KR102680919B1 - Chamfering method - Google Patents
Chamfering method Download PDFInfo
- Publication number
- KR102680919B1 KR102680919B1 KR1020190064756A KR20190064756A KR102680919B1 KR 102680919 B1 KR102680919 B1 KR 102680919B1 KR 1020190064756 A KR1020190064756 A KR 1020190064756A KR 20190064756 A KR20190064756 A KR 20190064756A KR 102680919 B1 KR102680919 B1 KR 102680919B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- rough
- outer periphery
- chamfering
- processing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 23
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 81
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02035—Shaping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 효율적으로 웨이퍼의 외주에 모따기 가공을 실시할 수 있는 모따기 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
모따기 가공 방법은, 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시키고 레이저 광선(LB)을 조사(照射)하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과, 어블레이션 가공된 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정으로 적어도 구성된다.The purpose of the present invention is to provide a chamfering processing method that can efficiently perform chamfering processing on the outer periphery of a wafer.
The chamfering processing method includes a rough processing process of placing a converging point of the laser beam LB on the outer periphery of the wafer 2, irradiating the laser beam LB, and performing rough chamfering processing by ablation; It consists at least of a finishing process in which the outer periphery of the ablation processed wafer 2 is ground with a grinding wheel 30 to perform finishing processing.
Description
본 발명은 웨이퍼의 외주를 모따기하는 모따기 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chamfering processing method for chamfering the outer periphery of a wafer.
IC, LSI, LED 등의 디바이스는, Si(실리콘)나 Al2O3(사파이어) 등을 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 또한, 파워 디바이스, LED 등은 SiC(탄화규소)를 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 절삭 장치, 레이저 가공 장치에 의해 분할 예정 라인에 가공이 실시되어 개개의 디바이스로 분할되고, 분할된 각 디바이스는 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.Devices such as IC, LSI, LED, etc. are formed by stacking a functional layer on the surface of a wafer made of Si (silicon), Al 2 O 3 (sapphire), etc. and dividing it by division lines. In addition, power devices, LEDs, etc. are formed by stacking a functional layer on the surface of a wafer made of SiC (silicon carbide) and dividing it by dividing lines. The wafer on which the devices are formed is processed on the division line using a cutting device or a laser processing device to be divided into individual devices, and each divided device is used in electrical devices such as mobile phones and personal computers.
디바이스가 형성되는 웨이퍼는, 일반적으로 원기둥 형상의 잉곳을 와이어 소(wire saw)로 얇게 절단함으로써 생성된다. 절단된 웨이퍼의 표면 및 이면은, 연마함으로써 경면으로 마무리된다(예컨대 특허문헌 1 참조). 그러나, 잉곳을 와이어 소로 절단하고, 절단한 웨이퍼의 표면 및 이면을 연마하면, 잉곳의 대부분(70%~80%)이 버려지게 되어 비경제적이라고 하는 문제가 있다. 특히 SiC 잉곳에 있어서는, 경도가 높아 와이어 소로의 절단이 곤란하고 상당한 시간을 요하기 때문에 생산성이 나쁘며, 잉곳의 단가가 높아 효율적으로 웨이퍼를 생성하는 것에 과제를 갖고 있다.Wafers on which devices are formed are generally produced by cutting a cylindrical ingot thinly with a wire saw. The front and back surfaces of the cut wafer are polished to a mirror finish (see, for example, Patent Document 1). However, if the ingot is cut with a wire saw and the front and back surfaces of the cut wafer are polished, most of the ingot (70% to 80%) is discarded, which is uneconomical. In particular, SiC ingots are difficult to cut with a wire saw due to their high hardness and require a considerable amount of time, so productivity is poor, and the unit cost of the ingot is high, which poses a problem in producing wafers efficiently.
그래서 본 출원인은, SiC에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 SiC 잉곳의 내부에 위치시키고 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사(照射)하여 절단 예정면에 분리층을 형성하고, 분리층이 형성된 절단 예정면을 따라 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 분리하는 기술을 제안하였다(예컨대 특허문헌 2 참조).Therefore, the present applicant located the convergence point of a laser beam with a wavelength that is transparent to SiC inside the SiC ingot and irradiated the SiC ingot with the laser beam to form a separation layer on the surface to be cut, and the separation layer was A technology for separating the wafer from the SiC ingot along the formed cutting surface was proposed (see, for example, patent document 2).
