JP6030371B2 - Device storage package and mounting structure - Google Patents

Device storage package and mounting structure Download PDF

Info

Publication number
JP6030371B2
JP6030371B2 JP2012167308A JP2012167308A JP6030371B2 JP 6030371 B2 JP6030371 B2 JP 6030371B2 JP 2012167308 A JP2012167308 A JP 2012167308A JP 2012167308 A JP2012167308 A JP 2012167308A JP 6030371 B2 JP6030371 B2 JP 6030371B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
output terminal
frame
substrate
wiring conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012167308A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014027158A (en
Inventor
真広 辻野
真広 辻野
田中 信幸
信幸 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2012167308A priority Critical patent/JP6030371B2/en
Publication of JP2014027158A publication Critical patent/JP2014027158A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6030371B2 publication Critical patent/JP6030371B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

本発明は、素子を実装することが可能な素子収納用パッケージ、および素子を実装した実装構造体に関する。   The present invention relates to an element storage package capable of mounting an element and a mounting structure on which the element is mounted.

近年、機器の小型化とともに、半導体素子、発光ダイオード、圧電素子、水晶振動子、レーザーダイオードまたはホトダイオード等の素子を実装することが可能な小型の素子収納用パッケージが開発されている(例えば、特許文献1参照)。なお、上記特許文献1で提案された素子収納用パッケージは、基板と、基板上に設けられた枠体と、枠体の一部に設けられた入出力端子と備え、入出力端子の上面に枠体内と枠体外とを電気的に接続するリード端子が取り付けられた構造が提案されている。   In recent years, along with miniaturization of devices, small-sized device housing packages capable of mounting devices such as semiconductor devices, light emitting diodes, piezoelectric devices, crystal resonators, laser diodes or photodiodes have been developed (for example, patents) Reference 1). The element storage package proposed in Patent Document 1 includes a substrate, a frame provided on the substrate, and an input / output terminal provided in a part of the frame, and is provided on the upper surface of the input / output terminal. There has been proposed a structure in which lead terminals for electrically connecting the inside of the frame and the outside of the frame are attached.

実開平5−11443号公報Japanese Utility Model Publication No. 5-11443

素子収納用パッケージの小型化、大容量化に起因して、素子収納用パッケージ内に熱がこもり易く、特に、100GHzの周波数を用いる高周波用の素子収納用パッケージでは、入出力端子に加わる熱応力が大きく、入出力端子が破壊される虞が大きい。   Due to the downsizing and large capacity of the element storage package, heat is easily trapped in the element storage package. Particularly, in the case of a high-frequency element storage package using a frequency of 100 GHz, thermal stress applied to the input / output terminals. The input / output terminals are likely to be destroyed.

本発明は、入出力端子にクラックが発生するのを抑制することが可能な素子収納用パッケージおよび実装構造体を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an element storage package and a mounting structure capable of suppressing the occurrence of cracks in input / output terminals.

本発明の一実施形態に係る素子収納用パッケージは、上面に素子を実装するための実装領域を有する基板と、前記基板の外周に沿って前記実装領域を取り囲むように前記基板上に設けられた枠状部および前記枠状部に前記基板の上面に沿った平面方向に形成された貫通部とを有する枠体と、前記貫通部に設けられた、前記枠体内と前記枠体外とを電気的に
接続する入出力端子とを備え、前記入出力端子は、直方体形状であって、前記枠体内に位置する上面から側面にかけて形成された切欠きと、前記切欠きから内部を通って下面にまで形成された配線導体と、下面の前記配線導体と接続されたリード端子と、上面に設けられた金属層とを有し有しており、前記基板は、前記入出力端子の下面の一部と当接する個所に、段差が形成されたことを特徴とする。
An element storage package according to an embodiment of the present invention is provided on a substrate having a mounting area for mounting an element on an upper surface and surrounding the mounting area along an outer periphery of the substrate. A frame having a frame-like portion and a penetrating portion formed in the planar direction along the upper surface of the substrate in the frame-like portion, and electrically connecting the frame body and the frame body provided in the penetrating portion. An input / output terminal connected to the frame, the input / output terminal having a rectangular parallelepiped shape, a notch formed from an upper surface to a side surface located in the frame, and from the notch to the lower surface through the inside The wiring conductor formed, a lead terminal connected to the wiring conductor on the lower surface, and a metal layer provided on the upper surface, the substrate is a part of the lower surface of the input / output terminal the abutting point, that a step is formed And butterflies.

また、本発明の一実施形態に係る実装構造体は、前記素子収納用パッケージと、前記素子収納用パッケージの前記実装領域に実装された素子とを備えたことを特徴とする。   In addition, a mounting structure according to an embodiment of the present invention includes the element storage package and an element mounted in the mounting region of the element storage package.

本発明は、パッケージにクラックが発生するのを抑制することが可能な素子収納用パッケージおよび実装構造体を提供することができる。   The present invention can provide an element storage package and a mounting structure capable of suppressing the occurrence of cracks in the package.

