JP2012019126A - Wafer processing method - Google Patents

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Kazuma Sekiya
一馬 関家
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing method which can reduce strength degradation of a wafer when the wafer is circle cut.SOLUTION: The wafer processing method of circularly cutting an outer peripheral part 15 of a wafer 11 by rotating the wafer 11 with a cutting blade cut into the outer peripheral part 15 of the wafer 11 comprises a first cut step of rotating the wafer 11 with a first cutting blade 20 cut into the wafer 11 so as to form a circular outer peripheral wall at the outer peripheral part 15 of the wafer 11, and a second cut step of polishing, after performing the first cut step, the circular outer peripheral wall by a second cutting blade 20A including abrasive grains finer than those included in the first cutting blade 20 and removing cutting strain distribution formed on the circular outer peripheral wall in the first cut step.

Description

本発明は、ウエーハの外周部分に切削ブレードを切り込ませつつ、ウエーハを回転させることでウエーハの外周部分を円形に切削加工するウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method for cutting a peripheral portion of a wafer into a circular shape by rotating the wafer while cutting a cutting blade into the peripheral portion of the wafer.

半導体ウエーハやガラスウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハを小径にする方法として、特開平１１−５４４６１号公報では、切削ブレードを備えたダイシング装置を用いた方法が提案されている。   As a method for reducing the diameter of a wafer such as a semiconductor wafer, a glass wafer, or a sapphire wafer, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-54461 proposes a method using a dicing apparatus equipped with a cutting blade.

具体的には、裏面が粘着テープに貼着されたウエーハの中心から所望直径の１／２離れた位置で、切削ブレードをウエーハ表面から粘着テープに達する深さまで切り込ませ、チャックテーブルに保持されたウエーハを３６０度以上回転させることで小径のウエーハを形成している。   Specifically, the cutting blade is cut from the wafer surface to a depth reaching the adhesive tape at a position half the desired diameter away from the center of the wafer attached to the adhesive tape and held on the chuck table. The wafer having a small diameter is formed by rotating the wafer more than 360 degrees.

特開２０００−１７３９６１号公報には、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄くするとウエーハ外周の面取り部分がシャープエッジ（ひさし状）形状となり、破損が生じやすくなることを防止するために、予めウエーハ外周部分に切削溝を形成するとともに円形外周壁を形成する方法が開示されている。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-173961 discloses in advance that in order to prevent the wafer from being chamfered into a sharp edge (eave shape) when the wafer is thinned by grinding the back surface of the wafer, the wafer is prone to breakage. A method of forming a cutting groove in the outer peripheral portion and forming a circular outer peripheral wall is disclosed.

また、特開平８−１０７０９２号公報では、貼り合わせウエーハ（ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエーハ）の外周部に位置付けた切削ブレードを、一方のウエーハへ切り込ませ、貼り合わせウエーハを回転させることで外周の未接着領域を取り除く方法が提案されている。   In JP-A-8-107092, a cutting blade positioned on the outer periphery of a bonded wafer (SOI (Silicon on Insulator) wafer) is cut into one wafer, and the bonded wafer is rotated to rotate the outer periphery. A method for removing the unbonded region of the substrate has been proposed.

特開平１１−５４４６１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-54461 特開２０００−１７３９６１号公報JP 2000-173961 A 特開平８−１０７０９２号公報JP-A-8-107092

ところが、これらの特許文献に記載されるような円形加工を切削ブレードで行う際には、通常の直線加工に比べて加工負荷が非常に大きくなる。従って、このような円形加工を施す場合には、切削性を向上させるためにも、直線加工を施す場合に比べて比較的粗い砥粒を含有する切削ブレードが用いられる。   However, when performing circular machining as described in these patent documents with a cutting blade, the machining load becomes very large compared to normal linear machining. Therefore, when performing such circular processing, a cutting blade containing relatively coarse abrasive grains is used in order to improve machinability as compared with the case of performing linear processing.