그러나, 웨이퍼의 외주에 연삭 지석을 접촉하여 모따기 가공을 실시하면 상당한 시간이 걸려 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.However, if chamfering is performed by contacting the outer periphery of the wafer with a grinding wheel, there is a problem in that it takes a considerable amount of time and productivity is poor.
상기 사실을 감안하여 이루어진 본 발명의 과제는, 효율적으로 웨이퍼의 외주에 모따기 가공을 실시할 수 있는 모따기 가공 방법을 제공하는 것이다.The object of the present invention, made in consideration of the above facts, is to provide a chamfering processing method that can efficiently perform chamfering processing on the outer periphery of a wafer.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명이 제공하는 것은 이하의 모따기 가공 방법이다. 즉, 웨이퍼의 외주를 모따기하는 모따기 가공 방법으로서, 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과, 어블레이션 가공된 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정으로 적어도 구성되는 모따기 가공 방법이다.In order to solve the above problems, the present invention provides the following chamfering processing method. In other words, it is a chamfering processing method for chamfering the outer periphery of a wafer, including a rough processing process in which a converging point of a laser beam is placed on the outer periphery of a wafer, a laser beam is irradiated to perform rough chamfering by ablation, and an ablation processed process is performed. It is a chamfering method that consists at least of a finishing process in which the outer circumference of the wafer is ground with a grinding wheel and subjected to finishing processing.
바람직하게는, 상기 러프 가공 공정은, 웨이퍼의 제1 면측으로부터 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제1 러프 가공 공정과, 웨이퍼의 제2 면측으로부터 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제2 러프 가공 공정을 포함하고, 상기 마무리 가공 공정은, 웨이퍼의 제1 면측으로부터 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제1 마무리 가공 공정과, 웨이퍼의 제2 면측으로부터 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제2 마무리 가공 공정을 포함한다. 웨이퍼는 SiC 웨이퍼여도 좋다.Preferably, the rough machining process includes a first rough machining process of placing a convergence point of the laser beam on the outer periphery of the wafer from the first surface side of the wafer, irradiating the laser beam, and performing rough chamfering by ablation; , a second rough machining process of placing a convergence point of the laser beam on the outer periphery of the wafer from the second surface side of the wafer, irradiating the laser beam, and performing rough chamfering by ablation, wherein the finishing machining process includes, A first finishing process in which the outer periphery of the wafer is ground from the first surface side of the wafer with a grinding wheel to perform finishing processing, and a second finishing process is performed in which the outer periphery of the wafer is ground from the second surface side of the wafer with a grinding wheel to perform finishing processing. Including processing processes. The wafer may be a SiC wafer.
본 발명이 제공하는 모따기 가공 방법은, 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과, 어블레이션 가공된 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정으로 적어도 구성되어 있기 때문에, 효율적으로 웨이퍼의 외주에 모따기 가공을 실시할 수 있다.The chamfering processing method provided by the present invention includes a rough processing process in which a converging point of a laser beam is placed on the outer periphery of a wafer, a laser beam is irradiated to perform rough chamfering by ablation, and the outer periphery of the ablation processed wafer is processed. Since it consists at least of a finishing process of grinding with a grinding wheel and performing finishing processing, it is possible to efficiently perform chamfering processing on the outer periphery of the wafer.
도 1의 (a)는 제1 면을 위로 향하게 하여, 레이저 가공 장치의 척 테이블에 웨이퍼를 배치하는 상태를 도시한 사시도이고, 도 1의 (b)는 제1 러프 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 사시도이며, 도 1의 (c)는 제1 러프 가공 공정이 실시된 웨이퍼의 단면도이다.
도 2의 (a)는 제2 면을 위로 향하게 하여, 레이저 가공 장치의 척 테이블에 웨이퍼를 배치하는 상태를 도시한 사시도이고, 도 2의 (b)는 제2 러프 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 사시도이며, 도 2의 (c)는 제2 러프 가공 공정이 실시된 웨이퍼의 단면도이다.
도 3의 (a)는 제1 마무리 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 사시도이고, 도 3의 (b)는 제1 마무리 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 단면도이다.
도 4의 (a)는 제2 마무리 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 사시도이고, 도 4의 (b)는 제2 마무리 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 단면도이며, 도 4의 (c)는 제2 마무리 가공 공정이 실시된 웨이퍼의 단면도이다.Figure 1 (a) is a perspective view showing a state in which a wafer is placed on a chuck table of a laser processing device with the first side facing upward, and Figure 1 (b) is a state in which the first rough processing process is being performed. It is a perspective view showing, and Figure 1 (c) is a cross-sectional view of the wafer on which the first rough processing process was performed.
