KR20190138590A - Chamfering method - Google Patents

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KR20190138590A
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가즈야 히라타
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

An objective of the present invention is to provide a chamfer processing method capable of efficiently processing a chamfer at the outer periphery of a wafer (2). The chamfer processing method comprises: a rough processing process of positioning a light converging point of a laser beam (LB) at the outer periphery of a wafer (2) and irradiating the LB to perform rough chamfer processing due to ablation; and a finish processing process of performing finish processing by grinding the outer periphery of the ablated wafer (2) with a grinding stone (3).

Description

모따기 가공 방법{CHAMFERING METHOD}Chamfering Method {CHAMFERING METHOD}

본 발명은 웨이퍼의 외주를 모따기하는 모따기 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chamfering method for chamfering the outer circumference of a wafer.

IC, LSI, LED 등의 디바이스는, Si(실리콘)나 Al2O3(사파이어) 등을 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 또한, 파워 디바이스, LED 등은 SiC(탄화규소)를 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 절삭 장치, 레이저 가공 장치에 의해 분할 예정 라인에 가공이 실시되어 개개의 디바이스로 분할되고, 분할된 각 디바이스는 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.Devices such as ICs, LSIs, and LEDs are formed by stacking functional layers on a surface of a wafer made of Si (silicon), Al 2 O 3 (sapphire), or the like, and partitioning them by a division schedule line. In addition, a power device, an LED, and the like are formed by stacking a functional layer on the surface of a wafer made of SiC (silicon carbide) and partitioned by a division schedule line. The wafer on which the device is formed is processed into a division scheduled line by a cutting device and a laser processing device, and is divided into individual devices, and each of the divided devices is used for an electric device such as a mobile phone or a personal computer.

디바이스가 형성되는 웨이퍼는, 일반적으로 원기둥 형상의 잉곳을 와이어 소(wire saw)로 얇게 절단함으로써 생성된다. 절단된 웨이퍼의 표면 및 이면은, 연마함으로써 경면으로 마무리된다(예컨대 특허문헌 1 참조). 그러나, 잉곳을 와이어 소로 절단하고, 절단한 웨이퍼의 표면 및 이면을 연마하면, 잉곳의 대부분(70%~80%)이 버려지게 되어 비경제적이라고 하는 문제가 있다. 특히 SiC 잉곳에 있어서는, 경도가 높아 와이어 소로의 절단이 곤란하고 상당한 시간을 요하기 때문에 생산성이 나쁘며, 잉곳의 단가가 높아 효율적으로 웨이퍼를 생성하는 것에 과제를 갖고 있다.The wafer on which the device is formed is generally produced by thinly cutting a cylindrical ingot with a wire saw. The surface and the back surface of the cut wafer are polished to a mirror surface by polishing (for example, see Patent Document 1). However, when the ingot is cut with a wire saw and the surface and the back surface of the cut wafer are polished, most of the ingot (70% to 80%) is discarded and there is a problem of being uneconomical. In particular, in SiC ingots, since the hardness is high, it is difficult to cut the wire saw and requires a considerable time, so that the productivity is poor, and the unit cost of the ingot is high.

그래서 본 출원인은, SiC에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 SiC 잉곳의 내부에 위치시키고 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사(照射)하여 절단 예정면에 분리층을 형성하고, 분리층이 형성된 절단 예정면을 따라 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 분리하는 기술을 제안하였다(예컨대 특허문헌 2 참조).Therefore, the present applicant places the condensing point of the laser beam having a wavelength transmissive to SiC inside the SiC ingot and irradiates the laser beam to the SiC ingot to form a separation layer on the plane to be cut, and the separation layer is A technique for separating the wafer from the SiC ingot along the formed cut plane is proposed (see, for example, Patent Document 2).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-94221호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-94221 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2016-111143호 공보[Patent Document 2] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2016-111143

그러나, 웨이퍼의 외주에 연삭 지석을 접촉하여 모따기 가공을 실시하면 상당한 시간이 걸려 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.However, when the grinding grindstone is brought into contact with the outer circumference of the wafer and subjected to chamfering, there is a problem that the productivity is poor due to a considerable time.

