JP2018161733A - Method for processing wafer - Google Patents

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泉季 石川
Senki Ishikawa
泉季 石川
成規 原田
Shigenori Harada
成規 原田
逸人 木内
Itsuto Kiuchi
逸人 木内
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To determine a quality of edge trimming at an early stage.SOLUTION: A method for processing a wafer by which an outer peripheral edge of the wafer having a chamfered portion on an outer periphery thereof is cut from a front side thereof. This method comprises: an outer peripheral edge position detection step at which the outer peripheral edge of the wafer is imaged by a camera, and a position of the outer peripheral edge of the wafer is detected; a processing step at which a cutting blade is cut in the outer peripheral edge from the front side thereof; an edge position detection step at which a cut annular region is imaged, and a position of an edge of a newly formed surface of the wafer is detected; a cut width calculation step at which a width of the annular region is calculated from the detected position of the outer peripheral edge of the wafer and the position of the edge of the surface of the wafer; a calculation step at which the surface of the wafer and a step part formed on a bottom of the annular region are respectively imaged by the camera, and a cut depth of the cutting blade is calculated; and a determination step at which whether or not respectively calculated values fall within a previously registered allowable range.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method.

半導体でなるウェーハの表面は、格子状に配列された複数の分割予定ラインで区画され、区画された各領域にはIC等のデバイスが形成される。該ウェーハが最終的に該分割予定ラインに沿って分割されると個々のデバイスチップが形成される。   The surface of the wafer made of a semiconductor is partitioned by a plurality of division lines arranged in a lattice pattern, and a device such as an IC is formed in each partitioned region. When the wafer is finally divided along the division lines, individual device chips are formed.

近年、電子機器の小型化・薄型化に伴い、該電子機器に搭載されるデバイスチップに対しても小型化・薄型化への要求が高まっている。薄化されたデバイスチップを形成するには、例えば、表面に複数のデバイスが形成された該ウェーハの裏面を研削して該ウェーハを所定の厚みに薄化し、その後、該分割予定ラインに沿って該ウェーハを分割する。   In recent years, with the downsizing and thinning of electronic devices, there is an increasing demand for downsizing and thinning of device chips mounted on the electronic devices. In order to form a thinned device chip, for example, the back surface of the wafer having a plurality of devices formed on the front surface is ground to thin the wafer to a predetermined thickness, and then, along the planned dividing line. The wafer is divided.

ところで、ウェーハの割れや発塵を防ぐためにウェーハの外周縁には面取り加工がなされる。そして、該ウェーハの外周に断面形状が円弧状となる面取り部が形成される。外周に該面取り部が形成されたこのようなウェーハを用いて薄化されたデバイスチップを形成する場合、該ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化することになる。   By the way, chamfering is performed on the outer peripheral edge of the wafer in order to prevent cracking and dust generation of the wafer. A chamfered portion having a circular cross section is formed on the outer periphery of the wafer. When forming a thinned device chip using such a wafer having the chamfered portion formed on the outer periphery, the back surface of the wafer is ground to thin the wafer.

しかし、外周に面取り部が形成されたウェーハを薄化すると、該ウェーハの外周において断面形状がナイフエッジの如く鋭利に尖る。すると、ウェーハの外周から欠けやクラックが生じやすくなり、ウェーハが破損しやすくなるとの問題が生じる。特に、クラック等の損傷がデバイスに達するとデバイスが損傷してデバイスチップが不良となる。   However, when a wafer having a chamfered portion formed on the outer periphery is thinned, the cross-sectional shape is sharpened like a knife edge on the outer periphery of the wafer. Then, chipping and cracking are likely to occur from the outer periphery of the wafer, which causes a problem that the wafer is easily damaged. In particular, when damage such as cracks reaches the device, the device is damaged and the device chip becomes defective.

そこで、研削加工を実施する前にウェーハの外周縁を切削するエッジトリミングと呼ばれる技術が提案されている。エッジトリミングにより該面取り部を予め部分的に除去すると、ウェーハを裏面から研削してもウェーハの外周が尖らない。そのため、研削加工においてウェーハの外周縁に発生する損傷の数を低減できる。   Therefore, a technique called edge trimming has been proposed in which the outer peripheral edge of the wafer is cut before grinding. When the chamfered portion is partially removed in advance by edge trimming, the outer periphery of the wafer is not sharpened even if the wafer is ground from the back surface. Therefore, it is possible to reduce the number of damages that occur on the outer peripheral edge of the wafer during grinding.

エッジトリミングには、円環状の切り刃を備える切削ブレードが用いられる。該円環状の切り刃は、例えば、砥粒が分散された結合材を焼結して形成される。エッジトリミングの際には、該切削ブレードを該ウェーハに垂直な面内で回転させ、回転する該切削ブレードを該ウェーハの外周縁付近に切り込ませる(特許文献1参照)。エッジトリミングでは、ウェーハの外周縁を含む所定の幅を有する環状領域を所定の深さまで切削するが、誤差等が生じて期待されるような切削加工が実施されない場合がある。   A cutting blade having an annular cutting blade is used for edge trimming. The annular cutting blade is formed, for example, by sintering a binder in which abrasive grains are dispersed. In edge trimming, the cutting blade is rotated in a plane perpendicular to the wafer, and the rotating cutting blade is cut in the vicinity of the outer peripheral edge of the wafer (see Patent Document 1). In edge trimming, an annular region having a predetermined width including the outer peripheral edge of a wafer is cut to a predetermined depth, but an error or the like may occur and cutting as expected may not be performed.

例えば、ウェーハの外周縁から所定の幅を超えた幅の環状領域が切削されると、ウェーハの表面に形成されたデバイスが切削されて、該デバイスに損傷が生じる場合がある。また、誤差等により切削ブレードが所定の深さにまで到達せず、最終的にウェーハを研削して薄化したときにウェーハの外周に大きな欠けや段差等が発生する場合がある。そのため、エッジトリミングが実施される領域や実施状況等は十分に管理される必要がある。   For example, when an annular region having a width exceeding a predetermined width is cut from the outer peripheral edge of the wafer, a device formed on the surface of the wafer may be cut to cause damage to the device. Also, the cutting blade may not reach a predetermined depth due to an error or the like, and when the wafer is finally ground and thinned, a large chip or a step may be generated on the outer periphery of the wafer. Therefore, it is necessary to sufficiently manage the area where the edge trimming is performed, the implementation status, and the like.

エッジトリミングの実施状況等を管理するには、エッジトリミングが実施されたウェーハについて、切削された領域の幅や、切削された深さ(以下、切削深さ)を測定する必要がある。従来は、エッジトリミングが完了したウェーハを切削装置から取り出した後に測定を実施していた。   In order to manage the state of execution of edge trimming, it is necessary to measure the width of the cut region and the depth of cutting (hereinafter referred to as cutting depth) for the wafer subjected to edge trimming. Conventionally, measurement is performed after a wafer having been subjected to edge trimming is taken out from the cutting apparatus.

特開2006−93333号公報JP 2006-93333 A

エッジトリミングが実施されてからウェーハを切削装置から取り出すまでの間に切削装置の内部では該ウェーハが洗浄される。そのため、エッジトリミングが実施されてから切削装置の外部で該測定を実施するまでの間に工数がかかる。   The wafer is cleaned inside the cutting apparatus after the edge trimming is performed and before the wafer is taken out of the cutting apparatus. For this reason, it takes man-hours from the time when edge trimming is performed to the time when the measurement is performed outside the cutting apparatus.

すると、加工の状況に異常が生じてエッジトリミングが許容される内容ではなくなる場合でも、それが判明するまでの間に次々に後続のウェーハに対して同様に許容されない内容のエッジトリミングが実施されてしまう。そのため、異常が発生してから該異常が確認されるまでの間に、不良のウェーハが次々に製造され続けて、ウェーハが無駄となる。   Then, even if an abnormality occurs in the processing situation and the content that does not allow the edge trimming is not allowed, edge trimming of the content that is not allowed is performed on the subsequent wafers one after another until it becomes clear. End up. Therefore, defective wafers continue to be manufactured one after another between the occurrence of the abnormality and the confirmation of the abnormality, and the wafer is wasted.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、エッジトリミングにおいて切削された領域の幅及び切り込み深さを算出して、エッジトリミングの良否を早期に判定できるウェーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to calculate a width and a cutting depth of a region cut in edge trimming, and determine whether or not the edge trimming is good at an early stage. It is to provide a processing method.

