JP6043841B2

JP6043841B2 - ディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部

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Publication number: JP6043841B2
Application number: JP2015148667A
Authority: JP
Inventors: 荒井　肇; 肇荒井
Original assignee: NHK Spring Co Ltd
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Filing date: 2015-07-28
Publication date: 2016-12-14
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Also published as: JP2015195079A

Description

この発明は、例えばパーソナルコンピュータ等の情報処理装置のためのディスク装置に使用されるフレキシャのインターリーブ配線部に関する。

パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジのアームに、ディスク装置用サスペンションが設けられている。

ディスク装置用サスペンションは、ベースプレートと、ロードビーム(load beam)などを備えている。ロードビームにフレキシャ(flexure)が配置されている。このフレキシャの先端付近に形成されたジンバル部に、スライダが取付けられている。スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。これらサスペンションとフレキシャなどによって、ヘッドジンバルアセンブリ（head gimbals assembly）が構成されている。

前記フレキシャは、要求される仕様に応じて様々な形態のものが実用化されている。例えば配線付フレキシャ(flexure with conductors)が知られている。配線付フレキシャの配線部は、薄いステンレス鋼板からなるメタルベースと、このメタルベース上に形成されたポリイミド等の電気絶縁材料からなる絶縁層と、この絶縁層上に形成された銅からなる複数の導体などを含んでいる。導体の一端はスライダの素子（例えばＭＲ素子）に接続されている。導体の他端はディスク装置のアンプ等に接続されている。

前記フレキシャの配線部は、アンプおよびスライダの素子とのマッチングをとる上で、また消費電力を小さくする上でも、インピーダンスを小さくすることが望まれている。また、低インダクタンス化も要求されている。さらにデータの高速転送を可能にするためには、高周波数帯域でも減衰が小さいという特性（低減衰性）も要求されている。

このような要求に対し、マルチトレース伝送線（multi-trace transmission lines）を備えた配線付フレキシャが有効である。マルチトレース伝送線を備えた配線部はインターリーブ配線部とも称されている。下記特許文献１に、インターリーブ配線部を有するフレキシャが開示されている。インターリーブ配線部を備えたフレキシャは、高周波数帯域での減衰が小さいためデータの高速転送に適している。

図１３と図１４は従来のインターリーブ配線部１００の一例を示している。このインターリーブ配線部１００は、第１の導体１０１から２本に分岐した第１分岐導体１０１ａ，１０１ｂと、第２の導体１０２から２本に分岐した第２分岐導体１０２ａ，１０２ｂとを含んでいる。図１４に示すように、メタルベース１１０上に絶縁層１１１が形成されている。この絶縁層１１１上に全ての分岐導体１０１ａ，１０１ｂ，１０２ａ，１０２ｂが配置されている。これら分岐導体１０１ａ，１０１ｂ，１０２ａ，１０２ｂはカバー樹脂層１１２によって覆われている。

米国特許第５７１７５４７号明細書

前記従来例（図１３，図１４）のインターリーブ配線部の各導体は、それぞれ２本に分岐している。しかし本発明者達の研究によれば、各導体の分岐数を増やすことによって、さらなる低インピーダンス化が図れること、そして各分岐導体間の距離を極力小さくすることにより、さらなる低インピーダンス化が可能であるという知見が得られている。

しかし従来のインターリーブ配線部のように、全ての分岐導体が同一平面上に配置されているものでは、分岐導体をエッチングあるいはめっきによって形成する際に使用するレジストの関係から、分岐導体間の距離を小さくすることに限界がある。例えば前記従来例（図１４）のように、絶縁層１１１上に全ての分岐導体１０１ａ，１０１ｂ，１０２ａ，１０２ｂが形成されている場合、各分岐導体間に形成されるレジストの幅を小さくすることに限界があるため、分岐導体間の距離Ｇ_０が１５μｍ以上となっている。

このため低インピーダンス化を図るために全ての分岐導体を絶縁層の同一平面上に配置すると、インターリーブ配線部の幅が大きくなり、配線付フレキシャのデザイン上の自由度が制約されるなどの問題が生じた。

従って本発明の目的は、低インピーダンス化が図れるとともに、幅が大きくなることを抑制できるディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部を提供することにある。

本発明は、一方の極のための第１の導体と、他方の極のための第２の導体とを有し、前記第１の導体と前記第２の導体とがそれぞれ磁気ヘッドの素子に接続されるディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部であって、開口部を有するメタルベースと、電気絶縁性の絶縁層と、前記第１の導体から分岐した一方の極の少なくとも３本の第１分岐導体と、前記第２の導体から分岐した他方の極の少なくとも２本の第２分岐導体と、電気絶縁性の第１のカバー樹脂層と、電気絶縁性の第２のカバー樹脂層とを有している。前記絶縁層は、前記メタルベースの前記開口部を含む領域に重ねて配置され、前記メタルベースと対向する第１の面およびこの第１の面とは反対側の第２の面を有している。前記第１分岐導体は、前記絶縁層の前記第２の面上にそれぞれ所定間隔を存して配置されている。前記第１のカバー樹脂層は、前記第１分岐導体と前記絶縁層を覆っている。前記第２分岐導体は、それぞれ前記第１のカバー樹脂層上で互いに隣り合う前記第１分岐導体間に配置されている。互いに隣り合う前記第１分岐導体と前記第２分岐導体との間の距離が、前記第１分岐導体と前記第２分岐導体の厚さ以下である。前記第２のカバー樹脂層は、前記第２分岐導体と前記第１のカバー樹脂層とを覆っている。

本発明の１つの実施形態において、前記第２分岐導体は、前記第１のカバー樹脂層に接する第１平面部と、該第１平面部とは反対側の第２平面部と、両側面とを有し、該両側面は、前記第１平面部から前記第２平面部に向かって両側面間の距離が大きくなるよう傾斜した形状をなしている。また前記第１分岐導体が、前記絶縁層に接する第１平面部と、該第１平面部とは反対側の第２平面部と、両側面とを有し、該両側面は、該第１分岐導体の前記第１平面部から前記第２平面部に向かって両側面間の距離が小さくなるよう傾斜した形状をなしていてもよい。

前記絶縁層は、前記第１分岐導体間の前記第２の面に形成された凹部を有し、該凹部と対応した位置に、前記第１のカバー樹脂層を間に介して前記第２分岐導体が配置されていてもよい。あるいは前記第２分岐導体の数が前記第１分岐導体よりも１つ少なく、互いに隣り合う前記第１分岐導体間にそれぞれ前記第２分岐導体が配置されていてもよい。この場合、前記第２分岐導体の幅が前記第１分岐導体の幅よりも大きくてもよい。

本発明によれば、インターリーブ配線部の低インピーダンス化が図れるとともに、インターリーブ配線部の幅が大きくなることを抑制することができる。

サスペンションを備えたディスク装置の一例を示す斜視図。図１に示されたディスク装置の一部の断面図。本発明の第１の実施形態に係るディスク装置用フレキシャを有するヘッドジンバルアセンブリの平面図。図３に示されたディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部を模式的に示す回路図。図３中のＦ５−Ｆ５線に沿うインターリーブ配線部の一部の断面図。本発明の第２の実施形態に係るインターリーブ配線部の断面図。本発明の第３の実施形態に係るインターリーブ配線部の断面図。比較例のインターリーブ配線部の断面図。前記各実施形態と比較例の作動インピーダンスを示す図。本発明の第４の実施形態に係るインターリーブ配線部の断面図。本発明の第５の実施形態に係るインターリーブ配線部の断面図。本発明の第６の実施形態に係るインターリーブ配線部の断面図。従来のインターリーブ配線部を模式的に示す回路図。図１３に示されたインターリーブ配線部の断面図。

以下に本発明の第１の実施形態について、図１から図５を参照して説明する。
図１に示すハードディスク装置（以下、ディスク装置と称する）１は、ケース２と、スピンドル３を中心に回転する磁気ディスク４と、ピボット軸５を中心に旋回可能なキャリッジ６と、キャリッジ６を旋回させるためのポジショニング用モータ７とを有している。ケース２は、図示しない蓋によって密閉される。

図２は、ディスク装置１の一部を模式的に示す断面図である。図２に示されるようにキャリッジ６は、複数（例えば３つ）のアクチュエータアーム８を有している。これらアクチュエータアーム８の先端部に、それぞれサスペンション１０が取付けられている。各サスペンション１０の先端に、磁気ヘッドを構成するスライダ１１が設けられている。

磁気ディスク４がスピンドル３を中心に高速で回転すると、磁気ディスク４とスライダ１１との間にエアベアリングが形成される。ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６を旋回させることにより、スライダ１１を磁気ディスク４の所望トラックまで移動させることができる。スライダ１１には、例えばＭＲ素子のように電気信号と磁気信号とを変換することができる素子が設けられている。これらの素子によって、磁気ディスク４の記録面に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。

図３は、サスペンション１０を備えたヘッドジンバルアセンブリの一例を示している。サスペンション１０は、ベースプレート２０と、ロードビーム２１と、ヒンジ部２２などを備えている。ベースプレート２０のボス部２０ａは、前記アクチュエータアーム８に固定される。

サスペンション１０に、配線付フレキシャ(flexure with conductors)３０が設けられている。これ以降は、配線付フレキシャ３０を単にフレキシャ３０と称する。フレキシャ３０は、ロードビーム２１に沿って配置されている。フレキシャ３０はロードビーム２１にレーザ溶接等の固定手段によって固定されている。フレキシャ３０の先端部付近に、ジンバル部として機能するタング３１が形成されている。タング３１に前記スライダ１１が取付けられている。フレキシャ３０の後部（テール部）３０ａは、アンプ３５に向かってベースプレート２０の後方に延びている。

このフレキシャ３０には、フレキシャ３０の長手方向（図３に矢印Ｌで示す方向）に延びる配線部４０が設けられている。配線部４０の一端側は、磁気ヘッドとして機能するスライダ１１の素子に接続されている。配線部４０の他端側は、図示しない回路基盤あるいは中継回路等を介してディスク装置１のアンプ３５（図３に示す）に接続される。この配線部４０は、以下に説明するインターリーブ配線部４０Ａを含んでいる。

図４は、インターリーブ配線部４０Ａを模式的に示す回路図である。図４中の矢印Ｌがフレキシャ３０の長手方向すなわちインターリーブ配線部４０Ａの長手方向である。インターリーブ配線部４０Ａは、例えばプラス極の第１の導体４１と、例えばマイナス極の第２の導体４２とを有している。第１の導体４１は３本に分岐し、それぞれ第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃをなしている。第２の導体４２は２本に分岐し、それぞれ第２分岐導体４２ａ，４２ｂをなしている。すなわち第２分岐導体４２ａ，４２ｂの数は第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃよりも１つ少ない。

図５は、インターリーブ配線部４０Ａの幅方向に沿う断面を示している。図５中の矢印Ｗがインターリーブ配線部４０Ａの幅方向、矢印Ｚはインターリーブ配線部４０Ａの厚さ方向を示している。

図５に示すようにインターリーブ配線部４０Ａは、メタルベース５０と、メタルベース５０上に形成されたポリイミド等の電気絶縁性の樹脂からなる絶縁層５１と、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと、第２分岐導体４２ａ，４２ｂと、第１のカバー樹脂層６１と、第２のカバー樹脂層６２とを含んでいる。カバー樹脂層６１，６２は、例えばポリイミド等の電気絶縁性を有する樹脂からなる。メタルベース５０には開口部５０ａが形成されている。開口部５０ａはフレキシャ３０の長手方向に延びている。

メタルベース５０は例えばステンレス鋼板等の金属板からなる。メタルベース５０の厚さはロードビーム２１の厚さよりも小さく、１５〜２０μｍ（例えば１８μｍ）である。ロードビーム２１の厚さは、例えば３０〜６２μｍである。

第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃの幅Ｗ１の一例は、それぞれ３０μｍである。第２分岐導体４２ａ，４２ｂの幅Ｗ２の一例は、それぞれ４５μｍである。すなわち第２分岐導体４２ａ，４２ｂの幅Ｗ２は、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃの幅Ｗ１よりも大きい。第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと第２分岐導体４２ａ，４２ｂの厚さは、それぞれ、例えば５μｍである。第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと第２分岐導体４２ａ，４２ｂの断面は、それぞれ、ほぼ長方形である。絶縁層５１の厚さは、例えば１０μｍである。カバー樹脂層６１，６２の厚さは、例えば４μｍである。

絶縁層５１は、メタルベース５０の開口部５０ａを覆う領域に重ねて配置されている。この絶縁層５１は、メタルベース５０と対向する第１の面５１ａと、第１の面５１ａとは反対側に位置する第２の面５１ｂとを有している。

図５に示されるように第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、絶縁層５１の第２の面５１ｂ上に互いに所定間隔（例えば５５μｍ）を存してほぼ平行に配置されている。これら第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと絶縁層５１は、第１のカバー樹脂層６１によって覆われている。

第２分岐導体４２ａ，４２ｂは、第１のカバー樹脂層６１上に形成されている。一対の第２分岐導体４２ａ，４２ｂのうち、一方の第２分岐導体４２ａは、互いに隣り合う第１分岐導体４１ａ，４１ｂ間に互いにほぼ平行に配置されている。他方の第２分岐導体４２ｂは、互いに隣り合う第１分岐導体４１ｂ，４１ｃ間に互いにほぼ平行に配置されている。第２分岐導体４２ａ，４２ｂと第１のカバー樹脂層６１は、第２のカバー樹脂層６２によって覆われている。

第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと第２分岐導体４２ａ，４２ｂは、例えばめっき銅などの高導電率の金属からなる。第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、絶縁層５１の第２の面５１ｂに沿って所定のパターンとなるように、例えばめっきによって形成されている。第２分岐導体４２ａ，４２ｂは、第１のカバー樹脂層６１に沿って所定のパターンとなるように、例えばめっきによって形成されている。第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと第２分岐導体４２ａ，４２ｂは、互いにほぼ平行に配置され、かつ、インターリーブ配線部４０Ａの長手方向Ｌ（基準配線方向）に沿って、フレキシャ３０の長手方向に延びている。

次に、インターリーブ配線部４０Ａの製造工程について説明する。
絶縁層５１上に所定パターンの第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃをめっきまたはエッチングによって形成する。そののち、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと絶縁層５１を覆うために第１のカバー樹脂層６１をコーティングする。そののち、第１のカバー樹脂層６１上に、第２分岐導体４２ａ，４２ｂのパターンに対応したレジストを形成する。

このレジストは、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃを覆っている第１のカバー樹脂層６１上に形成される。このため、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃから第２分岐導体４２ａ，４２ｂまでの距離が十分近付くようにレジストを形成することができる。このため、第１のカバー樹脂層６１上に形成される第２分岐導体４２ａ，４２ｂから第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃまでの距離（図５に示す導体間距離Ｇ１）を、例えば３〜５μｍの小さな値にすることが可能である。このように導体間距離Ｇ１を小さくすることにより、インターリーブ配線部４０Ａのインピーダンスを大幅に下げることができる。

本実施形態では、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃの厚さ（例えば５μｍ）と第２分岐導体４２ａ，４２ｂの厚さ（例えば５μｍ）がそれぞれ等しく、かつ、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと第２分岐導体４２ａ，４２ｂとの間の距離（導体間距離Ｇ１）を前記厚さ以下（例えば３〜５μｍ）としている。

第２分岐導体４２ａ，４２ｂがめっきによって第１のカバー樹脂層６１上に形成されたのち、第２分岐導体４２ａ，４２ｂと第１のカバー樹脂層６１を覆うために第２のカバー樹脂層６２をコーティングする。

図６は、本発明の第２の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｂを示している。このインターリーブ配線部４０Ｂの第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´は、断面が逆台形状をなしている。すなわち図６に示す第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´は、第１のカバー樹脂層６１に接する第１平面部７１と、第１平面部７１とは反対側の第２平面部７２と、両側面７３，７４とを有し、この両側面７３，７４は、第１平面部７１から第２平面部７２に向かって両側面７３，７４間の距離が大きくなるよう傾斜した形状をなしている。このため、第１平面部７１の幅Ｗ３は第２平面部７２の幅Ｗ４よりも小さい。Ｗ３の一例は４５μｍであり、Ｗ４の一例は５５μｍである。第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃの断面は長方形であり、幅Ｗ１の一例は３０μｍである。

