JP6277687B2 - Vehicle headlamp - Google Patents

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Description

本発明は、半導体型光源からの光を所定の配光パターンとして車両の前方に反射させる車両用前照灯に関する。   The present invention relates to a vehicle headlamp that reflects light from a semiconductor light source as a predetermined light distribution pattern to the front of the vehicle.

半導体型光源からの光を複数の分割された反射面(以下、「複数個のセグメント」ともいう。)を有するリフレクタで車両前方に照射し、所定の配光パターンを形成する車両用前照灯が、たとえば、特許文献1に記載されている。
そして、この複数個のセグメントには、所定のカットオフ配光パターンを形成するカットオフ配光形成セグメントと、所定のカットオフ配光パターンの周囲に所定の拡散配光パターンを形成する拡散配光形成セグメントとが含まれている。
A vehicle headlamp that irradiates light from a semiconductor-type light source with a reflector having a plurality of divided reflecting surfaces (hereinafter also referred to as “a plurality of segments”) to form a predetermined light distribution pattern. For example, it is described in Patent Document 1.
The plurality of segments include a cut-off light distribution forming segment that forms a predetermined cut-off light distribution pattern, and a diffuse light distribution that forms a predetermined diffuse light distribution pattern around the predetermined cut-off light distribution pattern. And forming segments.

カットオフ配光パターンは、たとえば、スクリーン上の水平線と垂直線とが交差する近傍にあるエルボー点から走行車線側に向かって水平線より上方に斜めに伸びる斜めカットオフラインを有し、かつ、エルボー点から対向車線側に水平線に重なるか、水平線よりもやや下降で水平線に略平行な下側水平カットオフラインを有し、エルボー点近傍に集光している配光パターンであり、このため集光配光パターンと呼ばれる場合もある。   The cut-off light distribution pattern has, for example, an oblique cut-off line extending obliquely above the horizontal line from the elbow point near the horizontal line and the vertical line on the screen toward the traveling lane, and the elbow point It is a light distribution pattern that has a lower horizontal cut-off line that overlaps the horizontal line on the opposite lane side or is slightly lower than the horizontal line and substantially parallel to the horizontal line, and is concentrated near the elbow point. Sometimes called a light pattern.

一方、拡散配光パターンは、カットオフ配光パターンの下側水平カットオフラインと重なる下側水平カットオフラインを有し、主にスクリーン上の水平線の下側に広く広がり集光配光パターンの周囲に設けられる配光パターンである。
これらカットオフ配光パターン(集光配光パターン)と拡散配光パターンとを重ね合わせることで、全体として、斜めカットオフパターンと下側水平カットオフパターンとを有するロービーム用配光パターン(すれ違い用配光パターン)が形成されている。
On the other hand, the diffused light distribution pattern has a lower horizontal cut-off line that overlaps the lower horizontal cut-off line of the cut-off light distribution pattern. It is the light distribution pattern provided.
By superimposing these cut-off light distribution patterns (condensed light distribution patterns) and diffused light distribution patterns, a light distribution pattern for low beam (for passing) having an oblique cut-off pattern and a lower horizontal cut-off pattern as a whole. A light distribution pattern) is formed.

そして、ロービーム用配光パターンは、対向車線側では下側水平カットオフラインを有する配光パターンであるため、対向車に対するグレア光の照射を防ぐことができ、一方、走行車線側では斜めカットオフラインを有する配光パターンであるため、走行車線を遠方まで照らして良好な前方視認性が確保できる。   The low beam light distribution pattern is a light distribution pattern having a lower horizontal cut-off line on the oncoming lane side, so that it is possible to prevent glare light from being emitted to the oncoming vehicle side, while an oblique cut-off line is provided on the traveling lane side. Since the light distribution pattern has, it is possible to ensure good forward visibility by illuminating the traveling lane far away.

このことから、良好な前方視認性を確保しているカットオフ配光パターンの斜めカットオフライン近傍の光度を高めることで走行車線側をより遠方まで照らすことができ、より良好な前方視認性が得られるロービーム用配光パターンが得られるようになる。   From this, it is possible to illuminate the traveling lane side farther by increasing the light intensity near the oblique cut-off line of the cut-off light distribution pattern that ensures good forward visibility, and better forward visibility is obtained. A low beam light distribution pattern can be obtained.

特開2010−108776号公報JP 2010-108776 A

ここで、特許文献1に記載された従来技術では、カットオフ配光パターンを形成するカットオフ配光形成セグメントの幅が鉛直方向(上下方向)で略同じ幅の形状のセグメントとして形成されている。
しかしながら、上記のようなカットオフ配光形成セグメントでは、リフレクタの鉛直方向(上下方向)のサイズに制限がある場合、車両から遠方に延びるカットオフ配光パターンの伸びが不足するような場合があった。
Here, in the prior art described in Patent Document 1, the width of the cut-off light distribution forming segment for forming the cut-off light distribution pattern is formed as a segment having a shape with substantially the same width in the vertical direction (vertical direction). .
However, in the cut-off light distribution forming segment as described above, when the size of the reflector in the vertical direction (vertical direction) is limited, the cut-off light distribution pattern extending far away from the vehicle may be insufficiently extended. It was.

そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、リフレクタの鉛直方向(上下方向)のサイズに制限がある場合でも、車両から遠方に伸びるカットオフ配光パターンが得られ、良好な前方視認性が得られる車両用前照灯を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and even when the size of the reflector in the vertical direction (up and down direction) is limited, a cut-off light distribution pattern extending away from the vehicle is obtained. An object of the present invention is to provide a vehicle headlamp capable of obtaining good forward visibility.

