JP6034897B2 - The light-emitting device - Google Patents

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舜平 山崎
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発光装置、特に、プラスチック基板上に形成された有機発光素子(OLED:Organic Emitting device, particularly, an organic light emitting diode (OLED formed on a plastic substrate: Organic
Light Emitting Device)を有する発光装置に関する。 A light emitting device having a Light Emitting Device). また、該OLEDパネルにコントローラを含むIC等を実装した、OLEDモジュールに関する。 Further, mounting the IC or the like including a controller in the OLED panel, to OLED module. なお本明細書において、 In the present specification,
OLEDパネル及びOLEDモジュールを共に発光装置と総称する。 Both are collectively referred to as light emitting device OLED panels and OLED module. 本発明はさらに、該発光装置を用いた電子機器に関する。 The present invention further relates to an electronic device using the light-emitting device.

近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜(厚さ数〜数百nm程度)を用いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。 Recently, a technique for forming a thin film transistor (TFT) using a semiconductor thin film (several to several hundred nm thick) formed on a substrate having an insulating surface has attracted attention. 薄膜トランジスタはICや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。 Thin film transistors are widely applied to electronic devices such as an IC or an electro-optical device, development has been accelerated, especially as switching elements for image display devices.

このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが、特に携帯機器への利用が注目されている。 Although such an image display device applications using are expected are various, in particular attention is the use of portable devices. 現在、ガラス基板や石英基板が多く使用されているが、割れやすく、重いという欠点がある。 Currently, glass substrates and quartz substrates are often used, cracks easily, there is a disadvantage that heavy. また、大量生産を行う上で、ガラス基板や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。 In addition, in carrying out mass production, glass substrate or a quartz substrate is difficult to large-sized, it is not suitable. そのため、可撓性を有する基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上にTFT素子を形成することが試みられている。 Therefore, a substrate having flexibility, typically it has been tried to form a TFT element on a flexible plastic film.

しかしながら、プラスチックフィルムの耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のTFTを形成できないのが現状である。 However, it is inevitable to lower the maximum temperature of the process due to the low heat resistance of the plastic film, it can not form a TFT having good electrical characteristics as when eventually formed on a glass substrate at present. そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な発光素子は実現されていない。 Therefore, high-performance light-emitting element using a plastic film has not been realized.

近年、自発光型素子としてOLEDを有したアクティブマトリクス型発光装置(以下、 Recently, active matrix light-emitting device having an OLED as a self-luminous element (hereinafter,
単に発光装置と呼ぶ)の研究が活発化している。 Simply research is referred to as a light-emitting device) has been activated. 発光装置は有機発光装置(OELD:Or The light-emitting device is an organic light-emitting device (OELD: Or
ganic EL Display)又は有機ライトエミッティングダイオード(OLED:Organic Ligh ganic EL Display) or an organic light-emitting diode (OLED: Organic Ligh
t Emitting Diode)とも呼ばれている。 t Emitting Diode) and is also called.

OLEDは自ら発光するため視認性が高く、液晶表示装置(LCD)で必要なバックライトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。 OLED has high visibility for emitting light themselves, with the required backlight in a liquid crystal display device (LCD) is optimal for thinning requires no, there is no limitation on a viewing angle. そのため、OLEDを用いた発光装置は、CRTやLCDに代わる表示装置として注目されている。 Therefore, the light emitting device using the OLED has attracted attention as a display device in place of a CRT or LCD.

もし、プラスチックフィルム等の可撓性を有する基板の上に有機発光素子(OLED: If organic light emitting device on a substrate having flexibility such as a plastic film (OLED:
Organic Light Emitting Device)が形成された発光装置を作製することができれば、厚みが薄く軽量であるということに加えて、曲面を有するディスプレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。 If it is possible to manufacture a light-emitting device Organic Light Emitting Device) is formed, in addition to the fact that the thickness is is thin and light, display and having a curved surface, it can also be used such as show window or the like. よって、その用途は携帯機器のみに限られず、応用範囲は非常に広い。 Therefore, its application is not limited only to a portable device, the application range is extremely wide.

しかし、プラスチックからなる基板は、一般的に水分や酸素を透過しやすく、有機発光層はこれらのものによって劣化が促進されるので、特に発光装置の寿命が短くなりやすい。 However, a substrate made of plastic, generally tends to transmit moisture and oxygen, the organic light emitting layer is degraded by these things is promoted, especially lifetime becomes short easily emitting device. そこで従来では、プラスチック基板とOLEDの間に窒化珪素や窒化酸化珪素などからなる絶縁膜を設け、水分や酸素の有機発光層への混入を防いでいた。 Therefore, conventionally, an insulating film made of silicon nitride and silicon oxynitride between the plastic substrate and the OLED provided and is prevented from mixing into the water and oxygen of the organic light emitting layer. しかしながら、窒化珪素や窒化酸化珪素などからなる絶縁膜では水分や酸素の有機発光層への混入を十分防止することは困難であった。 However, the insulating film made of silicon nitride or silicon nitride oxide it has been difficult to sufficiently prevent the contamination of the water and oxygen of the organic light emitting layer.

加えて、プラスチックフィルム等の基板は一般的に熱に弱く、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の成膜温度を高くしすぎると、基板が変形しやすくなる。 In addition, a substrate such as a plastic film is generally weak to heat, too high a deposition temperature of the insulating film such as silicon nitride or silicon nitride oxide, and the substrate is likely to be deformed.
また、成膜温度が低すぎると膜質の低下につながり、水分や酸素の透過を十分防ぐことが難しくなる。 Further, leading to reduction in film quality film formation temperature is too low, it is difficult to prevent the permeation of moisture and oxygen sufficient.

また、プラスチックフィルム等の基板上に設けた素子を駆動する際、局所的に発熱が生じて基板の一部が変形、変質してしまうことも問題になっている。 Also, when driving the element provided on a substrate such as a plastic film, a portion of the substrate locally exotherm occurred deformation, even in question that results in altered.

さらに、水分や酸素の透過を防ぐために、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の膜厚を厚くすると、応力が大きくなり、クラック(亀裂)が入りやすくなる。 Furthermore, in order to prevent permeation of moisture or oxygen, when the film thickness of the insulating film such as silicon nitride and silicon oxynitride, stress increases, cracks (crack) is liable to enter. また、膜厚を厚くすると、基板が曲げられたときに膜にクラックが入りやすくなる。 Further, when increasing the thickness, easily cracked the membrane when the substrate is bent. また、基板を剥離する際、被剥離層が曲げられ、被剥離層にクラックが入ることもある。 Also, upon the release of the substrate, the layer to be peeled is bent, sometimes cracks in the layer to be peeled.

また、TFTは、水分や酸素に加え、アルカリ金属(Li、Cs、Na等)やアルカリ土類金属(Ca、Mg等)や他の金属元素の不純物が活性層に拡散すると特性が変化しやすい。 Further, TFT in addition to moisture and oxygen, an alkali metal (Li, Cs, Na) or alkaline earth metal (Ca, Mg, etc.) and the impurity of the other metal elements diffuse into the active layer characteristics are likely to change .

また、最終製品とした後においても、他の不純物、例えば人の汗や接続部品からの不純物が拡散し、有機発光層やTFTの活性層に混入すると、変質や劣化が促進される恐れがある。 Further, after which a final product is also to impurity diffusion from other impurities, for example, human sweat and connecting parts, when mixed in the active layer of the organic light-emitting layer and TFT, there is a possibility that the deterioration or degradation is accelerated .

本発明は上記問題に鑑み、水分や酸素やアルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物の拡散による劣化を抑えることが可能な発光装置、具体的には、プラスチック基板上に形成されたOLEDを有する発光装置の提供を課題とする。 In view of the above problems, moisture, oxygen and an alkali metal or the light-emitting device capable to suppress the deterioration due to diffusion of impurities such as alkaline earth metals, specifically, has the OLED formed on a plastic substrate providing light-emitting device to an object.

本発明は、プラスチック基板上に、酸素や水分がOLEDの有機発光層に入り込むのを防ぎ、且つアルカリ金属およびアルカリ土類金属などの不純物がTFTの活性層に入り込むのを防ぐことの可能なAlN XYで示される層からなる膜(以下、バリア膜)を設ける。 The present invention, on a plastic substrate, oxygen and moisture is prevented from entering the organic light emitting layer of the OLED, and capable of AlN of the impurities such as alkali metals and alkaline earth metals is prevented from entering the active layer of the TFT film made of a layer represented by X O Y (hereinafter, a barrier film) provided.

本明細書で開示する発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を備えた発光装置であって、前記基板に接してAlN XYで示される層が設けられていることを特徴とする発光装置である。 Structure of the invention disclosed herein, and a cathode on a substrate having an insulating surface, a light-emitting device having a light emitting element having an organic compound layer in contact with the cathode, and an anode in contact with the organic compound layer a light emitting device, wherein the layer indicated by AlN X O Y in contact with the substrate is provided.

なお、上記アルミニウムを含む窒化酸化物層は、窒素を2.5atm%〜47.5atm%含む膜であり、水分や酸素をブロッキングすることができる効果に加え、熱伝導性が高く放熱効果を有し、さらには透光性が非常に高いという特徴を有している。 Incidentally, nitride oxide layer containing the aluminum is a film containing 2.5atm% ~47.5atm% nitrogen, in addition to the advantage of being able to block moisture and oxygen, have a high heat radiation effect thermal conductivity and further has the feature that the highly translucent. 加えて、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物がTFTの活性層に入り込むのを防ぐことができる。 In addition, it is possible to impurities such as alkali metals and alkaline earth metals are prevented from entering the active layer of the TFT.

また、2枚の基板で挟んで酸素や水分がOLEDの有機発光層に入り込むのを防ぐ構成としてもよく、本発明の他の構成は、陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を第1の基板と第2の基板との間に挟んだ発光装置であって、前記第1の基板または前記第2の基板には、AlN XYで示される層が設けられ、且つ、前記発光素子は、AlN XYで示される層で覆われていることを特徴とする発光装置である。 Also may be configured to oxygen and moisture by being sandwiched two substrates is prevented from entering the organic light emitting layer of the OLED, another structure of the present invention, a cathode, and an organic compound layer in contact with the cathode, the organic a light emitting device having an anode in contact with the compound layer a light-emitting device sandwiched between the first substrate and the second substrate, the first substrate or the second substrate, AlN X O Y in the layer is provided as shown, and, the light emitting element is a light emitting apparatus characterized by being covered with a layer indicated by AlN X O Y.

さらに、2枚の基板で挟む際には接着層で基板同士を接着することになるが、両基板にバリア膜を設けても、接着層を通過して水分や酸素などの不純物が侵入してくる恐れがある。 Further, although when sandwiched between two substrates is to bond the substrates to each other with an adhesive layer, be provided with a barrier layer on both substrates, impurities such as moisture and oxygen to pass through the adhesive layer invades there is a possibility to come. そこで、上記発光素子を覆うパッシベーション膜(保護膜とも呼ぶ)としてAlN X Therefore, (also referred to as a protective film) passivation film covering the light emitting element as AlN X
Yで示される層を用い、上記発光素子をバリア膜とパッシベーション膜とで包む構造とすることが好ましい。 Using the layer represented by O Y, it is preferable that the structure surrounding the light emitting element in the barrier film and the passivation film. 加えて、上記発光素子を覆って、AlN XYで示される層からなるパッシベーション膜を2層以上設けて、さらに該2層のパッシベーション膜の間に樹脂を含む応力緩和膜(以下、応力緩和膜と呼ぶ)を設けてもよい。 In addition, to cover the light emitting device, a passivation film comprising a layer indicated by AlN X O Y provided two or more layers, the stress relaxation film further comprising a resin between the passivation film of the second layer (hereinafter, stress relaxation film and referred) may be provided. パッシベーション膜に比べて応力が小さい応力緩和膜を、応力緩和膜の間に挟むことで、全体の応力を緩和することができる。 The stress is less stress relaxation film as compared with the passivation film, by sandwiching the stress relaxation film, it is possible to relax the overall stress.

また、本発明は、プラスチック基板上に、酸素や水分がOLEDの有機発光層に入り込むのを防ぐバリア膜と、前記バリア膜よりも応力の小さい有機樹脂からなる層(応力緩和膜)との積層を設けてもよく、本発明の他の構成は、絶縁表面を有する基板上に陰極と、 Further, the present invention is laminated in on a plastic substrate, and oxygen and moisture barrier film for preventing from entering the organic light emitting layer of the OLED, a layer consisting of small organic resins stress than the barrier layer and (stress relaxation film) may be the provided, another structure of the present invention comprises a cathode on a substrate having an insulating surface,
該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を備えた発光装置であって、前記基板に接してAlN XYで示される層と有機樹脂からなる層との積層が設けられていることを特徴とする発光装置である。 An organic compound layer in contact with the cathode, and a light-emitting device including a light emitting element having an anode in contact with the organic compound layer, a layer comprising a layer and an organic resin represented by AlN X O Y in contact with the substrate is a light emitting device according to claim in which lamination is provided.

また、2枚の基板で挟んで酸素や水分がOLEDの有機発光層に入り込むのを防ぐ構成としてもよく、本発明の他の構成は、陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を第1の基板と第2の基板との間に挟んだ発光装置であって、前記第1の基板または前記第2の基板には、AlN XYで示される層と有機樹脂からなる層との積層が設けられ、且つ、前記発光素子は、AlN XYで示される層で覆われていることを特徴とする発光装置である。 Also may be configured to oxygen and moisture by being sandwiched two substrates is prevented from entering the organic light emitting layer of the OLED, another structure of the present invention, a cathode, and an organic compound layer in contact with the cathode, the organic a light emitting device having an anode in contact with the compound layer a light-emitting device sandwiched between the first substrate and the second substrate, the first substrate or the second substrate, AlN X O Y in a stack of a layer consisting of a layer and an organic resin is provided represented, and, the light emitting element is a light emitting apparatus characterized by being covered with a layer indicated by AlN X O Y.

具体的には、AlN XYで示される層からなるバリア膜を2層以上設けて、さらに該2層のバリア膜の間に樹脂を含む応力緩和膜(以下、応力緩和膜と呼ぶ)を設ける。 Specifically, a barrier film comprising a layer indicated by AlN X O Y provided two or more layers, the more the stress relaxation film (hereinafter, referred to as the stress relaxation film) containing a resin provided between the barrier film of the second layer provided. そして、 And,
該3層以上の絶縁膜上にOLEDを形成して密封することにより、発光装置を形成する。 By sealing by forming an OLED on the three or more layers of insulating film, forming a light-emitting device.

本発明では、AlN XYで示される層からなる複数のバリア膜を積層することで、バリア膜にクラックが生じても、他のバリア膜で水分や酸素などの不純物が有機発光層に入り込むのを効果的に防ぐことができ、アルカリ金属などの不純物がTFTの活性層に入り込むのを効果的に防ぐことができる。 In the present invention, by laminating a plurality of barrier film of the layer indicated by AlN X O Y, even if a crack occurs in the barrier film, an impurity such as moisture and oxygen from entering the organic light-emitting layer in the other of the barrier film the effectively it can prevent can prevent impurities such as alkali metal effectively prevented from entering the active layer of the TFT.

