JP5991046B2 - Vehicle headlamp - Google Patents

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Description

この発明は、半導体型光源からの光を所定の配光パターンとして反射させる反射面を有するリフレクタタイプの車両用前照灯に関するものである。   The present invention relates to a reflector-type vehicle headlamp having a reflecting surface that reflects light from a semiconductor-type light source as a predetermined light distribution pattern.

この種の車両用前照灯は、従来からある(たとえば、特許文献1)。以下、従来の車両用前照灯について説明する。従来の車両用前照灯は、発光モジュールと、反射面を有するリフレクタと、を備え、反射面が複数個のセグメントから構成されている。発光モジュールからの光が反射面の複数個のセグメントにおいてそれぞれ反射されて複数個の所定の部分の配光パターンとして車両の前方に照射される。複数個の所定の部分の配光パターンが重畳(合成)されて所定の全体の配光パターンが形成される。   This type of vehicle headlamp has been conventionally used (for example, Patent Document 1). Hereinafter, a conventional vehicle headlamp will be described. A conventional vehicle headlamp includes a light emitting module and a reflector having a reflecting surface, and the reflecting surface is composed of a plurality of segments. The light from the light emitting module is reflected by a plurality of segments on the reflecting surface and irradiated to the front of the vehicle as a light distribution pattern of a plurality of predetermined portions. A plurality of predetermined light distribution patterns are superimposed (synthesized) to form a predetermined entire light distribution pattern.

特開2011−238511号公報JP2011-238511A

ところが、従来の車両用前照灯は、ホットゾーン形成用セグメントが左右に複数個かつ上下に複数個それぞれ分割されている。このために、従来の車両用前照灯は、上下のセグメントの間の段差により、セグメントの有効反射面が減少し、かつ、アルミ蒸着により反射面を面処理する際に蒸着溜りが形成される。   However, in the conventional vehicle headlamp, a plurality of hot zone forming segments are divided on the left and right sides and a plurality of segments on the top and bottom. For this reason, in the conventional vehicle headlamp, the effective reflection surface of the segment is reduced due to the step between the upper and lower segments, and a vapor deposition pool is formed when the reflection surface is surface-treated by aluminum vapor deposition. .

そこで、リフレクタの反射面のセグメントを左右に複数個分割する車両用前照灯が考えられている。しかしながら、セグメントを左右に分割すると、セグメントを上下左右に分割している場合に得られていた配光特性が得られない場合がある。たとえば、ロービーム用配光パターンの走行車線側の遠方を照明するポイントの光度(照度、光量)が不足する場合がある。   In view of this, a vehicle headlamp that divides a reflecting surface of a reflector into a plurality of segments on the left and right is considered. However, if the segment is divided into left and right, the light distribution characteristic obtained when the segment is divided into upper, lower, left and right may not be obtained. For example, the light intensity (illuminance, light amount) of a point that illuminates the far side of the low-beam light distribution pattern on the traveling lane side may be insufficient.

この発明が解決しようとする課題は、セグメントを左右に分割すると、配光パターンの所定のポイントの光度(照度、光量)が不足する場合がある、という点にある。   The problem to be solved by the present invention is that when the segment is divided into left and right, the light intensity (illuminance, light amount) at a predetermined point of the light distribution pattern may be insufficient.

この発明(請求項1にかかる発明)は、半導体型光源と、半導体型光源からの光を所定の配光パターンとして反射させる反射面を有するリフレクタと、を備え、反射面が、複数個のセグメントから構成されていて、複数個のセグメントが、配光パターンの集光パターンを形成する2個の集光パターン形成用セグメントと、配光パターンの拡散パターンを形成する複数個の拡散パターン形成用セグメントと、からなり、2個の集光パターン形成用セグメントが、相互に隣接していて、かつ、縦の分割線により分割されていて、分割線が、基準分割線に対して、一方の集光パターン形成用セグメント側から他方の集光パターン形成用セグメント側に越境している、ことを特徴とする。   The present invention (the invention according to claim 1) includes a semiconductor-type light source and a reflector having a reflection surface that reflects light from the semiconductor-type light source as a predetermined light distribution pattern, and the reflection surface has a plurality of segments. A plurality of segments, each of which has a plurality of segments for forming a light distribution pattern, and a plurality of diffusion pattern formation segments for forming a light distribution pattern. The two condensing pattern forming segments are adjacent to each other and divided by a vertical dividing line, and the dividing line is one condensing with respect to the reference dividing line. It is characterized by crossing from the pattern forming segment side to the other light collecting pattern forming segment side.

この発明(請求項2にかかる発明)は、分割線が湾曲線からなる、ことを特徴とする。   This invention (the invention according to claim 2) is characterized in that the dividing line is a curved line.

