JP6037287B2 - カーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施例では、図1に示すアンテナ型プラズマCVD装置1において、基板保持部8に代えて、図3に示す基板保持手段21を用いて単層CNT集合体28,29を製造した。図3に示すアンテナ6の先端部6aと、Mo製基板保持部材22との距離は、50mmとした。
本実施例では、図1に示すアンテナ型プラズマCVD装置1において、図4に示す基板保持部8を用いた以外は、実施例1と全く同一にして単層CNT集合体を製造した。
Claims (6)
- 処理室内にカーボンナノチューブの原料となる気体を流通すると共に、該処理室内を所定の圧力に減圧し、該処理室内に保持された触媒担持基板上に化学気相成長法によりカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法において、
該触媒担持基板の触媒が担持されている面上に成長するカーボンナノチューブに対し、該カーボンナノチューブの成長方向に対向する方向に押圧力を加えることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記触媒担持基板から下方に向かって前記カーボンナノチューブを成長させるときに、下方から該カーボンナノチューブに当接される当接部材により前記押圧力を加えることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
- 請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記触媒担持基板から上方に向かって前記カーボンナノチューブを成長させるときに、上方から該カーボンナノチューブに当接される当接部材により前記押圧力を加えることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
- 請求項1〜請求項3のいずれか1項記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記処理室は天面にアンテナを備えると共に、前記触媒担持基板は該アンテナの下方に保持されており、該アンテナの先端からプラズマを発生させて、該触媒担持基板上に化学気相成長法によりカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
- 請求項4記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記触媒担持基板は、基材と、該基材の一方の表面に形成され該基材と触媒材料との反応を防止する反応防止層と、該反応防止層上に形成され該触媒材料を担持する触媒担持層と、該触媒担持層上に形成され該触媒担持層に含まれる該触媒材料を分散させる分散層とを備えることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
- 請求項4又は請求項5記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記触媒担持基板は、前記アンテナと反対側の面に触媒を担持することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
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