JP6004129B1 - Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium - Google Patents

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Abstract

【課題】熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することを目的とする。【解決手段】350℃以下における内部摩擦が0.01以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。(ただし前記内部摩擦とは、長さ60mm、幅5mm、板厚0.5mmの板状に加工した前記ガラス材料からなる試験体を、前記長さ方向に沿って配置され、支持間隔が50mmである2つの支持部材により下面側から支持し、前記試験体の中央部を、下方向に1Nの静荷重を印加した状態で、さらに振幅120μm、かつ周波数1Hzとなるように押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施することで測定された応力の変化に基いて算出される。)【選択図】図3An object of the present invention is to provide a glass substrate for a magnetic recording medium capable of suppressing deterioration of flatness when heat treatment is performed. A glass substrate for a magnetic recording medium comprising a glass material having an internal friction of 0.01 or less at 350 ° C. or less is provided. (However, the internal friction means that a test body made of the glass material processed into a plate shape having a length of 60 mm, a width of 5 mm, and a plate thickness of 0.5 mm is disposed along the length direction, and the support interval is 50 mm. Supporting from the lower surface side by two supporting members, pressing and releasing the pressure so that the center part of the test body is further 120 μm in amplitude and 1 Hz in frequency with a static load of 1 N applied downward. It is calculated based on the change of the stress measured by repeating the above.) [Selection] Fig. 3

Description

本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体に関する。   The present invention relates to a glass substrate for a magnetic recording medium and a magnetic recording medium.

磁気記録装置では、磁気記録媒体用基板上に磁性層等を成膜し、該磁性層を用いて情報を記録することができる。   In a magnetic recording apparatus, a magnetic layer or the like is formed on a magnetic recording medium substrate, and information can be recorded using the magnetic layer.

磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体用基板としては、従来、アルミニウム合金基板が使用されてきたが、高記録密度化の要求に伴い、アルミニウム合金基板に比べて硬く、平坦性や平滑性に優れるガラス基板が主流となってきている。   Conventionally, an aluminum alloy substrate has been used as a substrate for a magnetic recording medium used in a magnetic recording apparatus. However, due to the demand for higher recording density, it is harder and more flat and smooth than an aluminum alloy substrate. Glass substrates are becoming mainstream.

そして、近年では年々高まる高記録密度化のニーズに応えるため、エネルギーアシスト磁気記録方式を用いた磁気記録媒体、すなわちエネルギーアシスト磁気記録媒体が検討されている。エネルギーアシスト磁気記録媒体についても、基板として磁気記録媒体用ガラス基板を用い、磁気記録媒体用ガラス基板の主表面上に磁性層等を配置した構成を有することができる。   In recent years, magnetic recording media using an energy-assisted magnetic recording system, that is, energy-assisted magnetic recording media, have been studied in order to meet the increasing demand for higher recording density. The energy-assisted magnetic recording medium can also have a configuration in which a glass substrate for a magnetic recording medium is used as a substrate and a magnetic layer or the like is disposed on the main surface of the glass substrate for a magnetic recording medium.

ところが、エネルギーアシスト磁気記録媒体では、磁性層の磁性材料として磁気異方性係数Kuの大きい(以下、「高Ku」とも記載する)規則合金が用いられる。このため、規則化の程度(規則度)を高めて高Kuを実現するため、磁性層の成膜時、成膜前、または成膜後に、磁気記録媒体用ガラス基板を含む基材を600℃以上の高温で熱処理を行うことが多い。特に規則度を上げるために、更に650℃を超え700℃に近い高温を必要される場合もある。   However, in an energy-assisted magnetic recording medium, an ordered alloy having a large magnetic anisotropy coefficient Ku (hereinafter also referred to as “high Ku”) is used as the magnetic material of the magnetic layer. For this reason, in order to achieve a high Ku by increasing the degree of ordering (regularity), the base material including the glass substrate for magnetic recording medium is formed at 600 ° C. at the time of film formation, before film formation, or after film formation. Heat treatment is often performed at the above high temperature. In particular, in order to increase the degree of order, a high temperature exceeding 650 ° C. and close to 700 ° C. may be required.

磁性層の成膜時、成膜前、または成膜後に高温での熱処理を行うのは、例えばエネルギーアシスト磁気記録媒体の磁性層の磁性材料として好適なFePt系合金等において、熱処理温度を高くするほど保磁力を高められるためでもある。   When the magnetic layer is formed, heat treatment at a high temperature is performed before or after the film formation. For example, in a FePt alloy suitable as a magnetic material of the magnetic layer of the energy-assisted magnetic recording medium, the heat treatment temperature is increased. This is also because the coercive force can be increased.

このように磁気記録媒体を製造する過程で、磁気記録媒体用ガラス基板についても高温で熱処理される場合があるため、磁気記録媒体用ガラス基板にも耐熱性が求められている。   Thus, in the process of manufacturing a magnetic recording medium, the glass substrate for magnetic recording medium may be heat-treated at a high temperature, so that the glass substrate for magnetic recording medium is also required to have heat resistance.

例えば特許文献1によれば、高Ku磁性材料からなる磁気記録層を形成するためには、ガラス基板には高温処理に耐え得る高い耐熱性、即ち高いガラス転移温度を有することが求められるとされている。そして、特許文献1には、ガラス転移温度が600℃以上、100〜300℃における平均線膨張係数が70×10−7/℃以上、ヤング率が81GPa以上、比弾性率が30MNm/kg以上、かつ破壊靭性値が0.9MPa・m−1/2以上であるガラスからなる磁気記録媒体用ガラス基板が開示されている。 For example, according to Patent Document 1, in order to form a magnetic recording layer made of a high Ku magnetic material, the glass substrate is required to have high heat resistance that can withstand high temperature processing, that is, high glass transition temperature. ing. In Patent Document 1, the glass transition temperature is 600 ° C. or higher, the average linear expansion coefficient at 100 to 300 ° C. is 70 × 10 −7 / ° C. or higher, the Young's modulus is 81 GPa or higher, the specific modulus is 30 MNm / kg or higher, And the glass substrate for magnetic recording media which consists of glass whose fracture toughness value is 0.9 Mpa * m < 1/2 > or more is disclosed.

国際公開第2012/086664号International Publication No. 2012/088664 特開2001−266329号公報JP 2001-266329 A 特開2012−126625号公報JP 2012-126625 A

しかしながら、ガラス転移温度が熱処理温度よりも高いガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板を用いた場合でも、熱処理の際に磁気記録媒体用ガラス基板に反り等を生じ、磁気記録媒体用ガラス基板の平坦度が大きくなり、平坦度が悪化する場合があった。
磁気記録媒体の製造過程で、磁気記録媒体用ガラス基板の平坦度が大きくなると、得られる磁気記録媒体の平坦度も大きくなり、磁気記録媒体の平坦度によっては磁気記録装置に組み込んだ場合に、磁気ヘッドと磁気記録媒体とが接触等する恐れがある。このため、磁気記録媒体用ガラス基板には、磁性層を成膜する際等の熱処理による平坦度の悪化を抑制することが求められている。
However, even when a glass substrate for a magnetic recording medium made of a glass material having a glass transition temperature higher than the heat treatment temperature is used, the glass substrate for the magnetic recording medium is warped during the heat treatment, and the glass substrate for the magnetic recording medium In some cases, the flatness increased and the flatness deteriorated.
When the flatness of the glass substrate for a magnetic recording medium increases in the manufacturing process of the magnetic recording medium, the flatness of the obtained magnetic recording medium also increases, and depending on the flatness of the magnetic recording medium, when incorporated in a magnetic recording device, There is a risk of contact between the magnetic head and the magnetic recording medium. For this reason, the glass substrate for magnetic recording media is required to suppress deterioration of flatness due to heat treatment such as when a magnetic layer is formed.

そこで、本発明の一側面では上記従来技術が有する問題に鑑み、熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することを目的とする。   In view of the above-described problems of the related art, an object of one aspect of the present invention is to provide a glass substrate for a magnetic recording medium that can suppress deterioration of flatness when heat treatment is performed.

上記課題を解決するため本発明の一側面では、350℃以下における内部摩擦が0.01以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。
(ただし前記内部摩擦とは、
長さ60mm、幅5mm、板厚0.5mmの板状に加工した前記ガラス材料からなる試験体を、
前記長さ方向に沿って配置され、支持間隔が50mmである2つの支持部材により下面側から支持し、
前記試験体の中央部に、下方向に1Nの静荷重を印加した状態で、さらに振幅120μm、かつ周波数1Hzとなるように押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施することで測定された応力の変化に基いて算出される。)
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention, there is provided a glass substrate for a magnetic recording medium made of a glass material having an internal friction of not more than 0.01 at 350 ° C.
(However, the internal friction is
A test body made of the glass material processed into a plate shape having a length of 60 mm, a width of 5 mm, and a plate thickness of 0.5 mm,
It is arranged along the length direction and is supported from the lower surface side by two support members having a support interval of 50 mm,
In a state where a static load of 1 N is applied downward to the central portion of the test body, the stress measured by repeatedly pressing and releasing the pressure so that the amplitude is 120 μm and the frequency is 1 Hz. Calculated based on change. )

本発明の磁気記録媒体用ガラス基板の一側面によれば、熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することができる。   According to one aspect of the glass substrate for a magnetic recording medium of the present invention, it is possible to provide a glass substrate for a magnetic recording medium that can suppress deterioration in flatness when heat treatment is performed.

三点曲げ測定治具の説明図。Explanatory drawing of a three-point bending measuring jig. 本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の説明図。Explanatory drawing of the glass substrate for magnetic recording media which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実験例で用いたガラスA〜ガラスEの温度に対する内部摩擦tanδの変化の説明図。Explanatory drawing of the change of the internal friction tan-delta with respect to the temperature of the glass A-glass E used in the experiment example of this invention.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
(磁気記録媒体用ガラス基板)
本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の一構成例について説明を行う。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and the following embodiments are not departed from the scope of the present invention. Various modifications and substitutions can be made.
(Glass substrate for magnetic recording media)
One structural example of the glass substrate for magnetic recording media of this embodiment is demonstrated.

本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、350℃以下における内部摩擦が0.01以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板とすることができる。   The glass substrate for magnetic recording media of this embodiment can be a glass substrate for magnetic recording media made of a glass material having an internal friction of 0.01 or less at 350 ° C. or less.

なお、上記内部摩擦とは、以下のようにして算出できる。   The internal friction can be calculated as follows.

長さ60mm、幅5mm、板厚0.5mmの板状に加工した上記ガラス材料からなる試験体を、試験体の長さ方向に沿って配置され、支持間隔が50mmである2つの支持部材により下面側から支持する。そして、試験体の中央部に、下方向に1Nの静荷重を印加した状態で、さらに振幅120μm、かつ周波数1Hzとなるように押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施することで測定された応力の変化に基いて算出できる。   A test body made of the above glass material processed into a plate shape having a length of 60 mm, a width of 5 mm, and a plate thickness of 0.5 mm is arranged along the length direction of the test body, and is supported by two support members having a support interval of 50 mm. Support from the bottom side. The stress measured by repeatedly performing pressing and releasing the pressure so that the amplitude is 120 μm and the frequency is 1 Hz in a state where a static load of 1 N is applied downward to the central portion of the specimen. It can be calculated based on the change of.

磁気記録媒体用ガラス基板(以下、単に「ガラス基板」とも記載する)は一般的に、中央部に開口部を有する円板形状を有しており、その主表面に磁性層等を成膜することで磁気記録媒体とすることができる。   A glass substrate for a magnetic recording medium (hereinafter, also simply referred to as “glass substrate”) generally has a disc shape having an opening at the center, and a magnetic layer or the like is formed on the main surface thereof. Thus, a magnetic recording medium can be obtained.

