JP6037721B2 - モールドの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態に係るモールドの製造方法は、基材上に遷移金属の不完全酸化物を含むレジスト層を設けてレジスト積層体を得る積層工程と、このレジスト積層体のレジスト層を相対湿度30%以下の雰囲気で露光する露光工程と、露光後のレジスト層を現像してモールドを得る現像工程とを含む。以下、各工程について説明する。
積層工程においては、任意の方法により基材上に遷移金属の不完全酸化物を含むレジスト層を成膜してレジスト積層体を作製する。積層工程においては、レジスト層は、スパッタリング法又は蒸着法により成膜することが好ましい。これにより、レジスト層を形成する遷移金属の不完全酸化物の酸化度を制御できるので、より酸化しにくい不完全酸化物組成とすることができ、成膜後の意図しない酸化反応を抑制できる。
露光工程では、レジスト積層体のレジスト層を露光装置により露光する。この露光により、レジスト層における露光領域の一部が熱反応して化学的性質が変化した熱反応領域となり、レジスト層に熱反応領域と未反応領域とが形成される。この熱反応領域と未反応領域とはアルカリ又は酸に対するエッチング速度が異なるので、いわゆる選択比が得られた状態となる。
現像工程においては、所望の現像液を用いてレジスト層の熱反応領域を選択的に溶解除去する。この結果、基材上にレジスト層の未反応領域によって構成された所定の露光パターンが形成され、レジスト原盤が得られる。
基材としては、直径2インチのガラス基板を用いた。このガラス基板上に、スパッタリング法によりタングステン(W)の不完全酸化物からなるレジスト層を成膜してレジスト積層体を形成した。スパッタリング法は、タングステン(W)の単体からなるスパッタターゲットを用い、アルゴンと酸素との混合雰囲気で実施した。タングステン(W)の不完全酸化物の酸化度合は、酸素ガス濃度を変えて制御した。
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:8mW
送りピッチ:300nm
レジスト層としてモリブデン(Mo)の3価の不完全酸化物からなるレジスト層を成膜したこと以外は実施例1と同様にしてレジスト積層体を形成した。
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:8mW
送りピッチ:500nm
実施例1と同様に、ガラス上にW1−xOxで示されるタングステン(W)の不完全酸化物からなるレジスト層を形成した。堆積したレジスト層をエネルギー分散型X線検出装置にて解析したところ、組成割合W1−xOxで表したときにx=0.62であった。得られたレジスト積層体は、露光工程まで、温度25℃、湿度30%の恒温恒湿槽内で保管した。
実施例1と同様にレジスト積層体を作成し、露光工程まで、温度25℃、湿度30%の恒温恒湿槽内で保管した。
実施例2と同様にして、ガラス上にMo1−xOxで表したときにx=0.60で示されるレジスト層を形成した。
Claims (6)
- 遷移金属の不完全酸化物を含む、熱リソグラフィ―用としての熱反応型レジスト層を相対湿度30%以下の雰囲気で露光する工程を含み、前記遷移金属の不完全酸化物が、モリブデン(Mo)とタングステン(W)の両方、またはいずれか一方の不完全酸化物であることを特徴とするモールドの製造方法。
- 前記熱反応型レジスト層が、前記遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料を含有することを特徴とする請求項1記載のモールドの製造方法。
- 前記熱反応型レジスト層が、遷移金属以外の元素を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のモールドの製造方法。
- 前記遷移金属以外の元素が、アルミニウム(Al)、炭素(C)、ホウ素(B)、シリコン(Si)、及びゲルマニウム(Ge)からなる群から選択された少なくとも1種であることを特徴とする請求項3記載のモールドの製造方法。
- 前記熱反応型レジスト層が、石英、ガラス、プラスチック、シリコン、アルミナチタンカーバイド、及びニッケルからなる群から選択された少なくとも1種からなる円筒型基材上に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のモールドの製造方法。
- 前記熱反応型レジスト層が、スパッタリング法又は蒸着法により成膜されたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のモールドの製造方法。
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