演算増幅回路
JP2012156611A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Renesas Electronics Corp 演算増幅回路

Also Published As

Publication number Publication date
US9093965B2 (en) 2015-07-28
JP2014195131A (ja) 2014-10-09
US20140292410A1 (en) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10277180B2 (en) Dual port transimpedance amplifier with separate feedback
US8890611B2 (en) Operational amplifier circuits
US7688140B2 (en) Differential amplifier circuit
JP2004343277A (ja) 入力バッファ回路
JP6048279B2 (ja) フォールデッドカスコード増幅回路
TWI547125B (zh) 線性等化器及其方法
US9571052B1 (en) Transconductance (gm) boosting transistor arrangement
KR100771859B1 (ko) 전류 제어가 용이한 증폭 회로
JP2008187642A (ja) 差動信号比較器
JP2014528668A (ja) モード注入を利用した差動電力増幅器
US8766726B2 (en) Operational amplifier with improved frequency compensation
US8614602B2 (en) Differential amplifier
US7443207B2 (en) Differential output circuit with stable duty
US8604878B2 (en) Folded cascode amplifier with an enhanced slew rate
TWI566518B (zh) 放大器及其放大方法
US8035448B1 (en) Differential amplifier that compensates for process variations
WO2017030091A1 (ja) 半導体装置、オペアンプ及び電子機器
JP7001468B2 (ja) オペアンプ
JP2010199719A (ja) 反転増幅器
US9716499B2 (en) Current amplifier and transmitter using the same
JP2011049947A (ja) D級増幅回路
JP5195145B2 (ja) 差動増幅器
KR102463926B1 (ko) 공통 피드백 루프를 갖는 증폭기
Çini Current-Mode Rail-to Rail Instrumentation Amplifier for General Purpose Instrumentation Applications
KR100788223B1 (ko) 안정적인 효율을 가지는 차동 출력 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151204

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161013

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161025

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6048279

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees