JP6044096B2 - Epoxy resin composition for sealing and method for producing electronic device - Google Patents

Epoxy resin composition for sealing and method for producing electronic device Download PDF

Info

Publication number
JP6044096B2
JP6044096B2 JP2012075682A JP2012075682A JP6044096B2 JP 6044096 B2 JP6044096 B2 JP 6044096B2 JP 2012075682 A JP2012075682 A JP 2012075682A JP 2012075682 A JP2012075682 A JP 2012075682A JP 6044096 B2 JP6044096 B2 JP 6044096B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
sealing
mass
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012075682A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013203928A (en
Inventor
伊藤 祐輔
祐輔 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2012075682A priority Critical patent/JP6044096B2/en
Publication of JP2013203928A publication Critical patent/JP2013203928A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6044096B2 publication Critical patent/JP6044096B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

本発明は、封止用エポキシ樹脂組成物および電子機器の製造方法に関する。 The present invention relates to a process for the production of contact and electronics epoxy resin composition sealing.

特許文献1には、半導体素子を封止するために使用される半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の梱包方法に関する発明が開示されている。当該発明では、梱包状態での半導体封止用エポキシ樹脂成形材料への吸湿を防止するため、乾燥材と半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を同一袋内に入れて封緘する。   Patent Document 1 discloses an invention relating to a packaging method of a semiconductor sealing epoxy resin molding material used for sealing a semiconductor element. In the said invention, in order to prevent moisture absorption to the epoxy resin molding material for semiconductor sealing in a packing state, a desiccant and the epoxy resin molding material for semiconductor sealing are put in the same bag and sealed.

特開2004−90971号公報JP 2004-90971 A

本発明者らは、半導体素子、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子、コンデンサ、抵抗、LEDなどの電子部品を封止するために使用される顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物において、以下のような課題を見出した。   In the granular epoxy resin composition for sealing used for sealing electronic components such as semiconductor elements, transistors, thyristors, diodes, solid-state imaging devices, capacitors, resistors, and LEDs, I found a problem like this.

従来、例えば、袋などの内側包装資材に封止用エポキシ樹脂組成物を収容した後、1つまたは複数の当該内側包装資材を、金属缶や段ボールなどからなる1つの外側包装資材に収容し、当該状態で保管及び運送していた。そして、使用時にこれらの包装資材を開封し、封止用エポキシ樹脂組成物を取り出していた。   Conventionally, for example, after containing the sealing epoxy resin composition in an inner packaging material such as a bag, one or more inner packaging materials are accommodated in one outer packaging material made of a metal can or cardboard, It was stored and transported in this state. And at the time of use, these packaging materials were opened and the epoxy resin composition for sealing was taken out.

ここで、顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物の場合、包装資材に収容後、使用するために包装資材から取出すまでの間に、一部の封止用エポキシ樹脂組成物同士が互着し、塊状となる場合や、潜在的に塊状となりやすい状態(すなわち後述の移送プロセスで塊状となってしまう状態)となっている場合があった。このような塊状物は、例えば半導体素子を圧縮成形する際、包装資材から取出した顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物を、成形機の所定の場所に供給し、フィーダー等に移送し、フィーダーから樹脂材料供給容器に移送し、計量するプロセスで不具合が発生し、円滑な自動成形の妨げになる恐れがあった。   Here, in the case of a granular epoxy resin composition for sealing, some of the epoxy resin compositions for sealing are attached to each other before being taken out from the packaging material for use after being contained in the packaging material. In some cases, it becomes a lump or is in a state where it tends to become a lump (that is, a lump that becomes a lump in the transfer process described later). For example, when a semiconductor element is compression-molded, such a lump is supplied with a granular epoxy resin composition for sealing taken out from a packaging material to a predetermined place of a molding machine and transferred to a feeder or the like. In the process of transferring to a resin material supply container and measuring it, there was a risk that trouble would occur and hinder smooth automatic molding.

また、圧縮成形時、金型上に配置した顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物に塊状物が存在するとその部分だけが熱の伝わりが遅く、封止用エポキシ樹脂組成物が完全に溶融しきらないまま型締めを行うことになり、ワイヤーが変形することや、未充填が発生する恐れがあった。   In addition, when there is a lump in the granular sealing epoxy resin composition placed on the mold during compression molding, only the portion of the block is slow in heat transfer, and the sealing epoxy resin composition is completely melted. The mold was clamped without stopping, and there was a risk that the wire would be deformed or unfilled.

本発明は、顆粒状の封止用樹脂組成物包装資材に収容後発生しうる、一部の封止用エポキシ樹脂組成物同士の互着を抑制できる高度な互着防止性を備えた封止用エポキシ樹脂組成物を提供するものである。   The present invention provides a sealing with a high degree of anti-adhesion that can suppress mutual adhesion between some sealing epoxy resin compositions that can occur after being contained in a granular sealing resin composition packaging material. An epoxy resin composition for use is provided.

本発明者らは、封止用エポキシ樹脂組成物粒子同士が所定以上の力で押しつけられ合った状態で保管された場合、封止用エポキシ樹脂組成物粒子同士が互着し得ると考えた。   The present inventors considered that when the sealing epoxy resin composition particles are stored in a state where they are pressed against each other with a predetermined force or more, the sealing epoxy resin composition particles can adhere to each other.

そして、本発明者らは封止用エポキシ樹脂粒子同士の互着防止について鋭意検討し、温度変調示差走査熱量計を用いて測定したエポキシ樹脂組成物の粉粒体ガラス転移温度という尺度がこうした設計指針として有効であることを見出し、本発明に到達した。   Then, the present inventors diligently studied the prevention of mutual adhesion between the epoxy resin particles for sealing, and the scale of the powder glass transition temperature of the epoxy resin composition measured using a temperature modulation differential scanning calorimeter is such a design. The inventors have found that the present invention is effective as a guide and have reached the present invention.

本発明によれば、圧縮成形により素子を封止するために用いられる顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物であって、
(a)エポキシ樹脂と、(b)硬化剤と、(c)無機フィラーと、を必須成分として含み、
前記(a)エポキシ樹脂、前記(b)硬化剤、および前記(c)無機フィラーの含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して、(a)2質量%以上22質量%以下、(b)2質量%以上16質量%以下、(c)61質量%以上95質量%以下であり、
前記(c)無機フィラーが、平均粒径(D50)が5μm以上35μm以下である無機フィラー(c1)と、平均粒径(D50)が0.1μm以上5μm未満の無機フィラー(c2)とを含み、
前記無機フィラー(c1)の含有量が、前記(c)無機フィラー全体に対して、70質量%以上94質量%以下であり、かつ、前記無機フィラー(c2)の含有量が、前記(c)無機フィラー全体に対して、6質量%以上30質量%以下であり、
前記顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物における粒子径が106μm未満の粒子の含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して5質量%以下であり、
温度変調示差走査熱量計を用いて測定した前記封止用エポキシ樹脂組成物の粉粒体ガラス転移温度が12℃以上35℃以下である封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。
According to the present invention, a granular sealing epoxy resin composition used for sealing an element by compression molding,
Containing (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) an inorganic filler as essential components,
Content of said (a) epoxy resin, said (b) hardening | curing agent, and said (c) inorganic filler is (a) 2 mass% or more and 22 mass% with respect to the total amount of the said epoxy resin composition for sealing. Hereinafter, (b) 2 mass% or more and 16 mass% or less, (c) 61 mass% or more and 95 mass% or less,
The inorganic filler (c1) having an average particle diameter (D 50 ) of 5 μm or more and 35 μm or less, and an inorganic filler (c2) having an average particle diameter (D 50 ) of 0.1 μm or more and less than 5 μm, the (c) inorganic filler Including
Content of the said inorganic filler (c1) is 70 to 94 mass% with respect to the said (c) whole inorganic filler, and content of the said inorganic filler (c2) is said (c). 6 mass% or more and 30 mass% or less with respect to the whole inorganic filler,
The content of particles having a particle diameter of less than 106 μm in the granular epoxy resin composition for sealing is 5% by mass or less based on the total amount of the epoxy resin composition for sealing,
There is provided an epoxy resin composition for sealing having a powder glass transition temperature of 12 ° C or more and 35 ° C or less of the epoxy resin composition for sealing measured using a temperature modulation differential scanning calorimeter.

さらに、本発明によれば、上記封止用エポキシ樹脂組成物を用いて圧縮成形により素子を封止する電子機器の製造方法が提供される。   Furthermore, according to this invention, the manufacturing method of the electronic device which seals an element by compression molding using the said epoxy resin composition for sealing is provided.

本発明によれば、顆粒の互着を抑制できる高度な互着防止性を備えた封止用エポキシ樹脂組成物を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the epoxy resin composition for sealing provided with the high mutual prevention property which can suppress the mutual adhesion of a granule can be provided.

本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて圧縮成形により半導体素子を封止して半導体装置を得る方法における、金型内に顆粒を導入する方法を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the method to introduce | transduce a granule in a metal mold | die in the method of sealing a semiconductor element by compression molding using the epoxy resin composition for sealing of this invention, and obtaining a semiconductor device. 本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて圧縮成形により半導体素子を封止して半導体装置を得る方法における、金型の下型キャビティへの供給方法の一例の概略図である。It is the schematic of an example of the supply method to the lower mold cavity of a metal mold | die in the method of sealing a semiconductor element by compression molding using the epoxy resin composition for sealing of this invention, and obtaining a semiconductor device. 本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、リードフレームに搭載した半導体素子を封止して得られる半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。It is the figure which showed the cross-sectional structure about an example of the semiconductor device obtained by sealing the semiconductor element mounted in the lead frame using the epoxy resin composition for sealing which concerns on this invention. 本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、回路基板に搭載した半導体素子を封止して得られる半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。It is the figure which showed the cross-sectional structure about an example of the semiconductor device obtained by sealing the semiconductor element mounted in the circuit board using the epoxy resin composition for sealing which concerns on this invention.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

本実施形態に係る顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物は、温度変調示差走査熱量計(Modulated Differential Scanning Calorimetry:MDSC)を用いて測定した粉粒体ガラス転移温度が12℃以上35℃以下である。この粉粒体ガラス転移温度が、かかる範囲にあることによって、当該封止用エポキシ樹脂組成物粒子同士による互着を適正に抑制することができる。   The granular epoxy resin composition for sealing according to this embodiment has a granular glass transition temperature of 12 ° C. or more and 35 ° C. or less measured using a temperature-modulated differential scanning calorimeter (MDSC). is there. When the powdery glass transition temperature is in such a range, mutual adhesion between the sealing epoxy resin composition particles can be appropriately suppressed.

温度変調示差走査熱量計を用いて測定した粉粒体ガラス転移温度とは、顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物の互着防止性を示す尺度である。この温度変調示差走査熱量計は、定速昇温と同時にサイン波状温度変調を加えて昇温する測定法である。このため、従来の示差走査熱量計とは異なり、比熱変化に対応したヒートフローを測定することができるようになり、より精密に樹脂組成物の互着防止性を評価することが可能となる。   The granular glass transition temperature measured using a temperature-modulated differential scanning calorimeter is a measure showing the mutual adhesion prevention property of the granular sealing epoxy resin composition. This temperature modulation differential scanning calorimeter is a measuring method in which the temperature is increased by applying a sine wave temperature modulation simultaneously with the constant temperature increase. For this reason, unlike the conventional differential scanning calorimeter, it becomes possible to measure the heat flow corresponding to the specific heat change, and it becomes possible to evaluate the mutual adhesion prevention property of the resin composition more precisely.

また、温度変調示差走査熱量計を用いて測定した粉粒体ガラス転移温度は、12℃以上35℃以下であることが好ましく、14℃以上30℃以下であるとさらに好ましい。この範囲にあることによって、顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物の互着防止性がより一層向上する。   Moreover, it is preferable that it is 12 degreeC or more and 35 degrees C or less, and, as for the granular material glass transition temperature measured using the temperature modulation differential scanning calorimeter, it is more preferable that they are 14 degreeC or more and 30 degrees C or less. By being in this range, the mutual adhesion preventing property of the granular epoxy resin composition for sealing is further improved.

ここで、温度変調示差走査熱量計を用いて測定した粉粒体ガラス転移温度は、具体的に、以下のように測定することができる。粉粒体ガラス転移温度は、5℃/min、大気気流下で温度変調示差走査熱量計を用いて測定し、JIS K7121に従って値を求めた。   Here, the granular glass transition temperature measured using a temperature modulation differential scanning calorimeter can be specifically measured as follows. The powder glass transition temperature was measured using a temperature-modulated differential scanning calorimeter at 5 ° C./min under an air stream, and the value was determined according to JIS K7121.

