JP6045235B2 - 高放射率金属箔 - Google Patents
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Description
特許文献3には、カーボングラファイトシートの横方向(シート面)には熱伝導が良好で熱拡散が良好であるものの、縦方向(厚さ方向)には熱伝導が極めて低く、問題があるため、カーボングラファイトの上にさらにセラミックフィラーシートを重ねるということが提案されている。
そして本発明材料は箔の形態をとるためロールツウロールの連続的な製造が可能であって、大量生産に極めて対応しやすく、本材料を提供することが容易である。
電気量として70〜250クーロン/dm2 が好ましい。このコバルト又はコバルト合金粒子の析出量はおよそ、1.5〜6.0g/m2 である。少ない場合は放射率が不十分であり、放熱性が低い。多い場合は放射率は高いものの、電気量を増加させても放射率の上昇がなくなり、生産性として効率が低い。
以上、上記した方法等によって得られた粗面は放射率が0.40以上となり、熱放射性の高い金属箔となる。
35μm厚さの電解銅箔を酸洗浴(A)(硫酸5%水溶液)に10秒間浸漬し、次いで水洗し、その光沢面にコバルト粗化処理浴(B)において15A/dm2、10秒間陰極電解処理した。次いで水洗後その面をニッケルめっき浴(C)において3.8A/dm2、80秒間めっきし、水洗し乾燥させた。
アンモニア 14 g/l
pH 6.0
温度 45℃
(C) 硫酸ニッケル(六水塩) 250 g/l
塩化ニッケル(六水塩) 50 g/l
ホウ酸 20 g/l
pH 4.0
温度 40℃
35μm厚さの電解銅箔をその光沢面について実施例1においてニッケルめっき浴(C)でのニッケルめっきをニッケルリンめっき浴(D)とし、2.5A/dm2、140秒間めっきしたこと以外すべて同じ方法で処理した。
次亜リン酸ナトリウム(一水塩) 7 g/l
pH 4.0
温度 30℃
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔をその光沢面について実施例2においてニッケルリンめっき浴(D)でのニッケルリンめっきを2.5A/dm2、100秒間めっきとしたこと以外すべて同じ方法で処理した。この粗化処理銅箔の各特性、異種元素付着量を調べた。その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔を酸洗浴(A)(硫酸5%水溶液)に10秒間浸漬し、次いで水洗し、その光沢面にニッケル粗化処理浴(E)において21A/dm2、20秒間陰極電解処理した。次いで水洗後その面をコバルトリンめっき浴(F)において2.5A/dm2、40秒間めっきし、水洗し乾燥させた。
アンモニア 25 g/l
pH 5.8
温度 43℃
(F) 硫酸コバルト(七水塩) 80 g/l
次亜リン酸ナトリウム(一水塩) 15 g/l
pH 4.7
温度 30℃
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔をその光沢面について実施例4においてニッケル粗化浴(E)の代わりに(G)浴にて19A/dm2、15秒間陰極電解したこと以外すべて同じ方法で処理した。
アンモニア 16 g/l
pH 5.7
温度 45℃
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔を酸洗浴(A)(硫酸5%水溶液)に10秒間浸漬し、次いで水洗し、その光沢面にニッケル粗化処理浴(E)において21A/dm2、20秒間陰極電解処理した。次いで水洗後その面をコバルトめっき浴(H)において2.5A/dm2、40秒間めっきし、水洗し乾燥させた。
pH 4.0
温度 40℃
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔を酸洗浴(A)に10秒間浸漬し、次いで水洗し、その光沢面にコバルト粗化処理浴(B)において15A/dm2、8秒間陰極電解処理した。次いで水洗後その面をコバルト-リンめっき浴(F)において2.5A/dm2、120秒間めっきし、水洗し乾燥させた。
この粗化処理銅箔の各特性、異種元素付着量を調べた。その結果を表1に示す。
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔を酸洗浴(A)に10秒間浸漬し、次いで水洗し、その光沢面にニッケル-コバルト粗化処理浴(I)において19 A/dm2、15秒間陰極電解処理した。次いで水洗後その面をニッケル-リンめっき浴(D)において2.5A/dm2、100秒間めっきし、水洗し乾燥させた。
硫酸コバルト(七水塩) 20 g/l