本発明の一実施形態に係る実装構造体の一方向から見た概観斜視図である。It is the general-view perspective view seen from one direction of the mounting structure concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る実装構造体の他方向から見た概観斜視図である。It is the general-view perspective view seen from the other direction of the mounting structure concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る実装構造体の内部を示した平面図である。It is the top view showing the inside of the mounting structure concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る実装構造体の入出力端子の概観斜視図である。It is a general | schematic perspective view of the input-output terminal of the mounting structure which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る実装構造体の入出力端子の平面図である。It is a top view of the input / output terminal of the mounting structure concerning one embodiment of the present invention. 図3のX−Xに沿った断面図である。It is sectional drawing along XX of FIG. 図6のA部分を拡大した拡大断面図である。It is the expanded sectional view which expanded the A section of FIG.

以下、本発明の一実施形態に係る素子収納用パッケージおよび実装構造体について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, an element storage package and a mounting structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

<実装構造体の構成>
実装構造体1は、素子収納用パッケージ2と、素子収納用パッケージ2の実装領域Rに設けられた素子3とを備えている。素子収納用パッケージ2は、例えば、半導体素子、トランジスタ、レーザーダイオード、フォトダイオードまたはサイリスタ等の能動素子、あるいは抵抗器、コンデンサ、太陽電池、圧電素子、水晶振動子またはセラミック発振子等の受動素子からなる素子3を実装するのに用いるものである。
<Configuration of mounting structure>
The mounting structure 1 includes an element storage package 2 and an element 3 provided in the mounting region R of the element storage package 2. The element storage package 2 includes, for example, an active element such as a semiconductor element, a transistor, a laser diode, a photodiode, or a thyristor, or a passive element such as a resistor, a capacitor, a solar cell, a piezoelectric element, a crystal oscillator, or a ceramic oscillator. Used to mount the element 3.

素子3は、台座3a上に実装される。台座3aは、素子収納用パッケージ2の内部の実装領域Rに設けられる。台座3aは、素子3を実装するものであって、素子3の高さ位置を調整することができる。台座3aは、絶縁材料からなり、台座3aの上面に素子3と電気的に接続される電気配線が形成されている。   The element 3 is mounted on the pedestal 3a. The pedestal 3 a is provided in the mounting region R inside the element storage package 2. The pedestal 3a mounts the element 3 and can adjust the height position of the element 3. The pedestal 3a is made of an insulating material, and electrical wiring that is electrically connected to the element 3 is formed on the upper surface of the pedestal 3a.

素子収納用パッケージ2は、高耐圧化、大電流化や大電力化または高速・高周波化に対応している素子を実装して機能させるのに適しており、素子3の一例として半導体素子を実装するものである。また、素子収納用パッケージ2は、上面に素子3を実装するための実装領域Rを有する基板4と、基板4の外周に沿って実装領域Rを取り囲むように基板4上に設けられた枠状部5aおよび枠状部5aに基板4の上面に沿った平面方向に形成された貫通部5bとを有する枠体5と、貫通部5bに設けられた、枠体5内と枠体5外とを電気的に接続する入出力端子6とを備えている。   The element storage package 2 is suitable for mounting and functioning an element corresponding to high withstand voltage, high current, high power, high speed and high frequency, and a semiconductor element is mounted as an example of the element 3 To do. The element storage package 2 includes a substrate 4 having a mounting region R for mounting the device 3 on the upper surface, and a frame shape provided on the substrate 4 so as to surround the mounting region R along the outer periphery of the substrate 4. A frame 5 having a portion 5a and a frame-like portion 5a having a through-hole 5b formed in a planar direction along the upper surface of the substrate 4, and the inside of the frame 5 and the outside of the frame 5 provided in the through-hole 5b And an input / output terminal 6 for electrical connection.

基板4は、矩形状の金属板であって、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。なお、基板4の熱伝導率は、例えば15W/(m・K)以上450W/(m・K)以下に設定されている。基板4の熱膨張係数は、例えば3×10−6/K以上28×10−6/K以下に設定されている。 The substrate 4 is a rectangular metal plate made of, for example, a metal material such as copper, iron, tungsten, molybdenum, nickel, or cobalt, or an alloy containing these metal materials. The thermal conductivity of the substrate 4 is set to, for example, 15 W / (m · K) or more and 450 W / (m · K) or less. The thermal expansion coefficient of the substrate 4 is set to, for example, 3 × 10 −6 / K or more and 28 × 10 −6 / K or less.

基板4は、入出力端子6の下面の一部と当接する個所に、段差が形成されており、素子3が実装される箇所よりも高さ位置が低くなっている。そして、基板4の上面の高さ位置が低い箇所に、入出力端子6の下面の一部が接続される。基板4の三辺に入出力端子6を設けられるように、基板4の三辺に段差が形成されている。   The substrate 4 has a step at a position where it abuts a part of the lower surface of the input / output terminal 6, and the height position is lower than the position where the element 3 is mounted. A part of the lower surface of the input / output terminal 6 is connected to a location where the height position of the upper surface of the substrate 4 is low. Steps are formed on the three sides of the substrate 4 so that the input / output terminals 6 can be provided on the three sides of the substrate 4.

また、基板4の四隅には、外部に向かって延在した延在部4aと、延在部4aに外部基板と螺子止めするためのねじ孔4bが形成されている。なお、ねじ孔4bに螺子やボルトを通して外部基板に固定する。   In addition, at the four corners of the substrate 4, extended portions 4 a extending toward the outside and screw holes 4 b for screwing the external substrate to the extended portions 4 a are formed. The screw hole 4b is fixed to the external substrate through screws or bolts.

基板4は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。なお、基板4は、延在部4aを除いて、平面視したときの一辺の長さは、例えば5mm以上50mm以下に設定されている。また、基板4の上下方向の厚みは、例えば0.3mm以上5mm以下に設定されている。なお、基板4の段差が形成されている箇所の上下方向の厚みは、0.25mm以上2mm以下に設定されている。   The substrate 4 is manufactured in a predetermined shape by using a conventionally known metal working method such as rolling or punching on an ingot obtained by casting and solidifying a molten metal material into a mold. Note that the length of one side of the substrate 4 when viewed in plan, excluding the extending portion 4a, is set to, for example, 5 mm or more and 50 mm or less. The thickness in the vertical direction of the substrate 4 is set to, for example, 0.3 mm or more and 5 mm or less. In addition, the thickness of the up-down direction of the location in which the level | step difference of the board | substrate 4 is formed is set to 0.25 mm or more and 2 mm or less.

また、基板4の表面は、酸化腐食を防止するために、電気めっき法または無電解めっき法を用いて、ニッケルまたは金等の金属層が形成されている。なお、金属層の厚みは、例えば0.5μm以上9μm以下に設定されている。   Further, a metal layer such as nickel or gold is formed on the surface of the substrate 4 by using an electroplating method or an electroless plating method in order to prevent oxidative corrosion. The thickness of the metal layer is set to, for example, 0.5 μm or more and 9 μm or less.

枠体5は、基板4上であって基板4の外周に沿って設けられている。枠体5は、基板4の実装領域Rを取り囲む枠状部5aと、枠状部5aに基板4の上面に沿った平面方向に形成された貫通部5bとを有している。枠状部5aの4辺のうち、3辺が切りかかれている。そして、切りかかれた箇所に入出力端子6が設けられる。枠体5は、基板4上に銀銅ロウ等のろう材によって接合される。   The frame body 5 is provided on the substrate 4 along the outer periphery of the substrate 4. The frame 5 includes a frame-shaped portion 5 a that surrounds the mounting region R of the substrate 4, and a penetrating portion 5 b that is formed in the frame-shaped portion 5 a in a planar direction along the upper surface of the substrate 4. Of the four sides of the frame 5a, three sides are cut out. And the input / output terminal 6 is provided in the cut location. The frame 5 is joined to the substrate 4 by a brazing material such as silver-copper brazing.

枠体5は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。枠体5は、素子3から発生する熱を効率良く外部に放熱する機能や熱応力を吸収したり、分散させたりする機能を備えている。なお、枠体5の熱伝導率は、例えば15W/(m・K)以上450W/(m・K)以下に設定されている。枠体5の熱膨張係数は、例えば3×10−6/K以上28×10−6/K以下に設定されている。また、枠体5、上下の厚みは、例えば5mm以上20mm以下に設定されている。また、枠体5を平面視したときの枠の厚みは、例えば0.5mm以上3mm以下に設定されている。 The frame 5 is made of, for example, a metal material such as copper, iron, tungsten, molybdenum, nickel, or cobalt, or an alloy containing these metal materials. The frame 5 has a function of efficiently dissipating heat generated from the element 3 to the outside and a function of absorbing and dispersing thermal stress. The thermal conductivity of the frame 5 is set to, for example, 15 W / (m · K) or more and 450 W / (m · K) or less. The thermal expansion coefficient of the frame 5 is set to, for example, 3 × 10 −6 / K or more and 28 × 10 −6 / K or less. Further, the thickness of the frame body 5 is set to, for example, 5 mm or more and 20 mm or less. Moreover, the thickness of the frame when the frame body 5 is viewed in plan is set to, for example, 0.5 mm or more and 3 mm or less.

また、枠体5の側面の1辺には、外部に設ける光ファイバからの光を枠体5で囲まれる領域にまで通す光透過性部材5cが設けられる。光透過性部材5cは、例えば、レンズ、プラスチック、ガラスまたはサファイア基板等の透光性材料からなる。   In addition, a light transmissive member 5 c that passes light from an optical fiber provided outside to a region surrounded by the frame body 5 is provided on one side of the side surface of the frame body 5. The light transmissive member 5c is made of a light transmissive material such as a lens, plastic, glass, or sapphire substrate, for example.