상기 사실을 감안하여 이루어진 본 발명의 과제는, 효율적으로 웨이퍼의 외주에 모따기 가공을 실시할 수 있는 모따기 가공 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention made in view of the above-mentioned fact is to provide a chamfering processing method which can chamfer efficiently on the outer periphery of a wafer.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명이 제공하는 것은 이하의 모따기 가공 방법이다. 즉, 웨이퍼의 외주를 모따기하는 모따기 가공 방법으로서, 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과, 어블레이션 가공된 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정으로 적어도 구성되는 모따기 가공 방법이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention provides the following chamfering processing methods. That is, as a chamfering method for chamfering the outer circumference of the wafer, a rough processing step of placing a converging point of the laser beam on the outer circumference of the wafer and irradiating the laser beam to perform rough chamfering by ablation, and ablation processing It is a chamfering processing method comprised at least by the finishing process which grinds the outer periphery of a wafer with a grinding grindstone, and performs a finishing process.

바람직하게는, 상기 러프 가공 공정은, 웨이퍼의 제1 면측으로부터 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제1 러프 가공 공정과, 웨이퍼의 제2 면측으로부터 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제2 러프 가공 공정을 포함하고, 상기 마무리 가공 공정은, 웨이퍼의 제1 면측으로부터 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제1 마무리 가공 공정과, 웨이퍼의 제2 면측으로부터 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제2 마무리 가공 공정을 포함한다. 웨이퍼는 SiC 웨이퍼여도 좋다.Preferably, the rough processing step includes a first rough processing step of positioning a light collecting point of the laser beam on the outer circumference of the wafer from the first surface side of the wafer and irradiating the laser beam to perform rough chamfering by ablation; And a second rough processing step of placing a light collecting point of the laser beam on the outer circumference of the wafer from the second surface side of the wafer, irradiating the laser beam, and performing rough chamfering by ablation, wherein the finishing processing step includes: A first finishing process for grinding the outer periphery of the wafer from the first face side of the wafer with grinding grindstone and a second finishing process for finishing the finishing process by grinding the outer periphery of the wafer with a grinding grindstone from the second surface side of the wafer. Machining process. The wafer may be a SiC wafer.

본 발명이 제공하는 모따기 가공 방법은, 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과, 어블레이션 가공된 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정으로 적어도 구성되어 있기 때문에, 효율적으로 웨이퍼의 외주에 모따기 가공을 실시할 수 있다.The chamfering processing method provided by this invention provides the rough processing process which places a light collection point of a laser beam on the outer periphery of a wafer, irradiates a laser beam, and performs rough chamfering processing by ablation, and the outer periphery of the ablation processed wafer Since it is comprised at least in the finishing process of grind | pulverizing to a grinding grindstone and giving a finishing process, a chamfering process can be performed to the outer periphery of a wafer efficiently.

도 1의 (a)는 제1 면을 위로 향하게 하여, 레이저 가공 장치의 척 테이블에 웨이퍼를 배치하는 상태를 도시한 사시도이고, 도 1의 (b)는 제1 러프 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 사시도이며, 도 1의 (c)는 제1 러프 가공 공정이 실시된 웨이퍼의 단면도이다.
도 2의 (a)는 제2 면을 위로 향하게 하여, 레이저 가공 장치의 척 테이블에 웨이퍼를 배치하는 상태를 도시한 사시도이고, 도 2의 (b)는 제2 러프 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 사시도이며, 도 2의 (c)는 제2 러프 가공 공정이 실시된 웨이퍼의 단면도이다.
도 3의 (a)는 제1 마무리 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 사시도이고, 도 3의 (b)는 제1 마무리 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 단면도이다.
도 4의 (a)는 제2 마무리 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 사시도이고, 도 4의 (b)는 제2 마무리 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 도시한 단면도이며, 도 4의 (c)는 제2 마무리 가공 공정이 실시된 웨이퍼의 단면도이다.(A) is a perspective view which shows the state which arrange | positions a wafer to the chuck table of a laser processing apparatus with a 1st surface facing up, and FIG. 1 (b) is a state which has implemented the 1st rough processing process. 1C is a sectional view of a wafer on which a first rough machining step is performed.
(A) is a perspective view which shows the state which arrange | positions a wafer to the chuck table of a laser processing apparatus with a 2nd surface facing up, and FIG. 2 (b) is a state which is performing a 2nd rough processing process. Is a perspective view, and FIG. 2C is a cross-sectional view of the wafer on which the second rough processing step is performed.
FIG. 3A is a perspective view illustrating a state where the first finishing process is being performed, and FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a state where the first finishing process is performed.
FIG. 4A is a perspective view showing a state where the second finishing process is being performed, and FIG. 4B is a sectional view showing a state where the second finishing process is being performed, and FIG. c) is sectional drawing of the wafer in which the 2nd finishing process process was performed.