アンモニア 16 g/l
pH 5.5
温度 45℃
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
30μm厚さの1N30アルミニウム箔を用意し、脱脂浴(J)(NaOH10 g/l水溶液)に30秒間浸漬し、水洗し、酸洗浴(K)(硝酸20%水溶液)に15秒間浸漬し、次いで水洗後、亜鉛置換浴(L)(ZnO 9g/l、NaOH 80 g/l、ロッセル塩25 g/l、塩化第二鉄四水塩2 g/l)に30秒間浸漬し、次いで酸洗浴(K)に20秒間浸漬後、水洗し、次に再び亜鉛置換浴(L)に30秒間浸漬した。次いで水洗後、片側光沢面をニッケルめっき浴(C)で3.8 A/dm2、80秒間陰極電解してニッケルめっき(下地めっき)した。
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔を用意し、光沢面側の表面粗さ、放射率を調べた。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムにはりつけ、SUS箔線の発熱による温度を調べた。各測定値を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔を用意し、その光沢面にめっき浴(D)において2.5A/dm2、60秒間陰極電解し、Ni-Pめっきを行い、水洗、乾燥した。
この粗化処理銅箔の各特性、異種元素付着量を調べた。その結果を表1に示す。
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔を酸洗浴(A)に10秒間浸漬し、次いで水洗し、その光沢面にニッケル-銅粗化処理浴(M)において8.8 A/dm2、20秒間陰極電解処理した。次いで水洗し乾燥させた。
硫酸銅(五水塩) 50 g/l
pH 1.8
温度 35℃
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
35μm厚さの電解銅箔を酸洗浴(A)に10秒間浸漬し、次いで水洗し、その光沢面にコバルト-銅粗化処理浴(N)において6.3 A/dm2、20秒間陰極電解処理した。次いで水洗後その面をニッケルめっき浴(C)において3.8A/dm2、20秒間めっきし、水洗し乾燥させた。
硫酸銅(五水塩) 10 g/l
pH 1.8
温度 40℃
次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べ、その結果を表1に示す。
11 一次粒子層
12 被覆層
20 試料箔
21 ポリイミドフィルム
22 ステンレス箔
23 断熱材
24 測定ポイント
Claims (5)
- 少なくとも基体金属箔の一方の面にコバルト又はコバルト合金微粒子又はその集合体を1.5g/m 2 以上付着させた一次粒子層を設け、次いでその上にNi、Ni-P、Co-Pのいずれかの合金被覆層を設けた、前記一次粒子層のコバルト又はコバルト合金微粒子と前記被覆層のNi、Ni-P、Co-Pの合金被覆層の粒子径が0.1〜2μmの微粒子粗化面を持ち、前記微粒子粗化面の放射率が0.40以上であることを特徴とする放熱基板用金属箔。
- 少なくとも基体金属箔の一方の面にニッケル又はニッケル合金微粒子又はその集合体を3.0g/m 2 以上付着させた一次粒子層を設け、次いでその上にCo、Co-Pのいずれかの合金被覆層を設けた、前記一次粒子層のニッケル又はニッケル合金微粒子と前記被覆層のCo、Co-Pの合金被覆層の粒子径が0.1〜2μmの微粒子粗化面をもち、前記微粒子粗化面の放射率が0.40以上であることを特徴とする放熱基板用金属箔。
- 合金被覆層の元素がコバルトとリンであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の放熱基板用金属箔。
- 合金被覆層の元素がニッケルとリンであることを特徴とする請求項1に記載の放熱基板用金属箔。
- 基体金属箔が銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、ステンレスであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の放熱基板用金属箔。
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JP2012160348A Ceased JP6045235B2 (ja) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 高放射率金属箔 |
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