JP6016473B2 - Wafer processing method - Google Patents

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本発明は、外周に面取り部を有するウエーハの該面取り部を切削ブレードで除去するウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method in which a chamfered portion of a wafer having a chamfered portion on its outer periphery is removed with a cutting blade.
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなるウエーハの表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが形成される。そして、分割予定ラインによって区画された各領域にICやLSI等のデバイスが形成される。   In the manufacturing process of a semiconductor device, a grid-like division planned line called street is formed on the surface of a wafer made of silicon or a compound semiconductor. Then, a device such as an IC or LSI is formed in each area partitioned by the division lines.
これらのウエーハは裏面が研削及び/又は研磨されて所定の厚みへと薄化された後、切削装置でストリートに沿って切削され、個々のチップへと分割されることで半導体デバイスが製造される。このようにして製造された半導体デバイスは、携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。   These wafers are ground and / or polished to a predetermined thickness and then thinned to a predetermined thickness, and then cut along the streets with a cutting device and divided into individual chips to manufacture semiconductor devices. . The semiconductor device manufactured in this way is widely used in various electric devices such as mobile phones and personal computers.
ウエーハの外周には表面から裏面に至る円弧面を呈した面取り部が形成されている。従って、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄化すると、面取り部に円弧面と研削面とによって形成されたナイフエッジが残存して危険であるとともに、外周に欠けが生じてデバイスの品質を低下させてしまう。   A chamfered portion having an arc surface extending from the front surface to the back surface is formed on the outer periphery of the wafer. Therefore, if the wafer is thinned by grinding the backside of the wafer, the knife edge formed by the circular arc surface and the ground surface remains in the chamfered part, which is dangerous, and the outer periphery is chipped, resulting in deterioration of the device quality. I will let you.
そこで、特開2000−173961号公報では、ウエーハの裏面を研削する前に切削ブレードでウエーハの面取り部を除去する外周加工方法、所謂エッジトリミング方法が開示されている。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-173961 discloses a so-called edge trimming method, ie, a peripheral processing method in which a chamfered portion of a wafer is removed with a cutting blade before grinding the back surface of the wafer.
面取り部は、例えば0.5mm〜1mmの厚みを有する切削ブレードで円形加工を施すことにより除去される。そして、面取り部が除去されたウエーハは、研削装置で裏面が研削された後、例えば約30μmの厚みを有する切削ブレードでストリートに沿って切削され個々のチップに分割される。   The chamfered portion is removed, for example, by performing circular processing with a cutting blade having a thickness of 0.5 mm to 1 mm. The wafer from which the chamfered portion has been removed is ground along the back surface by a grinding apparatus, and then cut along the street with a cutting blade having a thickness of about 30 μm, for example, and divided into individual chips.
切削ブレードでウエーハにエッジトリミング加工を施す場合には、通常の切削に比べて大きな加工負荷が切削ブレードにかかるため、より切削力のある切削ブレードが使用される。切削力のある切削ブレードとは、砥粒の粒径が粗い及び/又は集中度が高い等の特性を有する切削ブレードである。   When edge trimming is performed on a wafer with a cutting blade, a cutting blade having a higher cutting force is used because a larger processing load is applied to the cutting blade than with normal cutting. A cutting blade having a cutting force is a cutting blade having characteristics such as coarse grain size and / or high concentration.
特開2000−173961号公報JP 2000-173961 A 特開平8−107092号公報JP-A-8-107092
しかし、切削力のある切削ブレードでウエーハの外周を切削すると、ウエーハに発生するチッピングと呼ばれる微小な欠けが大きく又は多く発生する。チッピングが大きく又は多く発生すると、チッピングを起点にウエーハが破損する恐れがあり、チッピングサイズの低減や発生量の低減が要望されている。   However, when the outer periphery of the wafer is cut with a cutting blade having a cutting force, large or many minute chips called chipping generated on the wafer are generated. If chipping is large or large, the wafer may be damaged starting from the chipping, and reduction of the chipping size and generation amount are desired.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、チッピングサイズの低減やチッピング発生量の低減を可能にするウエーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method that can reduce chipping size and chipping generation amount.
