JP5981825B2 - 配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、上面に半導体素子が搭載される素子搭載部を有するベース配線基板の上面に、素子搭載部を囲繞する開口部を有するフレーム配線基板を接合して成る配線基板に関するものである。

図４（ａ）および（ｂ）に、半導体素子Ｓが搭載されるベース配線基板３０と、フレーム配線基板４０とが接合されて成る従来の配線基板Ｂの一例を示す。配線基板Ｂは、複数の製品領域Ｘ２と、製品領域Ｘ２の周囲に一体的に形成された捨て代領域Ｙ２とを有しており、製品領域Ｘ２同士の間、および製品領域Ｘ２と捨て代領域Ｙ２との間を切断することで、個々の製品が同時に多数個製造される。

ベース配線基板３０は、上下に貫通する複数のスルーホール２２を有する絶縁基板２１と、絶縁基板２１の上下面およびスルーホール２２内に被着された配線導体層２３と、絶縁基板２１と配線導体層２３の上に被着されたソルダーレジスト層２４とを有している。なお、スルーホール２２の内部は孔埋め樹脂により充填されている。

ベース配線基板３０の上面には、半導体素子Ｓを搭載するための素子搭載部２１ａが形成されている。この素子搭載部２１ａには、半導体素子Ｓの電極Ｔと電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド２５が配線導体層２３の一部により形成されている。これらの半導体素子接続パッド２５は、ソルダーレジスト層２４に設けた開口部２４ａ内に露出している。そして、この半導体素子接続パッド２５に半導体素子Ｓの電極Ｔを半田バンプＨを介して接続することにより、半導体素子Ｓとベース配線基板３０とが電気的に接続される。さらに、ベース配線基板３０の上面には、フレーム配線基板４０が接合される枠状のフレーム接合部２１ｂが素子搭載部２１ａを囲繞するようにして形成されている。このフレーム接合部２１ｂには、フレーム配線基板４０と電気的に接続するための複数の第１の接合パッド２６が配線導体層２３の一部により形成されている。これらの第１の接合パッド２６は、ソルダーレジスト層２４に設けた開口部２４ｂ内に露出している。なお、これらの第１の接合パッド２６と半導体素子接続パッド２５の一部とは、互いに電気的に接続されている。また、ベース配線基板３０の下面には、外部の電気回路基板と接続するための複数の外部接続パッド２７が配線導体層２３の一部により形成されている。これらの外部接続パッド２７は、ソルダーレジスト層２４に設けた開口部２４ｃ内に露出している。これらの外部接続パッド２７は、スルーホール２２を介して半導体素子接続パッド２５に電気的に接続されている。

フレーム配線基板４０は、上下に貫通する複数のスルーホール３２を有する絶縁基板３１と、絶縁基板３１やスルーホール３２内に被着された配線導体層３３と、絶縁基板３１の上下面に被着されたソルダーレジスト層３４とを有している。なお、スルーホール３２の内部は孔埋め樹脂により充填されている。このフレーム配線基板４０には、素子搭載部２１ａを囲繞する大きさの開口部３５が形成されている。また、フレーム配線基板４０の下面には、ベース基板３０の第１の接合パッド２６に対応する位置に複数の第２の接合パッド３６が配線導体層３３の一部により形成されている。これらの第２の接合パッド３６は、ソルダーレジスト層３４に設けた開口部３４ａ内に露出している。そして、これらの第２の接合パッド３６と第１の接合パッド２６とが半田バンプＨを介して互いに接合されており、これによりベース配線基板３０の配線導体層２３の一部とフレーム配線基板４０の配線導体３３とが電気的に接続されている。また、フレーム配線基板４０の上面には、複数の第３の接合パッド３７が配線導体層３３の一部により形成されている。これらの第３の接合パッド３７は、ソルダーレジスト層３４に設けた開口部３４ｂ内に露出している。この第３の接合パッド３７には、さらに他の配線基板や導電性の蓋体が開口部３５を覆うようにして接合される。

さらに、フレーム接合部２１ｂ上におけるベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との間には、封止樹脂３８が充填されている。この封止樹脂３８は、ベース配線基板３０とフレーム配線基板４０とを強固に接合するとともに、ベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との接合部から素子搭載部２１ａ側に水分や異物などが隙間に浸入することを防止することで半導体素子Ｓを保護する機能を有している。