この発明(請求項3にかかる発明)は、分割線が、半導体型光源から離れた箇所において、一方の集光パターン形成用セグメント側から他方の集光パターン形成用セグメント側に越境している、ことを特徴とする。   In this invention (invention according to claim 3), the dividing line crosses from one condensing pattern forming segment side to the other condensing pattern forming segment side at a location away from the semiconductor-type light source. It is characterized by that.

この発明の車両用前照灯は、2個の集光パターン形成用セグメントを左右に分割する縦の分割線が、基準分割線に対して、一方の集光パターン形成用セグメント側から他方の集光パターン形成用セグメント側に越境している。このために、一方の集光パターン形成用セグメントの反射面を、縦の分割線が他方の集光パターン形成用セグメント側に越境している分、増やすことができる。この増えた反射面により、光度(照度、光量)が不足する配光パターンの所定のポイントに照射する光を増やすことができる。この結果、セグメントを左右に分割しても、配光パターンの所定のポイントの光度(照度、光量)を十分に満足することができる。   In the vehicle headlamp according to the present invention, the vertical dividing line that divides the two condensing pattern forming segments into the left and right is separated from the one condensing pattern forming segment side with respect to the reference dividing line. It crosses the optical pattern forming segment side. For this reason, the reflective surface of one condensing pattern formation segment can be increased because the vertical dividing line crosses over the other condensing pattern forming segment side. With this increased reflection surface, it is possible to increase the amount of light applied to a predetermined point of the light distribution pattern having insufficient light intensity (illuminance, light amount). As a result, even if the segment is divided into left and right, the light intensity (illuminance, light amount) at a predetermined point of the light distribution pattern can be sufficiently satisfied.

図1は、この発明にかかる車両用前照灯の実施形態を示す半導体型光源およびリフレクタの正面図である。FIG. 1 is a front view of a semiconductor light source and a reflector showing an embodiment of a vehicle headlamp according to the present invention. 図2は、リフレクタの一部拡大断面図(図1におけるII−II線拡大断面図)である。FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the reflector (an enlarged sectional view taken along line II-II in FIG. 1). 図3は、半導体型光源およびリフレクタおよびヒートシンク部材の断面図(図1におけるIII−III線断面図)である。3 is a cross-sectional view (a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 1) of the semiconductor-type light source, the reflector, and the heat sink member. 図4は、第1集光パターン形成用セグメントにより形成される第1集光パターンと第2集光パターン形成用セグメントにより形成される第2集光パターンとを示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a first light collection pattern formed by the first light collection pattern forming segment and a second light collection pattern formed by the second light collection pattern forming segment. 図5は、第1拡散パターン形成用セグメントにより形成される第1拡散パターンと第2拡散パターン形成用セグメントにより形成される第2拡散パターンとを示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a first diffusion pattern formed by the first diffusion pattern forming segment and a second diffusion pattern formed by the second diffusion pattern forming segment. 図6は、ロービーム用配光パターン(図4の第1集光パターンおよび第2集光パターンと図5の第1拡散パターンおよび第2拡散パターンとを重畳(合成)した配光パターン)を示す説明図である。6 shows a low beam light distribution pattern (a light distribution pattern obtained by superimposing (combining) the first light collection pattern and the second light collection pattern in FIG. 4 with the first diffusion pattern and the second diffusion pattern in FIG. 5). It is explanatory drawing.

以下、この発明にかかる車両用前照灯の実施形態(実施例)を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。図4〜図6において、符号「VU−VD」は、スクリーンの上下の垂直線を示す。符号「HL−HR」は、スクリーンの左右の水平線を示す。この明細書において、前、後、上、下、左、右は、この発明にかかる車両用前照灯を車両に装備した際の前、後、上、下、左、右である。   Embodiments (examples) of a vehicle headlamp according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment. 4 to 6, reference sign “VU-VD” indicates vertical lines on the upper and lower sides of the screen. Reference sign “HL-HR” indicates horizontal lines on the left and right of the screen. In this specification, front, rear, upper, lower, left, and right are front, rear, upper, lower, left, and right when the vehicle headlamp according to the present invention is mounted on the vehicle.

(実施形態の構成の説明)
以下、この実施形態における車両用前照灯1の構成について説明する。この実施形態の車両用前照灯1は、たとえば、ロービーム用配光パターンを車両(図示せず)の前方に照射するヘッドランプである。
(Description of Configuration of Embodiment)
Hereinafter, the configuration of the vehicle headlamp 1 in this embodiment will be described. The vehicle headlamp 1 of this embodiment is, for example, a headlamp that irradiates a low beam light distribution pattern in front of a vehicle (not shown).