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、以下の構成により把握される。
(1)本発明の車両用前照灯は、半導体型光源と、前記半導体型光源の下側に配置され、前記半導体型光源からの光を所定の配光パターンとして車両前方に照射するリフレクタとを備え、前記リフレクタが、前記リフレクタの中央部にカットオフ配光パターンを形成する反射面であるカットオフ配光形成セグメントを有し、前記カットオフ配光形成セグメントの左右の両側に拡散配光パターンを形成する反射面である拡散配光形成セグメントを有し、前記カットオフ配光形成セグメントが前記半導体型光源に近い側から遠い側に向かって幅が広がる末広がり形状に形成されている。
The present invention has been proposed to achieve the above object, and is grasped by the following configuration.
(1) A vehicle headlamp according to the present invention includes a semiconductor-type light source, a reflector that is disposed below the semiconductor-type light source, and irradiates light from the semiconductor-type light source as a predetermined light distribution pattern in front of the vehicle. The reflector has a cut-off light distribution forming segment that is a reflecting surface that forms a cut-off light distribution pattern at the center of the reflector, and diffused light distribution on both the left and right sides of the cut-off light distribution forming segment It has a diffused light distribution forming segment which is a reflection surface for forming a pattern, and the cut-off light distribution forming segment is formed in a divergent shape whose width is widened from a side closer to the semiconductor-type light source to a side farther from the semiconductor type light source.

(2)上記(1)の構成において、前記末広がり形状が、カットオフ配光形成セグメントを前記半導体型光源の光軸に沿った基準線で左右に二分した面として見たときに、カットオフ配光パターンの斜めカットオフラインを形成する領域を含む側の外側ラインの方が、その反対側にある外側ラインよりも、外側に大きく広がるように形成されている。
(3)上記(1)又は(2)の構成において、前記カットオフ配光形成セグメントが上側反射面と下側反射面とに分割して形成され、前記上側反射面と前記下側反射面との間が繋ぎ面によって緩やかに連続的に繋げられているようにしても良い。
(4)上記(1)〜(3)の構成において、前記カットオフ配光形成セグメントが左側反射面と右側反射面とに分割して形成されていても良い。
(2) In the configuration of (1), the divergent shape has a cut-off distribution when the cut-off light distribution forming segment is viewed as a plane divided into right and left by a reference line along the optical axis of the semiconductor light source. The outer line on the side including the region where the oblique cut-off line of the light pattern is formed is formed so as to spread more outward than the outer line on the opposite side.
(3) In the configuration of (1) or (2), the cut-off light distribution forming segment is formed by being divided into an upper reflective surface and a lower reflective surface, and the upper reflective surface and the lower reflective surface The gaps may be connected gradually and continuously by a connecting surface.
(4) In the configurations of (1) to (3) above, the cut-off light distribution forming segment may be divided into a left reflective surface and a right reflective surface.

本発明の車両用前照灯によれば、リフレクタの鉛直方向(上下方向)のサイズに制限がある場合でも、車両から遠方に伸びるカットオフ配光パターンが得られ、良好な前方視認性が得られる車両用前照灯を提供することができる。   According to the vehicle headlamp of the present invention, even when the vertical size (vertical direction) of the reflector is limited, a cut-off light distribution pattern extending far from the vehicle is obtained, and good forward visibility is obtained. The vehicle headlamp can be provided.

本発明の第1実施形態に係る車両用前照灯の概略正面図である。1 is a schematic front view of a vehicle headlamp according to a first embodiment of the present invention. 図1のX−X線断面図である。It is the XX sectional view taken on the line of FIG. (a)カットオフ配光形成セグメントの半導体型光源に近い側の反射面が形成するスクリーン上の配光パターンを示す図である。(b)カットオフ配光形成セグメントの半導体型光源に遠い側の反射面が形成するスクリーン上の配光パターンを示す図である。(c)全体の配光パターン(ロービーム用配光パターン)を示す図である。(A) It is a figure which shows the light distribution pattern on the screen which the reflective surface near the semiconductor type light source of the cut-off light distribution formation segment forms. (B) It is a figure which shows the light distribution pattern on the screen which the reflective surface of the side far from the semiconductor type light source of a cut-off light distribution formation segment forms. (C) It is a figure which shows the whole light distribution pattern (light distribution pattern for low beams). カットオフ配光形成セグメントの末広がり形状を説明する図である。It is a figure explaining the end spread shape of a cut-off light distribution formation segment. 本発明の第2実施形態に係る車両用前照灯の概略正面図である。It is a schematic front view of the vehicle headlamp which concerns on 2nd Embodiment of this invention. (a)図5の上側反射面と下側反射面との繋がり形状を説明する図である。(b)(a)に対する繋がり形状の比較例を示す図である。(A) It is a figure explaining the connection shape of the upper side reflective surface and lower side reflective surface of FIG. (B) It is a figure which shows the comparative example of the connection shape with respect to (a). 本発明の第3実施形態に係る車両用前照灯の概略正面図である。It is a schematic front view of the vehicle headlamp which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明に係る車両用前照灯の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、実施形態の説明の全体を通じて同じ要素には同じ符号を付して説明する。図3及び図4において、符号「VU−VD」は、配光パターンを投影したスクリーンの上下の垂直線を示す。符号「HL−HR」は、配光パターンを投影したスクリーンの左右の水平線を示す。この明細書において、前、後、上、下、左、右は、この発明にかかる車両用前照灯を車両に装備した際の前、後、上、下、左、右である。また、実施形態の説明では全体を通じて、同じ要素には同じ番号を付与している。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a vehicle headlamp according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the same reference numerals are given to the same elements throughout the description of the embodiment. In FIG. 3 and FIG. 4, “VU-VD” indicates vertical lines on the upper and lower sides of the screen on which the light distribution pattern is projected. Reference sign “HL-HR” indicates horizontal lines on the left and right of the screen onto which the light distribution pattern is projected. In this specification, front, rear, upper, lower, left, and right are front, rear, upper, lower, left, and right when the vehicle headlamp according to the present invention is mounted on the vehicle. In the description of the embodiments, the same numbers are assigned to the same elements throughout.