本発明の一態様によると、ウェーハを保持する保持面を有し該保持面に垂直な軸の周りに回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを切削する切削ブレードが装着される切削ユニットと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを撮像するカメラを有する該撮像ユニットと、を備える切削装置を用いて、デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周に面取り部を有するウェーハの外周縁を表面側から切削するウェーハの加工方法であって、該表面を露出させてウェーハを該チャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの外周縁を該カメラで撮像して、外周縁上の3以上の点について該保持面と平行な面における座標を取得し、取得された該座標からウェーハの外周縁の位置を検出する外周縁位置検出ステップと、該ウェーハの薄化による仕上がり厚さ以上の深さで該外周縁に該表面側から切削ブレードを切り込ませつつ、該チャックテーブルを該軸の周りに1回転以上回転させてウェーハの外周縁を含む環状領域を切削することで、該切削された該環状領域の底部に段差部を形成するとともに該環状領域の内周に沿って新たに該ウェーハの表面の縁を形成する加工ステップと、該加工ステップにおいて切削された該環状領域を該ウェーハの表面側から撮像して、該ウェーハの表面の縁上の3以上の点について該保持面と平行な面における座標を取得し、取得された該座標から該ウェーハの表面の縁の位置を検出する縁位置検出ステップと、検出された該ウェーハの該外周縁の位置と、該ウェーハの表面の縁の位置と、から、該加工ステップで切削された該環状領域の幅を算出する切削幅算出ステップと、該ウェーハの表面と、該加工ステップで該環状領域の底部に形成された段差部と、をそれぞれ該カメラで撮像し、該表面に焦点が合うときの該カメラの高さと、該段差部に焦点が合うときの該カメラの高さと、の差から該切削ブレードの切り込み深さを算出する切り込み深さ算出ステップと、該切削幅算出ステップと、該切り込み深さ算出ステップと、でそれぞれ算出された値が予め登録された許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップと、判定ステップにおける判定結果をオペレータに対して報知する報知ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a wafer and rotatable about an axis perpendicular to the holding surface, and a cutting blade for cutting the wafer held on the chuck table are mounted. A device region in which a device is formed, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region using a cutting apparatus comprising: a cutting unit comprising: a cutting unit comprising: a cutting unit comprising: a cutting unit including: A wafer processing method in which the outer peripheral edge of a wafer having a chamfered portion on the outer periphery is cut from the surface side, the holding step for exposing the surface and holding the wafer by the chuck table, and the chuck table The outer periphery of the wafer held on the surface is imaged by the camera, and three or more points on the outer periphery are parallel to the holding surface. An outer periphery position detecting step for detecting a position of the outer periphery of the wafer from the acquired coordinates, and a depth greater than a finished thickness due to the thinning of the wafer from the surface side to the outer periphery. While cutting the cutting blade, the chuck table is rotated around the axis one or more times to cut the annular region including the outer peripheral edge of the wafer, so that a stepped portion is formed at the bottom of the cut annular region. A processing step of forming a new edge of the surface of the wafer along the inner periphery of the annular region, and imaging the annular region cut in the processing step from the surface side of the wafer, An edge position detecting step of acquiring coordinates in a plane parallel to the holding surface for three or more points on the edge of the surface of the wafer, and detecting a position of the edge of the surface of the wafer from the acquired coordinates; A cutting width calculating step for calculating the width of the annular region cut in the processing step from the position of the outer peripheral edge of the wafer and the position of the edge of the surface of the wafer; and the surface of the wafer The step formed on the bottom of the annular region in the processing step is imaged with the camera, and the height of the camera when the surface is in focus and the step when the step is in focus. The values calculated in the cutting depth calculation step for calculating the cutting depth of the cutting blade from the difference between the height of the camera, the cutting width calculation step, and the cutting depth calculation step are registered in advance. A wafer processing method comprising: a determination step for determining whether or not the difference is within an allowable range; and a notification step for notifying an operator of a determination result in the determination step. It is.

本発明の一態様において、該縁位置検出ステップで得られた撮像画像から、該縁に形成された欠けの大きさを検出する欠け検出ステップをさらに備え、該判定ステップでは、検出された該欠けの大きさが許容範囲内であるか否かを判定するウェーハの加工方法としてもよい。   In one aspect of the present invention, the image processing apparatus further includes a chip detection step for detecting a size of a chip formed on the edge from the captured image obtained in the edge position detection step, and the determination step includes the detected chip. It may be a wafer processing method for determining whether or not the size of the wafer is within an allowable range.

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハにエッジトリミングを実施する前後に、切削装置が備えるカメラ(撮像ユニット)を用いてウェーハの外周縁付近を撮像する。加工前のウェーハの外周縁と、加工後のウェーハ表面の縁と、の位置を比較することで、切削された環状領域の幅を算出できる。   In the wafer processing method according to one aspect of the present invention, before and after performing edge trimming on a wafer, the vicinity of the outer peripheral edge of the wafer is imaged using a camera (imaging unit) provided in the cutting apparatus. By comparing the positions of the outer peripheral edge of the wafer before processing and the edge of the wafer surface after processing, the width of the cut annular region can be calculated.

また、エッジトリミングを実施した後、ウェーハの表面と、該環状領域の段差部と、をそれぞれカメラの焦点が合うように撮像する。このときウェーハの表面に焦点が合うカメラの高さ位置と、該環状領域の段差部に焦点が合うカメラの高さ位置と、を比較することで、切削ブレードの切り込み深さを算出できる。   In addition, after performing edge trimming, the surface of the wafer and the stepped portion of the annular region are imaged so that the camera is in focus. At this time, the cutting depth of the cutting blade can be calculated by comparing the height position of the camera focused on the wafer surface and the height position of the camera focused on the stepped portion of the annular region.

算出された切削ブレードの切削幅と、切り込み深さと、の値が許容範囲内であれば、エッジトリミングが適切に実施されていることが確認される。算出された切削幅や切り込み深さが、該許容範囲内ではない場合、加工状況に異常が生じたことが確認される。本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、切削装置が備えるカメラを用いて判定を実施するため、ウェーハの切削加工が実施されてすぐに該判定を実施できる。そのため、早期に判定結果を切削装置のオペレータ等に報知できる。   If the calculated cutting width and cutting depth of the cutting blade are within the allowable range, it is confirmed that edge trimming is appropriately performed. If the calculated cutting width or cutting depth is not within the allowable range, it is confirmed that an abnormality has occurred in the machining status. In the wafer processing method according to one embodiment of the present invention, the determination is performed using the camera included in the cutting apparatus. Therefore, the determination can be performed immediately after the wafer is cut. Therefore, the determination result can be notified to an operator of the cutting apparatus at an early stage.

加工に異常が生じたときに、該オペレータ等は次のウェーハの加工が始まる前に切削装置を停止することができ、切削装置を点検することができる。そのため、異常状態のままエッジトリミングを次々と実施することがなく、ウェーハの損失が抑えられる。   When an abnormality occurs in the processing, the operator or the like can stop the cutting device before starting the processing of the next wafer, and can inspect the cutting device. Therefore, edge trimming is not performed one after another in an abnormal state, and wafer loss can be suppressed.

したがって、本発明の一態様によると、エッジトリミングにおいて切削された領域の幅及び切り込み深さを算出して、エッジトリミングの良否を早期に判定できるウェーハの加工方法が提供される。   Therefore, according to one aspect of the present invention, a wafer processing method is provided in which the width and depth of cut of a region cut in edge trimming are calculated, and the quality of edge trimming can be determined at an early stage.

ウェーハを模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a wafer typically. 切削装置を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a cutting device typically. 図3(A)は、位置検出ステップを模式的に示す側面図であり、図3(B)は、位置検出ステップを模式的に示す上面図である。FIG. 3A is a side view schematically showing the position detection step, and FIG. 3B is a top view schematically showing the position detection step. 図4(A)は、加工ステップを模式的に示す側面図であり、図4(B)は、縁位置検出ステップを模式的に示す側面図である。FIG. 4A is a side view schematically showing the processing step, and FIG. 4B is a side view schematically showing the edge position detecting step. 撮像画像の一例を模式的に示す図である。It is a figure which shows an example of a captured image typically. 研削ステップを模式的に示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing a grinding step typically.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、図1を用いて、本実施形態に係る加工方法における被加工物であるウェーハについて説明する。図1は、ウェーハを模式的に示す斜視図である。該ウェーハ1は、例えば、シリコン、SiC(シリコンカーバイド)、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる略円板状の基板である。   Embodiments according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. First, a wafer that is a workpiece in the processing method according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a wafer. The wafer 1 is, for example, a substantially disk-shaped substrate made of a material such as silicon, SiC (silicon carbide), or other semiconductor, or a material such as sapphire, glass, or quartz.

ウェーハ1の表面1aは格子状に配列された複数の分割予定ライン3で区画されており、該複数の分割予定ライン3により区画された各領域にはIC等のデバイス5が形成されている。最終的に、ウェーハ1がストリート3に沿って分割されることで、個々のデバイスチップが形成される。該表面1aのうち複数のデバイス5が形成された領域はデバイス領域と呼ばれ、該デバイス領域を取り囲む外周側は外周余剰領域と呼ばれる。   The surface 1a of the wafer 1 is partitioned by a plurality of scheduled division lines 3 arranged in a lattice pattern, and devices 5 such as ICs are formed in the respective areas partitioned by the plurality of scheduled division lines 3. Finally, the wafer 1 is divided along the streets 3 to form individual device chips. A region where a plurality of devices 5 are formed in the surface 1a is called a device region, and an outer peripheral side surrounding the device region is called an outer peripheral surplus region.