이하, 본 발명에 따른 모따기 가공 방법의 적합한 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the chamfering processing method which concerns on this invention is described, referring drawings.

도 1에는, 본 발명에 따른 모따기 가공 방법에 의해 모따기 가공이 실시되는 웨이퍼(2)가 도시되어 있다. 도시된 실시형태에 있어서의 웨이퍼(2)는, SiC(탄화규소)를 소재로 하는 SiC 웨이퍼이고, 두께 200 ㎛ 정도의 원판형으로 형성되어 있다. 이 웨이퍼(2)는, 제1 면(4)과, 제1 면(4)의 반대측의 제2 면(6)을 갖고, 웨이퍼(2)의 외주에는, 결정 방위를 나타내는 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)이 형성되어 있다. 한편, 제2 오리엔테이션 플랫(10)의 길이는, 제1 오리엔테이션 플랫(8)의 길이보다 짧다.1 shows a wafer 2 in which chamfering is performed by the chamfering method according to the present invention. The wafer 2 in the illustrated embodiment is a SiC wafer made of SiC (silicon carbide) and is formed in a disc shape having a thickness of about 200 μm. The wafer 2 has a first surface 4 and a second surface 6 on the opposite side of the first surface 4, and on the outer periphery of the wafer 2, a first orientation flat ( 8) and a second orientation flat 10 are formed. On the other hand, the length of the second orientation flat 10 is shorter than the length of the first orientation flat 8.

본 발명에 따른 모따기 가공 방법에서는, 먼저 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정을 실시한다. 러프 가공 공정은, 예컨대 도 1에 일부를 도시한 레이저 가공 장치(12)를 이용하여 실시할 수 있다. 레이저 가공 장치(12)는, 웨이퍼(2)를 흡인 유지하는 척 테이블(14)과, 척 테이블(14)에 흡인 유지된 웨이퍼(2)에 펄스 레이저 광선(LB)을 조사하는 집광기(16)를 구비한다.In the chamfering processing method which concerns on this invention, the rough processing process of first roughly arranging the converging point of a laser beam on the outer periphery of the wafer 2, irradiating a laser beam, and performing rough chamfering processing by ablation is performed. The rough processing process can be performed using the laser processing apparatus 12 which shows a part in FIG. 1, for example. The laser processing apparatus 12 includes a chuck table 14 for sucking and holding the wafer 2, and a condenser 16 for irradiating a pulsed laser beam LB to the wafer 2 sucked and held by the chuck table 14. It is provided.

도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(14)의 상단 부분에는, 흡인 수단(도시 생략)에 접속된 다공질의 원형의 흡착 척(18)이 배치되고, 척 테이블(14)에 있어서는, 흡인 수단으로 흡착 척(18)의 상면에 흡인력을 생성하여, 상면에 실린 웨이퍼(2)를 흡인 유지하도록 되어 있다. 또한, 척 테이블(14)은 상하 방향을 축심으로 하여 회전 수단(도시 생략)에 의해 회전된다. 집광기(16)는, 척 테이블(14)에 대해 상대적으로 도 1에 화살표 X로 나타내는 X축 방향으로 X축 이송 수단(도시 생략)에 의해 진퇴되고, 또한 X축 방향과 직교하는 Y축 방향(도 1에 화살표 Y로 나타내는 방향)으로 Y축 이송 수단(도시 생략)에 의해 진퇴된다. 한편, X축 방향 및 Y축 방향이 규정하는 평면은 실질적으로 수평이다.As shown in FIG. 1A, at the upper end portion of the chuck table 14, a porous circular suction chuck 18 connected to suction means (not shown) is disposed, and the chuck table 14 is disposed on the chuck table 14. In this case, a suction force is generated on the upper surface of the suction chuck 18 by suction means to suck and hold the wafer 2 loaded on the upper surface. In addition, the chuck table 14 is rotated by a rotating means (not shown) with the axial center in the vertical direction. The light condenser 16 is moved forward and backward by an X-axis conveying means (not shown) in the X-axis direction indicated by the arrow X in FIG. 1 relative to the chuck table 14, and is perpendicular to the X-axis direction ( In the direction indicated by the arrow Y in Fig. 1), the Y-axis conveying means (not shown) moves forward and backward. On the other hand, the plane defined by the X-axis direction and the Y-axis direction is substantially horizontal.