(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る車両用前照灯1の概略正面図、図2は、図1のX−X線断面図である。
第1実施形態に係る車両用前照灯1は、たとえば、ロービーム用配光パターンを車両(図示せず)の前方に照射するヘッドランプであって、車両前部の左右両側に設けられる。
図1及び図2にように、車両用前照灯1は、少なくとも、半導体型光源2と、半導体型光源2からの光を所定の配光パターンとして車両の前方に反射させるリフレクタ3とを備えて構成される。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic front view of a vehicular headlamp 1 according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.
The vehicle headlamp 1 according to the first embodiment is, for example, a headlamp that irradiates a light distribution pattern for low beam in front of a vehicle (not shown), and is provided on both the left and right sides of the front portion of the vehicle.
As shown in FIGS. 1 and 2, the vehicle headlamp 1 includes at least a semiconductor-type light source 2 and a reflector 3 that reflects light from the semiconductor-type light source 2 to the front of the vehicle as a predetermined light distribution pattern. Configured.

半導体型光源2は、たとえば、LED、EL(有機EL)などの自発光半導体を備えた光源であって、発光部20と基板21とから構成されている。発光部20は、発光チップ(LEDチップ)を基板21の下面のほぼ中央に実装され、下方に向けて発光する。
なお、発光部20は、発光チップ(LEDチップ)を封止樹脂部材で封止したパッケージ(LEDパッケージ)からなる場合もある。
The semiconductor-type light source 2 is a light source including a self-luminous semiconductor such as an LED or an EL (organic EL), and includes a light emitting unit 20 and a substrate 21. The light emitting unit 20 has a light emitting chip (LED chip) mounted at substantially the center of the lower surface of the substrate 21 and emits light downward.
In addition, the light emission part 20 may consist of a package (LED package) which sealed the light emitting chip (LED chip) with the sealing resin member.

発光部20の発光チップは、長方形または正方形であり、発光部20は、複数個たとえば4個の正方形の発光チップを配列して構成される。なお、発光部20においては、1個の長方形の発光チップ、又は1個の正方形の発光チップを使用してもよい。また、発光部20においては、発光チップを1列又は複数列に配置したものを使用してもよい。   The light emitting chip of the light emitting unit 20 is rectangular or square, and the light emitting unit 20 is configured by arranging a plurality of, for example, four square light emitting chips. Note that in the light emitting unit 20, one rectangular light emitting chip or one square light emitting chip may be used. Moreover, in the light emission part 20, you may use what arrange | positioned the light emitting chip | tip in 1 row or multiple rows.

リフレクタ3は、回転放物面の一部の形状、すなわち、回転放物面の上部と前部とを除いた下部と後部と左右両側部とからなる形状であり、その内面には、反射面300が設けられている。
反射面300は、下側に向いている発光部20の発光面と対向するパラボラ系の自由曲面からなり、基準焦点F及び基準光軸(図示せず)を有する。
反射面300の基準焦点Fは、半導体型光源2の発光面の中心O、又はその近傍に位置する。
また、反射面300の基準光軸は、半導体型光源2の発光面の中心O、又はその近傍を通る。
The reflector 3 has a shape of a part of the rotating paraboloid, that is, a shape including a lower part, a rear part, and left and right side parts excluding an upper part and a front part of the rotating paraboloid, 300 is provided.
The reflecting surface 300 is a parabolic free-form surface facing the light emitting surface of the light emitting unit 20 facing downward, and has a reference focal point F and a reference optical axis (not shown).
The reference focal point F of the reflecting surface 300 is located at or near the center O of the light emitting surface of the semiconductor light source 2.
The reference optical axis of the reflecting surface 300 passes through the center O of the light emitting surface of the semiconductor light source 2 or the vicinity thereof.

図1に示すように、リフレクタ3の反射面300は、左右方向に並列する複数(この例では11個)のセグメント31、32、33に分割されている。
この複数のセグメントにおいて、リフレクタ3の中央にある、つまり、半導体型光源2の略真下にあるセグメントがカットオフ配光パターンを形成するカットオフ配光形成セグメント31であり、その両サイドに位置する複数のセグメントが拡散配光パターンを形成する拡散配光形成セグメント32、33である。
As shown in FIG. 1, the reflecting surface 300 of the reflector 3 is divided into a plurality (11 in this example) of segments 31, 32, and 33 that are juxtaposed in the left-right direction.
In the plurality of segments, the segment at the center of the reflector 3, that is, the segment just below the semiconductor light source 2 is a cutoff light distribution forming segment 31 that forms a cutoff light distribution pattern, and is located on both sides thereof. A plurality of segments are diffusion light distribution forming segments 32 and 33 that form a diffusion light distribution pattern.

より具体的には、本実施形態では、リフレクタ3の左右中央部に1個のカットオフ配光形成セグメント31を設けるとともに、その左右外側方(左右の両側)に、それぞれ5個の拡散配光形成セグメント32、33を設けている。
そして、カットオフ配光形成セグメント31が形成するカットオフ配光パターンと、拡散配光形成セグメント32、33が形成する拡散配光パターンとが重なり合うことでロービーム用配光パターンが形成される。
More specifically, in the present embodiment, one cut-off light distribution forming segment 31 is provided in the left and right central portion of the reflector 3, and five diffused light distributions are provided on the left and right outer sides (left and right sides). Forming segments 32 and 33 are provided.
The cut-off light distribution pattern formed by the cut-off light distribution forming segment 31 and the diffused light distribution pattern formed by the diffused light distribution forming segments 32 and 33 are overlapped to form a low beam light distribution pattern.