(車両用前照灯1の説明)
前記車両用前照灯1は、図1〜図3に示すように、前記車両の前部の左右両側に搭載されている。前記車両用前照灯1は、ランプハウジング(図示せず)と、ランプレンズ(図示せず)と、半導体型光源2と、リフレクタ3と、ヒートシンク部材4と、を備えるものである。
(Description of the vehicle headlamp 1)
As shown in FIGS. 1 to 3, the vehicle headlamp 1 is mounted on both left and right sides of the front portion of the vehicle. The vehicle headlamp 1 includes a lamp housing (not shown), a lamp lens (not shown), a semiconductor-type light source 2, a reflector 3, and a heat sink member 4.

前記半導体型光源2、前記リフレクタ3、前記ヒートシンク部材4は、ロービーム用ランプのランプユニットを構成する。前記ランプハウジングおよび前記ランプレンズは、灯室(図示せず)を区画する。前記ランプユニット2、3、4は、前記灯室内に配置されていて、かつ、上下方向用光軸調整機構(図示せず)および左右方向用光軸調整機構(図示せず)を介して前記ランプハウジングに取り付けられている。前記灯室内には、前記ランプユニット2、3、4以外のランプユニット、たとえば、ハイビーム用ランプ、フォグランプ、ターンシグナルランプ、クリアランスランプ、デイタイムランニングランプ、コーナリングランプなどが配置されている場合がある。   The semiconductor-type light source 2, the reflector 3, and the heat sink member 4 constitute a lamp unit of a low beam lamp. The lamp housing and the lamp lens define a lamp chamber (not shown). The lamp units 2, 3, and 4 are disposed in the lamp chamber, and are disposed via an up / down direction optical axis adjustment mechanism (not shown) and a left / right direction optical axis adjustment mechanism (not shown). Attached to the lamp housing. In the lamp chamber, lamp units other than the lamp units 2, 3, and 4, for example, a high beam lamp, a fog lamp, a turn signal lamp, a clearance lamp, a daytime running lamp, and a cornering lamp may be arranged. .

(半導体型光源2の説明)
前記半導体型光源2は、図1、図3に示すように、この例では、たとえば、LED、EL(有機EL)などの自発光半導体型光源である。前記半導体型光源2は、発光部20と、基板21と、から構成されている。前記発光部20は、前記基板21の下面のほぼ中央に実装されている。前記基板21は、前記ヒートシンク部材4の水平板部40にスクリューなど(図示せず)により固定されている。
(Description of the semiconductor-type light source 2)
As shown in FIGS. 1 and 3, the semiconductor-type light source 2 is a self-luminous semiconductor-type light source such as an LED or an EL (organic EL) in this example. The semiconductor light source 2 includes a light emitting unit 20 and a substrate 21. The light emitting unit 20 is mounted substantially at the center of the lower surface of the substrate 21. The substrate 21 is fixed to the horizontal plate portion 40 of the heat sink member 4 with screws or the like (not shown).

前記発光部20は、発光チップ(LEDチップ)を封止樹脂部材で封止したパッケージ(LEDパッケージ)からなる。前記発光部20の発光チップは、平面矩形形状(平面長方形状)をなす。すなわち、複数個たとえば4個の正方形の発光チップを配列してなるものである。なお、1個の長方形の発光チップ、あるいは、1個の正方形の発光チップ、を使用しても良い。また、発光チップを1列にもしくは複数列配列配置してなるものを使用しても良い。前記発光部20の発光チップの下側の面(下面)は、発光面をなす。前記発光部20の発光面は、下側に向いている。   The light emitting unit 20 includes a package (LED package) in which a light emitting chip (LED chip) is sealed with a sealing resin member. The light emitting chip of the light emitting unit 20 has a planar rectangular shape (planar rectangular shape). That is, a plurality of, for example, four square light emitting chips are arranged. One rectangular light emitting chip or one square light emitting chip may be used. Moreover, you may use what formed the light emitting chip | tip by arranging in 1 row or multiple rows. The lower surface (lower surface) of the light emitting chip of the light emitting unit 20 forms a light emitting surface. The light emitting surface of the light emitting unit 20 faces downward.

(リフレクタ3の説明)
前記リフレクタ3は、図1〜図3に示すように、回転放物線(回転放物面)の一部の形状、すなわち、上部と前部とを除いた下部と後部と左右両側部とからなる形状をなす。前記リフレクタ3は、前記半導体型光源2もしくは前記ヒートシンク部材4にスクリューなど(図示せず)により固定されている。
(Description of reflector 3)
As shown in FIGS. 1 to 3, the reflector 3 has a partial shape of a rotating parabola (rotating paraboloid), that is, a shape including a lower portion, a rear portion, and left and right side portions excluding an upper portion and a front portion. Make. The reflector 3 is fixed to the semiconductor light source 2 or the heat sink member 4 with a screw or the like (not shown).