そして、現在、実用化に向けて検討が進められているエネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する場合、既述のように磁性層の成膜時等に、ガラス基板を含む基材に対して600℃以上、例えば600℃以上、或いは650℃以上、700℃以下の高温で熱処理が施されている。このため、ガラス基板にも600℃以上の高温に対する耐熱性を有することが求められ、これまではガラス基板のガラス材料のガラス転移点に着目し、実施する熱処理温度よりも、ガラス転移温度の高いガラス材料からなるガラス基板が採用されている。これはガラス転移点よりも低い温度で加熱した場合、ガラス基板のガラスは流動性を示さず、ガラス基板に反り等の変形を生じないと考えられるからである。   Then, when manufacturing an energy-assisted magnetic recording medium that is currently being studied for practical use, as described above, the film is formed at 600 ° C. with respect to the substrate including the glass substrate at the time of forming the magnetic layer. As described above, the heat treatment is performed at a high temperature of, for example, 600 ° C. or higher, or 650 ° C. or higher and 700 ° C. or lower. For this reason, the glass substrate is also required to have heat resistance to a high temperature of 600 ° C. or higher. Until now, focusing on the glass transition point of the glass material of the glass substrate, the glass transition temperature is higher than the heat treatment temperature to be performed. A glass substrate made of a glass material is employed. This is because when heated at a temperature lower than the glass transition point, the glass of the glass substrate does not exhibit fluidity, and it is considered that the glass substrate does not undergo deformation such as warping.

しかしながら、実施する熱処理温度よりも高いガラス転移温度を有するガラス材料を用いているにも関わらず、熱処理の際にガラス基板に反りが生じ、熱処理後のガラス基板の平坦度が悪化する場合があった。   However, although a glass material having a glass transition temperature higher than the heat treatment temperature to be used is used, the glass substrate may be warped during the heat treatment, and the flatness of the glass substrate after the heat treatment may deteriorate. It was.

そこで、本発明の発明者らは、エネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する際に600℃以上の高温で熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できるガラス基板について検討を行った。そして、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下のガラス材料をガラス基板に用いることで、600℃以上の高温で熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できることを見い出し、本発明を完成させた。   Accordingly, the inventors of the present invention have studied a glass substrate that can suppress deterioration in flatness when heat treatment is performed at a high temperature of 600 ° C. or higher when manufacturing an energy-assisted magnetic recording medium. And it has been found that the deterioration of flatness when heat treatment is performed at a high temperature of 600 ° C. or higher can be suppressed by using a glass material having an internal friction tan δ at 350 ° C. or lower of 0.01 or lower for the glass substrate. Was completed.

内部摩擦tanδは、測定試料であるガラス材料の試験体に対してひずみを与えた際の、応力の応答の位相ずれの正接を示し、温度に対する内部摩擦tanδの変化は、例えば動的粘弾性測定装置(DMA:Dynamic Mechanical Analysis)により測定することができる。   The internal friction tan δ indicates the tangent of the phase shift of the stress response when strain is applied to the specimen of the glass material that is the measurement sample. The change of the internal friction tan δ with respect to the temperature is, for example, dynamic viscoelasticity measurement It can be measured by a device (DMA: Dynamic Mechanical Analysis).

ここで、図1を用いて、動的粘弾性測定装置により、温度に対する内部摩擦tanδの変化の測定方法を説明する。温度に対する内部摩擦tanδの変化は、例えばガラス材料からなる板状の試験体11を、支持部材12A、12B、及び押圧部材13を備えた三点曲げ測定治具にセットして実施できる。   Here, a method for measuring a change in internal friction tan δ with respect to temperature using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus will be described with reference to FIG. The change of the internal friction tan δ with respect to temperature can be carried out by setting a plate-like test body 11 made of, for example, a glass material on a three-point bending measuring jig provided with support members 12A and 12B and a pressing member 13.

板状の試験体11は、例えば長さlを60mm、幅(図1の紙面と垂直方向)を5mm、板厚dを0.5mmとすることができる。そして、板状の試験体11を三点曲げ測定治具にセットする際、支持部材12A、12Bは、試験体の長さ方向に沿って、互いの距離、すなわち支持間隔Lが50mmとなるように配置できる。   The plate-like test body 11 can have a length l of 60 mm, a width (perpendicular to the plane of FIG. 1) of 5 mm, and a plate thickness d of 0.5 mm, for example. When the plate-shaped test body 11 is set on the three-point bending measurement jig, the support members 12A and 12B have a mutual distance, that is, a support interval L of 50 mm along the length direction of the test body. Can be placed.

図1に示すように、三点曲げ測定治具にセットした板状のガラス材料の試験体11は、両端を、支持部材12A、12Bにより下面側から支持することができる。そして、試験体11の上面の中央部を、押圧部材13により、下方向に1Nの静荷重で印加した状態とすることができる。この際、押圧部材13は、同時に、支持部材12Aと、支持部材12Bとの間の中央部を押圧するように構成されていることが好ましい。   As shown in FIG. 1, a plate-shaped glass material test body 11 set in a three-point bending measuring jig can support both ends from the lower surface side by support members 12 </ b> A and 12 </ b> B. And the center part of the upper surface of the test body 11 can be made into the state applied with the static load of 1N downward by the press member 13. FIG. At this time, it is preferable that the pressing member 13 is configured to simultaneously press the central portion between the support member 12A and the support member 12B.

そして、試験体11に静荷重を印加した状態で、試験体11を昇温しながら、さらに振幅120μm、かつ周波数1Hzとなるように周期的に、試験体11の上面の中央部を、押圧部材13により、下方向に押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施できる。このように、押圧部材13により、試験体11を押圧することで、試験体11にひずみを与えることができ、ひずみを与えた際の応力を測定し、測定結果から内部摩擦tanδを算出できる。   Then, with the static load applied to the test body 11, while the temperature of the test body 11 is increased, the center portion of the upper surface of the test body 11 is periodically pressed so that the amplitude is 120 μm and the frequency is 1 Hz. 13, the downward pressing and the releasing of the pressing can be repeatedly performed. Thus, by pressing the test body 11 with the pressing member 13, the test body 11 can be strained, the stress when the strain is applied can be measured, and the internal friction tan δ can be calculated from the measurement result.

一般的な内部摩擦測定法として、共振法や強制振動法が知られている。共振法では減衰法や半値幅法などが用いられ、簡便な機構で測定できるため広く普及している。例えば、特許文献2や特許文献3では共振法による内部摩擦測定が行われている。しかし、高温で共振法を用いた内部摩擦測定を行うと、偽振動が生じやすく正しい測定を行うことができない。また、共振法は周波数が共振点で固定されており、その共振周波数はサンプル形状に依存し、異なる試料間で同一条件で評価することが困難である。   As a general internal friction measurement method, a resonance method or a forced vibration method is known. In the resonance method, an attenuation method, a half-width method, or the like is used, and measurement can be performed with a simple mechanism, which is widely used. For example, in Patent Literature 2 and Patent Literature 3, internal friction measurement is performed by a resonance method. However, if the internal friction measurement using the resonance method is performed at a high temperature, false vibration is likely to occur, and correct measurement cannot be performed. In the resonance method, the frequency is fixed at the resonance point, and the resonance frequency depends on the sample shape, and it is difficult to evaluate the same condition between different samples.

これに対して、強制振動法は位相差法が用いられ、おおよそ10Hz以下の周波数で測定を行うことで僅かな変位を検出することが可能となる。ただし、剛性の高い材料に対して十分な精度で測定を行うことは難しく、測定条件には注意が必要である。また、内部摩擦は測定周波数依存性があるため、ここでは強制振動法において周波数を1Hzに固定し、評価を行った。   On the other hand, a phase difference method is used for the forced vibration method, and a slight displacement can be detected by measuring at a frequency of approximately 10 Hz or less. However, it is difficult to perform measurement with sufficient accuracy on a material having high rigidity, and care is required for measurement conditions. Moreover, since internal friction has measurement frequency dependence, it evaluated by fixing a frequency to 1 Hz in the forced vibration method here.

なお、押圧部材13により試験体11を押圧する際の周波数は、加熱した際の試験体11のゆっくりした変形を評価するために適切な周波数として1Hzを選択している。本実施形態における強制振動法においては、1Hzの周波数が最も好ましいが、0.1Hz〜100Hzの範囲内から任意の周波数を選択することができる。   In addition, the frequency at the time of pressing the test body 11 with the press member 13 has selected 1 Hz as a suitable frequency in order to evaluate the slow deformation | transformation of the test body 11 at the time of heating. In the forced vibration method in the present embodiment, a frequency of 1 Hz is most preferable, but an arbitrary frequency can be selected from a range of 0.1 Hz to 100 Hz.

ガラス材料は、ネットワークフォーマー(網目形成成分)と、ネットワークフォーマーに取り込まれていないネットワークモディファイヤー(網目修飾成分)とを有している。ガラス材料を加熱した場合、ガラス転移点よりも低温のガラス材料が流動していない状態であっても、例えばガラス材料中のネットワークモディファイヤーの一部が材料中で移動できるようになる等、所定の温度でガラス材料内にミクロな構造の変化が生じる場合がある。そして、ガラス材料の加熱時に、ガラス材料内にミクロな構造の変化が生じる場合、変化を生じた温度で内部摩擦tanδがピークを示すため、ガラス材料の温度に対する内部摩擦tanδの変化を測定することで、ガラス材料内のミクロな構造の変化を検出できる。   The glass material has a network former (network forming component) and a network modifier (network modifying component) that is not incorporated in the network former. When the glass material is heated, even if the glass material at a temperature lower than the glass transition point is not flowing, for example, a part of the network modifier in the glass material can move in the material. There are cases where a microstructural change occurs in the glass material at a temperature of. When a microscopic structural change occurs in the glass material when the glass material is heated, the internal friction tan δ exhibits a peak at the temperature at which the change has occurred. Therefore, the change in the internal friction tan δ with respect to the temperature of the glass material should be measured. Thus, it is possible to detect a micro structural change in the glass material.

本発明の発明者らは、ガラス基板について熱処理を行った際に、ガラス基板に反り等を生じ、平坦度が悪化する原因について、昇温過程でのガラス材料内のミクロな構造の変化に着目した。そして、各種ガラス材料のガラス基板について、温度に対する内部摩擦tanδの変化を測定し、600℃以上の高温、例えば600℃以上700℃以下で熱処理を行った際の反りの発生との関係を検討した。   The inventors of the present invention pay attention to the change in the micro structure in the glass material during the temperature rising process for causing the warpage and the like to deteriorate when the heat treatment is performed on the glass substrate. did. And about the glass substrate of various glass materials, the change of internal friction tan-delta with respect to temperature was measured, and the relationship with the generation | occurrence | production of the curvature at the time of heat-processing at 600 degreeC or more high temperature, for example, 600 degreeC or more and 700 degrees C or less was examined. .

その結果、350℃以下の温度領域に内部摩擦tanδのピークを生じ、そのピークが大きいほど、600℃以上の高温、例えば600℃以上700℃以下で熱処理を行った際の反りが発生し易いことが確認できた。   As a result, a peak of internal friction tan δ is generated in a temperature region of 350 ° C. or lower, and the larger the peak, the easier the warpage occurs when heat treatment is performed at a high temperature of 600 ° C. or higher, for example, 600 ° C. or higher and 700 ° C. or lower. Was confirmed.