ここで、上述したように、走行車線側を遠方まで照らし、良好な前方視認性が得られるようにするためには、カットオフ配光パターンの斜めカットオフライン近傍の光度を高めることが好適であり、以下では、主に、そのためのカットオフ配光形成セグメント31の構成について詳細に説明を行う。   Here, as described above, in order to illuminate the traveling lane side far and obtain good forward visibility, it is preferable to increase the luminous intensity in the vicinity of the oblique cutoff line of the cutoff light distribution pattern. Hereinafter, the configuration of the cut-off light distribution forming segment 31 for that purpose will be mainly described in detail.

図1では、カットオフ配光形成セグメント31の領域を、半導体型光源2に近い側の領域31Uとし、半導体型光源2から遠い側の領域31Dとして示している。
カットオフ配光形成セグメント31において、半導体型光源2に近い側の領域31Uの位置は、光源に近いため光は大きい像として反射面に投影され、その大きい光の像が、反射面によって車両前方に照射される。
In FIG. 1, the region of the cut-off light distribution forming segment 31 is shown as a region 31U on the side close to the semiconductor light source 2 and a region 31D on the side far from the semiconductor light source 2.
In the cut-off light distribution forming segment 31, the position of the region 31U on the side close to the semiconductor-type light source 2 is close to the light source, so that the light is projected as a large image on the reflecting surface. Is irradiated.

この半導体型光源2に近い側の領域31Uで車両前方に照射された光のスクリーン上での配光パターンP1を図3(a)に示している。
図3(a)に示すように、半導体型光源2に近い側の領域31Uの反射面は、エルボー点Eから走行車線側(図の左側)に向かって水平線(HL−HR線)より斜め上方に伸びる斜めカットオフラインCL1とエルボー点Eから略水平線(HL−HR線)に沿って対向車線側(図の右側)に水平に伸びる下側水平カットオフラインCL2を有する配光パターンP1を形成するように、例えば、自由曲面で形成されている。
FIG. 3A shows a light distribution pattern P1 on the screen of light irradiated in front of the vehicle in the region 31U on the side close to the semiconductor light source 2.
As shown in FIG. 3A, the reflection surface of the region 31U on the side close to the semiconductor-type light source 2 is obliquely above the horizontal line (HL-HR line) from the elbow point E toward the traveling lane side (left side in the figure). A light distribution pattern P1 having an oblique cut-off line CL1 extending horizontally and a lower horizontal cut-off line CL2 extending horizontally from the elbow point E along the substantially horizontal line (HL-HR line) to the opposite lane side (right side in the figure). For example, it is formed with a free-form surface.

なお、走行車線側(図の左側)の斜めカットオフラインCL1よりも外側(図の左側)にも水平線と同じか上側に水平線とほぼ平行に水平方向に伸びる上側水平カットオフラインが形成される場合もある。   Note that an upper horizontal cut-off line extending in the horizontal direction in the horizontal direction substantially parallel to the horizontal line may be formed on the outer side (left side in the figure) of the traveling lane side (left side in the figure) on the outer side (left side in the figure). is there.

一方、半導体型光源2から遠い側の領域31Dの位置は、光源から離れるため光は小さい像として反射面に投影され、その小さい光の像が、反射面によって車両前方に照射される。
この半導体型光源2から遠い側の領域31Dで車両前方に照射された光のスクリーン上での配光パターンP2を図3(b)に実線で示している。
なお、図3(b)には、点線で図3(a)の配光パターンP1を重ねるようにして示している。また、図3(c)では、図3(b)に示される配光パターンに、さらに、拡散配光形成セグメント32、33が形成する拡散配光パターンを重ねるようにして全体の配光パターンの状態、つまり、ロービーム用配光パターンの状態を示している。
On the other hand, since the position of the region 31D far from the semiconductor light source 2 is far from the light source, the light is projected onto the reflecting surface as a small image, and the small light image is irradiated forward of the vehicle by the reflecting surface.
The light distribution pattern P2 on the screen of the light irradiated in front of the vehicle in the region 31D far from the semiconductor-type light source 2 is shown by a solid line in FIG.
In FIG. 3B, the light distribution pattern P1 of FIG. 3C, the light distribution pattern shown in FIG. 3B is further overlapped with the diffusion light distribution pattern formed by the diffusion light distribution formation segments 32 and 33, so that the entire light distribution pattern is obtained. The state, that is, the state of the low beam light distribution pattern is shown.

図3(b)に示される通り、半導体型光源2から遠い側の領域31Dの位置で車両前方に照射された光の方が、反射される光の像が小さいため、スクリーン上での配光パターンP2は、図3(a)に示されるのと同様の斜めカットオフラインCL1と下側水平カットオフラインCL2とを有する配光パターンP2でありながら、図3(a)に示される配光パターンP1よりもエルボー点近傍に集光した配光パターンP2が形成されている。
なお、半導体型光源2から遠い側の領域31Dも、例えば、自由曲面で形成されている。
As shown in FIG. 3B, the light emitted toward the front of the vehicle at the position of the region 31D far from the semiconductor-type light source 2 has a smaller reflected light image. The pattern P2 is a light distribution pattern P2 having an oblique cut-off line CL1 and a lower horizontal cut-off line CL2 similar to those shown in FIG. 3A, while the light distribution pattern P1 shown in FIG. The light distribution pattern P2 condensed near the elbow point is formed.
The region 31D far from the semiconductor-type light source 2 is also formed with a free-form surface, for example.