入出力端子6は、基板4の縁に設けられ、枠体5内と枠体5外とを電気的に接続することができる。入出力端子6は、直方体形状であって、枠体5内に位置する上面から側面にかけて形成された切欠きCと、切欠きCが形成された箇所から入出力端子6内を通って入出力端子6の下面にまで形成された配線導体6aと、入出力端子6の下面に配線導体7と接続されたリード端子6bと、入出力端子6の上面に配線導体6aと間を空けて設けられた金属層6cと、を有している。   The input / output terminal 6 is provided on the edge of the substrate 4 and can electrically connect the inside of the frame 5 and the outside of the frame 5. The input / output terminal 6 has a rectangular parallelepiped shape. The input / output terminal 6 passes through the input / output terminal 6 from the notch C formed from the upper surface to the side surface located in the frame 5 and the portion where the notch C is formed. The wiring conductor 6 a formed to the lower surface of the terminal 6, the lead terminal 6 b connected to the wiring conductor 7 on the lower surface of the input / output terminal 6, and the wiring conductor 6 a on the upper surface of the input / output terminal 6. And a metal layer 6c.

入出力端子6は、絶縁材料であって、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料から成る。なお、入出力端子6の熱膨張係数は、例えば3×10−6/K以上8×10−6/K以下に設定されている。 The input / output terminal 6 is an insulating material, for example, an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic. Made of ceramic material. Note that the thermal expansion coefficient of the input / output terminal 6 is set to, for example, 3 × 10 −6 / K or more and 8 × 10 −6 / K or less.

切欠きCは、図5に示すように、入出力端子6の上面のうち枠体5に沿った両端を除いて形成されている。切欠きCは、入出力端子6の1辺のみに形成されていることで、入出力端子6が切欠きCによって切り欠かれる部分を最小限にとどめて、入出力端子6の抗折強度を向上できるという作用効果を奏する。   As shown in FIG. 5, the notch C is formed except for both ends along the frame 5 on the upper surface of the input / output terminal 6. The notch C is formed on only one side of the input / output terminal 6 so that the portion where the input / output terminal 6 is notched by the notch C is minimized, and the bending strength of the input / output terminal 6 is increased. There is an effect that it can be improved.

入出力端子6は、複数の層を積層して形成することができる。ここで、入出力端子6の作製方法について説明する。入出力端子6は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得るとともにシート状に形成したグリーンシートを得る。   The input / output terminal 6 can be formed by stacking a plurality of layers. Here, a method for manufacturing the input / output terminal 6 will be described. If the input / output terminal 6 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide. A green sheet formed into a sheet is obtained while obtaining a mixture.

また、配線導体6aの原料となる、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、未焼成のグリーンシートを所定形状に型を抜き、所定箇所に金属ペーストを印刷する。   Further, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum, which is a raw material of the wiring conductor 6a, is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste. Then, the unfired green sheet is extracted into a predetermined shape, and a metal paste is printed at a predetermined location.

そして、金属ペーストを印刷したグリーンシートを複数層積層して、所定の温度で同時に焼成することで一体的に形成された入出力端子6を得る。さらに、入出力端子6の下面の配線導体6aにろう材を介してリード端子6bを接続する。   Then, a plurality of green sheets on which a metal paste is printed are stacked and fired simultaneously at a predetermined temperature to obtain the input / output terminal 6 formed integrally. Further, the lead terminal 6b is connected to the wiring conductor 6a on the lower surface of the input / output terminal 6 via a brazing material.

リード端子6bは、外部の電子機器等と素子3とを電気的に接続するための部材である。リード端子6bは、ろう材を介して入出力端子6の下面に形成された配線導体6aと接続される。そして、配線導体6aとリード端子6bとが電気的に接続される。また、入出力端子6の下面には、複数の配線導体6aが形成されており、複数の配線導体6a同士は間を空けて設けられている。そして、隣接する配線導体6a同士が電気的に絶縁されている。そして、各リード端子6bを各配線導体6aに設けることで、隣接するリード端子6b同士は、電気的に絶縁されている。なお、リード端子6bは、導電材料からなり、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。   The lead terminal 6 b is a member for electrically connecting an external electronic device or the like to the element 3. The lead terminal 6b is connected to a wiring conductor 6a formed on the lower surface of the input / output terminal 6 through a brazing material. The wiring conductor 6a and the lead terminal 6b are electrically connected. A plurality of wiring conductors 6 a are formed on the lower surface of the input / output terminal 6, and the plurality of wiring conductors 6 a are provided with a space therebetween. The adjacent wiring conductors 6a are electrically insulated from each other. And by providing each lead terminal 6b in each wiring conductor 6a, the adjacent lead terminals 6b are electrically insulated. The lead terminal 6b is made of a conductive material, for example, a metal material such as copper, iron, tungsten, molybdenum, nickel or cobalt, or an alloy containing these metal materials.