350℃以下の温度領域に生じる内部摩擦tanδのピークやその大きさと、600℃以上の高温で熱処理を行った際にガラス基板に反り等が生じることとの直接の因果関係は明らかではない。   The direct causal relationship between the peak and magnitude of the internal friction tan δ generated in the temperature region of 350 ° C. or lower and the warpage of the glass substrate when heat treatment is performed at a high temperature of 600 ° C. or higher is not clear.

しかし、350℃以下に内部摩擦tanδのピークを有する場合、ガラス材料内にミクロな構造の変化、例えば特定のネットワークモディファイヤーがガラス材料内で動き易くなる等の変化を生じていると考えられる。そして、係るミクロな構造の変化の程度が大きいほど、600℃以上の温度領域においてガラス基板が変形し易くなっていると推認される。   However, when it has a peak of internal friction tan δ at 350 ° C. or less, it is considered that a change in the micro structure in the glass material, for example, a change in which a specific network modifier becomes easy to move in the glass material. And it is presumed that the greater the degree of change in the micro structure, the easier the glass substrate is deformed in a temperature region of 600 ° C. or higher.

これに対して、350℃以下における、内部摩擦tanδが0.01以下のガラス材料からなるガラス基板の場合、350℃以下の温度領域における、ミクロな構造の変化がほとんど生じていないと考えられる。このため、600℃以上の熱処理の際にガラス基板の反り等の変形が生じることを抑制できると、考えられる。   On the other hand, in the case of a glass substrate made of a glass material having an internal friction tan δ of 0.01 or less at 350 ° C. or less, it is considered that there is almost no change in the micro structure in a temperature region of 350 ° C. or less. For this reason, it is considered that deformation such as warpage of the glass substrate can be suppressed during heat treatment at 600 ° C. or higher.

本発明の発明者らの検討によれば、ガラス材料の350℃以下における、内部摩擦tanδが小さい程、該ガラス材料を用いたガラス基板について600℃、および700℃の熱処理を行った際の平坦度の変化量を抑制できる。このため、より規則度が高く、高保磁力の磁気記録媒体を得る目的で650℃を超え700℃に近い熱処理に供するには、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、350℃以下における、内部摩擦tanδが、0.004以下のガラス材料からなることがより好ましい。   According to the study of the inventors of the present invention, the smaller the internal friction tan δ of the glass material at 350 ° C. or lower, the flatter the glass substrate using the glass material when the heat treatment is performed at 600 ° C. and 700 ° C. The amount of change in the degree can be suppressed. For this reason, in order to use for the heat processing which exceeds 650 degreeC and close to 700 degreeC in order to obtain a magnetic recording medium with a higher degree of order and high coercive force, the glass substrate for magnetic recording media of this embodiment is at 350 degrees C or less. More preferably, the internal friction tan δ is made of a glass material having 0.004 or less.

なお、本実施形態のガラス基板は、上述のように350℃以下の全体に渡って、すなわち例えば絶対零度(−273℃)以上、350℃以下の範囲に渡って、内部摩擦tanδが上述の範囲であることが好ましい。ただし、−50℃よりも低い温度では内部摩擦tanδは減少または変化しない傾向を示すことから、例えば−50℃以上350℃以下の範囲に渡って、内部摩擦tanδがここまで説明した範囲を満たせばよい。   As described above, the glass substrate of the present embodiment has an internal friction tan δ over the entire range of 350 ° C. or lower, that is, over a range of, for example, absolute zero (−273 ° C.) or higher and 350 ° C. or lower. It is preferable that However, since the internal friction tan δ tends to decrease or not change at a temperature lower than −50 ° C., for example, if the internal friction tan δ satisfies the range described so far over a range of −50 ° C. to 350 ° C. Good.

また、本実施形態のガラス基板に用いるガラス材料の、350℃以下における内部摩擦tanδは、小さい方が好ましいことから、下限値は特に限定されるものではない。このため、本実施形態のガラス基板に用いるガラス材料の、350℃以下における内部摩擦tanδの下限値は、例えば10−4以上とすることができる。 Moreover, since the one where the internal friction tan-delta in 350 degrees C or less of the glass material used for the glass substrate of this embodiment is smaller is preferable, a lower limit is not specifically limited. For this reason, the lower limit value of the internal friction tan δ at 350 ° C. or less of the glass material used for the glass substrate of the present embodiment can be set to 10 −4 or more, for example.

本実施形態のガラス基板は、上述のように350℃以下における、内部摩擦tanδが、0.01以下のガラス材料から構成することができ、係るガラス材料によれば、少なくとも350℃以下において、ミクロな構造の変化を抑制できる。すなわち、例えばガラス基板を加熱した際に、ガラス材料に含まれるネットワークモディファイヤーの移動、拡散を抑制できる。このため、磁気記録媒体とするために、ガラス基板上に磁性層等を形成した場合に、磁性層等に対して、ガラス材料中のネットワークモディファイヤーのイオン種が拡散し、磁性膜等に悪影響を及ぼすことも抑制できる。   As described above, the glass substrate of the present embodiment can be made of a glass material having an internal friction tan δ of 0.01 or less at 350 ° C. or less. According to such a glass material, at least 350 ° C. or less, Changes in the structure can be suppressed. That is, for example, when the glass substrate is heated, the movement and diffusion of the network modifier included in the glass material can be suppressed. For this reason, when a magnetic layer or the like is formed on a glass substrate in order to obtain a magnetic recording medium, the ionic species of the network modifier in the glass material diffuses into the magnetic layer or the like and adversely affects the magnetic film or the like. Can also be suppressed.

次に、図2を用いて本実施形態のガラス基板の形状について説明する。   Next, the shape of the glass substrate of this embodiment is demonstrated using FIG.

図2は本実施形態のガラス基板の斜視断面図を模式的に示している。図2はガラス基板20の中心を通り、主表面221、222と垂直な面における断面を含む斜視断面図となっている。すなわち、図2では本実施形態のガラス基板の半分と、断面図とをあわせて示している。   FIG. 2 schematically shows a perspective sectional view of the glass substrate of the present embodiment. FIG. 2 is a perspective cross-sectional view including a cross section in a plane passing through the center of the glass substrate 20 and perpendicular to the main surfaces 221 and 222. That is, FIG. 2 shows a half of the glass substrate of this embodiment and a cross-sectional view.

図2から把握されるように、ガラス基板20は外周が円形であり、中央に開口部を備えた円板形状を有することができる。開口部21は、ガラス基板20の外周円と、同心円になるように形成されていることが好ましい。すなわちガラス基板20は、ドーナツ形状とすることができる。   As can be seen from FIG. 2, the glass substrate 20 has a circular outer periphery and can have a disk shape with an opening at the center. The opening 21 is preferably formed so as to be concentric with the outer circumference of the glass substrate 20. That is, the glass substrate 20 can have a donut shape.

そして、上下の面が主表面221、222となっている。また、ガラス基板20は外周に位置する外周端面23と、内周に位置する内周端面24と、を有している。   The upper and lower surfaces are main surfaces 221 and 222. Moreover, the glass substrate 20 has the outer peripheral end surface 23 located in an outer periphery, and the inner peripheral end surface 24 located in an inner periphery.

外周端面23、及び内周端面24は主表面221、222側にそれぞれ面取り部を有することができる。すなわち、外周端面23、及び内周端面24は、それぞれ一対の面取り部を有することができる。具体的には外周端面23は外周面取り部231、233を、内周端面24は内周面取り部241、243をそれぞれ有することができる。   The outer peripheral end surface 23 and the inner peripheral end surface 24 can have chamfered portions on the main surfaces 221 and 222 side, respectively. That is, the outer peripheral end surface 23 and the inner peripheral end surface 24 can each have a pair of chamfered portions. Specifically, the outer peripheral end surface 23 can have outer peripheral chamfered portions 231 and 233, and the inner peripheral end surface 24 can have inner peripheral chamfered portions 241 and 243, respectively.

また、面取り部間には側面部を形成することができ、外周端面23は外周側面部232を、内周端面24は内周側面部242をそれぞれ有することができる。外周側面部232、及び内周側面部242はそれぞれ主表面221、222と略垂直になるように形成できる。   Further, a side surface portion can be formed between the chamfered portions, the outer peripheral end surface 23 can have the outer peripheral side surface portion 232, and the inner peripheral end surface 24 can have the inner peripheral side surface portion 242. The outer peripheral side surface portion 232 and the inner peripheral side surface portion 242 can be formed so as to be substantially perpendicular to the main surfaces 221 and 222, respectively.

ガラス基板のサイズは特に限定されるものではなく、ガラス基板に要求される仕様にあわせて任意に選択することができる。ガラス基板20の直径Dは例えば48mm、65mm、または95mm以上等のガラス基板に要求される仕様に応じたサイズとすることができる。   The size of the glass substrate is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the specifications required for the glass substrate. The diameter D of the glass substrate 20 can be a size according to specifications required for the glass substrate, such as 48 mm, 65 mm, or 95 mm or more.

ただし、本実施形態のガラス基板によれば、600℃以上の高温で熱処理した場合でも平坦度の悪化を抑制できる。そして、ガラス基板の直径Dが長くなるほど、熱処理を行った際に平坦度が悪化し易くなることから、直径Dの長いガラス基板において、特に高い効果を発揮することができる。このため、本実施形態のガラス基板の直径Dは95mm以上であることが好ましい。   However, according to the glass substrate of the present embodiment, deterioration of flatness can be suppressed even when heat treatment is performed at a high temperature of 600 ° C. or higher. And, as the diameter D of the glass substrate increases, the flatness is likely to deteriorate when heat treatment is performed, so that a particularly high effect can be exhibited in a glass substrate having a long diameter D. For this reason, it is preferable that the diameter D of the glass substrate of this embodiment is 95 mm or more.

なお、ガラス基板20の直径Dの上限値は特に限定されるものではないが、例えば130mm以下とすることができる。   In addition, although the upper limit of the diameter D of the glass substrate 20 is not specifically limited, For example, it can be 130 mm or less.

また、ガラス基板20の厚さ、すなわち板厚Tについても特に限定されるものではないが、ガラス基板の板厚Tが薄くなるほど、熱処理を行った際に平坦度が悪化し易くなることから、板厚Tの薄いガラス基板において、特に高い効果を発揮することができる。このため、本実施形態のガラス基板の板厚Tは0.635mm以下であることが好ましい。   Further, although the thickness of the glass substrate 20, that is, the plate thickness T is not particularly limited, the flatness is likely to deteriorate when heat treatment is performed as the plate thickness T of the glass substrate is reduced. A particularly high effect can be exhibited in a glass substrate having a thin plate thickness T. For this reason, it is preferable that the plate | board thickness T of the glass substrate of this embodiment is 0.635 mm or less.

なお、ガラス基板20の板厚Tの下限値は特に限定されないが、生産性等を考慮して例えば0.38mm以上とすることができる。   In addition, the lower limit value of the thickness T of the glass substrate 20 is not particularly limited, but can be set to, for example, 0.38 mm or more in consideration of productivity and the like.

また、本実施形態のガラス基板については、600℃以上の熱処理前において、平坦度が5μm以下であることが好ましく、3μm以下であることが好ましい。これは、熱処理前のガラス基板について、平坦度が小さいほど、熱処理により平坦度が悪化しても、得られる磁気記録媒体の平坦度を小さくすることができるからである。   Moreover, about the glass substrate of this embodiment, it is preferable that flatness is 5 micrometers or less before heat processing of 600 degreeC or more, and it is preferable that it is 3 micrometers or less. This is because the flatness of the obtained magnetic recording medium can be reduced as the flatness of the glass substrate before the heat treatment decreases, even if the flatness deteriorates due to the heat treatment.