ウェーハ1の表面1a及び裏面1bと、両者の間の側面と、の間が角となっていると、外部からの衝撃等が該角に与えられたときにウェーハ1に損傷が生じて、例えば、破片が空中に舞い上がって発塵する場合がある。そこで、予めウェーハ1の外周縁には面取り加工が実施され、該外周縁には断面形状の縁が円弧状となる面取り部1cが形成される。   If the front surface 1a and back surface 1b of the wafer 1 and the side surface between the two are corners, the wafer 1 is damaged when an external impact or the like is applied to the corners. , Debris may soar into the air and generate dust. Therefore, a chamfering process is performed in advance on the outer peripheral edge of the wafer 1, and a chamfered portion 1c having an arcuate cross section is formed on the outer peripheral edge.

次に、本実施形態に係る加工方法で使用される切削装置について図2を用いて説明する。図2は、該切削装置2を模式的に示す側面図である。図2に示すように、該切削装置2は、各構成要素を支持する装置基台4を備えている。装置基台4の上面には、X軸方向に長い矩形状の開口4aが形成されている。   Next, a cutting apparatus used in the processing method according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a side view schematically showing the cutting device 2. As shown in FIG. 2, the cutting device 2 includes a device base 4 that supports each component. A rectangular opening 4 a that is long in the X-axis direction is formed on the upper surface of the apparatus base 4.

開口4a内には、X軸移動テーブル6と、該X軸移動テーブル6をX軸方向に移動させるX軸移動機構(不図示)と、X軸移動機構を覆う防塵防滴カバー8と、が設けられている。該X軸移動機構は、X軸方向に平行な一対のX軸ガイドレール(不図示)を備えており、X軸ガイドレールには、X軸移動テーブル6がスライド可能に取り付けられている。   In the opening 4a, there are an X-axis moving table 6, an X-axis moving mechanism (not shown) for moving the X-axis moving table 6 in the X-axis direction, and a dust-proof and drip-proof cover 8 that covers the X-axis moving mechanism. Is provided. The X-axis movement mechanism includes a pair of X-axis guide rails (not shown) parallel to the X-axis direction, and an X-axis movement table 6 is slidably attached to the X-axis guide rails.

X軸移動テーブル6の下面側には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレールに平行なX軸ボールねじ(不図示)が螺合されている。X軸ボールねじの一端部には、X軸パルスモータ(不図示)が連結されている。X軸パルスモータでX軸ボールねじを回転させると、移動テーブル6はX軸ガイドレールに沿ってX軸方向に移動する。   A nut portion (not shown) is provided on the lower surface side of the X-axis moving table 6, and an X-axis ball screw (not shown) parallel to the X-axis guide rail is screwed to the nut portion. . An X-axis pulse motor (not shown) is connected to one end of the X-axis ball screw. When the X-axis ball screw is rotated by the X-axis pulse motor, the moving table 6 moves in the X-axis direction along the X-axis guide rail.

X軸移動テーブル6上には、被加工物を吸引、保持するためのチャックテーブル10が設けられている。チャックテーブル10は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、Z軸方向(鉛直方向)に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル10は、上述したX軸移動機構でX軸方向に送られる。   On the X-axis moving table 6, a chuck table 10 for sucking and holding a workpiece is provided. The chuck table 10 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis substantially parallel to the Z-axis direction (vertical direction). Further, the chuck table 10 is sent in the X-axis direction by the X-axis moving mechanism described above.

チャックテーブル10の表面(上面)は、被加工物を吸引、保持する保持面10aとなる。この保持面10aは、チャックテーブル10の内部に形成された流路(不図示)を通じて吸引源(不図示)に接続されている。   The surface (upper surface) of the chuck table 10 serves as a holding surface 10a for sucking and holding a workpiece. The holding surface 10 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed inside the chuck table 10.

開口4aから離れた装置基台4の前方の角部には、装置基台4から側方に突き出た突出部12が設けられている。突出部12の内部には空間が形成されており、この空間には、昇降可能なカセットエレベータ16が設置されている。カセットエレベータ16の上面には、複数の被加工物を収容可能なカセット18が載せられる。   A protruding portion 12 that protrudes laterally from the device base 4 is provided at a corner in front of the device base 4 away from the opening 4a. A space is formed inside the protrusion 12, and a cassette elevator 16 that can be raised and lowered is installed in this space. A cassette 18 that can accommodate a plurality of workpieces is placed on the upper surface of the cassette elevator 16.

開口4aに近接する位置には、上述した被加工物をチャックテーブル10へと搬送する搬送ユニット(不図示)が設けられている。搬送ユニットでカセット18から引き出された被加工物は、チャックテーブル10の保持面10aに載せられる。   A transport unit (not shown) for transporting the above-described workpiece to the chuck table 10 is provided at a position close to the opening 4a. The workpiece drawn from the cassette 18 by the transport unit is placed on the holding surface 10 a of the chuck table 10.

装置基台4の上面には、被加工物を切削する切削ユニット14を支持する支持構造20が、開口4aの上方に張り出すように配置されている。支持構造20の前面上部には、切削ユニット14をY軸方向(割り出し送り方向)及びZ軸方向に移動させる切削ユニット移動機構22が設けられている。   On the upper surface of the apparatus base 4, a support structure 20 that supports a cutting unit 14 that cuts a workpiece is disposed so as to protrude above the opening 4 a. A cutting unit moving mechanism 22 that moves the cutting unit 14 in the Y-axis direction (index feed direction) and the Z-axis direction is provided on the upper front surface of the support structure 20.

切削ユニット移動機構22は、支持構造20の前面に配置されY軸方向に平行な一対のY軸ガイドレール24を備えている。Y軸ガイドレール24には、切削ユニット移動機構22を構成するY軸移動プレート26がスライド可能に取り付けられている。Y軸移動プレート26の裏面側(後面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Y軸ガイドレール24に平行なY軸ボールねじ28が螺合されている。   The cutting unit moving mechanism 22 includes a pair of Y-axis guide rails 24 arranged in front of the support structure 20 and parallel to the Y-axis direction. A Y-axis moving plate 26 constituting the cutting unit moving mechanism 22 is slidably attached to the Y-axis guide rail 24. A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (rear surface side) of the Y-axis moving plate 26, and a Y-axis ball screw 28 parallel to the Y-axis guide rail 24 is screwed into the nut portion. ing.

Y軸ボールねじ28の一端部には、Y軸パルスモータ(不図示)が連結されている。Y軸パルスモータでY軸ボールねじ28を回転させると、Y軸移動プレート26は、Y軸ガイドレール24に沿ってY軸方向に移動する。Y軸移動プレート26の表面(前面)には、Z軸方向に平行な一対のZ軸ガイドレール30が設けられている。Z軸ガイドレール30には、Z軸移動プレート32がスライド可能に取り付けられている。   A Y-axis pulse motor (not shown) is connected to one end of the Y-axis ball screw 28. When the Y-axis ball screw 28 is rotated by the Y-axis pulse motor, the Y-axis moving plate 26 moves in the Y-axis direction along the Y-axis guide rail 24. A pair of Z-axis guide rails 30 parallel to the Z-axis direction are provided on the surface (front surface) of the Y-axis moving plate 26. A Z-axis moving plate 32 is slidably attached to the Z-axis guide rail 30.

Z軸移動プレート32の裏面側(後面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Z軸ガイドレール30に平行なZ軸ボールねじ34が螺合されている。Z軸ボールねじ34の一端部には、Z軸パルスモータ36が連結されている。Z軸パルスモータ36でZ軸ボールねじ34を回転させれば、Z軸移動プレート32は、Z軸ガイドレール30に沿ってZ軸方向に移動する。   A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (rear surface side) of the Z-axis moving plate 32, and a Z-axis ball screw 34 parallel to the Z-axis guide rail 30 is screwed into the nut portion. ing. A Z-axis pulse motor 36 is connected to one end of the Z-axis ball screw 34. When the Z-axis ball screw 34 is rotated by the Z-axis pulse motor 36, the Z-axis moving plate 32 moves in the Z-axis direction along the Z-axis guide rail 30.

Z軸移動プレート32の下部には、被加工物を加工する切削ユニット14と、撮像ユニット(カメラ)38と、が固定されている。切削ユニット移動機構22で、Y軸移動プレート26をY軸方向に移動させれば、切削ユニット14及び撮像ユニット38はY軸方向に移動し、Z軸移動プレート32をZ軸方向に移動させれば、切削ユニット14及び撮像ユニット38は昇降する。   A cutting unit 14 for processing a workpiece and an imaging unit (camera) 38 are fixed to the lower part of the Z-axis moving plate 32. If the Y-axis moving plate 26 is moved in the Y-axis direction by the cutting unit moving mechanism 22, the cutting unit 14 and the imaging unit 38 are moved in the Y-axis direction, and the Z-axis moving plate 32 is moved in the Z-axis direction. For example, the cutting unit 14 and the imaging unit 38 move up and down.