しかし、比較的粗い砥粒を含有する切削ブレードでウエーハに円形加工を施すと、形成された円形外周壁には切削歪が形成され、ウエーハの強度を低下させてしまうという問題がある。   However, when the wafer is circularly processed with a cutting blade containing relatively coarse abrasive grains, there is a problem in that cutting distortion is formed on the formed circular outer peripheral wall and the strength of the wafer is reduced.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの外周部に円形加工を施してもウエーハの強度低下を低減可能なウエーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of reducing a reduction in the strength of the wafer even when the outer peripheral portion of the wafer is subjected to circular processing. It is.

本発明によると、ウエーハの外周部分に切削ブレードを切り込ませつつウエーハを回転させることでウエーハの外周部分を円形に切削加工するウエーハの加工方法であって、第１切削ブレードをウエーハに切り込ませつつ、ウエーハを回転させてウエーハの外周部分に円形外周壁を形成する第１切削ステップと、該第１切削ステップを実施した後、該第１切削ブレードより細かい砥粒を含む第２切削ブレードで該該円形外周壁を研磨して、該第１切削ステップで該円形外周壁に形成された切削歪を除去する第２切削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a wafer processing method in which the outer peripheral portion of the wafer is cut into a circular shape by rotating the wafer while cutting the cutting blade into the outer peripheral portion of the wafer, wherein the first cutting blade is cut into the wafer. However, the first cutting step of rotating the wafer to form a circular outer peripheral wall in the outer peripheral portion of the wafer, and the second cutting blade including abrasive grains finer than the first cutting blade after the first cutting step is performed. And a second cutting step of removing the cutting distortion formed on the circular outer peripheral wall in the first cutting step. Is done.

本発明によると、第１切削ブレードによる切削でウエーハに円形外周壁を形成した後、第１切削ブレードよりより細かい砥粒を有する第２切削ブレードでこの円形外周壁を研磨するため、第１切削ブレードによる切削により円形外周壁に形成された切削歪を除去することができ、ウエーハの強度低下を低減することができる。   According to the present invention, after forming the circular outer peripheral wall on the wafer by cutting with the first cutting blade, the second cutting blade having finer abrasive grains than the first cutting blade is used to polish the circular outer peripheral wall. Cutting distortion formed on the circular outer peripheral wall by cutting with a blade can be removed, and a decrease in strength of the wafer can be reduced.

図１（Ａ）は外周トリミングの第１切削ステップを示す側面図、図１（Ｂ）は第１切削ステップにより円形外周壁が形成された状態の側面図である。FIG. 1A is a side view showing a first cutting step of outer periphery trimming, and FIG. 1B is a side view of a state where a circular outer peripheral wall is formed by the first cutting step. スピンドルと、スピンドルに固定されるべき固定フランジとの関係を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the relationship between a spindle and the fixing flange which should be fixed to a spindle. スピンドルに固定された固定フランジと、固定フランジに装着されるべき切削ブレードとの関係を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the relationship between the fixed flange fixed to the spindle, and the cutting blade which should be mounted | worn with a fixed flange. 第２切削ステップを示す側面図である。It is a side view which shows a 2nd cutting step. 粘着テープを介して環状フレームに支持されたウエーハの表面側斜視図である。It is the surface side perspective view of the wafer supported by the cyclic | annular flame | frame via the adhesive tape. 図６（Ａ）は粘着テープを介してウエーハがチャックテーブルに吸引保持された状態の断面図、図６（Ｂ）はフルカットの第１切削ステップを示す断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view showing a state in which the wafer is sucked and held by the chuck table via the adhesive tape, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing the first cutting step of full cut. 図７（Ａ）はフルカット終了後のウエーハの断面図、図７（Ｂ）は第２切削ステップを説明する断面図である。FIG. 7A is a cross-sectional view of the wafer after completion of the full cut, and FIG. 7B is a cross-sectional view illustrating the second cutting step. 図８（Ａ）は第２切削ブレードの厚みが第１切削ブレードより厚い場合の第２切削ステップを示す断面図、図８（Ｂ）は第２切削ブレードの厚みが第１切削ブレードより薄い場合の第２切削ステップを示す断面図である。FIG. 8A is a cross-sectional view showing the second cutting step when the thickness of the second cutting blade is thicker than that of the first cutting blade, and FIG. 8B is the case where the thickness of the second cutting blade is thinner than that of the first cutting blade. It is sectional drawing which shows the 2nd cutting step. ウエーハの外周エッジにかかる円形切削溝を形成する場合の、所定枚数のウエーハの切削加工毎に切削位置の変更を説明する側面図である。It is a side view explaining the change of a cutting position for every cutting of a predetermined number of wafers in the case of forming a circular cutting groove on the outer peripheral edge of a wafer.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１（Ａ）を参照すると、第１切削ブレード２０による切削でウエーハ１１の外周部にトリミングを施している状態の側面図が示されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1 (A), a side view of a state in which trimming is performed on the outer peripheral portion of the wafer 11 by cutting with the first cutting blade 20 is shown.