なお、平坦度は例えばNIDEK社製干渉式フラットネステスター等により評価を行うことができる。   The flatness can be evaluated using, for example, an interference flat tester manufactured by NIDEK.

既述のようにエネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する際、磁性層の成膜時等にガラス基板を含む基材を600℃以上の高温で熱処理するが、本実施形態のガラス基板の場合、既述のガラス材料を用いることで熱処理前後での平坦度の変化量を小さくできる。   As described above, when manufacturing the energy-assisted magnetic recording medium, the base material including the glass substrate is heat-treated at a high temperature of 600 ° C. or more when forming the magnetic layer. By using the glass material described above, the amount of change in flatness before and after heat treatment can be reduced.

本実施形態のガラス基板によれば、具体的には例えば、600℃で10分間熱処理した際の平坦度の変化量を、2.0μm以下とすることができ、より好ましくは1.5μm以下とすることができる。   Specifically, according to the glass substrate of the present embodiment, for example, the amount of change in flatness when heat-treated at 600 ° C. for 10 minutes can be set to 2.0 μm or less, more preferably 1.5 μm or less. can do.

また、本実施形態のガラス基板によれば、例えば700℃で10分間熱処理した際の平坦度の変化量を、26.0とμm以下とすることができ、より好ましくは6.0μm以下とすることができる。   Further, according to the glass substrate of the present embodiment, for example, the amount of change in flatness when heat-treated at 700 ° C. for 10 minutes can be set to 26.0 μm or less, more preferably 6.0 μm or less. be able to.

なお、上記いずれの場合でも熱処理は窒素雰囲気で行っており、平坦度は熱処理後、室温まで冷却してから測定した値を示している。   In any of the above cases, the heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere, and the flatness indicates a value measured after cooling to room temperature after the heat treatment.

本実施形態のガラス基板は、ここまで説明したように600℃以上の高温で熱処理した場合でも、平坦度の悪化を抑制することができる。このため、製造工程で、ガラス基板を含む基材を高温で熱処理するエネルギーアシスト磁気記録媒体用のガラス基板として用いることが好ましい。ただし、エネルギーアシスト磁気記録媒体用に用途が限定されるものではなく、各種磁気記録媒体用のガラス基板としても当然に用いることができる。   The glass substrate of this embodiment can suppress deterioration of flatness even when heat-treated at a high temperature of 600 ° C. or higher as described above. For this reason, it is preferable to use as a glass substrate for energy-assisted magnetic recording media in which a base material including a glass substrate is heat-treated at a high temperature in the production process. However, the application is not limited to the energy-assisted magnetic recording medium, and can naturally be used as a glass substrate for various magnetic recording media.

以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下のガラス材料からなるため、高温で熱処理した場合でも平坦度の変化を小さくし、平坦度の悪化を抑制できる。このため、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板を含む磁気記録媒体についても平坦度を小さくすることができる。そして、該磁気記録媒体を磁気記録装置に適用した場合に、記録再生ヘッドの浮上安定性を確保することができる。   Since the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment described above is made of a glass material having an internal friction tan δ at 350 ° C. or lower of 0.01 or less, the change in flatness is reduced even when heat-treated at a high temperature, Deterioration of flatness can be suppressed. Therefore, the flatness of the magnetic recording medium including the glass substrate for magnetic recording medium of the present embodiment can be reduced. When the magnetic recording medium is applied to a magnetic recording apparatus, the flying stability of the recording / reproducing head can be ensured.

次に、ここまで説明した本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法(以下、単に「ガラス基板の製造方法」とも記載する)の一構成例について簡単に説明する。   Next, a structural example of the method for manufacturing the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment described so far (hereinafter also simply referred to as “glass substrate manufacturing method”) will be briefly described.

なお、本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を製造することができる。このため、磁気記録媒体用ガラス基板において説明した内容と重複する部分については一部記載を省略する。   In addition, according to the manufacturing method of the glass substrate of this embodiment, the glass substrate for magnetic recording media as stated above can be manufactured. For this reason, some description is abbreviate | omitted about the part which overlaps with the content demonstrated in the glass substrate for magnetic recording media.

本実施形態のガラス基板の製造方法は、例えば以下の工程1〜工程5を含むことができる。
(工程1)ガラス素板から、中央部に円孔を有する円板形状のガラス基板に加工する形状付与工程。
(工程2)ガラス基板の内周と外周の端面部分の面取りを行う面取り工程。
(工程3)ガラス基板の端面(内周端面及び外周端面)を研磨する端面研磨工程。
(工程4)ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程。
(工程5)ガラス基板を洗浄して乾燥する洗浄・乾燥工程。
The manufacturing method of the glass substrate of this embodiment can include the following steps 1 to 5, for example.
(Step 1) A shape imparting step of processing from a glass base plate into a disc-shaped glass substrate having a circular hole in the center.
(Step 2) A chamfering step for chamfering the inner surface and the outer edge of the glass substrate.
(Step 3) An end surface polishing step for polishing the end surfaces (the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface) of the glass substrate.
(Step 4) A main surface polishing step for polishing the main surface of the glass substrate.
(Step 5) A cleaning / drying step of cleaning and drying the glass substrate.

上記工程は記載した順番に行う必要はなく、例えば、形状付与工程の前に主表面研磨工程を行ってもよい。また、各工程は1回ずつに限定されるものではなく、要求されるガラス基板の仕様等に応じて任意の回数実施することができる。例えば、形状付与工程後に主表面研磨工程を行い、その後に面取り工程と端面研磨工程を行った後、再度主表面研磨工程を実施することもできる。   It is not necessary to perform the said process in the order described, for example, you may perform a main surface polishing process before a shape provision process. Further, each step is not limited to one time, and can be performed any number of times according to the required glass substrate specifications. For example, the main surface polishing step may be performed after the shape imparting step, and then the chamfering step and the end surface polishing step may be performed, and then the main surface polishing step may be performed again.

ただし、本実施形態のガラス基板は、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下のガラス材料から構成できる。このため、候補となるガラス材料について、動的粘弾性測定装置により温度に対する内部摩擦tanδの変化の測定を行い、350℃以下における内部摩擦tanδが0.01以下のガラス材料を選択しておくことが好ましい。そして、該ガラス材料からなるガラス素板を形状付与工程に供することが好ましい。このため、本実施形態のガラス基板の製造方法は、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下のガラス材料を選択するガラス材料選択工程、及びガラス材料選択工程で選択したガラス材料を用いてガラス素板を製造するガラス素板製造工程等をさらに有することが好ましい。本実施形態のガラス基板の製造方法が、ガラス材料選択工程、及びガラス素板製造工程を有する場合には、これらの工程は、工程1〜工程5を行う前に実施することとなる。   However, the glass substrate of this embodiment can be comprised from the glass material whose internal friction tan-delta in 350 degrees C or less is 0.01 or less. For this reason, for a candidate glass material, the change in internal friction tan δ with respect to temperature is measured by a dynamic viscoelasticity measuring device, and a glass material having an internal friction tan δ at 350 ° C. or lower of 0.01 or lower is selected. Is preferred. And it is preferable to use for the shape provision process the glass base plate which consists of this glass material. For this reason, the manufacturing method of the glass substrate of this embodiment uses the glass material selected in the glass material selection process which selects the glass material whose internal friction tan-delta in 350 degrees C or less is 0.01 or less, and a glass material selection process. It is preferable to further include a glass base plate manufacturing process for manufacturing the glass base plate. When the manufacturing method of the glass substrate of this embodiment has a glass material selection process and a glass base plate manufacturing process, these processes will be implemented before performing process 1-process 5.

ここで、(工程1)の形状付与工程は、フロート法、フュージョン法、プレス成形法、ダウンドロー法またはリドロー法で成形されたガラス素板を、中央部に円孔を有する円板形状のガラス基板に加工するものである。なお、用いるガラス素板は、アモルファスガラスでもよく、結晶化ガラスでもよく、ガラス基板の表層に強化層を有する強化ガラスでもよい。   Here, the shape imparting step of (Step 1) is a glass-shaped glass plate formed by a float method, a fusion method, a press molding method, a down draw method or a redraw method. The substrate is processed. The glass base plate used may be amorphous glass, crystallized glass, or tempered glass having a tempered layer on the surface layer of the glass substrate.

ただし、上述のように、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下のガラス材料からなるガラス素板を用いることができる。   However, as described above, a glass base plate made of a glass material having an internal friction tan δ at 350 ° C. or lower of 0.01 or lower can be used.

(工程2)の面取り工程は、内周端面、及び外周端面の面取りを行うことができる。面取り工程を行うことで、図2を用いて説明したように、内周端面24に内周面取り部241、243を、外周端面23に外周面取り部231、233をそれぞれ形成できる。   In the chamfering step (step 2), the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface can be chamfered. By performing the chamfering process, the inner peripheral chamfered portions 241 and 243 can be formed on the inner peripheral end surface 24 and the outer peripheral chamfered portions 231 and 233 can be formed on the outer peripheral end surface 23 as described with reference to FIG.

(工程3)の端面研磨工程は、ガラス基板の内周端面、及び外周端面(側面部と面取り部)の端面研磨を行うことができる。   The end surface polishing step of (Process 3) can perform end surface polishing of the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface (side surface portion and chamfered portion) of the glass substrate.

(工程4)の主表面研磨工程では、例えば両面研磨装置により、ドーナツ形状を有するガラス基板の主表面に研磨液が供給され、ドーナツ形状を有するガラス基板の上下主表面を同時に研磨できる。主表面研磨工程は、一次研磨のみでもよく、一次研磨及び二次研磨を行うものでもよく、二次研磨の後に三次研磨を行うものでもよい。   In the main surface polishing step of (Step 4), the polishing liquid is supplied to the main surface of the glass substrate having a donut shape by, for example, a double-side polishing apparatus, and the upper and lower main surfaces of the glass substrate having a donut shape can be simultaneously polished. The main surface polishing step may be only primary polishing, may be primary polishing and secondary polishing, or may be tertiary polishing after secondary polishing.

なお、(工程4)の主表面研磨工程の前に、主表面のラップ(例えば遊離砥粒ラップ、固定砥粒ラップ等)、すなわち主表面研削工程が実施されてもよい。主表面研削工程を実施する場合も、一次研削のみでもよく、複数の研削工程、例えば一次研削及び二次研削を行うものでもよい。また、各工程間にガラス基板の洗浄(工程間洗浄)やガラス基板表面のエッチング(工程間エッチング)を実施してもよい。ここで、主表面のラップとは、広義の主表面研磨である。   In addition, before the main surface polishing step of (Step 4), a main surface wrap (for example, loose abrasive wrap, fixed abrasive wrap, etc.), that is, a main surface grinding step may be performed. Even when the main surface grinding step is performed, only the primary grinding may be performed, or a plurality of grinding steps such as primary grinding and secondary grinding may be performed. In addition, glass substrate cleaning (inter-process cleaning) and glass substrate surface etching (inter-process etching) may be performed between the processes. Here, the main surface lapping is a broad surface main surface polishing.

(工程5)の洗浄・乾燥工程は、研磨後のガラス基板を洗浄し、乾燥する工程である。具体的な洗浄方法は特に限定されるものではない。例えば、洗剤を用いたスクラブ洗浄、洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄等により洗浄を行うことができる。また、乾燥方法についても特に限定されるものではなく、例えば、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥することができる。   The cleaning / drying step of (Step 5) is a step of cleaning and drying the polished glass substrate. A specific cleaning method is not particularly limited. For example, cleaning can be performed by scrub cleaning using a detergent, ultrasonic cleaning in a state immersed in a detergent solution, ultrasonic cleaning in a state immersed in pure water, or the like. Moreover, it does not specifically limit about the drying method, For example, it can dry with isopropyl alcohol vapor | steam.