リード端子6bは、図4に示すように、平面方向に沿って延在されているが、リード端子6bの一端とリード端子6bの他端との間に折れ曲がっている。リード端子6bの下面の高さ位置が、図7に示すように、基板4の下面の高さ位置と同じになるように、リード端子6bが折れ曲がって調整されている。そして、基板4とリード端子6bの両方を、外部の基板に対して、平坦に実装することができる。そして、素子収納用パッケージ2は、外部の基板に対して固定する面積を増やしつつ、外部の基板に対して傾斜しないように接続することができる。その結果、素子収納用パッケージ2は、外部の基板に対して安定して強固に接続することができる。   As shown in FIG. 4, the lead terminal 6b extends along the plane direction, but is bent between one end of the lead terminal 6b and the other end of the lead terminal 6b. The lead terminal 6b is bent and adjusted so that the height position of the lower surface of the lead terminal 6b is the same as the height position of the lower surface of the substrate 4 as shown in FIG. And both the board | substrate 4 and the lead terminal 6b can be mounted flat with respect to an external board | substrate. The element storage package 2 can be connected so as not to be inclined with respect to the external substrate while increasing the area to be fixed to the external substrate. As a result, the element storage package 2 can be stably and firmly connected to an external substrate.

配線導体6aは、切欠きCの上面に露出している。そして、切欠きCの上面に露出した配線導体6aは、例えば、ボンディングワイヤによって素子3の電極に電気的に接続される。また、配線導体6aは、切欠きCの上面から入出力端子6内に延在している。さらに、配線導体6aは、入出力端子6内のビア孔を通って入出力端子6の下面にまで延在している。そして、素子3は、配線導体6aを介して入出力端子6に電気的に接続されている。   The wiring conductor 6a is exposed on the upper surface of the notch C. The wiring conductor 6a exposed on the upper surface of the notch C is electrically connected to the electrode of the element 3 by, for example, a bonding wire. The wiring conductor 6 a extends from the upper surface of the notch C into the input / output terminal 6. Further, the wiring conductor 6 a extends through the via hole in the input / output terminal 6 to the lower surface of the input / output terminal 6. The element 3 is electrically connected to the input / output terminal 6 through the wiring conductor 6a.

入出力端子6の上面には、金属層6cが形成されている。金属層6cは、入出力端子6の本体部分がセラミック材料から構成されているため、セラミック材料の本体部分と金属材料の枠状部5aとをろう材を介して接続するのに、金属層6cがろう材の下地となることができる。さらに、金属層6cは、基準電位となる電位、例えば接地導体と接続されている。そして、金属層6cが、配線導体6aに対して遮蔽電極として機能し、外部からの電磁波の影響を低減することができ、配線導体6aに流れる高周波電流が所望する状態を維持しやすくすることができる。   A metal layer 6 c is formed on the upper surface of the input / output terminal 6. Since the metal layer 6c has a main body portion of the input / output terminal 6 made of a ceramic material, the metal layer 6c is used to connect the main body portion of the ceramic material and the frame portion 5a of the metal material via a brazing material. It can be the base of brazing material. Furthermore, the metal layer 6c is connected to a potential that becomes a reference potential, for example, a ground conductor. The metal layer 6c functions as a shielding electrode for the wiring conductor 6a, can reduce the influence of external electromagnetic waves, and can easily maintain the desired state of the high-frequency current flowing through the wiring conductor 6a. it can.

また、入出力端子6の下面であって、基板4の切りかかれた箇所と接続される箇所には、図7に示すように、金属層6cと異なる、第2金属層7が形成されている。第2金属層7は、入出力端子6のセラミック材料からなる本体部分と金属材料からなる基板4の切り欠かれた箇所とをろう材を介して接続することができる。第2金属層は、所定の電位に設定されており、グランドとして機能する。   Further, as shown in FIG. 7, a second metal layer 7 different from the metal layer 6c is formed on the lower surface of the input / output terminal 6 and connected to the location where the substrate 4 is cut. . The second metal layer 7 can connect the main body portion made of the ceramic material of the input / output terminal 6 and the notched portion of the substrate 4 made of the metal material via a brazing material. The second metal layer is set to a predetermined potential and functions as a ground.

第2金属層7は、入出力端子6の下面に配線導体6aと間を空けて設けられている。そして、第2金属層7は、配線導体6aと電気的に絶縁されている。第2金属層7は、配線導体6aに対して遮蔽電極として機能し、配線導体6aは外部の電磁波から保護することができる。そして、配線導体6aに電磁ノイズが発生するのを抑制することができる。   The second metal layer 7 is provided on the lower surface of the input / output terminal 6 with a space from the wiring conductor 6a. The second metal layer 7 is electrically insulated from the wiring conductor 6a. The second metal layer 7 functions as a shielding electrode for the wiring conductor 6a, and the wiring conductor 6a can be protected from external electromagnetic waves. And generation | occurrence | production of electromagnetic noise can be suppressed in the wiring conductor 6a.

また、入出力端子6は、図7に示すように、金属材料からなる基板4の切り欠かれた箇所に設けられている。そして、リード端子6bが切り欠かれた箇所が、ビア孔を通った配線導体6aの側面部分の一部を側面方向で覆うようにすることができ、配線導体6aの側面部分の一部を電磁波から遮蔽することができる。   Further, as shown in FIG. 7, the input / output terminal 6 is provided at a notched portion of the substrate 4 made of a metal material. Then, the portion where the lead terminal 6b is cut out can cover a part of the side surface portion of the wiring conductor 6a that has passed through the via hole in the side surface direction, and a part of the side surface portion of the wiring conductor 6a can be covered with electromagnetic waves. Can be shielded from.