前記リフレクタ3の内面には、反射面300が設けられている。前記反射面300は、下側に向いている前記発光部20の発光面と対向する。前記反射面300は、パラボラ系の自由曲面からなる反射面である。この結果、前記反射面300は、基準焦点Fおよび基準光軸(図示せず)を有する。前記反射面300の前記基準焦点Fは、前記半導体型光源2の発光面の中心Oにもしくはその近傍に位置する。前記反射面300の前記基準光軸は、前記半導体型光源2の発光面の中心Oをもしくはその近傍を通る。   A reflective surface 300 is provided on the inner surface of the reflector 3. The reflective surface 300 faces the light emitting surface of the light emitting unit 20 facing downward. The reflection surface 300 is a reflection surface made of a parabolic free-form surface. As a result, the reflecting surface 300 has a reference focal point F and a reference optical axis (not shown). The reference focal point F of the reflecting surface 300 is located at or near the center O of the light emitting surface of the semiconductor-type light source 2. The reference optical axis of the reflecting surface 300 passes through or near the center O of the light emitting surface of the semiconductor light source 2.

前記反射面300は、前記半導体型光源2からの光を、図3中の実線矢印に示すように、ロービーム用配光パターンLPとして、前記車両の前方に反射させる自由曲面の反射面である。前記ロービーム用配光パターンLPは、図6に示すように、斜めカットオフラインCL1と水平カットオフラインCL2とエルボー点(前記斜めカットオフラインCL1と前記水平カットオフラインCL2との交点もしくはその近傍の点)Eとを有する。   The reflection surface 300 is a free-form reflection surface that reflects light from the semiconductor-type light source 2 to the front of the vehicle as a low-beam light distribution pattern LP as indicated by a solid arrow in FIG. As shown in FIG. 6, the low beam light distribution pattern LP includes an oblique cut-off line CL1, a horizontal cut-off line CL2, and an elbow point (a point at or near the intersection of the oblique cut-off line CL1 and the horizontal cut-off line CL2) E. And have.

前記ロービーム用配光パターンLPにおいて、前記斜めカットオフラインCL1は、走行車線側(左側走行の場合は左側、右側走行の場合は右側)に位置し、前記水平カットオフラインCL2は、対向車線側(左側走行の場合は右側、右側走行の場合は左側)に位置する。なお、前記斜めカットオフラインCL1に対して、走行車線側にも水平カットオフラインが形成されている。   In the low beam light distribution pattern LP, the oblique cut-off line CL1 is located on the traveling lane side (left side for left side traveling, right side for right side traveling), and the horizontal cutoff line CL2 is on the opposite lane side (left side). It is located on the right side for travel and on the left side for right travel. Note that a horizontal cut-off line is also formed on the traveling lane side with respect to the oblique cut-off line CL1.

前記リフレクタ3の前記反射面300は、複数のセグメント31、32、33、34に分割されている。この例では、左右に12個に分割されていて、かつ、中央の2個のセグメント31、32の左右両側のセグメント33、34が上下に2個に分割されている。   The reflecting surface 300 of the reflector 3 is divided into a plurality of segments 31, 32, 33, and 34. In this example, the left and right segments are divided into twelve, and the left and right segments 33 and 34 of the two middle segments 31 and 32 are divided into two in the vertical direction.

複数個のセグメントは、2個の集光パターン形成用セグメントの第1セグメント31、第2セグメント32と、複数個の拡散パターン形成用セグメントの第3セグメント33、第4セグメント34と、からなる。前記第1セグメント31と前記第2セグメント32とは、相互に隣接していて、かつ、縦の分割線302により分割されている。前記第1セグメント31の左右幅と前記第2セグメント32の左右幅とは、前記半導体型光源2に近い端部から前記半導体型光源2より離れた端部に行くに従って大きくなる。すなわち、前記第1セグメント31の面積と前記第2セグメント32の面積とは、前記半導体型光源2に近い箇所から前記半導体型光源2より離れた箇所に行くに従って増加する。これにより、前記第1セグメント31における反射光の光量と前記第2セグメント32における反射光の光量とを増加させることができる。   The plurality of segments includes a first segment 31 and a second segment 32 that are two condensing pattern forming segments, and a third segment 33 and a fourth segment 34 that are a plurality of diffusion pattern forming segments. The first segment 31 and the second segment 32 are adjacent to each other and are divided by a vertical dividing line 302. The left and right width of the first segment 31 and the left and right width of the second segment 32 increase from an end portion close to the semiconductor-type light source 2 toward an end portion farther from the semiconductor-type light source 2. That is, the area of the first segment 31 and the area of the second segment 32 increase from a location close to the semiconductor-type light source 2 to a location far from the semiconductor-type light source 2. As a result, the amount of reflected light in the first segment 31 and the amount of reflected light in the second segment 32 can be increased.