本発明によると、外周に面取り部を有するウエーハの外周から半径方向所定幅の外周環状除去領域を一つのスピンドルに装着された切削ブレードで切削して該面取り部を除去するウエーハの加工方法であって、該所定幅の該外周環状除去領域の二倍以上の厚みを有し、厚み方向の中心から一面側が粗切削ブレードからなり、厚み方向の中心から該一面の背面の他面側が仕上げ切削ブレードからなるとともに、該粗切削ブレードと該仕上げ切削ブレードが同一外径を有する積層切削ブレードを準備する積層切削ブレード準備ステップと、ウエーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、該積層切削ブレードの該粗切削ブレード側を該チャックテーブルの中心に対して第1の方向側で該チャックテーブルに保持されたウエーハの該外周環状除去領域に位置付けて第1の深さへ切り込ませ、該チャックテーブルを少なくとも一回転させることで該積層切削ブレードで該外周環状除去領域を切削して該面取り部を部分的に除去する粗切削ステップと、該粗切削ステップを実施した後、該積層切削ブレードの該仕上げ切削ブレード側を該チャックテーブルの中心に対して該第1の方向と反対側で該チャックテーブルに保持されたウエーハの該外周環状除去領域に位置付けて該第1の深さより深い第2の深さへ切り込ませ、該チャックテーブルを少なくとも一回転させることで該積層切削ブレードで該外周環状除去領域を切削して該面取り部を部分的に除去する仕上げ切削ステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a wafer processing method in which a chamfered portion is removed by cutting an outer peripheral annular removal region having a predetermined radial direction from the outer periphery of a wafer having a chamfered portion on the outer periphery with a cutting blade attached to one spindle. The outer circumferential annular removal region having the predetermined width is at least twice as thick as the rough cutting blade on one surface side from the center in the thickness direction, and the other surface on the back surface of the one surface is the finishing cutting blade from the center in the thickness direction. The rough cutting blade and the finishing cutting blade are prepared with a laminated cutting blade having the same outer diameter, a laminated cutting blade preparation step, a holding step of holding a wafer with a chuck table, and the roughing blade of the laminated cutting blade. the outer peripheral ring of the cutting blade side held on the chuck table in a first direction with respect to the center of the chuck table wafer Coarse cutting in which the chamfered portion is partially removed by cutting the outer peripheral annular removal region with the stacked cutting blade by cutting the chuck table to at least the first depth by being positioned at the removal region and rotating the chuck table at least once. And after performing the rough cutting step, the finish cutting blade side of the laminated cutting blade is held on the chuck table opposite to the first direction with respect to the center of the chuck table . The chamfer is formed by cutting the outer peripheral annular removal region with the laminated cutting blade by positioning the outer peripheral annular removal region at a second depth deeper than the first depth and rotating the chuck table at least once. And a finishing cutting step of partially removing the portion.
好ましくは、仕上げ切削ブレードは、粗切削ブレードに比べて、砥粒の粒径が細かい、ボンド剤が軟らかい、砥粒の集中度が低い、の何れか、又は何れかの組合せからなる。   Preferably, the finishing cutting blade is composed of any one of or a combination of a fine abrasive grain, a soft bond agent, and a low concentration of abrasive grains compared to a coarse cutting blade.
本発明のウエーハの加工方法によると、積層切削ブレードの粗切削ブレード側で粗切削を実施した後、更に積層切削ブレードをウエーハに切り込ませて仕上げ切削ブレード側で仕上げ切削を実施する。   According to the wafer processing method of the present invention, after rough cutting is performed on the rough cutting blade side of the laminated cutting blade, the laminated cutting blade is further cut into the wafer and finish cutting is performed on the finish cutting blade side.
仕上げ切削ブレード側による仕上げ切削では、予め粗切削ブレード側で粗切削が実施されているため、切削除去体積が一度で所定深さまで切削するのに比べて少なく、従って発生するチッピングサイズを小さくでき、チッピングの発生量を低減できる。   In the finish cutting by the finish cutting blade side, since the rough cutting is performed on the rough cutting blade side in advance, the cutting removal volume is small compared to cutting to a predetermined depth at a time, so the generated chipping size can be reduced, The amount of chipping can be reduced.