また、図7に示すように、入出力端子6の上面に金属層6cが設けられ、入出力端子6の下面に第2金属層7が設けられる。そして、入出力端子6の切欠きCで露出した配線導体6aは、第2金属層7と重なるように配置されている。さらに、入出力端子6内の配線導体6aは、金属層6cと重なるように配置されている。また、配線導体6aが信号線路として機能し、金属層6cおよび第2金属層7が接地導体として機能することで、高周波が配線導体6aに流れる際は、配線導体6aと金属層6cの間、あるいは配線導体6aと第2金属層7との間で、高周波の信号を輻射しやすくすることができる。その結果、配線導体6aに流れる信号に加わるノイズを低減することができ、所望する波長の信号を流すようにすることができる。   Further, as shown in FIG. 7, a metal layer 6 c is provided on the upper surface of the input / output terminal 6, and a second metal layer 7 is provided on the lower surface of the input / output terminal 6. The wiring conductor 6 a exposed at the notch C of the input / output terminal 6 is disposed so as to overlap the second metal layer 7. Furthermore, the wiring conductor 6a in the input / output terminal 6 is disposed so as to overlap the metal layer 6c. Moreover, when the wiring conductor 6a functions as a signal line and the metal layer 6c and the second metal layer 7 function as ground conductors, when a high frequency flows through the wiring conductor 6a, the wiring conductor 6a and the metal layer 6c are Alternatively, it is possible to easily radiate a high-frequency signal between the wiring conductor 6 a and the second metal layer 7. As a result, noise added to the signal flowing through the wiring conductor 6a can be reduced, and a signal having a desired wavelength can be flowed.

枠体5の枠状部5a上に沿って連続してシールリング8がろう材を介して設けられている。シールリング8は、枠体5内を覆うように蓋体9を設けるときに、蓋体9と接続するものである。なお、シールリング8は、蓋体9とのシーム溶接性に優れた、例えば銅、タングステン、鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属、あるいはこれらの金属を複数種含む合金からなる。なお、シールリング8の熱膨張係数は、例えば4×10−6/K以上16×10−6/K以下に設定されている。 A seal ring 8 is continuously provided along the frame-like portion 5a of the frame body 5 via a brazing material. The seal ring 8 is connected to the lid body 9 when the lid body 9 is provided so as to cover the inside of the frame body 5. The seal ring 8 is made of a metal such as copper, tungsten, iron, nickel, or cobalt having excellent seam weldability with the lid 9, or an alloy containing a plurality of these metals. The thermal expansion coefficient of the seal ring 8 is set to, for example, 4 × 10 −6 / K or more and 16 × 10 −6 / K or less.

また、蓋体9は、枠体5内の素子3を覆うように、シールリング8上に設けられる。蓋体9は、枠体5で囲まれる領域を気密封止するものである。蓋体9は、例えば、銅、タングステン、鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属、あるいはこれらの金属を複数種含む合金、あるいは酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミックスから成る。また、蓋体9は、シールリング8上に、例えばシーム溶接により接合、半田またはろう材等の接合部材を介して接合される。   Further, the lid body 9 is provided on the seal ring 8 so as to cover the element 3 in the frame body 5. The lid body 9 hermetically seals a region surrounded by the frame body 5. The lid 9 is made of, for example, a metal such as copper, tungsten, iron, nickel or cobalt, an alloy containing a plurality of these metals, an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, or a silicon carbide sintered body. It consists of ceramics such as an aluminum nitride sintered body, a silicon nitride sintered body, or glass ceramics. The lid body 9 is joined to the seal ring 8 by seam welding, for example, via a joining member such as solder or brazing material.

枠体5で囲まれた領域は、真空状態または窒素ガス等が充填されており、蓋体9をシールリング8上に設けることで、枠体5で囲まれる領域を気密封止された状態にすることができる。蓋体9は、所定雰囲気で、シールリング8上に載置され、シーム溶接を行なうことによってシールリング8上に取り付けられる。また、蓋体9は、例えばろう材、ガラス接合材または樹脂接合材等の接合材を介して取り付けることができる。   The region surrounded by the frame 5 is filled with a vacuum state or nitrogen gas, and the region surrounded by the frame 5 is hermetically sealed by providing the lid 9 on the seal ring 8. can do. The lid body 9 is placed on the seal ring 8 in a predetermined atmosphere, and attached to the seal ring 8 by performing seam welding. The lid 9 can be attached via a bonding material such as a brazing material, a glass bonding material, or a resin bonding material.