ところで、ベース配線基板３０上にフレーム配線基板４０を接合するには、以下の方法が採用されている。まず、ベース配線基板３０の第１の接合パッド２６またはフレーム配線基板４０の第２の接合パッド３６の少なくとも一方に半田バンプＨ用の半田を溶着する。半田の溶着には、半田ペーストを印刷した後にリフローさせる方法や、半田ボールを載置した後にリフローさせる方法を用いる。次に、互いに対応する第１の接合パッド２６と第２の接合パッド３６とが対向するようにベース配線基板３０上にフレーム配線基板４０を載置するとともに半田をリフローさせ、それぞれ対応する第１の接合パッド２６と第２の接合パッド３６とをリフローされた半田から成る半田バンプＨを介して接合する。このとき、フレーム接合部２１ｂ上におけるベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との間には、半田バンプＨに対応する高さの隙間が形成される。次に、フレーム接合部２１ｂ上におけるベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との隙間に液状の封止樹脂３８を注入するとともに硬化させる。なお、ベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との間に液状の封止樹脂３８を注入するには、フレーム配線基板４０の上面から下面にかけて貫通する樹脂注入孔３９を複数設けておくとともに、フレーム配線基板４０の上面側から樹脂注入孔３９を介して封止樹脂３８を注入する方法が採用されている。

ところが、フレーム配線基板４０の上面側から樹脂注入孔３９を介してベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との間に液状の封止樹脂３８を注入するときに液状の封止樹脂３８がベース配線基板３０上をフレーム接合部２１ｂから素子搭載部２１ａ側に流れ出てしまい、流れ出た封止樹脂３８が半導体素子接続パッド２５を被覆してしまうことがある。このため、半導体素子Ｓの電極Ｔと半導体素子接続パッド２５との正常な接続が阻害されてしまい、半導体素子Ｓを安定的に作動することが困難になる場合がある。

特許第３１６１７０６号公報

本発明は、封止樹脂がベース配線基板の素子搭載部側に流れ出ることを防止して、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを良好に接続することを可能とし、それにより半導体素子を安定的に作動させることができる配線基板を提供することを課題とする。

本発明の配線基板は、上面に素子搭載部および素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有する平板状のベース配線基板と、フレーム接合部上に接合されており、素子搭載部を囲繞する開口部を有するフレーム配線基板とを具備して成り、フレーム接合部に設けられた複数の第１の接合パッドと、フレーム配線基板の下面における第１の接合パッドと対応する位置に設けられた複数の第２の接合パッドとを半田バンプを介して接合するとともに、フレーム接合部上のベース配線基板とフレーム配線基板との間に封止樹脂を充填して成る配線基板であって、ベース配線基板の上面に第１の接合パッドを露出させるソルダーレジスト層が素子搭載部からフレーム接合部にかけて被着されているとともにソルダーレジスト層におけるフレーム接合部上に厚み方向に突起する枠状の突起部が形成されており、かつ突起部とフレーム配線基板との間に封止樹脂が突起部より内側のソルダーレジスト層上に流れ出ないように収容されていることを特徴とするものである。

本発明の配線基板の製造方法は、上面に素子搭載部および素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有するとともにフレーム接合部に複数の第１の接合パッドが形成されており、かつ第１の接合パッドを露出させるとともにフレーム接合部において厚み方向に突起する枠状の突起部を有するソルダーレジスト層が素子搭載部からフレーム接合部にかけて被着された平板状のベース配線基板と、素子搭載部を囲繞する大きさの開口部を有するとともに、下面における第１の接合パッドに対応する位置に複数の第２の接合パッドが形成されたフレーム配線基板とを準備する工程と、次に、ベース配線基板とフレーム配線基板とを、それぞれ対応する第１の接合パッドと第２の接合パッドとが対向するように配置するとともに、対向する第１の接合パッドと第２の接合パッドとを半田バンプを介して接合する工程と、次に、突起部とフレーム配線基板との間に封止樹脂を、突起部より内側のソルダーレジスト層上に流れ出ないように注入するとともに硬化させる工程とを行なうことを特徴とするものである。