また、バリア膜に比べて応力が小さい応力緩和膜を、応力緩和膜の間に挟むことで、全体の応力を緩和することができる。 Also, the stress is small stress relaxation film as compared to the barrier film, by sandwiching the stress relaxation film, it is possible to relax the overall stress. よって、トータルのバリア膜の厚さは同じであっても、 Therefore, the total thickness of the barrier film are the same,
1層のみのバリア膜に比べて、応力緩和膜を間に挟んだバリア膜は、応力によるクラックが入りにくい。 Compared to barrier films of only one layer, the stress barrier film sandwiched therebetween relaxing film is less likely to be cracked due to stress.

したがって、1層のみのバリア膜に比べて、トータルのバリア膜の膜厚は同じであっても、水分や酸素などの不純物の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができ、さらに、応力によるクラックが入りにくい。 Therefore, as compared to barrier films of only one layer, even the same total film thickness of the barrier film, it is possible to prevent the contamination of the organic light emitting layer of an impurity such as moisture and oxygen effectively, further, crack is difficult to enter due to the stress.

また、バリア膜と応力緩和膜の積層により、よりフレキシブルになり、曲げたときのクラックを防ぐことができる。 Further, by laminating the barrier film and the stress relaxation film, and more becomes flexible, it is possible to prevent cracks upon bending.

また、上記各構成において、前記有機樹脂からなる層は、AlN XYで示される層よりも応力が小さい材料、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、 In the above structure, a layer made of the organic resin, AlN X O Y material stress is smaller than the layer represented by, for example, polyimide, acrylic, polyamide, polyimide amide,
ベンゾシクロブテン、またはエポキシ樹脂から選ばれた単層、またはそれらの積層からなることを特徴としている。 It is characterized in that it consists of benzocyclobutene or epoxy monolayers selected from resins or lamination thereof. また、上記各構成において、前記有機樹脂からなる層は、前記基板を接着する接着層を含むことを特徴としている。 In the above structure, a layer made of the organic resin is characterized in that it comprises an adhesive layer for bonding the substrate.

また、上記各構成において、前記基板は、可撓性を有するプラスチック基板であれば特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PB In the above structure, the substrate is flexible not particularly limited as long as it is a plastic substrate having, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate ( PC), nylon, polyether ether ketone (PEEK), polysulfone (PSF), polyetherimide (PEI), polyarylate (PAR), polybutylene terephthalate (PB
T)、ポリイミドから選ばれた1種または複数種からなるプラスチック基板である。 T), a plastic substrate made of one or more selected from polyimide.

また、本発明の他の構成は、AlN XYで示される層上に有機樹脂からなる層と、該層上にAlN XYで示される層とが積層形成されたポリイミド基板上に、陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を備えた発光装置である。 Another embodiment of the present invention, a layer made of an organic resin on the layer indicated by AlN X O Y, the AlN X O Y on a polyimide substrate in which a layer is laminated represented by the said layer, a cathode, a light emitting device including an organic compound layer in contact with the cathode, a light emitting device having an anode in contact with the organic compound layer.

また、本発明の他の構成は、AlN XYで示される層上に有機樹脂からなる層と、該層上にAlN XYで示される層とが積層形成されたポリエチレンサルファイル基板上に、陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を備えた発光装置である。 Another embodiment of the present invention, AlN X O a layer made of an organic resin on the layer represented by Y, AlN X O Y in shown as a layer and polyethylene sulfile substrate which is laminated on said layer to a light emitting device including a cathode, an organic compound layer in contact with the cathode, a light emitting device having an anode in contact with the organic compound layer.

また、本発明の他の構成は、AlN XYで示される層上に有機樹脂からなる層と、該層上にAlN XYで示される層とが積層形成されたポリカーボネート基板上に、陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を備えた発光装置である。 Another embodiment of the present invention, a layer made of an organic resin on the layer indicated by AlN X O Y, the AlN X O Y on the polycarbonate substrate in which a layer is laminated represented by the said layer, a cathode, a light emitting device including an organic compound layer in contact with the cathode, a light emitting device having an anode in contact with the organic compound layer.

また、本発明の他の構成は、AlN XYで示される層上に有機樹脂からなる層と、該層上にAlN XYで示される層とが積層形成されたポリエチレンテレフタレート基板上に、 Another embodiment of the present invention, a layer made of an organic resin on the layer indicated by AlN X O Y, on the AlN X O Y on a polyethylene terephthalate substrate in which a layer is stacked as shown in in the layer ,
陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を備えた発光装置である。 A cathode, a light emitting device including an organic compound layer in contact with the cathode, a light emitting device having an anode in contact with the organic compound layer.

また、本発明の他の構成は、AlN XYで示される層上に有機樹脂からなる層と、該層上にAlN XYで示される層とが積層形成されたポリエチレンナフタレート基板上に、陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を備えた発光装置である。 Another embodiment of the present invention, AlN X O Y a layer made of an organic resin on the layer represented by, AlN X O Y in shown as a layer and is laminated polyethylene naphthalate substrate on said layer to a light emitting device including a cathode, an organic compound layer in contact with the cathode, a light emitting device having an anode in contact with the organic compound layer.

また、本発明の他の構成は、発光装置と外部との間にAlN XYで示される層または有機樹脂からなる層を単層または多層有していることを特徴とする電子機器である。 Another embodiment of the present invention is an electronic device which is characterized by having a single layer or multi-layer a layer consisting of a layer or an organic resin represented by AlN X O Y between the light emitting device and an external .

また、上記各構成において、前記AlN XYで示される層は、周期律13族元素または周期律15族元素の不純物を0.1atm%〜5atm%含むことを特徴としている。 In the above structure, the layer represented by AlN X O Y is characterized in that the impurity of the Periodic Group 13 element or a periodic Group 15 element containing 0.1atm% ~5atm%.

また、上記各構成において、リン元素またはボロン元素を0.1atm%〜5atm%含むことを特徴とする発光装置。 In the above structure, the light emitting device characterized by comprising 0.1atm% ~5atm% elemental phosphorus or boron element.

また、上記各構成における上記AlN XYで示される層により、素子の発熱を拡散させて素子の劣化を抑える効果とともに、プラスチック基板の変形や変質を保護する効果を有する。 Further, a layer represented by the above AlN X O Y in the above structure, the effect of suppressing the deterioration of the device by diffusing heating element, has the effect of protecting the deformation or deterioration of the plastic substrate.

なお、本明細書では、OLEDの陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。 In this specification, all layers formed between an anode and a cathode of the OLED are defined as the organic light emitting layer. 有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。 Specifically the organic light emitting layer, light emitting layer, a hole injection layer, an electron injection layer, a hole transport layer include an electron transport layer and the like. 基本的にOLEDは、陽極/発光層/陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極/正孔注入層/発光層/陰極や、陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極等の順に積層した構造を有していることもある。 Basically OLED, has an anode / emitting layer / cathode are sequentially stacked, in addition to this structure, an anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode or anode / hole injection layer / sometimes it has layered in this order of the light-emitting layer / electron transporting layer / cathode or the like.

また、OLEDは、電場を加えることで発生するルミネッセンス(Electroluminescence Further, OLED is luminescence generated by applying an electric field (Electroluminescence
)が得られる有機化合物(有機発光材料)を含む層(以下、有機発光層と記す)と、陽極と、陰極とを有している。 ) Layer (hereinafter containing an organic compound is obtained (organic light emitting material), and a referred to as an organic light emitting layer), an anode, and a cathode. 有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)とがあるが、本発明の発光装置は、上述した発光のうちの、いずれか一方の発光を用いていても良いし、または両方の発光を用いていても良い。 The luminescence in the organic compound, there are the light emission upon return light emission upon return from a singlet excited state to a ground state (fluorescence) from a triplet excited state to a ground state (phosphorescence), the light emitting device of the present invention , of the light-emitting described above, may be formed using either one of the light emitting, or may be formed using both light emission.

本発明のバリア膜(AlN XY膜)を複数積層することで、バリア膜にクラックが生じても、他のバリア膜で水分や酸素などの不純物の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。 Barrier film of the present invention (AlN X O Y film) by laminating a plurality, even if a crack occurs in the barrier film, the contamination of the organic light emitting layer of an impurity such as moisture and oxygen effectively in other barrier film it is possible to prevent. また、本発明のバリア膜(AlN XY膜)により、素子の発熱を拡散させて素子の劣化を抑える効果とともに、プラスチック基板の変形や変質を保護する効果を有する。 Moreover, the barrier membrane of the present invention (AlN X O Y film), the effect of suppressing the deterioration of the device by diffusing heating element, has the effect of protecting the deformation or deterioration of the plastic substrate.

加えて、本発明のバリア膜(AlN XY膜)は、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物のTFTの活性層及び有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。 In addition, the barrier film of the present invention (AlN X O Y film) can be prevented from mixing into the active layer of impurities TFT such as an alkali metal or an alkaline earth metal and an organic light emitting layer efficiently.

また、本発明のバリア膜(AlN XY膜)に比べて応力が小さい応力緩和膜を、複数のバリア膜の間に挟むことで、絶縁膜全体の応力を緩和することができる。 Also, stress is less stress relaxation film as compared to barrier films of the present invention (AlN X O Y film), by sandwiching the plurality of barrier films, it is possible to relieve the stress of the entire insulating film.
よって、外力が与えられても破壊することなく、フレキシブルな発光装置とすることができる。 Therefore, without destroying be given an external force, it can be a flexible light-emitting device.

ELモジュールの上面図および断面図。 Top view and cross-sectional view of an EL module. 外力が加わったときのELモジュールの外観図。 External view of an EL module when an external force is applied. TFTの作製工程を示す図。 It shows a manufacturing process of a TFT. TFTの作製工程を示す図。 It shows a manufacturing process of a TFT. OLEDが設けられたアクティブマトリクス基板の断面図。 Sectional view of an active matrix substrate OLED is provided. 実施例3を説明する工程断面図。 Process sectional view for explaining an embodiment 3. 実施例3を説明する工程断面図。 Process sectional view for explaining an embodiment 3. 実施例4を説明するELモジュールの断面図。 Sectional view of an EL module illustrating Embodiment 4. 実施例5を説明するELモジュールの断面図。 Sectional view of an EL module illustrating Embodiment 5. 電子機器の一例を示す図。 Diagram illustrating an example of an electronic device. 電子機器の一例を示す図。 Diagram illustrating an example of an electronic device. 本発明のAlN XY膜の透過率を示すグラフである。 Is a graph showing the transmittance of the AlN X O Y film of the present invention. 本発明のAlN XY膜のESCA分析結果である。 A ESCA analysis of AlN X O Y film of the present invention. BTストレスでのMOS特性(AlN XY膜)である。 A MOS characteristic at BT stress (AlN X O Y film). BTストレスでのMOS特性(SiN膜)である。 A MOS characteristics (SiN film) in BT stress. (比較例) (Comparative Example)

本発明の実施形態について、以下に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.

図1(A)は、ELモジュールを示す上面図、図1(B)は図1(A)をA−A'で切断した断面図である。 Figure 1 (A) is a top view of the EL module, and FIG. 1 (B) is a sectional view taken along FIG. 1 (A) in A-A '. 図1(B)において、表面にバリア膜として機能するAlN XYで示される層(AlN XY膜とも呼ぶ)10bと、応力緩和膜(有機樹脂)10cと、Al In FIG. 1 (B), the surface (also referred to as AlN X O Y film) layer represented by AlN X O Y which functions as a barrier film and 10b, and the stress relaxation layer (organic resin) 10c, Al
XY膜10dとの積層が設けられた可撓性を有するフィルム基板10a(例えば、プラスチック基板等)が接着層33で絶縁膜11と接着されている。 N X O Y film 10d and the film substrate 10a laminated flexible provided that the (e.g., a plastic substrate or the like) is adhered to the insulating film 11 by adhesive layer 33. なお、接着層33もバリア膜よりも応力の小さい材料を用いて応力緩和膜として機能させてもよい。 The adhesive layer 33 may function as a stress relaxation film using a material having a small stress than the barrier film. このように、 in this way,
複数のバリア膜10b、10dを積層することで、バリア膜にクラックが生じても、他のバリア膜で水分や酸素などの不純物が有機発光層に入り込むのを効果的に防ぐことができる。 By stacking a plurality of barrier films 10b, and 10d, it can be prevented even if a crack occurs in the barrier film, an impurity such as moisture and oxygen in another barrier film from entering the organic light emitting layer effectively. 加えて、複数のバリア膜の間に応力緩和膜を設けることによって、よりフレキシブルな発光装置になり、曲げたときのクラックを防ぐことができる。 In addition, by providing the stress relaxation film between the plurality of barrier film becomes more flexible light-emitting device, it is possible to prevent cracks upon bending.

また、膜厚100nmにおけるAlN XY膜の透過率を図12に示す。 Also shows the transmittance of AlN X O Y film in a thickness of 100nm in Figure 12. 図12に示すように、AlN XY膜は透光性が非常に高く(可視光領域で透過率80%〜91.3%)、発光素子からの発光の妨げにならない。 As shown in FIG. 12, AlN X O Y film translucent very high (in the visible light region transmittance of 80% ~91.3%), it does not interfere with light emitted from the light-emitting element.

本発明において、AlN XY膜は、スパッタ法を用い、例えば、窒化アルミニウム(A In the present invention, AlN X O Y film, by a sputtering method, for example, aluminum nitride (A
lN)ターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを混合した雰囲気下にて成膜する。 l N) using a target, is deposited in an atmosphere of a mixture of argon gas and nitrogen gas and oxygen gas. AlN XY膜は、窒素を数atm%以上、好ましくは2.5atm%〜47.5atm% AlN X O Y film, nitrogen several atm% or more, preferably 2.5atm% ~47.5atm%
含む範囲であればよく、スパッタ条件(基板温度、原料ガスおよびその流量、成膜圧力など)を適宜調節することによって窒素濃度を調節することができる。 It may be a range that includes, it is possible to adjust the nitrogen concentration by adjusting sputtering conditions (the substrate temperature, the raw material gas and its flow rate, etc. deposition pressure) as appropriate. なお、得られたAl In addition, the obtained Al
XY膜のESCA(Electron Spectroscopy for Analysis)での分析による組成を図1 FIG composition analysis by in N X O Y film ESCA (Electron Spectroscopy for Analysis) 1
3に示す。 3 to show. また、アルミニウム(Al)ターゲットを用い、窒素ガス及び酸素ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。 Further, using aluminum (Al) target film may be formed in an atmosphere containing nitrogen gas and oxygen gas. なお、スパッタ法に限定されず、蒸着法やその他の公知技術を用いてもよい。 The present invention is not limited to the sputtering method, or by vapor deposition or other known techniques.