本発明において「顆粒状」とは、不定形状の粒子であり、粒状及び粉末状を含むものである。なお、本実施形態に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、JIS標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、特定の大きさの粒子の含有量を制御すると、封止用エポキシ樹脂組成物の互着防止性をより一層向上させることができる。   In the present invention, “granular” refers to particles having an indefinite shape, and includes particles and powders. In addition, the epoxy resin composition for sealing according to the present embodiment is controlled by controlling the content of particles having a specific size in the particle size distribution measured by sieving using a JIS standard sieve. It is possible to further improve the mutual adhesion prevention property.

9meshのJIS標準篩を用いて篩分により測定した封止用エポキシ樹脂組成物の粒度分布における、粒径2mm以上の粒子の含有量が、本実施形態に係る封止用エポキシ樹脂組成物に対して3質量%以下であることが好ましい。この範囲に制御することによって、互着防止性をより一層向上させることができる。なお、上記粒径2mm以上の粒子の含有量が1質量%以下であるとさらに好ましい。   In the particle size distribution of the sealing epoxy resin composition measured by sieving using a 9 mesh JIS standard sieve, the content of particles having a particle diameter of 2 mm or more is compared with the sealing epoxy resin composition according to this embodiment. It is preferable that it is 3 mass% or less. By controlling the amount within this range, the mutual adhesion prevention property can be further improved. In addition, it is more preferable that the content of particles having a particle diameter of 2 mm or more is 1% by mass or less.

150meshのJIS標準篩を用いて篩分により測定した封止用エポキシ樹脂組成物の粒度分布における、粒径106μm未満の微粉の含有量についても、本実施形態に係る封止用エポキシ樹脂組成物に対して5質量%以下であることが好ましい。この範囲に制御することによって、互着防止性をより一層向上させることができる。なお、上記粒径106μm未満の微粉の含有量が3質量%以下であるとさらに好ましい。   The content of fine powder with a particle size of less than 106 μm in the particle size distribution of the epoxy resin composition for sealing measured by sieving using a JIS standard sieve of 150 mesh is also included in the epoxy resin composition for sealing according to this embodiment. It is preferable that it is 5 mass% or less with respect to it. By controlling the amount within this range, the mutual adhesion prevention property can be further improved. The content of fine powder having a particle size of less than 106 μm is more preferably 3% by mass or less.

本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、上記のとおり、(a)エポキシ樹脂と(b)硬化剤と、(c)無機フィラーとを必須成分として含むが、(d)硬化促進剤、(e)カップリング剤をさらに含んでいてもよい。以下、各成分について具体的に説明する。   The sealing epoxy resin composition of the present invention contains (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) an inorganic filler as essential components as described above, but (d) a curing accelerator, ( e) It may further contain a coupling agent. Hereinafter, each component will be specifically described.

[(a)エポキシ樹脂]
(a)エポキシ樹脂の例は、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、アルコキシナフタレン骨格含有フェノールアラルキルエポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の3官能型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂;トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、分子構造にビフェニル骨格を持ちエポキシ当量が180以上であるものを用いることが好ましい。
[(A) Epoxy resin]
Examples of (a) epoxy resins include monomers, oligomers, and polymers in general having two or more epoxy groups in one molecule, and the molecular weight and molecular structure thereof are not particularly limited. For example, bisphenol A type epoxy resin Bisphenol F type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin such as tetramethylbisphenol F type epoxy resin, crystalline epoxy resin such as biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, hydroquinone type epoxy resin; cresol novolak type epoxy resin, phenol novolak Type epoxy resin, novolak type epoxy resin such as naphthol novolak type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin containing phenylene skeleton, phenol aralkyl type epoxy resin containing biphenylene skeleton, phenylene bone -Containing naphthol aralkyl epoxy resin, phenol aralkyl epoxy resin such as alkoxynaphthalene skeleton-containing phenol aralkyl epoxy resin; trifunctional methane type epoxy resin, trifunctional epoxy resin such as alkyl-modified triphenol methane type epoxy resin; dicyclopentadiene modified Modified phenol type epoxy resins such as phenol type epoxy resins and terpene modified phenol type epoxy resins; and heterocyclic ring containing epoxy resins such as triazine nucleus-containing epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more. You may use it in combination. In addition, it is preferable to use those having a biphenyl skeleton in the molecular structure and an epoxy equivalent of 180 or more.

エポキシ樹脂全体の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全樹脂組成物中に、2質量%以上であることが好ましく、4質量%以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、エポキシ樹脂全体の配合割合の上限値についても、特に限定されないが、全樹脂組成物中に、22質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、粉粒体ガラス転移温度の低下が少なく、互着を適正に抑制することができ、耐半田性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、融け性を向上させるため、用いるエポキシ樹脂の種類に応じて配合割合を適宜調整することが望ましい。   Although it does not specifically limit about the lower limit of the compounding ratio of the whole epoxy resin, It is preferable that it is 2 mass% or more in all the resin compositions, and it is more preferable that it is 4 mass% or more. When the lower limit of the blending ratio is within the above range, there is little possibility of causing a decrease in fluidity. Moreover, although it does not specifically limit about the upper limit of the mixture ratio of the whole epoxy resin, It is preferable that it is 22 mass% or less in all the resin compositions, and it is more preferable that it is 20 mass% or less. When the upper limit value of the blending ratio is within the above range, there is little decrease in the powder glass transition temperature, mutual adhesion can be appropriately suppressed, and there is little possibility of causing a decrease in solder resistance and the like. In order to improve the meltability, it is desirable to adjust the blending ratio as appropriate according to the type of epoxy resin used.

[(b)硬化剤]
(b)硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであれば特に限定されず、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数2〜20の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルプロパン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジシクロヘキサン、ビス(4−アミノフェニル)フェニルメタン、1,5−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミン類;アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂;フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂;ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物等;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類が例示される。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの内、半導体封止材料に用いる硬化剤としては、耐湿性、信頼性等の点から、1分子内に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、トリスフェノールメタンノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;レゾール型フェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等が例示される。また、分子構造にフェニレン及び/又はビフェニル骨格を持ち水酸基当量が160以上であるものを用いることが好ましい。
[(B) Curing agent]
(B) The curing agent is not particularly limited as long as it is cured by reacting with an epoxy resin. For example, a straight chain having 2 to 20 carbon atoms such as ethylenediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, etc. Aliphatic diamine, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, paraxylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylpropane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodicyclohexane, bis (4-aminophenyl) phenylmethane, 1,5-diaminonaphthalene, metaxylenediamine, paraxylenediamine, 1,1-bis (4-aminophenyl) cyclohexane, dicyanodiamide, etc. Amines; Anili Resol type phenol resins such as modified resole resins and dimethyl ether resole resins; Novolak type phenol resins such as phenol novolac resins, cresol novolac resins, tert-butylphenol novolac resins, nonylphenol novolac resins; phenylene skeleton-containing phenol aralkyl resins, biphenylene skeleton-containing phenol aralkyls Phenol aralkyl resins such as resins; phenol resins having a condensed polycyclic structure such as naphthalene skeleton and anthracene skeleton; polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene; hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA), etc. Alicyclic acid anhydride, trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), benzophenone tetracarboxylic Acid anhydrides including aromatic acid anhydrides such as acids (BTDA); Polymercaptan compounds such as polysulfides, thioesters and thioethers; Isocyanate compounds such as isocyanate prepolymers and blocked isocyanates; Organics such as carboxylic acid-containing polyester resins Acids are exemplified. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, the curing agent used for the semiconductor encapsulating material is preferably a compound having at least two phenolic hydroxyl groups in one molecule from the viewpoint of moisture resistance, reliability, etc., and a phenol novolac resin and cresol novolac. Resins, tert-butylphenol novolak resins, nonylphenol novolak resins, trisphenolmethane novolak resins and other novolak type phenol resins; resol type phenol resins; polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene; Resins and the like are exemplified. In addition, it is preferable to use those having a phenylene and / or biphenyl skeleton in the molecular structure and a hydroxyl group equivalent of 160 or more.

硬化剤全体の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全樹脂組成物中に、2質量%以上であることが好ましく3質量%以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。また、硬化剤全体の配合割合の上限値についても、特に限定されないが、全樹脂組成物中に、16質量%以下であることが好ましく、15質量%以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、粉粒体ガラス転移温度の低下が少なく、互着を適正に抑制することができ、良好な耐半田性を得ることができる。また、融け性を向上させるため、用いる硬化剤の種類に応じて配合割合を適宜調整することが望ましい。   Although it does not specifically limit about the lower limit of the mixture ratio of the whole hardening | curing agent, It is preferable that it is 2 mass% or more in all the resin compositions, and it is more preferable that it is 3 mass% or more. When the lower limit value of the blending ratio is within the above range, sufficient fluidity can be obtained. Further, the upper limit of the blending ratio of the entire curing agent is not particularly limited, but is preferably 16% by mass or less, and more preferably 15% by mass or less in the entire resin composition. When the upper limit value of the blending ratio is within the above range, there is little decrease in the powder glass transition temperature, mutual adhesion can be appropriately suppressed, and good solder resistance can be obtained. In order to improve the meltability, it is desirable to adjust the blending ratio as appropriate according to the type of curing agent used.

また、硬化剤としてフェノール樹脂系硬化剤を用いる場合においては、エポキシ樹脂全体とフェノール樹脂系硬化剤全体との配合比率としては、エポキシ樹脂全体のエポキシ基数(EP)とフェノール樹脂系硬化剤全体のフェノール性水酸基数(OH)との当量比(EP)/(OH)が0.8以上、1.3以下であることが好ましい。当量比がこの範囲内であると、樹脂組成物の成形時に充分な硬化性を得ることができる。また、当量比がこの範囲内であると、樹脂硬化物における良好な物性を得ることができる。また、エリア表面実装型の半導体装置における反りの低減という点を考慮すると、樹脂組成物の硬化性及び樹脂硬化物のガラス転移温度又は熱時弾性率を高めることができるように、用いる硬化促進剤の種類に応じてエポキシ樹脂全体のエポキシ基数(Ep)と硬化剤全体のフェノール性水酸基数(Ph)との当量比(Ep/Ph)を調整することが望ましい。また、融け性を向上させるため、用いるエポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤の種類に応じて当量比を適宜調整することが望ましい。   In the case of using a phenol resin curing agent as the curing agent, the blending ratio of the entire epoxy resin and the entire phenol resin curing agent is the number of epoxy groups (EP) of the entire epoxy resin and the entire phenol resin curing agent. The equivalent ratio (EP) / (OH) to the number of phenolic hydroxyl groups (OH) is preferably 0.8 or more and 1.3 or less. When the equivalent ratio is within this range, sufficient curability can be obtained during molding of the resin composition. Moreover, when the equivalent ratio is within this range, good physical properties in the cured resin can be obtained. In consideration of the reduction of warpage in the area surface mount type semiconductor device, the curing accelerator used is used so that the curability of the resin composition and the glass transition temperature or the thermal elastic modulus of the cured resin can be increased. It is desirable to adjust the equivalent ratio (Ep / Ph) between the number of epoxy groups (Ep) of the entire epoxy resin and the number of phenolic hydroxyl groups (Ph) of the entire curing agent according to the kind of the epoxy resin. In order to improve the meltability, it is desirable to adjust the equivalent ratio as appropriate according to the type of epoxy resin and phenol resin curing agent used.

[(c)無機フィラー]
(c)無機フィラーとしては、本発明の樹脂組成物としたとき融け性が良好であれば特に制限はなく、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶性シリカ、2次凝集シリカ等のシリカ;アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化チタン、炭化ケイ素、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、チタンホワイト、タルク、クレー、マイカ、ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。また、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましく、また、粒子の大きさの異なるものを混合することにより充填量を多くすることができる。また、樹脂組成物の融け性を向上させるため、溶融球状シリカを用いるのが好ましい。
[(C) Inorganic filler]
(C) The inorganic filler is not particularly limited as long as the resin composition of the present invention has good meltability. For example, silica such as fused crushed silica, fused spherical silica, crystalline silica, and secondary agglomerated silica. Alumina, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, titanium oxide, silicon carbide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, titanium white, talc, clay, mica, glass fiber and the like. Among these, fused spherical silica is particularly preferable. Further, the shape of the particles is preferably infinitely spherical, and the amount of filling can be increased by mixing particles having different particle sizes. Moreover, in order to improve the meltability of the resin composition, it is preferable to use fused spherical silica.

(c)無機フィラーは1種または2種以上のフィラーを混合していてもよく、その全体の比表面積(SSA)は、5m/g以下であると好ましく、下限は、0.1m/g以上が好ましく、2m/g以上がさらに好ましい。また、(c)無機フィラー全体の平均粒径(D50)は、1μm以上30μm以下であると好ましく、2μm以上20μm以下がより好ましく、5μm以上20μm以下がさらに好ましい。 (C) the inorganic filler may be mixed with one or more fillers, the entire specific surface area (SSA) is preferable to be below 5 m 2 / g, the lower limit is 0.1 m 2 / g or more is preferable, and 2 m 2 / g or more is more preferable. Moreover, (c) The average particle diameter (D 50 ) of the entire inorganic filler is preferably 1 μm or more and 30 μm or less, more preferably 2 μm or more and 20 μm or less, and further preferably 5 μm or more and 20 μm or less.