半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 外周環状除去領域を示す平面図である。It is a top view which shows an outer periphery cyclic | annular removal area | region. 外周環状除去領域を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an outer periphery cyclic | annular removal area | region. スピンドルに装着された積層切削ブレードの側面図である。It is a side view of the lamination cutting blade with which the spindle was equipped. 保持ステップを示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a holding | maintenance step. 粗切削ステップを示す平面図である。It is a top view which shows a rough cutting step. 粗切削ステップを示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a rough cutting step. 仕上げ切削ステップを示す平面図である。It is a top view which shows a finish cutting step. 仕上げ切削ステップを示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a finish cutting step.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ(以下単にウエーハと略称することがある)11の表面側斜視図が示されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a front side perspective view of a semiconductor wafer (hereinafter sometimes simply referred to as a wafer) 11 to be processed by the processing method of the present invention.
ウエーハ11は例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC,LSI等のデバイス15が形成されている。   The wafer 11 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of division lines (streets) 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and each region partitioned by the plurality of division lines 13 Further, a device 15 such as an IC or LSI is formed.
このように構成されたウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平端部に備えている。ウエーハ11の外周部には円弧状の面取り部11eが形成されている。21はシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチである。   The wafer 11 thus configured includes a device region 17 in which the device 15 is formed and an outer peripheral surplus region 19 surrounding the device region 17 at the flat end portion of the surface thereof. An arc-shaped chamfered portion 11 e is formed on the outer peripheral portion of the wafer 11. Reference numeral 21 denotes a notch as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.
図2を参照すると、本発明の加工方法で切削除去するウエーハ11の外周から半径方向所定幅W1の外周環状除去領域23を説明する平面図が示されている。図3は外周環状除去領域23を示す断面図である。外周環状除去領域23は、研削仕上げ厚みに至る深さt1までの面取り部11eを除去できるウエーハ11の外周から半径方向に所定幅W1を有している。   Referring to FIG. 2, there is shown a plan view for explaining an outer peripheral annular removal region 23 having a predetermined radial width W1 from the outer periphery of the wafer 11 to be cut and removed by the processing method of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the outer peripheral annular removal region 23. The outer peripheral annular removal region 23 has a predetermined width W1 in the radial direction from the outer periphery of the wafer 11 that can remove the chamfered portion 11e up to a depth t1 that reaches the grinding finish thickness.
本発明のウエーハの加工方法では、本発明の加工方法を実施するのに適した図4に示すような積層切削ブレード16を準備する積層切削ブレード準備ステップを実施する。図4において、切削ユニット12はモータにより回転駆動されるスピンドル14と、スピンドル14の先端部に装着された積層切削ブレード16とを含んでいる。   In the wafer processing method of the present invention, a layered cutting blade preparation step for preparing the layered cutting blade 16 as shown in FIG. 4 suitable for performing the processing method of the present invention is performed. In FIG. 4, the cutting unit 12 includes a spindle 14 that is rotationally driven by a motor, and a laminated cutting blade 16 that is attached to the tip of the spindle 14.
積層切削ブレード16は、所定幅W1の外周環状除去領域23の二倍以上の厚みを有しており、厚み方向の中心から一面側が粗切削ブレード16aからなり、厚み方向の中心から他面側が仕上げ切削ブレード16bから構成されている。   The laminated cutting blade 16 has a thickness that is at least twice that of the outer peripheral annular removal region 23 having a predetermined width W1, one side from the center in the thickness direction is a rough cutting blade 16a, and the other side is finished from the center in the thickness direction. It consists of a cutting blade 16b.
仕上げ切削ブレード16bは、粗切削ブレード16aに比べて、砥粒の粒径が細かい、ボンド剤が軟らかい、砥粒の集中度が低い、の何れか又はこれら何れかの組合せから構成される。   The finish cutting blade 16b is composed of any one or a combination of finer abrasive grains, softer bonding agent, and lower abrasive concentration compared to the coarse cutting blade 16a.