本発明の配線基板によれば、ベース配線基板の素子搭載部からフレーム接合部にかけて被着されたソルダーレジスト層におけるフレーム接合部上に、厚み方向に突起する枠状の突起部が形成されている。そして、この突起部とフレーム配線基板との間に封止樹脂が充填されており、封止樹脂が突起部よりも内側のソルダーレジスト層上に流れ出ないように突起部とフレーム配線基板との間に収容されている。したがって、封止樹脂が半導体素子接続パッドを被覆することはなく、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを良好に接続することができる。それにより、半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。

本発明の配線基板の製造方法によれば、ベース配線基板は、素子搭載部からフレーム接合部にかけて被着されたソルダーレジスト層におけるフレーム接合部上に、厚み方向に突起する枠状の突起部を有している。そして、この突起部より内側のソルダーレジスト層上に流れ出ないように封止樹脂を注入するとともに硬化させることから封止樹脂が半導体素子接続パッドを被覆することはない。したがって、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを良好に接続して半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。なお、突起部とフレーム配線基板との間に封止樹脂を注入すると、突起部の内周縁とフレーム配線基板の開口部の開口縁との間において、注入された封止樹脂を突起部とフレーム配線基板との間に留めようとする表面張力が働く。これにより、突起部よりも内側のソルダーレジスト層上に流れ出ないように封止樹脂を注入することが容易となる。

図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。 図２は、図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。 図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程ごとの状態を示す概略断面図である。 図４（ａ）および（ｂ）は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。

次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図１（ａ）、（ｂ）および図２を基に詳細に説明する。

図１（ａ）に半導体素子Ｓが搭載されるベース配線基板１０と、フレーム配線基板２０とが接合されて成る配線基板Ａの一例を示す。配線基板Ａは、複数の製品領域Ｘ１と、製品領域Ｘ１の周囲に一体的に形成された捨て代領域Ｙ１とを有しており、製品領域Ｘ１同士の間、および製品領域Ｘ１と捨て代領域Ｙ１との間を切断することで、個々の製品が同時に多数個製造される。

ベース配線基板１０は、上下に貫通する複数のスルーホール２を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の上下面およびスルーホール２内に被着された配線導体層３と、絶縁基板１および配線導体層３上に被着されたソルダーレジスト層４とを有している。なお、スルーホール２の内部は孔埋め樹脂により充填されている。

ベース配線基板１０の上面には、半導体素子Ｓを搭載するための素子搭載部１ａが形成されている。この素子搭載部１ａには、半導体素子Ｓの電極Ｔと電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド５が配線導体層３の一部により形成されている。これらの半導体素子接続パッド５は、ソルダーレジスト層４に設けた開口部４ａ内に露出している。そして、この半導体素子接続パッド５に半導体素子Ｓの電極Ｔを半田バンプＨを介して接続することにより、半導体素子Ｓとベース配線基板１０とが電気的に接続される。さらに、ベース配線基板１０の上面には、フレーム配線基板２０が接合される枠状のフレーム接合部１ｂが素子搭載部１ａを囲繞するようにして形成されている。このフレーム接合部１ｂには、フレーム配線基板２０と電気的に接続するための複数の第１の接合パッド６が配線導体層３の一部により形成されている。これらの第１の接合パッド６は、ソルダーレジスト層４に設けた開口部４ｂ内に露出している。なお、これらの第１の接合パッド６と半導体素子接続パッド５の一部とは、互いに電気的に接続されている。また、ベース配線基板１０の下面には、外部の電気回路基板と接続するための複数の外部接続パッド７が配線導体層３の一部により形成されている。これらの外部接続パッド７は、ソルダーレジスト層４に設けた開口部４ｃ内に露出している。これらの外部接続パッド７は、スルーホール２を介して半導体素子接続パッド５に電気的に接続されている。さらにベース配線基板１０には、その下面からフレーム接合部１ｂ上面にかけて貫通する樹脂注入孔８が複数形成されている。この樹脂注入孔８を介して後述する封止樹脂１８がベース配線基板１０のフレーム接合部１ｂとフレーム配線基板２０との間に充填されている。

