JP6045579B2 - ブランクの吸収を求める装置及び方法 - Google Patents
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Description
本願は、米国特許法第119条(a)項に基づき2011年7月8日付けで出願された独国特許出願第10 2011 078 885.9号の優先権を主張し、当該出願の全内容を参照により本明細書に援用する。本願は、米国特許法第119条(e)項(1)に基づき2011年7月8日付けで出願された米国仮出願第61/505,718号の利益も主張し、当該出願の全内容を参照により本明細書に援用する。
Kint=−log(Ti)/d
で与えられる内部吸光係数kを求め、式中、Tiは内部透過(すなわち、反射損失により補正される透過)を示し、dは試料の厚さを示す。マイクロリソグラフィで現在用いられている光学材料では、吸光係数kは概して、約7×10−4/cm〜10×10−4/cmの範囲の迷光成分と、1×10−4/cm〜2×10−4/cmの範囲の吸収成分とからなる。試料の長さが通常は1cm〜5cmであれば、透過測定の誤差は、吸光度で約3×10−4/cmのさらなる不確定性をもたらす。例として、試料の厚さを3cmとし、測定吸光係数k=1×10−3/cmとした場合、透過の通常誤差ΔTは0.2%と想定され(表面吸収の変動及び測定誤差による)、吸光係数kの誤差ΔkはΔk=2.85×10−4/cmである。さらに、ブランクの2つの面における散乱損失及び吸収損失に関しても不確定性がある。結果として、透過測定により2×10−4/cm未満の体積吸収を確実に測定することが事実上不可能である。
|R−H|/(|R−H|+|H|)
式中、最大物高の物点に基づいて、Rは周辺光線高、Hは主光線高であり、これらの光線高は、光学系の瞳面と平行な所与の平面で測定される。
Claims (19)
- 光学素子(3、3’)を製造するためのブランク(2、2’)の吸収を求める方法であって、
前記ブランク(2、2’)を加熱する目的で該ブランク(2、2’)に加熱光線(8、8’)を放射するステップと、
前記ブランク(2、2’)の加熱により影響を受けた測定光線(10)の少なくとも1つの特性を測定することにより、前記ブランク(2、2’)の吸収を求めるステップと
を含む方法において、前記加熱光線(8)及び前記測定光線(10)又は前記加熱光線(8a)及びさらに別の加熱光線(8b)を、第1研磨面(2a)又は該第1研磨面に対向して位置する第2研磨面(2b)を通して前記ブランク(2、2’)に入り、前記光学素子(3、3’)の製造に用いる体積(12)内のみで相互に交わるよう指向させ、前記光学素子(3、3’)の製造に用いる前記体積(12)は、前記ブランク(2,2’)の表面を含まないことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記光学素子の製造に用いる前記体積は、前記ブランクの表面から少なくとも5mmの距離に配置される方法。
- 請求項1又は2に記載の方法において、前記加熱光線(8)及び前記測定光線(10)又は前記2つの加熱光線(8a、8b)は、90°未満の角度(β)で前記ブランクの内部で相互に交わる方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法において、前記測定光線(19)の特性として、前記加熱光線(8、8a、8b)がもたらす前記測定光線(10)の波面変形(ΔW)を空間分解測定する方法。
- 請求項4に記載の方法において、前記波面変形(15)をシャックハルトマンセンサ(14)により測定する方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法において、前記ブランク(2、2’)における空間分解吸収挙動を求めるために、前記測定光線(10)及び前記加熱光線(8)又は前記2つの加熱光線(8a、8b)が相互に交わる重なり領域(11)の位置を、前記光学素子(3、3’)の製造に用いる前記体積(12)において少なくとも2次元(X、Y)で変える方法。
- 請求項6に記載の方法において、前記ブランク(2、2’)から製造した前記光学素子(3、3’)の温度依存屈折率変化(Δn)のモデルを、前記ブランク(2、2’)における前記空間分解吸収挙動から作成する方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法において、前記測定光線(10)は、矩形又は楕円形の断面を有する方法。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法において、前記測定光線(10)及び前記加熱光線(8)は、前記第1研磨面(2a)及び前記第2研磨面(2b)上で相互から少なくとも5mmの距離(a)にある方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法において、前記2つの加熱光線(8a、8b)間の領域で前記研磨面(2a)により偏向された前記測定光線(10)の少なくとも1つの特性を測定する方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法において、前記加熱光線(8、8a、8b)の波長(λh)は、前記光学素子(3、3’)の使用波長(λu)から5nm未満のずれがあり、前記使用波長(λu)は250nm以下である方法。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法において、前記測定光線(10)の波長(λm)は、前記加熱光線(8、8a、8b)の前記波長(λh)からずれており、250nmよりも大きい方法。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法において、前記ブランク(2、2’)の吸収を求める前に所定の線量で前記ブランク(2、2’)を照射するステップ
をさらに含む方法。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法において、前記光学素子(3、3’)の製造に用いる前記体積(12)全体において193nmの波長で、2×10−4/cm以下の吸収係数k0が測定されるようなブランク(2、2’)のみから、前記光学素子(3、3’)を製造する方法。
- 光学素子(3、3’)を製造するためのブランク(2、2’)の吸収を求める装置であって、
前記ブランク(2、2’)用の保持デバイス(4)と、
前記ブランク(2、2’)を加熱するための少なくとも1つの加熱光線(8、8a、8b)を発生させる少なくとも1つの加熱光源(7、7a、7b)と、
測定光線(10)を発生させる測定光源(9)と、
前記ブランク(2、2’)の加熱により影響を受けた前記測定光線(10)の少なくとも1つの特性を測定する検出器ユニット(14、16)と
を備えた装置において、前記加熱光線(8)及び前記測定光線(10)又は前記加熱光線(8a)及びさらに別の加熱光線(8b)を、第1研磨面(2a)又は該第1研磨面に対向して位置する第2研磨面(2b)を通して前記ブランク(2、2’)に入り、前記光学素子(3、3’)の製造に用いる前記ブランク(2、2’)の体積(12)内のみで相互に交わるよう指向させ、前記光学素子(3、3’)の製造に用いる前記体積(12)は、前記ブランク(2,2’)の表面を含まないことを特徴とする装置。 - 請求項15に記載の装置において、前記光学素子の製造に用いる前記体積は、前記ブランクの表面から少なくとも5mmの距離に配置される装置。
- 請求項15又は16に記載の装置において、前記加熱光線(8)及び前記測定光線(10)又は前記2つの加熱光線(8a、8b)は、90°未満の角度(β)で前記ブランク(2、2’)の内部で相互に交わる装置。
- 請求項15〜17のいずれか1項に記載の装置において、前記ブランク(2、2’)用の前記保持デバイス(4)は、少なくとも2方向(X、Y)に直線変位可能である装置。
- 請求項15〜18のいずれか1項に記載の装置において、前記検出器ユニットは、波面変形測定用の測定デバイスを有する装置。
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