また、AlN XY膜による水分や酸素のブロッキング効果を確認するため、膜厚200 In order to confirm the blocking effect of AlN X O Y film due to moisture or oxygen, the film thickness 200
nmのAlN XY膜が設けられたフィルム基板でOLEDを封止したサンプルと、膜厚2 a sample sealing the OLED in nm AlN X O Y film film substrate provided with a film thickness 2
00nmのSiN膜が設けられたフィルム基板でOLEDを封止したサンプルとを用意して、85度に加熱した水蒸気雰囲気中での経時変化を調べる実験を行ったところ、SiN Are prepared and samples sealing the OLED with a film substrate on which the SiN film of 00nm is provided, where an experiment was conducted to investigate the time course of in a water vapor atmosphere heated to 85 degrees, SiN
膜のサンプルに比べ、AlN XY膜のサンプルのほうがOLEDの寿命が長く、長時間の発光が可能であった。 Compared with samples of the membrane, towards the sample AlN X O Y film long life of OLED, it was possible for a long time emission. この実験結果から、AlN XY膜は、SiN膜よりも装置外から水分や酸素などの不純物といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防げる材料膜であることが読み取れる。 From the experimental results, AlN X O Y film is read substances to promote the degradation of the organic compound layer such impurities such as moisture and oxygen from the outside of the device than SiN film is a material film prevented from entering.

また、AlN XY膜によるアルカリ金属のブロッキング効果を確認するため、シリコン基板上に膜厚50nmの熱酸化膜を設け、その上に膜厚40nmのAlN XY膜を設け、 In order to confirm the AlN X O Y alkali metal blocking effect of by film, a thermal oxide film having a thickness of 50nm provided on a silicon substrate, the AlN X O Y film having a thickness of 40nm provided thereon,
その上にLiを含むアルミニウム電極を設け、これらの膜が設けられた面とは反対側のシリコン基板面にSiを含むアルミニウム電極を設けて300℃、1時間の熱処理を行った後、BTストレス試験(±1.7MV/cm、150℃、1時間)を行いMOS特性(C The aluminum electrode containing Li thereon provided, 300 ° C. to provide a aluminum electrode containing Si in the silicon substrate surface opposite to the these films is provided a surface, after heat treatment of 1 hour, BT stress test (± 1.7MV / cm, 150 ℃, 1 hour) MOS characteristics performed (C
−V特性)を測定した。 -V characteristics) were measured. 実験結果を図14に示す。 The experimental results are shown in Figure 14. 図14に示したC―V特性は、プラスの電圧を印加した時、即ち+BTの時、プラス側にシフトしていることから、シフトした原因はLiではなく、AlN XY膜によるアルカリ金属のブロッキング効果が有ることが確認できた。 C-V characteristic shown in FIG. 14, when applying a positive voltage, i.e., + when BT, since it is shifted to the positive side, shifted cause rather than Li, alkali metal by AlN X O Y film that the blocking effect of there could be confirmed. 比較のため、MOSの上方に絶縁膜(膜厚100nmの窒化シリコン膜)を介してAlLi合金を形成し、同様にそのMOSの特性変動を調べた。 For comparison, to form a AlLi alloy through an insulating above the MOS film (silicon nitride film having a thickness of 100 nm), was examined in the same manner that MOS characteristic variation. 結果を図15に示す。 The results are shown in Figure 15. プラスの電圧を印加した時、即ち+BTの時、図15に示したC−V特性変動は大きくマイナス側にシフトしており、その原因は、主にLiが活性層へ混入したことであると考えられる。 When applying a positive voltage, that is, when the + BT, is shifted to C-V characteristic variation is large negative side shown in FIG. 15, and the cause is that the main Li is mixed into the active layer Conceivable.

また、AlN XY膜でプラスチック基板の両面のみを覆う構成としてもよい。 Further, it may be configured that in AlN X O Y film covering only both sides of the plastic substrate.

なお、ここでは耐熱性を有する基板上に絶縁膜11、絶縁膜20を設け、その上に画素部22、ソース側駆動回路14、及びゲート側駆動回路13を設けた後、カバー材を接着して固定し、耐熱性を有する基板を剥離した後、上記フィルム基板を貼りつけているが、特に限定されず、画素部22、ソース側駆動回路14、及びゲート側駆動回路13の形成温度に耐え得るフィルム基板であれば、フィルム基板上に画素部22、ソース側駆動回路1 Here, the insulating film 11 on a substrate having a heat resistance, an insulating film 20 is provided, the pixel portion 22 thereon, after the source side driving circuit 14, and the gate side driver circuit 13 is provided to bond the cover material fixed Te, after separating the substrate having heat resistance, but adhered to the film substrate is not particularly limited, withstand temperature for forming the pixel portion 22, the source side driving circuit 14, and the gate side driver circuit 13 if the film substrate to obtain a pixel portion 22 on the film substrate, the source side driver circuit 1
4、及びゲート側駆動回路13を形成すればよく、その場合、接着層を設ける必要はない。 4, and it may be formed of the gate-side driving circuit 13, in which case, it is not necessary to provide an adhesive layer.

耐熱性を有する基板(ガラス基板や石英基板)を剥離する技術は特に限定されず、ここでは、膜の内部応力を利用して剥離を行う剥離方法、具体的には、耐熱性を有する基板上に熱処理によって膜剥がれ(ピーリング)などのプロセス上の異常は生じない第1の材料層と第2の材料層との積層を設け、該積層上に素子(TFTや発光素子)を形成した後、 Technique for separating the substrate (glass substrate or a quartz substrate) having heat resistance is not particularly limited, wherein the separation method of performing peeling by utilizing the internal stress of the film, specifically, on a substrate having heat resistance after the lamination of the first material layer and the second material layer that does not cause abnormalities in the process, such as film peeling (peeling) provided to form element (TFT or a light-emitting element) on the laminate layer by heat treatment,
物理的手段、代表的には機械的な力を加えること、例えば人間の手で引き剥がすことで容易に第2の材料層の層内または界面において、きれいに分離できる方法を用いる。 Physical means, typically applying a mechanical force to, for example, in a layer or in the interface of the peeled by hand readily second material layer, using a method capable of clean separation. 第1の材料層と第2の材料層との結合力は、熱エネルギーには耐え得る強さを有している一方、 Bonding strength between the first material layer and the second material layer, while having a strength capable of withstanding the heat energy,
剥離する直前において、引張応力を有する第1の材料層と圧縮応力を有する第2の材料層との間には応力歪みを有しているため、力学的エネルギーに弱く、剥離する。 Immediately before peeling off, because it has a stress strain between the second material layer having a first material layer having a tensile stress and compressive stress, weak mechanical energy, peeled. ここでは、 here,
第1の材料層としてタングステン膜を用い、第2の材料層としてスパッタ法による酸化珪素膜を用いて剥離させたため、絶縁膜11が第2の材料層に相当している。 A tungsten film is used as the first material layer, because it was then peeled using a silicon oxide film by a sputtering method as a second material layer, the insulating film 11 corresponds to the second material layer.

また、耐熱性を有する基板を剥離する他の技術として、分離層を介して存在する被剥離層を前記基板から剥離する剥離方法(特開平10−125929号公報、特開平10−1 As another technique for separating the substrate having heat resistance, peeling method (JP-A-10-125929 discloses that peeling the layer to be peeled existing through the separating layer from the substrate, JP-A-10-1
25931号公報)を用いてもよい。 It may be used 25931 JP). 上記公報に記載の技術は、非晶質シリコン(またはポリシリコン)からなる分離層を設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出させることにより、空隙を生じさせて基板を分離させるというものである。 The technique described in the above publication, the isolation layer of amorphous silicon (or polysilicon) is provided, by passing the substrate by releasing hydrogen contained in the amorphous silicon by irradiating a laser beam, the air gap the by causing those that separate the substrates.

図1(B)において、絶縁膜20上には画素部12、ゲート側駆動回路13が形成されており、画素部12は電流制御用TFT21とそのドレインに電気的に接続された画素電極(陰極)22を含む複数の画素により形成される。 In FIG. 1 (B), the insulating film 20 pixel portion 12 is formed on the gate side driver circuit 13 are formed, the pixel unit 12 is a pixel electrode (cathode that is electrically connected to a drain of the current controlling TFT21 ) 22 is formed of a plurality of pixels including a. 電流制御用TFT21としてはpチャネル型TFTを用いることも可能であるが、nチャネル型TFTを用いることが好ましい。 As the current control TFT21 is also possible to use a p-channel TFT, and it is preferable to use an n-channel type TFT. また、ゲート側駆動回路13はnチャネル型TFT23とpチャネル型TFT24とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。 Further, the gate side driver circuit 13 is formed using a CMOS circuit combining an n-channel type TFT23 and p-channel type TFT 24. 各TFTの活性層としては、結晶構造を有する半導体膜(ポリシリコン膜)や非晶質構造を有する半導体膜(アモルファスシリコン膜など)を用いる。 The active layer of each TFT, a semiconductor film having a semiconductor film (polysilicon film) or an amorphous structure having a crystal structure (amorphous silicon film).

また、画素電極22は発光素子(OLED)の陰極として機能する。 The pixel electrode 22 functions as a cathode of the light emitting element (OLED). また、画素電極2 Further, the pixel electrode 2
2の両端にはバンク25が形成され、画素電極22上には有機化合物層26および発光素子の陽極27が形成される。 The second ends bank 25 is formed, on the pixel electrode 22 is an anode 27 of the organic compound layer 26 and the light emitting element is formed.

有機化合物層26としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて有機化合物層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。 The organic compound layer 26, the light emitting layer may be an organic compound layer by freely combining a charge transport layer or a charge injection layer (a layer for carrier transfer for light emission and for). 例えば、低分子系有機化合物材料や高分子系有機化合物材料を用いればよい。 For example, it may be used low molecular weight organic compound material or polymer organic compound material. また、有機化合物層26として一重項励起により発光(蛍光)する発光材料(シングレット化合物)からなる薄膜、または三重項励起により発光(リン光)する発光材料(トリプレット化合物)からなる薄膜を用いることができる。 Moreover, the use of thin film made of a thin film made of light by singlet excitation as the organic compound layer 26 (phosphor) emits light material (singlet compound) or a triplet excited by emission, (phosphorescence) emitting material (triplet compound) it can. また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。 It is also possible to use inorganic materials such as silicon carbide as a charge-transporting layer and charge injection layer. これらの有機材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。 These organic materials and inorganic materials can be a known material.

陽極27は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線18を経由してFPC19に電気的に接続されている。 The anode 27 functions as a common wiring to all the pixels, and is electrically connected to the FPC19 via the connection wiring 18. さらに、画素部12及びゲート側駆動回路13に含まれる素子は全て陽極27、有機樹脂28、及び保護膜29で覆われている。 Furthermore, elements included in the pixel portion 12 and the gate side driver circuit 13 are all anode 27 are covered with an organic resin 28 and the protective film 29.

また、図1(A)において、28は有機樹脂、29は保護膜であり、画素部12および駆動回路13、14は有機樹脂28で覆われ、その有機樹脂は保護膜(AlN XY膜)29 Further, in FIG. 1 (A), 28 is an organic resin, 29 is a protective film, a pixel portion 12 and the drive circuits 13 and 14 are covered with the organic resin 28, the organic resin protective layer (AlN X O Y film ) 29
で覆われている。 It is covered with. なお、有機樹脂28としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。 As the organic resin 28, it is preferable to use a transparent or semi-transparent material to possible visible light. また、有機樹脂28はできるだけ水分や酸素などの不純物を透過しない材料であることが望ましい。 Further, the organic resin 28 is desirably made of a material not to pass moisture and impurities such as oxygen.

さらに、画素部12および駆動回路13、14は、接着剤を用いてカバー材30aで封止されている。 Further, the pixel portion 12 and the drive circuits 13 and 14 are sealed with a cover member 30a with an adhesive. カバー材30aは、支持体として剥離前に接着される。 Cover member 30a is adhered to the front peel as a support.
なお、支持体となるカバー材30aを接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分(接続部分)が絶縁膜20、11のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にFPC Incidentally, after bonding the cover member 30a serving as a support, part (connection portion) of the wiring drawing pin upon the release because the mechanical strength becomes only the insulating film 20, 11 is weakened, FPC before peeling
19を貼りつけ、さらに有機樹脂32で固定している。 Paste 19 are fixed further an organic resin 32.

ここで、熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材30aはフィルム基板10aと同じ材質のもの、例えばプラスチック基板を用いることが望ましい。 Here, a cover member 30a to resist such as by deformation heat and external force is of the same material as the film substrate 10a, for example, it is desirable to use a plastic substrate. なお、水分や酸素などの不純物の侵入を防ぐため、カバー材30aには予めAlN XY膜30bを形成する。 Incidentally, to prevent impurities such as moisture and oxygen ingress, the cover member 30a is formed in advance AlN X O Y film 30b.
ここではカバー材中を通して発光を通過させるため、単層のバリア層(AlN XY膜30 For passing the emission through where the cover member in the barrier layer of a single layer (AlN X O Y film 30
b)としたが、フィルム基板10aと同様に、複数のバリア膜と、該バリア膜どうしの間に前記バリア膜よりも応力の小さい層(応力緩和膜)を設けてもよい。 b) and the but, as in the film substrate 10a, a plurality of barrier films, the small layer (stress relaxation film of the barrier film stress than) may be provided between the said barrier film each other. その場合、応力緩和膜としては透光性の高いものを用いる。 In this case, used as a high light-transmitting property as a stress relaxation film.

なお、18はソース側駆動回路14及びゲート側駆動回路13に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット) Incidentally, 18 denotes a wiring for transmitting signals inputted to the source side driver circuit 14 and the gate side driver circuit 13, the external input terminal FPC (flexible printed circuit)
19からビデオ信号やクロック信号を受け取る。 19 receives a video signal and a clock signal from. なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB) Although only the FPC is shown here, a printed wiring board in this FPC (PWB)
が取り付けられていても良い。 May be is attached. 本明細書におけるELモジュールには、発光素子が設けられた基板本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。 The EL module in this specification includes not only a substrate main body which the light emitting element is provided, but also a state in which FPC or PWB is attached.

以上のような構造で発光素子をAlN XYで示されるバリア膜10b、10d及びAl Barrier film 10b shown the light emitting element structure as described above with AlN X O Y, 10d and Al
XYで示される保護膜29で封入することにより、発光素子を外気から完全に遮断することができ、装置外から水分や酸素等による有機化合物層の酸化が主原因である劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。 By sealing with N X O Y protective film 29 represented by, it is possible to completely shut off the light emitting element from the outside air, prompting the oxidation is a major cause degradation of the organic compound layer by moisture and oxygen from the outside of the device it is possible to prevent the material from entering. 加えて、熱伝導性を有するAlN XY膜により発熱を発散することができる。 In addition, it is possible to dissipate heat by AlN X O Y film having thermal conductivity. 従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。 Therefore, it is possible to obtain a highly reliable light-emitting device.

加えて、複数のバリア膜の間に応力緩和膜を設けることによって、外力が与えられても破壊することなく、フレキシブルな発光装置になる。 In addition, by providing the stress relaxation film between the plurality of barrier films, without destroying it is given external force, the flexible light-emitting device.