撮像ユニット38は、被加工物をチャックテーブル10に保持された被加工物を撮像できる。撮像ユニット38は、切削ユニット移動機構22及びX軸移動機構を作動させることで被加工物の所定の箇所を撮像できるように位置付けられる。さらに、Z軸移動プレート32をZ軸方向に移動させることで、被加工物の所定の箇所に焦点(ピント)が合う高さに撮像ユニットを位置付けられる。また、撮像ユニット38は、得られた撮像画像と、該画像を撮像した際の高さ等の情報と、を後述の制御ユニット44に送る機能を有する。   The imaging unit 38 can capture an image of the workpiece held on the chuck table 10. The imaging unit 38 is positioned so that a predetermined part of the workpiece can be imaged by operating the cutting unit moving mechanism 22 and the X-axis moving mechanism. Further, by moving the Z-axis moving plate 32 in the Z-axis direction, the imaging unit can be positioned at a height at which a predetermined point of the workpiece is in focus (focus). The imaging unit 38 has a function of sending the obtained captured image and information such as the height when the image is captured to the control unit 44 described later.

切削ユニット14は、Y軸方向に平行な回転軸を構成するスピンドル14a(図4参照)の一端側に装着された円環状の切削ブレード14b(図4参照)を備えている。スピンドル14aの他端側にはモータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、スピンドル14aに装着された切削ブレード14bを回転できる。   The cutting unit 14 includes an annular cutting blade 14b (see FIG. 4) attached to one end side of a spindle 14a (see FIG. 4) constituting a rotation axis parallel to the Y-axis direction. A rotation drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 14a, and the cutting blade 14b mounted on the spindle 14a can be rotated.

切削ブレード14bは、円盤状の基台14cを有している。基台14cの中央部には、この基台14cを貫通する略円形の装着穴が設けられている。基台14cの外周部には、被加工物に切り込ませるための環状の切り刃14dが固定されている。切削装置2は、該切削ブレード14bをチャックテーブル10に保持された被加工物に切り込ませることで、該被加工物を切削できる。   The cutting blade 14b has a disk-shaped base 14c. A substantially circular mounting hole penetrating through the base 14c is provided at the center of the base 14c. An annular cutting blade 14d for cutting into the workpiece is fixed to the outer periphery of the base 14c. The cutting device 2 can cut the workpiece by cutting the cutting blade 14b into the workpiece held on the chuck table 10.

切削装置2は、装置基台4の開口4aに隣接する位置に洗浄ユニット40を備える。該洗浄ユニット40は、加工後の被加工物を洗浄する機能を有する。洗浄ユニット40は、筒状の洗浄空間内で被加工物を吸引、保持するスピンナテーブル42を備えている。スピンナテーブル42の下部には、スピンナテーブル42を所定の速さで回転させる回転駆動源(不図示)が連結されている。加工後の被加工物は、搬送機構(不図示)によってチャックテーブル10からスピンナテーブル42上に搬送されて吸引保持される。   The cutting device 2 includes a cleaning unit 40 at a position adjacent to the opening 4 a of the device base 4. The cleaning unit 40 has a function of cleaning the workpiece after processing. The cleaning unit 40 includes a spinner table 42 that sucks and holds a workpiece in a cylindrical cleaning space. A rotation drive source (not shown) that rotates the spinner table 42 at a predetermined speed is connected to the lower portion of the spinner table 42. The processed workpiece is transported from the chuck table 10 onto the spinner table 42 by a transport mechanism (not shown), and is sucked and held.

スピンナテーブル42の上方には、被加工物に向けて洗浄用の流体(代表的には、水とエアーとを混合した二流体)を噴射する噴射ノズル(不図示)が配置されている。被加工物を保持したスピンナテーブル42を回転させて、噴射ノズルから洗浄用の流体を噴射すると、被加工物を洗浄できる。洗浄ユニット40で洗浄された被加工物は、例えば、搬送機構(不図示)でカセット18に収容される。   Above the spinner table 42, an injection nozzle (not shown) for injecting a cleaning fluid (typically two fluids in which water and air are mixed) is arranged toward the workpiece. The workpiece can be cleaned by rotating the spinner table 42 holding the workpiece and ejecting a cleaning fluid from the spray nozzle. The workpiece cleaned by the cleaning unit 40 is accommodated in the cassette 18 by, for example, a transport mechanism (not shown).

切削装置2は、さらに、制御ユニット44を備えている。制御ユニット44は、切削ユニット14、チャックテーブル10、各移動機構、撮像ユニット38、洗浄ユニット40、搬送機構(不図示)等の切削装置2の各構成要素を制御する機能を有する。また、制御ユニット44は、撮像ユニットが撮像した撮像画像と、該撮像画像を撮像した際の撮像ユニット38の高さに関する情報と、該撮像画像を撮像した箇所の被加工物における位置に関する情報と、を切削装置2から受信する機能を有する。   The cutting device 2 further includes a control unit 44. The control unit 44 has a function of controlling each component of the cutting apparatus 2 such as the cutting unit 14, the chuck table 10, each moving mechanism, the imaging unit 38, the cleaning unit 40, and a transport mechanism (not shown). The control unit 44 also includes a captured image captured by the imaging unit, information regarding the height of the imaging unit 38 when the captured image is captured, and information regarding a position on the workpiece where the captured image is captured. , From the cutting device 2.

制御ユニット44は、さらに、受信した情報等を基に、被加工物の外周縁を含む環状領域の切削加工について、切削された該環状領域の幅と、切削ブレード14bの切り込み深さと、を算出する機能を有する。制御ユニット44には、該環状領域の幅と、該切り込み深さと、についての許容範囲が予め切削装置2の製造者またはオペレータ等により入力され、該制御ユニット44は、該許容範囲の値を記憶できる。制御ユニット44は、算出された値が該許容範囲内であるか否かについて判定する機能を有する。   The control unit 44 further calculates the width of the cut annular region and the cutting depth of the cutting blade 14b for the cutting of the annular region including the outer peripheral edge of the workpiece based on the received information and the like. It has the function to do. To the control unit 44, the allowable range for the width of the annular region and the depth of cut is input in advance by the manufacturer of the cutting device 2, an operator, or the like, and the control unit 44 stores the value of the allowable range. it can. The control unit 44 has a function of determining whether or not the calculated value is within the allowable range.

制御ユニット44は、これらの機能を実現するために、各情報を記憶する記憶部(不図示)を有している。該記憶部には、該環状領域の幅と、該切り込み深さと、についての許容範囲が格納される。また、該記憶部には、切削された該環状領域の幅と、切削ブレード14bの切り込み深さの値が格納される。制御ユニット44は、該記憶部に格納された情報等を切削装置2に取り外し可能に接続される外部記憶媒体に書き出すことができる。制御ユニット44の機能は、例えば、装置制御用PCにソフトウェアとして実現される。   The control unit 44 has a storage unit (not shown) for storing each piece of information in order to realize these functions. The storage unit stores allowable ranges for the width of the annular region and the cutting depth. In addition, the storage unit stores values of the width of the cut annular region and the cutting depth of the cutting blade 14b. The control unit 44 can write information stored in the storage unit to an external storage medium removably connected to the cutting device 2. The function of the control unit 44 is realized as software on a device control PC, for example.

切削装置2は、該制御ユニット44に電気的に接続された表示部46を外面に有する。該表示部46は、例えば、タッチパネルを搭載したディスプレイパネルであり、切削装置2のオペレータ等は該タッチパネルを用いて制御ユニット44に加工条件等の情報を入力できる。該表示部46は、情報等の入力や切削装置2の操作のためのインターフェース画像を表示する機能を有し、さらに、制御ユニット44で実施された判定の結果を表示する機能を有する。   The cutting device 2 has a display unit 46 electrically connected to the control unit 44 on the outer surface. The display unit 46 is, for example, a display panel equipped with a touch panel, and an operator of the cutting apparatus 2 can input information such as processing conditions to the control unit 44 using the touch panel. The display unit 46 has a function of displaying an interface image for inputting information and the like and operating the cutting apparatus 2, and further has a function of displaying a result of the determination performed by the control unit 44.

次に、該切削装置2を用いて被加工物としてウェーハ1の外周縁の面取り部1cを表面1a側から切削してエッジトリミングを実施するウェーハの加工方法について説明する。   Next, a wafer processing method in which edge trimming is performed by cutting the chamfered portion 1c on the outer peripheral edge of the wafer 1 as a workpiece from the surface 1a side using the cutting apparatus 2 will be described.