前記各セグメント31〜34は、前記ロービーム用配光パターンLPの一部の配光パターンを形成するように光学設計されている。   Each of the segments 31 to 34 is optically designed so as to form a partial light distribution pattern of the low beam light distribution pattern LP.

すなわち、左右に分割されている中央のセグメントであって、前記半導体型光源2に対して対向車線側に位置する第1セグメント31は、図4(A)に示す第1集光パターンP1を形成する。同じく、左右に分割されている中央のセグメントであって、前記半導体型光源2に対して走行車線側に位置する第2セグメント32は、図4(B)に示す第2集光パターンP2を形成する。   That is, the first segment 31 which is a central segment divided into left and right and located on the opposite lane side with respect to the semiconductor-type light source 2 forms a first light collection pattern P1 shown in FIG. To do. Similarly, a second segment 32 which is a central segment divided into left and right and located on the traveling lane side with respect to the semiconductor-type light source 2 forms a second light collection pattern P2 shown in FIG. To do.

また、前記第1セグメント31から対向車線側に位置する複数個の第3セグメント33は、図5(A)に示す第1拡散パターンP3を重畳(合成)して形成する。同じく、前記第2セグメント32から走行車線側に位置する複数個の第4セグメント34は、図5(B)に示す第2拡散パターンP4を重畳(合成)して形成する。   A plurality of third segments 33 located on the opposite lane side from the first segment 31 are formed by superimposing (combining) the first diffusion patterns P3 shown in FIG. Similarly, the plurality of fourth segments 34 located on the traveling lane side from the second segment 32 are formed by superimposing (combining) the second diffusion patterns P4 shown in FIG.

前記第1集光パターンP1は、前記第2集光パターンP2と比較して、左右(左側HLに約10°、右側HRに約10°の範囲)にやや拡散されていて、前記水平カットオフラインCL2と、前記斜めカットオフラインCL1よりも緩やかな斜めカットオフラインと、を有する。前記第2集光パターンP2は、前記第1集光パターンP1と比較して、中央(左側HLに約7°、右側HRに約5°の範囲)に集中されていて、前記斜めカットオフラインCL1と前記水平カットオフラインCL2と前記エルボー点Eと、を有する。   The first condensing pattern P1 is slightly diffused to the left and right (in the range of about 10 ° on the left HL and about 10 ° on the right HR) as compared to the second condensing pattern P2, and the horizontal cut-off line. CL2 and an oblique cut-off line that is gentler than the oblique cut-off line CL1. The second condensing pattern P2 is concentrated in the center (a range of about 7 ° on the left HL and about 5 ° on the right HR) as compared to the first condensing pattern P1, and the oblique cut-off line CL1. And the horizontal cut-off line CL2 and the elbow point E.

また、前記第1拡散パターンP3は、前記第2拡散パターンP4と比較して、走行車線側に(左側HLに約38°、右側HRに約31°の範囲)拡散されていて、前記水平カットオフラインCL2を有する。前記第2拡散パターンP4は、前記第1拡散パターンP3と比較して、対向車線側に(左側HLに約31°、右側HRに約38°の範囲)拡散されていて、前記水平カットオフラインCL2を有する。   Further, the first diffusion pattern P3 is diffused on the traveling lane side (a range of about 38 ° on the left HL and about 31 ° on the right HR) as compared with the second diffusion pattern P4, and the horizontal cut Has offline CL2. Compared with the first diffusion pattern P3, the second diffusion pattern P4 is diffused on the opposite lane side (a range of about 31 ° on the left HL and about 38 ° on the right HR), and the horizontal cutoff line CL2 Have

ここで、前記第1セグメント31と前記第2セグメント32とが、基準分割線301(前記半導体型光源2の発光面の中心Oをもしくはその近傍を通る垂直線、図1中の二点鎖線を参照)により、分割されている場合について説明する。前記基準分割線301で分割されている前記第1セグメント31は、前記の通り、前記第2集光パターンP2と比較して、左右(約10°の範囲)にやや拡散されている前記第1集光パターンP1を形成するものである。このために、前記第1集光パターンP1において、図4(A)中の破線にて示される部分P0の光度(照度、光量)が若干不足する場合がある。   Here, the first segment 31 and the second segment 32 have a reference dividing line 301 (a vertical line passing through or near the center O of the light emitting surface of the semiconductor light source 2, a two-dot chain line in FIG. 1). The case of being divided will be described. As described above, the first segment 31 divided by the reference dividing line 301 is slightly diffused to the left and right (in a range of about 10 °) compared to the second light collection pattern P2. The condensing pattern P1 is formed. For this reason, in the said 1st condensing pattern P1, the luminous intensity (illuminance, light quantity) of the part P0 shown with the broken line in FIG. 4 (A) may be slightly insufficient.