ウエーハ１１の表面１１ａには、よく知られているように格子状に形成された複数のストリートにより区画された各領域にデバイスが形成されている。ウエーハ１１の外周部には面取り部１３が形成されている。   On the surface 11a of the wafer 11, devices are formed in each region partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape as is well known. A chamfered portion 13 is formed on the outer peripheral portion of the wafer 11.

外周トリミングのための第１切削ステップにおいては、切削装置のチャックテーブル１０でウエーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引保持する。そして、切削ユニット１２の第１切削ブレード２０をウエーハ１１の外周部に切り込ませ、チャックテーブル１０を少なくとも３６０度回転させることにより、第１切削ブレード２０でウエーハを切削して円形加工を実施する。   In the first cutting step for outer periphery trimming, the back surface 11b side of the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 10 of the cutting device. Then, the first cutting blade 20 of the cutting unit 12 is cut into the outer peripheral portion of the wafer 11 and the chuck table 10 is rotated at least 360 degrees to cut the wafer with the first cutting blade 20 to perform circular machining. .

切削ユニット１２は、スピンドルハウジング１４中に収容されたスピンドル１６の先端部に装着された固定フランジ１８と着脱フランジ３４で第１切削ブレード２０を挟持して、固定ナット３６を固定フランジ１８に締結することにより構成されている。   The cutting unit 12 sandwiches the first cutting blade 20 with a fixing flange 18 and a detachable flange 34 attached to the tip of the spindle 16 accommodated in the spindle housing 14, and fastens a fixing nut 36 to the fixing flange 18. It is constituted by.

より詳細には、図２に示すように、切削ユニット１２のスピンドルハウジング１４中には、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル１６が回転可能に収容されている。スピンドル１６はテーパ部１６ａ及び先端小径部１６ｂを有しており、先端小径部１６ｂには雄ねじ１７が形成されている。   More specifically, as shown in FIG. 2, a spindle 16 that is rotationally driven by a motor (not shown) is rotatably accommodated in the spindle housing 14 of the cutting unit 12. The spindle 16 has a tapered portion 16a and a tip small diameter portion 16b, and a male screw 17 is formed on the tip small diameter portion 16b.

１８はボス部（凸部）２２とボス部２２と一体的に形成されたブレード固定部２４とから構成される固定フランジであり、ボス部２２には雄ねじ２６が形成されている。更に、固定フランジ１８は装着穴２７を有している。   Reference numeral 18 denotes a fixing flange including a boss part (convex part) 22 and a blade fixing part 24 formed integrally with the boss part 22, and a male screw 26 is formed on the boss part 22. Further, the fixing flange 18 has a mounting hole 27.