このように構成されたインターリーブ配線部４０Ｂによれば、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´との間の距離（導体間距離）を、第１の実施形態の導体間距離Ｇ１よりも小さくすることが可能である。それ以外の構成は第１の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ（図５）と同様であるため、第１の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図７は、本発明の第３の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｃを示している。このインターリーブ配線部４０Ｃの第１分岐導体４１ａ´，４１ｂ´，４１ｃ´は、断面が台形状をなしている。すなわち図７に示す第１分岐導体４１ａ´，４１ｂ´，４１ｃ´は、それぞれ、絶縁層５１に接する第１平面部８１と、第１平面部８１とは反対側の第２平面部８２と、両側面８３，８４とを有し、この両側面８３，８４は、第１平面部８１から第２平面部８２に向かって両側面８３，８４間の距離が小さくなるよう傾斜した形状をなしている。このため第２平面部８２の幅Ｗ６が第１平面部８１の幅Ｗ５よりも小さい。Ｗ５の一例は３０μｍ、Ｗ６の一例は２３μｍである。第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´は、第２の実施形態と同様に断面が逆台形状をなしており、第１平面部７１の幅Ｗ３が第２平面部７２の幅Ｗ４よりも小さい。Ｗ３の一例は４５μｍ、Ｗ４の一例は６２μｍである。

このように構成されたインターリーブ配線部４０Ｃによれば、第１分岐導体４１ａ´，４１ｂ´，４１ｃ´と第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´との間の距離（導体間距離）を、第２の実施形態よりもさらに小さくすることが可能である。それ以外の構成は第２の実施形態のインターリーブ配線部４０Ｂ（図６）と同様であるため、第２の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図８は、比較例のインターリーブ配線部１００Ａを示している。このインターリーブ配線部１００Ａは、低インピーダンス化を図るために、３本の第１分岐導体１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと、３本の第２分岐導体１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃとを有している。開口部１１０ａを有するメタルベース１１０上に絶縁層１１１が形成されている。そして全ての分岐導体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃが絶縁層１１１上に配置されている。この場合、めっきあるいはエッチングによって分岐導体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを形成する際に使用するレジストの幅を小さくすることに限界があるため、分岐導体間の距離Ｇ_０が１５μｍ以上となっている。

図９のＥＸ１〜ＥＸ４は、それぞれ前記第１〜第３の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃと、比較例のインターリーブ配線部１００Ａの作動インピーダンスとを示している。比較例（図８）のインターリーブ配線部１００Ａは、約１６オームと低い値である。しかし分岐導体間の距離Ｇ_０が１５μｍ以上と大きいため、インピーダンスを小さくするには各分岐導体の幅を大きくする必要があり、配線部１００Ａの幅Ｗ８が５５４μｍと大きくなってしまっている。

第１，第２，第３の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの作動インピーダンスは、それぞれ１９オーム、１５オーム、１４オームであり、低インピーダンス化が図れている。配線部の幅に関しては、第１，第２，第３の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの幅Ｗ７は２６０μｍであり、比較例の幅Ｗ８の半分以下となっている。これは第１，第２，第３の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの導体間距離Ｇ１が５μｍ以下と、比較例の導体間距離Ｇ_０（１５μｍ）の３分の１以下であることによる。

図１０は、本発明の第４の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｄを示している。このインターリーブ配線部４０Ｄは、絶縁層５１の第２の面５１ｂに凹部９０を有している。これらの凹部９０は、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃ間に形成されている。そして第１のカバー樹脂層６１の一部が凹部９０に入り込んでいる。それぞれの凹部９０と対応した位置に、第１のカバー樹脂層６１を間に介して、第２分岐導体４２ａ，４２ｂが配置されている。

このように第４の実施形態のインターリーブ配線部４０Ｄは、凹部９０に第２分岐導体４２ａ，４２ｂを配置したことにより、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと第２分岐導体４２ａ，４２ｂの高さを揃えることができる。それ以外の構成は第１の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ（図５）と同様であるため、第１の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図１１は、本発明の第５の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｅを示している。このインターリーブ配線部４０Ｅも、絶縁層５１の第２の面５１ｂに凹部９０を有している。これらの凹部９０は、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃ間に形成されている。そして第１のカバー樹脂層６１の一部が凹部９０に入り込んでいる。それぞれの凹部９０と対応した位置に、第１のカバー樹脂層６１を間に介して、第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´が配置されている。