好ましくは、粗切削ブレード16aは電鋳ブレード、メタルボンドブレード等から構成され、仕上げ切削ブレード16bはメタルレジンブレード、レジンブレード等から構成される。   Preferably, the rough cutting blade 16a is composed of an electroformed blade, a metal bond blade or the like, and the finish cutting blade 16b is composed of a metal resin blade, a resin blade or the like.
積層切削ブレード準備ステップで積層切削ブレード16を準備した後、図5に示すように、切削装置のチャックテーブル10でウエーハ11を吸引保持し、表面11aを露出させる。   After preparing the laminated cutting blade 16 in the laminated cutting blade preparation step, as shown in FIG. 5, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 10 of the cutting apparatus to expose the surface 11a.
次いで、図6及び図7に示すように、積層切削ブレード16の粗切削ブレード16a側をチャックテーブル10に保持されたウエーハ11の外周環状除去領域23に位置付けて第1の深さへ切り込ませ、積層切削ブレード16を矢印A方向に高速回転(例えば30000rpm)させつつ、チャックテーブル10を矢印R1方向に少なくとも一回転させることで、積層切削ブレード16で外周環状除去領域23を切削して面取り部11eを部分的に除去する粗切削ステップを実施する。   Next, as shown in FIGS. 6 and 7, the rough cutting blade 16 a side of the laminated cutting blade 16 is positioned in the outer peripheral annular removal region 23 of the wafer 11 held by the chuck table 10, and is cut to the first depth. The chamfered portion is cut by cutting the outer peripheral annular removal region 23 with the laminated cutting blade 16 by rotating the chuck table 10 at least once in the arrow R1 direction while rotating the laminated cutting blade 16 in the direction of arrow A at a high speed (for example, 30000 rpm). A rough cutting step is performed to partially remove 11e.
この粗切削ステップでは、積層切削ブレード16とウエーハ11が接触する加工点において、積層切削ブレード16の回転方向Aとウエーハ11の回転方向R1が同一方向を向く方向にチャックテーブル10を回転させるのが好ましい。このカット方法は、ダウンカットと称される。   In this rough cutting step, the chuck table 10 is rotated in a direction in which the rotation direction A of the laminated cutting blade 16 and the rotation direction R1 of the wafer 11 are in the same direction at a processing point where the laminated cutting blade 16 and the wafer 11 contact each other. preferable. This cutting method is called down cut.
この粗研削ステップでの第1の切り込み深さは、最終目標深さより1〜20μm浅く切り込むようにする。この切り込み時には、ウエーハ11の上方から積層切削ブレード16を下降させて切り込んでも良いし、ウエーハ11の外周側で積層切削ブレード16を所定高さに位置付けた後、積層切削ブレード16をウエーハ11に対して接近方向に相対移動させることで第1の深さに切り込むようにしてもよい。   The first cutting depth in this rough grinding step is cut 1 to 20 μm shallower than the final target depth. At the time of this cutting, the laminated cutting blade 16 may be lowered from above the wafer 11 for cutting, or after the laminated cutting blade 16 is positioned at a predetermined height on the outer peripheral side of the wafer 11, the laminated cutting blade 16 is moved with respect to the wafer 11. Then, it may be cut into the first depth by relatively moving in the approaching direction.
粗切削ステップを実施した後、図8及び図9に示すように、切削ユニット12をY軸方向に移動して、積層切削ブレード16の仕上げ切削ブレード16b側を粗切削時と反対側のウエーハ11の粗切削で形成された環状切削溝18に位置付けて第1の深さより深い第2の深さ切り込ませ、積層切削ブレード16を高速回転させながらチャックテーブル10を矢印R2方向に少なくとも一回転させることで、仕上げ切削ブレード16bで環状切削溝18を切削して面取り部11eを部分的に除去する仕上げ切削ステップを実施する。この仕上げ切削ステップを実施すると、環状切削溝18が最終目標深さまで切削される。   After performing the rough cutting step, as shown in FIGS. 8 and 9, the cutting unit 12 is moved in the Y-axis direction so that the finish cutting blade 16 b side of the laminated cutting blade 16 is on the wafer 11 on the opposite side to that during rough cutting. It is positioned in the annular cutting groove 18 formed by rough cutting of the first and second depths deeper than the first depth, and the chuck table 10 is rotated at least once in the direction of the arrow R2 while rotating the laminated cutting blade 16 at a high speed. Thus, the finishing cutting step of cutting the annular cutting groove 18 with the finishing cutting blade 16b and partially removing the chamfered portion 11e is performed. When this finishing cutting step is performed, the annular cutting groove 18 is cut to the final target depth.