該ウェーハの加工方法では、まず、保持ステップを実施する。保持ステップでは、被加工物1の表面1aを露出させるように該表面1aを上方に向けて、該チャックテーブル10の保持面10aの上に該ウェーハ1を載せる。このとき、チャックテーブル10の回転軸となる保持面10aに垂直な軸が該ウェーハ1の中心を貫くように、該ウェーハ1の位置を合わせる。そして、チャックテーブル10の吸引源を作動させて、該チャックテーブル10にウェーハ1を吸引保持させる。   In the wafer processing method, first, a holding step is performed. In the holding step, the wafer 1 is placed on the holding surface 10 a of the chuck table 10 with the surface 1 a facing upward so as to expose the surface 1 a of the workpiece 1. At this time, the position of the wafer 1 is aligned so that an axis perpendicular to the holding surface 10 a serving as the rotation axis of the chuck table 10 passes through the center of the wafer 1. Then, the suction source of the chuck table 10 is operated to suck and hold the wafer 1 on the chuck table 10.

次に、ウェーハの外周縁の位置を検出する外周縁位置検出ステップを実施する。該外周縁位置検出ステップについて図3(A)及び図3(B)を用いて説明する。図3(A)は、外周縁位置検出ステップを模式的に示す側面図であり、図3(B)は、外周縁位置検出ステップを模式的に示す上面図である。   Next, an outer periphery position detecting step for detecting the position of the outer periphery of the wafer is performed. The outer periphery position detection step will be described with reference to FIGS. 3 (A) and 3 (B). FIG. 3A is a side view schematically showing the outer periphery position detection step, and FIG. 3B is a top view schematically showing the outer periphery position detection step.

該外周縁位置検出ステップでは、まず、該チャックテーブル10に保持された該ウェーハ1の外周縁を該撮像ユニット(カメラ)38で撮像する。撮像は、該外周縁上の3以上の撮像箇所1dで実施する。撮像により撮像画像を得るとともに、撮像ユニット38と、チャックテーブル10と、の相対位置から撮像箇所1dの該保持面10aと平行な面における座標を取得する。   In the outer periphery position detecting step, first, the imaging unit (camera) 38 captures an image of the outer periphery of the wafer 1 held on the chuck table 10. Imaging is performed at three or more imaging locations 1d on the outer peripheral edge. A captured image is obtained by imaging, and coordinates on a plane parallel to the holding surface 10 a of the imaging location 1 d are acquired from the relative positions of the imaging unit 38 and the chuck table 10.

取得された撮像画像と、撮像箇所1dの座標に関する情報と、は、制御ユニット44(図2参照)に送られ、制御ユニット44では、受信した3以上の撮像箇所1dの座標を基に、ウェーハ1の外周縁の位置を検出する。そして、該外周縁の位置に関する情報は制御ユニット44の記憶部に格納される。   The acquired captured image and information regarding the coordinates of the imaging location 1d are sent to the control unit 44 (see FIG. 2), and the control unit 44 uses the received coordinates of the three or more imaging locations 1d as a wafer. The position of the outer peripheral edge of 1 is detected. Information on the position of the outer peripheral edge is stored in the storage unit of the control unit 44.

次に、本実施形態に係る加工方法では、切削ブレード14bにより、ウェーハ1の外周縁を含む環状領域を表面1a側から切削する加工ステップを実施する。図4(A)は、加工ステップを模式的に示す側面図である。まず、チャックテーブル10を移動させて、該環状領域の内周縁と、切削ブレード14bの切り刃14dの端部と、の水平方向の位置が合うようにウェーハ1の上方に切削ブレード14bを位置付ける。   Next, in the processing method according to the present embodiment, the processing step of cutting the annular region including the outer peripheral edge of the wafer 1 from the surface 1a side is performed by the cutting blade 14b. FIG. 4A is a side view schematically showing processing steps. First, the chuck table 10 is moved, and the cutting blade 14b is positioned above the wafer 1 so that the inner peripheral edge of the annular region and the end of the cutting blade 14d of the cutting blade 14b are aligned in the horizontal direction.

そして、スピンドル14aを回転させて切削ブレード14bを回転させるとともに、チャックテーブル10を保持面10aに垂直な該軸の周りに回転させる。そして、切削ブレード14bを所定の高さまで下降させ、切削ブレード14bをウェーハ1の外周縁に切り込ませる。切削ブレード14bが所定の高さまで下降した状態でチャックテーブル10が該軸の周りに1回転以上回転すると、ウェーハ1の該外周縁を含む環状領域が切削される。その後、切削ブレード14bを上昇させて、加工ステップを終了させる。   Then, the spindle 14a is rotated to rotate the cutting blade 14b, and the chuck table 10 is rotated about the axis perpendicular to the holding surface 10a. Then, the cutting blade 14 b is lowered to a predetermined height, and the cutting blade 14 b is cut into the outer peripheral edge of the wafer 1. When the chuck table 10 is rotated more than once around the axis while the cutting blade 14b is lowered to a predetermined height, the annular region including the outer peripheral edge of the wafer 1 is cut. Thereafter, the cutting blade 14b is raised to finish the processing step.

本実施形態に係る加工方法では、加工ステップにおいて新たに形成された該ウェーハ1の表面1aの縁の位置を検出する縁位置検出ステップを実施する。ここで、該縁は、切削された環状領域の表面1aにおける内周縁に一致する。図4(B)は、縁位置検出ステップを模式的に示す側面図である。該縁位置検出ステップでは、上述の外周縁位置検出ステップと同様にウェーハ1の表面1aの縁1eを該撮像ユニット38で撮像する。   In the processing method according to the present embodiment, an edge position detection step of detecting the position of the edge of the surface 1a of the wafer 1 newly formed in the processing step is performed. Here, the edge coincides with the inner peripheral edge of the surface 1a of the cut annular region. FIG. 4B is a side view schematically showing the edge position detection step. In the edge position detection step, the edge 1e of the surface 1a of the wafer 1 is imaged by the imaging unit 38 as in the above-described outer periphery position detection step.

撮像は、該縁1e上の3以上の撮像箇所で実施する。撮像により撮像画像を得るとともに、撮像箇所の該保持面10aと平行な面における座標を取得する。取得された撮像画像と、撮像箇所の座標に関する情報と、は、制御ユニット44(図2参照)に送られ、制御ユニット44では、受信した3以上の撮像箇所の座標を基に、該縁1eの位置を検出する。検出された該縁1eの位置に関する情報は、制御ユニット44の記憶部に格納される。   Imaging is performed at three or more imaging locations on the edge 1e. A captured image is obtained by imaging, and coordinates on a plane parallel to the holding surface 10a of the imaging location are acquired. The acquired captured image and information regarding the coordinates of the imaging location are sent to the control unit 44 (see FIG. 2). The control unit 44 uses the edge 1e based on the received coordinates of three or more imaging locations. The position of is detected. Information on the detected position of the edge 1 e is stored in the storage unit of the control unit 44.

該縁位置検出ステップにおいて撮像される撮像画像の一例を図5に示す。撮像画像7には、外周縁が切削されたウェーハ1の表面1aと、表面1aの縁1eと、切削により露出した段差部1fと、が写されている。さらに、図5に示す通り、切削により表面1aの該縁1eに欠け(チッピング)9が生じた場合、該撮像画像7には該欠け9も写される。   An example of a captured image captured in the edge position detecting step is shown in FIG. In the captured image 7, a surface 1a of the wafer 1 whose outer peripheral edge is cut, an edge 1e of the surface 1a, and a step portion 1f exposed by cutting are shown. Furthermore, as shown in FIG. 5, when a chipping (chipping) 9 occurs in the edge 1 e of the surface 1 a by cutting, the chipping 9 is also copied in the captured image 7.

そこで、該縁位置検出ステップは、該縁1eに形成された欠けの大きさを検出する欠け検出ステップをさらに備えてもよい。該欠け検出ステップでは、例えば、該撮像画像7を受信した制御ユニット44が該撮像画像7に写る縁1eに欠けが生じているか否かを判定する。そして、該縁1eに欠けが生じている場合、該撮像画像7から該欠けの大きさを検出して、該欠けに関する情報を制御ユニット44の記憶部に格納する。   Therefore, the edge position detection step may further include a chip detection step for detecting the size of the chip formed on the edge 1e. In the missing detection step, for example, the control unit 44 that has received the captured image 7 determines whether or not the edge 1e shown in the captured image 7 is missing. If the edge 1 e is chipped, the size of the chip is detected from the captured image 7 and information about the chip is stored in the storage unit of the control unit 44.