固定フランジ１８は、装着穴２７をスピンドル１６の先端小径部１６ｂ及びテーパ部１６ａに挿入して、ナット２８を雄ねじ１７に螺合して締め付けることにより、図３に示すようにスピンドル１６の先端部に取り付けられる。   The fixing flange 18 is inserted into the small diameter portion 16b and the taper portion 16a of the tip 16 of the spindle 16 and the nut 28 is screwed into the male screw 17 and tightened, as shown in FIG. Attached to.

図３に示すように、リング状又はワッシャー状の第１切削ブレード２０を固定フランジ１８のボス部２２に挿入し、更に着脱フランジ３４をボス部２２に挿入して、固定ナット３６を雄ねじ２６に螺合して締め付けることにより、第１切削ブレード２０は固定フランジ１８のブレード固定部２４と着脱フランジ３４により両側から挟まれてスピンドル１６に取り付けられる。   As shown in FIG. 3, the ring-shaped or washer-shaped first cutting blade 20 is inserted into the boss portion 22 of the fixing flange 18, the detachable flange 34 is further inserted into the boss portion 22, and the fixing nut 36 is attached to the male screw 26. By screwing and tightening, the first cutting blade 20 is sandwiched from both sides by the blade fixing portion 24 and the detachable flange 34 of the fixing flange 18 and attached to the spindle 16.

第１切削ブレード２０でウエーハ１１の外周部にサークルカットを施すと、第１切削ブレード２０には大きな加工負荷がかかるため、第１切削ブレード２０としては比較的粗い砥粒を含有する切削ブレードが望ましく、その厚さも１ｍｍ程度と厚いものを使用するのが好ましい。   When the first cutting blade 20 performs a circle cut on the outer peripheral portion of the wafer 11, a large processing load is applied to the first cutting blade 20. Therefore, a cutting blade containing relatively coarse abrasive grains is used as the first cutting blade 20. Desirably, it is preferable to use a thick one of about 1 mm.

このように比較的粗い砥粒を含有する第１切削ブレード２０でウエーハ１１に円形加工を施すと、円形加工により形成された円形外周壁１５には切削歪が形成される。この切削歪はウエーハ１１の強度を低下させる原因となるため、本発明の加工方法では、図４に示すように、円形外周壁１５に第２切削ブレード２０Ａで研磨加工を施して、切削歪を除去する。   When the wafer 11 is circularly processed with the first cutting blade 20 containing relatively coarse abrasive grains as described above, cutting distortion is formed on the circular outer peripheral wall 15 formed by the circular processing. Since this cutting strain causes the strength of the wafer 11 to decrease, in the processing method of the present invention, as shown in FIG. 4, the circular outer peripheral wall 15 is ground by the second cutting blade 20A to reduce the cutting strain. Remove.

第２切削ブレード２０Ａは第１切削ブレード２０より細かい砥粒を含有しており、このように細かい砥粒を含有する第２切削ブレード２０Ａで円形外周壁１５を切削すると、円形外周壁１５を実質上研磨することができ、第１切削ブレード２０で形成された切削歪を除去することができる。   The second cutting blade 20A contains finer abrasive grains than the first cutting blade 20, and when the circular outer peripheral wall 15 is cut with the second cutting blade 20A containing fine abrasive grains in this way, the circular outer peripheral wall 15 is substantially removed. The upper polishing can be performed, and the cutting strain formed by the first cutting blade 20 can be removed.

第１切削ブレード２０による第１切削ステップと、第２切削ブレード２０Ａによる第２切削ステップは同一の切削装置で実施してもよいし、別の切削装置で実施するようにしてもよい。また、２スピンドルタイプの切削装置で第１及び第２切削ステップを実施することにより、生産性を向上することができる。   The first cutting step by the first cutting blade 20 and the second cutting step by the second cutting blade 20A may be performed by the same cutting device or may be performed by different cutting devices. Moreover, productivity can be improved by implementing a 1st and 2nd cutting step with a 2 spindle type cutting device.

