JP6001910B2

JP6001910B2 - Split method

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Publication number: JP6001910B2
Application number: JP2012093561A
Authority: JP
Inventors: 文華梁; 孝行政田; 弘毅落合
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2012-04-17
Filing date: 2012-04-17
Publication date: 2016-10-05
Anticipated expiration: 2032-04-17
Also published as: JP2013222822A

Description

本発明は、分割予定ラインに沿ってウェーハを各チップに分割する分割方法に関し、特に、所定厚みのデバイスが表面に設けられたウェーハを、所望の仕上げ厚みのチップに分割する分割方法に関する。 The present invention relates to a dividing method for dividing a wafer into chips along a predetermined dividing line, and more particularly to a dividing method for dividing a wafer having a device having a predetermined thickness on a surface into chips having a desired finished thickness.

デバイスの形成されたウェーハは、例えば、表面の分割予定ラインに沿ってチップの仕上げ厚みよりも深い切削溝を形成（ハーフカット）された後に、切削溝に到達するまで裏面側を研削されて各チップに分割される。ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）プロセスと呼ばれるこの加工方法は、薄化後にウェーハを分割する従来の方法と比較して分割の際のウェーハの破損を抑えることができるので、薄く小サイズ（１ｍｍ×１ｍｍ以下）のデバイス加工に有利である。 The wafer on which the device is formed is, for example, formed with a cutting groove (half cut) deeper than the finished thickness of the chip along the planned dividing line on the front surface, and then ground on the back side until reaching the cutting groove. Divided into chips. This processing method, called the DBG (Dicing Before Grinding) process, can suppress damage to the wafer during division compared to the conventional method of dividing the wafer after thinning, so it is thin and small in size (1 mm x 1 mm or less) This is advantageous for device processing.

上述のＤＢＧプロセスでは、切削装置を用いてウェーハの表面からチップの仕上げ厚みに相当する深さの切削溝を形成するので、切削溝の形成前には、切削装置にウェーハ表面の高さ位置を認識させる必要がある。この目的のため、ウェーハ表面の高さ位置を測定可能な非接触式の位置検出センサを備える切削装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。非接触式の位置検出センサは、触針式の位置検出センサのように測定時にウェーハ表面を傷つける恐れがないので、品質保持の点から好適である。 In the DBG process described above, a cutting groove having a depth corresponding to the finished thickness of the chip is formed from the surface of the wafer using the cutting device. Therefore, before the cutting groove is formed, the height position of the wafer surface is set on the cutting device. It needs to be recognized. For this purpose, a cutting apparatus including a non-contact position detection sensor capable of measuring the height position of the wafer surface has been proposed (for example, see Patent Document 1). The non-contact type position detection sensor is preferable from the viewpoint of maintaining quality because there is no fear of damaging the wafer surface during measurement unlike the stylus type position detection sensor.

特開２００１−２９８００３号公報JP 2001-298003 A

ところで、ウェーハ表面に形成されるデバイスは、要求される仕様に応じて所定の厚みを有することがある。このようなデバイスの形成されたウェーハの分割にも、ＤＢＧプロセスを用いることが想定される。しかしながら、上述のＤＢＧプロセスは、ウェーハ表面から所定深さの切削溝を形成して各チップに分割するので、デバイス表面の高さ位置がばらつく場合などには、デバイス表面からの切削溝の深さもばらついてしまう。そうすると、切削溝の深さのばらつきに応じて裏面側の研削量を調整する必要が生じるので、所望の仕上げ厚みのチップに効率良く分割するのは困難になる。 By the way, a device formed on the wafer surface may have a predetermined thickness according to required specifications. It is assumed that the DBG process is also used for dividing the wafer on which such devices are formed. However, the above-mentioned DBG process forms a cutting groove of a predetermined depth from the wafer surface and divides it into chips. Therefore, when the height position of the device surface varies, the depth of the cutting groove from the device surface is also different. It will vary. If it does so, since it will be necessary to adjust the grinding amount of a back surface side according to the dispersion | variation in the depth of a cutting groove, it will become difficult to divide | segment efficiently into the chip | tip of desired finishing thickness.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、所定厚みのデバイスが表面に設けられたウェーハを、所望の仕上げ厚みのチップに効率良く分割可能な分割方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to provide a dividing method capable of efficiently dividing a wafer having a device having a predetermined thickness on a surface into chips having a desired finished thickness.

本発明の分割方法は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに前記複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に前記分割予定ラインよりも高い表面位置を有するデバイスが形成されたウェーハを、前記表面位置から所望の仕上げ厚みのチップに分割する分割方法であって、ウェーハ表面に形成された特徴領域であるアライメントターゲットを検出し、前記アライメントターゲット位置を基準に前記デバイスの上方に非接触式位置検出センサを位置付け、デバイスの前記表面位置を非接触式位置検出センサで検出する表面位置検出工程と、前記表面位置検出工程の後に、前記アライメントターゲットの位置を基準に前記分割予定ラインを検出し、検出された前記分割予定ラインに切削ブレードを位置付け、前記表面位置検出工程で検出されたデバイスの前記表面位置からチップ仕上げ厚みよりも深い深さに切り込み、デバイスの表面からの深さが略一定になるように前記分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成工程と、前記切削溝形成工程の後に、ウェーハの表面側に保護テープを貼着する貼着工程と、前記貼着工程の後に、前記保護テープ側を保持テーブルに保持し、ウェーハの裏面から研削手段により研削し前記チップ仕上げ厚みへと薄化するとともに裏面に前記切削溝を表出させ、ウェーハを個々のチップに分割する研削工程と、から構成されることを特徴とする。 According to the dividing method of the present invention, a device in which a plurality of division lines are formed in a lattice shape on a surface and a device having a surface position higher than the division lines in a plurality of regions partitioned by the plurality of division lines. A division method for dividing a formed wafer into chips having a desired finish thickness from the surface position, wherein an alignment target which is a characteristic region formed on the wafer surface is detected, and the device is based on the alignment target position A non-contact position detection sensor is positioned above the surface position detection step of detecting the surface position of the device with the non-contact position detection sensor, and after the surface position detection step, the position of the alignment target is used as a reference. Detect the planned dividing line, position the cutting blade on the detected planned dividing line, Cut from the surface position of the detected device surface position detecting process to a depth deeper than the chip finishing thickness, forming a cutting groove along the dividing lines as depth from the surface of the device is substantially constant After the cutting groove forming step, the sticking step of sticking a protective tape to the front surface side of the wafer after the cutting groove forming step, and after the sticking step, the protective tape side is held on a holding table, and the wafer And a grinding step of grinding the wafer by a grinding means to reduce the chip finish thickness and exposing the cutting grooves on the back surface to divide the wafer into individual chips.

この構成によれば、デバイスの上方に非接触式位置検出センサを位置付け、デバイスの表面位置を非接触式位置検出センサで検出するので、デバイスの表面位置に応じた深さの切削溝を形成して、所望の仕上げ厚みのチップに効率良く分割できる。また、分割予定ラインを検出するためのアライメントターゲットを基準にデバイスの上方に非接触式位置検出センサを位置付けるので、デバイスとの位置合わせに用いるターゲットを別に形成することなく非接触式位置検出センサをデバイスの上方に正確に位置付けることができる。 According to this configuration, since the non-contact type position detection sensor is positioned above the device and the surface position of the device is detected by the non-contact type position detection sensor, a cutting groove having a depth corresponding to the surface position of the device is formed. Thus, the chips can be efficiently divided into chips having a desired finish thickness. In addition, since the non-contact type position detection sensor is positioned above the device with reference to the alignment target for detecting the division line, the non-contact type position detection sensor can be used without forming a separate target for alignment with the device. It can be accurately positioned above the device.