도시된 실시형태에 있어서의 러프 가공 공정에서는, 먼저 웨이퍼(2)의 제1 면(4)측으로부터 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제1 러프 가공 공정을 실시한다.In the rough machining process in the illustrated embodiment, first, the light collecting point of the laser beam is located on the outer circumference of the wafer 2 from the first surface 4 side of the wafer 2, and the laser beam is irradiated to ablation. The first rough machining step of rough chamfering is performed.

제1 러프 가공 공정에서는, 제1 면(4)을 위로 향하게 하여 척 테이블(14)의 상면에서 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 후, 레이저 가공 장치(12)의 촬상 수단(도시 생략)으로 상방으로부터 웨이퍼(2)를 촬상한다. 계속해서, 촬상 수단으로 촬상한 웨이퍼(2)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(2)의 외주 상방에 집광기(16)를 위치시키고, 제1 면(4)측의 외주에 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시킨다. 그리고, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(14)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 집광기(16)로부터 펄스 레이저 광선(LB)을 제1 면(4)측의 외주에 조사한다. 이에 의해 제1 면(4)측의 외주에, 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공(제1 러프 가공)을 실시할 수 있다. 도 1의 (c)에 있어서, 제1 러프 가공이 실시된 부분을 부호 20으로 나타낸다.In the first rough machining step, the wafer 2 is suction-held on the upper surface of the chuck table 14 with the first surface 4 facing upwards, and then upwards by the imaging means (not shown) of the laser processing apparatus 12. The wafer 2 is imaged from the. Subsequently, based on the image of the wafer 2 picked up by the imaging means, the condenser 16 is positioned above the outer circumference of the wafer 2, and the pulse laser beam LB is located on the outer circumference of the first surface 4 side. Locate the light spot. As shown in FIG. 1B, the pulse laser beam LB is moved from the condenser 16 to the outer circumference of the first surface 4 side while the chuck table 14 is rotated at a predetermined rotational speed. Investigate. Thereby, the rough chamfering (1st rough processing) by ablation can be given to the outer periphery of the 1st surface 4 side. In FIG.1 (c), the part by which the 1st rough process was given is shown with the code | symbol 20. In FIG.

도시된 실시형태의 웨이퍼(2)에는 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)이 형성되어 있기 때문에, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 펄스 레이저 광선(LB)을 조사할 때에는, 척 테이블(14)의 회전에 더하여, X축 이송 수단 및 Y축 이송 수단으로 집광기(16)를 적절히 이동시킴으로써, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 집광점을 이동시킨다. 이와 같이 하여, 제1 면(4)측의 외주 전부에 펄스 레이저 광선(LB)을 조사한다. 한편, 집광기(16)를 이동시키지 않고 척 테이블(14)을 회전시키고 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동시켜도 좋고, 혹은 척 테이블(14)을 작동시키지 않고 집광기(16)만을 이동시키도록 해도 좋다.Since the first orientation flat 8 and the second orientation flat 10 are formed on the wafer 2 of the illustrated embodiment, the pulse laser is arranged along the first orientation flat 8 and the second orientation flat 10. When irradiating the light beam LB, in addition to the rotation of the chuck table 14, the first orientation flat 8 and the second orientation flat by appropriately moving the light collector 16 by the X-axis feeder and the Y-axis feeder. Move the focusing point along (10). In this way, the pulse laser beam LB is irradiated to all the outer periphery of the 1st surface 4 side. On the other hand, the chuck table 14 may be rotated and moved in the X-axis direction and the Y-axis direction without moving the light collector 16, or only the light collector 16 may be moved without operating the chuck table 14. .

도시된 실시형태에 있어서의 러프 가공 공정에서는, 제1 러프 가공 공정을 실시한 후, 웨이퍼(2)의 제2 면(6)측으로부터 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제2 러프 가공 공정을 실시한다.In the rough machining step in the illustrated embodiment, after performing the first rough machining step, the light converging point of the laser beam is placed on the outer periphery of the wafer 2 from the second surface 6 side of the wafer 2, and the laser The 2nd rough processing process which irradiates a light beam and performs rough chamfering process by ablation is performed.