本実施形態では、外周トリミングにより円形外周壁１５が形成されて面取り部分１３が除去されているため、ウエーハ１１の裏面を研削してウエーハ１１を薄化しても、ウエーハ１１の外周壁１５にシャープエッジが形成されることはない。   In the present embodiment, since the circular outer peripheral wall 15 is formed by outer peripheral trimming and the chamfered portion 13 is removed, even if the wafer 11 is thinned by grinding the back surface of the wafer 11, the outer peripheral wall 15 of the wafer 11 is sharpened. Edges are never formed.

次に、ウエーハ１１の外周部をフルカットする実施形態について図５乃至図９を参照して説明する。このようにウエーハ１１をフルカットする場合には、図５に示すように、外周部が環状フレームＦに貼着された粘着テープＴにウエーハ１１を貼着する。これにより、ウエーハ１１は粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となる。   Next, an embodiment in which the outer peripheral portion of the wafer 11 is fully cut will be described with reference to FIGS. When the wafer 11 is thus fully cut, the wafer 11 is attached to the adhesive tape T having the outer peripheral portion attached to the annular frame F as shown in FIG. As a result, the wafer 11 is supported by the annular frame F via the adhesive tape T.

ウエーハ１１の表面１１ａにおいては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。   On the surface 11 a of the wafer 11, the first street S <b> 1 and the second street S <b> 2 are formed so as to be orthogonal to each other, and each device is divided into each region partitioned by the first street S <b> 1 and the second street S <b> 2. D is formed.

本実施形態の加工方法では、まず図６（Ａ）に示すように、切削装置のチャックテーブル１０で粘着テープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、図示しないクランプで環状フレームＦをクランプして固定する。   In the processing method of this embodiment, first, as shown in FIG. 6A, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 10 of the cutting device via the adhesive tape T, and the annular frame F is clamped by a clamp (not shown). Fix it.

次いで、図６（Ｂ）に示すように、第１切削ブレード２０を高速回転させて第１切削ブレード２０の先端が粘着テープＴに達するまで切り込ませ、この状態でチャックテーブル１０をゆっくりと回転しながらウエーハ１１の外周部を円形に切削する（サークルカットする）。   Next, as shown in FIG. 6B, the first cutting blade 20 is rotated at a high speed until the tip of the first cutting blade 20 reaches the adhesive tape T, and the chuck table 10 is slowly rotated in this state. Then, the outer peripheral portion of the wafer 11 is cut into a circle (circle cut).

第１切削ブレード２０は、図１（Ａ）に示した第１切削ブレード２０と同様に、比較的粗い砥粒を含有した幅が１ｍｍ程度の切削ブレードである。サークルカットの終了した状態が、図７（Ａ）に示されている。サークルカットにより円形切削溝１７が形成され、円形切削溝１７より内側のウエーハ１１の円形外周壁１５´には切削歪が形成される。   Similar to the first cutting blade 20 shown in FIG. 1A, the first cutting blade 20 is a cutting blade having a width of about 1 mm containing relatively coarse abrasive grains. The state where the circle cut is completed is shown in FIG. A circular cutting groove 17 is formed by circle cutting, and a cutting strain is formed on the circular outer peripheral wall 15 ′ of the wafer 11 inside the circular cutting groove 17.

この切削歪を除去するために、図７（Ｂ）に示すように、第１切削ブレード２０より細かい砥粒を含有する第２切削ブレード２０Ａで円形切削溝１７に沿ってウエーハ１１のサークルカットを実施する（第２切削ステップ）。   In order to remove this cutting distortion, as shown in FIG. 7B, a circle cut of the wafer 11 is performed along the circular cutting groove 17 with the second cutting blade 20A containing abrasive grains finer than the first cutting blade 20. Perform (second cutting step).