本実施形態に係る実装構造体1および素子収納用パッケージ2は、入出力端子6が直方体形状であって、枠体5の外側の側面が平坦であって、枠体5の内側の側面に切欠きCが設けられている。このように、入出力端子6の枠体5外に位置する箇所に切欠きを設けないことによって、入出力端子6の剛性を高めることができる。さらに、入出力端子6の枠体5外の上面および入出力端子6の枠体5と接触する箇所に金属層6cを設け、入出力端子6の切欠きCが設けられている箇所に配線導体6aを設け、配線導体6aが入出力端子6内を通って入出力端子6の下面にまで形成されている。このように、配線導体6aを金属層6cと間を空けて配置するとともに、金属層6cによって配線導体6aをシールドすることができる。そして、特に、100GHz以上の周波数を用いる高周波用の素子収納用パッケージにおいては、パッケージが小型化する一方で、入出力端子6に発する熱量が大きいが、入出力端子6の剛性を向上させつつ、外部からの電磁波の影響を低減することで、入出力端子6にクラックが発生するのを抑制することが可能な素子収納用パッケージ2および実装構造体1を提供することができる。   In the mounting structure 1 and the element storage package 2 according to the present embodiment, the input / output terminals 6 have a rectangular parallelepiped shape, the outer side surface of the frame body 5 is flat, and the inner side surface of the frame body 5 is cut. A notch C is provided. Thus, the rigidity of the input / output terminal 6 can be increased by not providing a notch at a location outside the frame 5 of the input / output terminal 6. Further, the metal layer 6c is provided on the upper surface of the input / output terminal 6 outside the frame 5 and the portion of the input / output terminal 6 that contacts the frame 5, and the wiring conductor is provided at the portion where the notch C of the input / output terminal 6 is provided. 6 a is provided, and the wiring conductor 6 a is formed through the input / output terminal 6 to the lower surface of the input / output terminal 6. In this manner, the wiring conductor 6a can be disposed with a space from the metal layer 6c, and the wiring conductor 6a can be shielded by the metal layer 6c. In particular, in a high-frequency element storage package using a frequency of 100 GHz or more, while the package is downsized, the amount of heat generated in the input / output terminal 6 is large, while improving the rigidity of the input / output terminal 6, By reducing the influence of electromagnetic waves from the outside, it is possible to provide the element housing package 2 and the mounting structure 1 that can suppress the occurrence of cracks in the input / output terminals 6.

本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.

<実装構造体の製造方法>
ここで、図1または図2に示す実装構造体1の製造方法を説明する。まず、素子収納用パッケージ2と素子3とを準備する。素子収納用パッケージ2の基板4および枠体5は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。また、上述した製造方法によって入出力端子6を作製する。
<Method for manufacturing mounting structure>
Here, a manufacturing method of the mounting structure 1 shown in FIG. 1 or FIG. 2 will be described. First, the element storage package 2 and the element 3 are prepared. The substrate 4 and the frame 5 of the element storage package 2 are obtained by using a conventionally known metal processing method such as rolling or punching for an ingot obtained by casting a molten metal material into a mold and solidifying it. , Manufactured in a predetermined shape. Further, the input / output terminal 6 is manufactured by the manufacturing method described above.

そして、基板4と入出力端子6とをろう材を介して接続する。さらに、枠体5の貫通部5bに、光透過性部材5cをろう材を介して嵌めて接続する。このようにして、素子収納用パッケージ2を作製することができる。さらに、素子収納用パッケージ2の実装領域Rに台座3aをろう材を介して設ける。さらに、台座3a上に素子3を実装して、素子3の電極と枠体5内の入出力端子6の配線導体6aとをボンディングワイヤを介して電気的に接続する。さらに、必要に応じて素子収納用パッケージ2にシールリング8および蓋体9を取り付けて、実装構造体1を作製することができる。   Then, the substrate 4 and the input / output terminal 6 are connected via a brazing material. Further, the light transmissive member 5c is fitted and connected to the penetrating portion 5b of the frame 5 via a brazing material. In this way, the element storage package 2 can be manufactured. Further, a pedestal 3a is provided in the mounting region R of the element storage package 2 via a brazing material. Furthermore, the element 3 is mounted on the pedestal 3a, and the electrode of the element 3 and the wiring conductor 6a of the input / output terminal 6 in the frame 5 are electrically connected via a bonding wire. Furthermore, the mounting structure 1 can be produced by attaching the seal ring 8 and the lid 9 to the element housing package 2 as necessary.

1 実装構造体
2 素子収納用パッケージ
3 素子
3a 台座
4 基板
4a 延在部
4b ねじ孔
5 枠体
5a 枠状部
5b 貫通部
5c 光透過性部材
6 入出力端子
6a 配線導体
6b リード端子
6c 金属層
7 第2金属層
8 シールリング
9 蓋体
R 実装領域
C 切欠き
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting structure 2 Element storage package 3 Element 3a Base 4 Substrate 4a Extension part 4b Screw hole 5 Frame 5a Frame-like part 5b Through-hole 5c Light-transmissive member 6 Input / output terminal 6a Wiring conductor 6b Lead terminal 6c Metal layer 7 Second metal layer 8 Seal ring 9 Lid R Mounting area C Notch

Claims (4)