フレーム配線基板２０は、上下に貫通する複数のスルーホール１２を有する絶縁基板１１と、絶縁基板１１やスルーホール１２内に被着された配線導体層１３と、絶縁基板１１の上下面に被着されたソルダーレジスト層１４とを有している。なお、スルーホール１２の内部は孔埋め樹脂により充填されている。このフレーム配線基板２０には、素子搭載部１ａを囲繞する大きさの開口部１５が形成されている。また、フレーム配線基板２０の下面にはベース配線基板１０の第１の接合パッド６に対応する位置に複数の第２の接合パッド１６が配線導体層１３の一部により形成されている。これらの第２の接合パッド１６は、ソルダーレジスト層１４に設けた開口部１４ａ内に露出している。そして、これらの第２の接合パッド１６と第１の接合パッド６とが半田バンプＨを介して互いに接合されており、これによりベース配線基板１０の配線導体層３の一部とフレーム配線基板２０の配線導体層１３とが電気的に接続されている。また、フレーム配線基板２０の上面には、複数の第３の接合パッド１７が配線導体層１３の一部により形成されている。これらの第３の接合パッド１７は、ソルダーレジスト層１４に設けた開口部１４ｂ内に露出している。この第３の接合パッド１７には、さらに他の配線基板や導電性の蓋体が開口部１５を覆うようにして接合される。さらに、フレーム接合部１ｂにおけるベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との間には、封止樹脂１８が充填されている。この封止樹脂１８は、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０とを強固に接合するとともに、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との接合部から素子搭載部１ａ側に水分や異物などが隙間に浸入することを防止することで半導体素子Ｓを保護する機能を有している。

絶縁基板１、１１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。また、配線導体層３、１３は例えば銅箔や銅めっき等の良導電性材料により形成されている。そして、ソルダーレジスト層４、１４は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた電気絶縁材料から成る。

なお、本例の配線基板Ａにおいては、図２に示すように、ベース配線基板１０のフレーム接合部１ｂにおけるソルダーレジスト層４に枠状の突起部９が形成されている。突起部９は、ソルダーレジスト層４と実質的に同じソルダーレジスト材料から成り、素子搭載部１ａを取り囲んだ状態で厚み方向に突起している。そして、この突起部９とフレーム配線基板２０との間に封止樹脂１８が充填されており、封止樹脂１８は突起部９よりも内側のソルダーレジスト層４上に流れ出ないように突起部９とフレーム配線基板２０との間に収容されている。したがって、本例の配線基板Ａによれば、封止樹脂１８が半導体素子接続パッド５を被覆することはなく、半導体素子Ｓの電極Ｔと半導体素子接続パッド５とを良好に接続することができる。それにより、半導体素子Ｓを安定的に作動させることが可能となる。なお、封止樹脂１８は、樹脂注入孔８を介して突起部９とフレーム配線基板２０との間に充填されており、このような突起部９が形成されていることにより、後述するように、封止樹脂１８を突起部９とフレーム配線基板２０との間に充填するときに、封止樹脂１８が突起部９より内側のソルダーレジスト層４上に流れ出ないように収容することが容易となる。

次に、本発明の配線基板の製造方法の一例について、図３（ａ）〜（ｃ）を基にして詳細に説明する。なお、図３（ａ）〜（ｃ）において、図１を基に説明した配線基板Ａと同一の箇所には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。まず、図３（ａ）に示すように、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０とを準備する。

ベース配線基板１０は、上述したように、上下に貫通する複数のスルーホール２を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の上下面およびスルーホール２内に被着された配線導体層３と、絶縁基板１および配線導体層３上に被着されたソルダーレジスト層４とを有している。ベース配線基板１０の上面には、素子搭載部１ａおよび素子搭載部１ａを囲繞する枠状のフレーム接合部１ｂが形成されている。素子搭載部１ａには、複数の半導体素子接続パッド５が形成されている。また、フレーム接合部１ｂには、複数の第１の接合パッド６が形成されている。ベース配線基板１０の下面には外部接続パッド７が形成されている。これらの半導体素子接続パッド５と第１の接合パッド６と外部接続パッド７とは、対応するもの同士が電気的に接続されている。上面側のソルダーレジスト層４はベース配線基板１０上面の素子搭載部１ａからフレーム接合部１ｂにかけて被着されている。上面側のソルダーレジスト層４は、素子搭載部１ａにおいて半導体素子接続パッド５を露出させる開口部４ａを有しているとともに、フレーム接合部１ｂにおいて第１の接合パッド６を露出させる開口部４ｂを有している。さらに上面側のソルダーレジスト層４には、フレーム接合部１ｂにおいて厚み方向に突起する枠状の突起部９が形成されている。下面側のソルダーレジスト層４は、外部接続パッド７を露出させる開口部４ｃを有している。さらに、ベース配線基板１０は、その下面からフレーム接合部１ｂ上面にかけて貫通する複数の樹脂注入孔８を有している。