そして、この配光パターンP1、P2が重なり合ってカットオフ配光パターンが形成される。
従って、エルボー点近傍は、配光パターンP1と配光パターンP2とが重なって形成された配光パターンであるので光度が高くなる。
しかしながら、リフレクタ3の鉛直方向(上下方向)のサイズに制限がある場合、この配光パターンP2のようなより集光した配光パターンを形成する領域(本例では、領域31D)が十分に確保できない場合があり、この場合、車両から遠方に延びるカットオフ配光パターンの伸びが不足することになる。
The light distribution patterns P1 and P2 are overlapped to form a cutoff light distribution pattern.
Accordingly, the vicinity of the elbow point is a light distribution pattern formed by overlapping the light distribution pattern P1 and the light distribution pattern P2, so that the luminous intensity is increased.
However, when the size of the reflector 3 in the vertical direction (vertical direction) is limited, a region (in this example, the region 31D) for forming a more condensed light distribution pattern such as the light distribution pattern P2 is sufficiently secured. In this case, the extension of the cut-off light distribution pattern extending far from the vehicle is insufficient.

そこで、従来のようにカットオフ配光形成セグメントを鉛直方向(上下方向)に略同じ幅として形成するのではなく、図1に示すように、本実施形態では、半導体型光源2から遠い側のカットオフ配光形成セグメント31の幅を広げ末広がりに形成することで、反射面で反射される光の像が小さく、集光した配光パターンが形成しやすい半導体型光源2から遠い側の領域31Dを増やすようにしている。
この結果、リフレクタ3の鉛直方向(上下方向)のサイズに制限がある場合でもエルボー点近傍の配光パターンの光度を高く保つことができ、車両から遠方に伸びるカットオフ配光パターンが得られ、良好な前方視認性が得られるようになる。
また、カットオフ配光形成セグメント31の外側ライン、つまり、外側縁は滑らかに段差がなく形成されているので、段差などに起因して発生するグレアが抑制されている。
Therefore, the cut-off light distribution forming segments are not formed with substantially the same width in the vertical direction (vertical direction) as in the prior art, but in the present embodiment, as shown in FIG. By forming the cut-off light distribution forming segment 31 to be wide and diverging, a region 31D on the side far from the semiconductor-type light source 2 where the light image reflected by the reflecting surface is small and a condensed light distribution pattern is easily formed. Try to increase.
As a result, even when the size of the reflector 3 in the vertical direction (up and down direction) is limited, the luminous intensity of the light distribution pattern near the elbow point can be kept high, and a cut-off light distribution pattern extending far from the vehicle is obtained. Good forward visibility can be obtained.
Further, since the outer line of the cut-off light distribution forming segment 31, that is, the outer edge, is formed smoothly without a step, glare generated due to the step or the like is suppressed.

ところで、走行車線側の遠方に伸びて光を照射し、良好な前方視認性を得るためには、斜めカットオフラインCL1近傍の光度を高くすることがより好適である。
そこで、本実施形態では、さらに、カットオフ配光形成セグメント31の末広がり形状を図4に示すようにしている。
以下、図4を参照しながら、カットオフ配光形成セグメント31の末広がり形状に関し、さらに、詳細に説明する。
By the way, it is more preferable to increase the luminous intensity in the vicinity of the oblique cut-off line CL1 in order to extend far away on the traveling lane side and irradiate light and obtain good forward visibility.
Therefore, in the present embodiment, the shape of the cut-off light distribution forming segment 31 spreading further is as shown in FIG.
Hereinafter, the divergent shape of the cut-off light distribution forming segment 31 will be described in more detail with reference to FIG.

図4の上側に示される図は、図1と同様の方向、つまり、光が照射される側(車両前方側)からリフレクタ3を見た正面図を示しており、カットオフ配光形成セグメント31の部分を主に拡大して示すようにしたものであり、図4の下側に図3(b)に対応したスクリーン上の配光パターンを示している。   4 shows a front view of the reflector 3 viewed from the same direction as FIG. 1, that is, from the side irradiated with light (the vehicle front side), and the cut-off light distribution forming segment 31. Is mainly enlarged, and the light distribution pattern on the screen corresponding to FIG. 3B is shown on the lower side of FIG.

図4の上側の図に示す一点斜線は、半導体型光源2の発光部20の光軸を示したものであり、先ほどのカットオフ配光形成セグメント31の半導体型光源2から遠い側の領域31Dの部分に、さらに、光軸より右側にある末広がりに広がる外側の領域を31Rとし、光軸より左側にある外側の領域を31Lとして示している。   4 indicates the optical axis of the light emitting section 20 of the semiconductor light source 2, and the region 31D on the far side from the semiconductor light source 2 of the cut-off light distribution forming segment 31 previously shown. Further, the outer region extending to the right end of the optical axis and extending outward is 31R, and the outer region on the left side of the optical axis is 31L.

これら、領域31R及び領域31Lは、図4の下側に示すスクリーン上の配光パターンP2に対して矢印で示すように、領域31Rが斜めカットオフラインCL1の近傍の配光状態を担っており、この部分を反対側の領域31Lよりも広くするように、外側に広がるように末広がりに形成している。   The region 31R and the region 31L have a light distribution state in the vicinity of the oblique cutoff line CL1, as indicated by an arrow with respect to the light distribution pattern P2 on the screen shown in the lower side of FIG. This portion is formed so as to spread outward so as to be wider than the region 31L on the opposite side.

言い換えれば、カットオフ配光形成セグメント31を半導体型光源2の発光部20の光軸に沿った基準線で左右に二分した面として見たときに、斜めカットオフラインCL1を形成する領域31Rが含まれる側のカットオフ配光形成セグメント31の外側ラインは、その反対側の領域31Lが含まれる側のカットオフ配光形成セグメント31の外側ラインよりも、外側に大きく広がるように形成されている。   In other words, the cut-off light distribution forming segment 31 includes a region 31R that forms an oblique cut-off line CL1 when viewed as a plane that is divided into right and left by a reference line along the optical axis of the light emitting unit 20 of the semiconductor light source 2. The outer side line of the cut-off light distribution forming segment 31 on the other side is formed so as to be broader outward than the outer line of the cut-off light distribution forming segment 31 on the side including the region 31L on the opposite side.