さらに、上記各工程間にガラス基板の洗浄(工程間洗浄)やガラス基板表面のエッチング(工程間エッチング)を実施してもよい。また、ガラス基板に高い機械的強度が求められる場合、ガラス基板の表層に強化層を形成する強化工程(例えば、化学強化工程)を工程3、4で挙げた研磨工程前、または研磨工程後、あるいは研磨工程間で実施してもよい。   Further, glass substrate cleaning (inter-process cleaning) and glass substrate surface etching (inter-process etching) may be performed between the above steps. Further, when high mechanical strength is required for the glass substrate, the reinforcing step (for example, chemical strengthening step) for forming a reinforcing layer on the surface layer of the glass substrate is performed before or after the polishing step mentioned in steps 3 and 4, Or you may implement between grinding | polishing processes.

以上に説明した各工程を含むガラス基板の製造方法により、既述のガラス基板を製造することができる。   The glass substrate described above can be produced by the method for producing a glass substrate including the steps described above.

そして、上記各工程を含む製造方法により得られたガラス基板は主表面上に磁性層などの薄膜を形成する工程をさらに行うことによって、磁気記録媒体とすることができる。
[磁気記録媒体]
次に、本実施形態の磁気記録媒体の一構成例について説明する。
And the glass substrate obtained by the manufacturing method containing each said process can be used as a magnetic recording medium by further performing the process of forming thin films, such as a magnetic layer, on the main surface.
[Magnetic recording medium]
Next, a configuration example of the magnetic recording medium of this embodiment will be described.

本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含むことができる。   The magnetic recording medium of this embodiment can include the glass substrate for magnetic recording medium described above.

本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含むものであれば、その記録方式等は特に限定されるものではなく、例えば既述のエネルギーアシスト磁気記録媒体等、各種磁気記録媒体とすることができる。ここでは、エネルギーアシスト磁気記録媒体を例に説明する。   As long as the magnetic recording medium of the present embodiment includes the above-described glass substrate for a magnetic recording medium, the recording method and the like are not particularly limited. For example, various types such as the energy-assisted magnetic recording medium described above can be used. It can be a magnetic recording medium. Here, an energy-assisted magnetic recording medium will be described as an example.

本実施形態の磁気記録媒体は、その構成については限定されないが、例えば、磁気記録媒体用ガラス基板の表面に密着層、下地層、シード層、磁気記録層、保護層等を有することができ、これらの層は、例えばガラス基板上に上述の順に積層することができる。また、上述の層に替えて、または上述の層に加えて任意の層を設けることもできる。   The magnetic recording medium of the present embodiment is not limited in its configuration, but can have, for example, an adhesion layer, an underlayer, a seed layer, a magnetic recording layer, a protective layer on the surface of the glass substrate for magnetic recording medium, These layers can be laminated | stacked on the glass substrate in the above-mentioned order, for example. Moreover, it can replace with the above-mentioned layer, or can also provide arbitrary layers in addition to the above-mentioned layer.

各層の構成例について以下に説明する。   A configuration example of each layer will be described below.

密着層は、密着層上に形成される層と、密着層下に形成される層との密着層を高めるために設けることができる。密着層を形成する材料としては、例えばNi、W、Ta、Cr、Ruから選択される1種類以上の金属を含むことができ、係る金属群から選択された金属を含む合金を含むこともできる。   The adhesion layer can be provided to enhance the adhesion layer between the layer formed on the adhesion layer and the layer formed below the adhesion layer. As a material for forming the adhesion layer, for example, one or more kinds of metals selected from Ni, W, Ta, Cr, and Ru can be included, and an alloy including a metal selected from such a metal group can also be included. .

密着層は一層から構成することもできるが、二層以上の積層構造とすることもできる。   The adhesion layer can be composed of one layer, but it can also be a laminated structure of two or more layers.

また、軟磁性裏打ち層を、例えばガラス基板と磁気記録層との間に任意に設けることもできる。   Also, a soft magnetic backing layer can be arbitrarily provided between the glass substrate and the magnetic recording layer, for example.

軟磁性裏打ち層は、磁気ヘッドからの磁束を制御して、磁気記録媒体の記録・再生特性を向上させることができる。軟磁性裏打ち層を形成する材料は特に限定されないが、例えばNiFe合金、センダスト(FeSiAl)合金、CoFe合金等の結晶質材料や、FeTaC、CoFeNi、CoNiP等の微結晶質材料、CoZrNb、CoTaZr等のCo合金を含む非晶質材料を好ましく用いることができる。   The soft magnetic underlayer can improve the recording / reproducing characteristics of the magnetic recording medium by controlling the magnetic flux from the magnetic head. The material for forming the soft magnetic backing layer is not particularly limited, but for example, crystalline materials such as NiFe alloy, Sendust (FeSiAl) alloy, CoFe alloy, microcrystalline materials such as FeTaC, CoFeNi, CoNiP, CoZrNb, CoTaZr, etc. An amorphous material containing a Co alloy can be preferably used.

軟磁性裏打ち層の膜厚は、特に限定されないが、例えば磁気記録に用いる磁気ヘッドの構造および特性等に応じて選択することができる。他の層と連続成膜で軟磁性裏打ち層を成膜する場合、軟磁性裏打ち層は10nm以上500nm以下の膜厚を有することが好ましい。   The thickness of the soft magnetic backing layer is not particularly limited, but can be selected according to, for example, the structure and characteristics of a magnetic head used for magnetic recording. When a soft magnetic backing layer is formed by continuous film formation with other layers, the soft magnetic backing layer preferably has a thickness of 10 nm to 500 nm.

また、ヒートシンク層を、任意に設けることもできる。ヒートシンク層は、エネルギーアシス卜磁気記録時に発生する磁気記録層の余分な熱を効果的に吸収することができる。ヒートシンク層は、熱伝導率および比熱容量が高い材料を用いて形成することが好ましい。具体的には例えばCu単体、Ag単体、Au単体等や、または係る金属群から選択された1種類以上の金属を主成分として含む合金材料を用いることができる。   In addition, a heat sink layer can be optionally provided. The heat sink layer can effectively absorb excess heat of the magnetic recording layer generated during energy assist / magnetic recording. The heat sink layer is preferably formed using a material having high thermal conductivity and specific heat capacity. Specifically, for example, Cu alone, Ag alone, Au alone, or an alloy material containing one or more kinds of metals selected from the metal group as a main component can be used.

ここで、主成分として含むとは、材料中の上記金属の含有割合が50wt%以上であることを示している。   Here, including as a main component indicates that the content ratio of the metal in the material is 50 wt% or more.

ヒートシンク層は、強度などの観点から、Al−Si合金や、Cu−B合金などを用いて形成することもできる。   The heat sink layer can also be formed using an Al—Si alloy, a Cu—B alloy, or the like from the viewpoint of strength and the like.

また、センダスト(FeSiAl)合金、軟磁性のCoFe合金等を用いてヒートシンク層を形成し、ヒートシンク層に軟磁性裏打ち層の機能であるヘッドの発生する垂直方向磁界を磁気記録層に集中させる機能を付与することもできる。   In addition, a heat sink layer is formed using Sendust (FeSiAl) alloy, soft magnetic CoFe alloy, etc., and the vertical magnetic field generated by the head, which is the function of the soft magnetic backing layer, is concentrated on the magnetic recording layer. It can also be granted.

ヒートシンク層の膜厚は特に限定されるものではなく、例えばエネルギーアシス卜磁気記録時の熱量および熱分布や、磁気記録媒体の層構成、各構成層の厚さ等に応じて選択することができる。ヒートシンク層の膜厚は例えば10nm以上100nm以下であることが好ましい。   The film thickness of the heat sink layer is not particularly limited, and can be selected according to, for example, the amount of heat and heat distribution during energy assisted magnetic recording, the layer configuration of the magnetic recording medium, the thickness of each component layer, and the like. . The film thickness of the heat sink layer is preferably 10 nm or more and 100 nm or less, for example.

ヒートシンク層の成膜方法は特に限定されるものではないが、例えばスパッタ法等を用いて形成できる。ヒートシンク層は、例えばガラス基板と磁気記録層との間に設けることができ、磁気記録媒体に求められる特性を考慮して、ガラス基板と密着層との間や、密着層と下地層との間等に設けることができる。   The method of forming the heat sink layer is not particularly limited, but can be formed by using, for example, a sputtering method. The heat sink layer can be provided, for example, between the glass substrate and the magnetic recording layer, and in consideration of characteristics required for the magnetic recording medium, between the glass substrate and the adhesion layer, or between the adhesion layer and the underlayer. Etc. can be provided.

次に、下地層について説明する。   Next, the underlayer will be described.

下地層は、その下に形成される層の結晶構造が磁気記録層の結晶配向性、および磁性結晶粒のサイズなどに及ぼす影響を遮断するために設けられる層である。   The underlayer is a layer provided to block the influence of the crystal structure of the layer formed thereunder on the crystal orientation of the magnetic recording layer and the size of the magnetic crystal grains.

なお、上述のように軟磁性裏打ち層を設ける場合、軟磁性裏打ち層に対する磁気的影響を抑制するために、下地層は非磁性であることが要求される。   When the soft magnetic underlayer is provided as described above, the underlayer is required to be nonmagnetic in order to suppress the magnetic influence on the soft magnetic underlayer.

下地層を形成するための材料としては、例えばMgO、SrTiOなどの酸化物、TiNなどの窒化物、CrおよびTaなどの金属、NiW合金、およびCrTi、CrZr、CrTa、CrWなどのCr系合金等を挙げることができる。 Examples of the material for forming the underlayer include oxides such as MgO and SrTiO 3 , nitrides such as TiN, metals such as Cr and Ta, NiW alloys, and Cr-based alloys such as CrTi, CrZr, CrTa, and CrW Etc.

下地層の成膜方法は特に限定されないが、例えばスパッタリング法等の成膜方法を用いることができる。   A method for forming the underlayer is not particularly limited, and a film forming method such as a sputtering method can be used.

次にシード層について説明する。   Next, the seed layer will be described.

シード層は、下地層と磁気記録層との間の密着性を確保すると同時に、シード層と接触する磁気記録層中の磁性層の磁性結晶粒の粒径、および結晶配向を制御するための層である。具体的には、シード層は、その上に形成される磁性層中で、L1型規則合金を含む磁性結晶粒と、Tiを含む非磁性結晶粒界との分離を促進して、当該磁性層を含む磁気記録層の保磁力Hcを増大させることができる。 The seed layer is a layer for controlling the grain size and crystal orientation of the magnetic crystal grains of the magnetic layer in the magnetic recording layer in contact with the seed layer, while ensuring adhesion between the underlayer and the magnetic recording layer. It is. Specifically, the seed layer on the magnetic layer formed thereon, to promote the magnetic crystal grains comprising L1 0 type ordered alloys, the separation of a non-magnetic grain boundary containing Ti, the magnetic The coercive force Hc of the magnetic recording layer including the layer can be increased.

シード層は、例えばPtを含むことができ、特にPtから構成されることが好ましい。   The seed layer can contain, for example, Pt, and is particularly preferably composed of Pt.