そこで、前記第1セグメント31と前記第2セグメント32とを、前記基準分割線301に対して、前記第1セグメント31側から前記第2セグメント32側に越境している分割線302(図1中の実線を参照)により、左右に分割する。前記分割線302は、湾曲線からなり、前記半導体型光源2から離れた箇所において、前記第1セグメント31側から前記第2セグメント32側に越境している。   Therefore, the first segment 31 and the second segment 32 are separated from the reference dividing line 301 by a dividing line 302 (in FIG. 1) crossing from the first segment 31 side to the second segment 32 side. To the left and right. The dividing line 302 is a curved line, and crosses from the first segment 31 side to the second segment 32 side at a location away from the semiconductor-type light source 2.

この結果、前記第2セグメント32のうち、前記基準分割線301と前記分割線302との間の部分の越境セグメント30が前記第1セグメント31側に越境する。前記越境セグメント30は、前記第2セグメント32により形成される前記第2集光パターンP2のうち、図4(B)中の破線にて示される対向車線側の部分P0を形成するものである。前記越境セグメント30が前記第2セグメント32から前記第1セグメント31に越境することにより、図4(B)中の破線にて示される対向車線側の部分P0は、光度(照度、光量)が若干不足している図4(A)中の破線にて示される部分P0に振り分けられる(図4(B)から図4(A)への実線矢印を参照)。   As a result, in the second segment 32, the cross-border segment 30 between the reference dividing line 301 and the dividing line 302 crosses the first segment 31 side. The cross-border segment 30 forms a portion P0 on the opposite lane side indicated by a broken line in FIG. 4B in the second light collection pattern P2 formed by the second segment 32. When the cross-border segment 30 crosses the first segment 31 from the second segment 32, the opposite lane side portion P0 indicated by the broken line in FIG. It is distributed to the portion P0 indicated by the broken line in FIG. 4 (A) that is insufficient (see the solid line arrow from FIG. 4 (B) to FIG. 4 (A)).

複数個の前記第3セグメント33は、前記第1拡散パターンP3のうち、図5(A)中の破線にて示されている部分P30の光を、前記第2集光パターンP2の前記部分P0に補充する。同じく、複数個の前記第4セグメント34は、前記第2拡散パターンP4のうち、図5(B)中の破線にて示されている部分P40の光を、前記第2集光パターンP2の前記部分P0に補充する。   The plurality of third segments 33 emit light from a portion P30 of the first diffusion pattern P3 indicated by a broken line in FIG. 5A to the portion P0 of the second light collection pattern P2. To replenish. Similarly, the plurality of fourth segments 34 emit light from a portion P40 indicated by a broken line in FIG. 5B in the second diffusion pattern P4, and the second condensing pattern P2. Refill part P0.

(ヒートシンク部材4の説明)
前記ヒートシンク部材4は、水平板部40と、複数のフィン形状の垂直板部41と、から構成されている。前記ヒートシンク部材4は、前記半導体型光源2において発生した熱を外部に放射させるものである。前記ヒートシンク部材4には、前記半導体型光源2や前記リフレクタ3が固定されている。
(Description of heat sink member 4)
The heat sink member 4 is composed of a horizontal plate portion 40 and a plurality of fin-shaped vertical plate portions 41. The heat sink member 4 radiates heat generated in the semiconductor light source 2 to the outside. The semiconductor light source 2 and the reflector 3 are fixed to the heat sink member 4.

(実施形態の作用の説明)
この実施形態における車両用前照灯1は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。
(Description of the operation of the embodiment)
The vehicle headlamp 1 in this embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.

半導体型光源2の発光部20を点灯する。すると、半導体型光源2の発光部20から放射される光は、リフレクタ3の反射面300の各セグメント30〜34に入射してその各セグメント30〜34において反射する。この反射光は、所定の各部分の配光パターンP1〜P4、P0、P30、P40として、車両の前方に照射される。所定の各部分の配光パターンP1〜P4、P0、P30、P40が重畳(合成)されてロービーム用配光パターンLPが形成される。   The light emitting unit 20 of the semiconductor light source 2 is turned on. Then, the light emitted from the light emitting unit 20 of the semiconductor-type light source 2 enters the segments 30 to 34 of the reflecting surface 300 of the reflector 3 and is reflected by the segments 30 to 34. This reflected light is irradiated in front of the vehicle as light distribution patterns P1 to P4, P0, P30, and P40 of predetermined portions. Light distribution patterns P1 to P4, P0, P30, and P40 of predetermined portions are superimposed (synthesized) to form a low beam light distribution pattern LP.