尚、上述した仕上げ切削ステップでは、仕上げ切削ブレード16bとウエーハ11が接触する加工点において、仕上げ切削ブレード16bの回転方向Aとウエーハ11の回転方向R2が同一方向を向く方向にチャックテーブル10を回転させてダウンカットを実施しているが、チャックテーブル10の回転方向を反対方向にしてアッパーカットにより仕上げ切削ステップを実施するようにしてもよい。   In the above-described finishing cutting step, the chuck table 10 is rotated so that the rotation direction A of the finishing cutting blade 16b and the rotation direction R2 of the wafer 11 are in the same direction at the processing point where the finishing cutting blade 16b and the wafer 11 contact each other. Although the down cut is performed, the finish cutting step may be performed by the upper cut with the rotation direction of the chuck table 10 being the opposite direction.
仕上げ切削ステップが完了すると、ウエーハ11の面取り部11eが部分的に除去されるとともに、仕上げ切削ブレード16bで粗切削ステップで形成された環状切削溝18の底部を再度切削するため、環状切削溝18の底部が平坦化される。   When the finish cutting step is completed, the chamfered portion 11e of the wafer 11 is partially removed, and the bottom of the annular cutting groove 18 formed by the rough cutting step is again cut by the finishing cutting blade 16b. The bottom of is flattened.
仕上げ切削ステップ実施後、ウエーハ11の表面11aに表面保護テープを貼着し、研削装置のチャックテーブルでウエーハ11の表面11a側を吸引保持してウエーハ11の裏面11bの研削を実施すると、ウエーハ11の裏面側に残存していた面取り部11eが研削により除去され、ウエーハ11の外周は表面11a及び裏面11bに概略垂直な端面となる。   After the finish cutting step, the surface 11a of the wafer 11 is affixed to the surface 11a, and the surface 11a side of the wafer 11 is sucked and held by the chuck table of the grinding device to grind the back surface 11b of the wafer 11. The chamfered portion 11e remaining on the back surface side of the wafer 11 is removed by grinding, and the outer periphery of the wafer 11 becomes an end surface substantially perpendicular to the front surface 11a and the back surface 11b.
本実施形態の加工ステップでは、面取り部を部分的に除去する切削ステップを、粗切削ステップと仕上げ切削ステップとの2回に分けているので、それぞれの切削ステップで発生するチッピングを抑えられる。   In the machining step of the present embodiment, the cutting step for partially removing the chamfered part is divided into two steps of a rough cutting step and a finishing cutting step, so that chipping generated in each cutting step can be suppressed.
初めに粗切削ステップを実施しておくことで、仕上げ切削ステップでは一度の切削では使用できないような(切削力はないが加工は綺麗に仕上がる)切削ブレード(柔らかいボンド、細かい砥粒、低い砥粒の集中度)を仕上げ切削ブレードとして使用できる。その結果、最終的なウエーハの被切削部に発生するチッピングや欠けを抑えられる。   Cutting blade (soft bond, fine abrasive, low abrasive) that cannot be used in a single cut in the final cutting step (there is no cutting force but the work is finished finely) by performing the rough cutting step first Can be used as a finishing cutting blade. As a result, it is possible to suppress chipping and chipping that occur in the part to be cut of the final wafer.