本発明によれば、所定厚みのデバイスが表面に設けられたウェーハを、所望の仕上げ厚みのチップに適切に分割可能な分割方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the division | segmentation method which can divide | segment the wafer in which the device of predetermined thickness was provided in the surface appropriately to the chip | tip of desired finishing thickness can be provided.

本実施の形態の分割方法に用いられる切削装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the cutting device used for the division | segmentation method of this Embodiment. 本実施の形態の分割方法に用いられる研削装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the grinding device used for the division | segmentation method of this Embodiment. 本実施の形態に係る分割方法の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the division | segmentation method which concerns on this Embodiment. 表面位置検出工程においてデバイスの表面位置が検出される様子を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows a mode that the surface position of a device is detected in a surface position detection process. 切削溝形成工程においてウェーハに切削溝が形成される様子を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows a mode that the cutting groove is formed in a wafer in the cutting groove formation process. 研削工程においてウェーハの裏面側が研削される様子を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows a mode that the back surface side of a wafer is ground in a grinding process. 本実施の形態の分割方法の効果を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the effect of the division | segmentation method of this Embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る分割方法は、切削装置で行われる表面位置検出工程及び切削溝形成工程、貼着装置で行われる貼着工程、研削装置で行われる研削工程を含む。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The dividing method according to the present embodiment includes a surface position detecting step and a cutting groove forming step performed by a cutting device, a sticking step performed by a sticking device, and a grinding step performed by a grinding device.

表面位置検出工程では、ウェーハ表面のアライメントターゲット（アライメントマーク）を基準にウェーハ表面に形成された所定厚みを有するデバイス（構造体）の上方に非接触式位置検出センサを位置付け、デバイスの表面位置（高さ）を検出する。切削溝形成工程では、アライメントターゲットを基準に分割予定ラインを検出して切削ブレードを位置付け、分割予定ラインに沿ってデバイスの表面位置から仕上げ厚み（チップ仕上げ厚み）よりも深い切削溝を形成する。貼着工程では、ウェーハの表面側に保護テープを貼着する。切削工程では、ウェーハの裏面側を研削ユニット（研削手段）により研削して仕上げ厚みへと薄化するとともに、裏面に切削溝を表出させてウェーハを個々のチップに分割する。 In the surface position detection step, a non-contact type position detection sensor is positioned above a device (structure) having a predetermined thickness formed on the wafer surface with reference to an alignment target (alignment mark) on the wafer surface. Detect height). In the cutting groove forming step, the dividing line is detected based on the alignment target, the cutting blade is positioned, and a cutting groove deeper than the finishing thickness (chip finishing thickness) is formed from the surface position of the device along the dividing line. In the attaching step, a protective tape is attached to the surface side of the wafer. In the cutting process, the back side of the wafer is ground by a grinding unit (grinding means) to be thinned to a finished thickness, and a cutting groove is exposed on the back side to divide the wafer into individual chips.

この分割方法では、ウェーハ表面に形成されたデバイスの表面位置を非接触式位置検出センサで検出するようにしているので、デバイスの表面位置に応じた深さの切削溝を形成して、所望の仕上げ厚みのチップに効率良く分割できる。また、分割予定ラインを検出するためのアライメントターゲットを基準にデバイスの上方に非接触式位置検出センサを位置付けるので、デバイスとの位置合わせに用いるターゲットを別に形成することなく非接触式位置検出センサをデバイスの上方に正確に位置付けることができる。以下、本実施の形態に係る分割方法の詳細について説明する。 In this division method, the surface position of the device formed on the wafer surface is detected by a non-contact type position detection sensor. Therefore, a cutting groove having a depth corresponding to the surface position of the device is formed, and a desired groove is formed. It can be efficiently divided into chips of finished thickness. In addition, since the non-contact type position detection sensor is positioned above the device with reference to the alignment target for detecting the division line, the non-contact type position detection sensor can be used without forming a separate target for alignment with the device. It can be accurately positioned above the device. Hereinafter, the details of the dividing method according to the present embodiment will be described.

図１及び図２を参照して、本実施の形態の分割方法に用いられる装置等の概略について説明する。図１は、本実施の形態の分割方法に用いられる切削装置１の構成を示す斜視図であり、図２は、本実施の形態の分割方法に用いられる研削装置２の構成を示す斜視図である。図１及び図２には、本実施の形態の分割方法の対象となるウェーハＷを併せて示している。なお、本実施の形態の分割方法に用いられる装置は、図１及び図２に示す構成に限定されない。 With reference to FIG. 1 and FIG. 2, the outline of the apparatus etc. used for the division | segmentation method of this Embodiment is demonstrated. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a cutting device 1 used in the dividing method of the present embodiment, and FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a grinding device 2 used in the dividing method of the present embodiment. is there. 1 and 2 also show a wafer W that is a target of the dividing method of the present embodiment. In addition, the apparatus used for the division | segmentation method of this Embodiment is not limited to the structure shown in FIG.1 and FIG.2.

図１に示すように、本実施の形態の分割方法の対象となるウェーハＷは、略円板状の外形を有しており、表面に形成された格子状のストリート（分割予定ライン）Ｓで複数の領域に区画されている。区画された各領域には、所定の厚みを有するデバイスＤｅが形成されており、デバイスＤｅと重ならない一部の領域には、特徴領域であるアライメントターゲットＡが形成されている。このウェーハＷは、デバイスＤｅの設けられた表面側が上方を向くように切削装置１に搬入される（図１参照）。 As shown in FIG. 1, a wafer W that is a target of the division method according to the present embodiment has a substantially disk-like outer shape, and is a grid-like street (scheduled division line) S formed on the surface. It is partitioned into multiple areas. A device De having a predetermined thickness is formed in each partitioned region, and an alignment target A that is a characteristic region is formed in a part of the region that does not overlap with the device De. The wafer W is loaded into the cutting apparatus 1 so that the surface side on which the device De is provided faces upward (see FIG. 1).

図１に示すように、表面位置検出工程及び切削溝形成工程に用いられる切削装置１は、上面形状が略平坦な基台１２を有している。基台１２には、Ｘ軸方向に延在する開口が形成されており、開口は、テーブル移動基台１５及び防水カバー１５１により覆われている。防水カバー１５１の下方には、テーブル移動基台１５をＸ軸方向に移動可能なＸ軸移動機構（不図示）が設けられている。Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸方向に平行な一対のガイドレール、ガイドレール間のＸ軸ボールねじ、及びＸ軸ボールねじを回転駆動するＸ軸パルスモータ（いずれも不図示）を備える。テーブル移動基台１５は、ナット部（不図示）を介してＸ軸ボールネジと連結され、Ｘ軸ボールネジの回転によりガイドレールに沿って移動される。 As shown in FIG. 1, the cutting device 1 used for the surface position detection process and the cutting groove formation process has a base 12 having a substantially flat top surface. An opening extending in the X-axis direction is formed in the base 12, and the opening is covered with a table moving base 15 and a waterproof cover 151. Below the waterproof cover 151, an X-axis moving mechanism (not shown) is provided that can move the table moving base 15 in the X-axis direction. The X-axis movement mechanism includes a pair of guide rails parallel to the X-axis direction, an X-axis ball screw between the guide rails, and an X-axis pulse motor (not shown) that rotationally drives the X-axis ball screw. The table moving base 15 is connected to the X-axis ball screw via a nut portion (not shown), and is moved along the guide rail by the rotation of the X-axis ball screw.