無機フィラーとしては、比表面積(SSA)及び/又は平均粒径(D50)が異なる2種以上の無機フィラーを用いることもできる。 As the inorganic filler, two or more kinds of inorganic fillers having different specific surface areas (SSA) and / or average particle diameters (D 50 ) can be used.

平均粒径(D50)が相対的に大きい無機フィラーの例として、平均粒径(D50)が好ましくは5μm以上35μm以下、より好ましくは10μm以上30μm以下の球状シリカが挙げられる。このような平均粒径(D50)が相対的に大きい無機フィラーの含有量は、(c)無機フィラー全体に対して、好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上とすることができる。 Examples of relatively large inorganic filler average particle diameter (D 50), preferably an average particle size (D 50) 5μm or 35μm or less, or more preferably 30μm or less of spherical silica least 10 [mu] m. The content of such an inorganic filler having a relatively large average particle diameter (D 50 ) is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably, with respect to (c) the entire inorganic filler. It can be 60 mass% or more.

平均粒径(D50)が相対的に大きい無機フィラーの好ましい例として、平均粒径(D50)が5μm以上35μm以下であり、かつ、下記(i)乃至(v)をいずれも満たす粒子径分布を備えた溶融球状シリカ(c1)が挙げられる。
(i)粒子径が1μm以下の粒子を(c1)溶融球状シリカ全体を基準として、1〜4.5質量%含む、
(ii)粒子径が2μm以下の粒子を7質量%以上11質量%以下含む、
(iii)粒子径が3μm以下の粒子を13質量%以上17質量%以下含む、
(iv)粒子径が48μmを超える粒子を2質量%以上7質量%以下含む、
(v)粒子径が24μmを超える粒子を33質量%以上40質量%以下含む。
このような(c1)溶融球状シリカの含有量は、(c)無機フィラー中に好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上とすることができる。こうすることで、融け性をより優れたものとすることができる。
Preferred examples of relatively large inorganic filler average particle size (D 50), an average particle diameter (D 50) is at 5μm or 35μm or less, and the particle diameter that satisfies both of the following (i) to (v) Examples include fused spherical silica (c1) having a distribution.
(I) 1 to 4.5% by mass of particles having a particle diameter of 1 μm or less (c1) based on the whole fused spherical silica,
(Ii) containing 7% by mass to 11% by mass of particles having a particle size of 2 μm or less,
(Iii) including 13% by mass or more and 17% by mass or less of particles having a particle size of 3 μm or less,
(Iv) 2% by mass or more and 7% by mass or less of particles having a particle diameter exceeding 48 μm;
(V) Containing 33% by mass or more and 40% by mass or less of particles having a particle size exceeding 24 μm.
The content of such (c1) fused spherical silica is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 60% by mass or more in the (c) inorganic filler. By doing so, the meltability can be further improved.

平均粒径(D50)が相対的に大きい無機フィラーとして、比表面積が好ましくは0.1m/g以上5.0m/g以下、より好ましくは1.5m/g以上5.0m/g以下の球状シリカを用いることが好ましい。このような球状シリカの含有量は、(c)無機フィラー全体に対して、好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上とすることができる。 As an inorganic filler having a relatively large average particle diameter (D 50 ), the specific surface area is preferably 0.1 m 2 / g or more and 5.0 m 2 / g or less, more preferably 1.5 m 2 / g or more and 5.0 m 2. / G or less of spherical silica is preferably used. The content of such spherical silica is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 60% by mass or more with respect to (c) the entire inorganic filler.

また、平均粒径(D50)が相対的に小さい無機フィラーの例として、平均粒径(D50)が好ましくは0.1μm以上5μm未満の球状シリカが挙げられる。このような平均粒径(D50)が相対的に小さい無機フィラーの含有量は、無機フィラー全体に対して、好ましくは60質量%以下、より好ましくは45質量%以下、さらに好ましくは、30質量%以下とすることができる。 As examples of average particle diameter (D 50) is relatively small inorganic filler, an average particle diameter (D 50) preferably include 5μm less spherical silica least 0.1 [mu] m. The content of the inorganic filler having a relatively small average particle diameter (D 50 ) is preferably 60% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and still more preferably 30% by mass with respect to the entire inorganic filler. % Or less.

平均粒径(D50)が相対的に小さい無機フィラーの好ましい例として、平均粒径(D50)が0.1μm以上5μm未満の溶融球状シリカ(c2)、より好ましい例として平均粒径(D50)が0.1μm以上1μm以下の溶融球状シリカ(c3)、および平均粒径(D50)が1μm以上5μm未満の溶融球状シリカ(c4)を各々単独または組合わせて用いる例が挙げられる。 Preferred examples of relatively small inorganic filler average particle size (D 50), an average particle diameter (D 50) of less than 5μm or more 0.1μm fused spherical silica (c2), the average particle diameter as a more preferable example (D 50 ) is 0.1 μm or more and 1 μm or less of fused spherical silica (c3) and the average particle size (D 50 ) is 1 μm or more and less than 5 μm of fused spherical silica (c4).

また、平均粒径(D50)が相対的に小さい無機フィラーとして、比表面積が3.0m/g以上10.0m/g以下、より好ましくは3.5m/g以上8m/g以下の球状シリカが挙げられる。このような球状シリカの含有量は、(c)無機フィラー全体に対して、好ましくは80質量%以下、より好ましくは50質量%以下、さらに好ましくは20質量%以下とすることができる。 The inorganic filler having a relatively small average particle diameter (D 50 ) has a specific surface area of 3.0 m 2 / g or more and 10.0 m 2 / g or less, more preferably 3.5 m 2 / g or more and 8 m 2 / g. The following spherical silica is mentioned. The content of such spherical silica is preferably 80% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and still more preferably 20% by mass or less with respect to (c) the entire inorganic filler.

比表面積(SSA)及び/又は平均粒径(D50)が異なる(c)無機フィラーを組み合せる場合のより好ましい態様としては、(c)無機フィラー中に、(c1)溶融球状シリカを70質量%以上94質量%以下含み、かつ、(c2)溶融球状シリカを6質量%以上30質量%以下含むことが好ましい。さらに好ましい態様としては、(c)無機フィラー中に、(c1)溶融球状シリカを70質量%以上94質量%以下含み、平均粒径(D50)が0.1μm以上1μm以下の溶融球状シリカ(c3)を1質量%以上29質量%以下、および平均粒径(D50)が1μm以上5μm以下の溶融球状シリカ(c4)を1質量%以上29質量%以下含み、かつ前記(c3)および(c4)の合計量が6質量%以上30質量%以下含むものとすることができる。こうすることで、よりいっそう優れた融け性が発現し好ましい。
なお、本発明において、無機フィラーの比表面積(SSA)は、市販の比表面積計(例えば、(株)マウンテック製MACSORB HM−MODEL−1201等)で測定して求めたものをいう。また、無機フィラーの平均粒径(D50)及び粒子径は、市販のレーザー式粒度分布計(例えば、(株)島津製作所製、SALD−7000等)で測定して求めたものをいう。
As a more preferable aspect in the case of combining (c) inorganic fillers having different specific surface areas (SSA) and / or average particle diameters (D 50 ), (c) 70 masses of (c1) fused spherical silica in the inorganic fillers. % To 94% by mass, and (c2) 6% to 30% by mass of fused spherical silica is preferably contained. As a more preferred embodiment, (c) fused spherical silica (c1) containing 70 mass% or more and 94 mass% or less of fused spherical silica and having an average particle size (D 50 ) of 0.1 μm or more and 1 μm or less ( 1 to 29% by mass of c3), and 1 to 29% by mass of fused spherical silica (c4) having an average particle size (D 50 ) of 1 to 5 μm, and (c3) and ( The total amount of c4) may be 6 mass% or more and 30 mass% or less. By carrying out like this, the further outstanding meltability expresses and is preferable.
In addition, in this invention, the specific surface area (SSA) of an inorganic filler means what was calculated | required and measured with the commercially available specific surface area meter (For example, MACSORB HM-MODEL-1201 etc. by Corporation | KK Mountec). Also, an average particle diameter (D 50) and particle size of the inorganic filler is commercially available laser particle size distribution analyzer (e.g., manufactured by Shimadzu Corporation, SALD-7000 etc.) refers to that determined by measuring with.

(c)無機フィラーの含有割合の下限値としては、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物全体を基準として61質量%以上であることが好ましく、65質量%以上であることがより好ましい。無機充填剤の含有割合の下限値が上記範囲内であると、粉粒体ガラス転移温度の低下が少なく、互着を適正に抑制することができ、樹脂組成物の硬化物物性として、吸湿量が増加したり、強度が低下したりすることがなく、良好な耐半田クラック性を得ることができる。また、無機フィラーの含有割合の上限値としては、樹脂組成物全体の95質量%以下であることが好ましく、92質量%以下であることがより好ましく、90質量%以下であることが特に好ましい。無機充填剤の含有割合の上限値が上記範囲内であると、流動性が損なわれることがなく、良好な成形性を得ることができる。また、良好な耐半田性が得られる範囲内で、無機フィラーの含有量を低く設定することが好ましい。
また、前記(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、および(c)無機フィラーの含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して、(a)2質量%以上22質量%以下、(b)2質量%以上16質量%以下、(c)61質量%以上、95質量%以下である時、特に互着を適正に抑制することができ、かつ優れた耐半田性等の信頼性や成形性を得ることができる。前記互着との関係は明らかではないが、封止用エポキシ樹脂組成物を一定期間保存静置した際に、粒子極表面近傍の樹脂成分がわずかずつ塑性変形を生じると隣接粒子同士が融着するが、前記範囲であると、該塑性変形が生じにくくなるのではないかと考えられる。
(C) As a lower limit of the content rate of an inorganic filler, it is preferable that it is 61 mass% or more on the basis of the whole epoxy resin composition for sealing of this invention, and it is more preferable that it is 65 mass% or more. When the lower limit value of the content ratio of the inorganic filler is within the above range, there is little decrease in the powder glass transition temperature, the mutual adhesion can be appropriately suppressed, and the moisture absorption amount as a cured product property of the resin composition Therefore, good solder crack resistance can be obtained without increasing the strength or decreasing the strength. Moreover, as an upper limit of the content rate of an inorganic filler, it is preferable that it is 95 mass% or less of the whole resin composition, It is more preferable that it is 92 mass% or less, It is especially preferable that it is 90 mass% or less. When the upper limit value of the content ratio of the inorganic filler is within the above range, the flowability is not impaired and good moldability can be obtained. Moreover, it is preferable to set the content of the inorganic filler low within a range in which good solder resistance is obtained.
Further, the content of the (a) epoxy resin, (b) curing agent, and (c) inorganic filler is (a) 2% by mass or more and 22% by mass with respect to the total amount of the epoxy resin composition for sealing. Hereinafter, when (b) 2% by mass or more and 16% by mass or less, (c) 61% by mass or more and 95% by mass or less, inter-adhesion can be properly suppressed, and excellent solder resistance, etc. Reliability and formability can be obtained. Although the relationship with the mutual adhesion is not clear, when the sealing epoxy resin composition is left to stand for a certain period of time, if the resin component near the particle electrode surface undergoes plastic deformation little by little, adjacent particles are fused together. However, it is considered that the plastic deformation is less likely to occur in the above range.

[(d)硬化促進剤]
(d)硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に使用するものを用いることができる。具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物;1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、イミダゾールなどのアミジン系化合物、ベンジルジメチルアミンなどの3級アミンや前記化合物の4級オニウム塩であるアミジニウム塩、アンモニウム塩などに代表される窒素原子含有化合物が挙げられる。これらのうち、硬化性の観点からはリン原子含有化合物が好ましく、流動性と硬化性のバランスの観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有する硬化促進剤がより好ましい。流動性という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が特に好ましく、また耐半田性の観点では、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が特に好ましく、また潜伏的硬化性という点を考慮すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が特に好ましい。また、連続成形性の観点では、テトラ置換ホスホニウム化合物が好ましい。また、コスト面を考えると、有機ホスフィン、窒素原子含有化合物も好適に用いられる。
[(D) Curing accelerator]
(D) As a hardening accelerator, what is necessary is just to accelerate | stimulate the hardening reaction of an epoxy group and a phenolic hydroxyl group, and what is generally used for a sealing material can be used. Specific examples include phosphorus-containing compounds such as organic phosphines, tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds, adducts of phosphonium compounds and silane compounds; 1,8-diazabicyclo (5 , 4, 0) Undecene-7, amidine compounds such as imidazole, tertiary amines such as benzyldimethylamine, amidinium salts that are quaternary onium salts of the above compounds, and nitrogen atom-containing compounds typified by ammonium salts. It is done. Among these, a phosphorus atom-containing compound is preferable from the viewpoint of curability, and from the viewpoint of balance between fluidity and curability, a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, a phosphonium compound A curing accelerator having a latent property such as an adduct of silane compound is more preferable. In view of fluidity, tetra-substituted phosphonium compounds are particularly preferable. From the viewpoint of solder resistance, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds are particularly preferable, and in view of latent curability. An adduct of a phosphonium compound and a silane compound is particularly preferable. Further, from the viewpoint of continuous moldability, a tetra-substituted phosphonium compound is preferable. In view of cost, organic phosphine and nitrogen atom-containing compounds are also preferably used.