第２切削ブレード２０Ａは第１切削ブレード２０より細かい砥粒を含有しているため、この第２切削ステップにより円形外周壁１５´は実質上研磨され、これに伴い切削溝も除去される。   Since the second cutting blade 20A contains finer abrasive grains than the first cutting blade 20, the circular outer peripheral wall 15 'is substantially polished by this second cutting step, and the cutting groove is also removed accordingly.

尚、第２切削ブレード２０Ａが第１切削ブレード２０よりも厚い場合には、図８（Ａ）に示すように、円形切削溝１７の中央に第２切削ブレード２０Ａの厚み方向の中心を位置づけて第２切削ステップを実施するのが好ましい。   When the second cutting blade 20A is thicker than the first cutting blade 20, the center in the thickness direction of the second cutting blade 20A is positioned at the center of the circular cutting groove 17 as shown in FIG. A second cutting step is preferably performed.

一方、第２切削ブレード２０Ａの厚みが第１切削ブレード２０より薄い場合は、図８（Ｂ）に示すように、円形切削溝１７の円形外周壁１５´に第２切削ブレード２０Ｂがかかるように位置づけて、第２切削ステップを実施するのが好ましい。   On the other hand, when the thickness of the second cutting blade 20A is thinner than that of the first cutting blade 20, the second cutting blade 20B is applied to the circular outer peripheral wall 15 'of the circular cutting groove 17 as shown in FIG. Preferably, the second cutting step is carried out.

尚、第１切削ブレード２０でウエーハ１１の外周エッジにかかる円形切削溝を形成する場合には、第１切削ブレード２０の片側のみが磨耗するため、図９に示すように、まず矢印Ａで示す第１切削位置で所定枚数のウエーハの切削加工を実施した後、第１切削ブレード２０を矢印Ｙで示すように第２切削位置Ｂまで移動して、この位置で所定枚数のウエーハの切削加工を実施するようにするのが好ましい。   When the first cutting blade 20 forms a circular cutting groove on the outer peripheral edge of the wafer 11, only one side of the first cutting blade 20 is worn, and therefore, first, as shown in FIG. After the predetermined number of wafers are cut at the first cutting position, the first cutting blade 20 is moved to the second cutting position B as indicated by the arrow Y, and the predetermined number of wafers are cut at this position. It is preferable to carry out.

第１切削位置Ａでは、第１切削ブレード２０の表面２０ａが磨耗し、第２切削位置Ｂでは、第１切削ブレード２０の裏面２０ｂが磨耗するため、このように切削位置を所定枚数毎に変更することにより、第１切削ブレード２０の片側偏磨耗を防止することができる。第２切削ブレード２０Ａ，２０Ｂでも同様である。   At the first cutting position A, the front surface 20a of the first cutting blade 20 is worn, and at the second cutting position B, the back surface 20b of the first cutting blade 20 is worn. Thus, the cutting position is changed every predetermined number of sheets. By doing so, the one side uneven wear of the 1st cutting blade 20 can be prevented. The same applies to the second cutting blades 20A and 20B.

尚、上述した実施形態では、表面にストリートとデバイスを有するパターン付ウエーハに本発明を適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、パターンが形成される前のウエーハ、即ちインゴットからスライスされたウエーハやガラス、サファイア等にも同様に適用可能である。   In the above-described embodiment, the example in which the present invention is applied to the patterned wafer having the street and the device on the surface has been described. However, the present invention is not limited to this, and the wafer before the pattern is formed. That is, it can be similarly applied to a wafer sliced from an ingot, glass, sapphire, and the like.