テーブル移動基台１５上には、チャックテーブル１５２が設けられている。チャックテーブル１５２は円板状に形成されており、その上面中央部分にはポーラスセラミック材による吸着面１５３が設けられている。吸着面１５３においてウェーハＷを裏面側から吸着することで、ウェーハＷはチャックテーブル１５２上の所定位置に保持される。チャックテーブル１５２は、回転機構（不図示）によりテーブル移動基台１５上でＺ軸周りに回転（θ回転）可能に支持されている。ウェーハＷは、不図示の搬送機構によりチャックテーブル１５２に搬送される。 A chuck table 152 is provided on the table moving base 15. The chuck table 152 is formed in a disc shape, and an adsorption surface 153 made of a porous ceramic material is provided at the center of the upper surface. The wafer W is held at a predetermined position on the chuck table 152 by sucking the wafer W from the back surface side on the suction surface 153. The chuck table 152 is supported by a rotation mechanism (not shown) so as to be rotatable (θ rotation) around the Z axis on the table moving base 15. The wafer W is transferred to the chuck table 152 by a transfer mechanism (not shown).

Ｙ軸方向においてテーブル移動基台１５と隣接する位置には、テーブル基台１６が配置されている。テーブル基台１６には、Ｙ軸移動機構１６１が設けられている。Ｙ軸移動機構１６１は、Ｙ軸方向に平行な一対のガイドレール１６２、ガイドレール１６２間のＹ軸ボールねじ（不図示）、及びＹ軸ボールねじを回転駆動するＹ軸パルスモータ１６３を備える。テーブル基台１６の上面には、Ｙ軸テーブル１６４が支持されている。Ｙ軸テーブル１６４は、テーブル基台１６に接する基部１６４ａと、基部１６４ａに対して立設された壁部１６４ｂとを備えている。Ｙ軸テーブル１６４は、基部１６４ａに設けたナット部（不図示）を介してＹ軸ボールネジと連結され、Ｙ軸ボールネジの回転によりガイドレール１６２に沿って移動される。 A table base 16 is disposed at a position adjacent to the table moving base 15 in the Y-axis direction. The table base 16 is provided with a Y-axis moving mechanism 161. The Y-axis moving mechanism 161 includes a pair of guide rails 162 parallel to the Y-axis direction, a Y-axis ball screw (not shown) between the guide rails 162, and a Y-axis pulse motor 163 that rotationally drives the Y-axis ball screw. A Y-axis table 164 is supported on the upper surface of the table base 16. The Y-axis table 164 includes a base portion 164a that is in contact with the table base 16 and a wall portion 164b that is erected with respect to the base portion 164a. The Y-axis table 164 is connected to the Y-axis ball screw via a nut portion (not shown) provided on the base portion 164a, and is moved along the guide rail 162 by the rotation of the Y-axis ball screw.

Ｙ軸テーブル１６４の壁部１６４ｂには、Ｚ軸移動機構１６５が設けられている。Ｚ軸移動機構１６５は、壁部１６４ｂの前面に配置されＺ軸方向に平行な一対のガイドレール１６６、ガイドレール１６６間のＺ軸ボールねじ１６７、及びＺ軸ボールねじ１６７と連結されるＺ軸パルスモータ１６８を備える。壁部１６４ｂの前面には、Ｚ軸テーブル１６９が支持されている。Ｚ軸テーブル１６９は、壁部１６４ｂに接する基部１６９ａと、基部１６９ａの端部において前方（Ｙ軸方向）に突設された壁部１６９ｂとを備えている。Ｚ軸テーブル１６９は、基部１６９ａに設けたナット部を介してＺ軸ボールネジ１６７と連結され、Ｚ軸ボールネジ１６７の回転によりガイドレール１６６に沿って移動される。 A Z-axis moving mechanism 165 is provided on the wall portion 164 b of the Y-axis table 164. The Z-axis moving mechanism 165 is disposed on the front surface of the wall portion 164b and is parallel to the Z-axis direction, a pair of guide rails 166, a Z-axis ball screw 167 between the guide rails 166, and a Z-axis connected to the Z-axis ball screw 167. A pulse motor 168 is provided. A Z-axis table 169 is supported on the front surface of the wall portion 164b. The Z-axis table 169 includes a base portion 169a that contacts the wall portion 164b, and a wall portion 169b that protrudes forward (in the Y-axis direction) at the end of the base portion 169a. The Z-axis table 169 is connected to the Z-axis ball screw 167 via a nut portion provided on the base portion 169a, and is moved along the guide rail 166 by the rotation of the Z-axis ball screw 167.

Ｚ軸テーブル１６９の壁部１６９ｂには、チャックテーブル１５２の上方の位置において切削手段１７が支持されている。切削手段１７は、円筒状のスピンドル１７１と、スピンドル１７１の一端部に着脱可能に装着される切削ブレード１７２とを備える。スピンドル１７１の他端部側にはモータ１７３が連結されており、スピンドル１７１に装着された切削ブレード１７２を回転できるようになっている。この切削ブレード１７２を回転させてウェーハＷに切り込ませることで、ウェーハＷには切削溝が形成される。切削手段１７の切削ブレード１７２に隣接する位置には、撮像ユニット１８及び背圧センサ（非接触式位置検出センサ）１９が設けられている。 The cutting means 17 is supported on the wall 169 b of the Z-axis table 169 at a position above the chuck table 152. The cutting means 17 includes a cylindrical spindle 171 and a cutting blade 172 that is detachably attached to one end of the spindle 171. A motor 173 is connected to the other end of the spindle 171 so that the cutting blade 172 attached to the spindle 171 can rotate. A cutting groove is formed in the wafer W by rotating the cutting blade 172 into the wafer W. An imaging unit 18 and a back pressure sensor (non-contact type position detection sensor) 19 are provided at a position adjacent to the cutting blade 172 of the cutting means 17.

切削装置１の制御部（不図示）は、撮像ユニット１８で撮像された撮像画像に基づきＸ軸移動機構、Ｙ軸移動機構１６１などを制御して、背圧センサ１９の検出ノズル１９１をデバイスＤｅの上方に位置付ける。背圧センサ１９は、検出ノズル１９１からデバイスＤｅの表面に向けて圧縮されたエアを吹き付ける。デバイスＤｅの表面で反射されるエアにより背圧センサ１９内の圧力は変化され、その圧力変化に基づいてデバイスＤｅの表面位置が検出される。 A control unit (not shown) of the cutting apparatus 1 controls the X-axis movement mechanism, the Y-axis movement mechanism 161, and the like based on the captured image captured by the imaging unit 18, and sets the detection nozzle 191 of the back pressure sensor 19 to the device De. Position above. The back pressure sensor 19 blows compressed air from the detection nozzle 191 toward the surface of the device De. The pressure in the back pressure sensor 19 is changed by the air reflected on the surface of the device De, and the surface position of the device De is detected based on the pressure change.