本発明に係るエポキシ樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第1ホスフィン;ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第2ホスフィン;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第3ホスフィンが挙げられる。   Examples of the organic phosphine that can be used in the epoxy resin composition according to the present invention include a first phosphine such as ethylphosphine and phenylphosphine; a second phosphine such as dimethylphosphine and diphenylphosphine; trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, A tertiary phosphine such as triphenylphosphine can be used.

本発明に係るエポキシ樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式(1)で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the tetra-substituted phosphonium compound that can be used in the epoxy resin composition according to the present invention include compounds represented by the following general formula (1).

Figure 0006044096
Figure 0006044096

一般式(1)において、Pはリン原子を表し、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立して芳香族基又はアルキル基を表し、Aはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸のアニオンを表し、AHはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸を表し、x及びyは1〜3の整数であり、zは0〜3の整数であり、かつx=yである。   In the general formula (1), P represents a phosphorus atom, R1, R2, R3 and R4 each independently represents an aromatic group or an alkyl group, and A represents a functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group and a thiol group. Represents an anion of an aromatic organic acid having at least one of the groups in the aromatic ring, and AH is an aromatic organic having at least one functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and a thiol group in the aromatic ring Represents an acid, x and y are integers of 1 to 3, z is an integer of 0 to 3, and x = y.

一般式(1)で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるが、これに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで、水を加えると、一般式(1)で表される化合物を沈殿させることができる。一般式(1)で表される化合物において、合成時の収得率と硬化促進効果のバランスに優れるという観点では、リン原子に結合するR1、R2、R3及びR4がフェニル基であり、かつAHはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール化合物であり、かつAは該フェノール化合物のアニオンであるのが好ましい。なお、フェノール化合物とは、単環のフェノール、クレゾール、カテコール、レゾルシンや縮合多環式のナフトール、ジヒドロキシナフタレン、複数の芳香環を備える(多環式の)ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、ビフェノール、フェニルフェノール、フェノールノボラックなどを概念に含むものであり、中でも水酸基を2個有するフェノール化合物が好ましく用いられる。   Although the compound represented by General formula (1) is obtained as follows, for example, it is not limited to this. First, a tetra-substituted phosphonium halide, an aromatic organic acid and a base are mixed in an organic solvent and mixed uniformly to generate an aromatic organic acid anion in the solution system. Next, when water is added, the compound represented by the general formula (1) can be precipitated. In the compound represented by the general formula (1), R1, R2, R3, and R4 bonded to the phosphorus atom are phenyl groups, and AH is bonded to the phosphorus atom from the viewpoint of excellent balance between the yield during synthesis and the curing acceleration effect. A compound having a hydroxyl group in an aromatic ring, that is, a phenol compound, and A is preferably an anion of the phenol compound. The phenol compounds are monocyclic phenol, cresol, catechol, resorcin, condensed polycyclic naphthol, dihydroxynaphthalene, (polycyclic) bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, biphenol having a plurality of aromatic rings. , Phenylphenol, phenol novolac and the like, and among them, phenol compounds having two hydroxyl groups are preferably used.

本発明に係るエポキシ樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば下記一般式(2)で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the phosphobetaine compound that can be used in the epoxy resin composition according to the present invention include compounds represented by the following general formula (2).

Figure 0006044096
Figure 0006044096

一般式(2)において、X1は炭素数1〜3のアルキル基を表し、Y1はヒドロキシル基を表し、aは0〜5の整数であり、bは0〜4の整数である。   In General formula (2), X1 represents a C1-C3 alkyl group, Y1 represents a hydroxyl group, a is an integer of 0-5, b is an integer of 0-4.

一般式(2)で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。   The compound represented by the general formula (2) is obtained, for example, as follows. First, it is obtained through a step of bringing a triaromatic substituted phosphine, which is a third phosphine, into contact with a diazonium salt and replacing the triaromatic substituted phosphine with a diazonium group of the diazonium salt. However, the present invention is not limited to this.

本発明に係るエポキシ樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば下記一般式(3)で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the adduct of a phosphine compound and a quinone compound that can be used in the epoxy resin composition according to the present invention include compounds represented by the following general formula (3).

Figure 0006044096
Figure 0006044096

一般式(3)において、Pはリン原子を表し、R5、R6及びR7は、互いに独立して、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数6〜12のアリール基を表し、R8、R9及びR10は、互いに独立して、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、R8とR9は互いに結合して環を形成していてもよい。   In General formula (3), P represents a phosphorus atom, R5, R6, and R7 represent a C1-C12 alkyl group or a C6-C12 aryl group mutually independently, R8, R9, and R10 independently represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R8 and R9 may be bonded to each other to form a ring.

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス(アルキルフェニル)ホスフィン、トリス(アルコキシフェニル)ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス(ベンジル)ホスフィン等の芳香環に無置換又はアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては1〜6の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。   Examples of the phosphine compound used as an adduct of a phosphine compound and a quinone compound include an aromatic ring such as triphenylphosphine, tris (alkylphenyl) phosphine, tris (alkoxyphenyl) phosphine, trinaphthylphosphine, and tris (benzyl) phosphine. Those having a substituent such as a substituent or an alkyl group or an alkoxyl group are preferred, and examples of the substituent such as an alkyl group and an alkoxyl group include those having 1 to 6 carbon atoms. From the viewpoint of availability, triphenylphosphine is preferable.

またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、o−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもp−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。   In addition, examples of the quinone compound used for the adduct of the phosphine compound and the quinone compound include o-benzoquinone, p-benzoquinone, and anthraquinones. Among them, p-benzoquinone is preferable from the viewpoint of storage stability.

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。   As a method for producing an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, the adduct can be obtained by contacting and mixing in a solvent capable of dissolving both organic tertiary phosphine and benzoquinone. The solvent is preferably a ketone such as acetone or methyl ethyl ketone, which has low solubility in the adduct. However, the present invention is not limited to this.

一般式(3)で表される化合物において、リン原子に結合するR5、R6及びR7がフェニル基であり、かつR8、R9及びR10が水素原子である化合物、すなわち1,4−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が硬化したエポキシ樹脂組成物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。   In the compound represented by the general formula (3), R5, R6 and R7 bonded to the phosphorus atom are phenyl groups, and R8, R9 and R10 are hydrogen atoms, that is, 1,4-benzoquinone and triphenyl The compound to which phosphine is added is preferable in that it reduces the thermal elastic modulus of the cured epoxy resin composition.

本発明に係るエポキシ樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式(4)で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the adduct of a phosphonium compound and a silane compound that can be used in the epoxy resin composition according to the present invention include compounds represented by the following general formula (4).

Figure 0006044096
Figure 0006044096

一般式(4)において、Pはリン原子を表し、Siは珪素原子を表す。R11、R12、R13及びR14は、互いに独立して、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、X2は、基Y2及びY3と結合する有機基である。X3は、基Y4及びY5と結合する有機基である。Y2及びY3は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y2及びY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Y4及びY5はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y4及びY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。X2、及びX3は互いに同一であっても異なっていてもよく、Y2、Y3、Y4、及びY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。Z1は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。   In General formula (4), P represents a phosphorus atom and Si represents a silicon atom. R11, R12, R13 and R14 each independently represent an organic group having an aromatic ring or a heterocyclic ring, or an aliphatic group, and X2 is an organic group bonded to the groups Y2 and Y3. X3 is an organic group bonded to the groups Y4 and Y5. Y2 and Y3 represent a group formed by releasing a proton from a proton donating group, and groups Y2 and Y3 in the same molecule are bonded to a silicon atom to form a chelate structure. Y4 and Y5 represent a group formed by releasing a proton from a proton donating group, and groups Y4 and Y5 in the same molecule are bonded to a silicon atom to form a chelate structure. X2 and X3 may be the same or different from each other, and Y2, Y3, Y4, and Y5 may be the same or different from each other. Z1 is an organic group having an aromatic ring or a heterocyclic ring, or an aliphatic group.

一般式(4)において、R11、R12、R13及びR14としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等の置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。   In the general formula (4), examples of R11, R12, R13, and R14 include phenyl group, methylphenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group, naphthyl group, hydroxynaphthyl group, benzyl group, methyl group, ethyl group, n-butyl group, n-octyl group, cyclohexyl group, and the like. Among these, an aromatic group having a substituent such as phenyl group, methylphenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, or the like. A substituted aromatic group is more preferred.

また、一般式(4)において、X2は、Y2及びY3と結合する有機基である。同様に、X3は、基Y4及びY5と結合する有機基である。Y2及びY3はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y2及びY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にY4及びY5はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y4及びY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基X2及びX3は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Y2、Y3、Y4、及びY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式(4)中の−Y2−X2−Y3−、及び−Y4−X3−Y5−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを2個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、好ましくは分子内にカルボキシル基または水酸基を少なくとも2個有する有機酸が好ましく、さらに芳香環を構成する炭素上にカルボキシル基または水酸基を少なくとも2個有する芳香族化合物が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素上に水酸基を少なくとも2個有する芳香族化合物がより好ましい。例えば、カテコール、ピロガロール、1,2−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、2,2'−ビフェノール、1,1'−ビ−2−ナフトール、サリチル酸、1−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、2−ヒドロキシベンジルアルコール、1,2−シクロヘキサンジオール、1,2−プロパンジオール及びグリセリン等が挙げられる。これらの中でも、原料入手の容易さと硬化促進効果のバランスという観点では、カテコール、1,2−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。   Moreover, in General formula (4), X2 is an organic group couple | bonded with Y2 and Y3. Similarly, X3 is an organic group bonded to the groups Y4 and Y5. Y2 and Y3 are groups formed by proton-donating groups releasing protons, and groups Y2 and Y3 in the same molecule are combined with a silicon atom to form a chelate structure. Similarly, Y4 and Y5 are groups formed by proton-donating groups releasing protons, and groups Y4 and Y5 in the same molecule are combined with a silicon atom to form a chelate structure. The groups X2 and X3 may be the same or different from each other, and the groups Y2, Y3, Y4, and Y5 may be the same or different from each other. The groups represented by -Y2-X2-Y3- and -Y4-X3-Y5- in general formula (4) are composed of groups in which a proton donor releases two protons. The proton donor is preferably an organic acid having at least two carboxyl groups or hydroxyl groups in the molecule, and further an aromatic group having at least two carboxyl groups or hydroxyl groups on the carbon constituting the aromatic ring. A compound is preferable, and an aromatic compound having at least two hydroxyl groups on adjacent carbons constituting an aromatic ring is more preferable. For example, catechol, pyrogallol, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,2′-biphenol, 1,1′-bi-2-naphthol, salicylic acid, 1-hydroxy-2-naphthoic acid, 3 -Hydroxy-2-naphthoic acid, chloranilic acid, tannic acid, 2-hydroxybenzyl alcohol, 1,2-cyclohexanediol, 1,2-propanediol, glycerin and the like. Among these, catechol, 1,2-dihydroxynaphthalene, and 2,3-dihydroxynaphthalene are more preferable from the viewpoint of easy availability of raw materials and a curing acceleration effect.

また、一般式(4)中のZ1は、芳香環又は複素環を有する有機基又は脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基等の反応性置換基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。   Z1 in the general formula (4) represents an organic group or an aliphatic group having an aromatic ring or a heterocyclic ring. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and a hexyl group. Reactions such as aliphatic hydrocarbon groups such as octyl group and aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group, benzyl group, naphthyl group and biphenyl group, glycidyloxypropyl group, mercaptopropyl group, aminopropyl group and vinyl group Among them, a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, a naphthyl group, and a biphenyl group are more preferable from the viewpoint of thermal stability.

ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、2,3−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。   As a method for producing an adduct of a phosphonium compound and a silane compound, a silane compound such as phenyltrimethoxysilane and a proton donor such as 2,3-dihydroxynaphthalene are added to a flask containing methanol and dissolved, and then room temperature. Sodium methoxide-methanol solution is added dropwise with stirring. Furthermore, when a solution prepared by dissolving a tetra-substituted phosphonium halide such as tetraphenylphosphonium bromide in methanol in methanol is added dropwise with stirring at room temperature, crystals are precipitated. The precipitated crystals are filtered, washed with water, and vacuum dried to obtain an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. However, it is not limited to this.