また、図2には、外力が与えられたフレキシブルな発光装置45の外観図を示した。 Further, FIG. 2 shows an external view of a flexible light-emitting device 45 an external force is applied. 図2中、40は画素部、41はFPC、42a、42bは集積回路、43a、43bはゲート側駆動回路、44はソース側駆動回路、45a、45bはフィルム基板である。 In Figure 2, 40 denotes a pixel portion, is 41 FPC, 42a, the 42b integrated circuits, 43a, 43 b is a gate side driver circuit, 44 a source side driving circuit, 45a, 45b is a film substrate. フィルム基板45a及びフィルム基板45bには、AlN XYで示される層と有機樹脂からなる層との積層が片面または両面に設けられており、外からの水分、酸素、アルカリ金属などの不純物が侵入してくるのを防ぎ、OLED及びTFTを保護している。 The film substrates 45a and the film substrate 45b, a stack of a layer consisting of a layer and the organic resin represented by AlN X O Y is provided on one or both sides, moisture from the outside, oxygen, impurities such as alkali metal prevent the invading to protect the OLED and TFT.

また、AlN XYで示される層と有機樹脂からなる層との積層を基板の外側表面に設けた場合、発光装置と外部との間にAlN XYで示される層または有機樹脂からなる層を単層または多層有している構成となり、外部からの不純物拡散を防止することができる。 Moreover, consisting of AlN X O when Y a stack of a layer consisting of a layer and the organic resin represented by provided on the outer surface of the substrate, a layer or an organic resin represented by AlN X O Y between the light emitting device and an external becomes configured to have a single layer or multi layers, it is possible to prevent the diffusion of impurities from the outside. 本明細書中、外部とは、ELモジュールに外部接続される素子やICチップ、ELモジュールに接触するパッケージやその他の部材を含めた総称を指すこととする。 In the present specification, the external, and to refer to generic, including packages and other members of the contact element and the IC chip is externally connected to the EL module, an EL module.

なお、フィルム基板45a上に画素部40や駆動回路や発光素子が設けられており、フィルム基板45bとでこれらの素子を挟みこんでいる。 Incidentally, and the pixel portion 40 and the driving circuit and a light emitting element is provided on the film substrate 45a, and by sandwiching these elements in the film substrate 45b. これらの画素部や駆動回路と同一基板上に複雑な集積回路(メモリ、CPU、コントローラ、D/Aコンバータ等)42a These pixel portion and the driving circuits and complex integrated circuits on the same substrate (memory, CPU, and the controller, D / A converter or the like) 42a
、42bを形成しても可能であるが、少ないマスク数での作製は困難である。 Although it is also possible to form 42b, prepared with a small number of masks it is difficult. 従って、メモリ、CPU、コントローラ、D/Aコンバータ等を備えたICチップを、COG(chip Accordingly, memory, CPU, and the controller, the IC chip with D / A converter or the like, COG (Chip
on glass)方式やTAB(tape automated bonding)方式やワイヤボンディング方法で実装することが好ましい。 It is preferable to implement on glass) method or TAB (tape automated bonding) method or a wire bonding method.
フィルム基板45aとフィルム基板45bとを接着した後、ICチップを装着してもよいし、フィルム基板45aにICチップを装着した後でフィルム基板45bで封止してもよい。 After bonding the film substrate 45a and the film substrate 45b, may be fitted with an IC chip may be sealed with a film substrate 45b after mounting the IC chip on the film substrate 45a.

なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(P Here, not only FPC is shown, a printed wiring board in this FPC (P
WB)が取り付けられていても良い。 WB) may have are attached.

また、画素電極を陽極とし、有機化合物層と陰極を積層して図1とは逆方向に発光する構成としてもよい。 Further, a pixel electrode as an anode and may be configured to emit light in a direction opposite to that of FIG. 1 by laminating an organic compound layer and the cathode. その場合には電流制御用TFTとしてpチャネル型TFTを用いることが好ましい。 It is preferable to use the p-channel type TFT as the current controlling TFT in this case.

以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。 The present invention having the above structure will be performed explained in more detail in the following examples.

本発明の実施例を図3及び図4を用いて説明する。 The embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. ここでは、まず、同一基板上にn Here, first, n on the same substrate
チャネル型TFTとpチャネル型TFTとを相補的に組み合わせたCMOS回路を同時に作製する方法について詳細に説明する。 Method for manufacturing a CMOS circuit that combines complementary the channel type TFT and a p-channel TFT at the same time will be described in detail.

まず、基板100上に第1の材料層101、第2の材料層102、下地絶縁膜103を形成し、結晶構造を有する半導体膜を得た後、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層104、105を形成する。 First, the first material layer 101 on the substrate 100, the second material layer 102, forming the base insulating film 103, after obtaining a semiconductor film having a crystalline structure, in an island shape by etching into a desired shape forming a separate semiconductor layer 104, 105.

基板100としては、ガラス基板(#1737)を用いる。 As the substrate 100, a glass substrate (# 1737).

また、第1の材料層101としては、成膜後或いは剥離直前において、1〜1×10 10 As the first material layer 101, the deposition or after peeling immediately before, 1 to 1 × 10 10
(Dyne/cm 2 )の範囲で引張応力を有することを特徴としている。 It is characterized by having a tensile stress in the range of (Dyne / cm 2). 前記第1の材料層としては、上記範囲の引張応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料(Ti、Al As the first material layer, as long as the material has a tensile stress within the above range is not particularly limited, metal materials (Ti, Al
、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、P , Ta, W, Mo, Cu, Cr, Nd, Fe, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, P
d、Os、Ir、Ptなど)、半導体材料(例えばSi、Geなど)、絶縁体材料、有機材料のいずれか一層、またはこれらの積層を用いることができる。 d, Os, Ir, Pt, etc.), semiconductor materials (e.g. Si, Ge, etc.), insulating material, more or organic materials, or can be used for these layers. なかでも、タングステン膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜が好ましい。 Among them, a tungsten film, a tungsten nitride film, a titanium nitride film is preferable. なお、1〜1×10 10 (Dyne/cm 2 Incidentally, 1~1 × 10 10 (Dyne / cm 2
)よりも大きな引張応力を有する膜は、熱処理を加えた場合、ピーリングを起しやすい。 Film, when subjected to heat treatment, susceptible to peeling with a large tensile stress than).
ここではスパッタ法で膜厚100nmの窒化チタン膜を用いる。 Is used here film thickness 100nm titanium nitride film by sputtering. なお、基板100と密着性が悪い場合にはバッファ層を設ければよい。 It may be provided a buffer layer when the poor adhesion to the substrate 100.

また、第2の材料層102としては、−1〜−1×10 10 (Dyne/cm 2 )の範囲で圧縮応力を有することを特徴としている。 As the second material layer 102 is characterized by having a compressive stress in the range of -1~-1 × 10 10 (Dyne / cm 2). 前記第2の材料層としては、上記範囲の圧縮応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、C As the second material layer, as long as the material has a compressive stress in the above range is not particularly limited, metal materials (Ti, Al, Ta, W, Mo, Cu, C
r、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ptなど) r, Nd, Fe, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, etc.)
、半導体材料(例えばSi、Geなど)、絶縁体材料、有機材料のいずれか一層、またはこれらの積層を用いることができる。 , Semiconductor materials (e.g. Si, Ge, etc.), insulating material, more or organic materials, or can be used for these layers. なお、−1×10 10 (Dyne/cm 2 )よりも大きな圧縮応力を有する膜は、熱処理を加えた場合、ピーリングを起しやすい。 Incidentally, a film having a large compressive stress than -1 × 10 10 (Dyne / cm 2) , when subjected to heat treatment, prone to peeling. 中でも、酸化シリコン材料または酸化金属材料からなる単層、またはこれらの積層が好ましい。 Among them, a single layer made of silicon oxide material or metal oxide material, or a laminate thereof are preferred. ここではスパッタ法で膜厚200nmの酸化シリコン膜を用いる。 Here a silicon oxide film having a film thickness of 200nm by sputtering. この第1の材料層101と第2の材料層102の結合力は熱処理には強く、膜剥がれ(ピーリングとも呼ばれる)などが生じないが、物理的手段で簡単に第2の材料層の層内、あるいは界面において剥離することができる。 Bonding force of the first material layer 101 and the second material layer 102 is strong to heat treatment, film peeling the like (peeling also called) does not occur easily second material layer in the layer in a physical means , or it can be separated at the interface.

また、下地絶縁膜103としては、プラズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガスS As the base insulating film 103, a film formation temperature 400 ° C. by a plasma CVD method, a raw material gas S
iH 4 、NH 3 、N 2 Oから作製される酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=2 iH 4, NH 3, N 2 O silicon oxynitride made from film (composition ratio Si = 32%, O = 2
7%、N=24%、H=17%)を50nm(好ましくは10〜200nm)形成する。 7%, N = 24%, H = 17%) of 50 nm (preferably 10 to 200 nm) is formed. 次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸(1/100希釈)で除去する。 Subsequently, after cleaning the surface with ozone water, to remove the oxide film on the surface with dilute hydrofluoric acid (1/100 dilution). 次いでプラズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガスSiH 4 、N 2 Oから作製される酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)を10 Then film formation temperature 400 ° C. by a plasma CVD method, a raw material gas SiH 4, N 2 O silicon oxynitride made from film (composition ratio Si = 32%, O = 59 %, N = 7%, H = 2%) 10
0nm(好ましくは50〜200nm)の厚さに積層形成し、さらに大気解放せずにプラズマCVD法で成膜温度300℃、成膜ガスSiH 4で非晶質構造を有する半導体膜(ここではアモルファスシリコン膜)を54nmの厚さ(好ましくは25〜80nm)で形成する。 0 nm (preferably 50 to 200 nm) was laminated to a thickness of, further film-forming temperature 300 ° C. by a plasma CVD method without air release, the semiconductor film (amorphous here having an amorphous structure in the deposition gas SiH 4 the silicon film) is formed to a thickness of 54 nm (preferably 25 to 80 nm).

本実施例では下地膜103を2層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造として形成しても良い。 In the present embodiment it has been shown for the base film 103 as a two-layer structure, or may be a single layer or by stacking two or more layers structure of the insulating film. また、半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム(Si X Ge 1-X (X=0.0001〜0.02 Although there is no limitation on the material of the semiconductor film, preferably silicon or silicon germanium (Si X Ge 1-X ( X = 0.0001~0.02
))合金などを用い、公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等)により形成すればよい。 )), Such as an alloy, it may be formed by a known means (sputtering, LPCVD, or plasma CVD). また、プラズマCVD装置は、枚葉式の装置でもよいし、バッチ式の装置でもよい。 The plasma CVD apparatus may be a single wafer type apparatus, or an apparatus in a batch. また、同一の成膜室で大気に触れることなく下地絶縁膜と半導体膜とを連続成膜してもよい。 Further, a base insulating film and the semiconductor film may be continuously formed without being exposed to air in the same deposition chamber.

次いで、非晶質構造を有する半導体膜の表面を洗浄した後、オゾン水で表面に約2nm After cleaning the surface of the semiconductor film having an amorphous structure, about the surface with ozone water 2nm
の極薄い酸化膜を形成する。 To form a very thin oxide film.

次いで、重量換算で10ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。 It is then applied by a spinner nickel acetate solution containing 10ppm of nickel by weight. 塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。 Nickel by sputtering instead of coating may be used a method of spraying on the entire surface.

次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する。 Then, a semiconductor film having a crystalline structure is crystallized subjected to heat treatment.
この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。 The heat treatment may be used irradiation heat treatment or strong light electric furnace. 電気炉の熱処理で行う場合は、500℃〜650℃で4〜24時間で行えばよい。 When performing the heat treatment at an electric furnace, it may be performed at 4 to 24 hours at 500 ° C. to 650 ° C.. ここでは脱水素化のための熱処理(500℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(550℃、4時間)を行って結晶構造を有するシリコン膜を得る。 Here the heat treatment (500 ° C., 1 hour) for dehydrogenation obtained after heat treatment (550 ° C., 4 hours) for crystallization of the silicon film having a crystalline structure by performing a. なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を行ったが、ランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。 Here, although crystallized by using a heat treatment using a furnace, crystallization may be performed by lamp annealing apparatus. なお、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。 Note that, although a crystallization technique using nickel as a metal element for promoting crystallization of silicon may be used other known crystallization techniques, for example, solid-phase growth method and a laser crystallization method.

次いで、結晶構造を有するシリコン膜表面の酸化膜を希フッ酸等で除去した後、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するための第1のレーザー光(XeCl:波長308nm)の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。 Then, after removing the oxide film on the surface of the silicon film having a crystal structure with dilute hydrofluoric acid or the like to increase the crystallization rate, the first laser beam for repairing defects remaining in crystal grains (XeCl: wavelength 308nm the irradiation) conducted in air or an oxygen atmosphere. レーザー光には波長400nm Wavelength 400nm is in the laser beam
以下のエキシマレーザ光や、YAGレーザやYVO 4レーザの第2高調波、第3高調波を用いる。 The following excimer laser light or second harmonic of a YAG laser or a YVO 4 laser, a third harmonic is used. 第1のレーザー光は、パルス発振であってもよいし、連続発振でもよい。 The first laser beam may be a pulse oscillation may be continuous oscillation. パルス発振の場合、繰り返し周波数10〜1000Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて100〜500mJ/cm 2に集光し、90〜95%のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。 For pulse oscillation, using a pulsed laser beam with a repetition frequency of approximately 10 to 1000 Hz, and condenses the laser beam by an optical system to 100 to 500 mJ / cm 2, and irradiation is performed with an overlap ratio of 90% to 95%, silicon the membrane surface may be scanned. ここでは、繰り返し周波数30Hz In this case, a repetition frequency of 30Hz
、エネルギー密度393mJ/cm 2で第1のレーザー光の照射を大気中で行なう。 Performed at an energy density 393mJ / cm 2 to the irradiation of the first laser beam in the atmosphere. なお、大気中、または酸素雰囲気中で行うため、第1のレーザー光の照射により表面に酸化膜が形成される。 Since is performed in the atmosphere or in an oxygen atmosphere, an oxide film is formed on the surface by irradiation of the first laser beam.

次いで、第1のレーザー光の照射により形成された酸化膜を希フッ酸で除去した後、第2のレーザー光の照射を窒素雰囲気、或いは真空中で行い、半導体膜表面を平坦化する。 After removing the oxide film formed by the irradiation of the first laser beam with dilute hydrofluoric acid, subjected to irradiation of the second laser beam nitrogen atmosphere or in vacuum, to flatten the surface of the semiconductor film.
このレーザー光(第2のレーザー光)には波長400nm以下のエキシマレーザー光や、Y The excimer laser light or less than the wavelength 400nm This laser beam (second laser beam), Y
AGレーザーの第2高調波、第3高調波を用いる。 The second harmonic of AG laser, the third harmonic is used. 第2のレーザー光のエネルギー密度は、第1のレーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは30〜60mJ/cm 2 Energy density of the second laser light is made larger than the energy density of the first laser light, preferably 30~60mJ / cm 2
大きくする。 Enlarge. ここでは、繰り返し周波数30Hz、エネルギー密度453mJ/cm 2で第2のレーザー光の照射を行ない、半導体膜表面における凹凸のP―V値(Peak to Valley、高さの最大値と最小値の差分)が50nm以下となる。 Here, repetition frequency 30 Hz, an energy density of 453mJ / cm 2 performs irradiation of the second laser beam, P-V value of unevenness in the surface of the semiconductor film (Peak-to Valley, difference between the maximum value and the minimum value of the height) but the 50nm or less. このP−V値は、AFM(原子間力顕微鏡) The P-V value, AFM (atomic force microscope)
により得られる。 By obtained.