上面に素子を実装するための実装領域を有する基板と、
前記基板の外周に沿って前記実装領域を取り囲むように前記基板上に設けられた枠状部および前記枠状部に前記基板の上面に沿った平面方向に形成された貫通部とを有する枠体と、
前記貫通部に設けられた、前記枠体内と前記枠体外とを電気的に接続する入出力端子とを備え、
前記入出力端子は、直方体形状であって、前記枠体内に位置する上面から側面にかけて形成された切欠きと、前記切欠きから内部を通って下面にまで形成された配線導体と、下面の前記配線導体と接続されたリード端子と、上面に設けられた金属層とを有しており、前記基板は、前記入出力端子の下面の一部と当接する個所に、段差が形成されたことを特徴とする素子収納用パッケージ。
A substrate having a mounting area for mounting elements on the upper surface;
A frame having a frame-like portion provided on the substrate so as to surround the mounting region along the outer periphery of the substrate and a through-hole formed in the frame-like portion in a planar direction along the upper surface of the substrate. When,
An input / output terminal provided in the penetrating portion for electrically connecting the frame body and the outside of the frame body;
The input / output terminal has a rectangular parallelepiped shape, a notch formed from an upper surface to a side surface located in the frame, a wiring conductor formed from the notch to the lower surface through the inside, and the lower surface It has a lead terminal connected to the wiring conductor and a metal layer provided on the upper surface, and the substrate has a step formed at a position where it contacts a part of the lower surface of the input / output terminal. A package for element storage.
請求項1に記載の素子収納用パッケージであって、
前記切欠きは、前記入出力端子の上面のうち前記枠体に沿った両端を除いて形成されていることを特徴とする素子収納用パッケージ。
The device storage package according to claim 1,
The package for storing elements, wherein the cutout is formed except for both ends along the frame body on the upper surface of the input / output terminal.
請求項1または請求項2に記載の素子収納用パッケージであって、
前記金属層は、接地導体であることを特徴とする素子収納用パッケージ。
The element storage package according to claim 1 or 2,
The element housing package, wherein the metal layer is a ground conductor.
請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の素子収納用パッケージと、
前記素子収納用パッケージの前記実装領域に実装された素子とを備えたことを特徴とする実装構造体。
The element storage package according to any one of claims 1 to 3,
A mounting structure comprising: an element mounted in the mounting region of the element storage package.
JP2012167308A 2012-07-27 2012-07-27 Device storage package and mounting structure Active JP6030371B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012167308A JP6030371B2 (en) 2012-07-27 2012-07-27 Device storage package and mounting structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012167308A JP6030371B2 (en) 2012-07-27 2012-07-27 Device storage package and mounting structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014027158A JP2014027158A (en) 2014-02-06
JP6030371B2 true JP6030371B2 (en) 2016-11-24

Family

ID=50200536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012167308A Active JP6030371B2 (en) 2012-07-27 2012-07-27 Device storage package and mounting structure

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6030371B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106062946B (en) * 2014-03-13 2018-10-23 京瓷株式会社 Electronic unit storage packaging part and electronic device
US20220384285A1 (en) * 2020-08-03 2022-12-01 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Package and Manufacturing Method of the Same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0810198Y2 (en) * 1991-07-25 1996-03-27 京セラ株式会社 Package for storing semiconductor devices
JP2004087617A (en) * 2002-08-23 2004-03-18 Kyocera Corp Input/output terminal, package for housing semiconductor element and semiconductor device
JP4139165B2 (en) * 2002-08-26 2008-08-27 京セラ株式会社 Input / output terminal for semiconductor element storage package, semiconductor element storage package, and semiconductor device
WO2009096542A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Kyocera Corporation Connection terminal, package using the same and electronic device
JP2010034212A (en) * 2008-07-28 2010-02-12 Toshiba Corp High-frequency ceramic package and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014027158A (en) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6162800B2 (en) Device storage package and mounting structure
US9177881B2 (en) High-frequency semiconductor package and high-frequency semiconductor device
JP5902825B2 (en) Device storage package and mounting structure
JP6093020B2 (en) Device storage package and mounting structure
JP6243510B2 (en) Electronic component storage package and electronic device
JP6181777B2 (en) Device storage package and mounting structure
JP5873174B2 (en) Semiconductor element storage package and semiconductor device
WO2015088028A1 (en) Element housing package and mounting structure
JP5837187B2 (en) Semiconductor element storage package, semiconductor device, and mounting structure
JP6030371B2 (en) Device storage package and mounting structure
JP6075597B2 (en) Device storage package and mounting structure
JP2007095956A (en) Package for housing electronic component
JPWO2015012405A1 (en) Device storage package and mounting structure
JP5905728B2 (en) Device storage package and mounting structure
JP5873167B2 (en) Semiconductor element storage package and semiconductor device
JP2014049563A (en) Package for housing electronic component and mounting structure
JP6162520B2 (en) Package for housing semiconductor element and mounting structure including the same
JP5791258B2 (en) Electronic component storage package and mounting structure
WO2015029880A1 (en) Package for housing elements and mounting structure
JP5969317B2 (en) Optical semiconductor element storage package and mounting structure
JP5791263B2 (en) Electronic component storage package and mounting structure
JP6219693B2 (en) Device storage package and mounting structure including the same
JP2014165208A (en) Element accommodation package and mounting structure

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150415

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160422

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160510

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160920

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161020

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6030371

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150