(実施形態の効果の説明)
この実施形態における車両用前照灯1は、以上のごとき構成および作用からなり、以下、その効果について説明する。
(Explanation of effect of embodiment)
The vehicle headlamp 1 in this embodiment has the above-described configuration and operation, and the effects thereof will be described below.

この実施形態における車両用前照灯1は、2個の集光パターン形成用セグメントの第1セグメント31と第2セグメント32とを左右に分割する縦の分割線302が、基準分割線301に対して、第1セグメント31側から第2セグメント32側に越境している。このために、第1セグメント31の反射面を、縦の分割線302が第2セグメント32側に越境している越境セグメント30分、増やすことができる。この増えた反射面により、光度(照度、光量)が不足する第1集光パターンP1の所定のポイントの部分P0に照射する光を増やすことができる。この結果、2個の集光パターン形成用セグメントの第1セグメント31と第2セグメント32とを左右に分割しても、第1集光パターンP1の所定のポイントの部分P0の光度(照度、光量)を十分に満足することができる。これにより、遠方の視認性が向上される。この実施形態においては、走行車線側の遠方の視認性が向上される。   In the vehicle headlamp 1 according to this embodiment, a vertical dividing line 302 that divides the first segment 31 and the second segment 32 of the two condensing pattern forming segments left and right is defined with respect to the reference dividing line 301. Thus, the border extends from the first segment 31 side to the second segment 32 side. For this reason, the reflective surface of the first segment 31 can be increased by the cross-border segment 30 where the vertical dividing line 302 crosses the second segment 32 side. With this increased reflection surface, it is possible to increase the light irradiated to the portion P0 of the predetermined point of the first light collection pattern P1 where the luminous intensity (illuminance, light amount) is insufficient. As a result, even if the first segment 31 and the second segment 32 of the two condensing pattern forming segments are divided into left and right, the light intensity (illuminance, light amount) of the portion P0 of the predetermined point of the first condensing pattern P1. ) Can be fully satisfied. Thereby, the visibility of a distant place is improved. In this embodiment, the far visibility on the traveling lane side is improved.

この実施形態における車両用前照灯1は、分割線302が湾曲線からなるので、第1セグメント31と第2セグメント32との間には段差が発生しない。これにより、段差の発生による光損失を防ぐことができる。   In the vehicle headlamp 1 in this embodiment, since the dividing line 302 is a curved line, no step is generated between the first segment 31 and the second segment 32. Thereby, the optical loss by generation | occurrence | production of a level | step difference can be prevented.

この実施形態における車両用前照灯1は、分割線302が半導体型光源2から離れた箇所において、第1セグメント31側から第2セグメント32側に越境しているものである。このために、越境セグメント30における半導体型光源2の発光面の反射像が小さい。これにより、小さい発光面の反射像を光度(照度、光量)が不足する第1集光パターンP1の所定のポイントの部分P0に照射することができる。特に、小さい発光面の反射像斜めカットオフラインCL1に沿って照射することが容易となる。   In the vehicle headlamp 1 in this embodiment, the dividing line 302 crosses from the first segment 31 side to the second segment 32 side at a location away from the semiconductor light source 2. For this reason, the reflection image of the light emitting surface of the semiconductor-type light source 2 in the transboundary segment 30 is small. Thereby, the reflection image of the small light emitting surface can be irradiated to a predetermined point portion P0 of the first light collection pattern P1 having insufficient light intensity (illuminance, light amount). In particular, it becomes easy to irradiate along a reflected image oblique cut-off line CL1 of a small light emitting surface.

(実施形態以外の例の説明)
なお、前記の実施形態においては、ロービーム用配光パターンLPを照射する車両用前照灯1について説明するものである。ところが、この発明においては、ロービーム用配光パターンLP以外の配光パターン、たとえば、ハイビーム用の配光パターン、高速道路用配光パターン、フォグランプ用配光パターンなどを照射する車両用前照灯にも使用することができる。
(Description of example other than embodiment)
In addition, in the said embodiment, the vehicle headlamp 1 which irradiates the light distribution pattern LP for low beams is demonstrated. However, in the present invention, a vehicle headlamp that emits a light distribution pattern other than the low beam light distribution pattern LP, such as a high beam light distribution pattern, a highway light distribution pattern, a fog lamp light distribution pattern, etc. Can also be used.

また、前記の実施形態においては、左側走行の場合について説明するものである。ところが、この発明においては、右側走行の場合にも適用することができる。この場合においては、セグメントや配光パターンが左右逆となる。   Moreover, in the said embodiment, the case of left side driving | running is demonstrated. However, the present invention can also be applied to right-side traveling. In this case, the segments and light distribution patterns are reversed left and right.

さらに、前記の実施形態においては、半導体型光源2の発光部20の発光面が下側に向いているものである。ところが、この発明においては、半導体型光源2の発光部20の発光面が上側、あるいは、左側、あるいは、右側などに向いているものであっても良い。この場合において、リフレクタ3(3L、3R)の反射面30を、上側、あるいは、左側、あるいは、右側などに向いている半導体型光源2の発光部20の発光面に、対向させる。   Furthermore, in the said embodiment, the light emission surface of the light emission part 20 of the semiconductor type light source 2 has faced down. However, in the present invention, the light emitting surface of the light emitting unit 20 of the semiconductor light source 2 may face the upper side, the left side, or the right side. In this case, the reflecting surface 30 of the reflector 3 (3L, 3R) is opposed to the light emitting surface of the light emitting unit 20 of the semiconductor-type light source 2 facing the upper side, the left side, or the right side.

1 車両用前照灯
2 半導体型光源
20 発光部
21 基板
3 リフレクタ
30 越境セグメント
31 第1セグメント
32 第2セグメント
33 第3セグメント
34 第4セグメント
300 反射面
301 基準分割線
302 分割線
4 ヒートシンク部材
40 水平板部
41 垂直板部
HL−HR スクリーンの左右の水平線
VU−VD スクリーンの上下の垂直線
LP ロービーム用配光パターン
CL1 斜めカットオフライン
CL2 水平カットオフライン
E エルボー点
P1 第1集光パターン
P2 第2集光パターン
P3 第1拡散パターン
P4 第2拡散パターン
P0、P30、P40 部分
F 基準焦点
O 発光面の中心
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vehicle headlamp 2 Semiconductor type light source 20 Light emission part 21 Board | substrate 3 Reflector 30 Cross-border segment 31 1st segment 32 2nd segment 33 3rd segment 34 4th segment 300 Reflecting surface 301 Reference dividing line 302 Dividing line 4 Heat sink member 40 Horizontal plate portion 41 Vertical plate portion HL-HR Horizontal lines on the left and right sides of the screen VU-VD Vertical lines on the upper and lower sides of the screen LP Low beam light distribution pattern CL1 Oblique cut-off line CL2 Horizontal cut-off line E Elbow point P1 First condensing pattern P2 Second Condensing pattern P3 First diffusion pattern P4 Second diffusion pattern P0, P30, P40 Part F Reference focus O Center of light emitting surface

Claims (1)

半導体型光源と、
前記半導体型光源からの光を所定の配光パターンとして反射させる反射面を有するリフレクタと、
を備え、
前記反射面は、複数個のセグメントから構成されていて、
複数個の前記セグメントは、前記配光パターンの集光パターンを形成する2個の集光パターン形成用セグメントと、前記配光パターンの拡散パターンを形成する複数個の拡散パターン形成用セグメントと、からなり、
前記2個の集光パターン形成用セグメントは、相互に隣接していて、かつ、縦の分割線により分割されていて、
前記分割線は、湾曲線からなり、基準分割線に対して、前記半導体型光源から離れた箇所において、前記一方の集光パターン形成用セグメント側から前記他方の集光パターン形成用セグメント側に越境しており
前記一方の集光パターン形成用セグメントの横方向の左右幅と前記他方の集光パターン形成用セグメントの横方向の左右幅とは、前記半導体型光源に近い端部から前記半導体型光源より離れた端部に行くに従って大きくなる、
ことを特徴とする車両用前照灯。
A semiconductor light source;
A reflector having a reflecting surface for reflecting light from the semiconductor-type light source as a predetermined light distribution pattern;
With
The reflective surface is composed of a plurality of segments,
The plurality of segments include two light-collecting pattern forming segments that form the light-condensing pattern of the light distribution pattern, and a plurality of diffusion pattern-forming segments that form the diffusion pattern of the light distribution pattern. Become
The two condensing pattern forming segments are adjacent to each other and divided by a vertical dividing line,
The dividing line is a curved line, and crosses the reference dividing line from the one condensing pattern forming segment side to the other condensing pattern forming segment side at a position away from the semiconductor-type light source. and it is,
The horizontal width of the one light-condensing pattern forming segment and the horizontal width of the other light-condensing pattern forming segment are separated from the semiconductor-type light source from an end near the semiconductor-type light source. Get bigger as you go to the edge,
A vehicle headlamp characterized by that.
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