また、制御部は、撮像ユニット１８で撮像された撮像画像に基づきＸ軸移動機構、Ｙ軸移動機構１６１などを制御して、切削ユニット１７の切削ブレード１７２をウェーハＷのストリートＳに位置合わせする。切削ブレード１７２と位置合わせされたウェーハＷは、切削水を噴き付けられながら回転された切削ブレード１７２により切り込まれ、デバイスＤｅの表面から所定深さの切削溝を形成される。切削溝を形成されたウェーハＷは、洗浄乾燥機構（不図示）に移動されて洗浄される。 Further, the control unit controls the X-axis movement mechanism, the Y-axis movement mechanism 161, and the like based on the captured image captured by the imaging unit 18, and aligns the cutting blade 172 of the cutting unit 17 with the street S of the wafer W. . The wafer W aligned with the cutting blade 172 is cut by the cutting blade 172 rotated while spraying cutting water, and a cutting groove having a predetermined depth is formed from the surface of the device De. The wafer W on which the cutting grooves are formed is moved to a cleaning / drying mechanism (not shown) and cleaned.

このように構成された切削装置１のチャックテーブル１５２にウェーハＷの裏面を吸着させ、撮像ユニット１８によりウェーハＷの表面を撮像させる。表面位置検出工程では、撮像画像からアライメントターゲットＡが検出（抽出）され、背圧センサ１９の検出ノズル１９１は、アライメントターゲットＡを基準にデバイスＤｅの上方に位置付けられる。切削装置１は、表面位置検出工程の前工程において、アライメントターゲットＡを基準とする任意のストリートＳ及びデバイスＤｅの座標が登録される。このため、制御部は、撮像画像から検出されたアライメントターゲットＡに基づいて、デバイスＤｅの上方に背圧センサ１９の検出ノズル１９１を位置付けることができる。デバイスＤｅの上方に検出ノズル１９１を位置付けた後には、背圧センサ１９によりデバイスＤｅの表面位置が検出される。 The back surface of the wafer W is attracted to the chuck table 152 of the cutting apparatus 1 configured as described above, and the surface of the wafer W is imaged by the imaging unit 18. In the surface position detection step, the alignment target A is detected (extracted) from the captured image, and the detection nozzle 191 of the back pressure sensor 19 is positioned above the device De with respect to the alignment target A. In the cutting device 1, the coordinates of an arbitrary street S and the device De with the alignment target A as a reference are registered in the previous step of the surface position detection step. For this reason, the control unit can position the detection nozzle 191 of the back pressure sensor 19 above the device De based on the alignment target A detected from the captured image. After the detection nozzle 191 is positioned above the device De, the surface position of the device De is detected by the back pressure sensor 19.

その後の切削溝形成工程において、制御部は、アライメントターゲットＡを基準にストリートＳに切削ブレードを位置付ける。そして、検出されたデバイスＤｅの表面位置から仕上げ厚み以上の深さの切削溝が形成されるように、切削ブレード１７２をウェーハＷの表面側に切り込ませる。切削溝を形成されたウェーハＷは、貼着工程において表面側に保護テープＴを貼着され、環状のフレームＦに支持された状態で研削装置２に搬送される（図２参照）。表面位置検出工程、切削溝形成工程、及び貼着工程の詳細については後述する。 In the subsequent cutting groove forming step, the control unit positions the cutting blade on the street S based on the alignment target A. Then, the cutting blade 172 is cut into the surface side of the wafer W so that a cutting groove having a depth equal to or greater than the finished thickness is formed from the detected surface position of the device De. The wafer W on which the cutting grooves are formed is transferred to the grinding device 2 in a state where the protective tape T is bonded to the front surface side and supported by the annular frame F in the bonding process (see FIG. 2). Details of the surface position detecting step, the cutting groove forming step, and the attaching step will be described later.

図２に示すように、研削工程に用いられる研削装置２は、ウェーハＷの保持されるチャックテーブル２３２と研削ユニット（研削手段）２４の研削ホイール２４４とを相対回転させることで、ウェーハＷを研削できるように構成されている。研削装置２は、略直方体状の基台２１を有している。基台２１の上面には、複数のチャックテーブル２３２（１個のみ図示）を有するターンテーブル２３が設けられている。ターンテーブル２３の後方には、研削ユニット２４を支持する壁部２２が立設されている。 As shown in FIG. 2, the grinding apparatus 2 used in the grinding process grinds the wafer W by relatively rotating a chuck table 232 on which the wafer W is held and a grinding wheel 244 of a grinding unit (grinding means) 24. It is configured to be able to. The grinding device 2 has a substantially rectangular parallelepiped base 21. A turntable 23 having a plurality of chuck tables 232 (only one is shown) is provided on the upper surface of the base 21. A wall portion 22 that supports the grinding unit 24 is erected on the rear side of the turntable 23.

ターンテーブル２３は大径の円板状に形成されており、上面には複数のチャックテーブル２３２が配置されている。また、ターンテーブル２３は、回転駆動機構（不図示）によって矢印Ｄ１の方向に所定角度間隔で間欠回転される。このため、複数のチャックテーブル２３２は、ウェーハＷが搬入搬出される載せ換え位置と研削ユニット２４に対峙する研削位置との間で移動される。 The turntable 23 is formed in a large-diameter disk shape, and a plurality of chuck tables 232 are disposed on the upper surface. Further, the turntable 23 is intermittently rotated at a predetermined angular interval in the direction of the arrow D1 by a rotation drive mechanism (not shown). For this reason, the plurality of chuck tables 232 are moved between a repositioning position where the wafer W is loaded and unloaded and a grinding position facing the grinding unit 24.

チャックテーブル２３２は、小径の円板状に形成されており、ターンテーブル２３の上面において回転可能に設けられている。チャックテーブル２３２の上面には、ポーラスセラミック材による吸着面が形成されている。チャックテーブル２３２の周囲には、環状のマグネット２３１が設けられている。ウェーハＷを支持するフレームＦは磁性体で形成されており、環状のマグネット２３１で吸着固定される。 The chuck table 232 is formed in the shape of a small-diameter disk and is rotatably provided on the upper surface of the turntable 23. An adsorption surface made of a porous ceramic material is formed on the upper surface of the chuck table 232. An annular magnet 231 is provided around the chuck table 232. The frame F that supports the wafer W is made of a magnetic material, and is attracted and fixed by an annular magnet 231.

基台２１の上面において、ターンテーブル２３の研削位置の近傍にはハイトゲージ２１１が設けられている。ハイトゲージ２１１は、ウェーハＷの上面に接触して厚みを測定する１本の接触子２１２を有している。ウェーハＷの厚みは、接触子２１２によりあらかじめ測定されるチャックテーブル２３２の表面位置を基準に測定される。ハイトゲージ２１２による測定値は、伝送路を介して研削装置２の制御部（不図示）に入力される。 On the upper surface of the base 21, a height gauge 211 is provided in the vicinity of the grinding position of the turntable 23. The height gauge 211 has a single contact 212 that contacts the upper surface of the wafer W and measures the thickness. The thickness of the wafer W is measured based on the surface position of the chuck table 232 measured in advance by the contact 212. A measurement value obtained by the height gauge 212 is input to a control unit (not shown) of the grinding apparatus 2 through a transmission path.