硬化促進剤全体の配合割合の下限値は、全樹脂組成物中0.1質量%以上であることが好ましい。硬化促進剤全体の配合割合の下限値が上記範囲内であると、充分な硬化性を得ることができる。また、硬化促進剤全体の配合割合の上限値は、全樹脂組成物中1質量%以下であることが好ましい。硬化促進剤全体の配合割合の上限値が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。また、融け性を向上させるため、用いる硬化促進剤の種類に応じて配合割合を適宜調整することが望ましい。   The lower limit of the blending ratio of the entire curing accelerator is preferably 0.1% by mass or more in the total resin composition. Sufficient curability can be obtained when the lower limit of the blending ratio of the entire curing accelerator is within the above range. Moreover, it is preferable that the upper limit of the mixture ratio of the whole hardening accelerator is 1 mass% or less in all the resin compositions. Sufficient fluidity can be obtained when the upper limit of the blending ratio of the entire curing accelerator is within the above range. In order to improve the meltability, it is desirable to adjust the blending ratio as appropriate according to the type of curing accelerator used.

[(e)カップリング剤]
(e)カップリング剤としては、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム/ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を用いることができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−[ビス(β−ヒドロキシエチル)]アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(β−アミノエチル)アミノプロピルジメトキシメチルシラン、N−(トリメトキシシリルプロピル)エチレンジアミン、N−(ジメトキシメチルシリルイソプロピル)エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−トリエトキシリル−N−(1,3−ジメチルーブチリデン)プロピルアミンの加水分解物等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチル−アミノエチル)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート等のチタネート系カップリング剤などが挙げられ、これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[(E) Coupling agent]
(E) As coupling agents, various known silane compounds such as epoxy silane, mercapto silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, vinyl silane, titanium compounds, aluminum chelates, aluminum / zirconium compounds, etc. An agent can be used. Examples of these include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxy. Silane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane Vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-anilinopropylmethyldimethoxysilane, γ [Bis (β-hydroxyethyl)] aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, N -Β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ- (β-aminoethyl) aminopropyldimethoxymethylsilane, N- (trimethoxysilylpropyl) Ethylenediamine, N- (dimethoxymethylsilylisopropyl) ethylenediamine, methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloro Propyl trimeth Sisilane, hexamethyldisilane, vinyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-triethoxylyl-N- (1,3-dimethyl) Silane coupling agents such as hydrolyzate of rubylidene) propylamine, isopropyltriisostearoyl titanate, isopropyltris (dioctylpyrophosphate) titanate, isopropyltri (N-aminoethyl-aminoethyl) titanate, tetraoctylbis ( Ditridecyl phosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxy Siacetate titanate, bis (dioctylpyrophosphate) ethylene titanate, isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl dimethacrylisostearoyl titanate, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyl isostearoyl diacryl titanate, isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate, isopropyl tric Examples include titanate coupling agents such as milphenyl titanate and tetraisopropyl bis (dioctyl phosphite) titanate, and these may be used alone or in combination of two or more.

(e)カップリング剤の配合量は、(c)無機フィラーに対して0.05質量%以上3質量%以下であることが好ましく、0.1質量%以上2.5質量%以下がより好ましい。0.05質量%以上とすることで、フレームを良好に接着することができ、3質量%以下とすることで、成形性を向上させることができる。   (E) The blending amount of the coupling agent is preferably 0.05% by mass or more and 3% by mass or less, and more preferably 0.1% by mass or more and 2.5% by mass or less with respect to (c) the inorganic filler. . By setting it as 0.05 mass% or more, a flame | frame can be adhere | attached favorably, and a moldability can be improved by setting it as 3 mass% or less.

本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記の成分以外に、必要に応じて、カーボンブラック等の着色剤;天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤;シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤;ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤;水酸化アルミニウム等の難燃剤;酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。   In the epoxy resin composition of the present invention, in addition to the above components, if necessary, a colorant such as carbon black; a release agent such as natural wax, synthetic wax, higher fatty acid or metal salt thereof, paraffin, oxidized polyethylene, etc. A low stress agent such as silicone oil and silicone rubber; an ion scavenger such as hydrotalcite; a flame retardant such as aluminum hydroxide; and various additives such as an antioxidant.

本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記成分を混合混練した後、粉砕,造粒,押出切断,篩分等の各種の手法を単独または組み合わせることにより、粉粒状にすることができる。例えば、各原料成分をミキサーで予備混合後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、複数の小孔を有する円筒状外周部と円盤状の底面から構成される回転子の内側に、溶融混練された樹脂組成物を供給し、その樹脂組成物を、回転子を回転させて得られる遠心力によって小孔を通過させて得る方法(以下、「遠心製粉法」とも言う。);前記と同様の混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物としたものを、篩を用いて粗粒と微紛の除去を行って得る方法(以下、「粉砕篩分法」とも言う。);各原料成分をミキサーで予備混合後、スクリュー先端部に小径を複数配置したダイを設置した押出機を用いて、加熱混練を行うとともに、ダイに配置された小孔からストランド状に押し出されてくる溶融樹脂をダイ面に略平行に摺動回転するカッターで切断して得る方法(以下、「ホットカット法」とも言う。)等が挙げられる。いずれの方法でも混練条件、遠心条件、篩分条件、切断条件等を選ぶことにより本発明の粒度分布や、嵩密度を得ることができる。特に好ましい製法としては、遠心製粉法であり、これにより得られる粉粒状のエポキシ樹脂組成物は、本発明の粒度分布や、嵩密度を安定して発現させることができるため、搬送路上での搬送性や固着防止に対して好ましい。また、遠心製粉法では、粒子表面をある程度滑らかにすることができるため、粒子同士が引っかかったり、搬送路面との摩擦抵抗が大きくなったりすることもなく、搬送路への供給口でのブリッジ(詰まり)の防止、搬送路上での滞留の防止に対しても好ましい。また、遠心製粉法では、溶融した状態から遠心力を用いて形成させるため、粒子内に空隙がある程度含まれた状態となり、嵩密度をある程度低くできるため、圧縮成形における搬送性に関して有利である。   The epoxy resin composition of the present invention can be made into a granular form by mixing and kneading the above components, and then using various methods such as pulverization, granulation, extrusion cutting, and sieving alone or in combination. For example, after each raw material component is premixed by a mixer, heated and kneaded by a kneader such as a roll, a kneader, or an extruder, the inside of a rotor composed of a cylindrical outer peripheral portion having a plurality of small holes and a disk-shaped bottom surface In addition, a method in which a melt-kneaded resin composition is supplied and the resin composition is obtained by passing through small holes by centrifugal force obtained by rotating a rotor (hereinafter also referred to as “centrifugal milling”). A method of obtaining a pulverized product after kneading, cooling, and pulverizing steps as described above, by removing coarse particles and fine particles using a sieve (hereinafter, also referred to as “pulverization sieving method”). ; After premixing each raw material component with a mixer, using an extruder equipped with a die having a plurality of small diameters at the tip of the screw, the mixture is heated and kneaded and extruded into a strand from the small holes arranged in the die. Slide the molten resin almost parallel to the die surface. Methods that may be cut by rotating cutter (hereinafter, also referred to as "hot cut method".), And the like. In any method, the particle size distribution and bulk density of the present invention can be obtained by selecting kneading conditions, centrifugal conditions, sieving conditions, cutting conditions, and the like. A particularly preferable production method is centrifugal milling, and the powdered epoxy resin composition obtained thereby can stably express the particle size distribution and bulk density of the present invention, so that it can be conveyed on a conveyance path. It is preferable for property and prevention of sticking. In addition, in the centrifugal milling method, the particle surface can be smoothed to some extent, so that the particles are not caught and the frictional resistance with the surface of the conveying path does not increase, and the bridge ( This is also preferable for prevention of clogging) and prevention of retention on the conveyance path. In addition, since the centrifugal milling method is formed using a centrifugal force from a melted state, the particles are in a state where voids are included to some extent, and the bulk density can be lowered to some extent, which is advantageous in terms of transportability in compression molding.

一方、粉砕篩分法は、篩分により発生する多量の微粉及び粗粒の処理方法を検討する必要はあるものの、篩分装置等はエポキシ樹脂組成物の既存製造ラインで使用されているものであるため、従来の製造ラインをそのまま使用できる点で好ましい。また、粉砕篩分法は、粉砕前に溶融樹脂をシート化する際のシート厚の選択、粉砕時の粉砕条件やスクリーンの選択、篩分時の篩の選択等、本発明の粒度分布を発現させるため独立して制御可能な因子が多いため、所望の粒度分布に調整するための手段の選択肢が多い点で好ましい。また、ホットカット法も、例えば、押出機の先端にホットカット機構を付加する程度で、従来の製造ラインをそのまま利用できる点で好ましい。本発明の粉粒状の封止用エポキシ樹脂組成物を得るための製法の一例である遠心製粉法については、例えば、特開2010−159400号公報に記載の方法がある。   On the other hand, in the pulverization sieving method, it is necessary to examine a method for treating a large amount of fine powder and coarse particles generated by sieving, but the sieving equipment is used in the existing production line for epoxy resin compositions. Therefore, it is preferable in that a conventional production line can be used as it is. The pulverization sieving method expresses the particle size distribution of the present invention, such as selection of sheet thickness when forming a molten resin sheet before pulverization, selection of pulverization conditions and screen during pulverization, selection of sieving during sieving, etc. Therefore, since there are many factors that can be controlled independently, it is preferable in that there are many choices of means for adjusting to a desired particle size distribution. The hot cut method is also preferable in that a conventional production line can be used as it is, for example, by adding a hot cut mechanism to the tip of the extruder. As a centrifugal milling method which is an example of a production method for obtaining the powdery epoxy resin composition for sealing of the present invention, for example, there is a method described in JP 2010-159400 A.

次に、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて圧縮成形により半導体素子を封止してなる本発明の半導体装置について説明する。まず、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて圧縮成形により半導体素子を封止して半導体装置を得る方法を説明する。本発明のエポキシ樹脂組成物の秤量及び金型キャビティへの供給方法の概念図を図1、2に示す。粉粒状のエポキシ樹脂組成物を瞬時に下型キャビティ104内に供給することができるシャッター等の樹脂材料供給機構を備えた樹脂材料供給容器102上に、振動フィーダー101等の搬送手段を用いて粉粒状の樹脂組成物103を一定量搬送し、粉粒状の樹脂組成物103が入れられた樹脂材料供給容器102を準備する(図1参照。)。この際、樹脂材料供給容器102における粉粒状の樹脂組成物103の計量は、樹脂材料供給容器102の下に設置した計量手段により行うことができる。次に、圧縮成形金型の上型と下型の間に、粉粒状の樹脂組成物103が入れられた樹脂材料供給容器102を設置するとともに、半導体素子を搭載したリードフレーム又は回路基板を、クランプ、吸着等の固定手段により圧縮成形金型の上型に、半導体素子搭載面が下側になるようにして固定する(図示せず。)。尚、リードフレーム又は回路基板が貫通する部分のある構造の場合は、半導体素子搭載面の反対側の面にフィルム等を用いて裏打ちをする。   Next, the semiconductor device of the present invention formed by sealing a semiconductor element by compression molding using the epoxy resin composition of the present invention will be described. First, a method for obtaining a semiconductor device by sealing a semiconductor element by compression molding using the epoxy resin composition of the present invention will be described. The conceptual diagram of the weighing method of the epoxy resin composition of this invention and the supply method to a mold cavity is shown in FIG. The powdered epoxy resin composition is instantaneously supplied into the lower mold cavity 104 by using a conveying means such as a vibration feeder 101 on a resin material supply container 102 having a resin material supply mechanism such as a shutter. A certain amount of the granular resin composition 103 is conveyed to prepare a resin material supply container 102 in which the granular resin composition 103 is placed (see FIG. 1). At this time, the measurement of the powdery resin composition 103 in the resin material supply container 102 can be performed by a measuring means installed under the resin material supply container 102. Next, between the upper mold and the lower mold of the compression molding mold, the resin material supply container 102 in which the granular resin composition 103 is placed is installed, and a lead frame or a circuit board on which a semiconductor element is mounted is mounted. It is fixed to the upper mold of the compression molding die by a fixing means such as clamp and suction (not shown) so that the semiconductor element mounting surface is on the lower side. In the case of a structure having a part through which the lead frame or the circuit board penetrates, the surface opposite to the semiconductor element mounting surface is backed with a film or the like.