また、本実施例では第2のレーザー光の照射を全面に行ったが、オフ電流の低減は、画素部のTFTに特に効果があるため、少なくとも画素部のみに選択的に照射する工程としてもよい。 Further, in this embodiment it was carried out on the entire surface irradiated with the second laser beam, the amount of off, since it is particularly effective in the TFT of the pixel portion, as the step of selectively irradiating only the least pixel portion good.

次いで、オゾン水で表面を120秒処理して合計1〜5nmの酸化膜からなるバリア層を形成する。 Then, a barrier layer formed of an oxide film of a total 1~5nm by treating the surface with ozone water for 120 seconds.

次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を膜厚150nmで形成する。 Then, an amorphous silicon film containing an argon element which serves as a gettering site by sputtering on the barrier layer at a thickness of 150 nm. 本実施例のスパッタ法による成膜条件は、 Deposition conditions by sputtering in this embodiment,
成膜圧力を0.3Paとし、ガス(Ar)流量を50(sccm) The film formation pressure was 0.3 Pa, the gas (Ar) flow rate of 50 (sccm)
とし、成膜パワーを3kWとし、基板温度を150℃とする。 And then, the deposition power and 3 kW, a substrate temperature of 0.99 ° C.. なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、3×10 20 /cm 3 〜6×10 20 /c The atomic concentration of argon elements contained in the amorphous silicon film under the above conditions, 3 × 10 20 / cm 3 ~6 × 10 20 / c
3 、酸素の原子濃度は1×10 19 /cm 3 〜3×10 19 /cm 3である。 m 3, the atomic concentration of oxygen is 1 × 10 19 / cm 3 ~3 × 10 19 / cm 3. その後、ランプアニール装置を用いて650℃、3分の熱処理を行いゲッタリングする。 Thereafter, 650 ° C. using a lamp annealing apparatus, gettering is performed a heat treatment for 3 minutes.

次いで、バリア層をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。 Then, the barrier layer as an etching stopper, after selectively removing the amorphous silicon film containing an argon element which is a gettering site, is selectively removed the barrier layer with dilute hydrofluoric acid. なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。 At the time of gettering, since nickel tends to move to a region with a high oxygen concentration, it is desirable to remove the barrier layer made of an oxide film after gettering. ここではゲッタリングを行った例を示したが、特に限定されず、他のゲッタリング方法でもよい。 Here it is shown an example in which the gettering is not particularly limited, but may be other gettering method.

次いで、得られた結晶構造を有するシリコン膜(ポリシリコン膜とも呼ばれる)の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層104、105を形成する。 Then, after a thin oxide film is formed from ozone water on the surface of the silicon film (also referred to as a polysilicon film) having the resulting crystal structure, a resist mask is formed, island is etched into a desired shape the semiconductor layer 104 and 105 which are separated to form. 半導体層を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。 After forming the semiconductor layer, the resist mask is removed.

次いで、フッ酸を含むエッチャントで酸化膜を除去すると同時にシリコン膜の表面を洗浄した後、ゲート絶縁膜106となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。 After cleaning the surface of the silicon film at the same time as the oxide film is removed with an etchant containing hydrofluoric acid, to form an insulating film mainly containing silicon serving as a gate insulating film 106. 本実施例では、プラズマCVD法により115nmの厚さで酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32 In this embodiment, a silicon oxynitride film with a thickness of 115nm by plasma CVD (composition ratio Si = 32
%、O=59%、N=7%、H=2%)で形成する。 %, O = 59%, N = 7%, formed by H = 2%).

次いで、図3(B)に示すように、ゲート絶縁膜106上に膜厚20〜100nmの第1の導電膜107と、膜厚100〜400nmの第2の導電膜108とを積層形成する。 Then, as shown in FIG. 3 (B), a first conductive film 107 having a thickness of 20~100nm on the gate insulating film 106 is laminated and a second conductive film 108 having a thickness of 100 to 400 nm.
本実施例では、ゲート絶縁膜106上に膜厚50nmの窒化タンタル膜、膜厚370nm In this embodiment, a tantalum nitride film having a thickness of 50nm on the gate insulating film 106, a film thickness 370nm
のタングステン膜を順次積層する。 Sequentially laminated of the tungsten film.

第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する導電性材料としてはTa、W、Ti、Mo、 As a conductive material for forming the first conductive film and second conductive film Ta, W, Ti, Mo,
Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。 Al, an alloy material or compound material mainly containing an element selected or the element, the Cu. また、第1の導電膜及び第2の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、、AgPdCu合金を用いてもよい。 May also be a semiconductor film and ,, AgPdCu alloy represented by the first conductive film and the polycrystalline silicon film doped with an impurity element such as phosphorus as the second conductive film. また、2層構造に限定されず、例えば、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500n Further, not limited to a two-layer structure, for example, a thickness of 50nm tungsten film thickness 500n
mのアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順次積層した3層構造としてもよい。 m of aluminum-silicon alloy (Al-Si) film may be sequentially stacked titanium nitride film having a thickness of 30 nm. また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜(Al−Ti)を用いてもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。 In the case of the three-layer structure, tungsten nitride may be used instead of tungsten of the first conductive film, and an aluminum in place of the second conductive film of aluminum and silicon alloy (Al-Si) film may be used an alloy film (Al-Ti) of titanium, a titanium film may be used in place of the third conductive titanium nitride layer of the membrane. また、単層構造であってもよい。 Further, it may be a single-layer structure.

次に、図3(C)に示すように光露光工程によりレジストからなるマスク109を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。 Next, a mask 109 made of resist by light exposure step as shown in FIG. 3 (C), and a first etching treatment for forming gate electrodes and wirings. エッチングにはICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ) The etching ICP (Inductively Coupled Plasma: inductive coupled plasma)
エッチング法を用いると良い。 It may be used an etching method. ICPエッチング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。 Using ICP etching method, the etching conditions film into a desired tapered shape by adjusting the (amount of power applied to a coiled electrode, the amount of power applied to an electrode on the substrate side, the electrode temperature of the substrate side) as appropriate it can be etched. なお、 It should be noted that,
エッチング用ガスとしては、Cl 2 、BCl 3 、SiCl 4 、CCl 4などを代表とする塩素系ガスまたはCF 4 、SF 6 、NF 3などを代表とするフッ素系ガス、またはO 2を適宜用いることができる。 As an etching gas, Cl 2, BCl 3, SiCl 4, CCl 4 chlorine gas or CF 4 to the typified like, SF 6, fluorine-based gas NF 3 and the like as a representative or the use of O 2 as appropriate, can.

第1のエッチング処理では、レジストによるマスクの形状と、基板側に印加するバイアス電圧の効果により端部をテーパー形状とすることができる。 In the first etching process, the shape of the mask by a resist, the ends by the effect of the bias voltage applied to the substrate side may be tapered. テーパー部の角度は15〜4 The angle of the tapered portion 15-4
5°となるようにする。 A 5 ° so. また、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。 Further, in order to perform etching without any residue on the gate insulating film, the etching time is prolonged by a rate of about 10 to 20%. W膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は2〜4(代表的には3)であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は20〜50nm程度エッチングされる。 The selectivity of a silicon oxynitride film to the W film is 2 to 4 (typically 3), the overetching treatment, surface of the silicon oxynitride film is exposed is etched about 20 to 50 nm. こうして、第1のエッチング処理により第1導電膜と第2導電膜から成る第1形状の導電層1 Thus, the conductive layer of the first shape made of a first of the first conductive film by etching the second conductive film 1
10、111(第1の導電層110a、111aと第2導電層110b、111b)を形成する。 10,111 (first conductive layers 110a, 111a and the second conductive layer 110b, 111b) to form a.
112はゲート絶縁膜であり、第1の形状の導電層で覆われない領域は20〜50nm程度エッチングされ薄くなる。 112 denotes a gate insulating film, and regions which are not covered with the first shape conductive layers are made thinner by etching of about 20 to 50 nm.

そして、第1のドーピング処理を行いn型の不純物(ドナー)をドーピングする。 Then, doped with n-type impurity (donor) a first doping process. (図3 (Fig. 3
(D))その方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行う。 (D)) The method is carried out by ion doping or ion implantation. イオンドープ法の条件はドーズ量を1×10 13 〜5×10 14 /cm 2として行う。 The condition of the ion doping method is performed and the dose amount of 1 × 10 13 ~5 × 10 14 / cm 2. n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。 Elements belonging to Group 15 as an impurity element imparting n-type, typically, phosphorus (P) or arsenic (As). この場合、第1形状の導電層110、111はドーピングする元素に対してマスクとなり、加速電圧を適宣調節(例えば、20〜60keV)して、ゲート絶縁膜112を通過した不純物元素により不純物領域(n+領域)113、114を形成する。 In this case, the conductive layers 110 and 111 of the first shape as masks against an element for doping, acceleration voltage Tekisen adjusted (e.g., 20~60KeV) to the impurity regions by impurity elements that have passed through the gate insulating film 112 forming an (n + regions) 113 and 114. 例えば、不純物領域(n For example, an impurity region (n
+領域)におけるリン(P)濃度は1×10 20 〜1×10 21 /cm 3の範囲となるようにする。 + Phosphorus (P) concentration in the region) is set to be in the range of 1 × 10 20 ~1 × 10 21 / cm 3.

次いで、図4(A)に示すように第2のドーピング処理を行う。 Then, a second doping process is performed as shown in FIG. 4 (A). 第1のドーピング処理よりもドーズ量を下げ高加速電圧の条件でn型の不純物(ドナー)をドーピングする。 Than the first doping treatment to dope the n-type impurity (donor) in the conditions of high acceleration voltage lowers the dose. 例えば、加速電圧を70〜120keVとし、1×10 13 /cm 2のドーズ量で行い、図3( For example, the acceleration voltage is set 70~120KeV, performed at a dose of 1 × 10 13 / cm 2, FIG. 3 (
D)で半導体層に形成された第1の不純物領域の内側に不純物領域を形成する。 D) to form impurity regions inside the first impurity region formed in the semiconductor layer. ドーピングは、第2の導電膜110b、111bを不純物元素に対するマスクとして用い、第1の導電膜110a、111aの下側の領域に不純物元素が添加されるようにドーピングする。 Doping, the second conductive film 110b, 111b used as masks against the impurity element, the first conductive film 110a, the impurity element in the lower region of 111a doping as added. こうして、第1の導電膜110a、111aと重なる不純物領域(n−領域)115、 Thus, the first conductive film 110a, an impurity region (n- region) 115 that overlaps with 111a,
116が形成される。 116 are formed. この不純物領域は、第2の導電層110a、111aがほぼ同じ膜厚で残存していることから、第2の導電層に沿った方向における濃度差は小さく、1×1 The impurity region, the second conductive layer 110a, since 111a is left substantially the same thickness, density difference in the direction along the second electrically conductive layer is small, 1 × 1
17 〜1×10 19 /cm 3の濃度で形成する。 Formed at a concentration of 0 17 ~1 × 10 19 / cm 3.

次いで、図4(B)に示すように第2のエッチング処理を行う。 Then, a second etching process is performed as shown in FIG. 4 (B). エッチングはICPエッチング法を用い、エッチングガスにCF 4とCl 2とO 2を混合して、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF電力(13.56MHz)を供給してプラズマを生成する。 Etching using ICP etching method, a mixture of CF 4, Cl 2 and O 2 as etching gas, by supplying RF power of 500W to a coiled electrode (13.56 MHz) at a pressure of 1Pa to generate plasma . 基板側(試料ステージ)には50WのRF(13.56MHz)電力を投入し、第1のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。 The substrate side (sample stage) was charged RF (13.56 MHz) power of 50 W, applying a low self bias voltage as compared with the first etching process. このような条件によりタングステン膜を異方性エッチングし、第1の導電層である窒化タンタル膜またはチタン膜を残存させるようにする。 Such conditions a tungsten film is anisotropically etched by a, so as to leave the first tantalum nitride film or a titanium film is a conductive layer. こうして、第2形状の導電層117、118(第1の導電膜117a、1 Thus, the conductive layer of the second shape 117, 118 (first conductive film 117a, 1
18aと第2の導電膜117b、118b)を形成する。 18a and the second conductive film 117b, 118b) to form a. 119はゲート絶縁膜であり、 119 denotes a gate insulating film,
第2の形状の導電層117、118で覆われない領域はさらに20〜50nm程度エッチングされて膜厚が薄くなる。 Thickness is further 20~50nm etched about the region not covered with the conductive layers 117 and 118 of the second shape is reduced.

そして、図4(C)に示すように、レジストによるマスク120を形成し、pチャネル型TFTを形成する半導体層にp型の不純物(アクセプタ)をドーピングする。 Then, as shown in FIG. 4 (C), the resist by forming a mask 120, to dope the p-type impurity (acceptor) in the semiconductor layer forming the p-channel type TFT. 典型的にはボロン(B)を用いる。 Typically, boron (B). 不純物領域(p+領域)121、122の不純物濃度は2×1 The impurity concentration of impurity regions (p + regions) 121 and 122 2 × 1
20 〜2×10 21 /cm 3となるようにし、含有するリン濃度の1.5〜3倍のボロンを添加して導電型を反転させる。 0 20 made to be ~2 × 10 21 / cm 3, is inverted by the addition of 1.5 to 3 times the boron phosphorus concentration conductivity type containing.

以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。 Impurity regions are formed in the respective semiconductor layers in the steps up. 第2形状の導電層11 Second shape conductive layers 11
7、118はゲート電極となる。 7,118 is the gate electrode. その後、図4(D)に示すように、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜から成る保護絶縁膜123をプラズマCVD法で形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 4 (D), to form a protective insulating film 123 made of silicon nitride film or a silicon oxynitride film by plasma CVD. そして導電型の制御を目的としてそれぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。 Then a step of activating the impurity elements added in the respective semiconductor layers for the purpose of controlling the conductivity type.

さらに、窒化シリコン膜124を形成し、水素化処理を行う。 Further, a silicon nitride film 124, carry out the hydrogenation process. その結果、窒化シリコン膜124中の水素が半導体層中に拡散させることで水素化を達成することができる。 As a result, it is possible to achieve a hydrogenated by hydrogen in the silicon nitride film 124 is diffused into the semiconductor layer.

次いで、層間絶縁膜125を形成する。 Next, an interlayer insulating film 125. 層間絶縁膜125は、ポリイミド、アクリルなどの有機絶縁物材料で形成する。 Interlayer insulating film 125, a polyimide, it is formed of an organic insulating material such as acrylic. 勿論、プラズマCVD法でTEOS(Tetraethyl Ortho Of course, in the plasma CVD method, TEOS (Tetraethyl Ortho
silicate)を用いて形成される酸化シリコン膜を適用しても良いが、平坦性を高める観点からは前記有機物材料を用いることが望ましい。 Silicate) may be applied a silicon oxide film formed by using, but in view of enhancing the flatness is preferably used the organic material.