Figure 2 (a) is a perspective view showing a state in which a wafer is placed on the chuck table of a laser processing device with the second side facing upward, and Figure 2 (b) is a state in which the second rough processing process is being performed. It is a perspective view showing, and Figure 2 (c) is a cross-sectional view of the wafer on which the second rough processing process was performed.
Figure 3(a) is a perspective view showing a state in which the first finishing process is being performed, and Figure 3(b) is a cross-sectional view showing a state in which the first finishing process is being performed.
Figure 4 (a) is a perspective view showing a state in which the second finishing process is being performed, Figure 4 (b) is a cross-sectional view showing a state in which the second finishing process is being performed, and Figure 4 (b) is a cross-sectional view showing a state in which the second finishing process is being performed. c) is a cross-sectional view of the wafer on which the second finishing process was performed.
이하, 본 발명에 따른 모따기 가공 방법의 적합한 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the chamfering method according to the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1에는, 본 발명에 따른 모따기 가공 방법에 의해 모따기 가공이 실시되는 웨이퍼(2)가 도시되어 있다. 도시된 실시형태에 있어서의 웨이퍼(2)는, SiC(탄화규소)를 소재로 하는 SiC 웨이퍼이고, 두께 200 ㎛ 정도의 원판형으로 형성되어 있다. 이 웨이퍼(2)는, 제1 면(4)과, 제1 면(4)의 반대측의 제2 면(6)을 갖고, 웨이퍼(2)의 외주에는, 결정 방위를 나타내는 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)이 형성되어 있다. 한편, 제2 오리엔테이션 플랫(10)의 길이는, 제1 오리엔테이션 플랫(8)의 길이보다 짧다.1 shows a
본 발명에 따른 모따기 가공 방법에서는, 먼저 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정을 실시한다. 러프 가공 공정은, 예컨대 도 1에 일부를 도시한 레이저 가공 장치(12)를 이용하여 실시할 수 있다. 레이저 가공 장치(12)는, 웨이퍼(2)를 흡인 유지하는 척 테이블(14)과, 척 테이블(14)에 흡인 유지된 웨이퍼(2)에 펄스 레이저 광선(LB)을 조사하는 집광기(16)를 구비한다.In the chamfering processing method according to the present invention, a rough processing process is first performed by placing a convergence point of the laser beam on the outer periphery of the
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(14)의 상단 부분에는, 흡인 수단(도시 생략)에 접속된 다공질의 원형의 흡착 척(18)이 배치되고, 척 테이블(14)에 있어서는, 흡인 수단으로 흡착 척(18)의 상면에 흡인력을 생성하여, 상면에 실린 웨이퍼(2)를 흡인 유지하도록 되어 있다. 또한, 척 테이블(14)은 상하 방향을 축심으로 하여 회전 수단(도시 생략)에 의해 회전된다. 집광기(16)는, 척 테이블(14)에 대해 상대적으로 도 1에 화살표 X로 나타내는 X축 방향으로 X축 이송 수단(도시 생략)에 의해 진퇴되고, 또한 X축 방향과 직교하는 Y축 방향(도 1에 화살표 Y로 나타내는 방향)으로 Y축 이송 수단(도시 생략)에 의해 진퇴된다. 한편, X축 방향 및 Y축 방향이 규정하는 평면은 실질적으로 수평이다.As shown in Figure 1 (a), a porous
도시된 실시형태에 있어서의 러프 가공 공정에서는, 먼저 웨이퍼(2)의 제1 면(4)측으로부터 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제1 러프 가공 공정을 실시한다.In the rough processing process in the illustrated embodiment, first, a convergence point of the laser beam is placed on the outer periphery of the
제1 러프 가공 공정에서는, 제1 면(4)을 위로 향하게 하여 척 테이블(14)의 상면에서 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 후, 레이저 가공 장치(12)의 촬상 수단(도시 생략)으로 상방으로부터 웨이퍼(2)를 촬상한다. 계속해서, 촬상 수단으로 촬상한 웨이퍼(2)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(2)의 외주 상방에 집광기(16)를 위치시키고, 제1 면(4)측의 외주에 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시킨다. 그리고, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(14)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 집광기(16)로부터 펄스 레이저 광선(LB)을 제1 면(4)측의 외주에 조사한다. 이에 의해 제1 면(4)측의 외주에, 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공(제1 러프 가공)을 실시할 수 있다. 도 1의 (c)에 있어서, 제1 러프 가공이 실시된 부분을 부호 20으로 나타낸다.In the first rough processing process, the