도 2를 참조하여 설명하면, 제2 러프 가공 공정에서는, 먼저 제2 면(6)을 위로 향하게 하여 척 테이블(14)로 웨이퍼(2)를 흡인 유지한다. 계속해서, 제1 러프 가공 공정과 마찬가지로, 촬상 수단으로 웨이퍼(2)를 촬상하고, 촬상 수단으로 촬상한 웨이퍼(2)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(2)의 외주 상방에 집광기(16)를 위치시키며, 제2 면(6)측의 외주에 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시킨다. 그리고, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(14)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 집광기(16)로부터 펄스 레이저 광선(LB)을 제2 면(6)측의 외주에 조사한다. 이에 의해 제2 면(6)측의 외주에, 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공(제2 러프 가공)을 실시할 수 있다. 도 2의 (c)에 있어서, 제2 러프 가공이 실시된 부분을 부호 22로 나타낸다.Referring to FIG. 2, in the second rough machining step, the wafer 2 is sucked and held by the chuck table 14 with the second surface 6 facing upward. Subsequently, similarly to the first rough processing step, the image pickup device 2 is imaged by the image pickup means, and the condenser 16 is placed on the outer circumference of the wafer 2 based on the image of the wafer 2 imaged by the image pickup means. The light collecting point of the pulsed laser beam LB is located on the outer periphery of the 2nd surface 6 side. As shown in FIG. 2B, the pulse laser beam LB is moved from the condenser 16 to the outer circumference of the second surface 6 side while the chuck table 14 is rotated at a predetermined rotational speed. Investigate. Thereby, the rough chamfering process (2nd rough processing) by ablation can be given to the outer periphery of the 2nd surface 6 side. In FIG.2 (c), the part to which 2nd rough processing was given is shown with the code | symbol 22. In FIG.

제2 러프 가공 공정에서도, 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점과 웨이퍼(2)를 상대적으로 적절히 이동시킴으로써, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 펄스 레이저 광선(LB)을 조사하여, 제2 면(6)측의 외주 전부에 펄스 레이저 광선(LB)을 조사한다.Also in the second rough machining step, the pulsed laser beam LB along the first orientation flat 8 and the second orientation flat 10 by moving the light collection point of the pulsed laser beam LB and the wafer 2 relatively properly. ) Is irradiated to the entire outer circumference of the second surface 6 side to irradiate the pulsed laser beam LB.

전술한 바와 같은 러프 가공 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 실시할 수 있다.The rough processing step as described above can be performed, for example, under the following processing conditions.

펄스 레이저 광선의 파장 : 1064 ㎚Wavelength of pulse laser beam 1064 nm

평균 출력 : 5.0 WAverage power : 5.0 W

반복 주파수 : 10 ㎑Repetition frequency : 10 ㎑

펄스폭 : 100 ㎱ Pulse width : 100 ㎱

초점 거리 : 100 ㎜Focal length 100 mm

척 테이블의 회전 속도 : 12도/초Rotation speed of chuck table 12 degrees / s

가공 시간 : 30초×2회(제1·제2 러프 가공 공정)=1분Processing time : 30 seconds x 2 times (first and second rough processing steps) = 1 minute

본 발명에 따른 모따기 가공 방법에서는, 러프 가공 공정을 실시한 후, 어블레이션 가공된 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정을 실시한다. 마무리 가공 공정은, 예컨대 도 3에 일부를 도시한 연삭 장치(24)를 이용하여 실시할 수 있다. 연삭 장치(24)는, 웨이퍼(2)를 흡인 유지하는 척 테이블(26)과, 척 테이블(26)에 흡인 유지된 웨이퍼(2)의 외주를 연삭하는 연삭 휠(28)을 구비한다.In the chamfering processing method which concerns on this invention, after performing a rough processing process, the finishing process which grinds the outer periphery of the ablated wafer 2 with a grinding grindstone, and performs a finishing process is performed. The finishing process can be performed using the grinding apparatus 24 which shows a part in FIG. 3, for example. The grinding apparatus 24 is equipped with the chuck table 26 which suction-holds the wafer 2, and the grinding wheel 28 which grinds the outer periphery of the wafer 2 suction-held by the chuck table 26. As shown in FIG.

척 테이블(26)은, 상면에서 웨이퍼(2)를 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 상하 방향을 축심으로 하여 회전하도록 구성되어 있다. 연삭 휠(28)은, X축 방향을 축심으로 하여 회전하도록 구성되어 있고, 척 테이블(26)에 대해 상대적으로 X축 방향 및 상하 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 또한, 원반형의 연삭 휠(28)의 외주에는, 다이아몬드 지립을 메탈 본드 등의 결합재로 굳힘으로써 형성되고 외주는 모따기 각도에 대응한 각도로 성형된 환형의 연삭 지석(30)이 장착되어 있다.The chuck table 26 is configured to suck and hold the wafer 2 on the upper surface, and is configured to rotate with the axis in the vertical direction. The grinding wheel 28 is comprised so that it may rotate around the X-axis direction, and it is comprised so that it may move to an X-axis direction and an up-down direction relatively with respect to the chuck table 26. As shown in FIG. In addition, an annular grinding grindstone 30 is formed on the outer circumference of the disk-shaped grinding wheel 28 by forming diamond abrasive grains with a bonding material such as a metal bond, and shaped at an angle corresponding to the chamfering angle.

도시된 실시형태에 있어서의 마무리 가공 공정에서는, 먼저 웨이퍼(2)의 제1 면(4)측으로부터 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제1 마무리 가공 공정을 실시한다.In the finishing process in the embodiment shown in FIG. 1, the 1st finishing process which grinds the outer periphery of the wafer 2 with the grinding grindstone 30 from the 1st surface 4 side of the wafer 2, and performs a finishing process first. Carry out the process.

도 3을 참조하여 설명을 계속하면, 제1 마무리 가공 공정에서는, 제1 면(4)을 위로 향하게 하여 척 테이블(26)로 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 후, 촬상 수단(도시 생략)으로 상방으로부터 웨이퍼(2)를 촬상한다. 계속해서, 촬상 수단으로 촬상한 웨이퍼(2)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(2)의 외주 상방에 연삭 휠(28)을 위치시킨다. 그리고, 상방에서 보아 반시계방향으로 척 테이블(26)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 도 3에 화살표 A로 나타내는 방향으로 회전시킨 연삭 휠(28)을 하강시켜, 제1 면(4)측의 외주[제1 러프 가공이 실시된 부분(20)]에 연삭 지석(30)의 외주를 밀어붙인다. 이에 의해, 어블레이션에 의해 러프하게 모따기 가공된 제1 면(4)측의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시할 수 있다.Continuing with the description with reference to FIG. 3, in the first finishing process, the wafer 2 is suction-held with the chuck table 26 with the first surface 4 facing upwards, and then the imaging means (not shown). The wafer 2 is imaged from above. Subsequently, the grinding wheel 28 is positioned above the outer circumference of the wafer 2 based on the image of the wafer 2 captured by the imaging means. And the grinding wheel 28 rotated in the direction shown by the arrow A in FIG. 3 is rotated, rotating the chuck table 26 counterclockwise from the upper direction, and the 1st surface 4 side The outer circumference of the grinding grindstone 30 is pushed on the outer circumference (part 20 on which the first rough processing was performed). Thereby, the outer periphery of the 1st surface 4 side roughly chamfered by ablation can be ground by the grinding grindstone 30, and finishing processing can be performed.

도시된 실시형태의 웨이퍼(2)에는 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)이 형성되어 있기 때문에, 연삭 휠(28)을 스프링 등의 적절한 압박 부재로 웨이퍼(2)의 외주를 향해 압박하는 것 등에 의해, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 연삭 휠(28)을 이동시킨다. 이와 같이 하여, 제1 면(4)측의 외주 전부에 마무리 가공을 실시한다.Since the first orientation flat 8 and the second orientation flat 10 are formed on the wafer 2 of the illustrated embodiment, the grinding wheel 28 is formed on the outer circumference of the wafer 2 by a suitable pressing member such as a spring. The grinding wheel 28 is moved along the first orientation flat 8 and the second orientation flat 10, for example, by pressing toward. In this way, finishing is given to all the outer periphery of the 1st surface 4 side.