このように第５の実施形態のインターリーブ配線部４０Ｅは、凹部９０に第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´が配置されていることにより、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃと第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´の高さを揃えることができる。それ以外の構成は第２の実施形態のインターリーブ配線部４０Ｂ（図６）と同様であるため、第２の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図１２は、本発明の第６の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｆを示している。このインターリーブ配線部４０Ｆも、絶縁層５１の第２の面５１ｂに凹部９０を有している。これらの凹部９０は、第１分岐導体４１ａ´，４１ｂ´，４１ｃ´間に形成されている。そして第１のカバー樹脂層６１の一部が凹部９０に入り込んでいる。それぞれの凹部９０と対応した位置に、第１のカバー樹脂層６１を間に介して、第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´が配置されている。

このように第６の実施形態のインターリーブ配線部４０Ｆは、凹部９０に第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´が配置されていることにより、第１分岐導体４１ａ´，４１ｂ´，４１ｃ´と第２分岐導体４２ａ´，４２ｂ´の高さを揃えることができる。それ以外の構成は第３の実施形態のインターリーブ配線部４０Ｃ（図７）と同様であるため、第３の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

以上説明したように、第１〜第６の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ〜４０Ｆによれば、低インピーダンス化を図ることができ、しかも配線部の幅を従来よりも小さくすることができる。このためインターリーブ配線部を有するフレキシャのデザイン上の自由度が大きくなるとともに、幅が小さい配線付フレキシャに用いることが可能である。

なお本発明を実施するに当たり、フレキシャを構成するメタルベースや絶縁層をはじめとして、第１および第２の導体、第１分岐導体、第２分岐導体、第１のカバー樹脂層、第２のカバー樹脂層などの発明の構成要素を、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変更して実施できることは言うまでもない。また第１分岐導体と第２の分岐導体の数が同じであってもよいし、第１分岐導体の幅と第２分岐導体の幅が同じであってもよい。

３０…フレキシャ
４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆ…インターリーブ配線部
４１…第１の導体
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ａ´，４１ｂ´，４１ｃ´…第１分岐導体
４２…第２の導体
４２ａ，４２ｂ，４２ａ´，４２ｂ´…第２分岐導体
５０…メタルベース
５０ａ…開口部
５１…絶縁層
６１…第１のカバー樹脂層
６２…第２のカバー樹脂層

Claims

一方の極のための第１の導体と、他方の極のための第２の導体とを有し、前記第１の導体と前記第２の導体とがそれぞれ磁気ヘッドの素子に接続されるディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部であって、
開口部を有するメタルベースと、
前記メタルベースの前記開口部を含む領域に重ねて配置され、前記メタルベースと対向する第１の面およびこの第１の面とは反対側の第２の面を有する電気絶縁性の絶縁層と、
前記第１の導体から分岐しかつ前記絶縁層の前記第２の面上にそれぞれ所定間隔を存して配置された一方の極の少なくとも３本の第１分岐導体と、
前記第１分岐導体と前記絶縁層を覆う電気絶縁性の第１のカバー樹脂層と、
前記第２の導体から分岐しかつ前記第１のカバー樹脂層上で互いに隣り合う前記第１分岐導体間にそれぞれ配置された他方の極の少なくとも２本の第２分岐導体と、
前記第２分岐導体と前記第１のカバー樹脂層を覆う電気絶縁性の第２のカバー樹脂層とを有し、かつ、
互いに隣り合う前記第１分岐導体と前記第２分岐導体との間の距離が、前記第１分岐導体と前記第２分岐導体の厚さ以下であることを特徴とするディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
前記第２分岐導体は、前記第１のカバー樹脂層に接する第１平面部と、該第１平面部とは反対側の第２平面部と、両側面とを有し、該両側面は、前記第１平面部から前記第２平面部に向かって両側面間の距離が大きくなるよう傾斜した形状をなしていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
前記第１分岐導体は、前記絶縁層に接する第１平面部と、該第１平面部とは反対側の第２平面部と、両側面とを有し、該両側面は、該第１分岐導体の前記第１平面部から前記第２平面部に向かって両側面間の距離が小さくなるよう傾斜した形状をなしていることを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
前記絶縁層は、前記第１分岐導体間の前記第２の面に形成された凹部を有し、該凹部と対応した位置に、前記第１のカバー樹脂層を間に介して前記第２分岐導体が配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
前記第２分岐導体の数が前記第１分岐導体よりも１つ少なく、互いに隣り合う前記第１分岐導体間に前記第２分岐導体が配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
前記第２分岐導体の幅が前記第１分岐導体の幅よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
前記第１分岐導体と前記第２分岐導体の厚さが互いに等しいことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。