次いで、コンタクトホールを形成し、アルミニウム(Al)、チタン(Ti) Then, a contact hole, an aluminum (Al), titanium (Ti)
、タンタル(Ta)などを用いて、ソース配線またはドレイン配線126〜128を形成する。 , By using a tantalum (Ta), to form the source or drain wirings 126-128.

以上の工程で、nチャネル型TFTとpチャネル型TFTとを相補的に組み合わせたC Through the above process, C which are complementarily combined an n-channel TFT and a p-channel type TFT
MOS回路を得ることができる。 It is possible to obtain a MOS circuit.

pチャネル型TFTにはチャネル形成領域130、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域121、122を有している。 The p-channel type TFT has a impurity regions 121 and 122 functioning as a channel forming region 130, a source region or a drain region.

nチャネル型TFTにはチャネル形成領域131、第2形状の導電層から成るゲート電極118と重なる不純物領域116a(Gate Overlapped Drain:GOLD領域)、ゲート電極の外側に形成される不純物領域116b(LDD領域) n-channel type in the TFT channel formation region 131, an impurity region 116a which overlaps with the gate electrode 118 made of a conductive layer of the second shape (Gate Overlapped Drain: GOLD region), impurity regions 116 b (LDD region formed outside the gate electrode )
とソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域119を有している。 It has an impurity region 119 which functions as a source region or a drain region.

このようなCMOS回路は、アクティブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の液晶表示装置における駆動回路の一部を形成することを可能とする。 Such CMOS circuit makes it possible to form a part of the drive circuit in an active matrix type liquid crystal display device emitting device or an active matrix type. それ以外にも、このようなnチャネル型TFTまたはpチャネル型TFTは、画素部のトランジスタに応用することができる。 Besides that, such n-channel type TFT or p-channel type TFT can be applied to the transistor of the pixel portion.

このようなCMOS回路を組み合わせることで基本論理回路を構成したり、さらに複雑なロジック回路(信号分割回路、D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路など)をも構成することができ、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成することが可能である。 Or configure the basic logic circuit by combining such CMOS circuits, more complex logic circuits (signal dividing circuit, D / A converter, an operational amplifier, such as γ correction circuit) also can be configured, more memory it is also possible to form or microprocessor.

ここでは、上記実施例1で得られるTFTを用いてOLEDを有する発光装置を作製した例について図5を用い、以下に説明する。 Here, referring to FIG. 5 for an example of manufacturing a light-emitting device having an OLED using the TFT obtained in the above Example 1 will be described below.

同一の絶縁体上に画素部とそれを駆動する駆動回路を有した発光装置の例(但し封止前の状態)を図5に示す。 Examples of the light-emitting device having a driving circuit for driving the pixel portion on the same insulator (but before sealing state) shown in FIG. なお、駆動回路には基本単位となるCMOS回路を示し、画素部には一つの画素を示す。 Note that the driving circuit shows a CMOS circuit as a basic unit, showing one pixel in the pixel portion. このCMOS回路は実施例1に従えば得ることができる。 The CMOS circuit can be obtained in accordance with Example 1.

図5において、200は基板、201は第1の材料層、202は第2の材料層であり、 5, 200 denotes a substrate, a first layer of material 201, 202 is the second material layer,
その素子形成基板上に設けられた下地絶縁層203上にはnチャネル型TFTとpチャネル型TFTからなる駆動回路204、pチャネル型TFTからなるスイッチングTFTおよびnチャネル型TFTからなる電流制御TFTとが形成されている。 And the current control TFT is formed on the base insulating layer 203 provided on the element forming substrate made of a switching TFT and n-channel type TFT a driving circuit 204, p-channel type TFT formed of an n-channel TFT and a p-channel type TFT There has been formed. また、本実施例では、TFTはすべてトップゲート型TFTで形成されている。 Further, in this embodiment, all TFT is formed of a top gate type TFT.

nチャネル型TFTおよびpチャネル型TFTの説明は実施例1を参照すれば良いので省略する。 Description of the n-channel type TFT and p-channel type TFT is omitted may be referred to Example 1. また、スイッチングTFTはソース領域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造(ダブルゲート構造)となっているpチャネル型TFTである。 The switching TFT is a p-channel type TFT has a structure having two channel forming region between the source region and the drain region (double-gate structure). なお、本実施例はダブルゲート構造に限定されることなく、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。 Note that this embodiment is not limited to the double gate structure, or a triple gate structure in which a channel formation region is three single gate structure or be one formed formed.

また、電流制御TFTのドレイン領域206の上には第2層間絶縁膜208が設けられる前に、第1層間絶縁膜207にコンタクトホールが設けられている。 Further, before the second interlayer insulating film 208 is provided on the drain region 206 of the current control TFT, a contact hole is formed in the first interlayer insulating film 207. これは第2層間絶縁膜208にコンタクトホールを形成する際に、エッチング工程を簡単にするためである。 This is for simplicity in forming a contact hole in the second interlayer insulating film 208, an etching process.
第2層間絶縁膜208にはドレイン領域206に到達するようにコンタクトホールが形成され、ドレイン領域206に接続された画素電極209が設けられている。 A contact hole is formed so as to reach the drain region 206, a pixel electrode 209 connected to the drain region 206 is provided in the second interlayer insulating film 208. 画素電極20 Pixel electrodes 20
9はOLEDの陰極として機能する電極であり、周期表の1族もしくは2族に属する元素を含む導電膜を用いて形成されている。 9 is an electrode functioning as a cathode of the OLED, it is formed by using a conductive film containing a Group 1 or 2 element belonging to the periodic table. 本実施例では、リチウムとアルミニウムとの化合物からなる導電膜を用いる。 In this embodiment, a conductive film made of a compound of lithium and aluminum.

次に、213は画素電極209の端部を覆うように設けられた絶縁膜であり、本明細書中ではバンクと呼ぶ。 Next, 213 is an insulating film provided so as to cover an end portion of the pixel electrode 209, referred to as a bank herein. バンク213は珪素を含む絶縁膜もしくは樹脂膜で形成すれば良い。 Bank 213 may be formed of an insulating film or a resin film containing silicon. 樹脂膜を用いる場合、樹脂膜の比抵抗が1×10 6 〜1×10 12 Ωm(好ましくは1× When using a resin film, the resistivity of the resin film is 1 × 10 6 ~1 × 10 12 Ωm ( preferably 1 ×
10 8 〜1×10 10 Ωm)となるようにカーボン粒子もしくは金属粒子を添加すると、成膜時の絶縁破壊を抑えることができる。 When 10 8 ~1 × 10 10 Ωm) and so as to adding carbon particles or metal particles, it is possible to suppress the dielectric breakdown at the time of film formation.

また、OLED210は画素電極(陰極)209、有機化合物層211および陽極21 Further, OLED210 the pixel electrode (cathode) 209, the organic compound layer 211 and the anode 21
2からなる。 2 consists of. 陽極212は、仕事関数の大きい導電膜、代表的には酸化物導電膜が用いられる。 The anode 212 is larger conductive film work function, typically, an oxide conductive film. 酸化物導電膜としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛もしくはそれらの化合物を用いれば良い。 The oxide conductive film, indium oxide, tin oxide, may be used zinc oxide or their compounds.

なお、本明細書中では発光層に対して正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層もしくは電子阻止層を組み合わせた積層した層の総称を有機化合物層と定義する。 Incidentally, the hole injection layer to the light-emitting layer herein, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, an electron injection layer or an organic compound layer a generic name of laminated layers that combine electron blocking layer It is defined as. 但し、有機化合物層には有機化合物膜を単層で用いた場合も含むものとする。 However, the organic compound layer is intended to include the case of using an organic compound layer as a single layer.

また、発光層としては、有機化合物材料であれば特に限定されないが、高分子材料や低分子材料を用いてもよく、例えばニ重項励起により発光する発光材料からなる薄膜、あるいは三重項励起により発光する発光材料からなる薄膜を用いることができる。 Further, as the light-emitting layer is not particularly limited as long as it is an organic compound material may be used a polymer material and a low-molecular material, e.g., a thin film made of a light emitting material that emits light by two triplet excitation, or by triplet excitation it can be used a thin film made of the emitted luminescent material.

なお、ここでは図示しないが陽極212を形成した後、OLED210を完全に覆うようにしてパッシベーション膜を設けることは有効である。 Here, after not shown the formation of the anode 212, it is effective to provide a passivation film so as to completely cover the OLED210. パッシベーション膜としては、熱伝導性を有する膜、例えば、AlN XYで示される層が適している。 As the passivation film, film having thermal conductivity, for example, a layer represented by AlN X O Y is suitable. また、他のパッシベーション膜としては、さらにDLC膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜を積層してもよく、これらを組み合わせた積層を用いてもよい。 As another passivation film further DLC film may be laminated insulating film including a silicon nitride film or a silicon oxynitride film may be a multilayer combination of these.

次いで、OLED210を保護するため、実施の形態に示したように支持体となるカバー材を貼りつけて封止(または封入)工程まで行った後、第1の材料層201が設けられた基板200を引き剥がす。 Then, in order to protect the OLED210, after up to sealing (or sealing) process adhered to cover material comprising a support as shown in the embodiment, the substrate 200 where the first material layer 201 is provided the peeled off. そして第2の材料層にフィルム基板を接着層で貼り合わせる。 And bonding the film substrate with an adhesive layer to the second layer of material. 貼り合わせるフィルム基板上には複数のバリア膜と、前記バリア膜どうしの間に前記バリア膜よりも応力の小さい層(応力緩和膜) A plurality of barrier film to film substrate bonding, the barrier film stress smaller layers than between the barrier films to each other (stress relaxing film)
とが設けられており、貼り合わせた後の状態が、実施の形態1に示した図1(A)、図1 Doo is provided, the state after bonding, described in Embodiment 1 FIG. 1 (A), the 1
(B)である。 Is a (B). 第2の材料層202が絶縁膜11に対応している。 The second material layer 202 corresponds to the insulating film 11.

ここでは、実施例2に示した工程とは異なる例を示し、具体的には剥離工程及び貼り合わせ工程についてさらに詳細な説明を図6、図7を用いて説明する。 Here, an example different from the process shown in Example 2, specifically FIG. 6 further detailed description about the peeling process and the bonding process is explained with reference to FIG.

図6(A)中、300は基板、301は窒化物層、302は酸化物層、303は下地絶縁層、304a〜304cは素子、305はOLED、306は層間絶縁膜である。 In FIG. 6 (A), 300 denotes a substrate, 301 is a nitride layer, 302 is an oxide layer, 303 is a base insulating layer, 304a to 304c are devices, 305 OLED, 306 denotes an interlayer insulating film.

図6(A)において、基板300はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。 In FIG. 6 (A), the substrate 300 may be a glass substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, or the like. また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いても良い。 The silicon substrate may be a metal substrate or a stainless steel substrate.

まず、図6(A)に示すように、実施の形態に従って、基板300上に第1の材料層3 First, as shown in FIG. 6 (A), in accordance with an embodiment, the first material layer 3 on the substrate 300
01と第2の材料層302とを形成する。 01 to form a second material layer 302. この第1の材料層301の膜応力と、第2の材料層302の膜応力とを異ならせることが重要である。 And film stress of the first material layer 301, it is important to vary the film stress of the second material layer 302. 各々の膜厚は、1nm〜1000 Each of the film thickness, 1nm~1000
nmの範囲で適宜設定し、各々の膜応力を調節すればよい。 Appropriately set in the range of nm, it may be adjusted each membrane stress.

次いで、第2の材料層302上に被剥離層を形成する。 Then, a peeled layer on the second material layer 302. 被剥離層は、TFTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子)を含む層とすればよい。 The release layer may be a layer containing a different element typified by TFT (thin film diode, a photoelectric conversion element and silicon resistor element made of a PIN junction of silicon). また、基板300の耐え得る範囲の熱処理を行うことができる。 Further, the heat treatment can be performed in a range that can withstand the substrate 300. なお、本発明において、第2の材料層302の膜応力と、第1の材料層301 In the present invention, the film stress of the second material layer 302, the first material layer 301
の膜応力が異なっていても、被剥離層の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。 Be different in film stress, it does not occur such as film peeling by heat treatment in the manufacturing process of the layer to be peeled. ここでは、被剥離層として、下地絶縁層303上に、駆動回路23の素子30 Here, as the layer to be peeled, on the base insulating layer 303, the element 30 of the driving circuit 23
4a、304b、および画素部304の素子304cを形成し、画素部304の素子30 4a, formed 304b, and an element 304c of the pixel portion 304, the element 30 of the pixel portion 304
4cと電気的に接続するOLED15を形成し、OLEDを覆うように膜厚10nm〜1 Forming a 4c and OLED15 for electrically connecting, a thickness so as to cover the OLED 10Nm~1
000nmである層間絶縁膜(透光性を有する有機樹脂)306を形成する。 To form a 306 (an organic resin having translucency) interlayer insulating film is 000Nm. (図1(A (Fig. 1 (A
)) ))

また、第1の材料層301や第2の材料層302によって表面に凹凸が形成された場合、下地絶縁層を形成する前後に表面を平坦化してもよい。 Furthermore, if the uneven surface by the first material layer 301 and the second material layer 302 is formed, it may be planarized surface before and after forming the base insulating layer. 平坦化を行った方が、被剥離層においてカバレッジが良好となり、素子を含む被剥離層を形成する場合、素子特性が安定しやすいため好ましい。 Is better to perform planarization, the coverage becomes good in the layer to be peeled, the case of forming the layer to be peeled including an element, the element characteristic is preferable for easily stabilized. なお、この平坦化処理として、塗布膜(レジスト膜等)を形成した後エッチングなどを行って平坦化するエッチバック法や機械的化学的研磨法(CMP法)等を用いればよい。 As the planarization process may be used for coating film etch-back method to flatten performed such as etching after (resist film) is formed and chemical mechanical polishing (CMP method).

次いで、層間絶縁膜306上に膜厚10nm〜1000nmであるAlN XY膜で示されるアルミニウムを含む窒化酸化物膜307を形成する。 Then, a nitride oxide film 307 containing aluminum represented by AlN X O Y film is a film thickness 10nm~1000nm on the interlayer insulating film 306. (図6(B) (Fig. 6 (B)
)このAlN XY膜307は保護膜として機能する。 ) The AlN X O Y film 307 functions as a protective film. ここでは、窒化アルミニウム(Al Here, aluminum nitride (Al
N)ターゲットを用い、アルゴンガス(20sccm)と窒素ガス(15sccm)と酸素ガス(5sccm)を混合した雰囲気下にて成膜する。 Using N) target, it is deposited in an atmosphere of a mixture of argon gas (20 sccm) and nitrogen gas (15 sccm) and oxygen gas (5 sccm). また、アルミニウム(Al)ターゲットを用い、窒素ガス及び酸素ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。 Further, using aluminum (Al) target film may be formed in an atmosphere containing nitrogen gas and oxygen gas. また、Al In addition, Al
XY膜307は、装置外から水分や酸素などの不純物といったOLED15の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ効果も有している。 N X O Y film 307 has an effect of preventing the material to promote the degradation of OLED15 such impurities such as moisture and oxygen from the outside of the device from entering.