上述した実施形態では、本発明の加工方法を半導体ウエーハ11に適用した例について説明したが、本発明の加工方法は光デバイスウエーハ等の他のウエーハにも同様に適用することができる。   In the above-described embodiment, the example in which the processing method of the present invention is applied to the semiconductor wafer 11 has been described. However, the processing method of the present invention can be similarly applied to other wafers such as an optical device wafer.
10 チャックテーブル
11 半導体ウエーハ
11a 表面
11e 面取り部
15 デバイス
16 積層切削ブレード
16a 粗切削ブレード
16b 仕上げ切削ブレード
18 環状切削溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Chuck table 11 Semiconductor wafer 11a Surface 11e Chamfer 15 Device 16 Laminated cutting blade 16a Rough cutting blade 16b Finish cutting blade 18 Annular cutting groove

Claims (2)

  1. 外周に面取り部を有するウエーハの外周から半径方向所定幅の外周環状除去領域を一つのスピンドルに装着された切削ブレードで切削して該面取り部を除去するウエーハの加工方法であって、
    該所定幅の該外周環状除去領域の二倍以上の厚みを有し、厚み方向の中心から一面側が粗切削ブレードからなり、厚み方向の中心から該一面の背面の他面側が仕上げ切削ブレードからなるとともに、該粗切削ブレードと該仕上げ切削ブレードが同一外径を有する積層切削ブレードを準備する積層切削ブレード準備ステップと、
    ウエーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、
    該積層切削ブレードの該粗切削ブレード側を該チャックテーブルの中心に対して第1の方向側で該チャックテーブルに保持されたウエーハの該外周環状除去領域に位置付けて第1の深さへ切り込ませ、該チャックテーブルを少なくとも一回転させることで該積層切削ブレードで該外周環状除去領域を切削して該面取り部を部分的に除去する粗切削ステップと、
    該粗切削ステップを実施した後、該積層切削ブレードの該仕上げ切削ブレード側を該チャックテーブルの中心に対して該第1の方向と反対側で該チャックテーブルに保持されたウエーハの該外周環状除去領域に位置付けて該第1の深さより深い第2の深さへ切り込ませ、該チャックテーブルを少なくとも一回転させることで該積層切削ブレードで該外周環状除去領域を切削して該面取り部を部分的に除去する仕上げ切削ステップと、
    を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
    A wafer processing method of removing a chamfered portion by cutting a peripheral annular removal region having a predetermined radial width from a wafer having a chamfered portion on the outer periphery with a cutting blade attached to one spindle ,
    The outer circumferential annular removal region having the predetermined width is at least twice the thickness, and one surface side from the center in the thickness direction is a rough cutting blade, and the other surface side of the back surface from the center in the thickness direction is a finishing cutting blade. And a laminating cutting blade preparation step of preparing a laminating cutting blade in which the rough cutting blade and the finishing cutting blade have the same outer diameter ;
    A holding step for holding the wafer on the chuck table;
    The rough cutting blade side of the laminated cutting blade is positioned on the outer peripheral annular removal region of the wafer held by the chuck table on the first direction side with respect to the center of the chuck table , and cut to a first depth. A rough cutting step in which the chamfered portion is partially removed by cutting the peripheral annular removal region with the laminated cutting blade by rotating the chuck table at least once;
    After performing the rough cutting step, the outer peripheral annular removal of the wafer held on the chuck table on the side of the finish cutting blade of the laminated cutting blade opposite to the first direction with respect to the center of the chuck table The chamfered portion is partially cut by cutting the outer peripheral annular removal region with the laminated cutting blade by cutting the chuck table at least once by positioning it in a region and cutting it to a second depth deeper than the first depth. A finishing cutting step to remove automatically,
    A wafer processing method characterized by comprising:
  2. 前記仕上げ切削ブレードは、前記粗切削ブレードに比べて、砥粒の粒径が細かい、ボンド剤が軟らかい、砥粒の集中度が低い、の何れか、又は何れかの組合せからなる請求項1記載のウエーハの加工方法。   2. The finish cutting blade is composed of any one of or a combination of fine grain size of abrasive grains, soft bond agent, and low concentration of abrasive grains compared to the coarse cutting blade. Wafer processing method.
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