このため、配光パターンP2の斜めカットオフラインCL1近傍は、より広い範囲の反射面からの光を利用して形成されることになるので、この斜めカットオフラインCL1近傍の光度を高くすることができる。
この結果、走行車線側の遠方に伸びて光を照射することが可能となり、より良好な前方視認性が得られるようにできる。
For this reason, since the vicinity of the oblique cutoff line CL1 of the light distribution pattern P2 is formed using light from a wider range of reflecting surfaces, the luminous intensity in the vicinity of the oblique cutoff line CL1 can be increased. .
As a result, it is possible to extend far away on the traveling lane side and irradiate the light, so that better forward visibility can be obtained.

なお、図4に示される例では、領域31L側のカットオフ配光形成セグメント31の外側のラインも緩やかに外側に広がるように形成しているが、この領域31Lは、下側水平カットオフラインCL2近傍を担う領域であり、前述の斜めカットオフラインCL1近傍ほど遠方に照射する必要がないことから、必ずしも、外側に広がるように形成する必要はない。
また、本実施形態では、カットオフ配光形成セグメントの外側ラインが緩やかに湾曲するように半導体型光源2から離れるに伴って末広がりになるようにされているが、直線的に末広がりに広がるようになっていても良い。
In the example shown in FIG. 4, the outer line of the cut-off light distribution forming segment 31 on the region 31L side is also formed so as to gradually spread outward, but this region 31L has a lower horizontal cut-off line CL2. It is a region that bears the vicinity, and it is not necessary to irradiate as far as the vicinity of the above-described oblique cutoff line CL1, and therefore, it is not necessarily formed so as to spread outward.
Further, in this embodiment, the outer line of the cut-off light distribution forming segment is configured to gradually widen away from the semiconductor-type light source 2 so as to be gently curved. It may be.

(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について図5及び図6を参照しながら説明を行う。
第1実施形態では、カットオフ配光形成セグメント31を分割せずに滑らかに湾曲した1つの面として構成していた。
一方、第2実施形態では、図5に示すように、リフレクタ3Bのカットオフ配光形成セグメント31を、半導体型光源2に近い領域31Uと半導体型光源2から遠い領域31Dとを分割した面として形成している。
つまり、半導体型光源2に近い上側反射面と半導体型光源2から遠い下側反射面とに分割している。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In the first embodiment, the cut-off light distribution forming segment 31 is configured as one surface that is smoothly curved without being divided.
On the other hand, in the second embodiment, as shown in FIG. 5, the cut-off light distribution forming segment 31 of the reflector 3 </ b> B is divided into a region 31 </ b> U close to the semiconductor light source 2 and a region 31 </ b> D far from the semiconductor light source 2. Forming.
That is, it is divided into an upper reflection surface close to the semiconductor-type light source 2 and a lower reflection surface far from the semiconductor-type light source 2.

カットオフ配光形成セグメントを形成するときに、上下左右の曲率変化があまりなく1面のように形成すると、カットオフ配光パターンを構成する少し広い範囲の配光である配光パターンP1を優先すると、つまり、半導体型光源2に近い領域31Uの自由曲面形状を優先すると、半導体型光源2から遠い領域31Dの曲率状態もそれに影響を受けるため集光度を高くしたい配光パターンP2の集光度が高められない場合がある。
同様に、カットオフ配光パターンを構成する集光度が高い配光パターンP2を優先すると、配光パターンP1を広くすることができない場合がある。
When forming the cut-off light distribution forming segment, if there is not much change in curvature in the vertical and horizontal directions and it is formed as one surface, the light distribution pattern P1, which is a slightly wide range of light distribution constituting the cut-off light distribution pattern, is given priority. In other words, if priority is given to the shape of the free curved surface of the region 31U close to the semiconductor light source 2, the curvature state of the region 31D far from the semiconductor light source 2 is also affected by this, so the light distribution of the light distribution pattern P2 that is desired to increase the light concentration is high. It may not be increased.
Similarly, if priority is given to the light distribution pattern P2 having a high degree of light condensing constituting the cutoff light distribution pattern, the light distribution pattern P1 may not be widened.

一方、カットオフ配光形成セグメント31において、配光パターンP1を得るための半導体型光源2に近い領域31Uを上側反射面として所望の配光状態が得られるように設計を行い、配光パターンP2を得るための半導体型光源2から遠い領域31Dを下側反射面として所望の配光状態が得られる設計とすると、配光パターンP1と配光パターンP2とがそれぞれより最適な配光状態を有するように設計できるので、これらを重ね合わせて得られるカットオフ配光パターンもより望ましい配光状態にしやすい。   On the other hand, in the cut-off light distribution forming segment 31, the light distribution pattern P2 is designed so that a desired light distribution state can be obtained with the region 31U close to the semiconductor light source 2 for obtaining the light distribution pattern P1 as an upper reflective surface. If the region 31D far from the semiconductor-type light source 2 is used as a lower reflective surface, the light distribution pattern P1 and the light distribution pattern P2 each have a more optimal light distribution state. Therefore, the cut-off light distribution pattern obtained by superimposing these can be easily made into a more desirable light distribution state.

しかしながら、このようにした場合には、異なる曲率を有する上側反射面と下側反射面とを繋げるための繋ぎ面31Tが設けられている(図5参照)。
図6は、図5に示されるリフレクタ3Bのカットオフ配光形成セグメント31の断面図を示したものであり、図6(a)に本実施形態の繋ぎ面31Tの状態を示し、比較例として図6(b)に繋ぎ面41Tを示している。
However, in this case, a connecting surface 31T for connecting the upper reflecting surface and the lower reflecting surface having different curvatures is provided (see FIG. 5).
FIG. 6 shows a cross-sectional view of the cut-off light distribution forming segment 31 of the reflector 3B shown in FIG. 5, and FIG. 6 (a) shows the state of the connecting surface 31T of this embodiment, as a comparative example. FIG. 6B shows a connecting surface 41T.