次いで、FPC310やICチップ(図示しない)をCOG(chip on glass)方式やTAB(tape automated bonding)方式やワイヤボンディング方法で貼り付ける。 Then, paste FPC310 and IC chip (not shown) by COG (chip on glass) method or TAB (tape automated 'Bonding) method or a wire bonding method. また、 Also,
各TFT素子の各配線と入出力端子311は、配線(接続配線)で繋がれており、入出力端子311にはFPC310を異方性導電材で接着する。 Input-output terminal 311 and the wiring of the TFT elements are connected by wiring (connecting wiring), the input-output terminal 311 for bonding with the anisotropic conductive material of the FPC 310. 異方性導電材は樹脂と表面にA Anisotropic conductive material A in the resin and the surface
uなどがメッキされた数十〜数百μm径の導電性粒子から成り、導電性粒子により入出力端子とFPCに形成された配線とが電気的に接続される。 Consists of several tens to several hundreds of μm size of the conductive particles such as are plated u, the conductive particles and the wiring formed on the input and output terminals and the FPC are electrically connected. メモリ、CPU、コントローラ、D/Aコンバータ等を備えたICチップも同様に異方性導電材で基板に接着し、樹脂中に混入された導電性粒子により、ICチップに設けられた入出力端子と引出線または接続配線及び入出力端子と電気的に接続する。 Memory, CPU, and the controller, D / A converter such as an IC chip having a similarly bonded to the substrate with an anisotropic conductive material, the conductive particles are mixed into the resin, input and output terminals provided on the IC chip electrically connected to the lead line or a connection wiring and input and output terminals and.

次いで、基板300を物理的手段により引き剥がすために被剥離層を固定する支持体( Then, the support for fixing the peeled layer for peeling off by a physical means of the substrate 300 (
プラスチック基板からなるカバー材)309をエポキシ樹脂などの接着層308で貼りつける。 Pasting the cover member) 309 made of a plastic substrate with an adhesive layer 308 such as an epoxy resin. (図6(C))ここでは、被剥離層の機械的強度が不十分であると仮定した例を示しているが、被剥離層の機械的強度が十分である場合には、被剥離層を固定する支持体なしで剥離することもできる。 Here (FIG. 6 (C)), the mechanical strength of the release layer shows an example where it is assumed to be insufficient, when the mechanical strength of the layer to be peeled is sufficient, peeled layer It can be peeled without the support for fixing the. FPC310やICチップを覆って支持体309を貼り付けるため、支持体309の接着により、入出力端子311とFPCとの接続をさらに固定することができる。 To paste the support 309 covers the FPC310 and IC chip, the bonding of the support 309 can further secure the connection between the input and output terminals 311 and FPC. また、ここではFPCやICチップを接着した後に支持体を接着した例を示したが、支持体を接着した後、FPCやICチップを装着してもよい。 Also, here is showed an example of bonding the support after bonding the FPC and IC chip, a support after bonding, it is also possible to attach a FPC and IC chip.

次いで、第1の材料層301が設けられている基板300を物理的手段により引き剥がす。 Then, the substrate 300 where the first material layer 301 is provided is peeled off by the physical means. 第2の材料層302の膜応力と、第1の材料層301の膜応力が異なっているため、 Since the film stress of the second material layer 302, the film stress of the first material layer 301 are different,
比較的小さな力で引き剥がすことができる。 It can be peeled off with a relatively small force. 第1の材料層301と第2の材料層302との結合力は、熱エネルギーには耐え得る強さを有している一方、互いの膜応力は異なり、 The first material layer 301 bonding force between the second material layer 302, while having a strength capable of withstanding the heat energy, another film stress are different,
第1の材料層301と第2の材料層302との間には応力歪みを有しているため、力学的エネルギーに弱く、剥離するには最適である。 Because it has a stress strain between the first material layer 301 and the second material layer 302, sensitive to mechanical energy, the peeling is optimal. こうして、第2の材料層302上に形成された被剥離層を基板300から分離することができる。 Thus, it is possible to layer to be peeled formed on the second material layer 302 is separated from the substrate 300. 剥離後の状態を図7(A)に示す。 A state after peeling is shown in FIG. 7 (A). なお、この剥離方法は、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することが可能である。 Note that this separation method is not only peeling of the layer to be peeled having a small area, it is possible to peel good yield over a layer to be peeled having a large area over the entire surface.

次いで、第2の材料層302をエポキシ樹脂などの接着層308により転写体309a Then, the transfer member 309a and the second material layer 302 by the adhesive layer 308 such as an epoxy resin
に貼り付ける。 To paste. 実施の形態では、カバー材と保護膜との間に空隙を有する例を示したが、 In the embodiment, an example having an air gap between the cover member and the protective film,
本実施例では保護膜307に接着層を接着した例を示す。 In this embodiment shows an example of bonding the adhesive layer to the protective layer 307.

また、ここでは、転写体309aをプラスチックフィルム基板とすることで、軽量化を図っている。 Further, here, the transfer member 309a by a plastic film substrate, thereby achieving weight reduction. また、転写体309a上にバリア膜として機能するAlN XYで示される層(AlN XY膜とも呼ぶ)309bと、応力緩和膜(有機樹脂)309cと、AlN XY Further, (also referred to as AlN X O Y film) layer represented by AlN X O Y which serves as a barrier film onto the transfer member 309a and 309b, and the stress relaxation layer (organic resin) 309c, AlN X O Y
膜309dとの積層を設けて、バリア膜で水分や酸素などの不純物が有機発光層に入り込むのを効果的に防ぐとともに、複数のバリア膜の間に応力緩和膜を設けることによって、 Providing a stack of a film 309d, effectively preventing with an impurity such as moisture and oxygen from entering the organic light emitting layer with a barrier film, by providing the stress relaxation film between the plurality of barrier films,
よりフレキシブルな発光装置になり、曲げたときのクラックを防ぐことができる。 Become more flexible light-emitting device, it is possible to prevent cracks upon bending.

このようにしてフレキシブルなプラスチック基板上に形成されたOLEDを有する発光装置が完成する。 Emitting device is completed with an OLED that is formed on a flexible plastic substrate in this manner.

なお、本明細書中において、転写体とは、剥離された後、被剥離層と接着させるものであり、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。 Note that in this specification, the transfer member, after being peeled off, which is bonded with the layer to be peeled is not particularly limited, plastic, glass, metal, ceramics, etc., may be the substrate of any composition. また、本明細書中において、支持体とは、物理的手段により剥離する際に被剥離層と接着するためのものであり、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、 Further, in this specification, and the support is for adhering the peeled layer upon the release of the physical means is not particularly limited, plastic, glass, metal,
セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。 Ceramics, may be a substrate of any composition. また、転写体の形状および支持体の形状も特に限定されず、平面を有するもの、曲面を有するもの、可曲性を有するもの、フィルム状のものであってもよい。 The shape and the shape of the support of the transfer member is not particularly limited, those having a flat surface, those having a curved surface, those having a bendable, or may be a film-like. また、軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラスチック基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルホン( Also, if the highest priority lightweight, film-like plastic substrate, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (
PES) PES)
、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(P , Polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), nylon, polyether ether ketone (PEEK), polysulfone (PSF), polyether imide (P
EI)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などのプラスチック基板が好ましい。 EI), polyarylate (PAR), a plastic substrate, such as polybutylene terephthalate (PBT) are preferred.

本実施例では、画素電極を陽極とし、有機化合物層と陰極を積層して実施の形態(図1 In this embodiment, a pixel electrode as an anode, the embodiments by stacking organic compound layer and the cathode (Fig. 1
)とは逆方向に発光する構成の一例を図8に示す。 ) And shows an example of a configuration for emitting in opposite directions in FIG. なお、上面図は図1と同一であるので省略する。 Incidentally, omitted top view is the same as FIG.

図8に示した断面構造について以下に説明する。 The cross-sectional structure shown in FIG. 8 will be described below. AlN XY膜1000bと応力緩和膜1000cと、AlN XY膜1000dとの積層が設けられたフィルム基板1000aが絶縁膜1001と接着層1023で貼り合わせられている。 And AlN X O Y film 1000b and the stress relaxation film 1000c, AlN X O Y film 1000d and film substrate 1000a in which stacked is provided for are bonded by an adhesive layer 1023 and the insulating film 1001. 絶縁膜1001上には絶縁膜1010が設けられ、絶縁膜1010の上方には画素部1002、ゲート側駆動回路10 On the insulating film 1001 is provided an insulating film 1010, a pixel portion 1002 over the insulating film 1010, a gate side driving circuit 10
03が形成されており、画素部1002は電流制御用TFT1011とそのドレインに電気的に接続された画素電極1012を含む複数の画素により形成される。 03 are formed, the pixel portion 1002 is formed by a plurality of pixels including a pixel electrode 1012 that is electrically connected to a drain of the current control TFT 1011. 電流制御用TF Current control for TF
T1011は、nチャネル型TFTを用いることも可能であるが、pチャネル型TFTを用いることが好ましい。 T1011 is, it is also possible to use an n-channel TFT, and it is preferable to use the p-channel type TFT. また、ゲート側駆動回路1003はnチャネル型TFT1013 Further, the gate side driver circuit 1003 n-channel type TFT1013
とpチャネル型TFT1014とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。 It is formed using a CMOS circuit combining a p-channel type TFT1014 with.

これらのTFT(1011、1013、1014を含む)は、上記実施例1のnチャネル型TFT201、上記実施例1のpチャネル型TFT202に従って作製すればよい。 These TFT (including 1011,1013,1014) is, n-channel type TFT201 of Example 1, it may be manufactured in accordance with the p-channel type TFT202 of Example 1.

画素電極1012は発光素子(OLED)の陽極として機能する。 Pixel electrode 1012 functions as an anode of the light emitting element (OLED). また、画素電極10 Further, the pixel electrode 10
12の両端にはバンク1015が形成され、画素電極1012上には有機化合物層101 The ends of the 12 banks 1015 are formed, the organic compound layer 101 on the pixel electrode 1012
6および発光素子の陰極1017が形成される。 Cathode 1017 of 6 and the light emitting element is formed.

陰極1017は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線1008を経由してFP Cathode 1017 also functions as a common wiring to all the pixels, FP via the connection wiring 1008
C1009に電気的に接続されている。 It is electrically connected to the C1009. さらに、画素部1002及びゲート側駆動回路1 Further, the pixel portion 1002 and the gate side driver circuit 1
003に含まれる素子は全て陰極1017、有機樹脂1018、及び保護膜1019で覆われている。 All elements cathode 1017 contained 003 are covered with an organic resin 1018, and a protective film 1019. 保護膜1019として、1000bと同じAlN XY膜を用いてもよい。 As the protective film 1019, it may use the same AlN X O Y film and 1000b. また、カバー材1020と接着層で貼り合わせている。 Also, it is stuck in the cover member 1020 and the adhesive layer. また、カバー材には凹部を設け、乾燥剤1021を設置する。 Further, a recess in the cover member, placing a desiccant 1021.

また、カバー材1020を図8に示す凹部形状とした場合、支持体となるカバー材10 In addition, when a concave shape showing the cover member 1020 in FIG. 8, a support cover member 10
20を接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分が絶縁膜1010のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にFPC1009を貼りつけ、さらに有機樹脂1022 After bonding the 20, because the mechanical strength portion of the wiring lead-out terminals becomes only the insulating film 1010 upon the release is weakened, stuck FPC1009 before peeling, further organic resin 1022
で固定することが望ましい。 In it it is desirable to fix.

また、図8では、画素電極を陽極とし、有機化合物層と陰極を積層したため、発光方向は図8に示す矢印の方向となっている。 Further, in FIG. 8, a pixel electrode as an anode, because of the laminated organic compound layer and the cathode, the light emitting direction is the direction of the arrow shown in FIG.

また、ここではトップゲート型TFTを例として説明したが、TFT構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型(逆スタガ型)TFTや順スタガ型TFTに適用することが可能である。 Also, here has been described as an example a top-gate type TFT, it is possible to apply the present invention irrespective of the TFT structure, for example, bottom-gate (inverted staggered) be applied to TFT or a staggered TFT it is possible.

また、実施の形態ではトップゲート型TFTを用いた例を示したが、ボトムゲート型TF Also, although an example using a top gate type TFT in the embodiment, a bottom gate type TF
Tを用いることも可能である。 It is also possible to use T. ここではボトムゲート型TFTを用いた例を図9に示す。 Here an example using a bottom gate type TFT in FIG.

図9中に示したようにnチャネル型TFT1113、pチャネル型TFT1114、n n-channel type as shown in FIG. 9 TFT1113, p-channel type TFT1114, n
チャネル型TFT1111を全てボトムゲート構造とする。 All channel TFT1111 a bottom gate structure. これらのボトムゲート構造は、公知の技術を用いて作製すればよい。 These bottom-gate structure, may be prepared using known techniques. なお、これらのTFTの活性層は、結晶構造を有する半導体膜(ポリシリコン等)であってもよいし、非晶質構造を有する半導体膜(アモルファスシリコン等)であってもよい。 The active layer of the TFT may be a semiconductor film having a crystalline structure (such as polysilicon), or may be a semiconductor film having an amorphous structure (amorphous silicon).

また、図9中、1100aは、可撓性を有するフィルム基板(例えば、プラスチック基板等)、1100b、1100dはAlN XY膜、1100cは、応力緩和膜(有機樹脂)、1101は、第2の材料層(例えば、酸化シリコン膜)である絶縁膜、1102は画素部、1103はゲート側駆動回路、1110は絶縁膜、1112は画素電極(陰極)、 Further, in FIG. 9, 1100a is a film substrate having flexibility (for example, a plastic substrate or the like), 1100b, 1100d are AlN X O Y film, 1100c, the stress relaxation film (organic resin), 1101, second material layer (e.g., silicon film oxide) in which the insulating film, 1102 denotes a pixel portion, a gate side driving circuit 1103, 1110 denotes an insulating film, 1112 denotes a pixel electrode (cathode),
1115はバンク、1116は有機化合物層、1117は陽極、1118は有機樹脂、1 1115 bank 1116 organic compound layer, 1117 anode, 1118 organic resin, 1
119は保護膜(AlN XY膜)、1120はカバー材、1121は乾燥剤、1122は有機樹脂、1123は接着層である。 119 protective film (AlN X O Y film) 1120 covering member, 1121 desiccant, 1122 organic resin, 1123 is an adhesive layer.

また、nチャネル型TFT1113、pチャネル型TFT1114、nチャネル型TF In addition, n-channel type TFT1113, p-channel type TFT1114, n-channel type TF
T1111以外の構成は、実施の形態と同一であるのでここでは説明を省略する。 Configuration other than T1111 will be omitted here since it is identical with the embodiment.

本発明を実施して形成されたELモジュールは様々な電子機器の表示部に用いることができる。 EL module formed by implementing the present invention can be used in the display portion of various electronic equipment. 即ち、ELモジュールを表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。 That is, the present invention can be applied to all electronic devices incorporating the EL module in the display unit.