壁部２２には、研削ユニット２４を上下動させる研削ユニット移動機構２５が設けられている。研削ユニット移動機構２５は、壁部２２の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール２５１と、一対のガイドレール２５１にスライド可能に設置されたＺ軸テーブル２５２とを有している。Ｚ軸テーブル２５２の前面には、研削ユニット２４が支持されている。Ｚ軸テーブル２５２の背面には、壁部２２の開口２２１を介して後方に突出されたナット部が設けられている。Ｚ軸テーブル２５２のナット部には、壁部２２の裏面に設けられた不図示のボールネジが螺合されている。ボールネジの一端部には駆動モータ２５３が連結されており、ボールネジが回転駆動されることで研削ユニット２４はガイドレール２５１に沿ってＺ軸方向に移動される。 The wall portion 22 is provided with a grinding unit moving mechanism 25 that moves the grinding unit 24 up and down. The grinding unit moving mechanism 25 has a pair of guide rails 251 arranged in front of the wall portion 22 and parallel to the Z-axis direction, and a Z-axis table 252 slidably installed on the pair of guide rails 251. Yes. A grinding unit 24 is supported on the front surface of the Z-axis table 252. On the back surface of the Z-axis table 252, a nut portion that protrudes rearward through the opening 221 of the wall portion 22 is provided. A ball screw (not shown) provided on the back surface of the wall portion 22 is screwed into the nut portion of the Z-axis table 252. A drive motor 253 is connected to one end of the ball screw, and the grinding unit 24 is moved along the guide rail 251 in the Z-axis direction by rotating the ball screw.

研削ユニット２４は、円筒状のスピンドル２４１の下端にマウント２４２が設けられている。マウント２４２には、複数の研削砥石２４３の固定された研削ホイール２４４が装着されている。研削砥石２４３は、スピンドル２４１の駆動に伴ってＺ軸回りに高速回転される。回転された研削ホイール２４４とウェーハＷとが平行に接触されることで、ウェーハＷは研削される。 The grinding unit 24 is provided with a mount 242 at the lower end of a cylindrical spindle 241. A grinding wheel 244 to which a plurality of grinding wheels 243 are fixed is mounted on the mount 242. The grinding wheel 243 is rotated around the Z axis at a high speed as the spindle 241 is driven. The rotated grinding wheel 244 and the wafer W are contacted in parallel, whereby the wafer W is ground.

研削工程においては、研削装置２のチャックテーブル２３２に、保護テープＴを介してウェーハＷの表面側を吸着させ、ウェーハＷの裏面側を研削させる。切削溝形成工程において形成された切削溝が表出されるように裏面側を研削させれば、ウェーハＷは各チップに分割される。研削工程の詳細については後述する。 In the grinding process, the front surface side of the wafer W is attracted to the chuck table 232 of the grinding device 2 via the protective tape T, and the rear surface side of the wafer W is ground. If the back surface side is ground so that the cutting grooves formed in the cutting groove forming step are exposed, the wafer W is divided into chips. Details of the grinding process will be described later.

次に、図３から図６を参照して、本実施の形態の分割方法の詳細を説明する。図３は、本実施の形態の分割方法を示すフローチャートである。本実施の形態の分割方法を開始する前に、アライメントターゲットＡを基準（基準座標）とするストリートＳ及びデバイスＤｅの位置情報（座標）を切削装置１に登録しておく。この登録工程により、切削装置１には、アライメントターゲットＡとストリートＳとの位置関係と共に、アライメントターゲットＡとデバイスＤｅとの位置関係が設定される。切削装置１は、撮像画像からアライメントターゲットＡの位置を特定することで、ストリートＳ及びデバイスＤｅの位置を認識できる。 Next, the details of the dividing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a flowchart showing the division method according to the present embodiment. Before starting the dividing method of the present embodiment, the street S and the position information (coordinates) of the device De using the alignment target A as a reference (reference coordinates) are registered in the cutting apparatus 1. By this registration process, the positional relationship between the alignment target A and the device De is set in the cutting apparatus 1 together with the positional relationship between the alignment target A and the street S. The cutting apparatus 1 can recognize the positions of the street S and the device De by specifying the position of the alignment target A from the captured image.

上述の登録が完了された状態で、表面位置検出工程（ステップＳＴ１）が開始される。図４は、表面位置検出工程においてデバイスＤｅの表面位置（表面Ｄｅ１の位置（高さ））が検出される様子を示す断面模式図である。図４Ａに示すように、まず、チャックテーブル１５２にウェーハＷの裏面Ｗ２を吸着させ、撮像ユニット１８によりウェーハＷの表面Ｗ１側を撮像させる。切削装置１の制御部は、撮像画像のパターンマッチングによりアライメントターゲットＡを検出し、検出されたアライメントターゲットＡの位置を基準座標として設定する。 In the state where the above registration is completed, the surface position detection step (step ST1) is started. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing how the surface position of the device De (position (height) of the surface De1) is detected in the surface position detection step. As shown in FIG. 4A, first, the back surface W2 of the wafer W is attracted to the chuck table 152, and the imaging unit 18 images the front surface W1 side of the wafer W. The control unit of the cutting apparatus 1 detects the alignment target A by pattern matching of the captured image, and sets the detected position of the alignment target A as reference coordinates.

その後、図４Ｂに示すように、切削装置１の制御部は、あらかじめ登録されているデバイスＤｅの位置情報を参照して背圧センサ１９の検出ノズル１９１をデバイスＤｅの上方に位置付ける。すなわち制御部は、アライメントターゲットＡを基準としてデバイスＤｅの座標に検出ノズル１９１を相対移動させる。この相対移動は、Ｘ軸移動機構、Ｙ軸移動機構１６１、及びチャックテーブル１５２の回転機構により行われる（図１参照）。 Thereafter, as illustrated in FIG. 4B, the control unit of the cutting apparatus 1 refers to the position information of the device De registered in advance, and positions the detection nozzle 191 of the back pressure sensor 19 above the device De. That is, the control unit relatively moves the detection nozzle 191 to the coordinates of the device De with the alignment target A as a reference. This relative movement is performed by the X-axis movement mechanism, the Y-axis movement mechanism 161, and the rotation mechanism of the chuck table 152 (see FIG. 1).

検出ノズル１９１がデバイスＤｅの上方に位置付けられると、検出ノズル１９１からデバイスＤｅの表面Ｄｅ１に向けて圧縮されたエアが吹き付けられる。そうすると、デバイスＤｅの表面Ｄｅ１でエアは反射され、背圧センサ１９の内部の圧力は変化される。この圧力変化は、検出ノズル１９１の下端１９１ａからデバイスＤｅの表面Ｄｅ１までの距離ｄ１に依存するので、背圧センサ１９の内部の圧力変化を検出すれば距離ｄ１を算出できる。 When the detection nozzle 191 is positioned above the device De, compressed air is blown from the detection nozzle 191 toward the surface De1 of the device De. Then, air is reflected by the surface De1 of the device De, and the pressure inside the back pressure sensor 19 is changed. Since this pressure change depends on the distance d1 from the lower end 191a of the detection nozzle 191 to the surface De1 of the device De, the distance d1 can be calculated by detecting the pressure change inside the back pressure sensor 19.