도시된 실시형태의 웨이퍼(2)에는 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)이 형성되어 있기 때문에, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 펄스 레이저 광선(LB)을 조사할 때에는, 척 테이블(14)의 회전에 더하여, X축 이송 수단 및 Y축 이송 수단으로 집광기(16)를 적절히 이동시킴으로써, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 집광점을 이동시킨다. 이와 같이 하여, 제1 면(4)측의 외주 전부에 펄스 레이저 광선(LB)을 조사한다. 한편, 집광기(16)를 이동시키지 않고 척 테이블(14)을 회전시키고 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동시켜도 좋고, 혹은 척 테이블(14)을 작동시키지 않고 집광기(16)만을 이동시키도록 해도 좋다.Since the
도시된 실시형태에 있어서의 러프 가공 공정에서는, 제1 러프 가공 공정을 실시한 후, 웨이퍼(2)의 제2 면(6)측으로부터 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제2 러프 가공 공정을 실시한다.In the rough processing process in the illustrated embodiment, after performing the first rough processing process, a condensing point of the laser beam is placed on the outer periphery of the
도 2를 참조하여 설명하면, 제2 러프 가공 공정에서는, 먼저 제2 면(6)을 위로 향하게 하여 척 테이블(14)로 웨이퍼(2)를 흡인 유지한다. 계속해서, 제1 러프 가공 공정과 마찬가지로, 촬상 수단으로 웨이퍼(2)를 촬상하고, 촬상 수단으로 촬상한 웨이퍼(2)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(2)의 외주 상방에 집광기(16)를 위치시키며, 제2 면(6)측의 외주에 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시킨다. 그리고, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(14)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 집광기(16)로부터 펄스 레이저 광선(LB)을 제2 면(6)측의 외주에 조사한다. 이에 의해 제2 면(6)측의 외주에, 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공(제2 러프 가공)을 실시할 수 있다. 도 2의 (c)에 있어서, 제2 러프 가공이 실시된 부분을 부호 22로 나타낸다.Referring to FIG. 2 , in the second rough processing process, the
제2 러프 가공 공정에서도, 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점과 웨이퍼(2)를 상대적으로 적절히 이동시킴으로써, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 펄스 레이저 광선(LB)을 조사하여, 제2 면(6)측의 외주 전부에 펄스 레이저 광선(LB)을 조사한다.Also in the second rough processing process, by relatively appropriately moving the converging point of the pulse laser beam LB and the
전술한 바와 같은 러프 가공 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 실시할 수 있다.The rough processing process as described above can be performed, for example, under the following processing conditions.
펄스 레이저 광선의 파장 : 1064 ㎚Wavelength of pulsed laser light: 1064 nm
평균 출력 : 5.0 WAverage power: 5.0 W
반복 주파수 : 10 ㎑Repetition frequency: 10 kHz
펄스폭 : 100 ㎱ Pulse width: 100 ㎱
초점 거리 : 100 ㎜Focal length: 100 mm
척 테이블의 회전 속도 : 12도/초Rotation speed of chuck table: 12 degrees/sec
가공 시간 : 30초×2회(제1·제2 러프 가공 공정)=1분Processing time: 30 seconds x 2 times (1st and 2nd rough processing processes) = 1 minute
본 발명에 따른 모따기 가공 방법에서는, 러프 가공 공정을 실시한 후, 어블레이션 가공된 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정을 실시한다. 마무리 가공 공정은, 예컨대 도 3에 일부를 도시한 연삭 장치(24)를 이용하여 실시할 수 있다. 연삭 장치(24)는, 웨이퍼(2)를 흡인 유지하는 척 테이블(26)과, 척 테이블(26)에 흡인 유지된 웨이퍼(2)의 외주를 연삭하는 연삭 휠(28)을 구비한다.In the chamfering method according to the present invention, after performing the rough machining process, a finishing machining process is performed in which the outer periphery of the ablation processed