図6(b)に示されるリフレクタ4のように、繋ぎ面41Tが大きな段差を有するような状態にすると、リフレクタ3Bの反射面にアンダーコートを形成するときに、このアンダーコート材が段差部に溜まり、その上に蒸着された反射コーティングは溜りの形状に従って蒸着されるので、アンダーコート材の溜りができた部分は歪な形状の反射部となる。
そうすると、その部分で光が散乱したり、グレア光が発生する可能性があるので望ましくない。
When the connecting surface 41T has a large step as in the reflector 4 shown in FIG. 6B, when the undercoat is formed on the reflecting surface of the reflector 3B, the undercoat material is formed on the stepped portion. Since the reflective coating deposited and deposited thereon is deposited according to the shape of the pool, the portion where the undercoat material is pooled becomes a distorted reflective portion.
In this case, it is not desirable because light may be scattered at that portion or glare light may be generated.

そこで、図6(a)に示すように、できるだけ緩やかに連続的に繋がるように繋ぎ面31Tを形成しておけば、アンダーコート材がこの繋ぎ面31Tに溜ることを抑制することができるので、上記のような光の散乱やグレア光の発生などを抑制することが可能になる。
従って、カットオフ配光形成セグメント31を上側反射面と下側反射面とに分割して形成するとともに、上側反射面と下側反射面との間の繋ぎ面31Tが、上側反射面と下側反射面との間を緩やかに連続的に繋げるようにすることで、光の散乱やグレア光の発生を抑制しつつ、より好適なカットオフ配光パターンを形成することが可能となる。
Therefore, as shown in FIG. 6A, if the connecting surface 31T is formed so as to be continuously connected as gently as possible, it is possible to suppress the undercoat material from accumulating on the connecting surface 31T. It is possible to suppress the light scattering and the generation of glare light as described above.
Accordingly, the cut-off light distribution forming segment 31 is divided into the upper reflective surface and the lower reflective surface, and the connecting surface 31T between the upper reflective surface and the lower reflective surface is formed by the upper reflective surface and the lower reflective surface. By connecting the reflecting surface gently and continuously, it is possible to form a more suitable cut-off light distribution pattern while suppressing the occurrence of light scattering and glare light.

(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について図7を参照しながら説明を行う。
第3実施形態では、第2実施形態のリフレクタ3Bを、さらに、図7に示すように、左右の面に分割するようにしている。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In the third embodiment, the reflector 3B of the second embodiment is further divided into left and right surfaces as shown in FIG.

より具体的には、図4において、一点斜線で示した半導体型光源2の発光部20の光軸に沿ったラインでリフレクタ3Cのカットオフ配光形成セグメント31を左右の反射面に分割している。
従って、半導体型光源2に近い領域31Uである上側反射面が左側の上側反射面31ULと右側の上側反射面31URに分割して形成され、半導体型光源2から遠い領域31Dである下側反射面も、左側の下側反射面31DLと右側の下側反射面31DRに分割して形成されている。
More specifically, in FIG. 4, the cut-off light distribution forming segment 31 of the reflector 3C is divided into left and right reflecting surfaces along a line along the optical axis of the light emitting unit 20 of the semiconductor light source 2 indicated by one-point diagonal lines. Yes.
Therefore, the upper reflective surface that is the region 31U close to the semiconductor-type light source 2 is divided into the left-side upper reflective surface 31UL and the right-side upper reflective surface 31UR, and the lower reflective surface that is the region 31D far from the semiconductor-type light source 2 Is also divided into a left lower reflecting surface 31DL and a right lower reflecting surface 31DR.

これまで説明してきたとおり、半導体型光源2に近い領域31Uである上側反射面は、図3(a)に示されるようなスクリーン上の配光パターンを形成する部分であるが、この反射面を左右に分割して形成すると、左側の上側反射面31ULが形成する配光パターンと右側の上側反射面31URが形成する配光パターンとで、それぞれ配光パターンP1に対応する配光パターンを形成することが可能になる。   As described so far, the upper reflective surface, which is the region 31U close to the semiconductor light source 2, is a portion that forms a light distribution pattern on the screen as shown in FIG. When divided into left and right, the light distribution pattern formed by the left upper reflection surface 31UL and the light distribution pattern formed by the right upper reflection surface 31UR form a light distribution pattern corresponding to the light distribution pattern P1, respectively. It becomes possible.

ここで、左側の上側反射面31ULが形成する配光パターンP1に対応した配光パターンをUL配光パターンP1と呼び、同様に、右側の上側反射面31URが形成する配光パターンP1をUR配光パターンP1と呼ぶことにすると、UL配光パターンP1とUR配光パターンP1が重なり合って、最終的に、図3(a)に示されるような配光パターンP1を形成することになる。   Here, the light distribution pattern corresponding to the light distribution pattern P1 formed by the left upper reflection surface 31UL is referred to as a UL light distribution pattern P1, and similarly, the light distribution pattern P1 formed by the right upper reflection surface 31UR is the UR distribution. When referred to as the light pattern P1, the UL light distribution pattern P1 and the UR light distribution pattern P1 overlap each other, and finally, a light distribution pattern P1 as shown in FIG. 3A is formed.

従って、本実施形態では、最優的な配光パターンP1がより最適な配光状態となるように、UL配光パターンP1とUR配光パターンP1を、それぞれ微調整することが可能であるで、より好適な配光パターンP1を形成できるようになる。   Therefore, in the present embodiment, the UL light distribution pattern P1 and the UR light distribution pattern P1 can be finely adjusted so that the most dominant light distribution pattern P1 is in a more optimal light distribution state. Thus, a more suitable light distribution pattern P1 can be formed.