検出ノズル１９１の高さは、Ｚ軸移動機構１６５により高精度に制御されており、検出ノズル１９１のＺ軸方向（高さ方向）への移動量は、Ｚ軸移動機構１６５のＺ軸パルスモータ１６８に入力される入力パルス数で決定される。このため、例えば、チャックテーブル１５２の吸着面（表面）１５３を基準としてＺ軸方向の移動に要するパルス数をカウントしておけば、検出ノズル１９１の下端１９１ａからチャックテーブル１５２の吸着面１５３までの距離ｄ２を算出できる。 The height of the detection nozzle 191 is controlled with high accuracy by the Z-axis movement mechanism 165, and the amount of movement of the detection nozzle 191 in the Z-axis direction (height direction) is the Z-axis pulse motor of the Z-axis movement mechanism 165. It is determined by the number of input pulses input to 168. For this reason, for example, if the number of pulses required for movement in the Z-axis direction is counted based on the suction surface (front surface) 153 of the chuck table 152, the lower end 191a of the detection nozzle 191 to the suction surface 153 of the chuck table 152 is used. The distance d2 can be calculated.

チャックテーブル１５２の吸着面１５３からデバイスＤｅの表面Ｄｅ１までの距離ｄ３は、距離ｄ２と距離ｄ１との差（ｄ２−ｄ１）に相当する。このため、上述のようにして距離ｄ１と距離ｄ２とを算出すれば、デバイスＤｅの表面位置（表面Ｄｅ１の位置（高さ））を求めることができる。デバイスＤｅの表面位置が分かれば、チップの仕上げ厚みｔに相当する深さ位置（高さ）も正確に求められるので、後の切削溝形成工程において適切な深さの切削溝を形成可能になる。 The distance d3 from the suction surface 153 of the chuck table 152 to the surface De1 of the device De corresponds to the difference (d2−d1) between the distance d2 and the distance d1. For this reason, if the distance d1 and the distance d2 are calculated as described above, the surface position of the device De (position (height) of the surface De1) can be obtained. If the surface position of the device De is known, the depth position (height) corresponding to the finished thickness t of the chip can also be accurately obtained, so that a cutting groove having an appropriate depth can be formed in the subsequent cutting groove forming step. .

デバイスＤｅの表面位置が検出された後には、別のデバイスＤｅについても同様にして表面位置を検出する。検出対象となる全てのデバイスＤｅの表面位置が検出されると、表面位置検出工程は終了する。なお、表面位置の検出対象となるデバイスＤｅの数量や位置は特に限定されない。表面位置の検出対象となるデバイスＤｅは、後の切削溝形成工程における切削溝の深さ精度や、表面位置検出工程に要する時間などを考慮して適切に選択すれば良い。例えば、任意に選択された複数のデバイスＤｅの表面位置のばらつきが閾値より大きくなる場合には、表面位置の測定数を増やして詳細な表面位置の情報を取得するようにしても良い。もちろん、全てのデバイスＤｅの表面位置を検出しても構わない。 After the surface position of the device De is detected, the surface position of another device De is similarly detected. When the surface positions of all the devices De to be detected are detected, the surface position detection process ends. Note that the quantity and position of the device De that is the detection target of the surface position are not particularly limited. The device De that is the detection target of the surface position may be appropriately selected in consideration of the depth accuracy of the cutting groove in the subsequent cutting groove forming process, the time required for the surface position detection process, and the like. For example, when the variation in the surface position of a plurality of devices De arbitrarily selected is larger than a threshold value, detailed surface position information may be acquired by increasing the number of surface position measurements. Of course, the surface positions of all devices De may be detected.

このように取得された複数のデバイスＤｅの表面位置をマッピングすれば、表面位置のばらつきの傾向を予測できる。この予測に基づいて切削溝の深さを決定すれば、デバイスＤｅの表面位置から所定深さ（例えば、略等しい深さ）の切削溝を容易に実現できる。なお、取得された表面位置に関する情報の使用方法は任意であり、マッピングによる表面位置の予測には限られない。 If the surface positions of the plurality of devices De acquired in this way are mapped, the tendency of variations in the surface positions can be predicted. If the depth of the cutting groove is determined based on this prediction, a cutting groove having a predetermined depth (for example, substantially equal depth) can be easily realized from the surface position of the device De. In addition, the usage method of the information regarding the acquired surface position is arbitrary, and is not restricted to the prediction of the surface position by mapping.

続いて、切削溝形成工程（ステップＳＴ２）が行われる。図５は、切削溝形成工程においてウェーハＷに切削溝Ｄが形成される様子を示す断面模式図である。切削装置１の制御部は、あらかじめ登録されているストリートＳの位置情報を参照して、切削手段１７の切削ブレード１７２をストリートＳに位置合わせする。すなわち制御部は、アライメントターゲットＡを基準としてストリートＳの座標に切削ブレード１７２を相対移動させる。この相対移動は、Ｘ軸移動機構、Ｙ軸移動機構１６１、及びチャックテーブル１５２の回転機構により行われる（図１参照）。 Subsequently, a cutting groove forming step (step ST2) is performed. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing how the cutting groove D is formed on the wafer W in the cutting groove forming step. The control unit of the cutting apparatus 1 refers to the position information of the street S registered in advance, and aligns the cutting blade 172 of the cutting means 17 with the street S. That is, the control unit relatively moves the cutting blade 172 to the coordinates of the street S with the alignment target A as a reference. This relative movement is performed by the X-axis movement mechanism, the Y-axis movement mechanism 161, and the rotation mechanism of the chuck table 152 (see FIG. 1).

位置合わせ後には、図５Ａに示すように切削手段１７を下降させ、回転された切削ブレード１７２をウェーハＷの表面Ｗ１から切り込ませる。ここで、切削ブレード１７２の切り込み深さは、表面位置検出工程で検出されたデバイスＤｅの表面位置に基づいて決定される。具体的には、形成される切削溝Ｄが、デバイスＤｅの表面Ｄｅ１からチップの仕上げ厚みｔより僅かに深くなるように、切削ブレード１７２の切り込み深さは調整される。すなわち、デバイスＤｅの表面Ｄｅ１から略等しい深さの切削溝Ｄが形成される。 After the alignment, the cutting means 17 is lowered as shown in FIG. 5A, and the rotated cutting blade 172 is cut from the surface W1 of the wafer W. Here, the cutting depth of the cutting blade 172 is determined based on the surface position of the device De detected in the surface position detection step. Specifically, the cutting depth of the cutting blade 172 is adjusted such that the formed cutting groove D is slightly deeper than the finished thickness t of the chip from the surface De1 of the device De. That is, the cutting groove D having substantially the same depth is formed from the surface De1 of the device De.

切削ブレード１７２をウェーハＷに切り込ませた後には、Ｘ軸移動機構でチャックテーブル１５２をＸ軸方向に加工送りさせる。これにより、ストリートＳに沿う第１の方向に切削溝Ｄが形成される。続いて、切削ブレード１７２はＹ軸方向に割出送りされ、隣接するストリートＳに沿って切削溝Ｄが形成される。この動作が繰り返されることで、図５Ｂに示すように、第１の方向に延びる全てのストリートＳに切削溝Ｄが形成される。その後、回転機構でチャックテーブル１５２を９０度回転させ、第１の方向と直交する第２の方向のストリートＳに切削溝Ｄを形成する。全てのストリートＳに切削溝Ｄが形成されると、切削溝形成工程は終了する。 After the cutting blade 172 is cut into the wafer W, the chuck table 152 is processed and fed in the X-axis direction by the X-axis moving mechanism. Thereby, the cutting groove D is formed in the first direction along the street S. Subsequently, the cutting blade 172 is indexed in the Y-axis direction, and a cutting groove D is formed along the adjacent street S. By repeating this operation, as shown in FIG. 5B, cutting grooves D are formed in all the streets S extending in the first direction. Thereafter, the chuck table 152 is rotated 90 degrees by the rotation mechanism, and the cutting groove D is formed in the street S in the second direction orthogonal to the first direction. When the cutting grooves D are formed in all the streets S, the cutting groove forming process is finished.