척 테이블(26)은, 상면에서 웨이퍼(2)를 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 상하 방향을 축심으로 하여 회전하도록 구성되어 있다. 연삭 휠(28)은, X축 방향을 축심으로 하여 회전하도록 구성되어 있고, 척 테이블(26)에 대해 상대적으로 X축 방향 및 상하 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 또한, 원반형의 연삭 휠(28)의 외주에는, 다이아몬드 지립을 메탈 본드 등의 결합재로 굳힘으로써 형성되고 외주는 모따기 각도에 대응한 각도로 성형된 환형의 연삭 지석(30)이 장착되어 있다.The chuck table 26 is configured to hold the
도시된 실시형태에 있어서의 마무리 가공 공정에서는, 먼저 웨이퍼(2)의 제1 면(4)측으로부터 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제1 마무리 가공 공정을 실시한다.In the finishing process in the illustrated embodiment, the first finishing process is performed by first grinding the outer periphery of the
도 3을 참조하여 설명을 계속하면, 제1 마무리 가공 공정에서는, 제1 면(4)을 위로 향하게 하여 척 테이블(26)로 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 후, 촬상 수단(도시 생략)으로 상방으로부터 웨이퍼(2)를 촬상한다. 계속해서, 촬상 수단으로 촬상한 웨이퍼(2)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(2)의 외주 상방에 연삭 휠(28)을 위치시킨다. 그리고, 상방에서 보아 반시계방향으로 척 테이블(26)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 도 3에 화살표 A로 나타내는 방향으로 회전시킨 연삭 휠(28)을 하강시켜, 제1 면(4)측의 외주[제1 러프 가공이 실시된 부분(20)]에 연삭 지석(30)의 외주를 밀어붙인다. 이에 의해, 어블레이션에 의해 러프하게 모따기 가공된 제1 면(4)측의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시할 수 있다.Continuing the explanation with reference to FIG. 3, in the first finishing process, the
도시된 실시형태의 웨이퍼(2)에는 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)이 형성되어 있기 때문에, 연삭 휠(28)을 스프링 등의 적절한 압박 부재로 웨이퍼(2)의 외주를 향해 압박하는 것 등에 의해, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 연삭 휠(28)을 이동시킨다. 이와 같이 하여, 제1 면(4)측의 외주 전부에 마무리 가공을 실시한다.Since the first orientation flat 8 and the second orientation flat 10 are formed on the
도시된 실시형태에 있어서의 마무리 가공 공정에서는, 제1 마무리 가공 공정을 실시한 후, 웨이퍼(2)의 제2 면(6)측으로부터 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제2 마무리 가공 공정을 실시한다.In the finishing process in the illustrated embodiment, after performing the first finishing process, the outer periphery of the
도 4를 참조하여 설명하면, 제2 마무리 가공 공정에서는, 먼저 제2 면(6)을 위로 향하게 하여 척 테이블(26)로 웨이퍼(2)를 흡인 유지한다. 계속해서, 제1 마무리 가공 공정과 마찬가지로, 촬상 수단으로 웨이퍼(2)를 촬상하고, 촬상 수단으로 촬상한 웨이퍼(2)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(2)의 외주 상방에 연삭 휠(28)을 위치시킨다. 그리고, 상방에서 보아 반시계방향으로 척 테이블(26)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서, A방향으로 회전시킨 연삭 휠(28)을 하강시켜, 제2 면(6)측의 외주[제2 러프 가공이 실시된 부분(22)]에 연삭 지석(30)의 외주를 밀어붙인다. 이에 의해, 어블레이션에 의해 러프하게 모따기 가공된 제2 면(6)측의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시할 수 있다.Referring to FIG. 4 , in the second finishing process, the
한편, 제2 마무리 가공 공정에서도, 연삭 휠(28)을 스프링 등의 적절한 압박 부재로 웨이퍼(2)의 외주를 향해 압박하는 것 등에 의해, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 연삭 휠(28)을 이동시켜, 제2 면(6)측의 외주 전부에 마무리 가공을 실시한다.Meanwhile, also in the second finishing process, the first orientation flat 8 and the second orientation flat 10 are formed by pressing the
전술한 바와 같은 마무리 가공 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 실시할 수 있다.The finishing process as described above can be performed, for example, under the following processing conditions.