도시된 실시형태에 있어서의 마무리 가공 공정에서는, 제1 마무리 가공 공정을 실시한 후, 웨이퍼(2)의 제2 면(6)측으로부터 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제2 마무리 가공 공정을 실시한다.In the finishing process in the embodiment shown, after performing a 1st finishing process, the outer periphery of the wafer 2 is ground with the grinding grindstone 30 from the 2nd surface 6 side of the wafer 2, and it finishes. The 2nd finishing process process which performs a process is implemented.

도 4를 참조하여 설명하면, 제2 마무리 가공 공정에서는, 먼저 제2 면(6)을 위로 향하게 하여 척 테이블(26)로 웨이퍼(2)를 흡인 유지한다. 계속해서, 제1 마무리 가공 공정과 마찬가지로, 촬상 수단으로 웨이퍼(2)를 촬상하고, 촬상 수단으로 촬상한 웨이퍼(2)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(2)의 외주 상방에 연삭 휠(28)을 위치시킨다. 그리고, 상방에서 보아 반시계방향으로 척 테이블(26)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서, A방향으로 회전시킨 연삭 휠(28)을 하강시켜, 제2 면(6)측의 외주[제2 러프 가공이 실시된 부분(22)]에 연삭 지석(30)의 외주를 밀어붙인다. 이에 의해, 어블레이션에 의해 러프하게 모따기 가공된 제2 면(6)측의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시할 수 있다.Referring to FIG. 4, in the second finishing process, the wafer 2 is sucked and held by the chuck table 26 with the second surface 6 facing upward. Subsequently, similarly to the first finishing process, the grinding wheel 28 is imaged on the outer circumference of the wafer 2 based on the image of the wafer 2 captured by the imaging means and captured by the imaging means. Locate it. The grinding wheel 28 rotated in the A direction is lowered while rotating the chuck table 26 at a predetermined rotational speed in the counterclockwise direction as viewed from above, and the outer circumference (second roughness) on the second surface 6 side. The outer periphery of the grinding grindstone 30 is pushed to the part 22 in which the process was performed. Thereby, the outer periphery of the 2nd surface 6 side roughly chamfered by ablation can be ground with the grinding grindstone 30, and finishing processing can be performed.

한편, 제2 마무리 가공 공정에서도, 연삭 휠(28)을 스프링 등의 적절한 압박 부재로 웨이퍼(2)의 외주를 향해 압박하는 것 등에 의해, 제1 오리엔테이션 플랫(8) 및 제2 오리엔테이션 플랫(10)을 따라 연삭 휠(28)을 이동시켜, 제2 면(6)측의 외주 전부에 마무리 가공을 실시한다.On the other hand, also in the 2nd finishing process, the 1st orientation flat 8 and the 2nd orientation flats 10 are pressed by pressing the grinding wheel 28 toward the outer periphery of the wafer 2 with a suitable press member, such as a spring. ), The grinding wheel 28 is moved to finish the entire outer circumference of the second surface 6 side.

전술한 바와 같은 마무리 가공 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 실시할 수 있다.The finishing processing step as described above can be performed, for example, under the following processing conditions.

다이아몬드 지립 : 0.5 ㎛~2.0 ㎛(25 중량%)Diamond abrasive : 0.5 μm to 2.0 μm (25 wt%)

결합재 : 메탈 본드(75 중량%)Binder : Metal Bond (75 wt%)

형상 : 직경 60 ㎜, 두께 10 ㎜shape Diameter 60 mm, thickness 10 mm

선단 경사 각도 : 45도Tip Slope Angle 45 degrees

연삭 휠의 회전 속도 : 20000 rpmRotation speed of grinding wheel : 20000 rpm

척 테이블의 회전 속도 : 2도/초Rotation speed of chuck table : 2 degrees / second

가공 시간 : 3분×2회(제1·제2 마무리 가공 공정)=6분Processing time : 3 minutes x 2 times (first and second finishing processing steps) = 6 minutes