本実施形態に係る加工方法では、検出された該ウェーハ1の該外周縁の位置と、検出された該表面1aの縁1eの位置と、から、該加工ステップで切削された該環状領域の幅1g(図4参照)を算出する切削幅算出ステップを実施する。例えば、切削前のウェーハ1の外周縁の位置から、ウェーハ1の外周縁の半径を算出し、該表面1aの縁1eの位置から該縁1eの半径を算出する。すると、算出された2つの半径の差が切削された該環状領域の幅1gとなる。   In the processing method according to the present embodiment, the width of the annular region cut in the processing step from the detected position of the outer peripheral edge of the wafer 1 and the detected position of the edge 1e of the surface 1a. A cutting width calculating step for calculating 1 g (see FIG. 4) is performed. For example, the radius of the outer peripheral edge of the wafer 1 is calculated from the position of the outer peripheral edge of the wafer 1 before cutting, and the radius of the edge 1e is calculated from the position of the edge 1e of the surface 1a. Then, the difference between the two calculated radii is the width 1 g of the cut annular region.

本実施形態に係る加工方法では、該切削ブレード14bの切り込み深さ1h(図4参照)を算出する切り込み深さ算出ステップを実施する。該切り込み深さ算出ステップでは、該ウェーハ1の表面1aと、該加工ステップで形成された該環状領域の段差部1fと、をそれぞれ該撮像ユニット38で撮像する。   In the processing method according to the present embodiment, a cutting depth calculation step of calculating a cutting depth 1h (see FIG. 4) of the cutting blade 14b is performed. In the cutting depth calculation step, the imaging unit 38 images each of the surface 1a of the wafer 1 and the step portion 1f of the annular region formed in the processing step.

撮像ユニット38は、チャックテーブル10に保持されたウェーハ1の表面1aを撮像する際に、切削装置2の切削ユニット移動機構22によって、撮像ユニット38の焦点(ピント)が該表面1aに合うように高さ位置が調整される。そして、撮像して撮像画像を形成するのと同時に、撮像が行われた際の撮像ユニット38の高さ位置を記録する。同様に、該段差部1fを撮像する際には、撮像ユニット38の焦点(ピント)が該段差部1fに合うように撮像ユニット38の高さ位置を調整し、該高さ位置を記録する。   When imaging the surface 1a of the wafer 1 held on the chuck table 10, the imaging unit 38 causes the cutting unit moving mechanism 22 of the cutting device 2 to focus the imaging unit 38 on the surface 1a. The height position is adjusted. The height position of the image pickup unit 38 when the image is taken is recorded at the same time as the picked-up image is formed. Similarly, when imaging the stepped portion 1f, the height position of the imaging unit 38 is adjusted so that the focal point (focus) of the imaging unit 38 is aligned with the stepped portion 1f, and the height position is recorded.

ここで、撮像ユニット38の焦点(ピント)の合う位置は、特段の操作がなければ変化しない。したがって、該ウェーハ1の該表面1aに焦点が合うときの該撮像ユニット38の高さ位置と、該段差部1fに焦点が合うときの該撮像ユニット38の高さ位置と、の差が該表面1aと、該段差部1fと、の高さの差となる。そのため、該表面1aと、該段差部1fと、を撮像したときの撮像ユニット38の高さ位置の差が切削ブレード14bの切り込み深さ1hとして制御ユニット44の記憶部に記録される。   Here, the in-focus position of the imaging unit 38 does not change unless there is a special operation. Therefore, the difference between the height position of the imaging unit 38 when the surface 1a of the wafer 1 is in focus and the height position of the imaging unit 38 when the step 1f is focused is the surface. This is the difference in height between 1a and the stepped portion 1f. Therefore, the difference in height position of the imaging unit 38 when the surface 1a and the stepped portion 1f are imaged is recorded in the storage unit of the control unit 44 as the cutting depth 1h of the cutting blade 14b.

次に、該切削幅算出ステップと、該切り込み深さ算出ステップと、でそれぞれ算出された値が登録された許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップを実施する。制御ユニット44には、切削装置2の製造者やオペレータが予め入力した許容範囲が格納されている。まず、制御ユニット44は、算出された切削幅の値と、該切削幅の許容範囲と、算出された切り込み深さの値と、該切り込み深さの許容範囲と、を記憶部から読み出す。   Next, a determination step is performed to determine whether or not the values calculated in the cutting width calculation step and the cutting depth calculation step are within a registered allowable range. The control unit 44 stores an allowable range input in advance by the manufacturer or operator of the cutting device 2. First, the control unit 44 reads the calculated cutting width value, the allowable range of the cutting width, the calculated cutting depth value, and the allowable range of the cutting depth from the storage unit.

制御ユニット44は、まず、切削幅算出ステップで算出された切削幅(環状領域の幅1g)の値が、該切削幅の許容範囲に収まっているか否かを判定する。例えば、該切削幅は、1mm〜2mmのいずれかの値に設定されるのに対して、該切削幅の許容範囲は、設定された切削幅の値の上下に50μmずつの幅を有する範囲に設定される。   First, the control unit 44 determines whether or not the value of the cutting width (annular region width 1 g) calculated in the cutting width calculation step is within the allowable range of the cutting width. For example, the cutting width is set to any value of 1 mm to 2 mm, while the allowable range of the cutting width is a range having a width of 50 μm above and below the set cutting width value. Is set.

該切削幅(環状領域の幅1g、図4(B)参照)が大きすぎるとウェーハ1のデバイス領域が切削されてデバイス5に損傷を生じてしまうおそれがある。その一方で、切削幅が小さすぎるとウェーハ1の面取り部1cが十分除去されず、ウェーハ1が薄化されたときに外周縁に損傷を生じてしまうおそれがある。そのため、該切削幅が該許容範囲に収まっていない場合、加工条件を点検する必要がある。   If the cutting width (the width 1g of the annular region, see FIG. 4B) is too large, the device region of the wafer 1 may be cut and the device 5 may be damaged. On the other hand, if the cutting width is too small, the chamfered portion 1c of the wafer 1 is not sufficiently removed, and when the wafer 1 is thinned, the outer peripheral edge may be damaged. Therefore, when the cutting width is not within the allowable range, it is necessary to check the processing conditions.

また、制御ユニット44は、切り込み深さ算出ステップで算出された切削ブレードの切り込み深さの値が、該切り込み深さの許容範囲に収まっているか否かを判定する。例えば、該切り込み深さは、50μm〜100μmのいずれかの値に設定されるのに対して、該切り込み深さの許容範囲は、設定された切り込み深さの値の上下に15μmずつの幅を有する範囲に設定される。   Further, the control unit 44 determines whether or not the value of the cutting depth of the cutting blade calculated in the cutting depth calculation step is within the allowable range of the cutting depth. For example, the cut depth is set to any value of 50 μm to 100 μm, while the allowable range of the cut depth is a width of 15 μm above and below the set cut depth value. It is set to the range it has.

切削ブレード14bの切り刃14dがウェーハ1に切り込む際の切り込み深さ1h(図4(B)参照)は、ウェーハ1の裏面1b側が後に薄化されるウェーハ1の仕上がり厚さ以上の深さとされる。切り込み深さ1hが該仕上がり厚さ未満であると、ウェーハ1が薄化されたときに、ウェーハ1の面取り部1cの一部が除去されず、ウェーハ1の外周縁がナイフエッジの如く尖り、ウェーハ1に損傷等が生じやすくなるためである。   The cutting depth 1h (see FIG. 4B) when the cutting blade 14d of the cutting blade 14b cuts into the wafer 1 is set to a depth greater than the finished thickness of the wafer 1 where the back surface 1b side of the wafer 1 is thinned later. The When the cutting depth 1h is less than the finished thickness, when the wafer 1 is thinned, a part of the chamfered portion 1c of the wafer 1 is not removed, and the outer peripheral edge of the wafer 1 is sharp like a knife edge, This is because the wafer 1 is likely to be damaged.

その一方で切り込み深さ1hが必要以上に大きくなると、切り刃14dの消耗量が増えるため、切削ブレード14bの交換頻度が上がり加工効率が低下する。そのため、該切り込み深さ1hの値が該許容範囲に収まっていない場合、加工状況を点検する必要がある。   On the other hand, when the cutting depth 1h becomes larger than necessary, the amount of consumption of the cutting blade 14d increases, so that the replacement frequency of the cutting blade 14b increases and the machining efficiency decreases. Therefore, when the value of the cutting depth 1h is not within the allowable range, it is necessary to check the machining status.

なお、判定ステップでは、制御ユニット44は、ウェーハ1の表面1aに切削により形成された縁1eに生じた欠け9の大きさが許容範囲であるかについて判定してもよい。縁位置検出ステップにおいて、該縁1eに生じた欠け9の大きさを検出する欠け検出ステップを実施する場合、判定ステップでは検出された欠け9の大きさが予め登録された欠けの大きさの許容範囲に収まっているか否かを判定できる。   In the determination step, the control unit 44 may determine whether the size of the chip 9 generated on the edge 1e formed by cutting on the surface 1a of the wafer 1 is within an allowable range. In the edge position detection step, when the chip detection step for detecting the size of the chip 9 generated in the edge 1e is performed, the size of the chip 9 detected in the determination step is an allowance for the size of the chip registered in advance. It can be determined whether it is within the range.

縁1eに生じた欠け9の大きさが大きくなるほど、該欠け9を起点としてウェーハ1に更なる損傷が生じ易くなる。そのため、該欠け9の大きさが所定の許容範囲(例えば、20μm以下)に収まっていない場合、加工状況を点検する必要がある。   As the size of the chip 9 generated at the edge 1e increases, the wafer 1 is more likely to be damaged from the chip 9 as a starting point. Therefore, when the size of the chip 9 is not within a predetermined allowable range (for example, 20 μm or less), it is necessary to check the processing status.

制御ユニット44は、判定した結果を制御ユニット44の記憶部に格納する。すると、切削装置2のオペレータ等は、判定結果と、切削幅及び切り込み深さ等の情報と、を記憶部から読み出して検証できる。また、制御ユニット44は表示部46に判定結果を送る。   The control unit 44 stores the determined result in the storage unit of the control unit 44. Then, the operator of the cutting apparatus 2 can verify the determination result and information such as the cutting width and the cutting depth from the storage unit. In addition, the control unit 44 sends a determination result to the display unit 46.

本実施形態に係る加工方法では、次に、判定ステップにおける判定結果をオペレータに対して報知する報知ステップを実施する。切削装置2の表示部46は、制御ユニット44から判定結果が送られたとき、該判定結果を切削装置2のオペレータ等が視認できるように表示する。算出された切削幅及び算出された切り込み深さ等が許容範囲に収まっていない場合、表示部46はその旨を表示してオペレータに判定結果を報知して、加工状況の点検と、切削加工の停止と、を促す。   Next, in the processing method according to the present embodiment, a notification step of notifying the operator of the determination result in the determination step is performed. When the determination result is sent from the control unit 44, the display unit 46 of the cutting apparatus 2 displays the determination result so that an operator of the cutting apparatus 2 can visually recognize the determination result. When the calculated cutting width and the calculated cutting depth are not within the allowable range, the display unit 46 displays that fact and informs the operator of the determination result to check the processing status and perform the cutting processing. Prompt to stop.

本実施形態に係る加工方法によると、加工状況に異常を生じたときに、その異常が発生してからオペレータが察知するまでの時間を短縮できる。そのため、加工状況に異常が生じて間もなくエッジトリミングを停止できるため、多数のウェーハ1に異常なエッジトリミングを実施してウェーハ1を無駄にすることがない。切削装置2を点検して異常の原因を取り除くことができれば、切削装置2によるエッジトリミングを再開できる。   According to the machining method according to the present embodiment, when an abnormality occurs in the machining situation, the time from when the abnormality occurs until the operator senses it can be shortened. Therefore, since edge trimming can be stopped soon after an abnormality occurs in the processing state, the wafer 1 is not wasted by performing abnormal edge trimming on a large number of wafers 1. If the cutting device 2 can be inspected to remove the cause of the abnormality, the edge trimming by the cutting device 2 can be resumed.

なお、加工状況に異常がなく算出された切削幅及び算出された切り込み深さ等が許容範囲に収まっている場合、表示部46はその旨を表示してもよい。または、判定結果を表示しないことでオペレータに判定結果を報知してもよい。また、判定結果は表示部46以外の手段でオペレータに報知してもよく、算出された切削幅及び算出された切り込み深さ等が許容範囲に収まっていないとの判定がなされたときに、例えば、警告音を発することで該オペレータに判定結果を報知してもよい。   Note that when the calculated cutting width and the calculated cutting depth without any abnormality in the machining state are within the allowable range, the display unit 46 may display the fact. Alternatively, the determination result may be notified to the operator by not displaying the determination result. Further, the determination result may be notified to the operator by means other than the display unit 46, and when it is determined that the calculated cutting width, the calculated cutting depth, etc. are not within the allowable range, for example, The determination result may be notified to the operator by emitting a warning sound.

エッジトリミングがされたウェーハ1は、次に、表面1a側に保護テープ(保護部材)11が貼着され、裏面1b側に研削加工が実施されて薄化される。該保護テープ11は、該研削加工中にウェーハ1の表面1aを保護する機能を有する。   The edge trimmed wafer 1 is then thinned by applying a protective tape (protective member) 11 on the front surface 1a side and grinding on the back surface 1b side. The protective tape 11 has a function of protecting the surface 1a of the wafer 1 during the grinding process.

ウェーハ1の表面1aに貼着される保護部材(保護テープ)11は、可撓性を有するフィルム状の基材と、該基材の一方の面に形成された糊層(接着剤層)と、を有する。例えば、基材にはPO(ポリオレフィン)が用いられる。POよりも剛性の高いPET(ポリエチレンテレフタラート)、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等が用いられても良い。また、糊層(接着剤層)には、例えば、シリコーンゴム、アクリル系材料、エポキシ系材料等が用いられる。   A protective member (protective tape) 11 attached to the surface 1a of the wafer 1 includes a flexible film-like base material, and a glue layer (adhesive layer) formed on one surface of the base material. Have. For example, PO (polyolefin) is used for the base material. PET (polyethylene terephthalate), polyvinyl chloride, polystyrene, or the like having higher rigidity than PO may be used. For the glue layer (adhesive layer), for example, silicone rubber, acrylic material, epoxy material or the like is used.

次に、ウェーハ1の裏面1bを研削加工してウェーハ1を薄化する研削ステップを実施する。図6は、研削ステップを模式的に示す部分断面図である。図6に示すように、研削装置48は、ウェーハ1を吸引保持するチャックテーブル54と、該チャックテーブル54の上方の研削ユニット48aと、を備える。チャックテーブル54は上述のチャックテーブル10と同様の構成であり、上面がウェーハ1を保持する保持面54aとなる。該チャックテーブル10は、該保持面10aに垂直な軸の周りに回転可能である。   Next, a grinding step for thinning the wafer 1 by grinding the back surface 1b of the wafer 1 is performed. FIG. 6 is a partial cross-sectional view schematically showing the grinding step. As shown in FIG. 6, the grinding device 48 includes a chuck table 54 that sucks and holds the wafer 1, and a grinding unit 48 a above the chuck table 54. The chuck table 54 has the same configuration as the chuck table 10 described above, and the upper surface serves as a holding surface 54 a that holds the wafer 1. The chuck table 10 is rotatable around an axis perpendicular to the holding surface 10a.

研削ユニット48aは、円環状の研削ホイール52を回転可能に支持するスピンドル50を備える。該スピンドル50の先端には該研削ホイール52が装着されており、該研削ホイール52の下面側には、円環状に並ぶ複数の研削砥石56が固定されている。   The grinding unit 48a includes a spindle 50 that rotatably supports an annular grinding wheel 52. The grinding wheel 52 is attached to the tip of the spindle 50, and a plurality of grinding wheels 56 arranged in an annular shape are fixed to the lower surface side of the grinding wheel 52.

ウェーハ1の裏面1b側を研削するために、表面1a側を下方に向けた状態で保護テープ11を介してウェーハ1をチャックテーブル54の保持面54a上に載せる。このとき、ウェーハ1の中心がチャックテーブル54の回転軸と合うようにウェーハ1を位置付ける。そして、チャックテーブル54にウェーハ1を吸引保持させて、ウェーハ1の裏面1b側を上方に露出する。   In order to grind the back surface 1 b side of the wafer 1, the wafer 1 is placed on the holding surface 54 a of the chuck table 54 through the protective tape 11 with the front surface 1 a side facing downward. At this time, the wafer 1 is positioned so that the center of the wafer 1 is aligned with the rotation axis of the chuck table 54. Then, the wafer 1 is sucked and held on the chuck table 54, and the back surface 1b side of the wafer 1 is exposed upward.

次に、研削ユニット48aのスピンドル50を回転させ研削ホイール52を回転させるとともに、チャックテーブル54を回転させる。そして、研削ホイール52をウェーハ1に向けて下降させ、回転する研削ホイール52に固定された研削砥石56がウェーハ1の裏面1bに触れるとウェーハ1が研削加工される。そして、所定の高さ位置に研削砥石56が位置付けられると、ウェーハ1が所定の厚さにまで薄化される。   Next, the spindle 50 of the grinding unit 48a is rotated to rotate the grinding wheel 52, and the chuck table 54 is rotated. When the grinding wheel 52 is lowered toward the wafer 1 and the grinding wheel 56 fixed to the rotating grinding wheel 52 touches the back surface 1b of the wafer 1, the wafer 1 is ground. When the grinding wheel 56 is positioned at a predetermined height, the wafer 1 is thinned to a predetermined thickness.

研削加工されるウェーハ1の外周縁に形成されていた面取り部はエッジトリミングにより表面1a側から切削されている。そのため、ウェーハ1が研削加工されて薄化されても、ウェーハ1の外周縁がナイフエッジの如く尖ることはない。すると、ウェーハ1の外周において損傷の発生が抑制される。   The chamfered portion formed on the outer peripheral edge of the wafer 1 to be ground is cut from the surface 1a side by edge trimming. Therefore, even if the wafer 1 is ground and thinned, the outer peripheral edge of the wafer 1 is not sharp like a knife edge. Then, the occurrence of damage on the outer periphery of the wafer 1 is suppressed.

なお、上記実施形態では、エッジトリミングにおいてウェーハの面取り部を表面側から切削する際に、切削装置のチャックテーブルに直接ウェーハを保持させる場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。エッジトリミングにおいて、ウェーハの裏面には環状のフレームに張られたテープに貼着された状態で該チャックテーブルに保持されてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the wafer is directly held by the chuck table of the cutting apparatus when the chamfered portion of the wafer is cut from the front side in the edge trimming has been described. However, one embodiment of the present invention is not limited thereto. . In edge trimming, the back surface of the wafer may be held on the chuck table in a state of being attached to a tape stretched on an annular frame.

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

1 ウェーハ
1a 表面
1b 裏面
1c 面取り部
1d 撮像箇所
1e 縁
1f 段差部
1g 幅
1h 切り込み深さ
3 分割予定ライン
5 デバイス
7 撮像画像
9 欠け(チッピング)
11 保護テープ
2 切削装置
4 装置基台
4a 開口
6 X軸移動テーブル
8 防塵防滴カバー
10,54 チャックテーブル
10a,54a 保持面
12 突出部
14 切削ユニット
14a スピンドル
14b 切削ブレード
14c 基台
14d 切り刃
16 カセットエレベータ
18 カセット
20 支持構造
22 切削ユニット移動機構
24 Y軸ガイドレール
26 Y軸移動プレート
28 Y軸ボールねじ
30 Z軸ガイドレール
32 Z軸移動プレート
34 Z軸ボールねじ
36 Z軸パルスモータ
38 撮像ユニット(カメラ)
40 洗浄ユニット
42 スピンナテーブル
44 制御ユニット
46 表示部
48 研削装置
48a 研削ユニット
50 スピンドル
52 研削ホイール
56 研削砥石
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 1a Front surface 1b Back surface 1c Chamfered part 1d Image pick-up location 1e Edge 1f Step part 1g Width 1h Depth of cut 3 Line to be divided 5 Device 7 Captured image 9 Chipping (chipping)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Protective tape 2 Cutting device 4 Device base 4a Opening 6 X-axis moving table 8 Dust-proof drip-proof cover 10, 54 Chuck table 10a, 54a Holding surface 12 Protrusion 14 Cutting unit 14a Spindle 14b Cutting blade 14c Base 14d Cutting blade 16 Cassette elevator 18 Cassette 20 Support structure 22 Cutting unit moving mechanism 24 Y-axis guide rail 26 Y-axis moving plate 28 Y-axis ball screw 30 Z-axis guide rail 32 Z-axis moving plate 34 Z-axis ball screw 36 Z-axis pulse motor 38 Imaging unit (camera)
40 Cleaning Unit 42 Spinner Table 44 Control Unit 46 Display Unit 48 Grinding Device 48a Grinding Unit 50 Spindle 52 Grinding Wheel 56 Grinding Wheel

Claims (2)

ウェーハを保持する保持面を有し該保持面に垂直な軸の周りに回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを切削する切削ブレードが装着される切削ユニットと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを撮像するカメラを有する該撮像ユニットと、を備える切削装置を用いて、デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周に面取り部を有するウェーハの外周縁を表面側から切削するウェーハの加工方法であって、
該表面を露出させてウェーハを該チャックテーブルで保持する保持ステップと、
該チャックテーブルに保持された該ウェーハの外周縁を該カメラで撮像して、外周縁上の3以上の点について該保持面と平行な面における座標を取得し、取得された該座標からウェーハの外周縁の位置を検出する外周縁位置検出ステップと、
該ウェーハの薄化による仕上がり厚さ以上の深さで該外周縁に該表面側から切削ブレードを切り込ませつつ、該チャックテーブルを該軸の周りに1回転以上回転させてウェーハの外周縁を含む環状領域を切削することで、該切削された該環状領域の底部に段差部を形成するとともに該環状領域の内周に沿って新たに該ウェーハの表面の縁を形成する加工ステップと、
該加工ステップにおいて切削された該環状領域を該ウェーハの表面側から撮像して、該ウェーハの表面の縁上の3以上の点について該保持面と平行な面における座標を取得し、取得された該座標から該ウェーハの表面の縁の位置を検出する縁位置検出ステップと、
検出された該ウェーハの該外周縁の位置と、該ウェーハの表面の縁の位置と、から、該加工ステップで切削された該環状領域の幅を算出する切削幅算出ステップと、
該ウェーハの表面と、該加工ステップで該環状領域の底部に形成された段差部と、をそれぞれ該カメラで撮像し、該表面に焦点が合うときの該カメラの高さと、該段差部に焦点が合うときの該カメラの高さと、の差から該切削ブレードの切り込み深さを算出する切り込み深さ算出ステップと、
該切削幅算出ステップと、該切り込み深さ算出ステップと、でそれぞれ算出された値が予め登録された許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップと、
判定ステップにおける判定結果をオペレータに対して報知する報知ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
A chuck table having a holding surface for holding a wafer and rotatable about an axis perpendicular to the holding surface, a cutting unit to which a cutting blade for cutting the wafer held on the chuck table is mounted, and the chuck table The imaging unit having a camera for imaging the wafer held on the surface, and using a cutting device, the device region in which the device is formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region are provided on the surface, and the outer periphery is chamfered. A wafer processing method of cutting the outer peripheral edge of a wafer having a portion from the surface side,
A holding step for exposing the surface and holding the wafer on the chuck table;
The outer peripheral edge of the wafer held on the chuck table is imaged by the camera, and coordinates on a plane parallel to the holding surface are obtained for three or more points on the outer peripheral edge. An outer periphery position detecting step for detecting the position of the outer periphery;
While the cutting blade is cut into the outer peripheral edge from the surface side at a depth equal to or greater than the finished thickness due to the thinning of the wafer, the chuck table is rotated around the axis one or more times to move the outer peripheral edge of the wafer. A step of forming a stepped portion at the bottom of the cut annular region and cutting a new edge of the surface of the wafer along the inner periphery of the annular region by cutting the annular region including
The annular region cut in the processing step is imaged from the front side of the wafer, and coordinates in a plane parallel to the holding surface are obtained for three or more points on the edge of the wafer surface. An edge position detecting step for detecting the position of the edge of the surface of the wafer from the coordinates;
A cutting width calculating step for calculating the width of the annular region cut in the processing step from the detected position of the outer peripheral edge of the wafer and the position of the edge of the surface of the wafer;
The surface of the wafer and the step formed on the bottom of the annular region in the processing step are respectively imaged by the camera, and the height of the camera when focused on the surface and the focus on the step Cutting depth calculation step of calculating the cutting depth of the cutting blade from the difference between the height of the camera when
A determination step of determining whether the values calculated in the cutting width calculation step and the cutting depth calculation step are within a pre-registered allowable range;
And a notifying step for notifying an operator of a determination result in the determining step.
該縁位置検出ステップで得られた撮像画像から、該縁に形成された欠けの大きさを検出する欠け検出ステップをさらに備え、
該判定ステップでは、検出された該欠けの大きさが許容範囲内であるか否かを判定する請求項1記載のウェーハの加工方法。
A chip detection step for detecting the size of the chip formed at the edge from the captured image obtained in the edge position detection step;
The wafer processing method according to claim 1, wherein in the determining step, it is determined whether or not the detected size of the chip is within an allowable range.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020096050A (en) * 2018-12-11 2020-06-18 株式会社ディスコ Cutting device and wafer processing method using the same
JP2020169822A (en) * 2019-04-01 2020-10-15 株式会社ディスコ Measurement method
CN112123606A (en) * 2019-06-24 2020-12-25 株式会社迪思科 Method for cutting workpiece

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015085398A (en) * 2013-10-28 2015-05-07 株式会社ディスコ Cutting device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015085398A (en) * 2013-10-28 2015-05-07 株式会社ディスコ Cutting device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020096050A (en) * 2018-12-11 2020-06-18 株式会社ディスコ Cutting device and wafer processing method using the same
CN111312616A (en) * 2018-12-11 2020-06-19 株式会社迪思科 Cutting device and method for processing wafer using cutting device
JP7266398B2 (en) 2018-12-11 2023-04-28 株式会社ディスコ Wafer processing method using cutting device and cutting device
JP2020169822A (en) * 2019-04-01 2020-10-15 株式会社ディスコ Measurement method
JP7195706B2 (en) 2019-04-01 2022-12-26 株式会社ディスコ Measuring method
CN112123606A (en) * 2019-06-24 2020-12-25 株式会社迪思科 Method for cutting workpiece
CN112123606B (en) * 2019-06-24 2024-02-23 株式会社迪思科 Cutting method for workpiece

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