シード層の成膜方法は特に限定されないが、スパッタ法や、真空蒸着法等の成膜方法を用いることができる。なお、スパッタリング法としては、例えばRFマグネ卜口ンスパッタリング法等を含む。   The seed layer formation method is not particularly limited, and a film formation method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method can be used. The sputtering method includes, for example, an RF magnet sputter sputtering method.

シード層を成膜する際の条件は特に限定されないが、例えばガラス基板を含む、シード層を成膜する基材を250℃以上700℃以下の温度に加熱した状態で、成膜を行うことが好ましい。   The conditions for forming the seed layer are not particularly limited. For example, the film formation may be performed in a state where a base material for forming the seed layer including a glass substrate is heated to a temperature of 250 ° C. or higher and 700 ° C. or lower. preferable.

シード層の膜厚は特に限定されるものではないが、例えば0.1nm以上であることが好ましく、0.5nm以上50nm以下であることがより好ましく、1nm以上20nm以下であることがさらに好ましい。   The thickness of the seed layer is not particularly limited, but is preferably, for example, 0.1 nm or more, more preferably 0.5 nm or more and 50 nm or less, and further preferably 1 nm or more and 20 nm or less.

磁気記録層は、一層の磁性層または複数の磁性層を含むことができる。以下、シード層と接触する磁性層を第1磁性層と呼ぶ。   The magnetic recording layer can include a single magnetic layer or a plurality of magnetic layers. Hereinafter, the magnetic layer in contact with the seed layer is referred to as a first magnetic layer.

磁性層は、例えばFe、PtおよびTiを含むことができる。第1磁性層は、具体的には例えば、FeおよびPtを含むL1型規則合金を有する磁性結晶粒と、Tiを含む非磁性結晶粒界とからなるグラ二ユラー構造を有することができる。 The magnetic layer can contain, for example, Fe, Pt and Ti. The first magnetic layer is specifically, for example, may have a magnetic crystal grains having an L1 0 type ordered alloy containing Fe and Pt, the graphene two Yura structure composed of a non-magnetic grain boundary containing Ti.

磁性結晶粒を構成するL1型規則合金は、磁性結晶粒の特性変調を目的として、Ni、Mn、Ag、AuおよびCrからなる群から選択される少なくとも1種の元素をさらに含むこともできる。望ましい特性変調は、L1型規則合金の規則化に必要な温度の低減を含む。 L1 0 type ordered alloy constituting the magnetic crystal grains can for the purpose of characteristic modulation of the magnetic crystal grains, Ni, Mn, Ag, may further comprise at least one element selected from the group consisting of Au and Cr . Desirable characteristic modulation comprises a reduction in the temperature required for ordering of the L1 0 type ordered alloy.

磁性結晶粒は全ての原子が規則構造を有していなくてもよい。規則構造の程度を表わす規則度Sが所定の値以上であれば良い。規則度Sは、磁気記録媒体をXRDにより測定し、測定値と完全に規則化した際の理論値との比により算出することができる。L1型規則合金の場合は、規則合金由来の(001)および(002) ピークの積分強度を用いて算出する。測定された(001)ピーク積分強度に対する(002)ピーク積分強度の比の値を、完全に規則化した際に理論的に算出される(001)ピーク積分強度に対する(002)ピーク積分強度の比で除算することで規則度Sを得ることができる。このようにして得られた規則度Sが0.5以上であれば、磁気記録媒体として実用的な磁気異方性係数Kuを有する。 In the magnetic crystal grains, not all atoms may have a regular structure. The regularity S representing the degree of the regular structure may be greater than or equal to a predetermined value. The degree of order S can be calculated by measuring the magnetic recording medium by XRD and calculating the ratio between the measured value and the theoretical value when it is completely ordered. For L1 0 type ordered alloy is calculated using from ordered alloy (001) and the integrated intensity of the (002) peak. The ratio of the (002) peak integrated intensity to the (001) peak integrated intensity calculated theoretically when the value of the ratio of the (002) peak integrated intensity to the measured (001) peak integrated intensity is perfectly ordered The regularity S can be obtained by dividing by. If the degree of order S obtained in this way is 0.5 or more, the magnetic recording medium has a practical magnetic anisotropy coefficient Ku.

非磁性結晶粒界は、Tiを含むことができ、Tiで構成されることがより好ましい。第1磁性層は、該第1磁性層の全原子数を基準として、4at%以上12at%以下のTiを含むことが好ましく、5at%以上10at%以下のTiを含むことがより好ましい。   The nonmagnetic grain boundary can contain Ti, and is more preferably composed of Ti. The first magnetic layer preferably contains 4 at% or more and 12 at% or less of Ti, more preferably 5 at% or more and 10 at% or less of Ti based on the total number of atoms of the first magnetic layer.

非磁性結晶粒界が上記範囲のTiを含むことによって、磁性結晶粒と非磁性結晶粒界との分離を促進して、当該磁性層の保磁力Hcを急激に増大させることができる。   When the nonmagnetic crystal grain boundary contains Ti within the above range, the separation between the magnetic crystal grain and the nonmagnetic crystal grain boundary can be promoted, and the coercive force Hc of the magnetic layer can be rapidly increased.

磁気記録層は、第1磁性層に加えて、第2磁性層をさらに有することもできる。第2磁性層を有することで磁気記録媒体の性能をさらに向上させることができる。   The magnetic recording layer can further include a second magnetic layer in addition to the first magnetic layer. By having the second magnetic layer, the performance of the magnetic recording medium can be further improved.

第2磁性層の構成は特に限定されないが、第2磁性層は例えば第1磁性層とは異なるキュリー温度Tcを有し、Tc制御を目的として設けることができる。第1磁性層と第2磁性層との両者をあわせた記録温度を設定することで、記録時に必要とされる磁気記録媒体全体としての反転磁界を低減することができる。   The configuration of the second magnetic layer is not particularly limited, but the second magnetic layer has, for example, a Curie temperature Tc different from that of the first magnetic layer, and can be provided for the purpose of Tc control. By setting the recording temperature for both the first magnetic layer and the second magnetic layer, the reversal magnetic field of the entire magnetic recording medium required at the time of recording can be reduced.

例えば、第2磁性層として、第1磁性層のキュリー温度Tcよりもキュリー温度Tcの低い磁性層を形成する。そして、記録温度を両磁性層のキュリー温度の中間に設定すれば、記録時に第2磁性層の磁化は消失し、記録を反転させるために必要な磁界を低減させることができる。このようにして磁気記録ヘッドに要請される記録時の発生磁界を低減して良好な磁気記録性能を発揮することができる。   For example, a magnetic layer having a Curie temperature Tc lower than the Curie temperature Tc of the first magnetic layer is formed as the second magnetic layer. If the recording temperature is set to be intermediate between the Curie temperatures of both magnetic layers, the magnetization of the second magnetic layer disappears during recording, and the magnetic field required to reverse the recording can be reduced. In this way, the magnetic field generated during recording required for the magnetic recording head can be reduced, and good magnetic recording performance can be exhibited.

第2磁性層についてもグラニュラ―構造を有することが好ましく、第1磁性層と、第2磁性層とは磁性結晶粒が水平方向、すなわちガラス基板表面と平行な方向について、同じ位置となるように配置することが好ましい。これは係る配置とすることで、信号対雑音比(SNR)等の性能を向上することができるからである。   The second magnetic layer also preferably has a granular structure, and the first magnetic layer and the second magnetic layer have the same position in the horizontal direction, that is, in the direction parallel to the glass substrate surface. It is preferable to arrange. This is because such an arrangement can improve performance such as signal-to-noise ratio (SNR).

第2磁性層を構成する材料は特に限定されないが、例えば磁性結晶粒は少なくともCoおよびFeのうちのいずれかを含有する材料であることが好ましい。特に磁性結晶粒は、さらにPt、Pd、Ni、Mn、Cr、Cu、Ag、Auから選択される1種類以上を含有することが好ましい。   Although the material which comprises a 2nd magnetic layer is not specifically limited, For example, it is preferable that a magnetic crystal grain is a material containing at least any one of Co and Fe. In particular, the magnetic crystal grains preferably further contain one or more kinds selected from Pt, Pd, Ni, Mn, Cr, Cu, Ag, and Au.

第2の磁性層の磁性結晶粒の材料としては例えば、CoCr系合金、CoCrPt系合金、FePt系合金、FePd系合金等を用いることができる。磁性結晶粒は、L1型、L1型、L1型などの規則構造や、hcp構造(六方最密充填構造)、fcc構造(面心立方構造)などであってもよい。 As a material for the magnetic crystal grains of the second magnetic layer, for example, a CoCr alloy, a CoCrPt alloy, a FePt alloy, a FePd alloy, or the like can be used. Magnetic crystal grains, L1 0 type, L1 1 type, and ordered structure, such as a L1 2 type, hcp structure (hexagonal close-packed structure), it may be a fcc structure (face-centered cubic structure).

第2磁性層を構成する非磁性結晶粒の材料としては、例えばZnO、SiO、TiOなどの酸化物、SiN、TiNなどの窒化物、C、B等を用いることができる。 As the material of the nonmagnetic crystal grains constituting the second magnetic layer, for example, oxides such as ZnO, SiO 2 and TiO 2 , nitrides such as SiN and TiN, C, B and the like can be used.

なお、第2磁性層として、第1磁性層と同様の材料を用いて、異なる組成とした層を用いてもよい。第2磁性層は、例えば、第1磁性層中のTiの比率を変更した層、規則合金に添加するNiなどの元素を変更した層などであってもよい。   Note that a layer having a different composition using the same material as the first magnetic layer may be used as the second magnetic layer. The second magnetic layer may be, for example, a layer in which the Ti ratio in the first magnetic layer is changed, a layer in which an element such as Ni added to the ordered alloy is changed, or the like.

磁気記録層は、その他に例えば、第1磁性層と第2磁性層との間の磁気的な交換結合を調整するために、第1磁性層と第2磁性層との間に交換結合制御層を配置することもできる。   In addition, the magnetic recording layer is, for example, an exchange coupling control layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer in order to adjust the magnetic exchange coupling between the first magnetic layer and the second magnetic layer. Can also be arranged.

磁気記録層の上面には保護層を設けることができ、保護層は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料を用いて形成することができる。具体的には、Ptなどの非磁性金属、ダイアモンドライクカーボンなどのカーボン系材料、あるいは窒化シリコンなどのシリコン系材料を用いて、保護層を形成することができる。保護層は、単層であってもよく、積層構造を有してもよい。積層構造の保護層は、例えば、特性の異なる2種のカーボン系材料の積層構造、金属とカーボン系材料との積層構造、または金属酸化物膜とカーボン系材料との積層構造であってもよい。   A protective layer can be provided on the top surface of the magnetic recording layer, and the protective layer can be formed using a material conventionally used in the field of magnetic recording media. Specifically, the protective layer can be formed using a nonmagnetic metal such as Pt, a carbon-based material such as diamond-like carbon, or a silicon-based material such as silicon nitride. The protective layer may be a single layer or may have a laminated structure. The protective layer having a laminated structure may be, for example, a laminated structure of two types of carbon materials having different characteristics, a laminated structure of metals and carbon materials, or a laminated structure of metal oxide films and carbon materials. .

保護層は、スパッタ法(DCマグネ卜口ンスパッタリング法などを含む)、真空蒸着法などの任意の方法を用いて形成することができる。   The protective layer can be formed using any method such as sputtering (including DC magnet sputtering) and vacuum deposition.