次いで、樹脂材料供給容器102の底面を構成するシャッター等の樹脂材料供給機構により、秤量された粉粒状の樹脂組成物103を下型キャビティ104内へ供給すると(図2参照。)、粉粒状の樹脂組成物103は下型キャビティ104内で所定温度にて溶融される。さらに、樹脂材料供給容器102を金型外へ搬出したのち、必要に応じてキャビティ内を減圧下にしながら、圧縮成形機により型締めを行って、溶融した樹脂組成物が半導体素子を取り囲むようにキャビティ内に充填させ、さらに所定時間樹脂組成物を硬化させることにより、半導体素子を封止成形する。所定時間経過後、金型を開き、半導体装置の取り出しを行う。なお、キャビティ内を減圧下にして脱気成形することは必須ではないが、樹脂組成物の硬化物中のボイドを低減できるため好ましい。また、リードフレーム又は回路基板に搭載される半導体素子は、複数であってもよく、かつ積層又は並列して搭載されていてもよい。   Next, when the weighed powdery resin composition 103 is fed into the lower mold cavity 104 by a resin material feed mechanism such as a shutter that constitutes the bottom surface of the resin material feed container 102 (see FIG. 2), the powdery granule is powdery. The resin composition 103 is melted at a predetermined temperature in the lower mold cavity 104. Furthermore, after carrying out the resin material supply container 102 out of the mold, the mold is clamped by a compression molding machine while reducing the pressure inside the cavity as necessary so that the molten resin composition surrounds the semiconductor element. The semiconductor element is encapsulated by filling the cavity and further curing the resin composition for a predetermined time. After a predetermined time has elapsed, the mold is opened and the semiconductor device is taken out. It is not essential to perform deaeration molding under reduced pressure in the cavity, but it is preferable because voids in the cured product of the resin composition can be reduced. Further, the semiconductor element mounted on the lead frame or the circuit board may be plural, and may be stacked or mounted in parallel.

本発明の半導体装置で封止される半導体素子としては、特に限定されるものではなく、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられる。   The semiconductor element sealed with the semiconductor device of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and a solid-state imaging element.

本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、MAPタイプのBGA等が挙げられる。又、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)、クワッド・フラット・ノンリーデッド・パッケージ(QFN)、スモールアウトライン・ノンリーデッド・パッケージ(SON)、リードフレーム・BGA(LF−BGA)等にも適用可能である。   The form of the semiconductor device of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a ball grid array (BGA) and a MAP type BGA. Also applicable to chip size package (CSP), quad flat non-ready package (QFN), small outline non-ready package (SON), lead frame BGA (LF-BGA), etc. .

圧縮成形で樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止した本発明の半導体装置は、そのまま、或いは80℃から200℃程度の温度で、10分から10時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。   The semiconductor device of the present invention in which the semiconductor element is encapsulated with the cured resin composition by compression molding is completely cured as it is or at a temperature of about 80 ° C. to 200 ° C. for about 10 minutes to 10 hours. Later, it is mounted on an electronic device or the like.

以下に、リードフレーム又は回路基板と、リードフレーム又は回路基板上に積層又は並列して搭載された1以上の半導体素子と、リードフレーム又は回路基板と半導体素子とを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体素子とボンディングワイヤを封止する封止材とを備えた半導体装置について、図を用いて詳細に説明するが、本発明はボンディングワイヤを用いたものに限定されるものではない。   Below, a lead frame or a circuit board, one or more semiconductor elements stacked or mounted in parallel on the lead frame or the circuit board, and bonding wires for electrically connecting the lead frame or the circuit board and the semiconductor element A semiconductor device including a semiconductor element and a sealing material for sealing a bonding wire will be described in detail with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the one using a bonding wire.

図3は、本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用いて、リードフレームに搭載した半導体素子を封止して得られる半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド403上に、ダイボンド材硬化体402を介して半導体素子401が固定されている。半導体素子401の電極パッドとリードフレーム405との間はワイヤー404によって接続されている。半導体素子401は、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化体で構成される封止材406によって封止されている。   FIG. 3 is a view showing a cross-sectional structure of an example of a semiconductor device obtained by sealing a semiconductor element mounted on a lead frame using the epoxy resin composition according to the present invention. A semiconductor element 401 is fixed on the die pad 403 through a die bond material cured body 402. The electrode pad of the semiconductor element 401 and the lead frame 405 are connected by a wire 404. The semiconductor element 401 is sealed with a sealing material 406 made of a cured product of the epoxy resin composition of the present invention.

図4は、本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用いて、回路基板に搭載した半導体素子を封止して得られる半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。回路基板408上にダイボンド材硬化体402を介して半導体素子401が固定されている。半導体素子401の電極パッドと回路基板408上の電極パッドとの間はワイヤー404によって接続されている。本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化体で構成される封止材406によって、回路基板408の半導体素子401が搭載された片面側のみが封止されている。回路基板408上の電極パッド407は回路基板408上の非封止面側の半田ボール409と内部で接合されている。   FIG. 4 is a view showing a cross-sectional structure of an example of a semiconductor device obtained by sealing a semiconductor element mounted on a circuit board using the epoxy resin composition according to the present invention. A semiconductor element 401 is fixed on a circuit board 408 through a die bond material cured body 402. The electrode pad of the semiconductor element 401 and the electrode pad on the circuit board 408 are connected by a wire 404. Only one side of the circuit board 408 on which the semiconductor element 401 is mounted is sealed with a sealing material 406 made of a cured product of the epoxy resin composition of the present invention. The electrode pad 407 on the circuit board 408 is bonded to the solder ball 409 on the non-sealing surface side on the circuit board 408 inside.

なお、本発明のエポキシ樹脂組成物は、集積回路、大規模集積回路などの半導体素子に限定されず、種々の素子、例えば、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子、コンデンサ、抵抗、LEDなどを封止することができる。   The epoxy resin composition of the present invention is not limited to semiconductor elements such as integrated circuits and large-scale integrated circuits, but includes various elements such as transistors, thyristors, diodes, solid-state imaging elements, capacitors, resistors, and LEDs. It can be sealed.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
1.圧縮成形により素子を封止するために用いられる顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物であって、
(a)エポキシ樹脂と、(b)硬化剤と、(c)無機フィラーとを必須成分として含み、
温度変調示差走査熱量計を用いて測定した前記封止用エポキシ樹脂組成物の粉粒体ガラス転移温度が12℃以上35℃以下である封止用エポキシ樹脂組成物。
2.前記顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物における粒子径が2mm以上の粒子の含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して3質量%以下である1.に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
3.前記顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物における粒子径が106μm未満の粒子の含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して5質量%以下である1.または2.に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
4.前記(a)エポキシ樹脂、前記(b)硬化剤、および前記(c)無機フィラーの含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して、(a)2質量%以上22質量%以下、(b)2質量%以上16質量%以下、(c)61質量%以上、95質量%以下である1.乃至3.のいずれか一つに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
5.前記(b)硬化剤がフェノール樹脂である1.乃至4.のいずれか一つに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
6.(d)硬化促進剤をさらに含み、前記(d)硬化促進剤がテトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、及び、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択されるリン原子含有化合物である、1.乃至5.のいずれか1つに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
7.(e)カップリング剤をさらに含み、前記カップリング剤が2級アミノ基を有するシランカップリング剤である、1.乃至6.のいずれか1つに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
8.前記素子が半導体素子である、1.乃至7.のいずれか1つに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
9.1.乃至8.のいずれか1つに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、圧縮成形により素子を封止してなる電子機器。
10.1.乃至8.のいずれか1つに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、圧縮成形により素子を封止する電子機器の製造方法。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.
Hereinafter, examples of the reference form will be added.
1. A granular sealing epoxy resin composition used for sealing an element by compression molding,
Including (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) an inorganic filler as essential components,
The epoxy resin composition for sealing whose powder glass transition temperature of the said epoxy resin composition for sealing measured using the temperature modulation differential scanning calorimeter is 12 degreeC or more and 35 degrees C or less.
2. 1. Content of particles having a particle diameter of 2 mm or more in the granular sealing epoxy resin composition is 3% by mass or less based on the total amount of the sealing epoxy resin composition. The epoxy resin composition for sealing as described in 2.
3. The content of particles having a particle diameter of less than 106 μm in the granular epoxy resin composition for sealing is 5% by mass or less based on the total amount of the epoxy resin composition for sealing. Or 2. The epoxy resin composition for sealing as described in 2.
4). Content of said (a) epoxy resin, said (b) hardening | curing agent, and said (c) inorganic filler is (a) 2 mass% or more and 22 mass% with respect to the total amount of the said epoxy resin composition for sealing. Hereinafter, (b) 2% by mass to 16% by mass, (c) 61% by mass to 95% by mass. To 3. The epoxy resin composition for sealing as described in any one of these.
5. (B) the curing agent is a phenol resin; To 4. The epoxy resin composition for sealing as described in any one of these.
6). (D) a curing accelerator is further included, and the (d) curing accelerator includes a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, and an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. 1. a phosphorus atom-containing compound selected from the group To 5. The epoxy resin composition for sealing as described in any one of these.
7). (E) A coupling agent is further included, and the coupling agent is a silane coupling agent having a secondary amino group. To 6. The epoxy resin composition for sealing as described in any one of these.
8). The element is a semiconductor element; To 7. The epoxy resin composition for sealing as described in any one of these.
9.1. To 8. An electronic device formed by sealing an element by compression molding using the sealing epoxy resin composition according to any one of the above.
10.1. To 8. The manufacturing method of the electronic device which seals an element by compression molding using the epoxy resin composition for sealing as described in any one of these.

実施例、比較例で用いた成分について下記に示す。
(エポキシ樹脂)
エポキシ樹脂1::ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製NC3000)
エポキシ樹脂2:ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX4000H)
It shows below about the component used by the Example and the comparative example.
(Epoxy resin)
Epoxy resin 1 :: Phenol aralkyl type epoxy resin containing biphenylene skeleton (NC3000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Epoxy resin 2: biphenyl type epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YX4000H)

(フェノール樹脂)
フェノール樹脂1:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、MEH−7851SS)
フェノール樹脂2:フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XLC−4L)
(Phenolic resin)
Phenol resin 1: Biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin (Maywa Kasei Co., Ltd., MEH-7851SS)
Phenol resin 2: Phenol aralkyl resin containing phenylene skeleton (Mitsui Chemicals, XLC-4L)

(無機フィラー)
球状無機フィラー1:球状溶融シリカ(平均粒径16μm、比表面積2.1m/g)
球状無機フィラー2:球状溶融シリカ(平均粒径10μm、比表面積4.7m/g)
球状無機フィラー3:球状溶融シリカ(平均粒径32μm、比表面積1.5m/g)
(Inorganic filler)
Spherical inorganic filler 1: spherical fused silica (average particle size 16 μm, specific surface area 2.1 m 2 / g)
Spherical inorganic filler 2: Spherical fused silica (average particle size 10 μm, specific surface area 4.7 m 2 / g)
Spherical inorganic filler 3: spherical fused silica (average particle size 32 μm, specific surface area 1.5 m 2 / g)

球状無機フィラー1〜3中の粒子径の分布を表1に示す。   Table 1 shows the particle size distribution in the spherical inorganic fillers 1 to 3.

Figure 0006044096
Figure 0006044096

微球無機フィラー1:球状溶融シリカ(平均粒径0.5μm、比表面積6.1m/g)
微球無機フィラー2:球状溶融シリカ(平均粒径1.5μm、比表面積4.0m/g)
Fine spherical inorganic filler 1: spherical fused silica (average particle size 0.5 μm, specific surface area 6.1 m 2 / g)
Fine spherical inorganic filler 2: spherical fused silica (average particle size 1.5 μm, specific surface area 4.0 m 2 / g)

(その他の成分)
硬化促進剤:トリフェニルホスフィン
カップリング剤:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
カーボンブラック
ワックス:カルナバワックス
(Other ingredients)
Curing accelerator: Triphenylphosphine coupling agent: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane Carbon black wax: Carnauba wax

<実施例1>
表2で示す配合の封止用エポキシ樹脂組成物の原材料をスーパーミキサーにより5分間粉砕混合したのち、この混合原料を直径65mmのシリンダー内径を持つ同方向回転二軸押出機にてスクリュー回転数30rpm、100℃の樹脂温度で溶融混練した。次に、直径20cmの回転子の上方より溶融混練された樹脂組成物を2kg/hrの割合で供給し、回転子を3000rpmで回転させて得られる遠心力によって、115℃に加熱された円筒状外周部の複数の小孔(孔径2.5mm)を通過させた。その後、冷却することで顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物を得た。得られた顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物は、15℃で相対湿度を55%RHに調整した空気気流下3時間撹拌した。この封止用エポキシ樹脂組成物の性状は表2に示す。
<Example 1>
The raw material of the epoxy resin composition for sealing shown in Table 2 was pulverized and mixed with a super mixer for 5 minutes, and then the mixed raw material was rotated at 30 rpm with a co-rotating twin screw extruder having a cylinder inner diameter of 65 mm. And kneaded at a resin temperature of 100 ° C. Next, a resin composition melt-kneaded from above the rotor having a diameter of 20 cm is supplied at a rate of 2 kg / hr, and the cylindrical shape heated to 115 ° C. by centrifugal force obtained by rotating the rotor at 3000 rpm. A plurality of small holes (hole diameter: 2.5 mm) on the outer periphery were passed. Then, the granular epoxy resin composition for sealing was obtained by cooling. The obtained granular epoxy resin composition for sealing was stirred at 15 ° C. for 3 hours in an air stream adjusted to a relative humidity of 55% RH. Table 2 shows the properties of the sealing epoxy resin composition.

さらに前記封止用エポキシ樹脂組成物を縦横32cm、高さ20cmの段ボールケースにポリ袋を用いて収納、封緘し、段ボールケースをガムテープで閉じた後、1週間−5℃の冷凍庫に保存した。   Further, the sealing epoxy resin composition was stored and sealed in a cardboard case having a length and width of 32 cm and a height of 20 cm using a plastic bag, and the cardboard case was closed with gummed tape, and then stored in a freezer at -5 ° C for one week.

その後、段ボールケースを開封しないまま25℃の部屋で3時間常温戻しを行った後、圧縮成形機(TOWA株式会社製、PMC1040)の所定の位置に封止用エポキシ樹脂組成物を投入したが、塊状物は全く見られなかった。さらに振動フィーダー上、樹脂材料供給容器上、金型上にそれぞれ搬送、散布された封止用エポキシ樹脂組成物にも全く塊状物は見られなかった。   Then, after performing room temperature return in a room at 25 ° C. for 3 hours without opening the cardboard case, the sealing epoxy resin composition was charged into a predetermined position of a compression molding machine (PMA1040 manufactured by TOWA Corporation). No lumps were seen. Further, no lump was found in the sealing epoxy resin composition conveyed and dispersed on the vibration feeder, the resin material supply container, and the mold, respectively.

<実施例2、3、および5>
表2に示す配合で実施例1と同様に顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物を得た後、15℃で相対湿度を55%RHに調整した空気気流下3時間撹拌した。封止用エポキシ樹脂組成物の性状は表2に示す。
<Examples 2, 3, and 5>
After obtaining a granular epoxy resin composition for sealing with the formulation shown in Table 2 in the same manner as in Example 1, the mixture was stirred at 15 ° C. for 3 hours under an air stream adjusted to a relative humidity of 55% RH. Table 2 shows the properties of the epoxy resin composition for sealing.

さらに前記封止用エポキシ樹脂組成物を縦横32cm、高さ20cmの段ボールケースにポリ袋を用いて収納、封緘し、段ボールケースをガムテープで閉じた後、1週間−5℃の冷凍庫に保存した。   Further, the sealing epoxy resin composition was stored and sealed in a cardboard case having a length and width of 32 cm and a height of 20 cm using a plastic bag, and the cardboard case was closed with gummed tape, and then stored in a freezer at -5 ° C for one week.

その後、段ボールケースを開封しないまま25℃の部屋で3時間常温戻しを行った後、圧縮成形機(TOWA株式会社製、PMC1040)の所定の位置に封止樹脂組成物を投入したが、塊状物は全く見られなかった。さらに振動フィーダー上、樹脂材料供給容器上、金型上にそれぞれ搬送、散布された封止樹脂組成物にも全く塊状物は見られなかった。   Thereafter, after returning to room temperature in a room at 25 ° C. for 3 hours without opening the cardboard case, the sealing resin composition was put into a predetermined position of a compression molding machine (PMA1040, manufactured by TOWA Corporation). Was not seen at all. Furthermore, no lump was found in the sealing resin composition conveyed and dispersed on the vibration feeder, the resin material supply container, and the mold, respectively.

<実施例4>
表2で示す配合の封止用エポキシ樹脂組成物の原材料をスーパーミキサーにより5分間粉砕混合したのち、この混合原料を直径65mmのシリンダー内径を持つ同方向回転二軸押出機にてスクリュー回転数30RPM、100℃の樹脂温度で溶融混練し、冷却、粉砕工程を経て粉砕物とした。得られた粉砕物を、篩を用いて粗粒と微紛の除去を行って粉粒状の封止樹脂組成物を得た。得られた顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物は、15℃で相対湿度を55%RHに調整した空気気流下3時間撹拌した。封止用エポキシ樹脂組成物の性状は表2に示す。
<Example 4>
The raw material of the epoxy resin composition for sealing shown in Table 2 was pulverized and mixed for 5 minutes with a super mixer, and then this mixed raw material was rotated at 30 RPM with a co-rotating twin screw extruder having a cylinder inner diameter of 65 mm. The mixture was melt-kneaded at a resin temperature of 100 ° C., cooled, and pulverized to obtain a pulverized product. The obtained pulverized product was subjected to removal of coarse particles and fine powder using a sieve to obtain a granular sealing resin composition. The obtained granular epoxy resin composition for sealing was stirred at 15 ° C. for 3 hours in an air stream adjusted to a relative humidity of 55% RH. Table 2 shows the properties of the epoxy resin composition for sealing.

さらに前記封止用エポキシ樹脂組成物を縦横32cm、高さ20cmの段ボールケースにポリ袋を用いて収納、封緘し、段ボールケースをガムテープで閉じた後、1週間−5℃の冷凍庫に保存した。   Further, the sealing epoxy resin composition was stored and sealed in a cardboard case having a length and width of 32 cm and a height of 20 cm using a plastic bag, and the cardboard case was closed with gummed tape, and then stored in a freezer at -5 ° C for one week.

その後、段ボールケースを開封しないまま25℃の部屋で3時間常温戻しを行った後、圧縮成形機(TOWA株式会社製、PMC1040)の所定の位置に封止用エポキシ樹脂組成物を投入したが、塊状物は全く見られなかった。さらに振動フィーダー上、樹脂材料供給容器上、金型上にそれぞれ搬送、散布された封止用エポキシ樹脂組成物にも全く塊状物は見られなかった。   Then, after performing room temperature return in a room at 25 ° C. for 3 hours without opening the cardboard case, the sealing epoxy resin composition was charged into a predetermined position of a compression molding machine (PMA1040 manufactured by TOWA Corporation). No lumps were seen. Further, no lump was found in the sealing epoxy resin composition conveyed and dispersed on the vibration feeder, the resin material supply container, and the mold, respectively.

<比較例1〜3>
表2に示す配合で比較例1および3は、15℃で相対湿度を55%RHに調整した空気気流下3時間撹拌する工程を実施しなかった以外は実施例1と同様に、比較例2は15℃で相対湿度を55%RHに調整した空気気流下3時間撹拌する工程を実施しなかった以外は実施例4と同様の方法で、封止用エポキシ樹脂組成物を得た。封止用エポキシ樹脂組成物の性状は表2に示す。
<Comparative Examples 1-3>
Comparative Examples 1 and 3 with the formulation shown in Table 2 were the same as in Comparative Example 2 except that the step of stirring for 3 hours in an air stream adjusted to a relative humidity of 55% RH at 15 ° C. was not performed. Obtained an epoxy resin composition for sealing in the same manner as in Example 4 except that the step of stirring for 3 hours in an air stream adjusted to 55% RH at 15 ° C. was not performed. Table 2 shows the properties of the epoxy resin composition for sealing.

さらに前記封止用エポキシ樹脂組成物を縦横32cm、高さ20cmの段ボールケースにポリ袋を用いて収納、封緘し、段ボールケースをガムテープで閉じた後、1週間−5℃の冷凍庫に保存した。   Further, the sealing epoxy resin composition was stored and sealed in a cardboard case having a length and width of 32 cm and a height of 20 cm using a plastic bag, and the cardboard case was closed with gummed tape, and then stored in a freezer at -5 ° C for one week.

その後、段ボールケースを開封しないまま25℃の部屋で3時間常温戻しを行った後、圧縮成形機(TOWA株式会社製、PMC1040)の所定の位置に封止用エポキシ樹脂組成物を投入したところ、塊状物が見られた。さらに振動フィーダー、樹脂材料供給容器、金型上にそれぞれ搬送、散布された封止用エポキシ樹脂組成物にも塊状物が見られた。   Then, after performing room temperature return in a room at 25 ° C. for 3 hours without opening the cardboard case, the sealing epoxy resin composition was put into a predetermined position of a compression molding machine (PMA1040 manufactured by TOWA Corporation). A lump was seen. Further, a lump was observed in the sealing epoxy resin composition conveyed and dispersed on the vibration feeder, the resin material supply container, and the mold, respectively.

<評価方法>
実施例及び比較例における粉粒状の封止用エポキシ樹脂組成物を下記の方法で評価した。
<Evaluation method>
The powdery epoxy resin compositions for sealing in Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods.

1.比表面積(SSA)
(株)マウンテック製MACSORB HM−MODEL−1201を使用し、BET流動法により評価した。
1. Specific surface area (SSA)
MACSORB HM-MODEL-1201 manufactured by Mountec Co., Ltd. was used and evaluated by the BET flow method.

2.平均粒径(D50
(株)島津製作所製、SALD−7000を使用し、レーザー回折式粒度分布測定法にて評価した。D50はメジアン径である。
2. Average particle size (D 50 )
SALD-7000 manufactured by Shimadzu Corporation was used and evaluated by a laser diffraction particle size distribution measurement method. D 50 is the median diameter.

3.106μm未満の微粉量、および2mm以上の粗粒量
ロータップ振動機に備え付けた目開き2.00mm及び106μmのJIS標準篩を用いて決定した。これらの篩を20分間に亘って振動させながら40gの試料を篩に通して分級して各篩に残る粒状体や粒体の重量を計測した。このように計測した重量を分級前の試料の重量を基準にして粒径が106μm未満の微粉量及び2mm以上の粗粒量の重量比を算出した。
3. Fine powder amount of less than 106 μm and coarse particle amount of 2 mm or more It was determined using a JIS standard sieve having an aperture of 2.00 mm and 106 μm provided in a low tap vibrator. While shaking these sieves for 20 minutes, 40 g of the sample was passed through the sieve and classified, and the weight of the granules and granules remaining on each sieve was measured. Based on the weight measured in this way, the weight ratio of the amount of fine powder having a particle size of less than 106 μm and the amount of coarse particles having a particle size of 2 mm or more was calculated based on the weight of the sample before classification.

4.スパイラルフロー
低圧トランスファー成形機(コータキ精機社製、「KTS−15」)を用いて、ANSI/ASTM D 3123−72に準じたスパイラルフロー測定用金型に、175℃、注入圧力6.9MPa、保圧時間120秒の条件で、各実施例および各比較例の封止用エポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定し、これをスパイラルフロー(cm)とした。
4). Spiral Flow Using a low-pressure transfer molding machine (“KTS-15”, manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd.), a spiral flow measurement mold conforming to ANSI / ASTM D 3123-72 was maintained at 175 ° C. and injection pressure of 6.9 MPa. Under the condition of a pressure time of 120 seconds, the epoxy resin compositions for sealing of each example and each comparative example were injected, the flow length was measured, and this was defined as spiral flow (cm).

5.MDSCを用いて測定した封止用エポキシ樹脂組成物の粉粒体ガラス転移温度(Tg)
温度変調示差走査熱量計を使用し、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物(硬化前のもの)を5℃/min、大気下で測定し、JISK7121に従って値を求めた。
5. Powder glass transition temperature (Tg) of epoxy resin composition for sealing measured using MDSC
Using a temperature-modulated differential scanning calorimeter, the epoxy resin composition for sealing of the present invention (before curing) was measured at 5 ° C./min in the atmosphere, and the value was determined according to JISK7121.

6.ワイヤー変形
厚み0.5mm、幅50mm、長さ210mmの回路基板上に、厚み0.3mm、9mm角の半導体素子を銀ペーストにて接着し、幅25μm、長さ約5mmの金線ワイヤーをピッチ間隔60μmで半導体素子と回路基板に接合したものを、圧縮成形機(TOWA株式会社製、PMC1040)により一括で封止成形し、MAP成形品を得た。この際の成形条件は、金型温度175℃、成形圧力3.9MPa、硬化時間120秒で行った。次いで、得られたMAP成形品をダイシングにより個片化し、模擬半導体装置を得た。得られた模擬半導体装置におけるワイヤー流れ量を、軟X線装置(ソフテックス株式会社製、PRO−TEST−100)を用いてパッケージの対角線上にある最も長い金ワイヤー4本(長さ5mm)の平均の流れ率を測定し、ワイヤー流れ率(ワイヤー流れ量/ワイヤー長×100(%))を算出した。
6). Wire deformation On a circuit board with a thickness of 0.5 mm, a width of 50 mm, and a length of 210 mm, a semiconductor element with a thickness of 0.3 mm and a square of 9 mm is bonded with silver paste, and a gold wire wire with a width of 25 μm and a length of about 5 mm is pitched. What was joined to the semiconductor element and the circuit board at an interval of 60 μm was collectively sealed with a compression molding machine (PMA1040, manufactured by TOWA Corporation) to obtain a MAP molded product. The molding conditions at this time were a mold temperature of 175 ° C., a molding pressure of 3.9 MPa, and a curing time of 120 seconds. Next, the obtained MAP molded product was separated into pieces by dicing to obtain a simulated semiconductor device. Using the soft X-ray apparatus (PRO-TEST-100, manufactured by Softex Co., Ltd.), the wire flow rate in the obtained simulated semiconductor device is the length of the four longest gold wires (length: 5 mm) on the diagonal of the package. The average flow rate was measured, and the wire flow rate (wire flow rate / wire length × 100 (%)) was calculated.