その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、 As such electronic equipment, a video camera, a digital camera, a head-mounted display (goggle type display), a car navigation system, a projector, a car stereo,
パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙げられる。 Personal computer, a portable information terminal (mobile computer, mobile phone, an electronic book, or the like), and the like. それらの一例を図10、図11に示す。 Examples of these are shown in FIGS.

図10(A)はパーソナルコンピュータであり、本体2001、画像入力部2002、表示部2003、キーボード2004等を含む。 Figure 10 (A) is a personal computer including a main body 2001, an image input unit 2002, a display portion 2003, a keyboard 2004 and the like. 本発明を表示部2003に適用することができる。 It is possible to apply the present invention to the display portion 2003.

図10(B)はビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部210 FIG. 10 (B) a video camera which includes a main body 2101, a display portion 2102, an audio input portion 210
3、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。 3, including an operation switch 2104, a battery 2105, an image receiving portion 2106, and the like. 本発明を表示部2102に適用することができる。 It is possible to apply the present invention to the display portion 2102.

図10(C)はモバイルコンピュータ(モービルコンピュータ)であり、本体2201、 Figure 10 (C) is a mobile computer which includes a main body 2201,
カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。 A camera section 2202, an image receiving portion 2203, operation switches 2204, a display portion 2205, and the like.
本発明は表示部2205に適用できる。 The present invention can be applied to the display portion 2205.

図10(D)はゴーグル型ディスプレイであり、本体2301、表示部2302、アーム部2303等を含む。 Figure 10 (D) shows a goggle type display including a main body 2301, a display portion 2302, an arm portion 2303 or the like. 本発明は表示部2302に適用することができる。 The present invention can be applied to the display portion 2302.

図10(E)はプログラムを記録した記録媒体(以下、記録媒体と呼ぶ)を用いるプレーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、 Figure 10 (E) recording medium (hereinafter, referred to as record medium) including a recorded program a player using a main body 2401, a display portion 2402, speaker portions 2403, a recording medium 2404,
操作スイッチ2405等を含む。 And operation switches 2405, and the like. なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Dig In addition, DVD as the player of the recording medium (Dig
tial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。 tial Versatile Disc), a CD and the like, it is possible to perform music appreciation, film appreciation, games and the Internet. 本発明は表示部2402に適用することができる。 The present invention can be applied to the display portion 2402.

図10(F)はデジタルカメラであり、本体2501、表示部2502、接眼部250 Figure 10 (F) is a digital camera including a main body 2501, a display portion 2502, an eyepiece 250
3、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。 3, and operation switches 2504, an image receiving portion (not shown) or the like. 本発明を表示部2502に適用することができる。 It is possible to apply the present invention to the display portion 2502.

図11(A)は携帯電話であり、本体2901、音声出力部2902、音声入力部29 Figure 11 (A) is a mobile phone which includes a main body 2901, an audio output portion 2902, an audio input portion 29
03、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906、画像入力部(CCD 03, a display unit 2904, operation switches 2905, an antenna 2906, an image input section (CCD
、イメージセンサ等)2907等を含む。 , Including an image sensor, etc.) 2907, or the like. 本発明を表示部2904に適用することができる。 It is possible to apply the present invention to the display portion 2904.

図11(B)は携帯書籍(電子書籍)であり、本体3001、表示部3002、300 Figure 11 (B) is a portable book (electronic book) including a main body 3001, a display portion 3002,300
3、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。 3, the storage medium 3004, operation switches 3005, an antenna 3006 and the like. 本発明は表示部3002、3003に適用することができる。 The present invention can be applied to the display section 3002 and 3003.

図11(C)はディスプレイであり、本体3101、支持台3102、表示部3103 Figure 11 (C) is a display, a main body 3101, a support stand 3102, a display portion 3103
等を含む。 And the like. 本発明は表示部3103に適用することができる。 The present invention can be applied to the display portion 3103.

ちなみに図11(C)に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば5〜20 Incidentally display shown in FIG. 11 (C) is small and medium type or large type, for example, 5 to 20
インチの画面サイズのものである。 Inch is of the screen size. また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が1mのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。 Further, to manufacture the display part with such sizes, it is preferable that one side of the substrate is used as the 1 m, the mass production by gang.

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。 As described above, the application range of the present invention can be applied to very wide, electronic apparatuses of various fields. また、本実施例の電子機器は実施例1〜5のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。 The electronic device of this embodiment can be realized by using a combination of constitutions in Embodiments 1 to 5 throat.

Claims (4)

  1. 第1の基板を有し、 Having a first substrate,
    前記第1の基板の上方に第1の絶縁膜を有し、 Having a first insulating film above the first substrate,
    前記第1の絶縁膜の上方に第2の絶縁膜を有し、 A second insulating film above the first insulating film,
    前記第2の絶縁膜の上方にトランジスタを有し、 To have a transistor above the second insulating film,
    前記トランジスタの上方に第3の絶縁膜を有し、 A third insulating film above the transistor,
    前記第3の絶縁膜の上方に、前記トランジスタに電気的に接続される第1の導電膜と、前記第1の導電膜の上方の有機化合物層と、前記有機化合物層の上方の第2の導電膜とを有する発光素子を有し、 Above the third insulating film, a first conductive film electrically connected to the transistor, wherein a first upper conductive film of the organic compound layer, the organic compound layer over the second a light-emitting device having a conductive film,
    前記第3の絶縁膜の上方に、前記第1の導電膜の端部を覆うように設けられた第4の絶縁膜を有し、 Above the third insulating film, a fourth insulating film provided so as to cover an end portion of the first conductive film,
    前記第3の絶縁膜の上方に第3の導電膜を有し、 A third conductive film above the third insulating film,
    前記第2の導電膜の上方に、前記第2の導電膜に接する有機膜を有し、 Above the second conductive film has an organic film in contact with the second conductive film,
    前記有機膜の上方に保護膜を有し、 A protective film above the organic film,
    前記保護膜の上方に第2の基板を有し、 A second substrate above the protective film,
    前記第2の導電膜は、前記第4の絶縁膜に接する第1の領域を有し、 The second conductive film has a first region in contact with said fourth insulating film,
    前記第2の導電膜は、前記第3の導電膜に接する第2の領域を有し、 The second conductive film has a second region in contact with the third conductive film,
    前記第2の導電膜は、前記第2の領域の位置よりも前記第1の基板の第1の端部に近い位置には設けられておらず、 The second conductive film is not provided at a position closer to the first end portion of the first substrate than the position of the second region,
    前記第1の基板の第1の端部と、前記有機膜の端部であって前記第1の基板の第1の端部側の端部との間に、前記第3の導電膜が設けられた領域を有し、 Between the first end and the first end side of the end portions of the a said first substrate of the organic film of the first substrate, the third conductive film is provided have obtained region,
    前記保護膜の端部であって前記第1の基板の第1の端部側の端部は、前記有機膜の端部であって前記第1の基板の第1の端部側の端部よりも前記第1の基板の第1の端部に近い位置にあることを特徴とする発光装置。 It said first end side of the end portion of the a end of the protective film first substrate has a first end portion side of the edge portion of the substrate, comprising an end portion of the first of the organic film the light emitting device characterized in that is located closer to the first end of the first substrate than.
  2. 第1の基板を有し、 Having a first substrate,
    前記第1の基板の上方に第1の絶縁膜を有し、 Having a first insulating film above the first substrate,
    前記第1の絶縁膜の上方に第2の絶縁膜を有し、 A second insulating film above the first insulating film,
    前記第2の絶縁膜の上方にトランジスタを有し、 To have a transistor above the second insulating film,
    前記トランジスタの上方に第3の絶縁膜を有し、 A third insulating film above the transistor,
    前記第3の絶縁膜の上方に、前記トランジスタに電気的に接続される第1の導電膜と、前記第1の導電膜の上方の有機化合物層と、前記有機化合物層の上方の第2の導電膜とを有する発光素子を有し、 Above the third insulating film, a first conductive film electrically connected to the transistor, wherein a first upper conductive film of the organic compound layer, the organic compound layer over the second a light-emitting device having a conductive film,
    前記第3の絶縁膜の上方に、前記第1の導電膜の端部を覆うように設けられた第4の絶縁膜を有し、 Above the third insulating film, a fourth insulating film provided so as to cover an end portion of the first conductive film,
    前記第3の絶縁膜の上方に第3の導電膜を有し、 A third conductive film above the third insulating film,
    前記第2の導電膜の上方に、前記第2の導電膜に接する有機膜を有し、 Above the second conductive film has an organic film in contact with the second conductive film,
    前記有機膜の上方に保護膜を有し、 A protective film above the organic film,
    前記保護膜の上方に第2の基板を有し、 A second substrate above the protective film,
    前記第2の導電膜は、前記第4の絶縁膜に接する第1の領域を有し、 The second conductive film has a first region in contact with said fourth insulating film,
    前記第2の導電膜は、前記第3の導電膜に接する第2の領域を有し、 The second conductive film has a second region in contact with the third conductive film,
    前記第1の領域は、前記第2の領域の位置よりも前記第1の基板の第1の端部に近い位置には設けられておらず、 The first region is not provided in a position closer to the first end portion of the first substrate than the position of the second region,
    前記第1の基板の第1の端部と、前記有機膜の端部であって前記第1の基板の第1の端部側の端部との間に、前記第3の導電膜が設けられた領域を有し、 Between the first end and the first end side of the end portions of the a said first substrate of the organic film of the first substrate, the third conductive film is provided have obtained region,
    前記保護膜の端部であって前記第1の基板の第1の端部側の端部は、前記有機膜の端部であって前記第1の基板の第1の端部側の端部よりも前記第1の基板の第1の端部に近い位置にあることを特徴とする発光装置。 It said first end side of the end portion of the a end of the protective film first substrate has a first end portion side of the edge portion of the substrate, comprising an end portion of the first of the organic film the light emitting device characterized in that is located closer to the first end of the first substrate than.
  3. 第1のプラスチックフィルムを有し、 It has a first plastic film,
    前記第1のプラスチックフィルムの上方に第1の絶縁膜を有し、 Having a first insulating film above the first plastic film,
    前記第1の絶縁膜の上方に第2の絶縁膜を有し、 A second insulating film above the first insulating film,
    前記第2の絶縁膜の上方にトランジスタを有し、 To have a transistor above the second insulating film,
    前記トランジスタの上方に第3の絶縁膜を有し、 A third insulating film above the transistor,
    前記第3の絶縁膜の上方に、前記トランジスタに電気的に接続される第1の導電膜と、前記第1の導電膜の上方の有機化合物層と、前記有機化合物層の上方の第2の導電膜とを有する発光素子を有し、 Above the third insulating film, a first conductive film electrically connected to the transistor, wherein a first upper conductive film of the organic compound layer, the organic compound layer over the second a light-emitting device having a conductive film,
    前記第3の絶縁膜の上方に、前記第1の導電膜の端部を覆うように設けられた第4の絶縁膜を有し、 Above the third insulating film, a fourth insulating film provided so as to cover an end portion of the first conductive film,
    前記第3の絶縁膜の上方に第3の導電膜を有し、 A third conductive film above the third insulating film,
    前記第2の導電膜の上方に、前記第2の導電膜に接する有機膜を有し、 Above the second conductive film has an organic film in contact with the second conductive film,
    前記有機膜の上方に保護膜を有し、 A protective film above the organic film,
    前記保護膜の上方に第2のプラスチックフィルムを有し、 A second plastic film above the protective film,
    前記第2の導電膜は、前記第4の絶縁膜に接する第1の領域を有し、 The second conductive film has a first region in contact with said fourth insulating film,
    前記第2の導電膜は、前記第3の導電膜に接する第2の領域を有し、 The second conductive film has a second region in contact with the third conductive film,
    前記第2の導電膜は、前記第2の領域の位置よりも前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部に近い位置には設けられておらず、 The second conductive film is not provided at a position closer to the first end portion of said first plastic film than the position of the second region,
    前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部と、前記有機膜の端部であって前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部側の端部との間に、前記第3の導電膜が設けられた領域を有し、 Between the first end and the first end side of the end portion of the plastic film an end said first of said organic film of the first plastic film, the third conductive film has is provided region,
    前記保護膜の端部であって前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部側の端部は、前記有機膜の端部であって前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部側の端部よりも前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部に近い位置にあることを特徴とする発光装置。 End of the first end portion side of the first plastic film comprising an end portion of the protective film is an end portion of the organic film of the first end portion side of the first plastic film emitting device characterized by than the end is located closer to the first end of the first plastic film.
  4. 第1のプラスチックフィルムを有し、 It has a first plastic film,
    前記第1のプラスチックフィルムの上方に第1の絶縁膜を有し、 Having a first insulating film above the first plastic film,
    前記第1の絶縁膜の上方に第2の絶縁膜を有し、 A second insulating film above the first insulating film,
    前記第2の絶縁膜の上方にトランジスタを有し、 To have a transistor above the second insulating film,
    前記トランジスタの上方に第3の絶縁膜を有し、 A third insulating film above the transistor,
    前記第3の絶縁膜の上方に、前記トランジスタに電気的に接続される第1の導電膜と、前記第1の導電膜の上方の有機化合物層と、前記有機化合物層の上方の第2の導電膜とを有する発光素子を有し、 Above the third insulating film, a first conductive film electrically connected to the transistor, wherein a first upper conductive film of the organic compound layer, the organic compound layer over the second a light-emitting device having a conductive film,
    前記第3の絶縁膜の上方に、前記第1の導電膜の端部を覆うように設けられた第4の絶縁膜を有し、 Above the third insulating film, a fourth insulating film provided so as to cover an end portion of the first conductive film,
    前記第3の絶縁膜の上方に第3の導電膜を有し、 A third conductive film above the third insulating film,
    前記第2の導電膜の上方に、前記第2の導電膜に接する有機膜を有し、 Above the second conductive film has an organic film in contact with the second conductive film,
    前記有機膜の上方に保護膜を有し、 A protective film above the organic film,
    前記保護膜の上方に第2のプラスチックフィルムを有し、 A second plastic film above the protective film,
    前記第2の導電膜は、前記第4の絶縁膜に接する第1の領域を有し、 The second conductive film has a first region in contact with said fourth insulating film,
    前記第2の導電膜は、前記第3の導電膜に接する第2の領域を有し、 The second conductive film has a second region in contact with the third conductive film,
    前記第1の領域は、前記第2の領域の位置よりも前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部に近い位置には設けられておらず、 The first region is not provided in a position closer to the first end portion of said first plastic film than the position of the second region,
    前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部と、前記有機膜の端部であって前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部側の端部との間に、前記第3の導電膜が設けられた領域を有し、 Between the first end and the first end side of the end portion of the plastic film an end said first of said organic film of the first plastic film, the third conductive film has is provided region,
    前記保護膜の端部であって前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部側の端部は、前記有機膜の端部であって前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部側の端部よりも前記第1のプラスチックフィルムの第1の端部に近い位置にあることを特徴とする発光装置。 End of the first end portion side of the first plastic film comprising an end portion of the protective film is an end portion of the organic film of the first end portion side of the first plastic film emitting device characterized by than the end is located closer to the first end of the first plastic film.
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