また、保護層上にはさらに液体潤滑剤層等を設けることもできる。液体潤滑剤層は、例えばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤等を用いて形成することができる。液体潤滑剤層は、たとえば、ディップコート法、スピンコート法などの塗布法を用いて形成できる。   Further, a liquid lubricant layer or the like can be further provided on the protective layer. The liquid lubricant layer can be formed using, for example, a perfluoropolyether lubricant. The liquid lubricant layer can be formed using, for example, a coating method such as a dip coating method or a spin coating method.

なお、本実施形態では、磁気記録媒体の一構成例として、エネルギーアシスト磁気記録媒体について説明したが、エネルギーアシスト磁気記録媒体とする場合でも上記の形態に限定されるものではない。例えば必要に応じて各種層をさらに設ける等することもできる。   In the present embodiment, the energy-assisted magnetic recording medium has been described as an example of the configuration of the magnetic recording medium. However, the energy-assisted magnetic recording medium is not limited to the above embodiment. For example, various layers can be further provided as necessary.

以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含んでいる。すなわち、磁性層を成膜する際等に高温で熱処理を行った場合でも平坦度の変化を小さくし、平坦度の悪化を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板を含んでいる。   The magnetic recording medium of this embodiment described above includes the glass substrate for magnetic recording medium described above. That is, it includes a glass substrate for a magnetic recording medium that can reduce changes in flatness and suppress deterioration of flatness even when heat treatment is performed at a high temperature when forming a magnetic layer.

このため、係る磁気記録媒体用ガラス基板を含む、本実施形態の磁気記録媒体についても平坦度を小さくすることができる。このため、本実施形態の磁気記録媒体を磁気記録装置に適用した場合に、記録ヘッドの浮上安定性を確保することができる。   For this reason, the flatness of the magnetic recording medium of this embodiment including the glass substrate for magnetic recording medium can be reduced. For this reason, when the magnetic recording medium of this embodiment is applied to a magnetic recording apparatus, the flying stability of the recording head can be ensured.

以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[実験例1〜実験例5]
以下の手順により実験例1〜実験例5のガラス基板を作製し、評価を行った。
(ガラス材料選択工程)
実験例1〜実験例5のガラス基板を作製するにあたって、表1に示したように組成の異なるガラスA〜ガラスEを用意し、以下の手順により温度に対する内部摩擦tanδの変化を測定した。そして、測定した結果から、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下のガラス材料を選択するガラス材料選択工程を実施し、各実験例のガラス基板を作製することにした。
Specific examples will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
[Experiment 1 to Experiment 5]
The glass substrates of Experimental Examples 1 to 5 were prepared and evaluated by the following procedure.
(Glass material selection process)
In preparing the glass substrates of Experimental Examples 1 to 5, Glass A to Glass E having different compositions were prepared as shown in Table 1, and changes in internal friction tan δ with respect to temperature were measured by the following procedure. And from the measured result, it decided to implement the glass material selection process which selects the glass material whose internal friction tan-delta in 350 degrees C or less is 0.01 or less, and produces the glass substrate of each experiment example.

まず、温度に対する内部摩擦tanδの測定方法について説明する。   First, a method for measuring the internal friction tan δ with respect to temperature will be described.

温度に対する内部摩擦tanδの変化は、動的粘弾性測定装置(TA Instruments社製 型番:Q800 DMA)を用いて、以下の手順により行った。   The change of the internal friction tan δ with respect to temperature was performed by the following procedure using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (model number: Q800 DMA, manufactured by TA Instruments).

内部摩擦tanδは、図1に示したように三点曲げ測定治具に、各ガラス材料について、板状に加工した試験体11を用いて測定を行った。試験体11としては、長さlが60mm×幅(図1中の紙面と垂直方向)が5mm×板厚dが0.5mmとなるように各ガラス材料を成形したものを用いた。   As shown in FIG. 1, the internal friction tan δ was measured using a test piece 11 processed into a plate shape for each glass material in a three-point bending measurement jig. As the test body 11, one in which each glass material was molded so that the length 1 was 60 mm × width (in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1) was 5 mm × plate thickness d was 0.5 mm was used.

そして、まず試験体11を支持部材12A、12B上に配置した。なお、支持部材12Aと支持部材12Bとの間の支持間隔(スパン)Lは50mmとしている。   And first, the test body 11 was arrange | positioned on support member 12A, 12B. The support interval (span) L between the support member 12A and the support member 12B is 50 mm.

次いで、試験体11の上面の中央部であり、かつ支持部材12Aと支持部材12Bとの中央部に、押圧部材13により、1Nの静荷重を図中下方向に印加した状態で、さらに振幅120μm、周期1Hzとなるように、押圧部材13で周期的に下方向への押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施した。このように試験体11を押圧することで試験体11に振動ひずみを印加した。そして、この際に測定した応力の変化から内部摩擦tanδを算出した。   Next, in the state where a static load of 1 N is applied downward in the figure by the pressing member 13 to the central portion of the upper surface of the test body 11 and the central portion of the supporting member 12A and the supporting member 12B, the amplitude is further 120 μm. The pressing member 13 periodically repeated downward pressing and releasing the pressing so that the period was 1 Hz. In this way, vibration strain was applied to the test body 11 by pressing the test body 11. Then, the internal friction tan δ was calculated from the change in stress measured at this time.

なお、tanδの測定の際には、−80℃から、5℃/minの昇温速度で、昇温を行っており、−80℃以上350℃以下の範囲で温度に対する内部摩擦tanδの変化の曲線を得た。   In the measurement of tan δ, the temperature was increased from −80 ° C. at a temperature increase rate of 5 ° C./min, and the change in internal friction tan δ with respect to the temperature in the range of −80 ° C. to 350 ° C. A curve was obtained.

上記測定を行った際の、各ガラス材料の試験体の、温度に対する内部摩擦tanδの変化を図3に示す。なお、表1には、各実験例で用いたガラス材料の名前と、0℃、100℃、200℃、350℃における内部摩擦tanδを併せて示している。   FIG. 3 shows the change in the internal friction tan δ with respect to the temperature of the specimen of each glass material when the above measurement is performed. Table 1 shows the names of the glass materials used in each experimental example and the internal friction tan δ at 0 ° C., 100 ° C., 200 ° C., and 350 ° C.

図3に示した結果によると、ガラスA〜ガラスCについては、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下になっていることが確認される。これに対して、ガラスD、ガラスEについては、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01を超えていることを確認できた。特にガラスD、ガラスEを用いた試験体は、温度に対する内部摩擦tanδの変化の曲線が、350℃以下の温度領域に明確なピークを有することを確認できた。   According to the result shown in FIG. 3, it is confirmed that the internal friction tan δ at 350 ° C. or less is 0.01 or less for glass A to glass C. On the other hand, about the glass D and the glass E, it has confirmed that the internal friction tan-delta in 350 degrees C or less exceeded 0.01. In particular, it was confirmed that the specimens using glass D and glass E had a clear peak in the temperature range of 350 ° C. or less in the curve of the change in internal friction tan δ with respect to temperature.

以上の結果から、実験例1〜実験例3を実施例として、表1に示したように、それぞれガラスA〜ガラスCを用いることにした。また、実験例4、実験例5を比較例として、表1に示したように、それぞれガラスD、ガラスEを用いることにした。   From the above results, Examples 1 to 3 were used as examples, and Glass A to Glass C were used as shown in Table 1, respectively. Moreover, as shown in Table 1, glass 4 and glass E were respectively used as experimental examples 4 and 5 as comparative examples.

そして、以下の工程を実施することにより各実験例のガラス基板を作製した。ガラス素板製造工程で製造する、ガラス素板のガラス材料と、板厚とが異なる点以外は実験例1〜実験例5で同様にしてガラス基板を作製したため、以下にまとめて記載する。
(ガラス素板製造工程)
ガラス材料選択工程の結果から、上述のように実験例1〜実験例5では、それぞれガラスA〜ガラスEを用いてガラス基板を作製することにした。
And the glass substrate of each experiment example was produced by implementing the following processes. Since the glass substrate was produced in the same manner as in Experimental Example 1 to Experimental Example 5 except that the glass material of the glass base plate manufactured in the glass base plate manufacturing process was different from the plate thickness, the glass substrate is described collectively below.
(Glass base plate manufacturing process)
From the result of the glass material selection step, in Experimental Examples 1 to 5, as described above, glass substrates were prepared using Glass A to Glass E, respectively.

このため、ガラスA、B、D、およびガラスEを用いてガラス素板をフロート法により、またガラスCを用いてガラス素板をプレス法により作製し、各実験例での形状付与工程に供した。   For this reason, a glass base plate is produced by a float method using glass A, B, D, and glass E, and a glass base plate is produced by a press method using glass C, and used for the shape imparting step in each experimental example. did.

なお、実験例1、実験例3〜実験例5については、得られるガラス基板の板厚が0.635mmとなるように、ガラス素板の板厚を調整し、作製した。また、実験例2に供するガラス素板は、得られるガラス基板の板厚が0.5mmとなるように、ガラス素板の板厚を調整し、作製した。
(形状付与工程)
外径95mm、内径25mmのガラス基板が得られるように、各実験例について、上述のガラス素板製造工程で作製したガラス素板から、図2を用いて説明したように、中央部に円孔を有するドーナツ形状を有するガラス基板に加工した。
In addition, about Experimental example 1 and Experimental example 3-Experimental example 5, the plate | board thickness of the glass base plate was adjusted and produced so that the plate | board thickness of the obtained glass substrate might be set to 0.635 mm. Moreover, the glass base plate used for Experimental Example 2 was prepared by adjusting the thickness of the glass base plate so that the thickness of the obtained glass substrate was 0.5 mm.
(Shaping process)
In order to obtain a glass substrate having an outer diameter of 95 mm and an inner diameter of 25 mm, as described with reference to FIG. It processed into the glass substrate which has a donut shape which has.

なお、ここでいう内径とは、中央部の円孔の直径を意味する。
(面取り工程)
形状付与工程で得られたドーナツ形状を有するガラス基板の内周端面と外周端面とを、面取り幅0.15mm、面取り角度45°の磁気記録媒体用ガラス基板が得られるように面取り加工を行った。
(一次主表面研削工程)
アルミナ砥粒を用いて、得られたガラス基板の上下主表面のラッピング加工を行った。
Here, the inner diameter means the diameter of the circular hole at the center.
(Chamfering process)
Chamfering was performed so that a glass substrate for a magnetic recording medium having a chamfering width of 0.15 mm and a chamfering angle of 45 ° was obtained between the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface of the glass substrate having a donut shape obtained in the shape imparting step. .
(Primary main surface grinding process)
Using the alumina abrasive grains, the upper and lower main surfaces of the obtained glass substrate were lapped.

一次主表面研削工程は、研磨具として鋳型定盤と、アルミナ砥粒を含有する研削液とを用いて、16B型両面研磨装置により実施した。   The primary main surface grinding step was performed with a 16B double-side polishing apparatus using a mold surface plate as a polishing tool and a grinding liquid containing alumina abrasive grains.

また、一次主表面研削工程後のガラス基板について、砥粒の洗浄、除去を行った。
(外周端面研磨工程)
次に、ガラス基板の外周側面部、および外周面取り部を、研磨ブラシ、および酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて研磨し、外周側面部と外周面取り部の加工変質層(傷など)を除去し、鏡面となるように外周端面の研磨加工を行った。
Moreover, about the glass substrate after a primary main surface grinding process, the abrasive grain was wash | cleaned and removed.
(Outer peripheral edge polishing process)
Next, the outer peripheral side surface portion and the outer peripheral chamfered portion of the glass substrate are polished with a polishing brush and a polishing liquid containing cerium oxide abrasive grains, and a work-affected layer (such as a scratch) on the outer peripheral side surface portion and the outer peripheral chamfered portion. The outer peripheral end face was polished so as to have a mirror surface.