이상과 같이, 도시된 실시형태의 모따기 가공 방법에서는, 웨이퍼(2)의 외주에 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시키고 레이저 광선(LB)을 웨이퍼(2)에 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과, 어블레이션 가공된 웨이퍼(2)의 외주를 연삭 지석(30)으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정으로 적어도 구성되어 있기 때문에, 연삭 지석에 의한 연삭량 및 연삭 시간을 저감할 수 있고, 웨이퍼(2)가 SiC 등의 비교적 딱딱한 소재로 형성되어 있어도, 연삭 지석에 의한 연삭만으로 모따기 가공하는 경우와 비교하여 짧은 시간에 효율적으로 웨이퍼(2)의 외주에 모따기 가공을 실시할 수 있다.As described above, in the chamfering processing method of the illustrated embodiment, the light collecting point of the laser beam LB is positioned on the outer circumference of the wafer 2, the laser beam LB is irradiated onto the wafer 2, and roughened by ablation. Grinding by grinding grindstone is composed of at least the roughing step of chamfering and the finishing step of grinding the outer periphery of the ablated wafer 2 with the grinding grindstone 30 to perform the finishing process. Even if the amount and the grinding time can be reduced, and the wafer 2 is made of a relatively hard material such as SiC, the outer periphery of the wafer 2 can be efficiently performed in a short time compared with the case of chamfering only by grinding by grinding grinding stones. The chamfering process can be performed.

한편, 도시된 실시형태에서는, 제1 러프 가공 공정을 실시한 후에 제2 러프 가공 공정을 실시하고, 계속해서 제1 마무리 가공 공정을 실시한 후에 제2 마무리 가공 공정을 실시하는 예를 설명하였으나, 제1 러프 가공 공정을 실시한 후에 제1 마무리 가공 공정을 실시하고, 계속해서 제2 러프 가공 공정을 실시한 후에 제2 마무리 가공 공정을 실시하도록 해도 좋다.On the other hand, in the illustrated embodiment, the second rough machining step is performed after the first rough machining step and the second finishing machining step is performed after the first finishing machining step is performed. After performing a rough processing process, you may implement a 1st finishing process, and after performing a 2nd rough processing process, you may make it perform a 2nd finishing process.

2 : 웨이퍼 4 : 제1 면
6 : 제2 면 30 : 연삭 지석
LB : 레이저 광선2: wafer 4: first surface
6: second surface 30: grinding grindstone
LB: Laser Beam

Claims (3)

웨이퍼의 외주를 모따기하는 모따기 가공 방법으로서,
웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사(照射)하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 러프 가공 공정과,
어블레이션 가공된 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 마무리 가공 공정
을 적어도 포함하는 모따기 가공 방법.As a chamfer processing method for chamfering the outer circumference of a wafer,
A rough processing step of placing a light collecting point of the laser beam on the outer circumference of the wafer, irradiating the laser beam, and performing rough chamfering by ablation;
Finishing process that finishes the outer periphery of ablation processed wafers by grinding grindstone
Chamfer processing method comprising at least. 제1항에 있어서, 상기 러프 가공 공정은, 웨이퍼의 제1 면측으로부터 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제1 러프 가공 공정과, 웨이퍼의 제2 면측으로부터 웨이퍼의 외주에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 어블레이션에 의해 러프한 모따기 가공을 실시하는 제2 러프 가공 공정을 포함하고, 상기 마무리 가공 공정은, 웨이퍼의 제1 면측으로부터 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제1 마무리 가공 공정과, 웨이퍼의 제2 면측으로부터 웨이퍼의 외주를 연삭 지석으로 연삭하여 마무리 가공을 실시하는 제2 마무리 가공 공정을 포함하는 것인 모따기 가공 방법.The said rough processing process of Claim 1 WHEREIN: The 1st rough processing which roughly performs a chamfering process by ablation by positioning a light converging point of a laser beam from the 1st surface side of a wafer to the outer periphery of a wafer, irradiating a laser beam, and And a second rough processing step of placing a light collecting point of the laser beam on the outer circumference of the wafer from the second surface side of the wafer and irradiating the laser beam to perform rough chamfering processing by ablation. Silver is the 1st finishing process which grinds the outer periphery of a wafer with a grinding grindstone from a 1st surface side of a wafer, and performs a finishing process, and the finishing process which grinds the outer periphery of a wafer with a grinding grindstone from a 2nd surface side of a wafer, and performs a finishing process. Chamfering processing method including 2 finishing processing processes. 제1항 또는 제2항에 있어서, 웨이퍼는 SiC 웨이퍼인 것인 모따기 가공 방법.The chamfering method according to claim 1 or 2, wherein the wafer is a SiC wafer.
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