１０ チャックテーブル
１１ 半導体ウエーハ
１２ 切削ユニット
１３ 面取り部
１５，１５´ 円形外周壁
２０ 第１切削ブレード
２０Ａ，２０Ｂ 第２切削ブレード DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Chuck table 11 Semiconductor wafer 12 Cutting unit 13 Chamfer 15,15 'Circular outer peripheral wall 20 1st cutting blade 20A, 20B 2nd cutting blade

Claims (1)

ウエーハの外周部分に切削ブレードを切り込ませつつウエーハを回転させることでウエーハの外周部分を円形に切削加工するウエーハの加工方法であって、
第１切削ブレードをウエーハに切り込ませつつ、ウエーハを回転させてウエーハの外周部分に円形外周壁を形成する第１切削ステップと、
該第１切削ステップを実施した後、該第１切削ブレードより細かい砥粒を含む第２切削ブレードで該該円形外周壁を研磨して、該第１切削ステップで該円形外周壁に形成された切削歪を除去する第２切削ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 A wafer processing method in which a wafer is rotated into a circular shape by rotating the wafer while cutting a cutting blade into the outer peripheral portion of the wafer,
A first cutting step of forming a circular outer peripheral wall on the outer peripheral portion of the wafer by rotating the wafer while cutting the first cutting blade into the wafer;
After carrying out the first cutting step, the circular outer peripheral wall was polished with a second cutting blade containing abrasive grains finer than the first cutting blade, and formed on the circular outer peripheral wall in the first cutting step. A second cutting step for removing cutting strain;
A wafer processing method characterized by comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104551919A (en) * 2014-12-24 2015-04-29 常熟市梅李镇亚贸玻璃配件厂 Glass rounding device
US9716027B2 (en) 2015-03-30 2017-07-25 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device
CN111070448A (en) * 2019-12-30 2020-04-28 成都先进功率半导体股份有限公司 Wafer ring cutting method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209408A (en) * 1997-01-27 1998-08-07 Mitsubishi Materials Shilicon Corp Manufacture of soi substrate
JP2000190191A (en) * 1998-12-25 2000-07-11 Disco Abrasive Syst Ltd Processing method for semiconductor wafer
JP2006093333A (en) * 2004-09-22 2006-04-06 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method
JP2008028325A (en) * 2006-07-25 2008-02-07 Renesas Technology Corp Method of manufacturing semiconductor device
JP2008068327A (en) * 2006-09-12 2008-03-27 Yuha Go Wafer edge polisher and wafer edge polishing method
JP2009124153A (en) * 2007-11-15 2009-06-04 Siltronic Ag Method for producing semiconductor wafer with polished edge part
JP2009170510A (en) * 2008-01-11 2009-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd Manufacturing method of laminated device
JP2010105141A (en) * 2008-10-31 2010-05-13 Naoetsu Electronics Co Ltd Manufacturing method for semiconductor-bonded wafer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209408A (en) * 1997-01-27 1998-08-07 Mitsubishi Materials Shilicon Corp Manufacture of soi substrate
JP2000190191A (en) * 1998-12-25 2000-07-11 Disco Abrasive Syst Ltd Processing method for semiconductor wafer
JP2006093333A (en) * 2004-09-22 2006-04-06 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method
JP2008028325A (en) * 2006-07-25 2008-02-07 Renesas Technology Corp Method of manufacturing semiconductor device
JP2008068327A (en) * 2006-09-12 2008-03-27 Yuha Go Wafer edge polisher and wafer edge polishing method
JP2009124153A (en) * 2007-11-15 2009-06-04 Siltronic Ag Method for producing semiconductor wafer with polished edge part
JP2009170510A (en) * 2008-01-11 2009-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd Manufacturing method of laminated device
JP2010105141A (en) * 2008-10-31 2010-05-13 Naoetsu Electronics Co Ltd Manufacturing method for semiconductor-bonded wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104551919A (en) * 2014-12-24 2015-04-29 常熟市梅李镇亚贸玻璃配件厂 Glass rounding device
US9716027B2 (en) 2015-03-30 2017-07-25 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device
US10395967B2 (en) 2015-03-30 2019-08-27 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device
CN111070448A (en) * 2019-12-30 2020-04-28 成都先进功率半导体股份有限公司 Wafer ring cutting method

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