다이아몬드 지립 : 0.5 ㎛~2.0 ㎛(25 중량%)Diamond abrasive grains: 0.5 ㎛~2.0 ㎛ (25% by weight)
결합재 : 메탈 본드(75 중량%)Binding material: Metal bond (75% by weight)
형상 : 직경 60 ㎜, 두께 10 ㎜Shape: Diameter 60 ㎜,
선단 경사 각도 : 45도Tip inclination angle: 45 degrees
연삭 휠의 회전 속도 : 20000 rpmRotation speed of grinding wheel: 20000 rpm
척 테이블의 회전 속도 : 2도/초Rotation speed of chuck table: 2 degrees/sec
가공 시간 : 3분×2회(제1·제2 마무리 가공 공정)=6분Processing time: 3 minutes x 2 times (1st and 2nd finishing processing processes) = 6 minutes
이상과 같이, 도시된 실시형태의 모따기 가공 방법에서는, 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시키고 레이저 광선(LB)을 웨이퍼(2)에 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과, 어블레이션 가공된 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정으로 적어도 구성되어 있기 때문에, 연삭 지석에 의한 연삭량 및 연삭 시간을 저감할 수 있고, 웨이퍼(2)가 SiC 등의 비교적 딱딱한 소재로 형성되어 있어도, 연삭 지석에 의한 연삭만으로 모따기 가공하는 경우와 비교하여 짧은 시간에 효율적으로 웨이퍼(2)의 외주에 모따기 가공을 실시할 수 있다.As described above, in the chamfering processing method of the illustrated embodiment, the converging point of the laser beam LB is placed on the outer periphery of the
한편, 도시된 실시형태에서는, 제1 러프 가공 공정을 실시한 후에 제2 러프 가공 공정을 실시하고, 계속해서 제1 마무리 가공 공정을 실시한 후에 제2 마무리 가공 공정을 실시하는 예를 설명하였으나, 제1 러프 가공 공정을 실시한 후에 제1 마무리 가공 공정을 실시하고, 계속해서 제2 러프 가공 공정을 실시한 후에 제2 마무리 가공 공정을 실시하도록 해도 좋다.Meanwhile, in the illustrated embodiment, an example in which the second rough machining process is performed after performing the first rough machining process, and then the first finishing machining process is then performed, and then the second finishing machining process is described, the first rough machining process is performed. After performing the rough machining process, the first finishing machining process may be performed, and subsequently, after performing the second rough machining process, the second finishing machining process may be performed.
2 : 웨이퍼 4 : 제1 면
6 : 제2 면 30 : 연삭 지석
LB : 레이저 광선2: wafer 4: first side
6: second side 30: grinding wheel
LB: Laser light
Claims (3)
웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사(照射)하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과,
어블레이션 가공된 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정
을 적어도 포함하고,
상기 러프 가공 공정은, 웨이퍼의 제1 면측으로부터 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제1 러프 가공 공정과, 웨이퍼의 제2 면측으로부터 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제2 러프 가공 공정을 포함하며,
상기 마무리 가공 공정은, 웨이퍼의 제1 면측으로부터 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제1 마무리 가공 공정과, 웨이퍼의 제2 면측으로부터 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제2 마무리 가공 공정을 포함하고,
상기 마무리 가공 공정에서는, 상하 방향을 축심으로 하여 회전하도록 구성된 척 테이블에 유지된 웨이퍼의 외주에 대하여, 상기 척 테이블의 축심에 직교하는 방향을 축심으로 하여 회전하는 원반형의 연삭 휠의 외주에 장착되어 상기 모따기 각도에 대응한 각도로 성형된 환형의 연삭 지석의 외주를, 상기 러프 가공 공정이 실시된 웨이퍼의 외주에 압박하여 상기 마무리 가공을 하는 모따기 가공 방법.A chamfering processing method for chamfering the outer circumference of a wafer,
A rough processing process in which a laser beam convergence point is placed on the outer periphery of the wafer, laser beam is irradiated, and rough chamfering is performed by ablation;
A finishing process in which the outer periphery of an ablation-processed wafer is ground with a grinding wheel for final processing.