下側反射面についても同様であり、左側の下側反射面31DLと右側の下側反射面31DRとを、それぞれ微調整して、それらの反射面(31DL、31DR)が形成する配光パターンを合わせるようにして、最優的な配光パターンP2を得るようにすることが可能であるため、より好適な配光パターンP2を形成することが可能となる。   The same applies to the lower reflective surface, and the left lower reflective surface 31DL and the right lower reflective surface 31DR are finely adjusted, and light distribution patterns formed by the reflective surfaces (31DL, 31DR) are adjusted. Since it is possible to obtain the most preferential light distribution pattern P2 by combining them, a more suitable light distribution pattern P2 can be formed.

そして、各々、より最適化された配光パターンP1と配光パターンP2とが重なり合ってカットオフ配光パターンを形成することになるので、第3実施形態の構成とすると、さらに、好適なカットオフ配光パターンを形成することが可能となる。   Since the more optimized light distribution pattern P1 and light distribution pattern P2 overlap each other to form a cut-off light distribution pattern, the configuration of the third embodiment further provides a suitable cut-off. A light distribution pattern can be formed.

以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、拡散配光形成セグメント32、33としてカットオフ配光形成セグメント31の左右両側に5個のセグメントが形成されている場合を示したが、このセグメントの数は5個より少なくても良く、多くても良い。
このように、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
The preferred embodiment of the present invention has been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, both the left and right sides of the cut-off light distribution forming segment 31 as the diffused light distribution forming segments 32 and 33. 5 shows a case where five segments are formed, but the number of the segments may be less than or greater than five.
As described above, various modifications and changes can be made within the scope of the present invention described in the claims.

1 車両用前照灯
2 半導体型光源
3,3B,3C リフレクタ
20 発光部
21 基板
31 カットオフ配光形成セグメント
31U 半導体型光源から近い側の領域
31D 半導体型光源から遠い側の領域
32,33 拡散配光形成セグメント
300 反射面
CL1 斜めカットオフライン
CL2 水平カットオフライン
E エルボー点
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vehicle headlamp 2 Semiconductor type light source 3, 3B, 3C Reflector 20 Light emission part 21 Board | substrate 31 Cut-off light distribution formation segment 31U Area | region near the semiconductor type light source 31D Area | region far from a semiconductor type light source 32, 33 Diffusion Light distribution forming segment 300 Reflecting surface CL1 Oblique cut-off line CL2 Horizontal cut-off line E Elbow point

Claims (3)

車両用前照灯であって
半導体型光源と、
前記半導体型光源の下側に配置され、前記半導体型光源からの光を所定の配光パターン
として車両前方に照射するリフレクタとを備え、
前記リフレクタが、前記リフレクタの中央部にカットオフ配光パターンを形成する反射
面であるカットオフ配光形成セグメントを有し、前記カットオフ配光形成セグメントの左
右の両側に拡散配光パターンを形成する反射面である拡散配光形成セグメントを有し、
前記カットオフ配光形成セグメントが前記半導体型光源に近い側から遠い側に向かって
幅が広がる末広がり形状に形成されており、
前記末広がり形状が、前記カットオフ配光形成セグメントを前記半導体型光源の光軸に
沿った基準線で左右に二分した面として見たときに、前記カットオフ配光パターンの斜め
カットオフラインを形成する領域を含む側の外側ラインの方が、その反対側にある外側ラ
インよりも、外側に大きく広がるように形成されていることを特徴とする車両用前照灯。
A vehicle headlamp, a semiconductor light source,
A reflector disposed on the lower side of the semiconductor-type light source, and irradiating the front of the vehicle with light from the semiconductor-type light source as a predetermined light distribution pattern;
The reflector has a cut-off light distribution forming segment that is a reflecting surface that forms a cut-off light distribution pattern at the center of the reflector, and forms a diffuse light distribution pattern on both the left and right sides of the cut-off light distribution forming segment. Having a diffused light distribution forming segment that is a reflective surface,
The cut-off light distribution forming segment is formed in a divergent shape in which the width widens from the side closer to the semiconductor-type light source toward the far side ,
The divergent shape makes the cut-off light distribution forming segment an optical axis of the semiconductor light source
When the cut-off light distribution pattern is oblique,
The outer line on the side that includes the area that forms the cut-off line is on the opposite side of the outer line.
A vehicular headlamp characterized in that it is formed so as to spread more outward than in .
前記カットオフ配光形成セグメントが上側反射面と下側反射面とに分割して形成され、
前記上側反射面と前記下側反射面との間が繋ぎ面によって緩やかに連続的に繋げられて
いることを特徴とする請求項1に記載の車両用前照灯。
The cut-off light distribution forming segment is formed by dividing into an upper reflective surface and a lower reflective surface,
The vehicular headlamp according to claim 1, wherein the upper reflective surface and the lower reflective surface are gently and continuously connected by a connecting surface.
前記カットオフ配光形成セグメントが左側反射面と右側反射面とに分割して形成されて
いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の車両用前照灯。
The vehicular headlamp according to claim 1 or 2 , wherein the cut-off light distribution forming segment is divided into a left reflecting surface and a right reflecting surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4103440B2 (en) * 2002-04-24 2008-06-18 市光工業株式会社 Vehicle lighting
JP5391909B2 (en) * 2009-08-04 2014-01-15 スタンレー電気株式会社 Vehicle lighting
JP5460225B2 (en) * 2009-10-09 2014-04-02 株式会社小糸製作所 Vehicle headlamp device
JP5582865B2 (en) * 2010-05-12 2014-09-03 株式会社小糸製作所 Lamp
JP2013093157A (en) * 2011-10-25 2013-05-16 Ichikoh Ind Ltd Vehicular headlight
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