評価結果は、表2に示す。   The evaluation results are shown in Table 2.

Figure 0006044096
Figure 0006044096

温度変調示差走査熱量計を用いて測定した封止用エポキシ樹脂組成物の粉粒体ガラス転移温度は、顆粒状の封止用エポキシ樹脂粒子同士の互着防止性を表す指標となる。MDSCによる粉粒体ガラス転移温度が特定の範囲内の値を示す場合、封止用エポキシ樹脂組成物粒子同士の互着を適正に抑制することができる。表2からも分かるように、実施例1〜5の封止用エポキシ樹脂組成物は、いずれも特定の範囲内の値を示すMDSCによる粉粒体ガラス転移温度を有している。   The granular glass transition temperature of the sealing epoxy resin composition measured using a temperature-modulated differential scanning calorimeter is an index representing the mutual adhesion prevention property between the granular sealing epoxy resin particles. When the powder glass transition temperature by MDSC shows the value in a specific range, the mutual adhesion of the epoxy resin composition particles for sealing can be suppressed appropriately. As can be seen from Table 2, the epoxy resin compositions for sealing of Examples 1 to 5 all have a powder glass transition temperature by MDSC showing a value within a specific range.

実際に、実施例に記載の材料で製造した封止用エポキシ樹脂組成物では、一定期間静置保存しても粒子同士の互着が生じなかった。また、実施例に記載の封止用エポキシ樹脂組成物には、塊状物は存在せず、ワイヤー変形量が小さかった。一方、比較例に記載の封止用エポキシ樹脂組成物では、成形機に投入する際、塊状物が散見され、金型上で塊状物が十分に溶融せず、ワイヤー変形が大きくなった。この理由は明らかではないが、比較例では静置保存している間に封止用エポキシ樹脂組成物の粒子極表面がわずかずつ塑性変形し、隣接粒子と融着していくのではないかと考えられる。   Actually, in the epoxy resin composition for sealing produced with the material described in the examples, the particles did not adhere to each other even when stored for a certain period of time. Moreover, in the epoxy resin composition for sealing described in the Examples, there was no lump and the amount of wire deformation was small. On the other hand, in the sealing epoxy resin composition described in the comparative example, when the mixture was put into a molding machine, the lump was scattered, the lump was not sufficiently melted on the mold, and the wire deformation was large. The reason for this is not clear, but in the comparative example, the particle electrode surface of the epoxy resin composition for sealing slightly plastically deforms while it is kept standing, and it is thought that it may be fused with adjacent particles. It is done.

101 振動フィーダー
102 樹脂材料供給容器
103 エポキシ樹脂組成物
104 下型キャビティ
401 半導体素子
402 ダイボンド材硬化体
403 ダイパッド
404 ワイヤー
405 リードフレーム
406 封止材
407 電極パッド
408 回路基板
409 半田ボール
101 Vibrating Feeder 102 Resin Material Supply Container 103 Epoxy Resin Composition 104 Lower Mold Cavity 401 Semiconductor Element 402 Die Bond Material Cured Body 403 Die Pad 404 Wire 405 Lead Frame 406 Sealing Material 407 Electrode Pad 408 Circuit Board 409 Solder Ball

Claims (9)

圧縮成形により素子を封止するために用いられる顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物であって、
(a)エポキシ樹脂と、(b)硬化剤と、(c)無機フィラーと、を必須成分として含み、
前記(a)エポキシ樹脂、前記(b)硬化剤、および前記(c)無機フィラーの含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して、(a)2質量%以上22質量%以下、(b)2質量%以上16質量%以下、(c)61質量%以上95質量%以下であり、
前記(c)無機フィラーが、平均粒径(D50)が5μm以上35μm以下である無機フィラー(c1)と、平均粒径(D50)が0.1μm以上5μm未満の無機フィラー(c2)とを含み、
前記無機フィラー(c1)の含有量が、前記(c)無機フィラー全体に対して、70質量%以上94質量%以下であり、かつ、前記無機フィラー(c2)の含有量が、前記(c)無機フィラー全体に対して、6質量%以上30質量%以下であり、
前記顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物における粒子径が106μm未満の粒子の含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して5質量%以下であり、
温度変調示差走査熱量計を用いて測定した前記封止用エポキシ樹脂組成物の粉粒体ガラス転移温度が12℃以上35℃以下である封止用エポキシ樹脂組成物。
A granular sealing epoxy resin composition used for sealing an element by compression molding,
Containing (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) an inorganic filler as essential components,
Content of said (a) epoxy resin, said (b) hardening | curing agent, and said (c) inorganic filler is (a) 2 mass% or more and 22 mass% with respect to the total amount of the said epoxy resin composition for sealing. Hereinafter, (b) 2 mass% or more and 16 mass% or less, (c) 61 mass% or more and 95 mass% or less,
The inorganic filler (c1) having an average particle diameter (D 50 ) of 5 μm or more and 35 μm or less, and an inorganic filler (c2) having an average particle diameter (D 50 ) of 0.1 μm or more and less than 5 μm, the (c) inorganic filler Including
Content of the said inorganic filler (c1) is 70 to 94 mass% with respect to the said (c) whole inorganic filler, and content of the said inorganic filler (c2) is said (c). 6 mass% or more and 30 mass% or less with respect to the whole inorganic filler,
The content of particles having a particle diameter of less than 106 μm in the granular epoxy resin composition for sealing is 5% by mass or less based on the total amount of the epoxy resin composition for sealing,
The epoxy resin composition for sealing whose powder glass transition temperature of the said epoxy resin composition for sealing measured using the temperature modulation differential scanning calorimeter is 12 degreeC or more and 35 degrees C or less.
前記顆粒状の封止用エポキシ樹脂組成物における粒子径が2mm以上の粒子の含有量が、前記封止用エポキシ樹脂組成物の総量に対して3質量%以下である請求項1に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。   The sealing according to claim 1, wherein the content of particles having a particle diameter of 2 mm or more in the granular epoxy resin composition for sealing is 3% by mass or less based on the total amount of the epoxy resin composition for sealing. Stopping epoxy resin composition. 前記無機フィラー(c1)の比表面積が、0.1m/g以上5.0m/g以下である請求項1または2に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for sealing according to claim 1 or 2 , wherein the inorganic filler (c1) has a specific surface area of 0.1 m 2 / g or more and 5.0 m 2 / g or less. 前記無機フィラー(c2)の比表面積が、3.0m/g以上10.0m/g以下である請求項1乃至のいずれか一項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 The specific surface area of the inorganic filler (c2) is, 3.0 m 2 / g or more 10.0 m 2 / g or less claims 1 to encapsulated epoxy resin composition according to any one of 3. 前記(b)硬化剤がフェノール樹脂である請求項1乃至のいずれか一項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for sealing according to any one of claims 1 to 4 , wherein the (b) curing agent is a phenol resin. (d)硬化促進剤をさらに含み、前記(d)硬化促進剤がテトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、及び、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択されるリン原子含有化合物である、請求項1乃至のいずれか1項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 (D) a curing accelerator is further included, and the (d) curing accelerator includes a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, and an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. The epoxy resin composition for sealing according to any one of claims 1 to 5 , which is a phosphorus atom-containing compound selected from the group. (e)カップリング剤をさらに含み、前記カップリング剤が2級アミノ基を有するシランカップリング剤である、請求項1乃至のいずれか1項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 (E) The epoxy resin composition for sealing according to any one of claims 1 to 6 , further comprising a coupling agent, wherein the coupling agent is a silane coupling agent having a secondary amino group. 前記素子が半導体素子である、請求項1乃至のいずれか1項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for sealing according to any one of claims 1 to 7 , wherein the element is a semiconductor element. 請求項1乃至のいずれか1項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、圧縮成形により素子を封止する電子機器の製造方法。 The manufacturing method of the electronic device which seals an element by compression molding using the epoxy resin composition for sealing of any one of Claims 1 thru | or 8 .
JP2012075682A 2012-03-29 2012-03-29 Epoxy resin composition for sealing and method for producing electronic device Active JP6044096B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012075682A JP6044096B2 (en) 2012-03-29 2012-03-29 Epoxy resin composition for sealing and method for producing electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012075682A JP6044096B2 (en) 2012-03-29 2012-03-29 Epoxy resin composition for sealing and method for producing electronic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013203928A JP2013203928A (en) 2013-10-07
JP6044096B2 true JP6044096B2 (en) 2016-12-14

Family

ID=49523384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012075682A Active JP6044096B2 (en) 2012-03-29 2012-03-29 Epoxy resin composition for sealing and method for producing electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6044096B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015125760A1 (en) * 2014-02-19 2015-08-27 日本化薬株式会社 Resin-modified filler, epoxy resin composition, and cured product thereof
JP2016023279A (en) * 2014-07-23 2016-02-08 住友ベークライト株式会社 Resin composition for sealing, semiconductor device and structure
KR20190059970A (en) * 2016-10-11 2019-05-31 주식회사 다이셀 Antireflective material

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09176279A (en) * 1995-12-27 1997-07-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition
JPH1149933A (en) * 1997-08-05 1999-02-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin molding material and semiconductor device
JP5182999B2 (en) * 2001-03-21 2013-04-17 住友ベークライト株式会社 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
JP5153050B2 (en) * 2004-02-12 2013-02-27 住友ベークライト株式会社 Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2006143784A (en) * 2004-11-16 2006-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2006274221A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition for optical semiconductor and semiconductor device
CN101641388B (en) * 2007-03-23 2012-11-21 住友电木株式会社 Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device using the resin composition
JP5386837B2 (en) * 2007-03-23 2014-01-15 住友ベークライト株式会社 Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
US8410619B2 (en) * 2008-12-10 2013-04-02 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Granular epoxy resin composition for encapsulating semiconductor, semiconductor device using the same and method for producing semiconductor device
MY152389A (en) * 2008-12-10 2014-09-15 Sumitomo Bakelite Co Resin composition for encapsulating semiconductor, method for producing semiconductor device and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013203928A (en) 2013-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6225897B2 (en) Sealing resin composition packing method, packing material and transportation method
JP6303373B2 (en) Mold underfill material for compression molding, semiconductor package, structure, and method of manufacturing semiconductor package
TWI572655B (en) Resin composition and semiconductor device
JP6551499B2 (en) Semiconductor molding resin material for compression molding and semiconductor device
JP2019151408A (en) Conveying method of sealing resin composition, and packaging material thereof
JP6044096B2 (en) Epoxy resin composition for sealing and method for producing electronic device
JP6950299B2 (en) Resin composition for encapsulant and electronic device using it
JP5874327B2 (en) Epoxy resin composition for sealing, and method for producing electronic device using the same
JP2014133830A (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and single-sided encapsulation type semiconductor device
JP5857598B2 (en) Method for producing resin composition
JP2018024770A (en) Sealing resin composition, and semiconductor device
JP7139598B2 (en) Method for producing encapsulating resin composition and method for producing electronic device
JP6339060B2 (en) Epoxy resin composition for sealing, and method for producing electronic device using the same
JP2013075939A (en) Method for production of resin composition, resin composition, and semiconductor apparatus
JP2017088828A (en) Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device and structure
JP2021187868A (en) Thermosetting resin composition and electronic device
JP2016023279A (en) Resin composition for sealing, semiconductor device and structure
TW201938388A (en) Resin composition for encapsulating semiconductor, semiconductor device, and method for producing resin composition for encapsulating semiconductor
CN107429041B (en) Mold underfill material for compression molding, semiconductor package, structure, and method for manufacturing semiconductor package
JP2017128657A (en) Sealing epoxy resin composition, and semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2021147453A (en) Resin composition for semiconductor sealing, and semiconductor device
TW201634516A (en) Mold underfill material for compression molding, semiconductor package, structure and method for manufacturing semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150107

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151211

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151222

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160419

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160812

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161018

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161031

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6044096

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150