Contains at least
The rough machining process includes a first rough machining process in which the converging point of the laser beam is placed on the outer periphery of the wafer from the first surface side of the wafer, the laser beam is irradiated to perform rough chamfering by ablation, and the first rough machining process of the wafer is performed. It includes a second rough processing process in which a convergence point of the laser beam is placed on the outer periphery of the wafer from the two-face side, the laser beam is irradiated, and rough chamfering is performed by ablation,
The finishing process includes a first finishing process in which the outer periphery of the wafer is ground from the first surface side of the wafer with a grinding wheel to perform finishing processing, and a first finishing process is performed in which the outer periphery of the wafer is ground from the second surface side of the wafer with a grinding wheel to perform finishing processing. It includes a second finishing process to carry out,
In the finishing machining process, a disc-shaped grinding wheel is mounted on the outer circumference of a wafer held on a chuck table configured to rotate in an upward and downward direction with its axis centered in a direction perpendicular to the axis of the chuck table. A chamfering method in which the finishing process is carried out by pressing the outer periphery of an annular grinding wheel formed at an angle corresponding to the chamfering angle to the outer periphery of the wafer on which the rough processing process has been performed.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018107872A JP7166794B2 (en) | 2018-06-05 | 2018-06-05 | Chamfering method |
JPJP-P-2018-107872 | 2018-06-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190138590A KR20190138590A (en) | 2019-12-13 |
KR102680919B1 true KR102680919B1 (en) | 2024-07-02 |
Family
ID=68773469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190064756A KR102680919B1 (en) | 2018-06-05 | 2019-05-31 | Chamfering method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7166794B2 (en) |
KR (1) | KR102680919B1 (en) |
CN (1) | CN110571131B (en) |
TW (1) | TWI793331B (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022044159A (en) * | 2020-09-07 | 2022-03-17 | 株式会社ディスコ | Processing method for primitive wafer |
KR102556907B1 (en) | 2022-11-24 | 2023-07-19 | 주식회사 정성테크 | Double side chamfering apparatus |
WO2024157659A1 (en) * | 2023-01-25 | 2024-08-02 | 株式会社東京精密 | Chamfering method and chamfering device |
CN117961654B (en) * | 2024-02-05 | 2024-09-24 | 广东科杰技术股份有限公司 | CNC surface polishing process for ceramic watch key chamfer |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111606A (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method of processing wafer |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000094221A (en) | 1998-09-24 | 2000-04-04 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | Electric discharge wire saw |
TWI414383B (en) * | 2008-06-25 | 2013-11-11 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Angle processing device |
JP5623249B2 (en) * | 2010-11-11 | 2014-11-12 | Sumco Techxiv株式会社 | Wafer chamfering method |
JP5926527B2 (en) * | 2011-10-17 | 2016-05-25 | 信越化学工業株式会社 | Manufacturing method of transparent SOI wafer |
JP2014229843A (en) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 富士電機株式会社 | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device |
JP6399913B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
JP7292006B2 (en) * | 2015-03-24 | 2023-06-16 | コーニング インコーポレイテッド | Laser cutting and processing of display glass compositions |
JP6773506B2 (en) * | 2016-09-29 | 2020-10-21 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
-
2018
- 2018-06-05 JP JP2018107872A patent/JP7166794B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-28 TW TW108118395A patent/TWI793331B/en active
- 2019-05-28 CN CN201910449323.1A patent/CN110571131B/en active Active
- 2019-05-31 KR KR1020190064756A patent/KR102680919B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111606A (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method of processing wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI793331B (en) | 2023-02-21 |
CN110571131A (en) | 2019-12-13 |
JP2019212761A (en) | 2019-12-12 |
JP7166794B2 (en) | 2022-11-08 |
KR20190138590A (en) | 2019-12-13 |
CN110571131B (en) | 2024-02-20 |
TW202003141A (en) | 2020-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102680919B1 (en) | Chamfering method | |
KR102450902B1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC WAFER | |
CN107877011B (en) | Method for producing SiC wafer | |
CN107305864B (en) | Method for processing SiC wafer | |
US9884389B2 (en) | SiC ingot slicing method | |
JP6180223B2 (en) | Wafer manufacturing method | |
TWI732949B (en) | Wafer processing method | |
CN110871506B (en) | Method for processing SiC substrate | |
JP6001931B2 (en) | Wafer processing method | |
JP7460322B2 (en) | Wafer Processing Method | |
CN110875173A (en) | Method for processing SiC substrate | |
JP2014072475A (en) | Wafer processing method | |
KR20220014815A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING Si SUBSTRATE | |
TWI804670B (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
JP2003273053A (en) | Surface grinding method | |
JP2012222310A (en) | Method for processing wafer | |
JP6970554B2 (en) | Processing method | |
CN114535815A (en) | Wafer generation method | |
JP5860216B2 (en) | Wafer chamfer removal method | |
JP2019150925A (en) | Method for grinding work-piece | |
CN115706003A (en) | Wafer generation method | |
JP2019096762A (en) | Chip formation method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |