JP5995640B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
はじめに、図1を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法の概略フローを説明する。まず、ステップ101(S101)にて、一方の主面(以下、表面という)に段差を有する半導体ウエハを準備する。次に、ステップ102(S102)にて、ウエハ表面に保護ペーストをスクリーン印刷する。その後、ステップ103(S103)にて、保護ペーストを介して表面に保護テープを貼りつける。ステップ104(S104)にて、他方の主面(以下、裏面という)を研削してウエハを薄化する。ウエハ薄化後、ステップ105(S105)にて、裏面に拡散層を形成する。次に、ステップ106(S106)にて、保護テープを剥離する。保護テープの剥離後、ステップ107(S107)にて、裏面に電極を形成する。ステップ108(S108)にて、基板の裏面をダイシングテープにマウントし、ステップ109(S109)にて、ダイシングを行う。個々のチップに個片化された後、ステップ110(S110)にて、保護ペーストを除去する。
まず、図2を参照して、一方の主面に段差を有する半導体ウエハ1を準備する工程(S101)では、表面にトランジスタ構造が形成された半導体ウエハ1を準備する。
Claims (5)
- 一方の主面に凹凸を有する半導体基板を準備する工程と、
前記主面に保護ペーストをスクリーン印刷して、前記凹凸を前記保護ペーストで埋め込む工程とを備え、
前記埋め込む工程は、開口部を有する印刷マスクを介して、前記主面に前記保護ペーストを供給する工程を含み、
前記印刷マスクは、前記保護ペーストの粘度に応じて、前記開口部の側壁の高さが前記開口部以外の領域の厚さよりも大きくなるように形成されており、
前記側壁の高さと前記開口部以外の領域の厚さの差Amの値は、前記保護ペーストの粘度BcPの値に10 -9 を乗じた値以上である、半導体装置の製造方法。 - 前記開口部の前記側壁は、PTFE樹脂で覆われている、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記埋め込む工程は、前記主面に前記保護ペーストをスキージで塗布する工程を含み、
前記スキージの移動速度Cmm/sの値を、前記保護ペーストのせん断速度D1/sの値で割って算出した比率C/Dが、1/20以上である、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記埋め込む工程は、前記主面に前記保護ペーストをスキージで塗布する工程を含み、
前記スキージの移動速度Cmm/sの値を、前記保護ペーストのせん断速度D1/sの値で割って算出した比率C/Dが、1以下である、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記埋め込む工程は、前記主面に前記保護ペーストをスキージで塗布する工程を含み、
前記スキージの移動速度Emm/sの値を、前記保護ペーストのせん断速度F1/sの値で割って算出した比率E/Fが、1以下である、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012224942A JP5995640B2 (ja) | 2012-10-10 | 2012-10-10 | 半導体装置の製造方法 |
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JP (1) | JP5995640B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58102797A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 印刷用版 |
US5359928A (en) * | 1992-03-12 | 1994-11-01 | Amtx, Inc. | Method for preparing and using a screen printing stencil having raised edges |
WO2007026541A1 (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Nec Corporation | スクリーンマスク、半導体装置の製造方法 |
JP2008213404A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Bonmaaku:Kk | マスク及びマスクの製造方法 |
JP5599342B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2014-10-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2012
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Publication number | Publication date |
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