外周端面研磨工程終了後もガラス基板について、砥粒の洗浄、除去を実施した。
(内周端面研磨工程)
外周端面研磨後、磁気記録媒体用ガラス基板の内周側面部、および内周面取り部を、研磨ブラシ、および酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて研磨し、内周側面部と内周面取り部の加工変質層(傷など)を除去し、鏡面となるように内周端面を研磨加工を行った。
Even after the outer peripheral end surface polishing step, the glass substrate was subjected to cleaning and removal of abrasive grains.
(Inner end face polishing process)
After the outer peripheral end surface polishing, the inner peripheral side surface portion and the inner peripheral chamfered portion of the glass substrate for magnetic recording medium are polished with a polishing liquid containing a polishing brush and cerium oxide abrasive grains, and the inner peripheral side surface portion and the inner peripheral surface are polished. The work-affected layer (scratches, etc.) in the chamfered portion was removed, and the inner peripheral end surface was polished so as to be a mirror surface.

内周端面研磨後もガラス基板について、砥粒の洗浄、除去を実施した。
(二次主表面研削工程)
次いで、ガラス基板の上下主表面のラッピング加工を実施した。
The abrasive grains were cleaned and removed from the glass substrate even after the inner peripheral end face was polished.
(Secondary main surface grinding process)
Next, lapping of the upper and lower main surfaces of the glass substrate was performed.

二次主表面研削工程は、研磨具として平均粒径4μmのダイヤモンド砥粒を含有する固定粒工具と、界面活性剤を含有する研削液とを用いて、16B型両面研磨装置により実施した。   The secondary main surface grinding step was carried out by a 16B double-side polishing apparatus using a fixed-grain tool containing diamond abrasive grains having an average particle diameter of 4 μm as a polishing tool and a grinding liquid containing a surfactant.

また、二次研削工程終了後もガラス基板について、砥粒の洗浄、除去を実施した。   In addition, the abrasive grains were cleaned and removed from the glass substrate even after the secondary grinding process was completed.

なお、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値50%での粒径を意味する。なお、本明細書の他の部分でも、平均粒径は同様の意味を有する。
(一次主表面研磨工程)
次に、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッド(スエード系研磨パッド)と、酸化セリウム砥粒を含有する研磨液とを用いて、16B型両面研磨装置により上下主表面の研磨を実施した
なお、酸化セリウム砥粒を含有する研磨液としては、平均粒径が約1.0μmの酸化セリウムを含有した研磨液組成物を用いた。
The average particle size means the particle size at an integrated value of 50% in the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method. In other parts of the present specification, the average particle size has the same meaning.
(Primary main surface polishing process)
Next, using a polishing pad containing soft urethane as a polishing tool (suede-based polishing pad) and a polishing liquid containing cerium oxide abrasive grains, the upper and lower main surfaces were polished by a 16B double-side polishing apparatus. As the polishing liquid containing cerium oxide abrasive grains, a polishing liquid composition containing cerium oxide having an average particle diameter of about 1.0 μm was used.

また、一次主表面研磨工程では、上下両主表面を板厚方向で合計30μmの研磨を行っている。   Further, in the primary main surface polishing step, the upper and lower main surfaces are polished for a total thickness of 30 μm in the plate thickness direction.

一次主表面研磨工程終了後も、ガラス基板について酸化セリウムの洗浄、除去を実施した。
(二次主表面研磨工程)
一次主表面研磨工程終了後、洗浄したガラス基板の両主表面について、二次主表面研磨工程を実施した。
Even after the completion of the primary main surface polishing step, the glass substrate was cleaned and removed of cerium oxide.
(Secondary main surface polishing process)
After the completion of the primary main surface polishing step, a secondary main surface polishing step was performed on both main surfaces of the cleaned glass substrate.

二次主表面研磨工程は、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと、平均粒径が20nmのコロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液とを用いて、16B型両面研磨装置により実施した。   The secondary main surface polishing step was performed with a 16B double-side polishing apparatus using a polishing pad made of soft urethane as a polishing tool and a polishing liquid containing colloidal silica abrasive grains having an average particle diameter of 20 nm.

二次主表面研磨工程終了後もガラス基板について、コロイダルシリカの洗浄、除去を実施した。
(洗浄・乾燥工程)
二次主表面研磨工程を行ったガラス基板は、スクラブ洗浄と、洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄と、純水に浸漬した状態での超音波洗浄と、を順次行い(精密洗浄)、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥した。
Even after the completion of the secondary main surface polishing step, the colloidal silica was washed and removed from the glass substrate.
(Washing / drying process)
The glass substrate that has been subjected to the secondary main surface polishing step is sequentially subjected to scrub cleaning, ultrasonic cleaning in a state of immersion in a detergent solution, and ultrasonic cleaning in a state of immersion in pure water (precision cleaning). And dried with isopropyl alcohol vapor.

以上の手順により各実験例のガラス基板を作製し、得られたガラス基板について、熱処理前後での平坦度の変化を評価した。   The glass substrate of each experimental example was produced by the above procedure, and the flatness before and after the heat treatment was evaluated for the obtained glass substrate.

各実験例では上述の手順によりそれぞれ100枚のガラス基板を作製している。このため、作製したガラス基板のうち、各実験例において、平坦度の略同じガラス基板を2枚選択し、熱処理前のガラス基板の平坦度(X1)とした。   In each experimental example, 100 glass substrates are produced by the above-described procedure. For this reason, in each experimental example among the produced glass substrates, two glass substrates having substantially the same flatness were selected, and the flatness (X1) of the glass substrate before the heat treatment was selected.

なお、平坦度は上記熱処理前、及び以下に説明する熱処理後、いずれにおいてもNIDEK社製干渉式フラットネステスターFT−17により測定を行っている。   The flatness is measured by the interference flatness tester FT-17 manufactured by NIDEK before and after the above heat treatment and after the heat treatment described below.

そして、1枚のガラス基板について、窒素雰囲気下、600℃で10分間熱処理を行い、室温まで冷却した後に平坦度の測定を行った。熱処理後の平坦度(Y1)の評価結果と、熱処理前後の平坦度の変化量(Y1−X1)の計算結果を表1に示す。   And about one glass substrate, it heat-processed for 10 minutes at 600 degreeC in nitrogen atmosphere, and measured the flatness, after cooling to room temperature. Table 1 shows the evaluation result of the flatness (Y1) after the heat treatment and the calculation result of the change amount (Y1-X1) of the flatness before and after the heat treatment.

また、もう1枚のガラス基板について、窒素雰囲気下、700℃で10分間熱処理を行い、室温まで冷却した後に平坦度の測定を行った。熱処理後の平坦度(Y2)の評価結果と、熱処理前後の平坦度の変化量(Y2−X1)の計算結果を表1に示す。   Further, another glass substrate was heat-treated at 700 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere, cooled to room temperature, and then measured for flatness. Table 1 shows the evaluation result of the flatness (Y2) after the heat treatment and the calculation result of the amount of change (Y2-X1) in the flatness before and after the heat treatment.

Figure 0006004129
350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下であるガラスA〜ガラスCを用いて作製した実験例1〜実験例3のガラス基板は、600℃で熱処理を行った場合、熱処理前後での平坦度の変化量が1.5μm以下になることを確認できた。また、実験例1〜実験例3のガラス基板は、700℃で熱処理を行った場合でも、熱処理前後での平坦度の変化量が26.0μm以下に、更に350℃以下における周波数1Hzでの内部摩擦tanδが、0.004以下であるガラスAを用いて作成した実験例1のガラス基板は6.0μm以下になっていることを確認できた。
Figure 0006004129
When the glass substrates of Experimental Example 1 to Experimental Example 3 manufactured using Glass A to Glass C whose internal friction tan δ at 350 ° C. or less is 0.01 or less are subjected to heat treatment at 600 ° C., the glass substrates before and after the heat treatment are obtained. It was confirmed that the amount of change in flatness was 1.5 μm or less. Further, even when the glass substrates of Experimental Examples 1 to 3 were heat-treated at 700 ° C., the amount of change in flatness before and after the heat treatment was 26.0 μm or less, and further, the internal at a frequency of 1 Hz at 350 ° C. or less. It was confirmed that the glass substrate of Experimental Example 1 prepared using the glass A having a friction tan δ of 0.004 or less was 6.0 μm or less.

これに対して、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01を超えるガラスD、ガラスEを用いて作製した実験例4、実験例5のガラス基板は、600℃で熱処理を行った場合、熱処理前後での平坦度の変化量が30μmを超えることが確認できた。なお、実験例4、実験例5のガラス基板は、700℃で熱処理を行った場合には破損の恐れがあり加熱を実施しなかったため、平坦度を評価することができていない。   On the other hand, when the glass substrate of Experimental Example 4 and Experimental Example 5 produced using Glass D and Glass E having an internal friction tan δ at 350 ° C. or lower of more than 0.01 is subjected to heat treatment at 600 ° C., It was confirmed that the amount of change in flatness before and after the heat treatment exceeded 30 μm. In addition, since the glass substrate of Experimental example 4 and Experimental example 5 may be damaged when it heat-processes at 700 degreeC, and heating was not implemented, flatness cannot be evaluated.

以上の結果から、350℃以下における内部摩擦tanδが、0.01以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板によれば、高温で熱処理した場合でも平坦度の悪化を抑制できることを確認できた。   From the above results, it was confirmed that, according to the glass substrate for a magnetic recording medium made of a glass material having an internal friction tan δ at 350 ° C. or less of 0.01 or less, deterioration of flatness can be suppressed even when heat treatment is performed at high temperature. .

20 磁気記録媒体用ガラス基板 20 Glass substrate for magnetic recording medium

Claims (4)

350℃以下における内部摩擦が0.01以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板。
(ただし前記内部摩擦とは、
長さ60mm、幅5mm、板厚0.5mmの板状に加工した前記ガラス材料からなる試験体を、
前記長さ方向に沿って配置され、支持間隔が50mmである2つの支持部材により下面側から支持し、
前記試験体の中央部を、下方向に1Nの静荷重を印加した状態で、さらに振幅120μm、かつ周波数1Hzとなるように押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施することで測定された応力の変化に基いて算出される。)
A glass substrate for a magnetic recording medium comprising a glass material having an internal friction of 0.01 or less at 350 ° C. or less.
(However, the internal friction is
A test body made of the glass material processed into a plate shape having a length of 60 mm, a width of 5 mm, and a plate thickness of 0.5 mm,
It is arranged along the length direction and is supported from the lower surface side by two support members having a support interval of 50 mm,
In the state where a static load of 1 N is applied to the center of the test body in the downward direction, the stress measured by repeatedly pressing and releasing the pressure so that the amplitude is 120 μm and the frequency is 1 Hz. Calculated based on change. )
350℃以下における、前記内部摩擦が0.004以下のガラス材料からなる請求項1に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。   The glass substrate for a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the glass substrate is made of a glass material having an internal friction of 0.004 or less at 350 ° C. or less. 中央に開口部を有する円板形状を有しており、
直径が95mm以上であり、かつ板厚が0.635mm以下である請求項1または2に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
It has a disc shape with an opening in the center,
The glass substrate for a magnetic recording medium according to claim 1 or 2, wherein the diameter is 95 mm or more and the plate thickness is 0.635 mm or less.
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板を含む磁気記録媒体。   The magnetic recording medium containing the glass substrate for magnetic recording media as described in any one of Claims 1 thru | or 3.
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