このようなベース配線基板１０は、例えば次のように形成される。まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなる絶縁板の両面に１２〜１８μｍ程度の銅箔が被着された両面銅張り板を用意する。次にドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工によりφ５０〜３００μｍ程度のスルーホール２を複数形成する。次に、スルーホール２の内壁に銅めっき層を被着させるとともに、周知のサブトラクティブ法により絶縁板上およびスルーホール２内に所定のパターンを有する配線導体層３を形成する。次に、半導体素子接続パッド５を露出させる開口部４ａおよび第１の接合パッド６を露出させる開口部４ｂを有する上面側のソルダーレジスト層４ならびに外部接続パッド７を露出させる開口部４ｃを有する下面側のソルダーレジスト層４を形成する。次に、上面側のソルダーレジスト層４におけるフレーム接合部１ｂ上にソルダーレジスト層４と実質的に同じソルダーレジスト材料から成る突起部９を形成する。次に、フレーム接合部１ｂに上面から下面に貫通するφ０．８〜２ｍｍ程度の樹脂注入孔８をドリル加工により形成することでベース配線基板１０が形成される。

フレーム配線基板２０は、上述したように、上下に貫通する複数のスルーホール１２を有する絶縁基板１１と、絶縁基板１１やスルーホール１２内に被着された配線導体層１３と、絶縁基板１１の上下面に被着されたソルダーレジスト層１４とを有している。そして、ベース配線基板１０の素子搭載部１ａに対応する位置に素子搭載部１ａを囲繞する大きさの開口部１５を有している。開口部１５の開口径は突起部９の内径と対応した寸法である。フレーム配線基板２０の下面には、ベース配線基板１０における第１の接合パッド６に対応する位置に複数の第２の接合パッド１６が形成されている。フレーム配線基板２０の上面には、第３の接合パッド１７が形成されている。下面側のソルダーレジスト層１４は、第２の接合パッド１６を露出させる開口部１４ａを有している。上面側のソルダーレジスト層１４は、第３の接合パッド１７を露出させる開口部１４ｂを有している。

このようなフレーム配線基板２０は、例えば次のように形成される。まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなる絶縁板の両面に１２〜１８μｍ程度の銅箔が被着された両面銅張り板を用意する。次にドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工によりφ５０〜３００μｍ程度のスルーホール１２を複数形成するとともに、ルータ加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工により開口部１５を形成する。次に、スルーホール１２内に銅めっき層を被着させるとともに、周知のサブトラクティブ法により絶縁板上およびスルーホール１２内に所定のパターンを有する配線導体層１３を形成する。次に第２の接合パッド１６を露出させる開口部１４ａを有する下面側のソルダーレジスト層１４と第３の接合パッド１７を露出させる開口部１４ｂを有する上面側のソルダーレジスト層１４とを形成する。

次に図３（ｂ）に示すように、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０とを、それぞれ対応する第１の接合パッド６と第２の接合パッド１６とが対向するように配置するとともに、対向する第１の接合パッド６と第２の接合パッド１６とを半田バンプＨを介して接合する。なお、半田バンプＨを介した接合は、例えば次のようにして行なわれる。まず第１の接合パッド６または第２の接合パッド１６の少なくとも一方に半田バンプＨ用の半田を溶着させる。次に対応する第１の接合パッド６と第２の接合パッド１６とが対向するようにベース配線基板１０上にフレーム配線基板２０を載置する。次にリフロー処理により半田を溶融させ、それぞれ対応する第１の接合パッド６と第２の接合パッド１６とを半田バンプＨを介して接合させる。