切削溝形成工程の次に、貼着工程（ステップＳＴ３）が行われる。貼着工程では、既知の貼着装置（不図示）を用いてウェーハＷの表面Ｗ１側（デバイスＤｅの表面Ｄｅ１）に保護テープＴを貼着させる（図６参照）。この保護テープＴによりデバイスＤｅの表面Ｄｅ１は保護されるので、後の研削工程においてデバイスＤｅの破損を抑制できる。ウェーハＷの表面Ｗ１側に保護テープＴが貼着されると、貼着工程は終了する。 Following the cutting groove forming step, an attaching step (step ST3) is performed. In the attaching step, the protective tape T is attached to the surface W1 side of the wafer W (the surface De1 of the device De) using a known attaching device (not shown) (see FIG. 6). Since the surface De1 of the device De is protected by the protective tape T, damage to the device De can be suppressed in the subsequent grinding process. When the protective tape T is attached to the surface W1 side of the wafer W, the attaching process is completed.

貼着工程の後には、研削装置２を用いて研削工程（ステップＳＴ４）を行う。研削工程では、切削溝Ｄが表出されるようにウェーハＷの裏面Ｗ２側を研削し、ウェーハＷを各チップに分離する。図６は、研削工程においてウェーハＷの裏面Ｗ２側が研削される様子を示す断面模式図である。 After the sticking step, the grinding step (step ST4) is performed using the grinding device 2. In the grinding process, the back surface W2 side of the wafer W is ground so that the cutting grooves D are exposed, and the wafer W is separated into chips. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a state where the back surface W2 side of the wafer W is ground in the grinding process.

まず、保護テープＴを介してウェーハＷの表面Ｗ１側（デバイスＤｅの表面Ｄｅ１）をチャックテーブル２３２に吸着させ、チャックテーブル２３２を研削位置に移動させる。研削位置では、ウェーハＷの裏面Ｗ２の一部にハイトゲージ２１１の接触子２１２が接触され、ウェーハＷの厚みが測定される。図６Ａに示すように、研削ホイール２４４を高速回転させてウェーハＷの裏面Ｗ２に研削砥石２４３を押し当てれば、ウェーハＷの裏面Ｗ２側は研削される。 First, the surface W1 side of the wafer W (the surface De1 of the device De) is attracted to the chuck table 232 via the protective tape T, and the chuck table 232 is moved to the grinding position. At the grinding position, the contact 212 of the height gauge 211 is brought into contact with a part of the back surface W2 of the wafer W, and the thickness of the wafer W is measured. As shown in FIG. 6A, when the grinding wheel 244 is rotated at a high speed and the grinding wheel 243 is pressed against the back surface W2 of the wafer W, the back surface W2 side of the wafer W is ground.

この研削工程では、砥粒径の大きい（砥粒の粗い）研削砥石を用いる粗研削の後に、砥粒径の小さい（砥粒の細かい）研削砥石を用いる仕上げ研削が行われる。すなわち、ウェーハＷは、粗研削により仕上げ厚みｔの手前まで研削された後に、仕上げ研削で仕上げ厚みｔまで研削される。ウェーハＷの厚みはハイトゲージ２１１によりリアルタイムにモニタされており、図６ＢのようにウェーハＷが仕上げ厚みｔまで研削されると、ウェーハ研削工程は終了する。ウェーハＷは、切削溝形成工程において、チップの仕上げ厚みｔより深い切削溝Ｄを形成されているので、仕上げ厚みｔまで研削されると切削溝Ｄが表出されて各チップＣに分離される。 In this grinding process, after rough grinding using a grinding wheel having a large abrasive particle diameter (coarse abrasive grains), finish grinding using a grinding wheel having a small abrasive grain diameter (fine abrasive grains) is performed. That is, the wafer W is ground to a level before the finish thickness t by rough grinding and then ground to the finish thickness t by finish grinding. The thickness of the wafer W is monitored in real time by the height gauge 211. When the wafer W is ground to the finished thickness t as shown in FIG. 6B, the wafer grinding process is completed. Since the wafer W is formed with the cutting groove D deeper than the finished thickness t of the chip in the cutting groove forming step, the cutting groove D is exposed and separated into the chips C when the wafer W is ground to the finished thickness t. .

図７は、本実施の形態の分割方法の効果を説明するための模式図である。図７Ａは、本実施の形態の分割方法で切削溝Ｄを形成されたウェーハＷが研削される様子を示しており、図７Ｂは、通常のＤＢＧプロセスで切削溝３０６を形成されたウェーハ３００が研削される様子を示している。なお、図７においては、便宜上、デバイスの表面位置のばらつきは誇張して示されている。 FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the effect of the division method of the present embodiment. FIG. 7A shows a state in which the wafer W on which the cutting groove D is formed by the dividing method of the present embodiment is ground, and FIG. 7B shows that the wafer 300 on which the cutting groove 306 is formed by a normal DBG process. A state of being ground is shown. In FIG. 7, for convenience, variations in the surface position of the device are exaggerated.

図７Ａの上段に示すように、本実施の形態の分割方法では、例えば、デバイスＤｅの表面Ｄｅ１からの深さｄａが略一定になるように切削溝Ｄを形成できる。このため、ウェーハＷに欠けが生じないように（切削溝Ｄが表出されない程度に）粗研削を行うと、図７Ａの下段のように粗研削後の裏面Ｗ３と切削溝Ｄとの距離は略一定になる。これに対し、通常のＤＢＧプロセスで形成される切削溝３０６は、図７Ｂの上段に示すように、ウェーハ３００の表面３０１からの深さｄｂが略一定である。このため、ウェーハ３００に欠けが生じないように（切削溝３０６が表出されない程度に）粗研削を行うと、粗研削後の裏面３０２と切削溝３０６との距離は切削溝３０６毎に異なる。 As shown in the upper part of FIG. 7A, in the dividing method of the present embodiment, for example, the cutting groove D can be formed such that the depth da from the surface De1 of the device De is substantially constant. Therefore, when rough grinding is performed so that the wafer W is not chipped (to the extent that the cutting groove D is not exposed), the distance between the back surface W3 after the rough grinding and the cutting groove D is as shown in the lower part of FIG. 7A. It becomes almost constant. On the other hand, the depth db from the surface 301 of the wafer 300 is substantially constant in the cutting groove 306 formed by the normal DBG process, as shown in the upper part of FIG. 7B. For this reason, when rough grinding is performed so that the wafer 300 is not chipped (to the extent that the cutting groove 306 is not exposed), the distance between the back surface 302 and the cutting groove 306 after the rough grinding differs for each cutting groove 306.

このように、通常のＤＢＧプロセスでは、最も深い切削溝３０６が表出されないように粗研削の研削量を抑制する必要があるので、仕上げ研削の研削厚み（研削量）ｔ２は大きくなってしまう。これに対し、本実施の形態の分割方法では、デバイスＤｅの表面Ｄｅ１からの切削溝Ｄの深さを略一定にできるので、粗研削の研削量を十分に大きくできる。その結果、仕上げ研削の研削厚み（研削量）ｔ１を小さくできるので、研削に要する時間が短縮されてスループットが向上する。 As described above, in the normal DBG process, it is necessary to suppress the grinding amount of the rough grinding so that the deepest cutting groove 306 is not exposed, so that the grinding thickness (grinding amount) t2 of the finish grinding becomes large. On the other hand, in the dividing method of the present embodiment, the depth of the cutting groove D from the surface De1 of the device De can be made substantially constant, so that the amount of rough grinding can be sufficiently increased. As a result, since the grinding thickness (grinding amount) t1 of finish grinding can be reduced, the time required for grinding is shortened and the throughput is improved.

このように、本実施の形態に係る分割方法では、デバイスＤｅの上方に背圧センサ（非接触式位置検出センサ）１９を位置付け、デバイスＤｅの表面位置（表面Ｄｅ１の位置）を背圧センサ１９で検出するので、デバイスＤｅの表面位置に応じた深さの切削溝Ｄを形成して、所望の仕上げ厚みｔのチップに効率良く分割できる。また、ストリート（分割予定ライン）Ｓを検出するためのアライメントターゲットＡを基準にデバイスＤｅの上方に背圧センサ１９を位置付けるので、デバイスＤｅとの位置合わせに用いるターゲットを形成することなく背圧センサ１９をデバイスＤｅの上方に正確に位置付けることができる。 As described above, in the dividing method according to the present embodiment, the back pressure sensor (non-contact type position detection sensor) 19 is positioned above the device De, and the surface position of the device De (position of the surface De1) is set to the back pressure sensor 19. Therefore, the cutting groove D having a depth corresponding to the surface position of the device De can be formed and efficiently divided into chips having a desired finishing thickness t. Further, since the back pressure sensor 19 is positioned above the device De with reference to the alignment target A for detecting the street (division planned line) S, the back pressure sensor 19 is formed without forming a target used for alignment with the device De. 19 can be accurately positioned above the device De.

なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、非接触式位置センサとして背圧センサを用いているが、非接触式位置センサの種類などはこれに限定されない。例えば、非接触式位置センサとして、レーザー測定器を用いても良い。また、非接触式位置センサを、撮像ユニットの顕微鏡のオートフォーカス機能で代用してデバイスの表面位置を検出させても良い。 In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the above embodiment, a back pressure sensor is used as the non-contact position sensor, but the type of the non-contact position sensor is not limited to this. For example, a laser measuring device may be used as the non-contact position sensor. Further, the surface position of the device may be detected by substituting the non-contact type position sensor with the autofocus function of the microscope of the imaging unit.

また、上記実施の形態では、４個のアライメントターゲットＡが略均等に配置されたウェーハＷを用いているが、アライメントターゲットＡの数や配置はこれに限られない。ストリートに対する平行出しを適切に行うためには、少なくとも２個のアライメントターゲットが配置されていれば良い。また、ウェーハやデバイスの材質等についても特に限定されない。 Moreover, in the said embodiment, although the wafer W by which the four alignment targets A are arrange | positioned substantially equally is used, the number and arrangement | positioning of the alignment target A are not restricted to this. In order to appropriately perform parallel to the street, it is sufficient that at least two alignment targets are arranged. Further, the material of the wafer or device is not particularly limited.

また、上記実施の形態の表面位置検出工程及び切削溝形成工程では、ウェーハの裏面にテープ（ダイシングテープ）を貼着させていないが、テープの厚みばらつきが表面位置検出工程及び切削溝形成工程において問題とならないのであれば、裏面にテープを貼着させても良い。この場合には、裏面に貼着されるテープを介してウェーハを環状のフレームに保持させることが望ましい。 Moreover, in the surface position detection process and the cutting groove formation process of the above embodiment, tape (dicing tape) is not attached to the back surface of the wafer, but the thickness variation of the tape is not detected in the surface position detection process and the cutting groove formation process. If it does not matter, tape may be attached to the back. In this case, it is desirable to hold the wafer on the annular frame via a tape attached to the back surface.

また、切削溝形成工程で形成される切削溝の深さは切削溝毎に変えても良い。さらに、切削溝の深さを１本の切削溝内で変えるようにしても良い。また、ウェーハＷの表面を複数の領域に区分して、各領域に応じて切削溝の深さを変えるようにしても良い。 Moreover, you may change the depth of the cutting groove formed at a cutting groove formation process for every cutting groove. Furthermore, the depth of the cutting groove may be changed within one cutting groove. Further, the surface of the wafer W may be divided into a plurality of regions, and the depth of the cutting groove may be changed according to each region.

その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments can be changed as appropriate without departing from the scope of the object of the present invention.

本発明は、所定厚みのデバイスを表面に備えるウェーハを所望の仕上げ厚みのチップに分割する際に有用である。 The present invention is useful when a wafer having a device having a predetermined thickness on the surface is divided into chips having a desired finished thickness.

１切削装置
２研削装置
１７切削手段
１８撮像ユニット
１９背圧センサ（非接触式位置検出センサ）
２４研削ユニット（研削手段）
１５２チャックテーブル
１５３吸着面
１７２切削ブレード
１９１検出ノズル
１９１ａ下端
２１１ハイトゲージ
２１２接触子
２３２チャックテーブル
２４３研削砥石
２４４研削ホイール
Ａアライメントターゲット
Ｃチップ
Ｄ切削溝
Ｄｅデバイス
Ｄｅ１表面
Ｆフレーム
Ｓストリート（分割予定ライン）
Ｔ保護テープ
Ｗウェーハ
Ｗ１表面
Ｗ２，Ｗ３裏面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cutting device 2 Grinding device 17 Cutting means 18 Imaging unit 19 Back pressure sensor (non-contact type position detection sensor)
24 Grinding unit (grinding means)
152 chuck table 153 suction surface 172 cutting blade 191 detection nozzle 191a lower end 211 height gauge 212 contact 232 chuck table 243 grinding wheel 244 grinding wheel A alignment target C chip D cutting groove De device De1 surface F frame S street (division planned line)
T Protective tape W Wafer W1 Front W2, W3 Back

Claims

A wafer in which a plurality of division lines are formed in a lattice shape on the surface and a device having a surface position higher than the division lines is formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of division lines. A dividing method for dividing chips from a surface position into chips having a desired finishing thickness,
An alignment target, which is a characteristic area formed on the wafer surface, is detected, a non-contact position detection sensor is positioned above the device based on the alignment target position, and the surface position of the device is detected by a non-contact position detection sensor. A surface position detection step to detect;
After the surface position detection step, the division line is detected on the basis of the position of the alignment target, a cutting blade is positioned on the detected division line, and the surface of the device detected in the surface position detection step A cutting groove forming step for cutting the groove from the position to a depth deeper than the chip finish thickness, and forming a cutting groove along the planned dividing line so that the depth from the surface of the device becomes substantially constant ,
After the cutting groove forming step, an attaching step of attaching a protective tape to the front surface side of the wafer,
After the adhering step, the protective tape side is held on a holding table, ground from the back surface of the wafer by a grinding means and thinned to the chip finish thickness, and the cutting grooves are exposed on the back surface, and the wafers are individually separated. And a grinding process for dividing the chip into chips.