そして、図３（ｃ）に示すように、フレーム配線基板２０を下側にした状態で樹脂注入孔８から液状の封止樹脂１８を突起部９とフレーム配線基板２０との間に注入する。このとき、液状の封止樹脂１８が突起部９よりも内側のソルダーレジスト層４上に流れ出ないように注入する。本例の配線基板Ａの製造方法においては、ベース配線基板１０のフレーム接合部１ｂにおいて、ソルダーレジスト層４上に素子搭載部１ａを取り囲む状態で突起部９が形成されている。そのため、突起部９とフレーム配線基板２０との間に液状の封止樹脂１８を注入すると、突起部９の内周縁とフレーム配線基板２０の開口部１５の開口縁との間において、注入された封止樹脂１８を突起部９とフレーム配線基板２０との間に留めようとする表面張力が働く。これにより、突起部９よりも内側のソルダーレジスト層４上に流れ出ないように封止樹脂１８を注入することができる。なお、フレーム配線基板２０を下側にした状態で樹脂注入孔８から封止樹脂１８を注入することで、突起部９よりも内側のソルダーレジスト層４上に封止樹脂１８が流れ出ないようにすることを確実なものとすることができる。したがって、フレーム配線基板２０を下側にした状態で樹脂注入孔８から封止樹脂１８を注入することが好ましい。

最後に、突起部９とフレーム基板２０との間に注入した封止樹脂１８を硬化させることにより、図１に示した配線基板Ａが完成する。このとき、封止樹脂１８は突起部９よりも内側のソルダーレジスト層４上に流れ出ないように注入されていることから、半導体素子接続パッド５を被覆することはない。したがって、半導体素子Ｓの電極Ｔと半導体素子接続パッド５とを良好に接続して半導体素子Ｓを安定的に作動させることが可能な配線基板Ａを提供することができる。

１ａ 素子搭載部
１ｂ フレーム接合部
４ ソルダーレジスト層
６ 第１の接合パッド
８ 樹脂注入孔
９ 突起部
１０ ベース配線基板
１５ 開口部
１６ 第２の接合パッド
１８ 封止樹脂
２０ フレーム配線基板
Ａ 配線基板
Ｈ 半田バンプ

Claims (6)

1. 上面に素子搭載部および該素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有する平板状のベース配線基板と、前記フレーム接合部上に接合されており、前記素子搭載部を囲繞する開口部を有するフレーム配線基板とを具備して成り、前記フレーム接合部に設けられた複数の第１の接合パッドと、前記フレーム配線基板の下面における前記第１の接合パッドと対応する位置に設けられた複数の第２の接合パッドとを半田バンプを介して接合するとともに、前記フレーム接合部上の前記ベース配線基板と前記フレーム配線基板との間に封止樹脂を充填して成る配線基板であって、前記ベース配線基板の上面に前記第１の接合パッドを露出させるソルダーレジスト層が前記素子搭載部から前記フレーム接合部にかけて被着されているとともに該ソルダーレジスト層における前記フレーム接合部上に厚み方向に突起する枠状の突起部が形成されており、かつ該突起部と前記フレーム配線基板との間に前記封止樹脂が前記突起部より内側の前記ソルダーレジスト層上に流れ出ないように収容されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記ベース配線基板は、前記フレーム接合部の上面から下面にかけて樹脂注入孔が形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 前記ソルダーレジスト層は、前記ベース配線基板上の前記フレーム接合部から前記素子搭載部にかけて被着された第１のソルダーレジスト層と、該第１のソルダーレジスト層上の前記フレーム接合部に被着された第２のソルダーレジスト層により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
4. 上面に素子搭載部および該素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有するとともに該フレーム接合部に複数の第１の接合パッドが形成されており、かつ該第１の接合パッドを露出させるとともに前記フレーム接合部において厚み方向に突起する枠状の突起部を有するソルダーレジスト層が前記素子搭載部から前記フレーム接合部にかけて被着された平板状のベース配線基板と、前記素子搭載部を囲繞する大きさの開口部を有するとともに、下面における前記第１の接合パッドに対応する位置に複数の第２の接合パッドが形成されたフレーム配線基板と、を準備する工程と、次に、前記ベース配線基板と前記フレーム配線基板とを、それぞれ対応する前記第１の接合パッドと第２の接合パッドとが対向するように配置するとともに、対向する前記第１の接合パッドと第２の接合パッドとを半田バンプを介して接合する工程と、
   次に、前記突起部と前記フレーム配線基板との間に封止樹脂を、前記突起部より内側の前記ソルダーレジスト層上に流れ出ないように注入するとともに硬化させる工程と、を行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
5. 前記ベース配線基板における前記フレーム接合部の上面から下面にかけて樹脂注入孔が形成されているとともに該樹脂注入孔を介して前記封止樹脂を注入することを特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法。
6. 前記フレーム配線基板を下側にして前記封止樹脂を注入することを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。

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